JP2012227170A - Sample holder, sample inspection device, and sample inspection method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sample holder which can be formed in quantities, and a sample observation and inspection method and a sample observation and inspection device using the holder.SOLUTION: A sample holder 150 is used which includes a main body part 150a having an opening 150b formed and a sample holding film 150c covering the opening 150b, and a sample 315 held on an opened first surface of the sample holding film 150c of the sample holder 150 with being supported by contacting support means 311 can be irradiated with a primary beam 320 for sample observation or inspection through the sample holding film 150c from a second surface side of the sample holding film 150c which is exposed to a vacuum atmosphere.

Description

この発明は、電子線やイオンビームを用いた試料の観察・検査において、水分などの液体成分を含む試料を高分解能で観察・検査することのできる試料保持体及び試料検査装置並びに試料検査方法に関する。   The present invention relates to a sample holder, a sample inspection apparatus, and a sample inspection method capable of observing and inspecting a sample containing a liquid component such as moisture with high resolution in observation / inspection of a sample using an electron beam or an ion beam. .

走査型電子顕微鏡(以下、「SEM」という)の構成を備える試料検査装置では、観察・検査対象とされる試料は、真空引きにより減圧された試料室内に配置される。そして、このように減圧雰囲気の試料室内に配置された試料に電子線が照射され、当該照射により試料から発生する反射電子(後方散乱電子)や二次電子等の二次的信号が検出される。   In a sample inspection apparatus having a configuration of a scanning electron microscope (hereinafter referred to as “SEM”), a sample to be observed / inspected is placed in a sample chamber whose pressure is reduced by evacuation. Then, the electron beam is irradiated to the sample arranged in the sample chamber in the reduced pressure atmosphere in this way, and secondary signals such as reflected electrons (backscattered electrons) and secondary electrons generated from the sample are detected by the irradiation. .

また、透過型電子顕微鏡(以下、「TEM」という)、あるいは、走査型透過電子顕微鏡(以下、「STEMという」)の構成を備える試料観察・検査装置でも、観察・検査対象とされる試料は、真空引きにより減圧された試料室内に配置される。TEMやSTEMの場合には、試料室内に配置された試料に電子線が照射され、当該試料を透過した透過電子線が検出されることとなる。   Further, even in a sample observation / inspection apparatus having a configuration of a transmission electron microscope (hereinafter referred to as “TEM”) or a scanning transmission electron microscope (hereinafter referred to as “STEM”), a sample to be observed / inspected is And placed in a sample chamber whose pressure is reduced by evacuation. In the case of TEM or STEM, the sample placed in the sample chamber is irradiated with an electron beam, and a transmitted electron beam transmitted through the sample is detected.

このような試料観察・検査装置を用いた試料観察・検査においては、試料室内において試料が減圧雰囲気に晒されることとなる。従って、水分を含有する試料が観察・検査対象であるときには、減圧雰囲気とされた試料室内に試料をそのまま配置すると、試料から水分が蒸発してしまう。この場合には、水分が含まれた状態での試料の観察・検査に支障をきたすこととなる。   In sample observation / inspection using such a sample observation / inspection apparatus, the sample is exposed to a reduced-pressure atmosphere in the sample chamber. Therefore, when a sample containing moisture is an object to be observed / inspected, if the sample is placed as it is in the sample chamber in a reduced pressure atmosphere, the moisture evaporates from the sample. In this case, it will hinder the observation and inspection of the sample in a state where moisture is contained.

このように試料が減圧雰囲気に晒されることなくSEMを用いて試料観察・検査を行う例の一つとして、電子線を透過しかつ気体を透過しない膜を用いて常圧雰囲気と真空雰囲気を分けて、かつ、常圧雰囲気側に試料を配置する方法が示されている(特許文献1、2参照)。   As an example of sample observation / inspection using an SEM without exposing the sample to a reduced-pressure atmosphere in this way, a normal-pressure atmosphere and a vacuum atmosphere are separated using a film that transmits an electron beam and does not transmit a gas. And the method of arrange | positioning a sample to the normal-pressure atmosphere side is shown (refer patent document 1, 2).

ここでは、観察・検査を行う際に、真空雰囲気側から当該膜を介して常圧雰囲気側に配置された試料に電子線が照射される。電子線が照射された試料からは反射電子が発生し、この反射電子は当該膜を通過して、真空雰囲気側に設けられた反射電子検出器によって検出される。これにより、SEMによる像(SEM像)が取得されることとなる。   Here, when observation / inspection is performed, an electron beam is irradiated from the vacuum atmosphere side to the normal pressure atmosphere side through the film. Reflected electrons are generated from the sample irradiated with the electron beam, and the reflected electrons pass through the film and are detected by a reflected electron detector provided on the vacuum atmosphere side. Thereby, the image (SEM image) by SEM will be acquired.

また、電子線が透過する一対の膜を備えるセル構造(試料ホルダ)をTEMの試料室内に設置し、当該セル構造内に試料を配置して電子線を試料に照射し、試料を透過した透過電子線を検出する例は、特許文献3及び特許文献4に記載されている。   In addition, a cell structure (sample holder) including a pair of films through which an electron beam is transmitted is placed in the sample chamber of the TEM, the sample is placed in the cell structure, the sample is irradiated with the electron beam, and the sample is transmitted through the sample. Examples of detecting an electron beam are described in Patent Document 3 and Patent Document 4.

特開2006−123711号公報JP 2006-123711 A 特開2006−123712号公報JP 2006-123712 A 特開昭47−24961号公報JP 47-24961 A 特開平6−318445号公報JP-A-6-318445

従来のSEM用試料保持体においては、特許文献1および特許文献2で薄膜を利用し液体を含む試料を観察・検査しているが、膜厚は10nm以上であり、撮像に二次電子を用いることは困難で反射電子(後方散乱電子)を用いている。このため、分解能を向上することはできなかった。   In conventional SEM sample holders, Patent Document 1 and Patent Document 2 use a thin film to observe and inspect a sample containing liquid, but the film thickness is 10 nm or more, and secondary electrons are used for imaging. It is difficult to use reflected electrons (backscattered electrons). For this reason, the resolution could not be improved.

一方、従来のTEM用試料保持体は、カーボンフィルムとメッシュを使用していた。この場合、試料をある程度減圧をした環境に配置するならば良いが、1気圧の耐性を得ることは容易でなかった。また、試料保持体を完全に手作業で組み立てるため、手間がかかるので大量の試料には対応できない。手作業で組み立てるため、カーボンフィルム間の間隔を狭めることは困難であり、分解能が低下するという問題もあった。   On the other hand, a conventional TEM sample holder uses a carbon film and a mesh. In this case, the sample may be placed in an environment where the pressure is reduced to some extent, but it is not easy to obtain a resistance of 1 atm. In addition, since the sample holder is completely assembled manually, it takes time and cannot handle a large number of samples. Since it is assembled manually, it is difficult to reduce the interval between the carbon films, and there is a problem that the resolution is lowered.

SEMやTEMに共通の問題点として、試料をフィルターに通す、あるいは、試料に薬液を混合する場合には、1ml以上の試料が必要であった。   As a problem common to SEM and TEM, when a sample is passed through a filter or a chemical solution is mixed with the sample, a sample of 1 ml or more is required.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、MEMS工程やナノインプリント工程を用いて形成するため、大量に保持体を形成できる試料保持体、同保持体を用いた試料観察・検査方法、及び、試料観察・検査装置を提供することを目的とする。この場合、SEM用では、厚さ10nm未満の薄い薄膜を用いたときに、2次電子を検出することが可能となり、より高分解能の観察・検査を実現できる。   The present invention has been made in view of such points, and since it is formed using a MEMS process or a nanoimprint process, a sample holder capable of forming a holder in large quantities, and sample observation / inspection using the holder It is an object to provide a method and a sample observation / inspection apparatus. In this case, for SEM, when a thin thin film having a thickness of less than 10 nm is used, secondary electrons can be detected, and observation / inspection with higher resolution can be realized.

本発明に基く試料保持体は、開口が形成された本体部と、該開口を覆う試料保持膜とを備える試料保持体であって、支持手段への接触により支持された状態で、該試料保持体の試料保持膜における開放された第1の面に保持された試料に、該試料保持膜において真空雰囲気に接する第2の面側から、該試料保持膜を介して、試料観察又は検査のための一次線が照射可能であることを特徴とする。   A sample holder according to the present invention is a sample holder including a main body portion having an opening and a sample holding film covering the opening, and the sample holder is supported by contact with a support means. A sample held on the first open surface of the body sample holding film is used for sample observation or inspection through the sample holding film from the second surface side in contact with the vacuum atmosphere in the sample holding film. The primary line can be irradiated.

本発明に基く試料検査装置は、前記試料保持体を用いて試料の観察又は検査を行う試料検査装置であって、前記試料保持体が載置される載置手段と、前記試料保持体の試料保持膜における第1の面に保持された試料に、該試料保持膜を介して一次線を照射する一次線照射手段と、該一次線の照射により試料から発生する二次的信号を検出する信号検出手段とを備えることを特徴とする。   A sample inspection apparatus according to the present invention is a sample inspection apparatus for observing or inspecting a sample using the sample holder, and a mounting means for mounting the sample holder, and a sample of the sample holder A primary line irradiating means for irradiating the sample held on the first surface of the holding film with the primary line through the sample holding film, and a signal for detecting a secondary signal generated from the sample by the irradiation of the primary line And a detecting means.

本発明に基く試料検査方法は、前記試料保持体の試料保持膜における第1の面に試料を配置し、該試料に該試料保持膜を介して一次線を照射し、この一次線の照射により試料から発生する二次的信号を検出することを特徴とする。   The sample inspection method based on this invention arrange | positions a sample to the 1st surface in the sample holding film of the said sample holding body, irradiates a primary line to this sample through this sample holding film, and by irradiation of this primary line A secondary signal generated from the sample is detected.

本発明においては、前記膜を、窒化シリコンを含むMEMSプロセスで形成すること、あるいは、ナノインプリントプロセスで形成することにより、微細加工が可能なため、試料に薬液を混合するなどする場合に試料の量を少なくできる。さらには、MEMSプロセス、あるいは、ナノインプリントプロセスを利用することにより、試料保持体を大量生産できる。   In the present invention, the film is formed by a MEMS process containing silicon nitride, or formed by a nanoimprint process, so that microfabrication is possible. Therefore, when mixing a chemical with a sample, the amount of the sample Can be reduced. Furthermore, the sample holder can be mass-produced by using the MEMS process or the nanoimprint process.

また、前記膜の第1の面を開放し、前記試料保持体の外部から試料に対して、マニピュレータによりアクセス可能とすることができる。   Also, the first surface of the membrane can be opened, and the sample can be accessed from the outside of the sample holder by a manipulator.

実施例1の試料保持体、および、これを用いた耐圧実験を行う構成を示す図である。It is a figure which shows the structure which performs the pressure | voltage resistant experiment using the sample holding body of Example 1, and this. 実施例1の試料保持体の構成を示す図である。3 is a diagram illustrating a configuration of a sample holder of Example 1. FIG. 実施例1の格子を有する試料保持体の構成を示す図であるFIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a sample holder having the lattice of Example 1. 実施例1の試料保持体の耐圧を示す図である。It is a figure which shows the pressure resistance of the sample holder of Example 1. 実施例2の試料保持体の作製方法を説明する図である。6 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder of Example 2. FIG. 実施例2の試料保持体の作製方法を説明する図である。6 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder of Example 2. FIG. 実施例2の試料保持体の作製方法を説明する図である。6 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder of Example 2. FIG. 実施例3の全体構成を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an overall configuration of a third embodiment. 実施例4の全体構成を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an overall configuration of a fourth embodiment. 実施例5の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a sample holder of Example 5. 実施例5の試料保持体にパイプを接続する状態を示す図である。It is a figure which shows the state which connects a pipe to the sample holding body of Example 5. FIG. 実施例5の全体構成を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an overall configuration of a fifth embodiment. 実施例6の試料保持体の作製方法を説明する図である。6 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder of Example 6. FIG. 実施例6の試料保持体の作製方法を説明する図である。6 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder of Example 6. FIG. 実施例7の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a sample holder in Example 7. 実施例7の試料保持体の作製方法を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder in Example 7. 実施例7の試料保持体にパイプを接続する状態を示す図である。It is a figure which shows the state which connects a pipe to the sample holding body of Example 7. FIG. 実施例8の全体構成を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an overall configuration of an eighth embodiment. 実施例9の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a sample holder of Example 9. 実施例10の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holding body of Example 10. FIG. 実施例11の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a sample holder in Example 11. 実施例12の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holder of Example 12. 実施例13の全体構成を説明する図である。It is a figure explaining the whole structure of Example 13. FIG. 実施例13のステージ傾斜時の全体構成を説明する図である。It is a figure explaining the whole structure at the time of the stage inclination of Example 13. FIG. 実施例14の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holding body of Example 14. FIG. 実施例14の長さの標準パターンの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the standard pattern of the length of Example 14. FIG. 実施例15の全体構成を説明する図である。It is a figure explaining the whole structure of Example 15. FIG. 実施例17の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holding body of Example 17. FIG. 実施例17の試料保持体の作製方法を説明する図である。It is a figure explaining the preparation methods of the sample holder of Example 17. 実施例17の全体構成を説明する図である。It is a figure explaining the whole structure of Example 17. FIG. 実施例18の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holding body of Example 18. FIG. 実施例19の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holder of Example 19. 実施例19の試料保持体の作製方法を説明する図である。10 is a diagram illustrating a method for producing a sample holder in Example 19. FIG. 実施例20の試料保持体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the sample holding body of Example 20. FIG. 実施例21の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a sample holder of Example 21. 実施例22の全体構成を説明する図である。FIG. 20 is a diagram for explaining an overall configuration of Example 22. 実施例23の全体構成を説明する図である。FIG. 20 is a diagram for explaining an overall configuration of Example 23. 実施例25の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a configuration of a sample holder of Example 25. 実施例26の試料保持体の構成を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing a configuration of a sample holder of Example 26.

以下、図面を参照して、本発明における各実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1に、本実施例における試料保持体、および、これを用いた耐圧実験を行う構成を示す。試料保持体102に形成されている試料保持膜101の第一の面に載置されることとなる試料(図示せず)は基本的に大気圧下(大気圧雰囲気)に置かれる。   FIG. 1 shows a sample holder in this embodiment and a configuration for performing a pressure resistance experiment using the sample holder. A sample (not shown) to be placed on the first surface of the sample holding film 101 formed on the sample holder 102 is basically placed under atmospheric pressure (atmospheric pressure atmosphere).

一方、一次線(電子線やイオン線)は試料保持膜101を介して試料に照射されるので、試料保持膜101の第二の面に接する雰囲気は一次線を(散乱を防いで)通すために真空にすることが必要となる。その為、試料保持膜101は最低でも各面に接する雰囲気の差圧で1気圧の耐性が必要である。本発明では、余裕を持ち、2気圧の耐性が必要であるとし、その条件を見出した。   On the other hand, since the primary beam (electron beam or ion beam) is irradiated to the sample through the sample holding film 101, the atmosphere in contact with the second surface of the sample holding film 101 passes the primary line (prevents scattering). It is necessary to create a vacuum. For this reason, the sample holding film 101 needs to have a resistance of 1 atm as a differential pressure of the atmosphere in contact with each surface at least. In the present invention, it was found that there is a margin and resistance of 2 atm is necessary, and the conditions were found.

実験は、図1のように、試料保持体102の本体部となる枠状部材102aと、枠状部材102aの開口102bを覆う試料保持膜101とを具備する試料保持体102を、Oリング103とOリング104で挟み、さらにこれらOリング103と104をケース105およびケース106で押さえ込む。これにより空間107と空間108の間で気体の流出入が無くなった。ここでは、空間108に接する試料保持膜102の面を、試料を保持(載置)する第一の面とした。したがって、空間108の気圧を上昇させ(空間107は大気圧)、試料保持膜101が破壊される圧力を測定する。この実験を様々な大きさの試料保持膜(厚みD[μm]、試料保持膜の試料保持体もしくは格子との境界での周囲長L[μm]がパラメータとなる)で行った。   In the experiment, as shown in FIG. 1, a sample holder 102 including a frame-like member 102 a serving as a main body of the sample holder 102 and a sample-holding film 101 covering the opening 102 b of the frame-like member 102 a is attached to an O-ring 103. And the O-ring 104, and the O-rings 103 and 104 are pressed by the case 105 and the case 106. As a result, no gas flows in and out between the space 107 and the space 108. Here, the surface of the sample holding film 102 in contact with the space 108 is the first surface for holding (mounting) the sample. Therefore, the pressure in the space 108 is increased (the space 107 is atmospheric pressure), and the pressure at which the sample holding film 101 is destroyed is measured. This experiment was performed with sample holding films of various sizes (thickness D [μm], circumference length L [μm] at the boundary between the sample holding film and the sample holder or the lattice as parameters).

ここで、Lの定義について説明する。図2は試料保持体102を空間107方向から見た図である。この図でLは周囲110の周囲長となる。すなわち、試料保持膜101において、枠状部材102aの開口102bを覆っている部分の周囲110の長さが、周囲長Lである。   Here, the definition of L will be described. FIG. 2 is a view of the sample holder 102 as viewed from the direction of the space 107. In this figure, L is the perimeter of the perimeter 110. That is, the length of the periphery 110 of the portion of the sample holding film 101 that covers the opening 102b of the frame member 102a is the peripheral length L.

また、図3に示すように、枠状部材102aの開口102bに、試料保持膜101の補強用に格子111がある場合、Lは周囲112の周囲長となる。すなわち、試料保持膜101において、格子111の開口部111bを覆っている部分の周囲の長さが、周囲長Lである。   Further, as shown in FIG. 3, when the lattice 111 is provided in the opening 102 b of the frame-like member 102 a for reinforcing the sample holding film 101, L is the perimeter of the perimeter 112. That is, the peripheral length of the portion of the sample holding film 101 that covers the opening 111b of the lattice 111 is the peripheral length L.

実験の結果を図4に示す。この結果、膜の破壊強度とL/Dは線形の関係であり、2気圧の耐性のある条件はL/D<200000であることが分かった。また、これとは逆に、空間108を大気圧として、空間107のほうに圧力をかけた場合、図4の結果よりも低い圧力で試料保持膜101が破壊されることが分かった。したがって、試料は、空間108に接する試料保持膜101の面に載置させた方が膜破壊の危険性を低減させることができる。   The result of the experiment is shown in FIG. As a result, it was found that the fracture strength of the film and L / D are in a linear relationship, and the condition with resistance of 2 atm is L / D <200000. On the other hand, it was found that when the space 108 was set to atmospheric pressure and pressure was applied to the space 107, the sample holding film 101 was broken at a pressure lower than the result of FIG. Therefore, the risk of film destruction can be reduced by placing the sample on the surface of the sample holding film 101 in contact with the space 108.

この実験結果より、L/D<200000の場合、耐圧が2気圧以上あることがわかった。現実的なLの最大値は、歩留まりなどを考えると20mm程度であると考えられる。これに対応する最も薄いDは、100nmである。これよりDが厚いと急速に保護膜101による散乱が大きくなり、観察・検査の際の分解能が劣化する。このため、Dは100nm未満とすることが望ましい。   From this experimental result, it was found that the pressure resistance was 2 atm or more when L / D <200000. The realistic maximum value of L is considered to be about 20 mm in consideration of the yield and the like. The corresponding thinnest D is 100 nm. If D is thicker than this, scattering by the protective film 101 rapidly increases, and the resolution at the time of observation and inspection deteriorates. For this reason, it is desirable that D be less than 100 nm.

一方、上記実験結果より、厚みが僅かD=10nmであってもL<2000μm以下、D=1nmであってもL<200μmであれば、試料保持膜101の第一の面に試料を大気圧下で載置して、第二の面を真空にしても試料保持膜101が破壊されないことがわかった。この状態で、第二の面から電子線を試料に照射させると、試料から発する二次電子も試料保持膜101を透過する(二次電子の平均工程は10nm程度)ことととなり、第二の面に接する雰囲気(真空室)に置かれた二次電子検出器で二次電子を検出し、二次電子像を得ることができる。二次電子像は表面に敏感で、高分解能な像が得られることが知られており、本発明でもそれを確認することができる。このため、より望ましくは、Dは10nm未満とするのが良い。ただし、Dを極端に薄くすると歩留まりが悪くなるために、1nm以上の厚さとすることが望ましい。   On the other hand, from the above experimental results, if the thickness is only D = 10 nm and L <2000 μm or less, and D = 1 nm and L <200 μm, the sample is placed on the first surface of the sample holding film 101 at atmospheric pressure. It was found that the sample-holding film 101 was not destroyed even when placed underneath and the second surface was evacuated. In this state, when the sample is irradiated with an electron beam from the second surface, secondary electrons emitted from the sample also pass through the sample holding film 101 (the average process of secondary electrons is about 10 nm), and the second Secondary electrons can be detected by a secondary electron detector placed in an atmosphere (vacuum chamber) in contact with the surface, and a secondary electron image can be obtained. It is known that secondary electron images are sensitive to the surface and a high-resolution image can be obtained, which can be confirmed in the present invention. For this reason, D is preferably less than 10 nm. However, since the yield is deteriorated when D is extremely thin, it is desirable to set the thickness to 1 nm or more.

従来、厚い膜しか作れなかったので、二次電子像は不可能で後方散乱電子像を用いており、分解能は低かった。本発明では二次電子を利用できるために、高分解能で観察・検査することができる。また、MEMS工程を用いて形成するため、大量に保持体を形成できる。   Conventionally, since only a thick film could be formed, a secondary electron image was impossible and a backscattered electron image was used, and the resolution was low. In the present invention, since secondary electrons can be used, observation and inspection can be performed with high resolution. Moreover, since it forms using a MEMS process, a holding body can be formed in large quantities.

試料保持体の作り方を図5に示す。両面をミラー研磨したシリコン基板201の両面に、化学的気相成長法(CVD)を用いて窒化シリコン膜211、212を形成する(図5(a))。次に、フォトレジストとリソグラフィーを用いてレジストパターン221を形成した後、本レジストパターンをマスクにRIE(リアクティブイオンエッチング)を用いて選択的に窒化シリコン膜211をエッチングする(図5(b))。硫酸でレジストパターン221を除去した後、窒化シリコン膜211をマスクとしてKOH液を用いることにより、シリコン基板201をウェットエッチングする(図5(c))。
本工程により、窒化シリコン膜212を有する試料保持体を形成することができる。
FIG. 5 shows how to make the sample holder. Silicon nitride films 211 and 212 are formed on both surfaces of a silicon substrate 201 whose both surfaces are mirror-polished using chemical vapor deposition (CVD) (FIG. 5A). Next, after forming a resist pattern 221 using a photoresist and lithography, the silicon nitride film 211 is selectively etched using RIE (reactive ion etching) using the resist pattern as a mask (FIG. 5B). ). After removing the resist pattern 221 with sulfuric acid, the silicon substrate 201 is wet-etched by using a KOH solution using the silicon nitride film 211 as a mask (FIG. 5C).
By this step, a sample holder having the silicon nitride film 212 can be formed.

次に、薄膜の上に格子が形成された試料保持体の形成方法について説明する。両面をミラー研磨したSOI(シリコンオンインシュレーター)ウェハ202(図6(a))の両面に、化学的気相成長法(CVD)を用いて窒化シリコン膜211、212を形成する(図6(a))。   Next, a method for forming a sample holder in which a lattice is formed on a thin film will be described. Silicon nitride films 211 and 212 are formed on both surfaces of an SOI (silicon on insulator) wafer 202 (FIG. 6A) having both surfaces mirror-polished using chemical vapor deposition (CVD) (FIG. 6A). )).

次に、フォトレジストとリソグラフィーを用いてレジストパターン221を形成した後、本レジストパターンをマスクにRIE(リアクティブイオンエッチング)を用いて選択的に窒化シリコン膜211をエッチングする(図6(b))。硫酸でレジストパターン221を除去した後、窒化シリコン膜211をマスクとしてKOH液を用いてシリコン基板203をウェットエッチングする。   Next, after forming a resist pattern 221 using a photoresist and lithography, the silicon nitride film 211 is selectively etched using RIE (reactive ion etching) using the resist pattern as a mask (FIG. 6B). ). After removing the resist pattern 221 with sulfuric acid, the silicon substrate 203 is wet-etched using a KOH solution using the silicon nitride film 211 as a mask.

そして、BHF(バッファードフッ酸)を用いて、酸化シリコン膜231を選択的に除去する(図6(c))。スプレーでレジストを塗布した後、リソグラフィーを用いて格子のパターンを形成する。このレジストパターン222をマスクとして、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)によりシリコン204を選択的にエッチングする(図6(d))。最後に硫酸を用いて、レジストパターン222を除去する。   Then, the silicon oxide film 231 is selectively removed using BHF (buffered hydrofluoric acid) (FIG. 6C). After the resist is applied by spraying, a lattice pattern is formed using lithography. Using this resist pattern 222 as a mask, silicon 204 is selectively etched by TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (FIG. 6D). Finally, the resist pattern 222 is removed using sulfuric acid.

これにより、格子パターンを形成することができる。格子を形成することにより保持膜の周囲長Lを小さくできるために、保持膜をより薄くすることができる。   Thereby, a lattice pattern can be formed. Since the peripheral length L of the holding film can be reduced by forming the lattice, the holding film can be made thinner.

また、格子の別の形成方法についても説明する。両面をミラー研磨したシリコン基板201の両面に、化学的気相成長法(CVD)を用いて窒化シリコン膜211、212を形成する。その後、片側の面に、CVDを用いて酸化シリコン膜232を形成する。(図7(a))酸化シリコン膜232上に、フォトレジストとリソグラフィーを用いて格子のレジストパターン223を形成する(図7(b))。   Further, another method for forming the lattice will be described. Silicon nitride films 211 and 212 are formed on both surfaces of the silicon substrate 201 whose both surfaces are mirror-polished using chemical vapor deposition (CVD). Thereafter, a silicon oxide film 232 is formed on one surface using CVD. (FIG. 7A) A lattice resist pattern 223 is formed on the silicon oxide film 232 by using a photoresist and lithography (FIG. 7B).

レジストパターン223をマスクとして、BHFを用いたウェットエッチングで酸化シリコン232を選択的に除去し、格子パターンを形成する。硫酸を用いて、レジストを除去する(図7(c))。反対側の面にレジストを塗布し、フォトレジストとリソグラフィーを用いてレジストパターン221を形成する。   Using the resist pattern 223 as a mask, the silicon oxide 232 is selectively removed by wet etching using BHF to form a lattice pattern. The resist is removed using sulfuric acid (FIG. 7C). A resist is applied to the opposite surface, and a resist pattern 221 is formed using a photoresist and lithography.

これを用いて、格子がない試料保持体を形成したのと同様な方法で、シリコン201をエッチングする(図7(e))。ただし、本工程においては、KOHのかわりに、酸化シリコンをエッチングしないTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用いた。本工程を用いると、価格の高いSOIウェハを使わずに格子を形成できる。   Using this, the silicon 201 is etched by the same method as that for forming a sample holder without a lattice (FIG. 7E). However, in this step, TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) that does not etch silicon oxide was used instead of KOH. When this process is used, a lattice can be formed without using an expensive SOI wafer.

図8に、本発明の一実施例である観察・検査装置の概略構成を示す。本実施例は、電子源301、コンデンサーレンズ302、対物レンズ303、走査ユニット304よりなる電子線鏡筒305、反射電子検出器306、2次電子検出器307、真空チャンバー308、試料移動機構309、及び実施例2に記載の試料保持体150より成る。試料保持体150はチャンバー308にOリング(試料保持体150を支持するための支持手段)310、311を用いて接触しているため、チャンバー308内部を真空あるいは減圧状態にできる。   FIG. 8 shows a schematic configuration of an observation / inspection apparatus which is an embodiment of the present invention. In the present embodiment, an electron beam column 305 including an electron source 301, a condenser lens 302, an objective lens 303, a scanning unit 304, a backscattered electron detector 306, a secondary electron detector 307, a vacuum chamber 308, a sample moving mechanism 309, And the sample holder 150 described in the second embodiment. Since the sample holder 150 is in contact with the chamber 308 using O-rings (support means for supporting the sample holder 150) 310 and 311, the inside of the chamber 308 can be in a vacuum or a reduced pressure state.

試料保持体150は、上述と同様に、開口150bが形成された枠状部材(本体部)150aと、開口150bを覆う試料保持膜150cから構成されている。試料保持膜150cには、例えば液体を含む試料315が保持される。また、このような構成としているために、大気圧の試料315に、試料保持体150の試料保持膜150cを介して電子線320を照射した際に、試料315から発生する反射電子、および、二次電子を検出することができる。これにより、大気圧雰囲気に配置された試料315のSEM像を高分解能で得られる。   Similar to the above, the sample holder 150 includes a frame-shaped member (main body portion) 150a in which an opening 150b is formed, and a sample holding film 150c that covers the opening 150b. For example, a sample 315 containing a liquid is held in the sample holding film 150c. In addition, because of such a configuration, when the atmospheric pressure sample 315 is irradiated with the electron beam 320 through the sample holding film 150c of the sample holder 150, the reflected electrons generated from the sample 315, and two Secondary electrons can be detected. Thereby, the SEM image of the sample 315 arranged in the atmospheric pressure atmosphere can be obtained with high resolution.

本実施例では電子線を用いた構成を示したが、イオン線を用いて観察をすることもできる。特に、集束ヘリウムイオンを用いることにより、前記試料保持膜150cの劣化が少ない観察を行うことができる。   In the present embodiment, a configuration using an electron beam is shown, but an observation using an ion beam is also possible. In particular, by using focused helium ions, the sample holding film 150c can be observed with little deterioration.

図9に、本発明の実施例の概略構成を示す。本実施例は、実施例8と類似である。ただし、試料保持体の配置方法が、実施例3ではOリング310、311を用いて試料保持体の上下から固定していたのに対し、試料保持体150とチャンバー308の間にのみOリング(支持手段)310を配置した点が異なる。また、液体を含む試料315がこぼれないように、まわりにシャーレ130を配置した点も異なる。これらの結果、チャンバー308内を減圧するため、Oリング310のみで真空を保持できる。これにより、簡単に試料保持体を固定できる。Oリング310の代わりにグリスを用いることもできる。以下の実施例においても、同様にグリスを用いることができる。   FIG. 9 shows a schematic configuration of an embodiment of the present invention. The present embodiment is similar to the eighth embodiment. However, the arrangement method of the sample holder is fixed from the upper and lower sides of the sample holder using the O-rings 310 and 311 in Example 3, whereas the O-ring (only between the sample holder 150 and the chamber 308 ( The difference is that the support means 310 is disposed. Another difference is that a petri dish 130 is arranged around the sample 315 containing liquid so as not to spill. As a result, since the inside of the chamber 308 is decompressed, only the O-ring 310 can hold the vacuum. Thereby, the sample holder can be easily fixed. Grease may be used in place of the O-ring 310. Similarly, grease can be used in the following examples.

本実施例の試料保持体151の構造を、図10に示す。図10(a)は保持体を上から見た図であるが、図10(b)は図10(a)のA−A’断面、図10(c)はB−B’断面、図10(d)はC−C’断面である。試料保持体151は、保持体ベース401、保持体キャップ402より成る。また、図10に示すように、保持体ベース401に入口408a、出口408b、及び流路408cを設けた。保持体キャップ402には、開口413aが形成されており、これにより膜411の一部が露出されている。膜411の開口413aの下には、試料保持空間408dが位置している。   The structure of the sample holder 151 of this example is shown in FIG. 10A is a view of the holding body as viewed from above. FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 10A, FIG. 10C is a cross-sectional view taken along line BB ′, and FIG. (D) is a CC 'cross section. The sample holder 151 includes a holder base 401 and a holder cap 402. Further, as shown in FIG. 10, the holder base 401 is provided with an inlet 408a, an outlet 408b, and a flow path 408c. An opening 413 a is formed in the holding body cap 402, so that a part of the film 411 is exposed. A sample holding space 408d is located under the opening 413a of the film 411.

試料保持体151の形成方法は、実施例2の場合と類似である。保持体ベース401と保持体キャップ402をそれぞれ独立に、実施例2と同様な方法で形成する。ただし、保持体ベース401を形成する際には、シリコンのエッチングを途中で停止し、流路408cの深さを制御する。このようにして形成した保持体ベース401と保持体キャップ402を、図10のように接着する。   The method for forming the sample holder 151 is similar to that in the second embodiment. The holder base 401 and the holder cap 402 are formed independently by the same method as in the second embodiment. However, when the holder base 401 is formed, the etching of silicon is stopped halfway, and the depth of the flow path 408c is controlled. The holder base 401 and the holder cap 402 formed in this manner are bonded as shown in FIG.

図11に示すように、試料保持体151の入口408aと出口408bの双方にパイプを接続して、入口408aに接続されたパイプ422aを介して試料を試料保持体151の流路408cに供給する。流路408cの出口408bに接続されたパイプ422bから、試料が適宜排出される。   As shown in FIG. 11, pipes are connected to both the inlet 408a and outlet 408b of the sample holder 151, and the sample is supplied to the flow path 408c of the sample holder 151 via the pipe 422a connected to the inlet 408a. . The sample is appropriately discharged from the pipe 422b connected to the outlet 408b of the flow path 408c.

上記試料保持体を用いた観察・検査用装置全体の構成を、図12に示す。基本的な構成は、実施例4の場合と同様である。ただし、シャーレはなく、液体を含む試料がこぼれないようにするために流路を用いている。   FIG. 12 shows the configuration of the entire observation / inspection apparatus using the sample holder. The basic configuration is the same as that in the fourth embodiment. However, there is no petri dish and a flow path is used to prevent a sample containing liquid from spilling.

このような構造を用いることにより、試料保持体151に簡単に試料を入れることができる。また、開口413aを介して、試料保持体151内部の流路408c内に配置された試料414に集束した電子線320を照射・走査することができるとともに、この電子線320により発生した反射電子、あるいは、二次電子を反射電子検出器306、あるいは、二次電子検出器307で検出できる。これにより、試料414の走査電子顕微鏡像(SEM像)を得ることができる。このような構成とすることにより、液体を含む試料を観察・検査することができる。   By using such a structure, the sample can be easily put into the sample holder 151. In addition, the electron beam 320 focused on the sample 414 disposed in the channel 408c inside the sample holder 151 can be irradiated and scanned through the opening 413a, and the reflected electrons generated by the electron beam 320 can be Alternatively, secondary electrons can be detected by the backscattered electron detector 306 or the secondary electron detector 307. Thereby, a scanning electron microscope image (SEM image) of the sample 414 can be obtained. With such a configuration, it is possible to observe and inspect a sample containing a liquid.

本実施例の構成は、実施例5の場合と類似である。ただし、試料保持体151の薄膜部分に、格子構造を配置した点が異なる。このような構造とすることにより、より薄い薄膜を用いることができる。   The configuration of this embodiment is similar to that of the fifth embodiment. However, the difference is that a lattice structure is arranged in the thin film portion of the sample holder 151. With such a structure, a thinner thin film can be used.

本試料保持体の形成方法は、次の通りである。実施例2と同様な工程により、保持体キャップ402を形成する(図13参照)。また、保持体ベース401を形成する(図14参照)。最後に保持体ベース401と保持体キャップ402を接着する(図14参照)。   The method for forming the sample holder is as follows. The holding body cap 402 is formed by the same process as that of the second embodiment (see FIG. 13). Further, the holder base 401 is formed (see FIG. 14). Finally, the holder base 401 and the holder cap 402 are bonded (see FIG. 14).

このような構成とすることにより、より薄い薄膜を用いた保持体を形成できる。これにより、液体を含む試料を、高い分解能で観察・検査することができる。   By setting it as such a structure, the holding body using a thinner thin film can be formed. Thereby, the sample containing the liquid can be observed and inspected with high resolution.

本実施例は、基本的に実施例5と同様である。ただし、複数の入口408a、出口408b、流路408c、試料保持空間408dを、同一の試料保持体152の上に形成した点が異なる (図15参照)。ただし、図15(b)は図15(a)のA−A’断面、図15(c)はB−B’断面、図15(d)はC−C’断面である。試料保持体の構成方法は、実施例6の場合と同様であるが、その概略を図16に示す。また、図17に、上記セルに試料を導入するためのパイプ422を接続する際の概略を示す。このような構成とすることにより、複数の試料を効率よく観察・検査できる。   The present embodiment is basically the same as the fifth embodiment. However, the difference is that a plurality of inlets 408a, outlets 408b, flow paths 408c, and sample holding spaces 408d are formed on the same sample holder 152 (see FIG. 15). However, FIG. 15B is an A-A ′ section in FIG. 15A, FIG. 15C is a B-B ′ section, and FIG. 15D is a C-C ′ section. The configuration method of the sample holder is the same as that in Example 6, and an outline thereof is shown in FIG. FIG. 17 shows an outline when connecting a pipe 422 for introducing a sample into the cell. With such a configuration, it is possible to efficiently observe and inspect a plurality of samples.

本実施例は、実施例5と類似である。ただし、電子線を上から下向きに照射できるようにした点が異なる(図18参照)。このような構成とすることにより、電子線鏡筒内部にゴミが入るのを低減できる。   The present embodiment is similar to the fifth embodiment. However, the difference is that the electron beam can be irradiated downward from above (see FIG. 18). By adopting such a configuration, it is possible to reduce dust from entering the electron beam column.

図19に、本実施例の試料保持体153の概略を示す。図19(a)は、試料保持体153を上から見た図であるが、図19(b)は図19(a)のA−A’断面、図19(c)はB−B’断面である。本試料保持体153は、実施例5と類似な方法で構成する。ただし、入口408a、出口408bの他に、引出口408eを設けた点が異なる。また、流路408cの他に、分岐路(流路)430、分岐路(流路)431、引出路408fを設けた。ここで、分岐路(流路)の深さ(膜411に垂直方向の幅)を流路408cよりも浅くした点が特徴的である。   In FIG. 19, the outline of the sample holder 153 of a present Example is shown. 19A is a view of the sample holder 153 as viewed from above. FIG. 19B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 19A, and FIG. 19C is a cross-sectional view taken along line BB ′. It is. The sample holder 153 is configured by a method similar to that in the fifth embodiment. However, the difference is that an outlet 408e is provided in addition to the inlet 408a and the outlet 408b. In addition to the flow path 408c, a branch path (flow path) 430, a branch path (flow path) 431, and a lead-out path 408f are provided. Here, it is characteristic that the depth of the branch path (flow path) (width in the direction perpendicular to the film 411) is shallower than that of the flow path 408c.

特に、膜411部分直下の観察部455の厚さ、すなわち、膜411に垂直方向の幅を10nm〜20μm(試料に含まれた構成物の大きさの1.1〜1.2倍にすると特によい)にする。これにより、液体成分を含む試料を試料保持体153内部に導入する際に、観察・検査対象となる構造物が膜411に近接することとなるので、膜411と該構造物との間に介在する液体成分等によって電子線が散乱される度合いを小さくすることができる。これにより、観察領域内部全域で良好な走査電子顕微鏡像を得ることができる。なお、試料に大気が含まれる場合でも同様である。   In particular, the thickness of the observation portion 455 immediately below the film 411 portion, that is, the width in the direction perpendicular to the film 411 is 10 nm to 20 μm (particularly when the size of the constituent included in the sample is 1.1 to 1.2 times larger). Good). Thus, when a sample containing a liquid component is introduced into the sample holder 153, the structure to be observed / inspected comes close to the film 411, so that the structure is interposed between the film 411 and the structure. The degree to which the electron beam is scattered by the liquid component or the like can be reduced. Thereby, a favorable scanning electron microscope image can be obtained in the entire observation region. The same applies when the sample contains air.

次に、膜411部分直下の観察部455の深さ、すなわち、膜411に垂直方向の分岐路(流路)430、431の幅を10nm〜5μmとする。これにより、液体成分を含む試料を試料保持体153内部に導入する際に、試料保持体153内部における電子線の経路が短くなるために、液体や気体による電子線の散乱を少なくすることができる。これにより、観察領域内部全域で良好な走査電子顕微鏡像を得ることができる。   Next, the depth of the observation portion 455 immediately below the film 411, that is, the width of the branch paths (flow channels) 430 and 431 in the direction perpendicular to the film 411 is set to 10 nm to 5 μm. Accordingly, when a sample containing a liquid component is introduced into the sample holder 153, the electron beam path in the sample holder 153 is shortened, so that scattering of the electron beam by the liquid or gas can be reduced. . Thereby, a favorable scanning electron microscope image can be obtained in the entire observation region.

図20に、本実施例の試料保持体154の断面を示す。本試料保持体の構造は、実施例9の場合と類似であるが、分岐路(流路)430、分岐路(流路)431の一部の深さ(膜411に垂直方向の幅)が連続的に変化している点が異なる。また、このような連続的な深さ制御を行うために、保持体ベース403をPDMS(ポリジメチルシロキサン)を用いて構成する。   In FIG. 20, the cross section of the sample holder 154 of a present Example is shown. The structure of the sample holder is similar to that of the ninth embodiment, but the depth (width in the direction perpendicular to the film 411) of the branch path (flow path) 430 and the branch path (flow path) 431 is small. It is different in that it changes continuously. In order to perform such continuous depth control, the holder base 403 is configured using PDMS (polydimethylsiloxane).

このような構成とすることにより、液体を含む試料中の構造物をスムースに観察部に導くことができる。また、特に観察部直下において連続的に深さを変化させることにより、大きさの異なる構造物を異なる位置に配置できる。これによって、観察・検査を容易にすることができる。   With such a configuration, the structure in the sample containing the liquid can be smoothly guided to the observation unit. In addition, it is possible to arrange structures having different sizes at different positions by changing the depth continuously, particularly immediately below the observation part. This facilitates observation and inspection.

本実施例の試料保持体155は、実施例9と同様である。ただし、流路408cに接続されている断面積の小さな分岐路(流路)430に、図21に示すように、フィルター462a、462b、462c、462dをそれぞれ設けた点が異なる。これらのフィルターとして、図21に示す突起物(円柱)415を設けた。フィルター462a、462b、462c、462dで、それぞれ突起物の間隔が異なるフィルターを採用する。   The sample holder 155 of this example is the same as that of Example 9. However, as shown in FIG. 21, filters 462a, 462b, 462c, and 462d are provided in a branch passage (flow passage) 430 having a small cross-sectional area connected to the flow passage 408c. As these filters, projections (columns) 415 shown in FIG. 21 were provided. As the filters 462a, 462b, 462c, and 462d, filters having different projection intervals are employed.

このような構成とすることにより、観察部455に大きさの異なる構造物を導くことができる。この結果、大きさの異なる構造物を選択的に観察・検査することができる。なお、突起物としては、円柱形状のものの他に突起(凸部)を配置することもできる。また、ボール(球体)を配置した構造にすることもできる。   With such a configuration, structures having different sizes can be guided to the observation unit 455. As a result, structures having different sizes can be selectively observed and inspected. In addition, as a protrusion, a protrusion (convex part) can be arranged in addition to a cylindrical shape. Moreover, it can also be set as the structure which has arrange | positioned the ball | bowl (sphere).

本実施例の試料保持体156は、実施例11と同様である。ただし、分岐路(流路)430の観察部455と引出路408fとの間に位置する部分に、462a〜462dとは異なるフィルター463a、463b、463c、463dをそれぞれ設置した点が異なる(図22参照)。これらのフィルターは、実施例11と同様に突起で構成する。ただし、463a−dを、上記フィルター462a−dよりも間隔が狭い突起で構成した点が特徴的である。   The sample holder 156 of this example is the same as that of Example 11. However, the difference is that filters 463a, 463b, 463c, and 463d different from 462a to 462d are respectively installed in the portion located between the observation section 455 and the extraction path 408f of the branch path (flow path) 430 (FIG. 22). reference). These filters are composed of protrusions as in the case of Example 11. However, it is characteristic that 463a-d is formed of protrusions having a narrower interval than the filters 462a-d.

本実施例の動作は、次のとおりである。最初に、実施例11と同様に、入口408aから出口408bに向けて試料を導入し、流路408cを試料で満たす。次に、引き口408eを減圧し、観察部455に連通する分岐路(流路)430に試料を満たす。この際、フィルター462により、大きさの異なる構造物がそれぞれの観察部455の下に入る。   The operation of the present embodiment is as follows. First, similarly to Example 11, a sample is introduced from the inlet 408a toward the outlet 408b, and the channel 408c is filled with the sample. Next, the outlet 408e is decompressed, and the sample is filled in the branch path (flow path) 430 communicating with the observation unit 455. At this time, structures having different sizes enter under the respective observation units 455 by the filter 462.

次に、入口408a、出口408b、引き口408eの圧力をほぼ同等にした上で、出口408bから試料を排出する。この際、観察部455に試料が残り、かつ、流路408cから試料がなくなるようにする。この状態で引き口408eを減圧することにより、フィルター463を介して液体成分のみを分岐路(流路)430及び引出路408fを通じて引き口408eから排出することができる。これにより、観察部455には、液体成分のない構造物だけを選択的に残すことができる。   Next, after the pressures at the inlet 408a, the outlet 408b, and the outlet 408e are made substantially equal, the sample is discharged from the outlet 408b. At this time, the sample remains in the observation unit 455 and the sample is removed from the channel 408c. By reducing the pressure of the outlet 408e in this state, only the liquid component can be discharged from the outlet 408e through the filter 463 through the branch path (flow path) 430 and the extraction path 408f. Thereby, only the structure without a liquid component can be selectively left in the observation unit 455.

膜411に入射した電子線320は、試料保持体152内部に液体が有る場合、液体により散乱される。これに対し、本実施例では液体を選択的に排除し構造物だけを観察部455に配置することができるために、液体による散乱をなくすことができる。このため電子線320の散乱が少なくなるので、観察・検査時の分解能を向上することができる。   The electron beam 320 incident on the film 411 is scattered by the liquid when there is a liquid inside the sample holder 152. On the other hand, in this embodiment, since liquid can be selectively removed and only the structure can be arranged in the observation unit 455, scattering by the liquid can be eliminated. For this reason, since the scattering of the electron beam 320 is reduced, the resolution at the time of observation and inspection can be improved.

本実施例は、試料保持体151を、真空チャンバー308内部に入れた(図23参照)。また、試料保持体151を移動するためのステージ(支持手段)313を設置する。さらには、試料保持体151は、真空チャンバー308に入れる前に入口308aと出口308bを封止する。   In this example, the sample holder 151 was placed inside the vacuum chamber 308 (see FIG. 23). A stage (supporting means) 313 for moving the sample holder 151 is installed. Further, the sample holder 151 seals the inlet 308 a and the outlet 308 b before entering the vacuum chamber 308.

このような構造とすることにより、試料315を簡単に傾斜して観察・検査できる(図24参照)。   With such a structure, the sample 315 can be observed and inspected with a simple inclination (see FIG. 24).

本実施例は、実施例7と類似である。ただし、試料保持体157の一部分に寸法の基準を寸法指標として示す指標パターン180を形成した点が異なる。   The present embodiment is similar to the seventh embodiment. However, the difference is that an index pattern 180 indicating a dimension reference as a dimension index is formed on a part of the sample holder 157.

本実施例による試料保持体157の構成を、図25に示す。試料保持体157の表面であって、各観察部455の近傍に、長さの標準パターン(指標パターン)180を形成する。長さの標準パターンの例を、図26に示す。間隔や周期の異なるラインアンドスペースなどから成る。
試料観察・検査の際に、このような長さ標準の画像を取得し、試料中の構造物の画像と比較・参照することにより、試料中の構造物の正確な寸法がわかる。
The configuration of the sample holder 157 according to this embodiment is shown in FIG. A standard pattern (index pattern) 180 of length is formed on the surface of the sample holder 157 in the vicinity of each observation unit 455. An example of a standard length pattern is shown in FIG. It consists of lines and spaces with different intervals and periods.
When observing and inspecting the sample, an image of such a length standard is acquired, and compared and referred to the image of the structure in the sample, the exact dimensions of the structure in the sample can be known.

本実施例は、実施例4と類似である。ただし、試料315に前処理を行い、試料へ蛍光マーカーを付加した点、および、検出器に蛍光検出器325を付加した点が異なる(図27参照)。具体的には、蛍光マーカーを付加した抗体を、抗原抗体反応を用いることにより試料に付加する。   The present embodiment is similar to the fourth embodiment. However, the difference is that the sample 315 is pre-processed and a fluorescent marker is added to the sample, and the fluorescence detector 325 is added to the detector (see FIG. 27). Specifically, an antibody to which a fluorescent marker is added is added to a sample by using an antigen-antibody reaction.

試料に集束電子線を照射した際に、上記蛍光マーカーはカソードルミネッセンスにより発光する。これにより発生した光は、蛍光検出器325で検出される。本実施例では観察・検査の際に、最初、反射電子あるいは二次電子を検出して電子線320のフォーカス・スティグマなどの調整を行った上で、蛍光検出器325を用いて蛍光する場所を特定する。   When the sample is irradiated with a focused electron beam, the fluorescent marker emits light by cathodoluminescence. The light generated thereby is detected by the fluorescence detector 325. In the present embodiment, at the time of observation / inspection, first, reflected electrons or secondary electrons are detected and the focus / stigma of the electron beam 320 is adjusted, and then the fluorescence detector 325 is used to determine the place where the fluorescence is detected. Identify.

これにより、目的とするタンパク質あるいはその複合体がどの位置にあるのかを知ることができる。その後、再び反射電子あるいは二次電子を検出することにより、蛍光部位の近傍を詳細に観察・検査できる。   This makes it possible to know where the target protein or complex thereof is located. Thereafter, by detecting reflected electrons or secondary electrons again, the vicinity of the fluorescent site can be observed and inspected in detail.

本実施例は、実施例15と類似である。ただし、前処理において、金属のマーカー付加処理を行った点が異なる。具体的には、金マーカーを付加した抗体を、抗原抗体反応を用いることにより試料に付加する。このとき、直径10nm〜50nmの金粒子をマーカーとして用いる。   The present embodiment is similar to the fifteenth embodiment. However, the point that the metal marker addition process was performed in the pre-processing is different. Specifically, an antibody to which a gold marker is added is added to a sample by using an antigen-antibody reaction. At this time, gold particles having a diameter of 10 nm to 50 nm are used as markers.

試料に集束電子線を照射した際に、上記金属マーカーは生体部分よりも原子量が大きいために、反射電子像として明瞭に観察・検査することができる。これにより、目的とするタンパク質あるいはその複合体がどの位置にあるのかを知ることができる。また、その近傍を詳細に観察・検査できる。   When the sample is irradiated with a focused electron beam, the metal marker has an atomic weight larger than that of the living body portion, so that it can be clearly observed and inspected as a reflected electron image. This makes it possible to know where the target protein or complex thereof is located. In addition, the vicinity can be observed and inspected in detail.

図28に、本実施例に用いた試料保持体160の構造を示す。ただし、図28(a)は試料保持体160を上から見た図であるが、図28(b)は図28(a)のA−A’断面である。試料の入口408a、出口408b、流路408c、分岐路(流路)430、431、観察部(試料保持空間)455を設けた。これらの入口408aと出口408bには、実施例7と同様に試料の供給と排出用のパイプ422を接続することができる。入口408aと出口408bの間には、流路408cを設けた。試料は入口408aより注入され、流路408cを通って出口408bより抽出される。   FIG. 28 shows the structure of the sample holder 160 used in this example. However, FIG. 28A is a view of the sample holder 160 as viewed from above, but FIG. 28B is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. A sample inlet 408a, an outlet 408b, a channel 408c, branch paths (channels) 430 and 431, and an observation unit (sample holding space) 455 were provided. A sample supply and discharge pipe 422 can be connected to the inlet 408a and the outlet 408b in the same manner as in the seventh embodiment. A channel 408c is provided between the inlet 408a and the outlet 408b. The sample is injected from the inlet 408a and extracted from the outlet 408b through the channel 408c.

流路408cから分岐する複数の分岐路(流路)430を設け、各分岐路(流路)430、431は観察部455に連通する。各観察部455は、電子線を透過する対向配置された2つの膜の間隙部から構成される(図28(b))。これにより、各観察部455内に導入された試料は、一方の膜を介して電子線が照射される。また、試料を透過した透過電子線は、他方の膜を介してセル外に到達する。この観察部455を用いて、その内部に配置された試料の走査型透過電子顕微鏡観察・検査、あるいは、透過電子顕微鏡観察・検査ができる。   A plurality of branch paths (flow paths) 430 branching from the flow path 408 c are provided, and the branch paths (flow paths) 430 and 431 communicate with the observation unit 455. Each observation unit 455 is composed of a gap between two opposing films that transmit an electron beam (FIG. 28B). Thereby, the sample introduced into each observation part 455 is irradiated with an electron beam through one film. The transmitted electron beam that has passed through the sample reaches the outside of the cell through the other film. Using this observation unit 455, scanning transmission electron microscope observation / inspection or transmission electron microscope observation / inspection of the sample disposed therein can be performed.

本セルの作成方法を記載する(図29参照)。樹脂491と樹脂492に、それぞれ射出整形技術やナノインプリント技術を用いて、流路、分岐路(流路)、および観察部をそれぞれ設けた(図29(a))。樹脂491と樹脂492の接着面に、それぞれスプレーで接着剤493、494を塗布し、それぞれの樹脂491、492に膜495、496を接着する(図29(b))。2枚の膜495、496が薄い隙間をもって接着できるように、一方の膜496に接着剤497を塗布した後、双方の膜495、496を接着する。接着剤はメタルマスク498を用いることにより、必要な部分のみ塗布する(図29(c))。接着剤の分量、粘性、接着時の圧力を制御することにより、膜間の隙間を制御することができる(図29(d))。あるいは、2枚の膜495、496間にスペーサーを入れて、隙間を制御することもできる。これらの接着を行った後、余分な膜をカットする。さらに別のメタルマスク499とイオンビーム500を用いて、流路の中心付近にある膜を除去する(図29(e))。流路のキャップになる部分501を射出整形、あるいは、ナノインプリントで形成した後、スプレーで接着剤502を塗布した上で樹脂491と接着する(図29(f))。これらの工程により、試料保持体160を形成する。   A method of creating this cell will be described (see FIG. 29). The resin 491 and the resin 492 were each provided with a flow path, a branch path (flow path), and an observation section using an injection shaping technique and a nanoimprint technique (FIG. 29A). Adhesives 493 and 494 are respectively applied to the bonding surfaces of the resin 491 and the resin 492 by spraying, and the films 495 and 496 are bonded to the respective resins 491 and 492 (FIG. 29B). After the adhesive 497 is applied to one film 496 so that the two films 495 and 496 can be bonded with a thin gap, both the films 495 and 496 are bonded. Only a necessary portion is applied to the adhesive by using a metal mask 498 (FIG. 29C). The gap between the films can be controlled by controlling the amount of adhesive, viscosity, and pressure at the time of bonding (FIG. 29 (d)). Alternatively, a gap can be controlled by inserting a spacer between the two films 495 and 496. After these adhesions are made, the excess film is cut. Further, using another metal mask 499 and the ion beam 500, the film near the center of the flow path is removed (FIG. 29E). After the portion 501 that becomes the cap of the flow path is formed by injection shaping or nanoimprinting, the adhesive 502 is applied by spraying and then bonded to the resin 491 (FIG. 29 (f)). By these steps, the sample holder 160 is formed.

走査透過電子像を観察・検査するための全体構成を、図30に示す。電子源301、コンデンサーレンズ302、対物レンズ303、走査ユニット304よりなる電子線鏡筒305、真空チャンバー308、上部電子線検出器503、軸上電子線検出器504、軸外電子線検出器506、試料保持体160、試料保持体160を支持するためのステージ(支持手段)507より成る。   FIG. 30 shows an overall configuration for observing and inspecting a scanning transmission electron image. An electron beam column 305 comprising an electron source 301, a condenser lens 302, an objective lens 303, a scanning unit 304, a vacuum chamber 308, an upper electron beam detector 503, an on-axis electron beam detector 504, an off-axis electron beam detector 506, The sample holder 160 includes a stage (support means) 507 for supporting the sample holder 160.

本構造を用いることにより、試料保持体160の観察部455内部の試料に集束した電子線320を照射・走査することができるとともに、同電子線320により発生した反射電子、あるいは、2次電子を上部電子線検出器503で検出できる。これにより、試料の走査電子顕微鏡像を得ることができる。また、同時に軸上電子線検出器504と軸外電子線検出器505を用いることにより、走査透過型電子線顕微鏡像を得ることができる。   By using this structure, it is possible to irradiate and scan the electron beam 320 focused on the sample inside the observation unit 455 of the sample holder 160, and to reflect the reflected electrons or secondary electrons generated by the electron beam 320. It can be detected by the upper electron beam detector 503. Thereby, a scanning electron microscope image of the sample can be obtained. At the same time, by using the on-axis electron beam detector 504 and the off-axis electron beam detector 505, a scanning transmission electron beam microscope image can be obtained.

さらに、膜495、496のサポートとして、実施例2と類似な格子構造を配置したものを形成する。この場合、膜の外周を小さくできるために、より薄い膜を用いることができる。これにより、さらに分解能を向上することができる。
本実施例では電子線を用いた構成を示したが、イオンを用いて観察をすることもできる。特に、ヘリウムイオンを用いることにより、前記試料保持膜の劣化が少ない観察を行うことができる。この場合、軸上電子線検出器504、軸外電子線検出器506のかわりに、それぞれ軸上イオン検出器と軸外イオン検出器を用いる。
Further, as a support for the films 495 and 496, a structure in which a lattice structure similar to that of the second embodiment is arranged is formed. In this case, since the outer periphery of the film can be reduced, a thinner film can be used. Thereby, the resolution can be further improved.
In this embodiment, a configuration using an electron beam is shown, but observation can also be performed using ions. In particular, by using helium ions, observation with little deterioration of the sample holding film can be performed. In this case, an on-axis ion detector and an off-axis ion detector are used in place of the on-axis electron beam detector 504 and the off-axis electron beam detector 506, respectively.

本実施例の試料保持体161は、実施例17と同様である。ただし、実施例9と同様に、流路408cに連通する入口408a、出口408bに加えて、引き口408e、引出路408fを付加した点が異なる。   The sample holder 161 of this example is the same as that of Example 17. However, as in the ninth embodiment, the difference is that a pulling port 408e and a pulling path 408f are added in addition to the inlet 408a and the outlet 408b communicating with the flow path 408c.

本実施例の概略構成を、図31に示す。図31(a)は試料保持体161を上から見た図である。入口408aから出口408bに至る流路408cに、断面積の小さな分岐路(流路)430、分岐路(流路)431が接続されている。これらの分岐路(流路)430、431は、観察部455を通って引出口408eにつながる引出路408fに接続されている。入口408aから出口408bに向けて試料を導入することにより、流路408cには試料が入る。分岐路(流路)430、431にも通常毛細管現象で試料が入るが、分岐路(流路)430、431の断面積が著しく小さな場合では、十分な量の試料が観察部455に導入されない場合がある。これに対し、本実施例では、引出口408eの圧力を入口408a及び出口408bに対して低くすることにより、分岐路(流路)430、431を介して観察部455に十分な量の試料を入れることができる。   A schematic configuration of the present embodiment is shown in FIG. FIG. 31A is a view of the sample holder 161 as viewed from above. A branch path (flow path) 430 and a branch path (flow path) 431 having a small cross-sectional area are connected to a flow path 408c extending from the inlet 408a to the outlet 408b. These branch paths (flow paths) 430 and 431 are connected to a lead-out path 408f that passes through the observation unit 455 and is connected to the pull-out outlet 408e. By introducing the sample from the inlet 408a toward the outlet 408b, the sample enters the channel 408c. Although the sample also enters the branch paths (flow paths) 430 and 431 normally by capillary action, when the cross-sectional area of the branch paths (flow paths) 430 and 431 is extremely small, a sufficient amount of sample is not introduced into the observation unit 455. There is a case. On the other hand, in this embodiment, a sufficient amount of sample is placed in the observation unit 455 via the branch paths (flow paths) 430 and 431 by lowering the pressure at the outlet 408e relative to the inlet 408a and the outlet 408b. Can be put.

このような構成とすることにより、断面積の小さな分岐路(流路)430、431を介して観察部455に試料を導入することができるので、小さな構造物を観察・検査することができる。   With such a configuration, the sample can be introduced into the observation unit 455 through the branch paths (flow paths) 430 and 431 having a small cross-sectional area, so that a small structure can be observed and inspected.

本実施例の試料保持体162は、実施例18と同様である。ただし、構成する材料をシリコン系とした点が異なる。具体的な構成を、図32に示す。図32(a)は、上から見た図であり、図32(b)は(a)のA−A’断面である。   The sample holder 162 of this example is the same as that of Example 18. However, the difference is that the constituent material is silicon. A specific configuration is shown in FIG. FIG. 32A is a view from above, and FIG. 32B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

本試料保持体の形成方法を、図33を用いて示す。両面をミラー研磨したシリコン基板201の両面に、CVD法を用いて窒化シリコン膜211、212を形成する。次に、その片面にCVD法を用いて酸化シリコン膜膜231を形成する(図33(a))。次に、窒化シリコン膜のみを形成した側に、フォトレジストとリソグラフィーで形成したマスクとドライエッチングを用いて、窒化シリコン膜212をパターン加工する。この窒化シリコン膜のパターンをマスクとして、TMAHを用いてウェットエッチングにより、シリコン基板201を途中までエッチングする(図33(b))。その後、酸化シリコン膜231を形成した側に、同様にフォトレジストとリソグラフィーを用いたマスクを用いて酸化シリコン膜231を部分的に加工した後、あらたなフォトレジストのマスクを用いて窒化シリコン膜211をエッチングする。これにより、図33(c)の形状を形成する。そして、窒化シリコン膜212だけの面と酸化シリコン膜231を形成した面の両側を、TMAHを用いてシリコン基板201のエッチングを行い、図33(d)の構造を得る。最後に、このようにして形成した構造を2つ準備し、互いに酸化シリコン膜231を形成した面をあわせて接着することにより、試料保持体162を完成する(図33(e))。   A method for forming the sample holder will be described with reference to FIG. Silicon nitride films 211 and 212 are formed on both surfaces of a silicon substrate 201 whose both surfaces are mirror-polished using a CVD method. Next, a silicon oxide film 231 is formed on one surface by CVD (FIG. 33A). Next, on the side where only the silicon nitride film is formed, the silicon nitride film 212 is patterned using a photoresist and a mask formed by lithography and dry etching. Using this silicon nitride film pattern as a mask, the silicon substrate 201 is etched halfway by wet etching using TMAH (FIG. 33B). Thereafter, the silicon oxide film 231 is partially processed on the side where the silicon oxide film 231 is formed in the same manner using a mask using photoresist and lithography, and then the silicon nitride film 211 using a new photoresist mask. Etch. Thereby, the shape of FIG. 33C is formed. Then, the silicon substrate 201 is etched using TMAH on both the surface of the silicon nitride film 212 and the surface on which the silicon oxide film 231 is formed to obtain the structure of FIG. Finally, two structures formed in this way are prepared, and the surfaces on which the silicon oxide films 231 are formed are bonded together to complete the sample holder 162 (FIG. 33E).

なお、対向する2枚の試料保持膜の間隔は、1nmから1μmの間になるように制御する。1μmより厚いと試料保持膜による電子線の散乱が大きくなり分解能が大きく劣化し、また、1nmより薄いと試料が膜の間に入らないためである。   The distance between the two sample holding films facing each other is controlled to be between 1 nm and 1 μm. If it is thicker than 1 μm, the electron beam scattering by the sample holding film increases and the resolution greatly deteriorates. If it is thinner than 1 nm, the sample does not enter between the films.

このようにシリコン系の材料を用いて試料保持体を形成したため、形成の工程を単純化できる。   Since the sample holder is formed using the silicon-based material as described above, the forming process can be simplified.

本実施例は、実施例19と同様である。ただし、流路408cに接続されている断面積の小さな分岐路(流路)430に、図34に示すように、フィルター462a、462b、462c、462dをそれぞれ設けた点が異なる。これらのフィルターは、図34に示す突起物415で構成する。フィルター462a、462b、462c、462dで、それぞれ突起物の間隔が異なるフィルターを採用する。   This example is the same as Example 19. However, the difference is that filters 462a, 462b, 462c, and 462d are respectively provided in a branch passage (flow passage) 430 having a small cross-sectional area connected to the flow passage 408c, as shown in FIG. These filters are composed of protrusions 415 shown in FIG. As the filters 462a, 462b, 462c, and 462d, filters having different projection intervals are employed.

このような構成とすることにより、観察部455に大きさの異なる構造物を導くことができる。この結果、大きさの異なる構造物を選択的に観察・検査することができる。   With such a configuration, structures having different sizes can be guided to the observation unit 455. As a result, structures having different sizes can be selectively observed and inspected.

本実施例の試料保持体163は、実施例20と同様である。ただし、観察部455と引出路408eとの間にフィルター462とは別のフィルター463a、463b、463c、463dをそれぞれ設置した点が異なる(図35参照)。これらのフィルター463は、実施例40と同様に突起415で構成する。ただし、フィルター463を、上記フィルター462よりも間隔が狭い突起で構成した点が特徴的である。   The sample holder 163 of this example is the same as that of Example 20. However, the difference is that filters 463a, 463b, 463c, and 463d different from the filter 462 are installed between the observation unit 455 and the extraction path 408e (see FIG. 35). These filters 463 are constituted by protrusions 415 as in the 40th embodiment. However, the filter 463 is characterized in that it is configured with protrusions having a narrower interval than the filter 462.

本実施例の動作は、次のとおりである。最初に、実施例40と同様に、入口408aから出口408bに向けて試料を導入し、流路408cを試料で満たす。次に、引き口408eを減圧し、観察部455に連通する分岐路(流路)430に試料を満たす。この際、フィルター462により、大きさの異なる構造物がそれぞれの観察部455の下に入る。   The operation of the present embodiment is as follows. First, similarly to Example 40, a sample is introduced from the inlet 408a toward the outlet 408b, and the channel 408c is filled with the sample. Next, the outlet 408e is decompressed, and the sample is filled in the branch path (flow path) 430 communicating with the observation unit 455. At this time, structures having different sizes enter under the respective observation units 455 by the filter 462.

次に、入口408a、出口408b、引出口408eの圧力をほぼ同等にした上で、出口408bから試料を排出する。この際、観察部455に試料が残り、かつ、流路408cから試料がなくなるようにする。この状態で引出口408eを減圧することにより、フィルター463を介して液体成分のみを引出路408fを通じて引出口408eから排出することができる。これにより、観察部455には、液体成分のない構造物だけを選択的に残すことができる。   Next, the pressure at the inlet 408a, outlet 408b, and outlet 408e is made substantially equal, and the sample is discharged from the outlet 408b. At this time, the sample remains in the observation unit 455 and the sample is removed from the channel 408c. By reducing the pressure of the outlet 408e in this state, only the liquid component can be discharged from the outlet 408e through the outlet 408f via the filter 463. Thereby, only the structure without a liquid component can be selectively left in the observation unit 455.

膜411に入射した電子線320は、試料保持体163内部に液体が有る場合、液体により散乱される。これに対し、本実施例では液体を選択的に排除し構造物だけを観察部455に配置することができるために、液体による散乱をなくすことができる。このため電子線320の散乱が少なくなるので、観察・検査時の分解能を向上することができる。   The electron beam 320 incident on the film 411 is scattered by the liquid when there is a liquid inside the sample holder 163. On the other hand, in this embodiment, since liquid can be selectively removed and only the structure can be arranged in the observation unit 455, scattering by the liquid can be eliminated. For this reason, since the scattering of the electron beam 320 is reduced, the resolution at the time of observation and inspection can be improved.

本実施例は、実施例17と類似である。ただし、試料を透過した電子を結像するための結像レンズ330を付加した点が異なる。(図36参照)。   The present embodiment is similar to the seventeenth embodiment. However, the difference is that an imaging lens 330 for imaging electrons transmitted through the sample is added. (See FIG. 36).

このような構成とすることにより、通常の透過型電子顕微鏡像を得ることができる。このため、通常の透過電子顕微鏡で取得した画像と比較をしやすい。なお、図中の331は、高感度電子線カメラである。
本実施例では電子線を用いた構成を示したが、イオンを用いて観察をすることもできる。特に、ヘリウムイオンを用いることにより、前記試料保持膜の劣化が少ない観察を行うことができる。この場合、高感度電子線カメラ331のかわりに、高感度イオンカメラを用いる。
By setting it as such a structure, a normal transmission electron microscope image can be obtained. For this reason, it is easy to compare with an image acquired with a normal transmission electron microscope. In the figure, reference numeral 331 denotes a high sensitivity electron beam camera.
In this embodiment, a configuration using an electron beam is shown, but observation can also be performed using ions. In particular, by using helium ions, observation with little deterioration of the sample holding film can be performed. In this case, a high sensitivity ion camera is used instead of the high sensitivity electron beam camera 331.

本実施例は、実施例17と類似である。ただし、前処理の最初に試料への蛍光マーカー付加処理を行った点、および、検出器に蛍光検出器325を付加した点が異なる(図37参照)。具体的には、蛍光マーカーを付加した抗体を、抗原抗体反応を用いることにより試料に付加する。   The present embodiment is similar to the seventeenth embodiment. However, the difference is that the fluorescence marker addition process is performed on the sample at the beginning of the pre-processing, and the fluorescence detector 325 is added to the detector (see FIG. 37). Specifically, an antibody to which a fluorescent marker is added is added to a sample by using an antigen-antibody reaction.

試料に集束電子線を照射した際に、上記蛍光マーカーはカソードルミネッセンスを起こす。これにより発生した光は、蛍光検出器325で検出される。本実施例では観察・検査の際に、最初、透過電子を検出して電子線320のフォーカス・スティグマなどの調整を行った上で、蛍光検出器325を用いて蛍光する場所を特定し、最後に再び透過電子検出器を用いて透過電子像を取得する。このような工程とすることにより、どの部位が蛍光しているかがわかるため、目的としているタンパク質やその複合体がある位置を特定できる。また、透過電子観察・検査を行うことにより、これらの部位の近傍を詳細に観察・検査できる。   When the sample is irradiated with a focused electron beam, the fluorescent marker causes cathodoluminescence. The light generated thereby is detected by the fluorescence detector 325. In this embodiment, at the time of observation / inspection, first, the transmitted electrons are detected and the focus / stigma of the electron beam 320 is adjusted, and then the fluorescence detector 325 is used to identify the location where fluorescence is emitted. A transmission electron image is acquired again using a transmission electron detector. Such a process makes it possible to identify which part is fluorescent, so that the position of the target protein or complex thereof can be specified. Further, by performing transmission electron observation / inspection, the vicinity of these parts can be observed / inspected in detail.

本実施例は、実施例23と類似である。ただし、前処理の最初に試料への金属のマーカー付加処理を行った点が異なる。具体的には、金マーカーを付加した抗体を、抗原抗体反応を用いることにより試料に付加する。このとき、直径10nm〜50nmの金粒子をマーカーとして用いた。   This example is similar to Example 23. However, the difference is that the metal marker is added to the sample at the beginning of the pretreatment. Specifically, an antibody to which a gold marker is added is added to a sample by using an antigen-antibody reaction. At this time, gold particles having a diameter of 10 nm to 50 nm were used as markers.

試料に集束電子線を照射した際に、上記金属マーカーは生体部分よりも原子量が大きいために、透過電子像として明瞭に観察・検査することができる。マーカーを用いることにより、目的としているタンパク質やその複合体がある位置を特定できる。また、透過電子観察・検査を行うことにより、これらの部位の近傍を詳細に観察・検査できる。   When the sample is irradiated with a focused electron beam, the metal marker has an atomic weight larger than that of the living body portion, and therefore can be clearly observed and inspected as a transmission electron image. By using the marker, it is possible to identify the position where the target protein or its complex is located. Further, by performing transmission electron observation / inspection, the vicinity of these parts can be observed / inspected in detail.

本実施例の試料保持体は、試料と薬品をセル内で混合できるように、同一の流路408cに連通する複数の入口408aが設けられ、それぞれの流路408c内で試料と薬液とが混合できるように構成されている点が異なる(図38参照)。   The sample holder of this embodiment is provided with a plurality of inlets 408a communicating with the same channel 408c so that the sample and the chemical can be mixed in the cell, and the sample and the chemical solution are mixed in each channel 408c. The difference is that it is configured to be possible (see FIG. 38).

このような構成とすることにより、セル上で試料と薬品の混合を行うことができる。   By setting it as such a structure, a sample and a chemical | medical agent can be mixed on a cell.

この混合により生じた物質を、流路430を通して試料保持空間455に導入する。試料保持空間455の周囲の構造は、実施例5あるいは実施例17のようになっている。セルを走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、走査型透過電子顕微鏡の試料室に設置する。セルの試料保持空間に存在する該物質に電子線を照射させ、これにより発生する二次的信号、もしくは透過電子を検出して試料の情報を取得することができる。   A substance generated by this mixing is introduced into the sample holding space 455 through the flow path 430. The structure around the sample holding space 455 is as in the fifth embodiment or the seventeenth embodiment. The cell is placed in a sample chamber of a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, or a scanning transmission electron microscope. Information on the sample can be obtained by irradiating the substance existing in the sample holding space of the cell with an electron beam and detecting a secondary signal or transmission electron generated thereby.

本実施例では、試料と一つの薬品を混合する構成としたが、試料と複数の薬品を混合できる構成も可能である。また、流路にディレイ等を配置することにより、薬液の混合タイミングを制御できる。   In the present embodiment, the sample and one chemical are mixed, but a configuration in which the sample and a plurality of chemicals can be mixed is also possible. In addition, by arranging a delay or the like in the flow path, the mixing timing of the chemical solution can be controlled.

本実施例は、実施例25と類似である。ただし、薬液と試料の混合過程を観察・検査できるように、薬液と試料が混合される位置の近傍を直接観察・検査できるようにした点が異なる(図39参照)。また、全体をシリコン系の材料で構成している。このような構造とすることにより、薬液と試料が反応する過程を高分解能で計測できる。   This example is similar to Example 25. However, the difference is that the vicinity of the position where the chemical solution and the sample are mixed can be directly observed and inspected so that the mixing process of the chemical solution and the sample can be observed (see FIG. 39). Further, the whole is made of a silicon-based material. By adopting such a structure, it is possible to measure with high resolution the process in which the chemical solution and the sample react.

このように、本発明における試料保持体は、枠状部材102a,150aの開口102b,150bが膜101,150cにより覆われており、該膜の第1の面に試料315を保持するための試料保持体であって、該膜の厚みDと、該膜において該枠状部材の開口を覆っている部分の周囲長Lとの関係が、L/D<200000であることを特徴としている。   Thus, in the sample holder in the present invention, the openings 102b and 150b of the frame-like members 102a and 150a are covered with the films 101 and 150c, and the sample for holding the sample 315 on the first surface of the films. A relationship between the thickness D of the film and the peripheral length L of the film covering the opening of the frame-like member is L / D <200000.

また、本発明における試料保持体は、枠状部材102a,150の開口102b,150bに格子111が形成され、少なくとも該格子の開口部111bが膜101,150cにより覆われており、該膜の第1の面に試料315を保持するための試料保持体であって、該膜の厚みDと、該膜において該格子の開口部を覆っている部分の周囲長Lとの関係が、L/D<200000であることを特徴としている。   In the sample holder of the present invention, the lattice 111 is formed in the openings 102b and 150b of the frame members 102a and 150, and at least the openings 111b of the lattice are covered with the films 101 and 150c. 1 is a sample holder for holding a sample 315 on one surface, and the relationship between the thickness D of the film and the peripheral length L of the part of the film covering the opening of the lattice is L / D <200000.

この場合、前記膜の厚みを、1nm以上100nm未満とすることができる。さらに、前記膜の厚みを、1nm以上10nm未満とすることができる。また、前記膜を、窒化シリコンで形成することができる。   In this case, the thickness of the film can be 1 nm or more and less than 100 nm. Furthermore, the thickness of the film can be 1 nm or more and less than 10 nm. Further, the film can be formed of silicon nitride.

さらに、上記試料保持体において、前記膜の第1の面を、探針を備えるマニピュレータ(図示せず)により外部からアクセス可能に開放することができる。   Further, in the sample holder, the first surface of the film can be opened so as to be accessible from the outside by a manipulator (not shown) having a probe.

そして、上記試料保持体を構成部材として2つ配置して互いに対向させ、その間に試料を保持することができる。   And two said sample holding bodies can be arrange | positioned as a structural member, it can mutually oppose, and a sample can be hold | maintained between them.

また、上記試料保持体と、該試料保持体に対向して配置されたベースとを用意し、該試料保持体と該ベースとの間に試料保持空間を形成して、該試料保持空間に試料を供給する為の流路を設け、該流路を介して外部から試料を該試料保持空間に供給することが可能である。   Further, a sample holding body and a base arranged to face the sample holding body are prepared, a sample holding space is formed between the sample holding body and the base, and a sample is placed in the sample holding space. It is possible to provide a flow path for supplying the sample and supply the sample from the outside to the sample holding space through the flow path.

この場合、前記流路及び前記試料保持空間のうちの少なくとも一方に、試料中の構成物を分別するフィルター構造を備えることができる。   In this case, at least one of the flow path and the sample holding space may be provided with a filter structure that separates components in the sample.

また、上記試料保持体を2つ配置して互いに対向させ、その間に試料保持空間を形成し、該試料保持空間に試料を供給する為の流路を設け、該流路を介して外部から試料を該試料保持空間に供給することが可能である。   Further, two sample holders are arranged to face each other, a sample holding space is formed between them, a flow path for supplying a sample to the sample holding space is provided, and a sample is externally supplied through the flow path. Can be supplied to the sample holding space.

この場合にも、前記流路及び前記試料保持空間のうちの少なくとも一方に、試料中の構成物を分別するフィルター構造を備えることができる。   Also in this case, at least one of the flow path and the sample holding space can be provided with a filter structure that separates components in the sample.

前記フィルター構造は、試料中の構成物の大きさを分別する機能を備えることができる。さらに、前記フィルター構造は、段差部、傾斜部、幅の長さが特定された部分、柱部、試料中の特定構成物を吸着するための吸着機能を有する部分のうちの少なくとも一つを具備することができる。   The filter structure may have a function of separating the size of the constituent in the sample. Further, the filter structure includes at least one of a stepped portion, an inclined portion, a width-specified portion, a column portion, and a portion having an adsorption function for adsorbing a specific component in a sample. can do.

そして、前記試料保持空間に、試料の少なくとも一部分を引き出すための引出路を接続することができる。   A drawing path for drawing out at least a part of the sample can be connected to the sample holding space.

また、互いに対向配置されている前記膜の間隔、若しくは前記膜と前記ベースとの間隔を、0.01μm以上1μm以下とすることができる。   In addition, the distance between the films opposed to each other or the distance between the film and the base can be set to 0.01 μm or more and 1 μm or less.

本発明における観察・検査方法は、上記何れかの試料保持体における前記膜の第1の面に保持された試料に、該膜の第2の面を介して一次線を照射し、これにより試料の観察又は検査を行うことを特徴としている。   In the observation / inspection method according to the present invention, the sample held on the first surface of the film in any one of the sample holders is irradiated with the primary line through the second surface of the film, whereby the sample It is characterized by performing observation or inspection.

この場合、前記膜の第2の面に接する雰囲気を減圧した状態で、前記一次線を照射することができる。   In this case, the primary line can be irradiated in a state where the atmosphere in contact with the second surface of the film is reduced in pressure.

さらに、前記膜の第1の面を開放し、前記試料保持体の外部から試料に対して、探針を備えるマニピュレータ(図示せず)によりアクセス可能とすることができる。   Furthermore, the first surface of the membrane can be opened, and the sample can be accessed from the outside of the sample holder by a manipulator (not shown) having a probe.

また、試料保持体の外側を減圧した状態で、該試料保持体に保持されている試料に一次線を照射し、これにより試料の観察又は検査を行うことができる。   Further, in a state where the outside of the sample holder is decompressed, the sample held on the sample holder is irradiated with a primary line, whereby the sample can be observed or inspected.

本発明における観察・検査装置は、上記何れかの試料保持体を支持するための支持手段と、該試料保持体の前記膜を介して試料に一次線を照射する一次線照射手段と、該一次線の照射に応じて該試料から発生する二次的信号を検出する信号検出手段とを有することを特徴としている。   The observation / inspection apparatus according to the present invention includes a supporting means for supporting any of the sample holders, a primary line irradiating means for irradiating a sample with a primary line through the film of the sample holder, and the primary And a signal detecting means for detecting a secondary signal generated from the sample in response to the irradiation of the line.

また、本発明における観察・検査装置は、上記何れかの試料保持体を支持するための支持手段と、該試料保持体の前記膜の第2の面に接する雰囲気を減圧する真空室と、該真空室に接続され、該膜の第1の面に保持された試料に該膜を介して一次線を照射する一次線照射手段と、該一次線の照射に応じて該試料から発生する二次的信号を検出する信号検出手段とを有することを特徴としている。   An observation / inspection apparatus according to the present invention includes a supporting means for supporting any of the sample holders, a vacuum chamber for reducing an atmosphere in contact with the second surface of the film of the sample holder, A primary line irradiation means for irradiating the sample held on the first surface of the film with a primary line through the film, and a secondary generated from the sample in response to the irradiation of the primary line; And a signal detection means for detecting a target signal.

ここで、前記一次線を電子線もしくはイオン線とし、前記二次的信号を、二次電子、反射電子又は蛍光のうちの少なくとも一つとすることができる。   Here, the primary line may be an electron beam or an ion beam, and the secondary signal may be at least one of secondary electrons, reflected electrons, or fluorescence.

また、本発明の観察・検査装置では、支持手段に支持された試料保持体の前記膜を介して試料に一次線を照射する一次線照射手段を備えるとともに、前記一次線の照射により前記試料から発生する二次的信号又は該試料を透過した透過信号を検出して試料の情報を得ることもできる。   The observation / inspection apparatus according to the present invention further includes primary line irradiation means for irradiating the sample with a primary line through the film of the sample holder supported by the support means, and is irradiated from the sample by the irradiation of the primary line. Information on the sample can also be obtained by detecting a secondary signal generated or a transmission signal transmitted through the sample.

そして、支持手段に支持された試料保持体の前記膜の試料に対面していない側に接する雰囲気を減圧する真空室と、該真空室に接続され該膜を介して試料に一次線を照射する一次線照射手段とを備えるとともに、該照射により該試料から発生する二次的信号又は該試料を透過した透過信号を検出して試料の情報を得ることもできる。   Then, a vacuum chamber for depressurizing an atmosphere in contact with the side of the film that is not facing the sample of the sample holder supported by the support means, and the sample is irradiated with the primary line through the film connected to the vacuum chamber In addition to the primary beam irradiation means, it is also possible to obtain information on the sample by detecting a secondary signal generated from the sample by the irradiation or a transmission signal transmitted through the sample.

ここで、前記一次線を電子線、もしくはイオン線とし、前記二次的信号を、二次電子、反射電子、もしくは蛍光とすることができる。   Here, the primary line can be an electron beam or an ion beam, and the secondary signal can be a secondary electron, a reflected electron, or fluorescence.

101・・・試料保持膜
102・・・試料保持体
102a・・・枠状部材
102b・・・開口
103、104・・・Oリング
105、106・・・ケース
107、108・・・空間
110・・・周囲
111・・・格子
111b・・・開口部
112・・・周囲
130・・・シャーレ
150・・・試料保持体(単純)
150a・・・枠状部材
150b・・・開口
150c・・・試料保持膜
151・・・試料保持体(流路付,格子付も含む)
152・・・試料保持体(複数流路)
153・・・試料保持体(引出路付)
154・・・試料保持体(引出路付,樹脂)
155・・・試料保持体(フィルター)
156・・・試料保持体(ダブルフィルター)
157・・・試料保持体(寸法標準付)
160・・・試料保持体(TEM用樹脂)
161・・・試料保持体(TEM用樹脂 引出路)
162・・・試料保持体(TEM用Si系 引出路)
180・・・長さの標準パターン
201・・・シリコン基板
202・・・SOI(シリコンオンインシュレーター)ウェハ
203、204・・・シリコン
211、212・・・窒化シリコン膜
221、222、223・・・レジストパターン
231、232・・・酸化シリコン膜
301・・・電子源
302・・・コンデンサーレンズ
303・・・対物レンズ
304・・・走査ユニット
305・・・電子線鏡筒
306・・・反射電子検出器
307・・・2次電子検出器
308・・・真空チャンバー
309・・・試料移動機構
310、311・・・Oリング
313・・・ステージ
315・・・試料
320・・・電子線
325・・・蛍光検出器
330・・・結像レンズ
331・・・高感度電子線カメラ
401・・・保持体ベース
402・・・保持体キャップ
403・・・保持体ベース(PDMS製)
408a・・・入口
408b・・・出口
408c・・・流路
408d・・・試料保持空間
408e・・・引出口
408f・・・引出路(流路)
411・・・膜
413a・・・開口
414・・・試料
415・・・突起物(円柱)
422、422a、422b・・・パイプ
430、431・・・分岐路(流路)
455・・・観察部
462a,462b,462c,462d・・・フィルター
463a,463b,463c,463d・・・フィルター
491、492・・・樹脂
493,494・・・接着剤
495,496・・・膜
497・・・接着剤
498、499・・・メタルマスク
500・・・イオンビーム
501・・・流路のキャップになる部分
502・・・接着剤
503・・・上部電子線検出器
504・・・軸上電子線検出器
506・・・軸外電子線検出器
507・・・ステージ
101 ... Sample holding film 102 ... Sample holder 102a ... Frame member 102b ... Opening 103, 104 ... O-ring 105, 106 ... Case 107, 108 ... Space 110 .... Periphery 111 ... Grid 111b ... Opening 112 ... Perimeter 130 ... Petri dish 150 ... Sample holder (simple)
150a ... frame-like member 150b ... opening 150c ... sample holding film 151 ... sample holding body (including flow path and grid)
152 ... Sample holder (multiple channels)
153 ... Sample holder (with drawer path)
154 ... Sample holder (with drawer path, resin)
155 ... Sample holder (filter)
156 ... Sample holder (double filter)
157 ... Sample holder (with standard dimensions)
160: Sample holder (resin for TEM)
161: Sample holder (resin extraction path for TEM)
162 ... Sample holder (Si-based extraction path for TEM)
180 ... standard pattern 201 of length ... silicon substrate 202 ... SOI (silicon on insulator) wafers 203, 204 ... silicon 211, 212 ... silicon nitride films 221, 222, 223 ... Resist patterns 231, 232 ... Silicon oxide film 301 ... Electron source 302 ... Condenser lens 303 ... Objective lens 304 ... Scanning unit 305 ... Electron beam column 306 ... Reflected electron detection 307 ... Secondary electron detector 308 ... Vacuum chamber 309 ... Sample moving mechanism 310, 311 ... O-ring 313 ... Stage 315 ... Sample 320 ... Electron beam 325 ... Fluorescence detector 330 ... imaging lens 331 ... high sensitivity electron beam camera 401 ... holding body base 402 ... holding body Cap 403 ... holder base (made by PDMS)
408a, inlet 408b, outlet 408c, flow path 408d, sample holding space 408e, outlet 408f, extraction path (flow path)
411 ... membrane 413a ... opening 414 ... sample 415 ... projection (cylinder)
422, 422a, 422b ... pipes 430, 431 ... branch passages (flow paths)
455 ... Observation portions 462a, 462b, 462c, 462d ... Filters 463a, 463b, 463c, 463d ... Filters 491, 492 ... Resins 493, 494 ... Adhesives 495, 496 ... Membranes 497 ... Adhesives 498, 499 ... Metal mask 500 ... Ion beam 501 ... Part 502 that becomes a cap of the flow path ... Adhesive 503 ... Upper electron beam detector 504 ... On-axis electron beam detector 506 ... Off-axis electron beam detector 507 ... Stage

Claims (13)

開口が形成された本体部と、該開口を覆う試料保持膜とを備える試料保持体であって、支持手段への接触により支持された状態で、該試料保持体の試料保持膜における開放された第1の面に保持された試料に、該試料保持膜において真空雰囲気に接する第2の面側から、該試料保持膜を介して、試料観察又は検査のための一次線が照射可能であることを特徴とする試料保持体。 A sample holder comprising a main body having an opening and a sample holding film covering the opening, wherein the sample holding body is opened in the sample holding film while being supported by contact with a support means. The sample held on the first surface can be irradiated with a primary line for sample observation or inspection through the sample holding film from the second surface side in contact with the vacuum atmosphere in the sample holding film. A sample holder. 前記本体部はシリコン基板であり、前記試料保持膜は窒化シリコンであることを特徴とする請求項1記載の試料保持体。 The sample holder according to claim 1, wherein the main body is a silicon substrate, and the sample holding film is silicon nitride. 前記試料保持膜の厚みが1nm以上100nm未満であることを特徴とする請求項1又は2記載の試料保持体。 The sample holder according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the sample holding film is 1 nm or more and less than 100 nm. 前記本体部の周囲にシャーレが配置されることを特徴とする請求項1乃至3何れか記載の試料保持体。 4. A sample holder according to claim 1, wherein a petri dish is disposed around the main body. 前記支持手段は、Oリングであることを特徴とする請求項1乃至4何れか記載の試料保持体。 The sample holder according to any one of claims 1 to 4, wherein the supporting means is an O-ring. 前記一次線は、電子線若しくはイオン線であることを特徴とする請求項1乃至5何れか記載の試料保持体。 The sample holder according to claim 1, wherein the primary line is an electron beam or an ion beam. 請求項1乃至6何れか記載の試料保持体を用いて試料の観察又は検査を行う試料検査装置であって、前記試料保持体が載置される載置手段と、前記試料保持体の試料保持膜における第1の面に保持された試料に、該試料保持膜を介して一次線を照射する一次線照射手段と、該一次線の照射により試料から発生する二次的信号を検出する信号検出手段とを備える試料検査装置。 A sample inspection apparatus for observing or inspecting a sample using the sample holder according to any one of claims 1 to 6, wherein a mounting means for mounting the sample holder and a sample holding of the sample holder A primary line irradiating means for irradiating the sample held on the first surface of the film with a primary line through the sample holding film, and a signal detection for detecting a secondary signal generated from the sample by the irradiation of the primary line And a sample inspection apparatus. 前記試料保持膜における第2の面に接する雰囲気を真空雰囲気とするための真空室を備えることを特徴とする請求項7記載の試料検査装置。 8. The sample inspection apparatus according to claim 7, further comprising a vacuum chamber for making an atmosphere in contact with the second surface of the sample holding film into a vacuum atmosphere. 前記一次線は、電子線若しくはイオン線であり、前記二次的信号は、二次電子、反射電子又は蛍光のうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項7又は8記載の試料検査装置。 The sample inspection according to claim 7 or 8, wherein the primary line is an electron beam or an ion beam, and the secondary signal is at least one of secondary electrons, reflected electrons, and fluorescence. apparatus. 前記試料保持膜において試料が保持される第1の面が該膜の上面となっており、第2の面が該膜の下面となっていることを特徴とする請求項7乃至9何れか記載の試料検査装置。 The first surface on which the sample is held in the sample holding film is an upper surface of the film, and the second surface is a lower surface of the film. Sample inspection equipment. 請求項1乃至6何れか記載の試料保持体の試料保持膜における第1の面に試料を配置し、該試料に該試料保持膜を介して一次線を照射し、この一次線の照射により試料から発生する二次的信号を検出することを特徴とする試料検査方法。 A sample is arranged on the first surface of the sample holding film of the sample holder according to any one of claims 1 to 6, and the sample is irradiated with a primary line through the sample holding film, and the sample is irradiated by the irradiation of the primary line. A sample inspection method characterized by detecting a secondary signal generated from the sample. 前記一次線の照射時には、前記試料保持体の試料保持面における第2の面が真空雰囲気に接しており、該真空雰囲気を通して該一次線が照射されることを特徴とする請求項11記載の試料検査方法。 The sample according to claim 11, wherein when the primary line is irradiated, the second surface of the sample holding surface of the sample holder is in contact with a vacuum atmosphere, and the primary line is irradiated through the vacuum atmosphere. Inspection method. 前記一次線は、電子線若しくはイオン線であり、前記二次的信号は、二次電子、反射電子又は蛍光のうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項11又は12記載の試料検査方法。 The sample inspection according to claim 11 or 12, wherein the primary line is an electron beam or an ion beam, and the secondary signal is at least one of secondary electrons, reflected electrons, and fluorescence. Method.
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