JP2012235054A - Joining method and joining device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板にチップを加熱接合する接合方法及び接合装置に関する。 The present invention relates to a bonding method and a bonding apparatus for heating and bonding a chip to a substrate.
従来より、半導体装置の製造では、発光ダイオード等のチップを回路基板やパッケージ等のワークに接合するダイボンディングが行なわれることがある。 Conventionally, in the manufacture of a semiconductor device, die bonding for bonding a chip such as a light emitting diode to a work such as a circuit board or a package may be performed.
このダイボンディングは、チップを吸着するコレットと、チップ及びワークを撮像するカメラとを備え、カメラが撮像した画像からチップ及びワークの位置を検出し、検出した位置に基づいてチップをワーク上の所定位置(ボンディング位置)に搬送した後、その位置でチップをワークに接合する。 This die bonding includes a collet that adsorbs a chip and a camera that images the chip and the workpiece, detects the position of the chip and the workpiece from an image captured by the camera, and the chip is placed on the workpiece based on the detected position. After transporting to a position (bonding position), the chip is bonded to the workpiece at that position.
ところで、チップとワークとの接合にハンダを用いる場合、チップ及びワークを加熱して両者の間に設けられたハンダを融解する必要があり、ハンダを融解するための熱によって、カメラと被写体(チップやワーク)との間の空間に陽炎が発生する。このような陽炎が発生すれば、カメラが撮像する画像が陽炎による影響を受けて、チップ及び基板の位置認識が不安定となり、位置精度良くチップをワークに接合することができない。そこで、不活性ガスを噴射することでブロー気流を発生させ、このブロー気流にて陽炎を吹き飛ばすようにしたものが提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。 By the way, when using solder for joining the chip and the work, it is necessary to melt the solder provided between the chip and the work by heating the chip and the work. A hot flame is generated in the space between the workpiece and the workpiece. When such a hot flame occurs, the image captured by the camera is affected by the hot flame, the position recognition of the chip and the substrate becomes unstable, and the chip cannot be bonded to the workpiece with high positional accuracy. In view of this, there has been proposed a method in which an inert gas is injected to generate a blown air current, and a positive flame is blown off by the blown air current (see, for example, Patent Document 1 below).
しかしながら、位置精度の更なる向上に対する要請が強く、ブロー気流にて陽炎を吹き飛ばす場合であっても、陽炎を完全に吹き飛ばすことができなかったり、あるいは、噴射された不活性ガスの影響により、充分な位置精度が得られないこともある。 However, there is a strong demand for further improvement in position accuracy, and even when blowing the flame with a blow air flow, the flame cannot be blown completely or due to the influence of the injected inert gas, it is sufficient. Accurate position accuracy may not be obtained.
本発明は、上記の点に考慮してなされたものであり、陽炎の影響を受けることなく位置精度良くチップをワークに接合することができる接合方法及び接合装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a bonding method and a bonding apparatus capable of bonding a chip to a workpiece with high positional accuracy without being affected by a heat flame.
本発明の接合方法は、カメラが撮像する画像から検出したチップ及びワークの位置に基づいて前記チップを前記ワーク上の所定位置に搬送し、前記所定位置で前記チップ及び前記ワークの間に設けられたハンダを融解して前記チップを前記ワークに接合する方法において、前記カメラによる前記チップ及び前記ワークの撮像後に前記チップ及び前記ワークの少なくとも一方を前記ハンダの融点以上に昇温して前記ハンダを融解することを特徴とする。 The joining method of the present invention is configured to convey the chip to a predetermined position on the work based on the position of the chip and the work detected from an image captured by a camera, and is provided between the chip and the work at the predetermined position. In the method of melting the solder and joining the chip to the work, after imaging the chip and the work by the camera, the temperature of at least one of the chip and the work is raised to the melting point of the solder or higher. It is characterized by melting.
また、本発明の接合装置は、チップを吸着するコレットと、前記コレットに吸着されたチップを加熱する第1ヒータと、ワークを載置する搭載ステージと、前記搭載ステージに載置されたワークを加熱する第2ヒータと、前記第1ヒータと前記第2ヒータの温度を制御する制御部と、前記チップ及び前記ワークを撮像するカメラとを備え、前記カメラが撮像する画像から検出した前記チップ及び前記ワークの位置に基づいて前記チップを前記ワーク上の所定位置に搬送し、前記所定位置で前記チップ及び前記ワークの間に設けられたハンダを融解して前記チップを前記ワークに接合する装置において、前記制御部は、前記カメラによる前記チップ及び前記ワークの撮像後に前記チップ及び前記ワークの少なくとも一方を前記ハンダの融点以上に昇温して前記ハンダを融解することを特徴とする。 The bonding apparatus of the present invention includes a collet that adsorbs a chip, a first heater that heats the chip adsorbed to the collet, a mounting stage on which a work is placed, and a work that is placed on the mounting stage. A second heater for heating; a control unit for controlling temperatures of the first heater and the second heater; a camera for imaging the chip and the workpiece; the chip detected from an image captured by the camera; In the apparatus for transporting the chip to a predetermined position on the workpiece based on the position of the workpiece, melting the solder provided between the chip and the workpiece at the predetermined position, and joining the chip to the workpiece The control unit is configured to set at least one of the chip and the workpiece to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder after imaging the chip and the workpiece by the camera. Heated to characterized by melting the solder.
本発明によれば、陽炎の影響を受けることなく位置精度良くチップをワークに接合することができる。 According to the present invention, the chip can be bonded to the workpiece with high positional accuracy without being affected by the heat.
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施形態に係る接合装置10は、発光ダイオード等のチップ1と、回路基板やパッケージ等のワーク2との間に設けられたハンダ3を融解して前記チップ1をワーク2に接合する装置である。
A
この接合装置10は、図1に示すように、ワーク2に接合するチップ1を供給する供給部12と、供給部12から搬送されたチップ1を仮置きする移載部14と、ワーク2が載置される接合部16と、供給部12から移載部14へチップ1を搬送する第1コレット18と、移載部14から接合部16へチップ1を搬送する第2コレット20と、接合装置10を制御する制御部21とを備える。
As shown in FIG. 1, the joining
供給部12は、ワーク2に接合するチップ1が多数貼付された粘着シートを有するチップ保持部22と、チップ保持部22を水平方向及び鉛直軸回り方向に移動させる供給用移動テーブル24を備え、供給用移動テーブル24の動作によって、チップ保持部22を図1に示すような第1コレット18の下方を避けた待避位置と、第1コレット18の下方位置との間をチップ保持部22が移動する。
The
チップ保持部22に保持された各チップ1にはワーク2に接合する面(本実施形態では下面)にハンダ3が設けられている。チップ1とワーク2とを接合するハンダ3として、本実施形態では例えば、融点Tmが280℃の金−錫(Au−Sn)合金を用いる。
Each chip 1 held by the
第1コレット18は、下端面に開口する吸着孔を介してチップ保持部22に保持されたチップ1を真空吸着する。第1コレット18は、上下方向に移動可能に設けられたピックアップベース25に取り付けられており、上記した供給用移動テーブル24によるチップ保持部22の移動に同期して上下動することで、チップ保持部22が保持するチップ1を真空吸着して移載部14へ供給する。
The
移載部14は、第1コレット18によって供給部12から搬送されたチップ1が載置されるアライメントステージ26と、アライメントステージ26に載置されたチップ1を加熱する第3ヒータ28と、アライメントステージ26に載置されたチップ1を撮像しその位置を検出する第1カメラ30と、アライメントステージ26を移動させる移載用移動テーブル31とを備える。
The
移載部14では、ピックアップベース25に取り付けられ第1コレット18の移動に同期して、アライメントステージ26が第1コレット18の下方位置と図1に示すような第1カメラ30による撮像が可能な撮像位置との間を移動することで、第1コレット18の下方位置においてチップ1を載置したアライメントステージ26が第1カメラ30による撮像が可能な撮像位置へ移動する。
In the
第2コレット20は、下端面に開口する吸着孔を介してチップ1を真空吸着するコレット本体32と、コレット本体32に真空吸着されたチップ1を加熱する第1ヒータ34と備える。第2コレット20は、移載部14と接合部16の間を移動するとともに上下方向に移動するボンディングベース35に取り付けられており、移載部14に載置されたチップ1を真空吸着して接合部16へ搬送し、接合部16に設けられたワーク2の所定位置(ボンディング位置)に吸着するチップ1を接合する。
The
接合部16は、ワーク2が載置される搭載ステージ36と、搭載ステージ36に載置されたワーク2を加熱する第2ヒータ38と、搭載ステージ36に載置されたワーク2を撮像しその位置を検出する第2カメラ40と、搭載ステージ36を水平方向及び鉛直軸回り方向に移動させる搭載用移動テーブル42とを備える。搭載用移動テーブル42は、ボンディングベース35に取り付けられた第2コレット20の移動に同期して搭載ステージ36を水平方向及び鉛直軸回り方向に移動させることで、ワーク2のボンディング位置の上方に第2コレット20に真空吸着されたチップ1が位置するようにワーク2の位置を調整する。
The
なお、搭載ステージ36の近傍には、チップ1を接合する前のワーク2が載置され搭載ステージ36へワーク2を供給するワーク供給部(不図示)と、搭載ステージ36から搬出されたチップ1を接合した後のワーク2を受け入れて収納する収納部(不図示)とが設けられている。
In addition, in the vicinity of the
制御部21は、図2に示すように、供給用移動テーブル24、ピックアップベース25、移載用移動テーブル31、ボンディングベース35及び搭載用移動テーブル42の位置制御や、第1ヒータ34、第2ヒータ38及び第3ヒータ28の温度制御や、第1カメラ30及び第2カメラ40の制御を行う制御手段として機能するとともに、第1カメラ30及び第2カメラ40が撮像した画像からチップ1及びワーク2の位置を検出する。
As shown in FIG. 2, the
次に、上記した接合装置10を使用した接合方法について、図3に基づいて説明する。
Next, a bonding method using the above-described
まず、供給部12のチップ保持部22に保持された多数のチップ1から1のチップ1を第1コレット18で真空吸着して移載部14のアライメントステージ26に載置する(ステップS1)。
First, a large number of chips 1 to 1 held by the
アライメントステージ26に設けられた第3ヒータ28は、予め、アライメントステージ26とその上方に配置された第1カメラ30との間の空間に陽炎が発生しない温度T1(例えば、100〜150℃)に加熱保温されており、供給部12からアライメントステージ26に載置されたチップ1を温度T1に加熱保温する。
The
また、搭載ステージ36には、上記したワーク供給部よりチップ1を接合する前のワーク2が搬送され搭載ステージ36の上面に載置される。ワーク2が載置される前の搭載ステージ36も第2ヒータ38によって、搭載ステージ36とその上方に配置された第2カメラ40との間の空間に陽炎が発生しない温度T1に加熱保温されており、搭載ステージ36に載置されたワーク2は温度T1に加熱保温されている(ステップS2)。
In addition, the workpiece 2 before the chip 1 is bonded is transferred from the workpiece supply unit to the
なお、第2コレット20に設けられた第1ヒータ34も、第2ヒータ38及び第3ヒータ28と同様、第2コレット20の周囲に陽炎が発生しない温度T1に加熱保温されている。
The
次いで、第1カメラ30によってアライメントステージ26上のチップ1を撮像した画像から当該チップ1の位置を検出する。検出したアライメントステージ26上のチップ1の位置情報に基づいてアライメントステージ26上のチップ1を第2コレット20で真空吸着して搭載ステージ36の上方へ搬送する(ステップS3)。
Next, the position of the chip 1 is detected from an image obtained by imaging the chip 1 on the
次いで、第2カメラ40によって搭載ステージ36に載置されたワーク2と、搭載ステージ36の上方に位置する第2コレット20に真空吸着されたチップ1とを同一画面上に撮像し、チップ1とワーク2との位置を検出する(ステップS4)。
Next, the workpiece 2 placed on the
次いで、検出したチップ1とワーク2との位置に基づいて搭載用移動テーブル42を動作させることで、ワーク2のボンディング位置の上方にチップ1が位置するようにワーク2の位置を調整する(ステップS5)。 Next, by operating the mounting moving table 42 based on the detected positions of the chip 1 and the work 2, the position of the work 2 is adjusted so that the chip 1 is positioned above the bonding position of the work 2 (step). S5).
次いで、チップ1を保持した第2コレット20を下方に移動させてワーク2のボンディング位置にチップ1を接触させる(ステップS6)。
Next, the
次いで、チップ1をワーク2のボンディング位置に接触させた状態で、第2ヒータ38の温度を温度T1からハンダ3の融点Tm以上の温度T2(例えば、320℃)へ昇温することで、搭載ステージ36に載置されたワーク2を温度T1から温度T2へ昇温する。本実施形態では、第2ヒータ38の温度T1から温度T2への昇温を例えば2〜5秒間で行う。そして、所定時間だけ第2ヒータ38を温度T2に保持することで、チップ1とワーク2との間に設けられたハンダ3を融解する(ステップS7)。
Next, with the chip 1 in contact with the bonding position of the workpiece 2, the temperature of the
なお、第2ヒータ38の温度を温度T1から温度T2まで昇温する際に、第2コレット20に設けられた第1ヒータ34の温度を温度T1に保持したままであってもよく、また、温度T1からハンダ3の融点Tmより若干低い温度T3(例えば、250℃)へ昇温してもよい。第1ヒータ34の温度を温度T1に保持する場合であると、チップ1とワーク2との間に設けられたハンダ3の温度を制御しやすくなり、ハンダ3を融解するために過不足のない適切な温度に加熱することができる。また、第1ヒータ34の温度を温度T1から温度T3へ昇温する場合であると、ハンダ3を融解してチップ1をワーク2に接合する時間を短縮することができるとともに、接合後のハンダ3に気泡(ボイド)が発生しにくく接合部分の信頼性を向上させることができる。
When the temperature of the
次いで、チップ1の真空吸着を解除してから第2コレット20を上方に移動させるとともに、第2ヒータ38の温度を温度T2から温度T1へ降温することで、ハンダ3が凝固してチップ1とワーク2とを接合する(ステップS8)。
Next, after releasing the vacuum suction of the chip 1, the
以上のように本実施形態では、第2カメラ40によってチップ1とワーク2とを撮像した後に、第2ヒータ38の温度をハンダ3の融点以上の温度T2まで昇温しているため、撮像時に陽炎の影響を受けることがなく、ワーク2及びチップ1の位置検出の精度を向上させることができ、チップ1をワーク2のボンディング位置に精度良く接合することができる。
As described above, in the present embodiment, after the chip 1 and the workpiece 2 are imaged by the
また、本実施形態では、チップ1をワーク2のボンディング位置に接触させた状態で第2ヒータ38を温度T2まで昇温してチップ1とワーク2との間に設けられたハンダ3を融解することで、急激にハンダ3が加熱されることがなくハンダ3に気泡が発生しにくくなるとともに、ワーク2の熱膨張に起因した位置ずれの影響を低減でき位置精度を向上させることができる。
In this embodiment, the temperature of the
また、本実施形態では、第2カメラ40によってチップ1とワーク2とを撮像する前に、ワーク2及びチップ1はハンダ3の融点未満であって陽炎が発生しない温度T1に保持されているため、ワーク2を温度T2へ昇温する時間を短縮することができ接合時間を短縮することができる。
Further, in the present embodiment, before the chip 1 and the workpiece 2 are imaged by the
なお、上記した本実施形態では、第2カメラ40によってチップ1とワーク2とを同一画面上に撮影することでチップ1とワーク2との位置を検出し、検出した位置に基づいてワーク2の位置を調整したが、異なるカメラで撮像した画像から検出したチップ1とワーク2との位置に基づいてワーク2及びチップ1の位置を調整してもよい。つまり、第1カメラ30で撮像したアライメントステージ26上のチップ1の画像からチップ1の位置を検出し、第2カメラ40で撮像した搭載ステージ36上のワーク2の画像からワーク2の位置を検出し、検出したチップ1及びワーク2の位置に基づいてチップ1及びワーク2の位置を調整してもよく、このような場合であっても、第1カメラ30によるチップ1の撮像、及び、第2カメラ40によるワーク2の撮像が終了した後に、チップ1及びワーク2の少なくとも一方をハンダ3の融点Tm以上の温度T2へ昇温することで、撮像時に陽炎の影響を受けることがなく、ワーク2及びチップ1の位置検出の精度を向上させることができ、チップ1をワーク2のボンディング位置に精度良く接合することができる。
In the above-described embodiment, the positions of the chip 1 and the workpiece 2 are detected by photographing the chip 1 and the workpiece 2 on the same screen by the
1…チップ 2…ワーク 3…ハンダ
10…接合装置 12…供給部 14…移載部
16…接合部 18…第1コレット 20…第2コレット
21…制御部 22…チップ保持部 24…供給用移動テーブル
25…ピックアップベース 26…アライメントステージ 28…第3ヒータ
30…第1カメラ 31…移載用移動テーブル 32…コレット本体
34…第1ヒータ 35…ボンディングベース 36…搭載ステージ
38…第2ヒータ 40…第2カメラ 42…搭載用移動テーブル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Tip 2 ...
Claims (5)
前記カメラによる前記チップ及び前記ワークの撮像後に前記チップ及び前記ワークの少なくとも一方を前記ハンダの融点以上に昇温して前記ハンダを融解することを特徴とする接合方法。 The chip is transported to a predetermined position on the work based on the position of the chip and the work detected from an image captured by the camera, and the solder provided between the chip and the work is melted at the predetermined position. In a method of joining a chip to the workpiece,
A method of joining, wherein after imaging the chip and the workpiece by the camera, at least one of the chip and the workpiece is heated to a melting point of the solder or higher to melt the solder.
前記コレットに吸着された前記チップを加熱する第1ヒータと、
ワークを載置する搭載ステージと、
前記搭載ステージに載置された前記ワークを加熱する第2ヒータと、
前記第1ヒータと前記第2ヒータの温度を制御する制御部と、
前記チップ及び前記ワークを撮像するカメラとを備え、
前記カメラが撮像する画像から検出した前記チップ及び前記ワークの位置に基づいて前記チップを前記ワーク上の所定位置に搬送し、前記所定位置で前記チップ及び前記ワークの間に設けられたハンダを融解して前記チップを前記ワークに接合する装置において、
前記制御部は、前記カメラによる前記チップ及び前記ワークの撮像後に前記チップ及び前記ワークの少なくとも一方を前記ハンダの融点以上に昇温して前記ハンダを融解することを特徴とする接合装置。 A collet that adsorbs chips,
A first heater for heating the chip adsorbed on the collet;
A loading stage for placing the workpiece;
A second heater for heating the work placed on the mounting stage;
A controller for controlling the temperatures of the first heater and the second heater;
A camera for imaging the chip and the workpiece,
The chip is transported to a predetermined position on the work based on the position of the chip and the work detected from an image captured by the camera, and the solder provided between the chip and the work is melted at the predetermined position. In the apparatus for joining the chip to the workpiece,
The controller is configured to melt the solder by raising the temperature of at least one of the chip and the work to a melting point of the solder or higher after imaging the chip and the work by the camera.
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Family
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Cited By (1)
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JP2020004879A (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | ダイトロン株式会社 | Sample positioning device |
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- 2011-05-09 JP JP2011104322A patent/JP2012235054A/en not_active Withdrawn
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