JP2012509965A - Rfidおよび他の用途に使用するための高導電率ポリマー厚膜銀導体組成物 - Google Patents

Rfidおよび他の用途に使用するための高導電率ポリマー厚膜銀導体組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2012509965A
JP2012509965A JP2011537679A JP2011537679A JP2012509965A JP 2012509965 A JP2012509965 A JP 2012509965A JP 2011537679 A JP2011537679 A JP 2011537679A JP 2011537679 A JP2011537679 A JP 2011537679A JP 2012509965 A JP2012509965 A JP 2012509965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thick film
polymer thick
silver
composition
microns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011537679A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012509965A5 (ja
JP5462274B2 (ja
Inventor
ロバート ドーフマン ジェイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2012509965A publication Critical patent/JP2012509965A/ja
Publication of JP2012509965A5 publication Critical patent/JP2012509965A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5462274B2 publication Critical patent/JP5462274B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2208Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems
    • H01Q1/2225Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems used in active tags, i.e. provided with its own power source or in passive tags, i.e. deriving power from RF signal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/04Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing chlorine atoms
    • C08L27/06Homopolymers or copolymers of vinyl chloride
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0242Shape of an individual particle
    • H05K2201/0245Flakes, flat particles or lamellar particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)

Abstract

無線周波数認識装置(RFID)に有用な、銀フレークと有機媒体とからなる厚膜銀組成物が開示される。さらに、本発明は、ポリマー厚膜(PTF)を使用するRFID回路または他の回路を使用するアンテナ形成方法に関する。

Description

本発明は、無線周波数認識装置(RFID)および他の用途に使用するためのポリマー厚膜(PTF)銀導体組成物に関する。1つの実施形態において、PTF銀組成物はポリエステルなどの可撓性低温基材上にスクリーン印刷された導体として使用され、そこでPTF銀組成物はアンテナとして機能する。さらに、この組成物は非常に高い導電率および低い抵抗率が必要とされる他の任意の用途に使用されてもよい。
ポリマー厚膜銀組成物は、RFIDデバイスならびに膜タッチスイッチ、電気器具回路などの他の用途、または高導電率ポリマー厚膜銀導体が必要とされる任意の用途において使用される。かかる製品は典型的に、セルの印刷アンテナとして使用される。ポリマー厚膜銀組成物のアンテナパターンは適切な基材の上に印刷される。RFID回路性能は、印刷アンテナの導電率と回路の抵抗との両方に依存する。抵抗率(導電率の逆数)が低くなればなるほど、使用された任意のポリマー厚膜組成物の性能が良くなるのがこのような回路である。低い抵抗率を有し、RFID用途に必要な厚さでコーティングするのに適している組成物を使用することが望ましい。
本発明は、(a)銀フレークと、(b)(1)有機ポリマーバインダー、(2)溶剤、および(3)低い抵抗率を有する印刷助剤を含む有機媒体とを含むポリマー厚膜組成物に関する。組成物は、全ての溶剤を除去するために必要な時間および温度において加工されてもよい。特に、組成物は、(a)少なくとも3ミクロンの平均粒度を有し、粒子の少なくとも10%が7ミクロンより大きく、ステアリン酸界面活性剤を有する50〜85重量%の銀フレークと、
(b)
(1)16〜25重量%のビニルコポリマー樹脂と、
(2)75〜84重量%の有機溶剤と
を含む15〜50重量%の有機媒体と
を含む。
また、組成物は金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、白金、パラジウム、モリブデン、タングステン、タンタル、スズ、インジウム、ランタン、ガドリニウム、ホウ素、ルテニウム、コバルト、チタン、イットリウム、ユウロピウム、ガリウム、硫黄、亜鉛、ケイ素、マグネシウム、バリウム、セリウム、ストロンチウム、鉛、アンチモン、導電性炭素、およびそれらの組合せを1重量%まで含有してもよい。
さらに、本発明はかかる組成物を用いてRFIDまたは他の回路上に電極形成する方法、かかる方法および/または組成物から形成された物品に関する。
一般的に、厚膜組成物は、適切な電気的機能性の特性を組成物に与える機能相を含む。機能相は、機能相のためのキャリアとして作用する有機媒体中に分散された電気的機能性粉末を含む。一般的には、厚膜組成物を焼成して有機化合物を燃焼消失させ、電気的機能性の特性を与える。しかしながら、ポリマー厚膜組成物の場合、有機化合物は乾燥後に組成物の一体部分として残る。このような「有機化合物」は、厚膜組成物のポリマー、樹脂またはバインダー成分を含む。これらの用語は交換可能に使用されてもよい。
厚膜導体組成物の主成分は、ポリマー樹脂と溶剤とからなる有機媒体中に分散された導体粉末である。成分は以下に考察される。
A.導体粉末
この厚膜組成物中の電気的機能性粉末はAg導体粉末であり、Ag金属粉末、Ag金属粉末の合金、またはそれらの混合物を含んでもよい。粒径、形状、および金属粉末上に使用された界面活性剤は特に重要であり、適用方法に適していなければならない。
金属粒子の粒度分布はそれ自体、本発明の有効性に対して重要である。実際的な問題として、粒度は1〜100ミクロンの範囲であるのが好ましい。最小粒度は、1〜10ミクロンの範囲内、例えば1、2、3、4、5、6、7、8、9、または10ミクロンである。粒子の最大粒度は18〜100ミクロンの範囲内、例えば18、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95または100ミクロンである。1つの有利な実施形態において銀フレークは2〜18ミクロンの範囲である。
金属粒子は、全組成物の50〜85重量%において存在する。
界面活性剤を組成物中で用いて、本明細書に記載のフレーク化銀粒子の有効な整列を促進することも重要である。ステアリン酸がフレーク化銀のために好ましい界面活性剤である。
さらに、少量の他の金属を銀導体組成物に添加して導体の特性を改良してもよいことは本技術分野に公知である。かかる金属の例には、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、白金、パラジウム、モリブデン、タングステン、タンタル、スズ、インジウム、ランタン、ガドリニウム、ホウ素、ルテニウム、コバルト、チタン、イットリウム、ユウロピウム、ガリウム、硫黄、亜鉛、ケイ素、マグネシウム、バリウム、セリウム、ストロンチウム、鉛、アンチモン、導電性炭素、およびそれらの組合せおよび厚膜組成物の本技術分野に一般的である他の金属がある。付加的な金属は全組成物の約1.0重量パーセントまで占めてもよい。
B.有機媒体
本明細書に記載の粉末は典型的に、機械混合によって有機媒体(ビヒクル)と混合され、印刷のために適したコンシステンシーおよびレオロジーを有し、「ポリマー厚膜銀組成物」または「ペースト」と本明細書では呼ばれる、ペースト状組成物を形成する。多種多様な不活性液体を有機媒体として使用することができる。有機媒体は、固形分が十分な安定度を有して分散性である有機媒体でなければならない。媒体の流動学的特性は、組成物に良好な適用性を与えるようなものでなければならない。かかる特性には、十分な安定度を有する固形分の分散、組成物の良好な適用、適切な粘度、チキソトロピー、基材および固形分の適切な湿潤能力、十分な乾燥速度、および荒っぽい取扱いに耐えるために十分な乾燥膜強度などがある。
本発明のポリマー樹脂は特に重要である。本発明において使用された樹脂は、銀フレークの高重量配合量を可能にするビニルコポリマーであり、したがって、RFID回路の銀電極の2つの重要な特性であるポリエステル基材への良い接着性と低い抵抗率(高い導電率)との両方を達成するのを助ける。
本明細書において、ビニルコポリマーは、ビニルモノマーのビニル基を少なくとも1つのコモノマーと重合させることによって製造されたポリマーとして定義される。好適なビニルモノマーには、ビニルアセテート、ビニルアルコール、塩化ビニル、塩化ビニリデンおよびスチレンなどがあるがそれらに限定されない。好適なコモノマーには、第二ビニルモノマー、アクリレートおよびニトリルなどがあるがそれらに限定されない。塩化ビニル、アクリロニトリル、アルキルアクリレートのうちの少なくとも1つとの塩化ビニリデンコポリマーが好適なポリマー樹脂である。
厚膜組成物中に存在する最も広範囲に使用された有機溶剤は、エチルアセテートおよびアルファ−またはベータ−テルピネオールなどのテルペンまたはケロシン、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコールおよび高沸点アルコールおよびアルコールエステルなどの他の溶剤とのそれらの混合物である。さらに、基材上に適用した後の急速な固化を促進するための揮発性液体をビヒクルに含有させることができる。本発明の多くの実施形態において、グリコールエーテル、ケトン、エステルおよび同様な沸点の(180℃〜250℃の範囲の)他の溶剤、およびそれらの混合物を用いてもよい。1つの有利な実施形態において媒体は二塩基性エステルおよびC−11ケトンを含有する。
媒体は16〜25重量%のビニルコポリマー樹脂および75〜84重量%の有機溶剤を含む。
厚膜の適用
本明細書に記載のポリマー厚膜銀組成物またはペーストは典型的に、ガスおよび湿気に対して本質的に不透過性であるポリエステルなどの基材上に付着される。また、基材は、プラスチックシートとその上に付着された任意の金属または誘電体層との組み合せから構成された複合材料など、不透過性プラスチックなどの軟質材料のシートでありうる。1つの実施形態において、基材は、金属化銀を含有する層の堆積でありうる。
ポリマー厚膜銀組成物の付着は、1つの実施形態においてスクリーン印刷によって、他の実施形態においてステンシル印刷、シリンジ分注またはコーティング技術などの付着技術によって行なわれる。スクリーン印刷の場合はスクリーン網目の大きさが、付着された厚膜の厚さを制御する。
例えば120〜140℃における10〜15分間の熱暴露などによって、付着された厚膜を乾燥させるかまたは有機溶剤を蒸発させる。
本組成物は、以下の理由のためにRFID関連用途に特に適している。すなわち、
(1)観察された特異な低い抵抗率(4.6ミリオーム/sq/mil)、および
(2)RFIDおよび他の用途に非常に重要であるプリントの厚さ(280ステンレス鋼スクリーンを使用して9〜10ミクロン)である。(1)および(2)の結果として得られるのは非常に低い回路抵抗であり、非常に望ましい有利な特徴である。
本発明は、以下の実施例によってさらに詳細に説明される。しかしながら、本発明の範囲はこれらの実施例によって全く制限されない。
実施例1
PTF銀電極ペーストを調製するために、界面活性剤としてステアリン酸を含有する4ミクロンの平均粒度を有する銀フレーク(範囲は1〜18ミクロンであった)を、塩化ビニリデンとアクリロニトリル樹脂とのコポリマー(Dow Chemical(Midland,Michigan)製のSaran F−310樹脂としても知られている)からなる有機媒体と混合した。樹脂の分子量は約25,000であった。銀粒子の表面積対重量の比は0.8〜1.3m2/gの範囲である。
銀フレークを添加する前に、溶剤を用いて樹脂を完全に溶解した。その溶剤は、DiBasic Esters(DuPont(Wilmington,Delaware)製)およびC−11ケトン溶剤(Eastman Chemical Company(Kingsport,Tennessee)製)の50/50ブレンドであった。少量の付加的なC−11ケトンを調合物に添加した。
ポリマー厚膜組成物は、以下のとおりであった。
64.00% ステアリン酸界面活性剤を有するフレーク化銀
35.50 有機媒体(19.5%樹脂/80.5%溶剤)
0.50 C−11溶剤
この組成物を30分間、遊星形ミキサーで混合した。次に、組成物を三本ロールミルに移し、そこでそれに150PSIにおいて第1の工程、250PSIにおいて第2の工程を実施した。この時点で、組成物を用いてポリエステル上に銀パターンをスクリーン印刷した。280メッシュのステンレス鋼スクリーンを用いて一連のラインを印刷し、銀ペーストを空気押込型箱形炉内で140℃において15分間乾燥させた。この後、抵抗率は10ミクロンの厚さにおいて4.6ミリオーム/sq/milとして測定された。比較として、DuPont製品5025などの標準組成物は、13.6ミリオーム/sq/milとして測定された。DuPont5028などの別の高導電率標準製品は9.8ミリオーム/sq/milを示したが、それは上に示された実施例よりも2倍大きい抵抗率である。全ての銀組成物の重要な特性である抵抗率のこの予想外に大きい改良(低下)によって、それをほとんどの用途に使用することができ、RFIDアンテナ性能が改良される。また、観察された値の4.6ミリオーム/sq/milは、高温焼成された(850℃)銀導体の値に近づいていることを指摘する。比較表を以下に示す。
Figure 2012509965
実施例2
銀フレーク上の界面活性剤をステアリン酸からオレイン酸に変えて、別のPTF銀組成物を調製した。調合物の全ての他の特性、銀粉末分布、および後続の加工は実施例1と同じであった。すなわち、実施例1と同じ有機媒体を使用した。この組成物の正規化抵抗率は42.8ミリオーム/sq/milであった。銀フレーク上の界面活性剤の化学的性質の変化は、組成物の抵抗率に有意の(良くない)影響を与えることは明らかである。
実施例3
粒度分布をより小さい粒子に変えて、別のPTF銀組成物を調製した。ここで、平均粒度が約2ミクロンに低減され、7ミクロンより大きい粒子は実質的になかった。実施例2の界面活性剤、オレイン酸を銀フレーク上で使用した。全ての他の加工条件は実施例1と同じであった。この組成物の正規化抵抗率は20.2ミリオーム/sq/milであり、選択された銀の粒度および使用された界面活性剤の重要性を再び示した。
実施例4
別のPTF銀組成物を実施例1に従って調製したが、使用された樹脂を実施例1に記載されたビニルコポリマーから分子量25000の熱可塑性のポリエステル樹脂に変えた。全ての他の条件および加工は同じであった。測定された正規化抵抗率は22.7ミリオーム/sq/milであり、銀粉末と共に実施例1において使用された樹脂の重要性を立証した。

Claims (13)

  1. (a)少なくとも3ミクロンの平均粒度を有し、粒子の少なくとも10%が7ミクロンより大きく、ステアリン酸界面活性剤を有する50%〜85重量%の銀フレークと、
    (b)i.16〜25重量%のビニルコポリマー樹脂と、
    ii.75〜84重量%の有機溶剤と
    を含む15〜50重量%の有機媒体と
    を含む、ポリマー厚膜組成物。
  2. 前記ビニルコポリマー樹脂が塩化ビニリデンと塩化ビニル、アクリロニトリル、およびアルキルアクリレートの少なくとも1つとのコポリマーである、請求項1に記載のポリマー厚膜組成物。
  3. 前記ビニルコポリマー樹脂が塩化ビニリデンとアクリロニトリルとのコポリマーである、請求項2に記載のポリマー厚膜組成物。
  4. 前記銀フレーク粒度が1〜100ミクロンの範囲である、請求項1に記載のポリマー厚膜組成物。
  5. 前記銀フレーク粒度が2〜18ミクロンの範囲である、請求項4に記載のポリマー厚膜組成物。
  6. 前記有機溶剤が、エチルアセテート、アルファ−またはベータ−テルピネオールなどのテルペン、ケロシン、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコール、アルコール、アルコールエステル、グリコールエーテル、ケトン、エステルおよびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載のポリマー厚膜組成物。
  7. 前記溶剤がエステル、ケトンおよびそれらの混合物から選択される、請求項6に記載のポリマー厚膜組成物。
  8. 前記有機溶剤の沸点が180℃〜250℃である、請求項6に記載のポリマー厚膜組成物。
  9. 金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、白金、パラジウム、モリブデン、タングステン、タンタル、スズ、インジウム、ランタン、ガドリニウム、ホウ素、ルテニウム、コバルト、チタン、イットリウム、ユウロピウム、ガリウム、硫黄、亜鉛、ケイ素、マグネシウム、バリウム、セリウム、ストロンチウム、鉛、アンチモン、導電性炭素、およびそれらの組合せを1重量%までさらに含む、請求項1に記載のポリマー厚膜組成物。
  10. (a)i.少なくとも3ミクロンの平均粒度を有し、粒子の少なくとも10%が7ミクロンより大きく、ステアリン酸界面活性剤を有する50〜85重量%の銀フレークと、
    ii.15〜50重量%の有機媒体であって、
    iii.16〜25重量%のビニルコポリマー樹脂、および
    iv.75〜84重量%の有機溶剤を含む有機媒体と
    を含むポリマー厚膜を基材に適用する工程と、
    (b)前記有機溶剤を蒸発させる工程と
    を含む、銀導体を製造する方法。
  11. 請求項10に記載の方法によって製造された銀導体。
  12. (a)請求項1に記載の組成物を基材上に適用する工程と、
    (b)前記組成物を乾燥させて回路を形成する工程と、
    (c)電圧を前記回路の両端に印加する工程と
    を含む、RFIDアンテナを形成する方法。
  13. 請求項11に記載の銀導体を用いて形成されたRFID回路。
JP2011537679A 2008-11-24 2009-11-23 Rfidおよび他の用途に使用するための高導電率ポリマー厚膜銀導体組成物 Active JP5462274B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/276,662 2008-11-24
US12/276,662 US7857998B2 (en) 2008-11-24 2008-11-24 High conductivity polymer thick film silver conductor composition for use in RFID and other applications
PCT/US2009/065494 WO2010060024A1 (en) 2008-11-24 2009-11-23 High conductivity polymer thick film silver conductor composition for use in rfid and other applications

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012509965A true JP2012509965A (ja) 2012-04-26
JP2012509965A5 JP2012509965A5 (ja) 2013-01-24
JP5462274B2 JP5462274B2 (ja) 2014-04-02

Family

ID=41665084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011537679A Active JP5462274B2 (ja) 2008-11-24 2009-11-23 Rfidおよび他の用途に使用するための高導電率ポリマー厚膜銀導体組成物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7857998B2 (ja)
EP (1) EP2350176B1 (ja)
JP (1) JP5462274B2 (ja)
KR (1) KR20110088593A (ja)
CN (1) CN102224190B (ja)
TW (1) TW201030768A (ja)
WO (1) WO2010060024A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014078716A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 E.I.Du Pont De Nemours And Company ポリマー厚膜導体組成物のラミネーション
KR20160102166A (ko) * 2013-11-01 2016-08-29 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 전기전도성 물질의 전달 방법
JP2016536407A (ja) * 2013-08-16 2016-11-24 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング サブミクロン銀粒子インク組成物、プロセスおよび応用
US11939482B2 (en) 2018-06-12 2024-03-26 Dic Corporation Highly electrically conductive silver ink composition and wiring obtained using same

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL218232B1 (pl) 2010-09-16 2014-10-31 Inst Technologii Materiałów Elektronicznych Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych
US8551367B2 (en) * 2012-01-19 2013-10-08 E I Du Pont De Nemours And Company Polymer thick film solder alloy conductor composition
US8557146B1 (en) * 2012-03-26 2013-10-15 E I Du Pont De Nemours And Company Polymer thick film solder alloy/metal conductor compositions
CN103578598B (zh) * 2012-07-28 2016-01-13 比亚迪股份有限公司 晶体硅se太阳电池向光面种子层浆料及其制备方法、晶体硅se太阳电池片及其制备方法
US9034417B2 (en) * 2012-08-20 2015-05-19 E I Du Pont De Nemours And Company Photonic sintering of polymer thick film conductor compositions
US8986579B2 (en) * 2012-10-10 2015-03-24 E I Du Pont De Nemours And Company Lamination of polymer thick film conductor compositions
US9563834B2 (en) 2013-04-10 2017-02-07 Honeywell International, Inc. High temperature tolerant RFID tag
CN107250292B (zh) * 2015-02-19 2020-09-22 株式会社大赛璐 银粒子涂料组合物
DE102016125465B4 (de) 2016-12-22 2022-08-11 Pas Deutschland Gmbh Siebdruckpaste, Verfahren zur Herstellung der Siebdruckpaste, Verwendung der Siebdruckpaste und elektrisch leitfähige Struktur
JP6528914B1 (ja) * 2018-06-12 2019-06-12 Dic株式会社 高導電性銀インク組成物、及びこれを用いた配線
DE102020211183A1 (de) 2020-09-04 2022-03-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Druckbare paste, verfahren zu ihrer herstellung sowie verfahren zum ausstatten eines substrats mit einer elektrisch leitfähigen struktur

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111057A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Nippon Perunotsukusu Kk 導電性ペースト組成物
JP2005505897A (ja) * 2001-10-12 2005-02-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 水性現像可能な光画像形成性厚膜組成物
JP2005166668A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 E I Du Pont De Nemours & Co メンブレンスイッチの用途で使用するための厚膜導体組成物
JP2005166667A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 E I Du Pont De Nemours & Co エレクトロルミネセンスの用途に使用するための厚膜組成物
WO2008127397A2 (en) * 2006-12-22 2008-10-23 Henkel Ag & Co. Kgaa Waterborne conductive compositions

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1984002423A1 (en) 1982-12-11 1984-06-21 Kennedy John W Formable polymer composition
US5141777A (en) * 1990-05-02 1992-08-25 Advanced Products, Inc. Highly conductive polymer thick film compositions
US5141177A (en) 1991-08-28 1992-08-25 United Technologies Corporation Model following control system
US5756008A (en) * 1996-08-14 1998-05-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water cleanable silver composition
US5855820A (en) * 1997-11-13 1999-01-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water based thick film conductive compositions
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
US20030108664A1 (en) * 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
US7575621B2 (en) * 2005-01-14 2009-08-18 Cabot Corporation Separation of metal nanoparticles
US7412765B2 (en) * 2006-07-14 2008-08-19 Auden Techno Corp. Method of manufacturing a sticker type antenna
EP2752470A1 (en) * 2006-08-07 2014-07-09 Inktec Co., Ltd. Process for preparation of silver nanoparticles, and the compositions of silver ink containing the same
US7789935B2 (en) * 2008-05-23 2010-09-07 Xerox Corporation Photochemical synthesis of metallic nanoparticles for ink applications

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005505897A (ja) * 2001-10-12 2005-02-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 水性現像可能な光画像形成性厚膜組成物
JP2004111057A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Nippon Perunotsukusu Kk 導電性ペースト組成物
JP2005166668A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 E I Du Pont De Nemours & Co メンブレンスイッチの用途で使用するための厚膜導体組成物
JP2005166667A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 E I Du Pont De Nemours & Co エレクトロルミネセンスの用途に使用するための厚膜組成物
WO2008127397A2 (en) * 2006-12-22 2008-10-23 Henkel Ag & Co. Kgaa Waterborne conductive compositions
JP2010513682A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 水性導電性組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014078716A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 E.I.Du Pont De Nemours And Company ポリマー厚膜導体組成物のラミネーション
JP2016536407A (ja) * 2013-08-16 2016-11-24 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング サブミクロン銀粒子インク組成物、プロセスおよび応用
KR20160102166A (ko) * 2013-11-01 2016-08-29 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 전기전도성 물질의 전달 방법
JP2016536810A (ja) * 2013-11-01 2016-11-24 ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドPPG Industries Ohio,Inc. 導電性材料を移送する方法
JP2018142750A (ja) * 2013-11-01 2018-09-13 ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドPPG Industries Ohio,Inc. 導電性材料を移送する方法
US10219388B2 (en) 2013-11-01 2019-02-26 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of transferring electrically conductive materials
KR102045113B1 (ko) * 2013-11-01 2019-11-14 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 전기전도성 물질의 전달 방법
US11939482B2 (en) 2018-06-12 2024-03-26 Dic Corporation Highly electrically conductive silver ink composition and wiring obtained using same

Also Published As

Publication number Publication date
US7857998B2 (en) 2010-12-28
EP2350176B1 (en) 2012-09-19
US20100127223A1 (en) 2010-05-27
EP2350176A1 (en) 2011-08-03
TW201030768A (en) 2010-08-16
WO2010060024A1 (en) 2010-05-27
CN102224190A (zh) 2011-10-19
JP5462274B2 (ja) 2014-04-02
CN102224190B (zh) 2013-08-21
KR20110088593A (ko) 2011-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5462274B2 (ja) Rfidおよび他の用途に使用するための高導電率ポリマー厚膜銀導体組成物
EP2303957B1 (en) Polymer thick film silver electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells
JP6535000B2 (ja) 高透過性基材のための伸縮性ポリマー厚膜銀導体
US9034417B2 (en) Photonic sintering of polymer thick film conductor compositions
US8557146B1 (en) Polymer thick film solder alloy/metal conductor compositions
US20120119163A1 (en) Solderable polymer thick film silver electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications
US8551367B2 (en) Polymer thick film solder alloy conductor composition
EP2715741A1 (en) Solderable polymer thick film conductive electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications
US20140018482A1 (en) Polymer thick film solder alloy/metal conductor compositions
EP2481060B1 (en) Polymer thick film silver electrode composition for use as a plating link
EP3170188B1 (en) Polymer thick film silver conductor with inverted cure profile behavior
JP6247069B2 (ja) ポリマー厚膜導体組成物のラミネーション
US8986579B2 (en) Lamination of polymer thick film conductor compositions

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131023

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5462274

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250