JP2012216739A - 固体撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子及び撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012216739A JP2012216739A JP2011105332A JP2011105332A JP2012216739A JP 2012216739 A JP2012216739 A JP 2012216739A JP 2011105332 A JP2011105332 A JP 2011105332A JP 2011105332 A JP2011105332 A JP 2011105332A JP 2012216739 A JP2012216739 A JP 2012216739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- potential
- charge storage
- imaging device
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 130
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 94
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 29
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/673—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction by using reference sources
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】固体撮像素子100は、基板10上方の光電変換部Pと、光電変換部Pで発生した電荷に応じた信号を読みだす回路Sとを含む画素101を複数有する。回路Sは、基板10内に形成され画素電極21に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部10と、電荷蓄積部10の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ32とを含む。電荷蓄積部10は、画素電極21と電気的に接続される電荷蓄積領域11と、領域11の隣に離間して形成される電荷蓄積領域13と、領域11と領域13とを、断面ポテンシャルにおいて、所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する領域12とにより構成され、出力トランジスタ32は領域13の電位に応じた信号を出力する。
【選択図】図3
Description
101 画素
10 電荷蓄積部
11 第一の電荷蓄積領域
12 分離/接続領域
13 第二の電荷蓄積領域
21 画素電極
22 光電変換層
23 対向電極
30 半導体基板
31 リセットトランジスタ
32 出力トランジスタ
Claims (12)
- 半導体基板上方に形成された光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷に応じた信号を読みだす前記半導体基板に形成されたMOS型の信号読出し回路とを含む画素がアレイ状に配置された固体撮像素子であって、
前記光電変換部は、前記半導体基板上方に形成され前記画素毎に分割される画素電極と、前記画素電極上方に形成される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成される光電変換層とを含み、
前記光電変換層で発生した電荷のうちの正孔が前記画素電極に移動するよう、前記信号読出し回路の電源電圧よりも高いバイアス電圧が前記対向電極には印加され、
前記信号読出し回路は、前記半導体基板内に形成され前記画素電極に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタと、前記電荷蓄積部の電位を所定のリセット電位にリセットするためのリセットトランジスタとを含み、
前記電荷蓄積部は、前記画素電極と電気的に接続されるn型不純物領域からなる第一の電荷蓄積領域と、前記第一の電荷蓄積領域の隣に離間して形成されるn型不純物領域からなる第二の電荷蓄積領域と、前記第一の電荷蓄積領域と前記第二の電荷蓄積領域とを、断面ポテンシャルにおいて所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する分離/接続領域とにより構成され、前記画素電極に移動する正孔の量が所定量までは前記第一の電荷蓄積領域、前記第二の電荷蓄積領域、及び前記分離/接続領域の各々に前記画素電極から移動する正孔を蓄積し、前記画素電極に移動する正孔の量が前記所定量を越えてからは前記第一の電荷蓄積領域のみに前記画素電極から移動する正孔を蓄積するものであり、
前記出力トランジスタは、前記第二の電荷蓄積領域の電位に応じた信号を出力するものである固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子であって、
前記所定の電位は前記リセット電位よりも高い固体撮像素子。 - 半導体基板上方に形成された光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷に応じた信号を読みだす前記半導体基板に形成されたMOS型の信号読出し回路とを含む画素がアレイ状に配置された固体撮像素子であって、
前記光電変換部は、前記半導体基板上方に形成され前記画素毎に分割される画素電極と、前記画素電極上方に形成される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成される光電変換層とを含み、
前記光電変換層で発生した電荷のうちの電子が前記画素電極に移動するよう、前記信号読出し回路の基準電圧よりも低いバイアス電圧が前記対向電極には印加され、
前記信号読出し回路は、前記半導体基板内に形成され前記画素電極に移動した電子が蓄積される電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタと、前記電荷蓄積部の電位を所定のリセット電位にリセットするためのリセットトランジスタとを含み、
前記電荷蓄積部は、前記画素電極と電気的に接続されるp型不純物領域からなる第一の電荷蓄積領域と、前記第一の電荷蓄積領域の隣に離間して形成されるp型不純物領域からなる第二の電荷蓄積領域と、前記第一の電荷蓄積領域と前記第二の電荷蓄積領域とを、断面ポテンシャルにおいて所定の電位よりも低い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以上の電位においては電気的に接続する分離/接続領域とにより構成され、前記画素電極に移動する電子の量が所定量までは前記第一の電荷蓄積領域、前記第二の電荷蓄積領域、及び前記分離/接続領域の各々に前記画素電極から移動する電子を蓄積し、前記画素電極に移動する電子の量が前記所定量を越えてからは前記第一の電荷蓄積領域のみに前記画素電極から移動する電子を蓄積するものであり、
前記出力トランジスタは、前記第二の電荷蓄積領域の電位に応じた信号を出力するものである固体撮像素子。 - 請求項3記載の固体撮像素子であって、
前記所定の電位は前記リセット電位よりも低い固体撮像素子。 - 請求項1又は2記載の固体撮像素子であって、
前記分離/接続領域は、前記第一の電荷蓄積領域と前記第二の電荷蓄積領域の間の前記半導体基板上方に形成された、固定電圧が印加されるゲート電極によって形成される固体撮像素子。 - 請求項3又は4記載の固体撮像素子であって、
前記分離/接続領域は、前記第一の電荷蓄積領域と前記第二の電荷蓄積領域の間の前記半導体基板上方に形成された、固定電圧が印加されるゲート電極によって形成される固体撮像素子。 - 請求項5記載の固体撮像素子であって、
前記固定電圧は、前記電源電圧である固体撮像素子。 - 請求項6記載の固体撮像素子であって、
前記固定電圧は、前記基準電圧である固体撮像素子。 - 請求項1〜8のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記分離/接続領域は、前記半導体基板内の前記第一の電荷蓄積領域と前記第二の電荷蓄積領域との間に形成された不純物領域により構成される固体撮像素子。 - 請求項9記載の固体撮像素子であって、
前記不純物領域は、前記第一の電荷蓄積領域及び前記第二の電荷蓄積領域の各々と同一導電型であり、
前記不純物領域の不純物濃度は、前記第一の電荷蓄積領域及び前記第二の電荷蓄積領域の各々よりも低い固体撮像素子。 - 請求項10記載の固体撮像素子であって、
前記不純物領域の表面に、前記不純物領域と逆導電型の別の不純物領域を備える固体撮像素子。 - 請求項1〜11のいずれか1項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011105332A JP5557795B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-05-10 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
KR1020137025686A KR101613343B1 (ko) | 2011-03-28 | 2011-11-17 | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 |
PCT/JP2011/076557 WO2012132098A1 (ja) | 2011-03-28 | 2011-11-17 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
US14/034,438 US8953078B2 (en) | 2011-03-28 | 2013-09-23 | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011070944 | 2011-03-28 | ||
JP2011070944 | 2011-03-28 | ||
JP2011105332A JP5557795B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-05-10 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012216739A true JP2012216739A (ja) | 2012-11-08 |
JP5557795B2 JP5557795B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=46929897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011105332A Active JP5557795B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-05-10 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8953078B2 (ja) |
JP (1) | JP5557795B2 (ja) |
KR (1) | KR101613343B1 (ja) |
WO (1) | WO2012132098A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9246012B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-01-26 | Joled Inc. | Display unit and electronic apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10140827B2 (en) | 2014-07-07 | 2018-11-27 | Google Llc | Method and system for processing motion event notifications |
US9420331B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-08-16 | Google Inc. | Method and system for categorizing detected motion events |
JP6494207B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、光電変換装置の駆動方法 |
JP2019506815A (ja) * | 2016-03-11 | 2019-03-07 | インヴィサージ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 電子シャッタ付き画像センサ |
WO2019107083A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268477A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
JP2007081137A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
JP2009147067A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2010016593A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
JP2010233096A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5677103B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像装置 |
-
2011
- 2011-05-10 JP JP2011105332A patent/JP5557795B2/ja active Active
- 2011-11-17 KR KR1020137025686A patent/KR101613343B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-17 WO PCT/JP2011/076557 patent/WO2012132098A1/ja active Application Filing
-
2013
- 2013-09-23 US US14/034,438 patent/US8953078B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268477A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
JP2007081137A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
JP2009147067A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2010016593A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
JP2010233096A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9246012B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-01-26 | Joled Inc. | Display unit and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140022432A1 (en) | 2014-01-23 |
US8953078B2 (en) | 2015-02-10 |
WO2012132098A1 (ja) | 2012-10-04 |
KR20140020946A (ko) | 2014-02-19 |
JP5557795B2 (ja) | 2014-07-23 |
KR101613343B1 (ko) | 2016-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11570388B2 (en) | Solid-state imaging device and driving method thereof, and electronic apparatus | |
US10651213B2 (en) | Solid-state image pickup device and method of driving the same | |
JP6024103B2 (ja) | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、撮像素子の製造方法、および電子機器 | |
US8692303B2 (en) | Solid-state imaging device, electronic device, and manufacturing method for solid-state imaging device | |
US20190019820A1 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
US9571772B2 (en) | Solid-state imaging device, driving method and electronic apparatus with electric charge transfer using an intermediate potential | |
WO2012004923A1 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 | |
JP2015188049A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
US11812170B2 (en) | Solid-state imaging element and electronic device | |
JP5557795B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP2011243704A (ja) | 固体撮像装置 | |
US8809922B2 (en) | Solid-state image sensing device and electronic apparatus | |
TWI709235B (zh) | 固體攝像元件、其製造方法及電子機器 | |
JP2012151369A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2016063142A (ja) | 半導体装置 | |
JP7511187B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2017028114A (ja) | 光検出器、光検出装置、固体撮像装置およびカメラシステム | |
KR20110078974A (ko) | 이미지 센서의 구동 방법 | |
WO2014007107A1 (ja) | 固体撮像装置、駆動方法、および電子機器 | |
JP2011222725A (ja) | 固体撮像素子およびカメラ | |
JP2006253177A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20121005 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5557795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |