JP2012510048A - ガスサンプリング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
P1 − P2 > 2 P2 (1)
(P1は上流でサンプリングされたガスの圧力であり(ノズル内のガス流の方向から判断される)、P2はノズルより下流でサンプリングされたガスの圧力である)が守られた場合には、一定のガス流量を保証する。もし条件(1)が守られた場合、これらのガスにおいて、ノズル内で最小量のガスが通る区域の直線部分におけるガス流速は、音速に達する。言い換えると、条件(1)は、パイプ2内の圧力がノズル12より上流の圧力の3分の1より低い場合に守られる。ゆえに、パイプ2内の圧力が条件(1)を守っている限り、装置3の吸引力とは無関係である。
2、4 パイプ
3 吸引装置
11 フィルタ
12 膨張ノズル
Claims (15)
- プローブ(1)によってガスをサンプリングするステップと、前記サンプリングされたガスを、パイプ(2)を用いて、前記サンプリングされたガスを使用するガス利用装置(EXD)に移送するステップとを具備するガスのサンプリング法において、
前記方法が、前記パイプ(2)内の前記サンプリングされたガスの圧力を低下させ、そのパイプ内の前記サンプリングされたガスの露点を低下させるステップを具備し、
前記サンプリングされたガスの圧力低下は、前記プローブ(1)内に設置された膨張ノズル(12)を通して前記ガスをサンプリングすること、及び前記パイプ(2)内の前記サンプリングされたガスを前記利用装置(EXD)を通して吸引することによって行われることを特徴とするガスのサンプリング方法。 - 前記サンプリングされたガスの圧力低下は、前記パイプ(2)内を流通する前記ガスの圧力が、前記パイプ内の前記ガスの温度を該パイプ内の該ガスの露点より高いままとする値よりも低く維持されるように、前記パイプの温度を考慮して、行われることを特徴とする請求項1に記載のガスのサンプリング方法。
- 音速型の前記較正膨張ノズル(12)を通してサンプリングされた前記ガスの吸引力を、調整がない場合における前記吸引力の偏差を考慮して、前記パイプ(2)内を流通する前記サンプリングされたガスの圧力が、前記膨張ノズルより上流でサンプリングされた前記ガスの圧力の3分の1より低いままであるような値に、調節するステップを具備することを特徴とする請求項1または2に記載のガスのサンプリング方法。
- 前記パイプ(2)内の圧力を実質的に一定に維持するために、前記サンプリングされたガスの吸引力を調整するステップを具備することを特徴とする請求項1または2に記載のガスのサンプリング方法。
- 前記サンプリングされたガス中に存在し得る固形粒子を抽出するために、前記サンプリングされたガスをろ過するステップを、前記圧力を低下させるステップの前に具備することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のガスのサンプリング方法。
- 前記パイプ(2)の温度を前記サンプリングされたガスの露点よりも上で維持するために、該パイプを加熱するステップを具備することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のガスのサンプリング方法。
- ガスをサンプリングするためのプローブ(1)と、前記サンプリングされたガスを利用するための利用装置(EXD)と、前記プローブによってサンプリングされた前記ガスを前記利用装置へ移送するためのパイプ(2)とを具備するガスのサンプリング装置において、
前記サンプリングされたガスの露点を低下させるために、前記パイプ内(2)の前記サンプリングされたガスの圧力を低下させる手段(12,3)と、
前記パイプ(2)内の前記サンプリングされたガスを前記利用装置(EXD)を通して吸引する吸引装置(3)とを具備し、
前記圧力低下手段は前記プローブ(1)内に設置され前記パイプ(2)に通じている膨張ノズル(12)を具備することを特徴とするガスのサンプリング装置。 - 前記サンプリングされたガス(2)の圧力を低下させる前記手段(12、3)は、前記パイプ(2)内の前記ガスの圧力が、前記パイプ内の前記ガスの温度を該パイプ内の該ガスの露点より高いままとする値よりも低く維持されるように、前記パイプの温度を考慮して、構成されていることを特徴とする請求項7に記載のガスのサンプリング装置。
- 前記膨張ノズル(12)は、音速ノズルであることを特徴とする請求項7または8に記載のガスのサンプリング装置。
- 前記吸引装置(3)は、該装置が調整されていない場合における、前記吸引力の偏差を考慮して、前記パイプ(2)内を流通する前記サンプリングされたガスの圧力が、前記膨張ノズル(12)より上流でサンプリングされた前記ガスの圧力の3分の1より低いままであるような値よりも大きい吸引力を有することを特徴とする請求項9に記載のガスのサンプリング装置。
- 前記パイプ(2)内の圧力を実質的に一定に維持するため、前記サンプリングされたガスを吸引する前記吸引装置(3)の吸引力を調整する手段を具備することを特徴とする請求項7から10のいずれか一項に記載のガスのサンプリング装置。
- 前記プローブ(1)は、前記サンプリングされたガス中に存在し得る固形粒子を抽出するフィルタ(11)を具備することを特徴とする請求項7から11のいずれか一項に記載のガスのサンプリング装置。
- 前記パイプ(2)内の温度を前記サンプリングされたガスの露点より高くする加熱手段を具備することを特徴とする請求項7から12のいずれか一項に記載のガスのサンプリング装置。
- 前記吸引装置は、前記パイプ(2)内の前記ガスを吸引するために、パイプ(4)を通じて前記利用装置(EXD)につながれるポンプ(3)を具備することを特徴とする請求項7から13のいずれか一項に記載のガスのサンプリング装置。
- 請求項7から14のいずれか一項に記載のサンプリング装置を具備するガスの分析システムであって、
前記利用装置(EXD)がキャビティ・リング・ダウン分光法に基づいた型式の低圧ガス分析器を具備することを特徴とするガスの分析システム。
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