JP2012216860A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、互いに隣接して平行に線状に延びる第1および第2トランスファーゲート2と、これらの間の間隙に配列され、それぞれ上方に延びる棒状の導電体からなる第1および第2ストレージノードコンタクト9と、第1の電極と第2の電極とが絶縁膜を介して対向配置されてなる第1キャパシタ14と、第3の電極と第4の電極とが絶縁膜を介して対向配置されてなる第2キャパシタ14とを備え、平面視において、第1の電極の第1トランスファーゲート側の一部のみに第1ストレージノードコンタクト9の上面が接続され、第3の電極の第2トランスファーゲート側の一部のみに第2ストレージノードコンタクト9の上面が接続されている。
【選択図】図2
Description
(構成)
図1、図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1における半導体装置について説明する。図1は、この半導体装置のメモリセル部の平面図である。ただし、各部の位置関係を説明するために本来各部の隙間を埋めている層間絶縁膜がすべて透明であると仮定したときに見える状態を示している。図1においてキャパシタ14の中心線上で切断した場合の断面図、すなわち、II−II線に関する矢視断面図を図2に示す。半導体基板1、トランスファーゲート2、層間絶縁膜3,5,8、下層コンタクト4b、ストレージノードコンタクト9の構成は、図13を参照して従来の半導体装置として説明したものの該当部分と同様である。図1においてビットライン6の中心線上で切断した場合の断面図は、図12に示したものと同様であるので、説明を繰り返さない。
キャパシタ14を単純な方陣状ではなく、上述のような1列ずつずらした配列としたことによって、楕円形を拡大しようとした場合、楕円形の長軸と短軸とを同時に延ばしていったとしても、短軸の延びる先は、隣接するキャパシタ列においては、ちょうどキャパシタとキャパシタとの隙間に相当する。したがって、短軸を延ばすことができ、大きな楕円形を確保することができる。この場合、斜め方向に隣接するキャパシタとの間の距離、すなわち図3におけるLの距離さえ、キャパシタ同士の間に必要な層間絶縁膜の最低値を下回らないようにしておけばよいので、この配列によれば、従来よりも大きな断面形状のキャパシタとすることができる。そして、従来に比べて、デッドスペースをより小さくすることができる。
(構成)
本発明に基づく実施の形態2における半導体装置について説明する。実施の形態1の半導体装置では、キャパシタ14は、凹型キャパシタであった。これに対して、本実施の形態における半導体装置では、キャパシタ14aが凸型キャパシタとなっている。平面図は、図1と同様である。図2に相当する断面で切った断面図を図4に示す。キャパシタ14aは、水平面で切断したときの断面形状は、略楕円形であり、中実の略楕円柱の形状をしている。内部は、導電体で満たされており、ストレージノード11aとなっている。外表面は、ストレージノード11aに対して、絶縁膜(図示省略)を介してセルプレート筒形部12aが覆っている。ストレージノード11aとセルプレート筒形部12aがこのように絶縁膜を介して対向することによってコンデンサを構成している。セルプレート筒形部12aは、セルプレート上面部13に接続されている。ストレージノード11aとストレージノードコンタクト9との間は、電気的に接続されている。セルプレート筒形部12aとストレージノードコンタクト9との間は、絶縁されている。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様の効果が得られる。
(製造方法)
本発明に基づく実施の形態3における半導体装置の製造方法について説明する。この半導体装置の製造方法は、実施の形態1で説明した半導体装置を製造するための方法である。まず、公知技術によって、図5に示す構造を形成する。この上面に層間絶縁膜10を積層し、図6に示す構造を得る。図7に示すように、この上面の全面にレジスト16を塗布し、製版マスクパターンを用いて、写真製版を行なう。このとき、製版マスクパターンは、図3に示したような楕円形状の配列されたパターンを用いる。ただし、製版マスクパターンとして個々のキャパシタに相当する楕円形状を作成するのが難しい場合は、楕円形状に代えて図8に示すような十字型形状であってもよい。十字型形状を設定する場合は、図8に示す、p,q,r,sの各パラメータを適宜シミュレーションなどによって最適化して設定する。このような製版マスクパターンを用いて製版を行ない、レジスト16からレジストパターン18を形成する。この状態を図9に示す。レジストパターン18をマスクとして、層間絶縁膜10のエッチングを行ない、図10に示す状態に至る。この後、レジストパターン18を除去し、さらに、層間絶縁膜10の凹部の内面に、ストレージノード11、絶縁膜およびセルプレート筒形部12を順に積層することでキャパシタ14が完成し、図2に示した半導体装置を得ることができる。
上述のように、従来の半導体装置を製造する場合に比べて、製版マスクパターンを代えるだけで、本発明に基づく実施の形態1で説明した半導体装置を製造することができる。また、個々のキャパシタの断面形状は、略楕円形状になることを目指しているが、製版マスクパターンに設ける形状としては必ずしも楕円形状とできなくても、十字型形状であっても、実際には、写真製版時の露光のぼやけによって略楕円形状のレジストパターンを形成することができる。したがって、曲線図形の製版マスクパターンを作成できない場合であっても、直線のみで製版マスクパターンを構成することができる。
Claims (5)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記主表面上に形成され、互いに隣接して平行に線状に延びる第1トランスファーゲートおよび第2トランスファーゲートと、
前記第1トランスファーゲートと前記第2トランスファーゲートとの間の間隙に、前記主表面に電気的に接続して配列され、それぞれ上方に延びる棒状の導電体からなる第1ストレージノードコンタクトおよび第2ストレージノードコンタクトと、
前記第1ストレージノードコンタクトの上面に接続される第1の電極と前記第1の電極に対して絶縁膜を介して対向して配置される第2の電極とからなる第1キャパシタと、
前記第2ストレージノードコンタクトの上面に接続される第3の電極と前記第3の電極に対して絶縁膜を介して対向して配置される第4の電極とからなる第2キャパシタとを備え、
平面視において、前記第1の電極の前記第1トランスファーゲート側の一部のみに前記第1ストレージノードコンタクトの上面が接続され、前記第3の電極の第2トランスファーゲート側の一部のみに前記第2ストレージノードコンタクトの上面が接続されている、半導体装置。 - 平面視において、前記第1トランスファーゲートの延在方向に、前記第1ストレージノードコンタクトと、前記第1ストレージノードコンタクトに隣接する前記第2ストレージノードコンタクトとが配置されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のトランスファーゲートと前記第2のトランスファーゲートとの間の間隙に、前記主表面に電気的に接続し、上方に延びる棒状の導電体からなる第3ストレージノードコンタクトをさらに有し、
平面視において、前記第1トランスファーゲートの延在方向に、前記第1ストレージノードコンタクト、前記第2ストレージノードコンタクト、第3ストレージノードコンタクトが並んで配置される、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第3ストレージノードコンタクトの上面に接続される第5の電極と前記第5の電極に対して絶縁膜を介して対向して配置される第6の電極とからなる第3キャパシタをさらに備え、
平面視において、前記第5の電極の第1トランスファーゲート側の一部のみに前記第3ストレージノードコンタクトの上面が接続されている、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1ストレージノードコンタクトおよび前記第2ストレージノードコンタクトの下面にそれぞれ接続され、前記第1トランスファーゲートと前記第2トランスファーゲートとの間の間隙に、前記主表面に電気的に接続するように導電体でそれぞれ形成された第1下層コンタクトおよび第2下層コンタクトを、さらに備える請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
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Family Applications (1)
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2012
- 2012-06-19 JP JP2012137955A patent/JP2012216860A/ja active Pending
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