JP2012508473A - 太陽光電池 - Google Patents

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Abstract

本発明は、集光型太陽光電池および半導体ウェーハからこれらの集光型太陽光電池を作る方法を提供する。この方法では、まず当該ウェーハの背面にドープして、第一のドープ領域を作る。前面および背面に不活性化層を付着させる。当該不活性化層を貫通するように、背面に深溝を作り、当該背面にドープして、当該深溝内に当該第一のドープ領域とは反対符号にドープされた第二のドープ領域を作る。次に、当該背面不活性化層を貫通して当該第一のドープ領域に達する開口を作り、第一および第二のドープ領域に電気的に接続するために、当該背面上に電気接点を作る。この集光型太陽光電池は、前面および背面上に付着させられた不活性化層を備えた半導体ウェーハを有し、また、第一のドープ領域が、ウェーハの背面に存在する。また、この太陽光電池は、背面からの開口内にあって、当該第一のドープ領域と接触するpタイプ電気接点、背面からウェーハ内に延びる深溝内のnタイプ電気接点、および、当該深溝を作ったあと、しかし当該nタイプ電気接点の形成に先立って、当該溝内からドープされた第二のドープ領域を有する。
【選択図】図3

Description

本発明は、太陽光電池に関する。より詳しくは、本発明は、深溝形成背面接点 (deep grooved rear contact) (DGRC)技術によって開発された背面接点集光太陽光電地(rear contact concentrated photovoltaic solar cell)に関する。
太陽エネルギーの有用な形への変換、たとえば発電または熱捕集におけるそれは、ますます重要になっている。というのは、他のエネルギー源の入手しやすさの変化および化石燃料燃焼の環境への影響のためである。太陽エネルギーの利用可能な形への変換は、すでに多年にわたって可能であったが、その過程の効率およびその大きな費用のために、太陽エネルギー使用の総合的有効性が制限されていた。
太陽電池は、光を直接電気に変換するものである。通常の太陽電池は、nタイプおよびpタイプの領域を作るためにドープされた半導体を使用している。太陽光の吸収により、電池内の電子が高いエネルギー状態に遷移する。この半導体デバイスの両面に電極が備えられていて、太陽電池を外部回路に接続する。高エネルギーの電子は、太陽電池から外部回路に移動して、外部回路でエネルギーを放出し、それから太陽電池に戻る。
そのもっとも普通の形において、半導体は単結晶または多結晶の形のシリコンであり、基板はp型で、前面に浅いn型層が形成される。光にさらされる電極は、通常、格子状で、最大限の量の光が太陽電池にあたるようになっており、またこの電極は通常銀からなる。裏面層は、通常、連続な金属層であり、通常アルミニウムからなる。
太陽電池にあたる光の強度は、“サン数(number of sun)”と呼ばれている。ここで、1サンは1 kW/m2における標準照度に対応する。1サンよりも大きな照度で作動する太陽電池は、集光型(concentrator)と呼ばれている。集光型太陽電池は、光学要素を使用して太陽光を集中または案内して、小さな太陽電池に高強度の光束を供給する。集光型太陽電池の利点は、1サン太陽電池よりも大きな有効電位を有し、かつ費用対効果が大きいということである。しかし、集光の効率における利点は、集光によって電流密度が増大することによる直列抵抗における損失の増大、また太陽電池の高温作動により、減少しうる。大きな直列抵抗により、集光型太陽電池における電力損失が生じうる。
レーザー溝形成埋め込み接点(LGBC)(laser grooved buried contact)電池と呼ばれるタイプの集光型太陽電池は、一般に、レーザーによって表面内にけがきされた溝からなる前面格子を有する。溝内にニッケルおよび銅の無電解めっきによって、電極が作られる。溝内に形成される電極を有する利点は、電池が、大きな集光において生成される大きな電流密度を処理する一方で、許容できる遮光損失を維持することができる、ということである。背面はシリコン半導体に合金されたアルミニウムの連続薄膜からなる。前面のように、背面アルミニウム薄膜にニッケルおよび銅薄層をめっきして、ベース電極を作る。レーザー溝形成によって局所エミッターを作るLGBC電池の特殊構成と溝拡散とによって、直列抵抗が著しく減少する。
LGBC電池は、多くの従来タイプの太陽電池に比して大きな利点を与える。LGBC太陽電池構造は、標準試験条件下で18%の太陽電池効率を与える。標準試験条件では、一般的な220μmの厚さのチョクラルスキー成長単結晶ウェーハにおいて、1.5 mmの一般的溝間隔を使用する。溝間隔を250〜500μmまで小さくすると、LGBC電池は、通常の太陽光の100倍までの強度を有する集中太陽光で使用することができる。正しく設計された電池の場合、標準プロセスにより、1〜4 cm2の太陽電池活性領域に対して100倍の集光時に、19%までの効率が実現できる。この太陽電池のコストは、1サン使用の場合と実質的に同じであるから、このことは大きなコスト節約を意味する。しかし、この高レベルの集光の場合、電池表面に多数の溝が存在し、溝内のメタライゼーションにより、表面が遮光され、光を表面から反射してしまうために、太陽電池の効率が低下する。一般的な100倍集光型電池の場合、活性領域の表面遮光は、10〜14%の範囲にある。
太陽電池を、電池の直列抵抗を増大させることなく、接点が背面に配置されるように、構成することができるならば、それに応じて、集光下の電池効率を増大させることができる。
多数の背面接点太陽電池が、スクリーン印刷またはフォトリソグラフィ技術によって開発されているが、これらの技術には問題がある。スクリーン印刷電池は、大きな直列抵抗損失のために、集中光とともに使用するのには不適当である。フォトリソグラフィ技術は経済的でなく、大体積太陽電池製造の場合、費用がかかりすぎる。
本発明の主目的は、深溝形成背面接点(DGRC)技術によって、電池の直列抵抗の増大なしで、背面上にすべての接点を有し、それに応じて集光下での電池効率の増大が得られるような太陽光電池を提供することである。
本発明においては、
前面と背面とを有する半導体ウェーハから集光型太陽光電池を作る方法であって、
(a) 当該ウェーハの背面にドープして、当該ウェーハの背面に第一のドープ領域を作り、
(b) 前面および背面に不活性化層を付着させ、
(c) 当該不活性化層を貫通するように、背面に深溝を作り、
(d) 当該背面にドープして、当該深溝内に第二のドープ領域を作り、当該第二のドープ領域は当該第一のドープ領域とは反対符号にドープし、
(e) 背面不活性化層を貫通して当該第一のドープ領域に達する開口を作り、
(f) 第一および第二のドープ領域に電気的に接続するために、当該背面上に電気接点を作る、
各ステップからなることを特徴とする方法、
が提供される。
第一および第二のドープ領域の電気接点は、電気的に絶縁する必要があり、これは、背面をけがきして、反対半導体タイプの接点を絶縁することによって実現される。
当該電気接点は、ステップ(f)において、無電解めっきによって作ることができる。これは、太陽電池の製造において使用される標準的な方法であって、
(i) 無電解ニッケル付着、および/または
(ii) 無電解ニッケル焼結、および/または
(iii) 無電解銅付着、および/または
(iv) 銅表面の銀不活性化、
のうち一つ以上のステップからなることができる。
ステップ(a)における背面のドーピングの前に、まず、ウェーハを洗浄し、表面をエッチして、ウェーハの傷を除去することができる。ウェーハの前面には、テクスチャーを与えて、表面反射を減らすことができる。表面へのテクスチャー付与は、当該産業において周知の標準的方法であり、反射損失を減らすのに必要である。好ましくは、表面は非平面として、電池によって初期吸収されなかった光が別の面に向かって反射されるようにすることができる。入射光が表面に数回当たることができるように、非常に好ましいのは、太陽電池を、当該電池の前面が‘不規則ピラミッド’テクスチャーからなるような構造とすることである。
ウェーハの洗浄またはテクスチャー付与のあと、背面にドーピングを行い、第一のドープ領域を作る。ステップ(a)におけるドーピングは、任意の適当な方法によって実施できるが、好ましくは、ドーパントを含む化合物をウェーハの背面上にスピニングし、そのあと当該化合物を高温で加熱してドーパント原子が熱拡散によって背面内に浸透できるようにすることによって行う。このプロセスは背面を少なくとも1000℃に加熱することを必要とする。この加熱は、ベルト炉または石英管炉によって実施できる。理想的には、この加熱は、約100Ω/sqの抵抗が生じるのに必要な時間にわたって維持する。
不活性化層を前面および背面上に成長させる。この層は、反射防止層として作用するばかりでなく、マスクとしても作用し、再結合速度を減少させる。ステップ(b)における不活性化層の付着は、当該産業分野で公知の技術によって実施できる。この不活性化層は、好ましくは、500 cm/sよりも小の前面および背面再結合速度が与えられるように作る。
背面接点のための深溝にけがきするために、パルスレーザーを使用することができる。ステップ(c)における溝の形成は、標準的なレーザー溝形成技術たとえばレーザースクライビングによって実施することができる。この深溝は、他の手段たとえば機械的けがきたとえばダイヤモンドブレードまたはけがき針によっても加工できる。また、この溝は、高圧液体たとえば水のジェット、またはパルスレーザーとウォータージェットとの組合せであるレーザーマイクロジェットによって加工できる。
太陽電池の効率を最大にするために、この溝は、ウェーハ前面から1拡散距離以内にあるような深さとすべきである。理想的には、複数の溝がステップ(c)において加工され、好ましくは、これらの溝は2拡散距離より小の間隔だけ離して配置される。“拡散距離”という言葉は、当業者には周知なように、再結合前にキャリアが移動する距離である。
ステップ(c)における溝の加工のあと、好ましくは、溝を洗浄して、すべてのウェーハ付着物を除去する。これは、任意の適当な方法たとえばエッチングによって実施できる。
ステップ(d)におけるドーピングにより、第一のドープ領域とは反対の半導体タイプの第二のドープ領域が生じる。ここで使用する“溝内の第二のドープ領域”という言葉は、ステップ(a)において第一のドープ領域がウェーハの背面に形成されるのと同じやり方で、第二のドープ領域が溝の表面に形成されるということを意味する。背面の不活性化層は、マスクとして作用して、第二のドーパントの当該層への拡散を防止し、拡散が溝形成領域内にのみ限られるようにする。好ましくは、溝においては、100Ω/sqよりも小のシート抵抗が生じるような接合深さまで拡散が起こるようにする。接合深さという言葉は、当該産業分野においては、p-n接合における、アクセプターの濃度がドナーの濃度に等しくなる平面の深さ(表面から測った)を意味する。
ステップ(e)においては、開口が、背面不活性化層を貫通するように作られ、背面から第一のドープ領域との接続ができるようにされる。これは、任意の適当な方法(または方法の組合せ)たとえばレーザー切断、ウォータージェット切断、機械的けがきによって、または不活性化層に対するスクリーン印刷エッチング液によって、行うことができる。理想的には、複数の開口がステップ(e)において加工される。
第一のドープ領域は、第二のドープ領域とは反対の半導体タイプのものである。第一のドープ領域は、ウェーハ自身の半導体タイプとは反対のものとすることができるが、理想的には、ウェーハおよび第一のドープ領域は同じ半導体タイプである。第一のドープ領域は、n+タイプのドープ領域とすることができるが、好ましくは、p＋＋タイプのドープ領域である。
理想的には、一つのウェーハを使用して、複数の太陽電池が作られ、各太陽電池は複数の溝と開口を有する。この場合、ステップ(a)〜(f)の実施後、ウェーハにけがきしてへき開し、ウェーハから個別の電池を得ることができる。
本発明の第二の実施形態においては、
集光型太陽光電池であって、
- 前面および背面を有する半導体ウェーハ、
- 当該前面および背面上に付着させられた不活性化層、
- ウェーハの背面の第一のドープ領域、
- 背面からの開口内に作られ、当該第一のドープ領域と接触しているpタイプ電気接点、
- 背面からウェーハ内に延びる深溝内に作られるnタイプ電気接点、
- 当該深溝を作ったあと、当該nタイプ電気接点の付着に先立って、当該溝内からドープされた第二のドープ領域であって、当該nタイプ電気接点と電気的に接続する第二のドープ領域、
からなることを特徴とする集光型太陽光電池、
が提供される。
この集光型太陽光電池は、好ましくは、その背面に複数の溝と開口を有し、これらの溝と開口は、内部に形成された電気接点を有することができる。
不活性化層は、適当な厚さたとえば10 nmの酸化ケイ素薄膜からなることができる。この層は、もう一つの適当な材料たとえばLPCVD(低圧化学蒸着)窒化ケイ素で覆うことができる。この場合、窒化ケイ素の適当な厚さは、約80 nmである。材料のその他の組合せたとえば交互に非晶質炭化ケイ素と酸化ケイ素からなる層を使用することができる。これらの適当な不活性化層物質は、PECVD(プラズマ促進化学蒸着)反応器内で低温でウェーハ上に蒸着することができる。
太陽電池の第一のドープ領域は、負にドープすることができるが、好ましくは、第一のドープ領域はp＋＋タイプのドープ領域である。適当なドーパント供給源物質はホウ素であるが、もちろん、必要な拡散を生じるのに適当な任意の物質を使用することができる。
第二のドープ領域は、第一の供給源物質のタイプとは反対の半導体タイプのものであり、したがって、第二のドープ領域は好ましくはn＋タイプのドープ領域とすることが必要である。任意の適当なn＋タイプのドーパント物質たとえばリンを使用して第二のドープ領域を作ることができる。溝をウォータージェットを使用する方法で作る場合には、ドーパントをジェットの水に含ませて第二のドープ領域に付着させることができる。
以下、単なる例として、本発明による太陽光電池の二つの特定実施形態およびやはり本発明による製造方法について、添付の図面を参照しつつ、詳しく説明する。
まず、図1を参照すると、標準的な先行技術の前面接点レーザー溝形成埋め込み接点太陽電池の断面が示されている。この太陽電池は、おおまかに言うと、前面11と背面12とを有する半導体ウェーハ10からなる。このウェーハ材料はp型の基底層と浅いn型上層とからなる。このウェーハは、通常化学的に、まず洗浄され、次に、半導体材料ののこ引きによって生じた傷を除去するために、エッチングされる。次に、前面11に、テクスチャーが付与され、不規則または不ぞろいのピラミッド構造の配列13が生じる。このテクスチャー付与により、最初電池内に吸収されなかった光が“捕らえられ”、面11から反射されて失われることがない。ウェーハ11には、拡散により、適当なドーパントがドープされ、基底層にp＋型のドープ領域が生じる。前面11には、反射防止被覆14たとえば窒化ケイ素からなるものが備えられ、さらに反射が防止される。溝15は、レーザーにより、前面11から反射防止被覆14を貫通するようにウェーハ内に加工される。溝15は、通常、エッチングされ、余計な破片が除去される。
この面にはふたたび拡散処理がなされて、n＋型のドープ領域17が形成される。この拡散は、窒化ケイ素反射防止被覆14によって、レーザーで切削された領域のみに限られる。次に、アルミニウム層(図示せず)がウェーハの背面12に蒸着され、それから焼結される。次に、前面11および背面12は、無電解めっきされて、ニッケル層19が形成され、そのあと、接点を作るために銅および銀が無電解付着させられる。反射防止窒化ケイ素被覆14により、溝15の前面へのめっきが制限される。
図1に示すように、LGBC電池のこの部分の前面接点は、二つの溝15を有する。高レベルの集光を実現するために、電池面11上にいくつかの溝15が必要である。その結果、溝15内の金属被覆により、面11が遮光され、面11から光が反射して失われることにより、太陽電池の効率が低下する。
図2A〜2Fには、図3のDGRC太陽光電池を作るために必要な、本発明の方法によるステップ系列を示す。まず、図2Aに示すように、半導体ウェーハ25は、洗浄され、次に、標準的な方法によってテクスチャーが与えられて、前面26にピラミッド構造28が生じる。このウェーハは、p型層24と前面の浅いn型層23とを有する。次に、背面27に、標準的な方法でドープされ、100Ω/squareのp＋＋型ドープ領域29が生じる。これは、適当なドーパント供給源物質をスピニングし、必要な100Ω/squareとなる拡散が実現されるまで、ベルト炉または石英管炉内で約1000℃に加熱することにより達成される。ドーパント原子は、熱拡散により、ウェーハ25の背面27内に拡散させられる。溝がウォータージェットを使用する方法で作られる場合には、ドーパントをジェットの水に含ませることによって第二のドープ領域に塗布することができる。これにより、ウェーハの加熱の必要性をなくすかまたは少なくすることができる。というのは、切削によって生じる熱が、ドーパントが水からウェーハ材料内に導入されるようにするのに十分でありうるからである。
図2Bに示すように、不活性化層30が前面26および背面27に付着させられる。この層は、前面26のための反射防止層として作用し、前面26から光が反射して失われるのを防止する。不活性化層30は背面27のためのマスクとしても作用する。このことについては、以下で詳しく説明する。さらに、不活性化層30は、この太陽電池における電子の再結合速度を小さくするためにも働き、前面26および背面27における表面再結合速度が500 cm/sよりも小になるように構成される。
パルスレーザーを用いる標準的なレーザー溝形成またはレーザーマイクロジェッティング技術を使用して、図2Cに示すように、背面接点のために背面27に深いレーザー溝31のけがきを行う。前述のように、溝は他の方法によっても作ることができる。溝31は、前面26から1拡散距離内にあることが必要であり、隣り合う溝は、好ましくは、2拡散距離よりも小の距離だけ離れている必要がある。たとえば、通常の厚さ200μmのチョクラルスキーウェーハの溝は、約150μmの深さで、約300μmだけ離れている必要がある。これらの溝31は、ウェーハから生じる余計な粒子を除去するためにエッチングされ、それから、ふたたびドープされて、n＋＋の第二のドープ領域32が生じる。このドーピングは標準的な技術によりリンを用いて行う。背面27に付着させられる不活性化層30は、マスクとして作用し、この第二のドーピングプロセス中、ウェーハ内への浸透が溝31内でのみ起こるようにする。溝31を囲む材料内への拡散は、10Ω/squareよりも小のシート抵抗を与える接合深さとなるように実施すべきである。
次に、図2Dに示すように、バイア33が背面不活性化層30を貫通するように開けられ、背面27のp＋＋ドープ領域29への接触が可能になる。これは、不活性化層30のレーザースクライビングによって実施できる。
図2Eには、図1の標準的太陽電池で使用される標準的めっき34のステップを示す。ニッケルが背面27上に無電解付着させられ、それから焼結され、そのあと無電解銅付着が行われる。次に、銀不活性化層が銅表面に付着させられる。このプロセスにより、バイア33が埋められて、p型接点38が作られ、また溝31が埋められて、n型接点37が作られる。
次に、背面27にけがきまたはエッチングが行われ、切れ目(break)35が作られる。この切れ目は、電気接点37をp型接点38から絶縁する。この絶縁けがきステップは標準的な技法によってなされる。
上述の方法によって製造された本発明の太陽光電池を、図3に示す。ウェーハ25は、背面27に隣接するp型層24と前面26の浅いn型層23とを有する。前面26は、テクスチャーが与えられてピラミッド状構造28となり、これによって入射光の反射が減少する。ウェーハ25の背面27には、ホウ素がドープされ、第一のp＋ドープ領域29が生じる。ホウ素ドーパントは、熱拡散によって電池面27内に浸透する。前面26および背面27は、反射防止不活性化層30を有する。溝が不活性化層30を貫通するように背面27に加工され、第二のドープ領域32が、リンのドーピングによってn＋ドープ領域を形成させることによって、溝のまわりに作られる。溝31は、ニッケル、銅および銀で埋められ、n型電気接点37が作られる。p型電気接点38も、背面不活性化層を貫通するように切削される浅い溝内に付着させられたニッケル、銅および銀で作られる。これらの接点37、38は、金属材料の付着のあと、背面上にけがきされた切れ目によって相互に絶縁される。
図4は、図3に示す太陽電池の背面27の模式図である。示されているように、n型接点37はp型接点38から絶縁されている。同タイプの接点は相互に接続されている。
図5は、前記のものと似た集光型太陽光電池の第二の実施形態を示す。この図でも、前記のものの部分と同種の部分は同じ参照番号で示す。この実施形態の場合、p型接点40は前記のもののそれよりもずっと大きい。加工されたバイアは、背面不活性化層30を貫通するだけでなく、もっと深く第一のp＋＋領域29内にはいり込んでいる(当該領域全体を貫通させることもできる)。実際には、そのようなバイアは、むしろ第二の溝の形であり、この溝は、第一の溝と同様に、加工時または加工後にさらにドープすることができる。p型接点の面積が大きいため、接触抵抗と直列抵抗とがともに減少する。
先行技術によるLGBC太陽電池である。 深溝形成背面接点(DGRC)集光型太陽光電池を製造する本発明の方法に従って順次に実施される工程を示す図である。 深溝形成背面接点(DGRC)集光型太陽光電池を製造する本発明の方法に従って順次に実施される工程を示す図である。 深溝形成背面接点(DGRC)集光型太陽光電池を製造する本発明の方法に従って順次に実施される工程を示す図である。 深溝形成背面接点(DGRC)集光型太陽光電池を製造する本発明の方法に従って順次に実施される工程を示す図である。 深溝形成背面接点(DGRC)集光型太陽光電池を製造する本発明の方法に従って順次に実施される工程を示す図である。 深溝形成背面接点(DGRC)集光型太陽光電池を製造する本発明の方法に従って順次に実施される工程を示す図である。 本発明の集光型太陽光電池の第一の実施形態を示す図である。 図3の集光型太陽光電池の背面接点の概略図である。 本発明の集光型太陽光電池の第二の実施形態を示す図である。
10 半導体ウェーハ
11 前面
12 背面
13 ピラミッド構造の配列
14 反射防止被膜
15 溝
17 n＋型のドープ領域
19 ニッケル層
23 浅いn型層
24 p型層
25 半導体ウェーハ
26 前面
27 背面
28 ピラミッド構造
29 p＋＋ドープ領域
30 不活性化層
31 深いレーザー溝
32 n＋＋の第二のドープ領域
33 バイア
34 めっき
35 切れ目
37 n型接点
38 p型接点
40 p型接点

Claims (33)

  1. 前面と背面とを有する半導体ウェーハから集光型太陽光電池を作る方法であって、
    (a) 当該ウェーハの背面にドープして、当該ウェーハの背面に第一のドープ領域を作り、
    (b) 前面および背面に不活性化層を付着させ、
    (c) 当該不活性化層を貫通するように、背面に深溝を作り、
    (d) 当該背面にドープして、当該深溝内に第二のドープ領域を作り、当該第二のドープ領域は当該第一のドープ領域とは反対符号にドープし、
    (e) 背面不活性化層を貫通して当該第一のドープ領域に達する開口を作り、
    (f) 第一および第二のドープ領域に電気的に接続するために、当該背面上に電気接点を作る、
    各ステップからなることを特徴とする方法。
  2. 第一および第二のドープ領域の電気接点が、背面のけがきによって電気的に絶縁されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. ステップ(f)で当該電気接点が無電解めっきによって作られることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
  4. 当該無電解めっきが、
    (i) 無電解ニッケル付着、
    (ii) 無電解ニッケル焼結、
    (iii) 無電解銅付着、
    (iv) 銅表面の銀不活性化、
    のうち一つ以上のステップからなることを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. ステップ(a)における背面のドーピングが、ドーパント供給源物質を塗布して加熱することによって行われることを特徴とする請求項1から4の中のいずれか一つに記載の方法。
  6. 当該ウェーハが約1000℃に加熱されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
  7. 加熱がベルト炉によって行われることを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  8. 加熱が石英管炉内で実施されることを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  9. 加熱が、100Ω/squareとなる拡散を生じるのに必要な時間だけ保たれることを特徴とする請求項5から8の中のいずれか一つに記載の方法。
  10. ステップ(b)で付着させられる不活性化層が500 cm/sよりも小の前面および背面再結合速度を与えることを特徴とする請求項1から9の中のいずれか一つに記載の方法。
  11. ステップ(c)における溝が、パルスレーザー、ウォータージェット、レーザーマイクロジェット、またはダイヤモンドけがきによって作られることを特徴とする請求項1から10の中のいずれか一つに記載の方法。
  12. ステップ(c)における深溝が、ウェーハの上面から1拡散距離以内の深さに作られることを特徴とする請求項1から11の中のいずれか一つに記載の方法。
  13. 複数の溝が背面に作られることを特徴とする請求項1から12の中のいずれか一つに記載の方法。
  14. 当該溝が、相互に2拡散距離よりも小の間隔だけ離れて等間隔配置されていることを特徴とする請求項13に記載の方法。
  15. ステップ(d)において、ドーパントの溝内への拡散が、10Ω/sqよりも小のシート抵抗を与えるのに十分な接合深さまでなされることを特徴とする請求項1から14の中のいずれか一つに記載の方法。
  16. ステップ(e)において、当該開口が、パルスレーザー、ウォータージェット、レーザーマイクロジェットまたはダイヤモンドけがきによって、背面不活性化層を貫通するように作られることを特徴とする請求項1から15の中のいずれか一つに記載の方法。
  17. ステップ(e)において、当該開口が、不活性化層のスクリーン印刷エッチングによって、背面を貫通するように作られることを特徴とする請求項1から15の中のいずれか一つに記載の方法。
  18. 複数の細長い開口が、当該溝の間に背面を貫通するように作られることを特徴とする請求項1から17の中のいずれか一つに記載の方法。
  19. 当該第一のドープ領域が、当該ウェーハと同じドーピングタイプであることを特徴とする請求項1から18の中のいずれか一つに記載の方法。
  20. 当該第一のドープ領域がp+タイプドープ領域であることを特徴とする請求項1から19の中のいずれか一つに記載の方法。
  21. 複数の太陽電池が一つのウェーハ上に作られることを特徴とする請求項1から20の中のいずれか一つに記載の方法。
  22. ステップ(f)のあと、ウェーハがけがきされ、へき開されて、当該ウェーハから複数の独立太陽電池が作られることを特徴とする請求項21に記載の方法。
  23. 集光型太陽光電池であって、
    - 前面および背面を有する半導体ウェーハ、
    - 当該前面および背面上に付着させられた不活性化層、
    - ウェーハの背面の第一のドープ領域、
    - 背面からの開口内に作られ、当該第一のドープ領域と接触しているpタイプ電気接点、
    - 背面からウェーハ内に延びる深溝内に作られるnタイプ電気接点、
    - 当該深溝を作ったあと、当該nタイプ電気接点の付着に先立って、当該溝内からドープされた第二のドープ領域であって、当該nタイプ電気接点と電気的に接続する第二のドープ領域、
    からなることを特徴とする集光型太陽光電池。
  24. 当該不活性化層が酸化ケイ素薄膜からなることを特徴とする請求項23に記載の集光型太陽光電池。
  25. 酸化ケイ素不活性化層の深さが10 nmであることを特徴とする請求項24に記載の集光型太陽光電池。
  26. 当該不活性化層がさらにLPCVD窒化ケイ素薄膜を有することを特徴とする請求項24または25に記載の集光型太陽光電池。
  27. LPCVD窒化ケイ素不活性化層の深さが80 nmであることを特徴とする請求項26に記載の集光型太陽光電池。
  28. 不活性化層が交互に非晶質炭化ケイ素と酸化ケイ素から成る層であることを特徴とする請求項23に記載の集光型太陽光電池。
  29. 当該不活性化層がPECVD反応器内で低温付着させられることを特徴とする請求項28に記載の集光型太陽光電池。
  30. 当該第一のドープ領域がp+タイプドープ領域であることを特徴とする請求項23から29の中のいずれか一つに記載の集光型太陽光電池。
  31. ドーパント供給源物質がホウ素であることを特徴とする請求項30に記載の集光型太陽光電池。
  32. 当該第二のドープ領域がn+タイプドープ領域であることを特徴とする請求項23から31の中のいずれか一つに記載の集光型太陽光電池。
  33. ドーパント供給源物質がリンであることを特徴とする請求項32に記載の集光型太陽光電池。
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