JP2012507626A - スパッターターゲットを製造する方法と当該方法によって製造されるスパッターターゲット - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
指標=‘x位置’/‘xステップ’+1
を決定する。
[例1]
第一の半厚部分
{111} S111 6.98%/mm
B111 4.616%
{100} S100 -4.72%/mm
B100 4.560%
第二の半厚部分
{111} S111 -8.78%/mm
B111 4.35%
{100} S100 0.39%/mm
B100 2.851%
[例2]
第一の半厚部分
{111} S111 8.21%/mm
B111 6.619%
{100} S100 -2.64%/mm
B100 7.045%
第二の半厚部分
{111} S111 -11.78%/mm
B111 8.412%
{100} S100 4.31%/mm
B100 6.500%
12 VARインゴット
20 押出しステップ
30 真空焼鈍ステップ
40 三軸鍛造ステップ
50 真空焼鈍ステップ
60 クロックローリングステップ
62 中間焼鈍ステップ
64 最終真空焼鈍ステップ
130 真空焼鈍ステップ
135 真空焼鈍ステップ
140 三軸鍛造ステップ
145 三軸鍛造ステップ
160 クロックローリング
162 中間焼鈍ステップ
164 最終焼鈍ステップ
212 インゴット
214 初期据え込み鍛造ステップ
216 初期据え込み鍛造ステップ
218 押出しステップ
220 ビレット
242 一軸鍛造ステップ
244 一軸鍛造ステップ
246 一軸鍛造ステップ
248 一軸鍛造ステップ
250 一軸鍛造ステップ
260 一軸鍛造ステップ
262 クロックローリングステップ
CL 中心線
Claims (20)
- bcc金属またはbcc金属合金からスパッターターゲットを製造する方法であって、
a) 当該bcc金属または合金のインゴットを準備し、
b) 当該インゴットを三軸鍛造し、このとき、当該インゴットが当該インゴットの中心軸を定める中心線(CL)を有し、当該三軸鍛造時に当該CLが当該インゴットの中心に保たれ、
c) 少なくとも第一の焼鈍ステップにおいて当該インゴットを真空焼鈍し、
d) 当該インゴットをクロックローリングし、このとき、当該CLが当該インゴットの中心に保たれ、かつ当該クロックローリング時に使用される圧縮力に垂直であり、
e) 第二の焼鈍ステップにおいて当該インゴットを真空焼鈍し、
f) 当該インゴットに当該スパッターターゲットの作製に必要な形状を与える、
各ステップからなることを特徴とする方法。 - 当該三軸鍛造が複数回繰り返されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該真空焼鈍(c)が当該複数回の三軸鍛造ステップそれぞれのあとに実施されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 当該インゴットを押出すもう一つのステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該第一の真空焼鈍ステップが約950〜1300℃の温度で実施され、当該第二の焼鈍が約950〜1300℃の温度で実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該クロックローリングが、周囲温度において少なくとも50%の断面減少率となるまで実施される第一のクロックローリングを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 当該クロックローリングが、周囲温度において少なくともさらに60%の断面減少率が与えられるまで実施される第二のクロックローリングを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 当該第一のクロックローリングのあと、当該インゴットが中間焼鈍ステップにおいて約950〜1200℃で焼鈍されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 当該第一の焼鈍ステップが当該クロックローリングの前に実施され、当該第二の焼鈍ステップが当該第二のクロックローリングのあとに実施されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 当該三軸鍛造の少なくとも一部が約800℃の加熱条件下で実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該bcc金属がTaであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該bcc金属がNb/Ti合金であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該ステップ(a)が電子ビーム溶解および真空アーク再溶解インゴットを準備することからなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 当該スパッターターゲットが、当該bcc金属または合金からなる上面を有し、当該CLが当該上面に垂直であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ある厚さ寸法を有し、少なくとも99.5%の純度と約25ppmよりも小のCONH濃度を有するTa金属であって、約50〜100μmの結晶粒径と当該厚さ寸法の中間部分全体にわたって割合に大きな%{111}勾配を有する{100}-{111}混合集合組織とを有することを特徴とするTa金属。
- 当該CONH濃度が20 ppmよりも小で、当該結晶粒径が約50〜70μmであることを特徴とする請求項15に記載のTa金属。
- 当該金属の上半分の厚さ全体にわたって約4〜13%/mmの{111}集合組織均一性と、当該金属の上面から当該厚さの中心に向かって約0〜8%の{111}面方位に関するバンド形成率とを有することを特徴とする請求項15に記載のTa金属。
- 当該{111}集合組織均一性と当該バンド形成率とが、当該金属の上面および底面に垂直で当該金属の厚さの中点を通るように配置された中心面に対して実質的に対称であることを特徴とする請求項17に記載のTa金属。
- 99.995%以上の純度を有することを特徴とする請求項15に記載のTa金属。
- 実質的に、請求項15に記載のTa金属からなるスパッターターゲット。
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