JP2012238629A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012238629A5
JP2012238629A5 JP2011104841A JP2011104841A JP2012238629A5 JP 2012238629 A5 JP2012238629 A5 JP 2012238629A5 JP 2011104841 A JP2011104841 A JP 2011104841A JP 2011104841 A JP2011104841 A JP 2011104841A JP 2012238629 A5 JP2012238629 A5 JP 2012238629A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
heat treatment
treatment apparatus
plate
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011104841A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012238629A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011104841A priority Critical patent/JP2012238629A/ja
Priority claimed from JP2011104841A external-priority patent/JP2012238629A/ja
Priority to US13/185,622 priority patent/US8569647B2/en
Publication of JP2012238629A publication Critical patent/JP2012238629A/ja
Publication of JP2012238629A5 publication Critical patent/JP2012238629A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (14)

  1. 被加熱試料の熱処理を行う熱処理室と、
    前記熱処理室内に配置された平板電極と、
    前記平板電極との間にプラズマが生成されるとともに前記熱処理室内に配置され前記平板電極と対向する第一の電極と、
    前記被加熱試料を載置するとともに前記熱処理室内に配置され前記第一の電極を挟んで前記平板電極と対向する第二の電極と、
    前記プラズマを生成するための高周波電力を前記平板電極に供給する高周波電源とを備え、
    前記平板電極と前記第一の電極と前記第二の電極はグラファイト基材からなり、
    前記高周波電力が前記平板電極に供給される時、前記第一の電極は前記第二の電極と導通し、
    前記第二の電極は、前記被加熱試料を載置する空間を有するとともに給電線を介して接地されることを特徴とする熱処理装置。
  2. 請求項1記載の熱処理装置において、
    前記給電線は、グラファイトからなることを特徴とする熱処理装置。
  3. 請求項1記載の熱処理装置において、
    前記平板電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率の板材が配置され、
    前記第二の電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率の板材が配置されていることを特徴とする熱処理装置。
  4. 請求項1に記載の熱処理装置において、
    前記平板電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率のコーティングが施され、
    前記第二の電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率のコーティングが施されていることを特徴とする熱処理装置。
  5. 請求項3に記載の熱処理装置において、
    前記平板電極と前記第一の電極と前記第二の電極を取り囲むように前記熱処理室内に配置され、前記平板電極からの輻射熱と前記第二の電極からの輻射熱を反射する反射鏡を備えることを特徴とする熱処理装置。
  6. 請求項4に記載の熱処理装置において、
    前記平板電極と前記第一の電極と前記第二の電極を取り囲むように前記熱処理室内に配置され、前記平板電極からの輻射熱と前記第二の電極からの輻射熱を反射する反射鏡を備えることを特徴とする熱処理装置。
  7. 被加熱試料の熱処理を行う熱処理室と、
    前記熱処理室内に配置された平板状の第一の電極と、
    前記被加熱試料を載置するとともに前記熱処理室内に配置され前記第一の電極と対向する第二の電極と、
    前記第一の電極と前記第二の電極の間にプラズマを生成するための高周波電力を前記第一の電極に供給する高周波電源とを備え、
    前記第一の電極と前記第二の電極はグラファイト基材からなり、
    前記第二の電極は、内部に前記被加熱試料を載置する空間を有するとともに給電線を介して接地されることを特徴とする熱処理装置。
  8. 請求項7に記載の熱処理装置において、
    前記給電線は、グラファイトからなることを特徴とする熱処理装置。
  9. 請求項7に記載の熱処理装置において、
    前記第一の電極は、前記第二の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率の板材が配置され、
    前記第二の電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率の板材が配置されていることを特徴とする熱処理装置。
  10. 請求項7に記載の熱処理装置において、
    前記第一の電極は、前記第二の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率のコーティングが施され、
    前記第二の電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率のコーティングが施されていることを特徴とする熱処理装置。
  11. 請求項9に記載の熱処理装置において、
    前記第一の電極と前記第二の電極を取り囲むように前記熱処理室内に配置され、前記第一の電極からの輻射熱と前記第二の電極からの輻射熱を反射する反射鏡を備えることを特徴とする熱処理装置。
  12. 請求項10に記載の熱処理装置において、
    前記第一の電極と前記第二の電極を取り囲むように前記熱処理室内に配置され、前記第一の電極からの輻射熱と前記第二の電極からの輻射熱を反射する反射鏡を備えることを特徴とする熱処理装置。
  13. 請求項3に記載の熱処理装置において、
    前記板材は、グラファイト基材にTaCをコーティングした板材であることを特徴とする熱処理装置。
  14. 請求項9に記載の熱処理装置において、
    前記板材は、グラファイト基材にTaCをコーティングした板材であることを特徴とする熱処理装置。
JP2011104841A 2011-05-10 2011-05-10 熱処理装置 Withdrawn JP2012238629A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011104841A JP2012238629A (ja) 2011-05-10 2011-05-10 熱処理装置
US13/185,622 US8569647B2 (en) 2011-05-10 2011-07-19 Heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011104841A JP2012238629A (ja) 2011-05-10 2011-05-10 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012238629A JP2012238629A (ja) 2012-12-06
JP2012238629A5 true JP2012238629A5 (ja) 2014-05-22

Family

ID=47141176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011104841A Withdrawn JP2012238629A (ja) 2011-05-10 2011-05-10 熱処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8569647B2 (ja)
JP (1) JP2012238629A (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8021521B2 (en) * 2005-10-20 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method for agile workpiece temperature control in a plasma reactor using a thermal model
JP5730521B2 (ja) * 2010-09-08 2015-06-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 熱処理装置
KR101310851B1 (ko) * 2011-11-08 2013-09-25 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 열처리 장치
JP5977986B2 (ja) * 2011-11-08 2016-08-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 熱処理装置
JP2013222878A (ja) * 2012-04-18 2013-10-28 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ熱処理方法および装置
KR20150046966A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2015106595A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 熱処理装置
JP6972131B2 (ja) * 2016-12-27 2021-11-24 エヴァテック・アーゲー 真空プラズマ加工対象物処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE7328066U (de) * 1973-08-01 1974-01-24 Dietz Druckguss Kg Grillgerät mit Heizvorrichtung
US4922079A (en) * 1988-03-18 1990-05-01 Raytheon Company Combination cooking cartridge
US5221201A (en) * 1990-07-27 1993-06-22 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus
US7264850B1 (en) * 1992-12-28 2007-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for treating a substrate with a plasma
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6072160A (en) * 1996-06-03 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing the efficiency of radiant energy sources used in rapid thermal processing of substrates by energy reflection
US6632325B2 (en) * 2002-02-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same
US20060237398A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-26 Dougherty Mike L Sr Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US7189940B2 (en) * 2002-12-04 2007-03-13 Btu International Inc. Plasma-assisted melting
US7993489B2 (en) * 2005-03-31 2011-08-09 Tokyo Electron Limited Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same
US8021521B2 (en) * 2005-10-20 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method for agile workpiece temperature control in a plasma reactor using a thermal model
JP5069967B2 (ja) 2007-07-25 2012-11-07 株式会社日立国際電気 熱処理用部材の製造方法
JP2009231341A (ja) 2008-03-19 2009-10-08 Ulvac Japan Ltd アニール装置、SiC半導体基板の熱処理方法
JP2010034481A (ja) 2008-07-31 2010-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012238629A5 (ja)
JP2013123028A5 (ja)
JP2012216737A5 (ja)
JP2013539219A5 (ja)
JP2018511314A5 (ja)
JP2011009351A5 (ja)
JP2008182228A5 (ja)
JP2011139068A5 (ja)
JP2012515451A5 (ja)
RU2011122610A (ru) Намоточное вакуумированное устройство
WO2011049620A3 (en) Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
TW200711029A (en) Substrate processing apparatus and substrate stage used therein
GB2499560A (en) Insulated metal substrate
JP2008172168A5 (ja)
WO2012125469A3 (en) Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
JP2017022216A5 (ja)
JP2010135298A5 (ja)
JP2011096700A5 (ja)
JP2012104579A5 (ja)
TW200609371A (en) Apparatus and methods of making nanostructures by inductive heating
JP2013080907A5 (ja)
NZ630085A (en) Process for fast and homogeneously heating a liquid product and apparatus for such process
JP2012182447A5 (ja) 半導体膜の作製方法
JP2015095396A5 (ja)
MY176674A (en) Apparatus and method for heat treatment of coatings on substrates