JP2012502478A - 調整可能な電気抵抗率を有するウェーハ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
であるので、コーティング(被膜)の全バルク抵抗率RTは、RT=R1+R2+R3である。
層状に積み重ねられたAlNの例を表1及び図8に示す。これらの例は、抵抗率が異なるAlN薄膜の3つのタイプを用いている。タイプAのAlNは、低密度で低抵抗率の薄膜であり、タイプBのAlNは、高密度で中程度の抵抗率の薄膜であり、タイプCのAlNは、抵抗率が極めて高いAlN薄膜である。600℃で測定された各タイプのAlNの抵抗率を表1に示す。サンプル70858は、AlNの3つの層からなり、層1及び層3がタイプAのAlNであり、層2がタイプBのAlNである。この例では、3層構造のコーティングの合成抵抗率は、個々の層の抵抗率の間に収まっており、個々の層の厚さを調整(または制御)することによって1.5×107Ω-cmに調整されている。サンプル80153は、2層構造であって、抵抗率が、1.3×1010Ω-cm(タイプCのAlNのみが使用された場合)〜4.1×109Ω-cmの間に調整された。第3の例は、タイプBとタイプCのAlNを用いた3層構造であり、該3層構造の合成抵抗率は6.9×108Ω-cmに調整されている。図8は、体積抵抗率がそれぞれ異なる2つのタイプのAlNの3つの層からなるAlN保護膜の断面を示す走査電子顕微鏡写真(SEM micro-graph)である。
Claims (23)
- 基板と電極要素からなる本体を備えるウェーハキャリアであって、該ウェーハキャリアがさらに、前記本体の外面の少なくとも一部分に配置された外側コーティングを有し、該外側コーティングは、誘電材料を有し、かつ、電気抵抗率が異なる少なくとも2つの領域を有する、ウェーハキャリア。
- 前記外側コーティングの厚さは、約25〜500マイクロメートルである、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記領域の相対的な大きさは、150℃〜600℃の所望の温度において、前記外側コーティングに、ジョンソン・ラーベック型に入る所望のバルク電気抵抗率を与えるように選択される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記領域は、前記コーティングの厚さ方向に1つ以上の層を有する、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記電極に隣接する層が窒化アルミニウムから構成され、別の層がアルミニウム酸窒化物から構成される、請求項4のウェーハキャリア。
- 前記電極に隣接する第1の領域が、少なくとも1つの他の領域よりも密度が高い窒化アルミニウムから構成され、第2の領域が、少なくとも前記第1の領域よりも密度が低い窒化アルミニウムから構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記コーティングが、
前記電極に隣接する領域であって、前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%低い電気抵抗率を有する領域と、
前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%高い電気抵抗率を有する少なくとも1つの別の領域
を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記コーティングが、
前記電極に隣接する領域であって、0.6wt%未満の酸素を含む窒化アルミニウムから構成された領域と、
0.6wt%を超える酸素を含む窒化アルミニウムから構成された少なくとも1つの別の領域
を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記コーティングが、
前記電極に隣接する第1の領域であって、25℃において103Ω-cmと1014Ω-cmの間の電気抵抗率を有するAlNから構成される第1の領域と、
25℃において、前記第1の領域の電気抵抗率よりも大きく、かつ、109Ω-cmと1015Ω-cmの間の電気抵抗率を有する少なくとも1つの他の領域
を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記コーティングが、
前記電極に隣接する領域であって、600℃において1010Ω-cm未満の電気抵抗率を有するAlNから構成された領域と、
600℃において106Ω-cmより大きな電気抵抗率を有する少なくとも1つの他の領域
を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記電極が熱分解グラファイトから構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記熱分解グラファイトから構成された電極が抵抗発熱体を構成する、請求項11のウェーハキャリア。
- 前記基板が導電性材料から構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記基板がグラファイトから構成される、請求項13のウェーハキャリア。
- 前記基板と前記電極の間に配置された非導電性の層をさらに有する、請求項13のウェーハキャリア。
- 前記非導電性の層が熱分解窒化ホウ素から構成される、請求項15のウェーハキャリア。
- 前記基板が、熱分解窒化ホウ素またはAlNから構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記ウェーハキャリアが、第1及び第2の熱分解グラファイト素子から構成され、前記基板が、前記2つの熱分解グラファイト素子の間に配置される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記第1の熱分解グラファイト素子が抵抗発熱体であり、前記第2の熱分解グラファイト素子がチャック電極である、請求項18のウェーハキャリア。
- 前記ウェーハキャリアが、本体、該本体に堆積されたチャック電極、及び、該チャック電極の上に堆積された外側コーティングから構成された静電チャックを有し、前記外側コーティングは、異なる抵抗率を有する複数の層から構成され、前記外側コーティングは、AlNから構成された外側層を有する、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記領域はAlNから構成され、第1の領域におけるAlNと第2の領域におけるAlNとは、密度、Nに対するAlの化学量論、結晶方位、結晶構造もしくは結晶の大きさ、または、AINにおけるドーパントの存在の有無及び量、のうちの少なくとも1つが異なる、請求項1のウェーハキャリア。
- ウェーハキャリアを形成する方法であって、
a)ベース基板を設けるステップと、
b)前記ベース基板に電極を配置するステップと、
c)前記ベース基板及び電極の上に外側コーティングを堆積するステップ
を含み、
前記ステップc)は、それぞれが異なる体積抵抗率を有する材料からなる複数の領域を堆積するステップを含み、
前記堆積された材料の各々の相対的な量を変更することによって、所与の温度における前記外側コーティングの全バルク抵抗率を制御することが可能である、方法。 - 基板と電極要素から構成された本体を有するウェーハキャリアであって、該ウェーハキャリアがさらに、前記本体を収容する誘電材料から構成された外側コーティングを有し、該外側コーティングが、微細構造が異なる少なくとも2つの領域を有し、前記異なる微細構造は、結晶方位、結晶の大きさ、孔の数、孔の大きさ、結晶の形状、孔の形状、孔の位置のうちの少なくとも1つが互いに異なる、ウェーハキャリア。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/204,079 | 2008-09-04 | ||
US12/204,079 US7929269B2 (en) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
PCT/US2009/055702 WO2010028023A1 (en) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012502478A true JP2012502478A (ja) | 2012-01-26 |
JP5524213B2 JP5524213B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=41562602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011526145A Expired - Fee Related JP5524213B2 (ja) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | 調整可能な電気抵抗率を有するウェーハ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7929269B2 (ja) |
EP (1) | EP2335279A1 (ja) |
JP (1) | JP5524213B2 (ja) |
CN (1) | CN102203931B (ja) |
WO (1) | WO2010028023A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041736A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体構造物 |
KR20150045670A (ko) * | 2013-10-21 | 2015-04-29 | 주식회사 미코 | 정전척 |
KR20170005113A (ko) * | 2014-05-16 | 2017-01-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱을 위한 기판들을 핸들링하기 위한 정전 캐리어 |
CN107919312A (zh) * | 2016-10-05 | 2018-04-17 | 株式会社迪思科 | 静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法 |
JP2019021867A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | 静電チャックプレートの製造方法 |
JP2020524898A (ja) * | 2017-06-22 | 2020-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ダイ結合用途のための静電キャリア |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101892911B1 (ko) * | 2010-08-06 | 2018-08-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 정전 척 및 정전 척의 사용 방법들 |
JP2014522916A (ja) * | 2011-08-10 | 2014-09-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 任意のイットリア被覆層を有するAlONコーティングされた基体 |
KR101372333B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2014-03-14 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
CN103302431B (zh) * | 2012-03-09 | 2016-03-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 芯片焊接装置 |
US9090046B2 (en) | 2012-04-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated article and process for applying ceramic coating |
US9394615B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
US9343289B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
JP2014093420A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Toyota Motor Corp | ウェハを支持ディスクに接着する治具、および、それを用いた半導体装置の製造方法 |
US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
US9685356B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
US8941969B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Single-body electrostatic chuck |
US9358702B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
US9669653B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck refurbishment |
US9543183B2 (en) * | 2013-04-01 | 2017-01-10 | Fm Industries, Inc. | Heated electrostatic chuck and semiconductor wafer heater and methods for manufacturing same |
US9887121B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Protective cover for electrostatic chuck |
US9666466B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk |
US9865434B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
CN104241182B (zh) * | 2013-06-08 | 2017-07-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置 |
US9850568B2 (en) * | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
JP6277015B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
WO2022046830A1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-03-03 | Momentive Performance Materials Quartz, Inc. | Graphite based thermal leveler with high thermal conductivity material encapsulated therein |
JP7465771B2 (ja) * | 2020-09-15 | 2024-04-11 | 日本碍子株式会社 | 複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154745A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-09 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
JP2004158492A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着機能を有する加熱装置及びその製造方法 |
JP2005041765A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-17 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、静電チャック、導電性部材、半導体製造装置用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JP2005210077A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法並びにアルミナ焼結部材及びその製造方法 |
JP2005317749A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2006060040A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Rasa Ind Ltd | 静電チャックプレート及びその製造方法 |
JP2006089345A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 導電性多孔質セラミックス焼結体およびその製造方法 |
WO2007043519A1 (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
JP2007173828A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | General Electric Co <Ge> | エッチング耐性ウェーハ加工装置及びその製造方法 |
JP2008192969A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4384918A (en) | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
JPH07172963A (ja) | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
JP3180998B2 (ja) | 1994-02-09 | 2001-07-03 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
JP3273110B2 (ja) | 1994-11-30 | 2002-04-08 | 京セラ株式会社 | セラミック抵抗体 |
JP3152847B2 (ja) | 1994-09-30 | 2001-04-03 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
US5668524A (en) | 1994-02-09 | 1997-09-16 | Kyocera Corporation | Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase |
JP3145588B2 (ja) | 1994-11-29 | 2001-03-12 | 京セラ株式会社 | セラミック抵抗体 |
JP3145575B2 (ja) | 1994-09-01 | 2001-03-12 | 京セラ株式会社 | セラミック抵抗体 |
JP3145574B2 (ja) | 1994-08-09 | 2001-03-12 | 京セラ株式会社 | セラミック抵抗体 |
JPH08227933A (ja) | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
JP2720381B2 (ja) | 1995-10-03 | 1998-03-04 | アドバンス・セラミックス・インターナショナル コーポレーション | 任意の電気抵抗率を有する熱分解窒化ホウ素成形体の製造方法 |
US5748436A (en) | 1996-10-02 | 1998-05-05 | Advanced Ceramics Corporation | Ceramic electrostatic chuck and method |
US5928960A (en) | 1996-10-24 | 1999-07-27 | International Business Machines Corporation | Process for reducing pattern factor effects in CMP planarization |
JPH11111828A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着装置 |
US5909355A (en) | 1997-12-02 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Ceramic electrostatic chuck and method of fabricating same |
JPH11176920A (ja) | 1997-12-12 | 1999-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着装置 |
US6410172B1 (en) | 1999-11-23 | 2002-06-25 | Advanced Ceramics Corporation | Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition |
AU2002212963A1 (en) | 2000-10-25 | 2002-05-06 | Tokyo Electron Limited | Method of and structure for controlling electrode temperature |
KR20020046214A (ko) | 2000-12-11 | 2002-06-20 | 어드밴스드 세라믹스 인터내셔날 코포레이션 | 정전척 및 그 제조방법 |
US6535372B2 (en) | 2001-06-20 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Controlled resistivity boron nitride electrostatic chuck apparatus for retaining a semiconductor wafer and method of fabricating the same |
JP2007109827A (ja) | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Toto Ltd | 静電チャック |
DK1948852T3 (da) | 2005-11-18 | 2019-01-02 | Luxembourg Inst Science & Tech List | Hovedelektrode og fremgangsmåde til dannelse af hovedelektroden |
CN101101887A (zh) * | 2006-07-06 | 2008-01-09 | 通用电气公司 | 抗腐蚀的晶片处理设备及其制造方法 |
US20080016684A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
-
2008
- 2008-09-04 US US12/204,079 patent/US7929269B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-02 EP EP09792160A patent/EP2335279A1/en not_active Withdrawn
- 2009-09-02 CN CN200980143906.6A patent/CN102203931B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-02 WO PCT/US2009/055702 patent/WO2010028023A1/en active Application Filing
- 2009-09-02 JP JP2011526145A patent/JP5524213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154745A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-09 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
JP2004158492A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着機能を有する加熱装置及びその製造方法 |
JP2005041765A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-17 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、静電チャック、導電性部材、半導体製造装置用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JP2005210077A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法並びにアルミナ焼結部材及びその製造方法 |
JP2005317749A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2006060040A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Rasa Ind Ltd | 静電チャックプレート及びその製造方法 |
JP2006089345A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 導電性多孔質セラミックス焼結体およびその製造方法 |
WO2007043519A1 (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
JP2007173828A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | General Electric Co <Ge> | エッチング耐性ウェーハ加工装置及びその製造方法 |
JP2008192969A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041736A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体構造物 |
US9401403B2 (en) | 2012-09-13 | 2016-07-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor structure |
JPWO2014041736A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2016-08-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造物 |
KR20150045670A (ko) * | 2013-10-21 | 2015-04-29 | 주식회사 미코 | 정전척 |
KR102119867B1 (ko) * | 2013-10-21 | 2020-06-09 | 주식회사 미코세라믹스 | 정전척 |
KR20170005113A (ko) * | 2014-05-16 | 2017-01-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱을 위한 기판들을 핸들링하기 위한 정전 캐리어 |
KR102478514B1 (ko) * | 2014-05-16 | 2022-12-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱을 위한 기판들을 핸들링하기 위한 정전 캐리어 |
CN107919312A (zh) * | 2016-10-05 | 2018-04-17 | 株式会社迪思科 | 静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法 |
JP2020524898A (ja) * | 2017-06-22 | 2020-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ダイ結合用途のための静電キャリア |
JP2019021867A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | 静電チャックプレートの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2335279A1 (en) | 2011-06-22 |
CN102203931B (zh) | 2014-08-20 |
US20100053841A1 (en) | 2010-03-04 |
US7929269B2 (en) | 2011-04-19 |
WO2010028023A1 (en) | 2010-03-11 |
JP5524213B2 (ja) | 2014-06-18 |
CN102203931A (zh) | 2011-09-28 |
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