JP2012227520A - 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板101の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域102と、ゲート電極104およびゲート電極104を挟んでチャンネル領域102に接続されたソース電極105およびドレイン電極106とを備える。例えば、チャンネル領域102は、グラフェンが1層から4層程度積層されたものである。図1に示す例では、ゲート電極104は、チャンネル領域102にゲート絶縁層103を介して形成されている。
【選択図】 図1
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における電界効果トランジスタの構成を示す斜視図である。この電界効果トランジスタは、基板101の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域102と、ゲート電極104およびゲート電極104を挟んでチャンネル領域102に接続されたソース電極105およびドレイン電極106とを備える。例えば、チャンネル領域102は、グラフェンが1層から4層程度積層されたものである。実施の形態1において、ゲート電極104は、チャンネル領域102にゲート絶縁層103を介して形成されている。
次に、本発明の実施の形態2について、図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態2における電界効果トランジスタの構成を示す斜視図である。この電界効果トランジスタは、まず、基板501の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域502と、チャンネル領域502にゲート絶縁層503を介して形成されたゲート電極504と、ゲート電極504を挟んでチャンネル領域502に接続されたソース電極505およびドレイン電極506とを備える。
次に、本発明の実施の形態3における電界効果トランジスタについて図6を用いて説明する。図6は、本発明の実施の形態3における電界効果トランジスタの構成を示す斜視図である。この電界効果トランジスタは、まず、基板601の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域602を備える。また、基板601の上には、基板601平面に平行に形成されたグラフェン層611を備える。チャンネル領域602は、グラフェン層611より突出してフィン状に形成されたグラフェンから構成されている。
次に、本発明の実施の形態4における電界効果トランジスタについて図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態4における電界効果トランジスタの構成を示す斜視図である。この電界効果トランジスタは、まず、基板701の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域702を備える。基板701の上には、基板701平面に平行に形成されたグラフェン層711を備え、チャンネル領域702は、グラフェン層711より突出してフィン状に形成されたグラフェンから構成されている。
次に、本発明の実施の形態5における電界効果トランジスタについて図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態5における電界効果トランジスタの構成を示す斜視図である。この電界効果トランジスタは、まず、基板801の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域802を備える。基板801の上には、基板801平面に平行に形成されたグラフェン層811を備え、チャンネル領域802は、グラフェン層811より突出してフィン状に形成されたグラフェンから構成されている。
次に、本発明の実施の形態6における電界効果トランジスタについて図9を用いて説明する。図9は、本発明の実施の形態6における電界効果トランジスタの構成を示す斜視図である。この電界効果トランジスタは、まず、基板901の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域902を備える。基板901の上には、基板901平面に平行に形成されたグラフェン層911を備え、チャンネル領域902は、グラフェン層911より突出してフィン状に形成されたグラフェンから構成されている。
次に、本発明におけるフィン部を備える製造用基板の第1の製造方法例について説明する。上述した実施の形態における電界効果トランジスタは、図10に示すように、基板1001の上に、基板1001の平面に平行に形成されたグラフェン層1011と、一部のグラフェン層1011より突出してフィン状に形成されたグラフェンからなるフィン部1002とを備える製造用基板を用いればよい。
Claims (16)
- 基板の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域と、
ゲート電極および前記ゲート電極を挟んで前記チャンネル領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と
を少なくとも備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記基板の上に前記基板の平面に平行に形成されたグラフェン層を備え、
前記チャンネル領域は、前記グラフェン層より突出してフィン状に形成されたグラフェンから構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項2記載の電界効果型トランジスタにおいて、
前記ソース電極およびドレイン電極は、前記グラフェン層と絶縁分離して形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項2または3記載の電界効果型トランジスタにおいて、
前記グラフェン層より前記ゲート電極が構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記チャンネル領域は、1〜4のいずれかの層数のグラフェンから構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記チャンネル領域は、基板から離れる方向の幅が100nm以下であるグラフェンから構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 基板の上に前記基板の平面に平行に形成されたグラフェン層と、
一部の前記グラフェン層より突出してフィン状に形成されたグラフェンからなるフィン部と
を備えることを特徴とする製造用基板。 - 基板の上に前記基板の平面に平行にグラフェン層を形成する第1工程と、
炭化水素を熱分解して生成した分子線を加熱した前記基板の上に供給し、一部の前記グラフェン層より突出してフィン状に成長したグラフェンからなるフィン部を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項8記載の製造用基板の製造方法において、
前記炭化水素は、エタノールまたはエチレンであることを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項9記載の製造用基板の製造方法において、
前記炭化水素は、エタノールであり、
前記第2工程では、600〜950℃の範囲に加熱した前記基板の上に前記分子線を供給することを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項10記載の製造用基板の製造方法において、
前記第2工程は、799.932×10-3Pa以下の減圧状態で行うことを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項10または11記載の製造用基板の製造方法において、
前記第2工程では、ガスの熱分解温度を1600℃以上とすることを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項8記載の製造用基板の製造方法において、
前記炭化水素は、エチレンであり、
前記第2工程では、600〜950℃の範囲に加熱した前記基板の上に前記分子線を供給することを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項13記載の製造用基板の製造方法において、
前記第2工程は、1.5Pa以下の減圧状態で行うことを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項13または14記載の製造用基板の製造方法において、
前記第2工程では、ガスの熱分解温度を1800℃以上とすることを特徴とする製造用基板の製造方法。 - 請求項8〜15のいずれか1項に記載の製造用基板の製造方法により前記製造用基板を製造する工程と、
前記製造用基板の上に形成された前記フィン部からなるチャンネル領域に対するゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んで前記チャンネル領域に接続された前記ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012079785A JP5770671B2 (ja) | 2011-04-07 | 2012-03-30 | 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011085106 | 2011-04-07 | ||
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JP2012079785A JP5770671B2 (ja) | 2011-04-07 | 2012-03-30 | 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012227520A true JP2012227520A (ja) | 2012-11-15 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5770671B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108383A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | Nec Corporation | グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法 |
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2012
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Patent Citations (5)
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JP5770671B2 (ja) | 2015-08-26 |
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