JP2012506496A5

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Publication number: JP2012506496A5
Application number: JP2011533333A
Authority: JP
Filing date: 2009-10-22
Publication date: 2012-12-06
Anticipated expiration: 2029-10-22

Claims

基板表面に硬質クロム層を沈着をするための方法であって、該方法が、A method for depositing a hard chromium layer on a substrate surface, the method comprising:
前記基板表面とクロム含有電解質を接触させるステップと、Contacting the substrate surface with a chromium-containing electrolyte;
前記基板表面上に第１の硬質クロム層を沈着するために、基板表面と対向電極との間にパルス電流を印加するステップと、Applying a pulsed current between the substrate surface and a counter electrode to deposit a first hard chromium layer on the substrate surface;
前記第１の硬質クロム層の上にさらに第２の硬質クロム層を沈着せしめるステップと、を含み、Depositing a second hard chrome layer on the first hard chrome layer;
前記沈着が、周囲に対して本質的にガス不透過性の容器中で、かつ、周囲圧力に比較して減圧条件下で行うと共に、The deposition is carried out in a container that is essentially gas impermeable to the surroundings and under reduced pressure compared to the ambient pressure;
前記基板表面とクロム含有電解質とは、０．１〜５ｍ／秒の速度で互いに移動せしめられる、The substrate surface and the chromium-containing electrolyte are moved to each other at a speed of 0.1 to 5 m / sec.
ことを特徴とする基板表面に硬質クロム層を沈着するための方法。A method for depositing a hard chromium layer on a substrate surface.

前記第２の硬質クロム層の第１の硬質クロム層上への沈着が、直流の電流を用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。The method of claim 1, wherein the deposition of the second hard chromium layer on the first hard chromium layer is performed using a direct current.

前記減圧が、周囲圧力に対して、１０〜８００ミリバールの圧力差を設けられていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the reduced pressure is provided with a pressure difference of 10 to 800 mbar with respect to the ambient pressure.

前記減圧が、周囲圧力に対して、２０〜２００ミリバールの圧力差を設けられていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the reduced pressure is provided with a pressure difference of 20 to 200 mbar with respect to the ambient pressure.

前記パルス電流の周波数が５〜５０００Ｈｚであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the frequency of the pulse current is 5 to 5000 Hz.

前記パルス電流の周波数が５０〜１０００Ｈｚであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the frequency of the pulse current is 50 to 1000 Hz.

前記第１の硬質クロム層の沈着が、２５〜１０００Ａ／ｄｍDeposition of the first hard chrome layer is 25 to 1000 A / dm ^２2 の電流密度で行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the method is performed at a current density of

前記第１の硬質クロム層の沈着が、５０〜５００Ａ／ｄｍDeposition of the first hard chrome layer is 50 to 500 A / dm ^２2 の電流密度で行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the method is performed at a current density of

前記第２の硬質クロム層の沈着が、直流の電流で、かつ、２５〜１０００Ａ／ｄｍThe deposition of the second hard chromium layer is a direct current and is 25 to 1000 A / dm. ^２2 の電流密度で行われることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the method is performed at a current density of

前記各硬質クロム層の沈着が、電解質温度が３０〜８５℃の範囲で行われることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。The method according to any one of claims 1 to 9, wherein the deposition of each hard chromium layer is performed in an electrolyte temperature range of 30 to 85 ° C.

前記電解質のｐＨが３以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。The method according to claim 1, wherein the electrolyte has a pH of 3 or less.

基板表面に硬質クロム層を沈着をするための方法であって、該方法が、
前記基板表面とクロム含有電解質を接触させるステップと、
前記基板表面上に第１の硬質クロム層を沈着するために、基板表面と対向電極との間にパルス電流を印加するステップと、
前記第１の硬質クロム層の上にさらに第２の硬質クロム層を沈着するために、第１の硬質クロム層と対向電極との間に直流電流を印加するステップと、を含み、
前記第１と第２の硬質クロム層の沈着が、周囲に対して本質的にガス不透過性の容器中で、かつ、周囲圧力に比較して１０〜８００ミリバールの減圧下、電解質のｐＨが３以下、パルス電流の周波数が５〜５０００Ｈｚ、電流密度が２５〜１０００Ａ／ｄｍ ^２、電解質温度が３０〜８５℃の条件下で行われ、前記基板表面とクロム含有電解質とは、０．１〜５ｍ／秒の速度で互いに移動せしめられる、
ことを特徴とする基板表面に硬質クロム層を沈着するための方法。 A method for depositing a hard chromium layer on a substrate surface, the method comprising:
Contacting the substrate surface with a chromium-containing electrolyte;
Applying a pulsed current between the substrate surface and a counter electrode to deposit a first hard chromium layer on the substrate surface;
Applying a direct current between the first hard chrome layer and the counter electrode to further deposit a second hard chrome layer on the first hard chrome layer,
The deposition of the first and second hard chromium layers is carried out in an essentially gas-impermeable container with respect to the surroundings and under a reduced pressure of 10 to 800 mbar compared to the ambient pressure, the pH of the electrolyte 3 or less, the frequency of the pulse current is 5 to 5000 Hz, the current density is 25 to 1000 A / dm ² , and the electrolyte temperature is 30 to 85 ° C. The substrate surface and the chromium-containing electrolyte are 0.1 to Moved to each other at a speed of 5m / s,
A method for depositing a hard chromium layer on a substrate surface.

前記第１と第２の硬質クロム層の沈着が、周囲圧力に比較して２０〜２００ミリバールの減圧下、電解質のｐＨが１以下、パルス電流の周波数が５０〜１０００Ｈｚ、電流密度が５０〜５００Ａ／ｄｍThe deposition of the first and second hard chromium layers is under a reduced pressure of 20 to 200 mbar compared to the ambient pressure, the pH of the electrolyte is 1 or less, the frequency of the pulse current is 50 to 1000 Hz, and the current density is 50 to 500 A. / Dm ^２2 の条件下で行われ、前記基板表面とクロム含有電解質とは、１〜５ｍ／秒の速度で互いに移動せしめられる、The substrate surface and the chromium-containing electrolyte are moved to each other at a speed of 1 to 5 m / sec.
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。The method according to claim 12.

請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法によって沈着された硬質クロム層を有してなるIt has a hard chromium layer deposited by the method according to any one of claims 1-13.
ことを特徴とする基板。A substrate characterized by that.