JP2012256670A - ショットキーダイオードおよびpnダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ショットキーダイオードであって、窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層にショットキー接続されたショットキー電極と、を備え、ショットキーダイオードに逆バイアスがかかったときに、ショットキー電極の端部の下方の半導体層において空乏化する領域は、ショットキー電極の他の一部の下方の半導体層において空乏化する領域より長いショットキーダイオードを提供する。
【選択図】図1
Description
特許文献1 特開2010−40697号公報
Claims (14)
- ショットキーダイオードであって、
窒化物半導体で形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成され、前記半導体層にショットキー接続されたショットキー電極と、を備え、
前記ショットキーダイオードに逆バイアスがかかったときに、前記ショットキー電極の端部の下方の前記半導体層において空乏化する領域は、前記ショットキー電極の他の一部の下方の前記半導体層において空乏化する領域より長い
ショットキーダイオード。 - 前記ショットキー電極の少なくとも中心部の下方に、前記半導体層に埋め込まれ、P型およびN型のいずれかの導電性を有し、前記半導体層よりキャリア濃度が高い窒化物半導体で形成された埋め込み部をさらに備える
請求項1に記載のショットキーダイオード。 - 前記ショットキー電極の端部の下方の領域において、前記半導体層に、前記埋め込み部が形成されていない請求項2に記載のショットキーダイオード。
- 前記半導体層は、前記ショットキー電極の端部以外の部分の下方の少なくとも一部に、厚さ方向に除去された除去領域を有し、
前記ショットキー電極が、前記除去領域で前記半導体層の上面に沿って形成されている
請求項1に記載のショットキーダイオード。 - 前記半導体層と前記ショットキー電極との界面は、前記ショットキー電極の下面と端面とをつなぐ部分の曲率半径より大きい曲率半径の曲面を、前記除去領域の一部に有する
請求項4に記載のショットキーダイオード。 - 前記半導体層がGaN系半導体で形成された請求項1から5のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
- 前記半導体層がN型の導電性を有する請求項1から6のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
- PNダイオードであって、
第1の導電性を有する窒化物半導体で形成された第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成され、前記第1の導電性とは異なる第2の導電性を有する窒化物半導体で形成された第2半導体層と、を備え、
前記PNダイオードに逆バイアスがかかったときに、前記第2半導体層の端部の下方の前記第1半導体層において空乏化する領域は、前記第2半導体層の他の一部の下方の前記半導体層において空乏領する域長より長い
PNダイオード。 - 前記第2半導体層の少なくとも中心部の下方に、前記第1半導体層に埋め込まれ、第1の導電性を有し、前記第1半導体層よりキャリア濃度が高い窒化物半導体で形成された埋め込み部をさらに備える
請求項8に記載のPNダイオード。 - 前記第2半導体層の端部の下方の領域において、前記第1半導体層に、前記埋め込み部が形成されていない請求項9に記載のPNダイオード。
- 前記第1半導体層は、前記第2半導体層の端部以外の部分の下方の少なくとも一部に、厚さ方向に除去された除去領域を有し、
前記第2半導体層が、前記除去領域で前記半導体層の上面に沿って形成されている
請求項8に記載のPNダイオード。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層との界面は、前記第2半導体層の下面と端面とをつなぐ部分の曲率半径より大きい曲率半径の曲面を、前記除去領域の一部に有する
請求項11に記載のPNダイオード。 - 前記第1半導体層および前記第2半導体層は、GaN系半導体で形成された請求項8から12のいずれか一項に記載のPNダイオード。
- 前記第1半導体層はN型の導電性を有し、
前記第2半導体層はP型の導電性を有する
請求項8から13のいずれか一項に記載のPNダイオード。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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