JP2012214689A - 組成物 - Google Patents

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Akira Sakakibara
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Abstract

【課題】高輝度で発光する電界発光素子を与えることのできる組成物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される構造単位、及び式（２０）で表される構造単位等からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物と、式（２３）で表されるイオン性化合物とを含む組成物。


（Ｍ3）a5（Ｚ3）b1（２３）
【選択図】なし

Description

本発明は、組成物、及び、該組成物を用いる有機薄膜並びに電子デバイスに関する。
電界発光素子の特性を向上させるため、発光層と電極との間に様々な層を挿入する検討がなされている。例えば、発光層と電極との間に、カチオンとヘテロ原子２個とを有する置換基を含む非共役高分子化合物からなる層を有する電界発光素子が知られている（特許文献１）。
特表２００３−５３０６７６号公報
しかし、上記電界発光素子の輝度は未だ十分ではなかった。
本発明の目的は、高輝度で発光する電界発光素子を与えることのできる組成物を提供することにある。
本発明者らは、以下の組成物によって上記目的を達成できることを見出し、本発明に到達した。
本発明は、以下の〔１〕〜〔２０〕を提供する。
〔１〕式（１）で表される構造単位、式（３）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位、式（１６）で表される構造単位、式（１８）で表される構造単位、式（２０）で表される構造単位及び式（２２）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物と、
式（２３）で表されるイオン性化合物と
を含む組成物。

（式（１）中、Ｒ1は、式（２）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ1は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１）価の芳香族基である。ｎ１は、１以上の整数である。複数個のＲ1が存在する場合、各々のＲ1は互いに同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ2−｛（Ｑ1）n2−Ｙ1（Ｍ1）a1｝m1 （２）
（式（２）中、Ｒ2は、単結合、又は、（１＋ｍ１）価の有機基である。Ｑ1は、２価の有機基である。Ｙ1は、−ＣＯ2 -、−ＳＯ3 -、−ＳＯ2 -、−ＰＯ3 2-又は−Ｂ（Ｒα）3 -である。Ｍ1は、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。ｎ２は、０以上の整数である。ａ１は、１以上の整数である。但し、ａ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。Ｒαは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。各々のＲαは互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ１は、１以上の整数である。但し、Ｒ2が単結合である場合、ｍ１は、１である。複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（３）中、Ｒ3は、式（４）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ2は、Ｒ3以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ３）価の芳香族基である。ｎ３は、１以上の整数である。複数個のＲ3が存在する場合、各々のＲ3は互いに同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ4−｛（Ｑ2）n4−Ｙ2（Ｍ2）a2｝m2 （４）
（式（４）中、Ｒ4は、単結合、又は、（１＋ｍ２）価の有機基である。Ｑ2は、２価の有機基である。Ｙ2は、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。Ｍ2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒb）4 -、ＲbＳＯ3 -、ＲbＣＯＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＨＳＯ4 -、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。ｎ４は、０以上の整数である。ａ２は、１である。Ｒbは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。複数個のＲbが存在する場合、各々のＲbは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ２は、１以上の整数である。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ２は、１である。複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（５）中、Ｒ5は、式（６）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ3は、Ｒ5以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ５）価の芳香族基である。ｎ５は、１以上の整数である。複数個のＲ5が存在する場合、各々のＲ5は互いに同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ6−｛（Ｑ3）n6−Ｙ3｝m3 （６）
（式（６）中、Ｒ6は、単結合、又は、（１＋ｍ３）価の有機基である。Ｑ3は、２価の有機基である。Ｙ3は、シアノ基又は式（７）〜（１５）のいずれかで表される基である。ｎ６は、０以上の整数である。ｍ３は、１以上の整数である。但し、Ｒ6が単結合である場合、ｍ３は、１である。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）a3−Ｒ’’ （７）


−Ｓ−（Ｒ’Ｓ）a4−Ｒ’’ （９）
−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ））a4−Ｒ’’ （１０）
−Ｃ（＝Ｓ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｓ））a4−Ｒ’’ （１１）
−Ｎ｛（Ｒ’）a4Ｒ’’｝2 （１２）
−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）a4−Ｒ’’ （１３）
−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’Ｏ）a4−Ｒ’’ （１４）
−ＮＨＣ（＝Ｏ）−（Ｒ’ＮＨＣ（＝Ｏ））a4−Ｒ’’ （１５）
（式（７）〜（１５）中、Ｒ’は、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。Ｒ’’は、水素原子、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、−ＮＲc 2、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲc 2である。Ｒ’’’は、置換基を有していてもよい３価の炭化水素基である。ａ３は、１以上の整数である。ａ４は、０以上の整数である。Ｒcは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。各々のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ’が存在する場合、各々のＲ’は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ’’が存在する場合、各々のＲ’’は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ４が存在する場合、各々のａ４は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（１６）中、Ｒ7は、式（１７）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ4は、Ｒ7以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ７）価の芳香族基である。ｎ７は、１以上の整数である。複数個のＲ7が存在する場合、各々のＲ7は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（１７）中、Ｒ8は、（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基である。Ｑ1、Ｑ3、Ｙ1、Ｍ1、Ｙ3、ｎ２、ａ１及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ４及びｍ５は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（１８）中、Ｒ9は、式（１９）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ5は、Ｒ9以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ８）価の芳香族基である。ｎ８は、１以上の整数である。複数個のＲ9が存在する場合、各々のＲ9は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（１９）中、Ｒ10は、（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基である。Ｑ2、Ｑ3、Ｙ2、Ｍ2、Ｙ3、ｎ４、ａ２及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ６及びｍ７は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（２０）中、Ｒ11は、前記式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基を含む１価の基である。Ｒ12は、式（２１）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ6は、Ｒ11及びＲ12以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基である。ｎ９及びｎ１０は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＲ11が存在する場合、各々のＲ11は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ12が存在する場合、各々のＲ12は互いに同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ13−｛（Ｑ3）n6−Ｙ3｝m8 （２１）
（式（２１）中、Ｒ13は、単結合、又は、（１＋ｍ８）価の有機基である。Ｑ3、Ｙ3及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ８は、１以上の整数である。但し、Ｒ13が単結合である場合、ｍ８は、１である。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式（２２）中、Ｒ14は、前記式（４）で表される基又は前記式（１９）で表される基を含む１価の基である。Ｒ15は、前記式（２１）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ7は、Ｒ14及びＲ15以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基である。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＲ14が存在する場合、各々のＲ14は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ15が存在する場合、各々のＲ15は互いに同一でも異なっていてもよい。）
（Ｍ3）a5（Ｚ3）b1 （２３）
（式（２３）中、Ｍ3は、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。Ｚ3は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒp）4 -、ＲpＳＯ3 -、ＲpＣＯＯ-、ＲpＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＣＯ3 2-、ＳＯ4 2-、ＨＳＯ4 -、ＰＯ4 3-、ＨＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。ａ５は、１以上の整数である。ｂ１は、１以上の整数である。但し、ａ５及びｂ１は、式（２３）で表されるイオン性化合物の電荷が０となるように選択される。Ｒpは、置換基を有していてもよい１価の有機基である。複数個のＲpが存在する場合、各々のＲpは互いに同一でも異なっていてもよい。）
〔２〕Ａｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔３〕Ａｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ１個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔２〕に記載の組成物。

〔４〕Ａｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔５〕Ａｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ３個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔４〕に記載の組成物。

〔６〕Ａｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔７〕Ａｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ５個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔６〕に記載の組成物。

〔８〕Ａｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔９〕Ａｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ７個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔８〕に記載の組成物。

〔１０〕Ａｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔１１〕Ａｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ８個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔１０〕に記載の組成物。

〔１２〕Ａｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基が、式１〜４、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔１３〕Ａｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基が、式１’、３’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基から（ｎ９＋ｎ１０）個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔１２〕に記載の組成物。

〔１４〕Ａｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基が、式１〜４、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた基である、上記〔１〕に記載の組成物。

〔１５〕Ａｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基が、式１’、３’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基から（ｎ１１＋ｎ１２）個の水素原子を除いた基である、上記〔１〕又は〔１４〕に記載の組成物。

〔１６〕前記Ｍ3がアルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンである、上記〔１〕から〔１５〕のいずれか一項に記載の組成物。
〔１７〕前記組成物中に含まれる式（２３）で表されるイオン性化合物の割合が、前記組成物中に含まれる高分子化合物の重量に対して０．１〜１００重量％である、上記〔１〕から〔１６〕のいずれか一項に記載の組成物。
〔１８〕上記〔１〕から〔１７〕のいずれか一項に記載の組成物を含む有機薄膜。
〔１９〕第１の電極と、
第２の電極と、
第１の電極と第２の電極との間に位置する発光層又は電荷分離層と、
第１の電極と発光層又は電荷分離層との間に位置し、上記〔１〕〜〔１７〕のいずれか一項に記載の前記組成物を含む層と、を有する電子デバイス。
〔２０〕第１の電極が陰極である上記〔１９〕に記載の電子デバイス。
本発明の組成物を含む層を電荷注入層及び／又は電荷輸送層として用いれば、電界発光素子の発光輝度を向上させることができる。好ましい実施形態では、この電界発光素子の発光効率にも優れる。
以下、本発明を詳細に説明する。本発明の組成物、本発明の組成物を含む有機薄膜、本発明の組成物を含む電子デバイス、本発明の組成物を含む電界発光素子、本発明の組成物を含む光電変換素子の順に説明する。
＜組成物＞
以下、本発明の組成物を、高分子化合物、イオン性化合物及び該組成物としての特徴、の順に、説明する。
〔１．高分子化合物〕
高分子化合物は、前記式（１）で表される構造単位、前記式（３）で表される構造単位、前記式（５）で表される構造単位、前記式（１６）で表される構造単位及び式（１８）で表される構造単位、式（２０）で表される構造単位及び式（２２）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する。高分子化合物は、前記１種以上の構造単位を、高分子化合物を構成する全構造単位中の少なくとも一部として有する。高分子化合物中に複数個の式（１）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物中に複数個の式（３）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物中に複数個の式（５）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物中に複数個の式（１６）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物中に複数個の式（１８）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物中に複数個の式（２０）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物中に複数個の式（２２）で表される構造単位が存在する場合、各々の該構成単位は互いに同一であっても異なっていてもよい。
以下、本発明の組成物に含まれる高分子化合物を、該高分子化合物を構成する各構造単位の構造、構造単位の高分子化合物に占める割合、高分子化合物の末端の構造単位、高分子化合物の特性、高分子化合物の例、及び高分子化合物の製造方法の観点から、順に説明する。
〔１．１．式（１）で表される構造単位〕
式（１）中、Ｒ1は、式（２）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ1は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１）価の芳香族基である。ｎ１は、１以上の整数である。
以下、Ｒ1、式（２）、Ａｒ1及びｎ１の順に説明する。
〔１．１．１．Ｒ1の説明〕
Ｒ1は、式（２）で表される基を含む１価の基である。式（１）中に複数個のＲ1が存在する場合、各々のＲ1は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1は、式（２）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（２）で表される基がＡｒ1に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ1は、式（２）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（２）で表される基が例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ1に結合していてもよい：
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒf−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒfは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；
エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
例えば、Ｒ1は、式（２）で表される基、又は、式：−Ｂ1−（Ａ1）n*1（式中、Ａ1は、式（２）で表される基である。Ｂ1は、上記炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、エチニレン基、又は、ヘテロ原子である。ｎ＊１は、１以上の整数である。複数個のＡ1が存在する場合、各々のＡ1は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
Ｒ1に含まれ得る、炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基又はエテニレン基が、複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。これらのうち、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基及びニトロ基以外の置換基は炭素原子を含む。
以下、置換基について説明する。
本明細書において、「Ｃm〜Ｃn」（ｍ、ｎはｍ＜ｎを満たす正の整数である）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。例えば、Ｃm〜Ｃnアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表し、Ｃm〜Ｃnアルキルアリール基であれば、アルキルアリール基に含まれるアルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表し、アリール−Ｃm〜Ｃnアルキル基であれば、アリールアルキル基に含まれるアルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。
本明細書において、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された化合物又は基を構成する水素原子が無置換の場合及び水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の双方を含む。
アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素原子数は通常１〜２０であり、１〜１０であることが好ましい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及びラウリル基が挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。このようなアルキル基（フッ素原子置換アルキル基）としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基及びパーフルオロオクチル基が挙げられる。なお、Ｃ1〜Ｃ12アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及びラウリル基が挙げられる。
アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよく、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は通常１〜２０であり、１〜１０であることが好ましい。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基及びラウリルオキシ基が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。このようなアルコキシ基（フッ素原子置換アルコキシ基）としては、例えば、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基及びパーフルオロオクチルオキシ基が挙げられる。アルコキシ基の例には、メトキシメチルオキシ基及び２−メトキシエチルオキシ基も含まれる。なお、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基及びラウリルオキシ基が挙げられる。
アルキルチオ基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよく、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は通常１〜２０であり、１〜１０であることが好ましい。アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基及びラウリルチオ基が挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。このようなアルキルチオ基（フッ素原子置換アルキルチオ基）としては、例えば、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団である。アリール基には、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環及び／又は縮合環２個以上が単結合した基、並びに、独立したベンゼン環及び／又は縮合環２個以上が２価の有機基（例えば、ビニレン基等のアルケニレン基）を介して結合した基も含まれる。アリール基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜４８であることが好ましい。アリール基としては、例えば、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基及び９−アントラセニル基が挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。このようなアリール基（フッ素原子置換アリール基）としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基が挙げられる。アリール基の中では、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基及びＣ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基及びラウリルオキシフェニル基が挙げられる。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基及びドデシルフェニル基が挙げられる。
アリールオキシ基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜４８であることが好ましい。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基及びペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。アリールオキシ基の中では、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基及びＣ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｓｅｃ−ブトキシフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基及びラウリルオキシフェノキシ基が挙げられる。
アリールチオ基は、例えば、前述のアリール基が硫黄元素に結合した基である。アリールチオ基は、前記アリール基の芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールチオ基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜３０であることが好ましい。アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
アリールアルキル基は、例えば、前述のアリール基が前述のアルキル基に結合した基である。アリールアルキル基は、置換基を有していてもよい。アリールアルキル基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が挙げられる。
アリールアルコキシ基は、例えば、前述のアリール基が前述のアルコキシ基に結合した基である。アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールアルコキシ基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が挙げられる。
アリールアルキルチオ基は、例えば、前述のアリール基が前述のアルキルチオ基に結合した基である。アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールアルキルチオ基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が挙げられる。
アリールアルケニル基は、例えば、前述のアリール基がアルケニル基に結合した基である。アリールアルケニル基は、炭素原子数が通常８〜６０であり、８〜３０であることが好ましい。アリールアルケニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基及び２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基又はＣ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基であることが好ましい。なお、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基及び１−オクテニル基が挙げられる。
アリールアルキニル基は、例えば、前述のアリール基がアルキニル基に結合した基である。アリールアルキニル基は、炭素原子数が通常８〜６０であり、８〜３０であることが好ましい。アリールアルキニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基及び２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基又はＣ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基であることが好ましい。なお、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基及び１−オクチニル基が挙げられる。
置換アミノ基としては、アミノ基の中の少なくとも１個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１又は２個の基によって置換されたアミノ基が好ましい。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０であり、２〜４８であることが好ましい。置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、（フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基が挙げられる。
置換シリル基としては、シリル基の中の少なくとも１個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１〜３個の基によって置換されたシリル基が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０であり、３〜４８であることが好ましい。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、（フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）ジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−キシリル）シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
アシル基は、炭素原子数が通常２〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
アシルオキシ基は、炭素原子数が通常２〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
イミン残基は、式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ＜及び式：−Ｎ＝ＣＨ−の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、この構造中の水素原子１個を除いた基を意味する。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子が、置換基（例えば、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等）で置換されている化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、２〜１８が好ましい。イミン残基としては、例えば、一般式：−ＣＲβ＝Ｎ−Ｒγで表される基、及び一般式：−Ｎ＝Ｃ（Ｒγ）2で表される基（式中、Ｒβは、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基である。Ｒγは、独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基である。但し、Ｒγが２個存在する場合、２個のＲγは相互に結合し一体となって２価の基として、環を形成してもよい。前記２価の基としては、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基が挙げられる。）が挙げられる。イミン残基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
アミド基は、炭素原子数が通常１〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アミド基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基である。酸イミド基は、炭素原子数が通常４〜２０であり、４〜１８であることが好ましい。
酸イミド基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
１価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。
ここで、複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。１価の複素環基は置換基を有していてもよい。１価の複素環基は、炭素原子数が通常３〜６０であり、３〜２０であることが好ましい。なお、１価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含めないものとする。このような１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基及びイソキノリル基が挙げられ、中でも、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基及びトリアジニル基が好ましい。なお、１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。１価の芳香族複素環基とは、複素環自体が芳香族性を示す複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団、及び、前記ヘテロ原子を含むが芳香族性を示さない複素環に、芳香環が縮環されている化合物（例えば、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等）から水素原子１個を除いた残りの原子団を含む意味である。
置換カルボキシル基とは、カルボキシル基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１個以上の基で置換されているカルボキシル基である。即ち、置換カルボキシル基とは、式：−Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ*で表される基（式中、Ｒ*は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基である。）である。置換カルボキシル基は、炭素原子数が通常２〜６０であり、２〜４８であることが好ましい。前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。なお、置換カルボキシル基の炭素原子数には、前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基が有する置換基の炭素原子数は含めないものとする。置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基及びピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。
〔１．１．２．式（２）で表される基の説明〕
式（２）中、Ｒ2は、単結合、又は、（１＋ｍ１）価の有機基である。Ｑ1は、２価の有機基である。Ｙ1は、−ＣＯ2 -、−ＳＯ3 -、−ＳＯ2 -、−ＰＯ3 2-又は−Ｂ（Ｒα）3 -である。Ｍ1は、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。ｎ２は、０以上の整数である。ａ１は、１以上の整数である。但し、ａ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。Ｒαは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。複数個のＲαは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ１は、１以上の整数である。但し、Ｒ2が単結合である場合、ｍ１は、１である。複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ2で表される（１＋ｍ１）価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ１個の水素原子を除いた基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ１個の水素原子を除いた基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ１個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ１個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ１個の水素原子を除いた基。
原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ2で表される（１＋ｍ１）価の有機基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ１個の水素原子を除いた基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ１個の水素原子を除いた基、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ１個の水素原子を除いた基であることが好ましい。
Ｒ2で表される（１＋ｍ１）価の有機基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられるＲ2で表される（１＋ｍ１）価の有機基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２）中、ｍ１は、１以上の整数である。但し、Ｒ2が単結合である場合、ｍ１は、１である。
式（２）中、Ｑ1は、２価の有機基である。２価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基；
置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０のアルケニレン基（例えば、エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等）及び／又はエチニレン基を含む、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基；
シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；
１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４'−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、及び、１，３−フェニレンオキシ基、１，４−フェニレンオキシ基、１，４−ナフチレンオキシ基、１，５−ナフチレンオキシ基、２，６−ナフチレンオキシ基、これらの基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレンオキシ基（即ち、式：−Ｒd−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒdは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアリーレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及びこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。
置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアリーレン基としては、例えば、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、及びこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる））；
炭素原子を含む置換基を有するイミノ基；
炭素原子を含む置換基を有するシリレン基。
高分子化合物の原料であるモノマー（以下、「原料モノマー」と言う。）の合成の容易さの観点からは、Ｑ1で表される２価の有機基は、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基又はアルキレンオキシ基であることが好ましい。
Ｑ1で表される２価の有機基としての、炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基、炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基、炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基、炭素原子数６〜５０のアリーレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基及びシリレン基、に含まれてもよい置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基、炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基、炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基、炭素原子数６〜５０の２価の芳香族基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基又はシリレン基が、複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２）中、Ｙ1は、−ＣＯ2 -、−ＳＯ3 -、−ＳＯ2 -、−ＰＯ3 2-又は−Ｂ（Ｒα）3 -である。Ｙ1は、高分子化合物の酸性度の観点からは−ＣＯ2 -、−ＳＯ2 -又は−ＰＯ3 2-であることが好ましく、−ＣＯ2 -であることがより好ましい。Ｙ1は、高分子化合物の安定性の観点からは、−ＣＯ2 -、−ＳＯ3 -、−ＳＯ2 -又は−ＰＯ3 2-であることが好ましい。
Ｒαは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。炭素原子数１〜３０のアルキル基及び炭素原子数６〜５０のアリール基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は炭素原子数６〜５０のアリール基が、複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒαとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、及び、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。−Ｂ（Ｒα）3 -中の各々のＲαは互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２）中、Ｍ1は、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。金属カチオンとしては、例えば１価又は２価の金属カチオンが挙げられる。１価及び２価の金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉのカチオン、Ｎａのカチオン、Ｋのカチオン、Ｒｂのカチオン、Ｃｓのカチオン、Ｂｅのカチオン、Ｍｇのカチオン、Ｃａのカチオン、Ｂａのカチオン、Ａｇのカチオン、Ａｌのカチオン、Ｂｉのカチオン、Ｃｕのカチオン、Ｆｅのカチオン、Ｇａのカチオン、Ｍｎのカチオン、Ｐｂのカチオン、Ｓｎのカチオン、Ｔｉのカチオン、Ｖのカチオン、Ｗのカチオン、Ｙのカチオン、Ｙｂのカチオン、Ｚｎのカチオン及びＺｒのカチオンが挙げられ、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｓ+、Ａｇ+、Ｍｇ2+及びＣａ2+が好ましい。アンモニウムカチオンが有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基、及び、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素原子数６〜６０のアリール基が挙げられる。
式（２）中、ｎ２は、０以上の整数である。原料モノマーの合成の観点から、ｎ２は、好ましくは０から８の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
式（２）中、ａ１は、１以上の整数である。
ａ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。例えば、Ｙ1が−ＣＯ2 -、−ＳＯ3 -、−ＳＯ2 -又は−Ｂ（Ｒα）3 -であり、Ｍ1が１価の金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである場合は、ａ１＝１であり、Ｙ1が−ＰＯ3 2-でありかつＭ1が１価の金属カチオンである場合は、ａ１＝２であり、Ｙ1が−ＰＯ3 2-でありかつＭ1が２価の金属カチオンである場合は、ａ１＝１である。
式（２）中、複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。式（２）中、複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。式（２）中、複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。式（２）中、複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。式（２）中、複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．１．３．式（２）で表される基の例〕
前記式（２）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。以下の式中、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ又はＮ（ＣＨ3）4である。
〔１．１．４．Ａｒ1及びｎ１の説明〕
前記Ａｒ1は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１）価の芳香族基である。
Ａｒ1は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ1が複数個の前記置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ1が有していてもよいＲ1以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（１）中、ｎ１は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（１）中のＡｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ１）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｎ１）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ１）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ１）価の芳香族基であることが好ましい。該（２＋ｎ１）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている構造を有する芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
前記単環式芳香環としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
前記芳香環集合としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、Ａｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基は、式１〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基であることが好ましく、式１、２、５、４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基であることがより好ましく、式１、５、６、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ１）個除いた（２＋ｎ１）価の基であることが更に好ましい。
Ａｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、以下の式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子をｎ１個除いた基であることが好ましい。
〔１．２．式（３）で表される構造単位〕
式（３）中、Ｒ3は、式（４）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ2は、Ｒ3以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ３）価の芳香族基である。ｎ３は、１以上の整数である。複数個のＲ3が存在する場合、各々のＲ3は互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、Ｒ3、式（４）、Ａｒ2及びｎ３の順に説明する。
〔１．２．１．Ｒ3の説明〕
Ｒ3は、式（４）で表される基を含む１価の基である。複数個のＲ3が存在する場合、各々のＲ3は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ3は、式（４）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（４）で表される基がＡｒ1に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ3は、式（４）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（４）で表される基が例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ2に結合していてもよい：
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒg−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒgは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；
エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
例えば、Ｒ3は、式（４）で表される基、又は、式：−Ｂ2−（Ａ2）n*2（式中、Ａ2は、式（４）で表される基である。Ｂ2は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊２は、１以上の整数である。複数個のＡ2が存在する場合、各々のＡ2は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
Ｒ3に含まれ得る、炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基又はエテニレン基が、複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．２．２．式（４）で表される基の説明〕
式（４）中、Ｒ4は、単結合、又は、（１＋ｍ２）価の有機基である。Ｑ2は、２価の有機基である。Ｙ2は、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。Ｍ2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒb）4 -、ＲbＳＯ3 -、ＲbＣＯＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＨＳＯ4 -、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。ｎ４は、０以上の整数である。ａ２は、１である。Ｒbは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。複数個のＲbが存在する場合、各々のＲbは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ２は、１以上の整数である。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ２は、１である。複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ4で表される（１＋ｍ２）価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ２個の水素原子を除いた基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ２個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ２個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ２個の水素原子を除いた基。
原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ4で表される（１＋ｍ２）価の有機基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ２個の水素原子を除いた基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ２個の水素原子を除いた基であることが好ましい。
Ｒ4で表される（１＋ｍ２）価の有機基としての、炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ２個の水素原子を除いた基、炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基、炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ２個の水素原子を除いた基、アミノ基からｍ２個の水素原子を除いた基からｍ２個の水素原子を除いた基及びシリル基からｍ２個の水素原子を除いた基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ２個の水素原子を除いた基、炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基、炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ２個の水素原子を除いた基、アミノ基からｍ２個の水素原子を除いた基からｍ２個の水素原子を除いた基及びシリル基からｍ２個の水素原子を除いた基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（４）中、ｍ２は、１以上の整数である。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ２は、１である。
式（４）中、Ｑ2は、２価の有機基である。２価の有機基としては例えば、前述のＱ1で表される２価の有機基について例示した有機基と同様の基が挙げられる。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｑ2で表される２価の有機基は、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基又はアリーレンオキシ基であることが好ましい。
Ｑ2に含まれていてもよい置換基についても、前述のＱ1で表される２価の有機基について例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｑ2が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（４）中、Ｙ2は、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。
カルボカチオンとしては、例えば、
−Ｃ+Ｒ2
（式中、Ｒは、アルキル基又はアリール基である。各々のＲは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表される基が挙げられる。
アンモニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｎ+Ｒ3
（式中、Ｒは、前述と同じ意味である。各々のＲは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表される基が挙げられる。
ホスホニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｐ+Ｒ3
（式中、Ｒは、前述と同じ意味である。各々のＲは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表される基が挙げられる。
スルホニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｓ+Ｒ2
（式中、Ｒは、前述と同じ意味である。各々のＲは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表される基が挙げられる。
ヨードニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｉ+Ｒ2
（式中、Ｒは、前述と同じ意味である。各々のＲは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表される基が挙げられる。
Ｙ2は、原料モノマーの合成の容易さの観点、安定性の観点、並びに高分子化合物の安定性の観点からは、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン又はスルホニウムカチオンであることが好ましく、アンモニウムカチオンであることがより好ましい。
式（４）中、Ｍ2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒb）4 -、ＲbＳＯ3 -、ＲbＣＯＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＨＳＯ4 -、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。
Ｒbは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。Ｒbで表される炭素原子数１〜３０のアルキル基及び炭素原子数６〜５０のアリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、前述のＱ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は炭素原子数６〜５０のアリール基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒbとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、及び、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。Ｂ（Ｒb）4 -中の各々のＲbは互いに同一でも異なっていてもよい。
式（４）中、ｎ４は０以上の整数であり、好ましくは０から６の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
式（４）中、ａ２は、１である。
式（４）中、複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。式（４）中、複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。式（４）中、複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。式（４）中、複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．２．３．式（４）で表される基の例〕
前記式（４）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。以下の式中、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4、ＣＨ3ＣＯＯ又はＣＦ3ＳＯ3である。
〔１．２．４．Ａｒ2及びｎ３の説明〕
前記Ａｒ2は、Ｒ3以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ３）価の芳香族基である。
前記Ａｒ2は、Ｒ3以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ2が複数個の前記置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ2が有していてもよいＲ3以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（３）中、ｎ３は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（３）中のＡｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ３）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｎ３）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ３）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ３）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ３）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた（２＋ｎ３）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ３）個除いた（２＋ｎ３）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている構造を有する芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ３）個除いた（２＋ｎ３）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた（２＋ｎ３）価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
単環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜１２で表される環が挙げられる。
縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜３３で表される環が挙げられる。
芳香環集合としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３４〜４２で表される環が挙げられる。
有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式４３〜５１で表される環が挙げられる。
Ａｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた基が好ましく、式１、２、５、４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた基がより好ましく、式１、５、６、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた基が更に好ましい。
Ａｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子をｎ３個除いた基であることが好ましい。
〔１．３．式（５）で表される構造単位〕
式（５）中、Ｒ5は、式（６）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ3は、Ｒ5以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ５）価の芳香族基である。ｎ５は、１以上の整数である。複数個のＲ5が存在する場合、各々のＲ5は互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、Ｒ5、式（６）、Ａｒ3及びｎ５の順に説明する。
〔１．３．１．Ｒ5の説明〕
Ｒ5は、式（６）で表される基を含む１価の基である。複数個のＲ5が存在する場合、各々のＲ5は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ5は、式（６）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（６）で表される基がＡｒ3に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ5は、式（６）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（６）で表される基が例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ3に結合していてもよい：
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒh−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒhは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；
エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
例えば、Ｒ5は、式（６）で表される基、又は、式：−Ｂ3−（Ａ3）n*3（式中、Ａ3は、式（６）で表される基である。Ｂ3は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊３は、１以上の整数である。複数個のＡ3が存在する場合、各々のＡ3は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
Ｒ5に含まれ得る、炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基又はエテニレン基が、複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．３．２．式（６）で表される基の説明〕
式（６）中、Ｒ6は、単結合、又は、（１＋ｍ３）価の有機基である。Ｑ3は、２価の有機基である。Ｙ3は、シアノ基又は式（７）〜（１５）のいずれかで表される基である。ｎ６は、０以上の整数である。ｍ３は、１以上の整数である。但し、Ｒ6が単結合である場合、ｍ３は、１である。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ6で表される（１＋ｍ３）価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ３個の水素原子を除いた基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ３個の水素原子を除いた基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ３個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ３個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ３個の水素原子を除いた基。
原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ6で表される（１＋ｍ３）価の有機基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ３個の水素原子を除いた基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ３個の水素原子を除いた基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ３個の水素原子を除いた基であることが好ましい。
Ｒ6で表される（１＋ｍ３）価の有機基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ6で表される（１＋ｍ３）価の有機基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（６）中、ｍ３は、１以上の整数である。但し、Ｒ6が単結合である場合、ｍ３は、１である。
式（６）中、Ｑ3は、２価の有機基である。２価の有機基としては例えば、前述のＱ1で表される２価の有機基について例示した有機基と同様の基が挙げられる。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｑ3で表される２価の有機基は、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基又はアリーレンオキシ基であることが好ましい。
Ｑ3に含まれていてもよい置換基についても、前述のＱ1で表される２価の有機基について例示した有機基と同様の置換基が挙げられる。Ｑ3が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（６）中、Ｙ3は、シアノ基又は式（７）〜（１５）のいずれかで表される基である。式（７）〜（１５）中、Ｒ’は、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。Ｒ’’は、水素原子、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、−ＮＲc 2、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲc 2である。Ｒ’’’は、置換基を有していてもよい３価の炭化水素基である。ａ３は、１以上の整数である。ａ４は、０以上の整数である。Ｒcは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。各々のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ’が存在する場合、各々のＲ’は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ’’が存在する場合、各々のＲ’’は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ４が存在する場合、各々のａ４は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（７）〜（１５）中、Ｒ’は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。
Ｒ’で表される置換基を有していてもよい２価の炭化水素基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基；
エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び／又は、エチニレン基を含む、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基；
シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；
１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレン基。
Ｒ’で表される２価の炭化水素基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ’で表される２価の炭化水素基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（７）及び（９）〜（１５）中、Ｒ’’は、水素原子、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、−ＮＲc 2、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲc 2である。
Ｒ’’で表される置換基を有していてもよい１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、及び、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。
高分子化合物の溶解性の観点からは、Ｒ’’で表される置換基を有していてもよい１価の炭化水素基は、メチル基、エチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、又は、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
Ｒ’’で表される１価の炭化水素基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ’’で表される１価の炭化水素基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ’’で表される−ＮＲc 2中のＲcは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。Ｒcが有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒcは、高分子化合物の溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、１−ナフチル基又は２−ナフチル基であることが好ましい。各々のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよい。
式（８）中、Ｒ’’’は、置換基を有していてもよい３価の炭化水素基である。
Ｒ’’’で表される３価の炭化水素基としては、例えば、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，３−プロパントリイル基、１，２，４−ブタントリイル基、１，２，５−ペンタントリイル基、１，３，５−ペンタントリイル基、１，２，６−ヘキサントリイル基、１，３，６−ヘキサントリイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルカントリイル基、及び、１，２，３−ベンゼントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基、１，３，５−ベンゼントリイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアレーントリイル基が挙げられる。
高分子化合物の溶解性の観点からは、Ｒ’’’で表される３価の炭化水素基は、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基又は１，３，５−ベンゼントリイル基であることが好ましい。
Ｒ’’’で表される３価の炭化水素基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ’’’で表される３価の炭化水素基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（７）及び式（８）中、ａ３は、１以上の整数であり、３〜１０の整数であることが好ましい。
式（９）〜（１５）中、ａ４は、０以上の整数である。式（９）においては、ａ４は、０〜３０の整数であることが好ましく、３〜２０の整数であることがより好ましい。式（１０）〜（１３）においては、ａ４は、０〜１０の整数であることが好ましく、０〜５の整数であることがより好ましい。式（１４）においては、ａ４は、０〜２０の整数であることが好ましく、３〜２０の整数であることがより好ましい。式（１５）においては、ａ４は、０〜２０の整数であることが好ましく、０〜１０の整数であることがより好ましい。
式（７）〜（１５）のいずれかに、複数個のＲ’が存在する場合、各々のＲ’は互いに同一でも異なっていてもよい。式（７）及び（９）〜（１５）のいずれかに、複数個のＲ’’が存在する場合、各々のＲ’’は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１２）中に複数個のａ４が存在する場合、各々のａ４は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙ3は、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、シアノ基、式（７）で表される基、式（８）で表される基、式（９）で表される基、式（１３）で表される基又は式（１４）で表される基であることが好ましく、式（７）で表される基、式（８）で表される基、式（９）で表される基又は式（１４）で表される基であることがより好ましく、以下の式で表される基から選ばれる基であることが更に好ましい。
式（６）中、ｎ６は、０以上の整数であり、好ましくは０から６の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．３．３．式（６）で表される基の例〕
前記式（６）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
〔１．３．４．Ａｒ3及びｎ５の説明〕
式（５）中、Ａｒ3は、Ｒ5以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ５）価の芳香族基である。
前記Ａｒ3は、Ｒ5以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ3が複数個の前記置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ3が有していてもよいＲ5以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（５）中、ｎ５は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（５）中のＡｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ５）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｎ５）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ５）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ５）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ５）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている構造を有する芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
単環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜１２で表される環が挙げられる。
縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜３３で表される環が挙げられる。
芳香環集合としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３４〜４２で表される環が挙げられる。
有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式４３〜５１で表される環が挙げられる。
Ａｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基が好ましく、式１、２、５、４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基がより好ましく、式１、５、６、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基が更に好ましい。
Ａｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子をｎ５個除いた基であることが好ましい。
式（５）中、ｎ５は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
〔１．４．式（１６）で表される構造単位〕
式（１６）中、Ｒ7は、式（１７）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ4は、Ｒ7以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ７）価の芳香族基である。ｎ７は、１以上の整数である。複数個のＲ7が存在する場合、各々のＲ7は互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、Ｒ7、式（１７）、Ａｒ4及びｎ７の順に説明する。
〔１．４．１．Ｒ7の説明〕
Ｒ7は、式（１７）で表される基を含む１価の基である。式（１６）中、複数個のＲ7が存在する場合、各々のＲ7は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ7は、式（１７）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（１７）で表される基がＡｒ4に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ7は、式（１７）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（１７）で表される基は、例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ4に結合していてもよい： メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒi−Ｏ−で表される２価の置換基（式中、Ｒiは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；
エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
例えば、Ｒ7は、式（１７）で表される基、又は、式：−Ｂ4−（Ａ4）n*4（式中、Ａ4は、式（１７）で表される基である。Ｂ4は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊４は、１以上の整数である。複数個のＡ4が存在する場合、各々のＡ4は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
Ｒ7に含まれ得る、炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基又はエテニレン基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．４．２．式（１７）で表される基の説明〕
式（１７）中、Ｒ8は、（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基である。Ｑ1、Ｑ3、Ｙ1、Ｍ1、Ｙ3、ｎ２、ａ１及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ４及びｍ５は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１７）中、Ｒ8で表される（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基。
原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ8で表される（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基が好ましい。
Ｒ8で表される（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ8で表される（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１７）中、ｍ４及びｍ５は、それぞれ独立に１以上の整数である。
式（１７）中、Ｑ1、Ｑ3、Ｙ1、Ｍ1、Ｙ3、ｎ２、ａ１及びｎ６は、前述と同じ意味である。
式（１７）中、複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１７）中、複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．４．３．式（１７）で表される基の例〕
前記式（１７）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味である。
〔１．４．４．Ａｒ4及びｎ７の説明〕
式（１６）中、Ａｒ4は、Ｒ7以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ７）価の芳香族基である。
前記Ａｒ4は、Ｒ7以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ4が複数個の前記置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ4が有していてもよいＲ7以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（１６）中、ｎ７は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（１６）中のＡｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ７）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｎ７）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ７）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ７）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ７）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ７）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ７）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている構造を有する芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ７）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ７）価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
単環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜１２で表される環が挙げられる。
縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜３３で表される環が挙げられる。
芳香環集合としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３４〜４２で表される環が挙げられる。
有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式４３〜５１で表される環が挙げられる。
Ａｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた基が好ましく、式１、２、５、４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた基がより好ましく、式１、５、６、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた基が更に好ましい。
Ａｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子をｎ７個除いた基であることが好ましい。
〔１．５．式（１８）で表される構造単位〕
式（１８）中、Ｒ9は、式（１９）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ5は、Ｒ9以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ８）価の芳香族基である。ｎ８は、１以上の整数である。複数個のＲ9が存在する場合、各々のＲ9は互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、Ｒ9、式（１９）、Ａｒ5及びｎ８の順に説明する。
〔１．５．１．Ｒ9の説明〕
Ｒ9は、式（１９）で表される基を含む１価の基である。
Ｒ9は、式（１９）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（１９）で表される基がＡｒ5に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ9は、式（１９）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（１９）で表される基は、例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ5に結合していてもよい： メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒj−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒjは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；
エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
例えば、Ｒ9は、式（１９）で表される基、又は、式：−Ｂ5−（Ａ5）n*5（式中、Ａ5は、式（１９）で表される基である。Ｂ5は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊５は、１以上の整数である。複数個のＡ5が存在する場合、各々のＡ5は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
Ｒ9に含まれ得る、炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。
複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．５．２．式（１９）で表される基の説明〕
式（１９）中、Ｒ10は、（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基である。Ｑ2、Ｑ3、Ｙ2、Ｍ2、Ｙ3、ｎ４、ａ２及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ６及びｍ７は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１９）中、Ｒ10で表される（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基。
原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ10で表される（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基であることが好ましい。
Ｒ10で表される（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ10で表される（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１９）中、ｍ６及びｍ７は、それぞれ独立に１以上の整数である。
式（１９）中、Ｑ2、Ｑ3、Ｙ2、Ｍ2、Ｙ3、ｎ４、ａ２及びｎ６は、前述と同じ意味である。
式（１９）中、複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１９）中、複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１９）中、複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１９）中、複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１９）中、複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１９）中、複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。式（１９）中、複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔式（１９）で表される基の例〕
前記式（１９）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
以下の式中、Ｘは、前述と同じ意味である。
〔１．５．３．Ａｒ5及びｎ８の説明〕
式（１８）中、Ａｒ5は、Ｒ9以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ８）価の芳香族基である。
前記Ａｒ5は、Ｒ9以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ5が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ5が有していてもよいＲ9以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（１８）中、ｎ８は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（１８）中のＡｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ８）価の芳香族炭化水素基、（２＋ｎ８）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ８）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ８）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ８）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた（２＋ｎ８）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ８）個除いた（２＋ｎ８）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている構造を有する芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ８）個除いた（２＋ｎ８）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた（２＋ｎ８）価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
単環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜１２で表される環が挙げられる。
縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜３３で表される環が挙げられる。
芳香環集合としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３４〜４２で表される環が挙げられる。
有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式４３〜５１で表される環が挙げられる。
Ａｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた基が好ましく、式１、２、５、４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた基がより好ましく、式１、５、６、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた基が更に好ましい。
Ａｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子をｎ８個除いた基であることが好ましい。
〔１．６．式（２０）で表される構造単位〕
式（２０）中、Ｒ11は、前記式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基を含む１価の基である。Ｒ12は、式（２１）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ6は、Ｒ11及びＲ12以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基である。ｎ９及びｎ１０は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＲ11が存在する場合、各々のＲ11は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ12が存在する場合、各々のＲ12は互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、Ｒ11、Ｒ12、式（２１）、Ａｒ6、ｎ９及びｎ１０の順に説明する。
〔１．６．１．Ｒ11の説明〕
Ｒ11は、前記式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基を含む１価の基である。
Ｒ11は、式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基がＡｒ6に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ11は、式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基は、例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ6に結合していてもよい：
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒk−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒkは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
例えば、Ｒ11は、式（２）で表される基、式（１７）で表される基、又は式：−Ｂ6−（Ａ6）n*6（式中、Ａ6は、式（２）で表される基又は式（１７）で表される基である。
Ｂ6は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊６は、１以上の整数である。複数個のＡ6が存在する場合、各々のＡ6は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
Ｒ11に含まれ得る、炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．６．２．Ｒ12の説明〕
Ｒ12は、前記式（２１）で表される基を含む１価の基である。複数個のＲ12が存在する場合、各々のＲ12は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ12は、式（２１）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（２１）で表される基がＡｒ6に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ12は、式（２１）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（２１）で表される基は、前述のＲ11に関する説明中で例示した基（置換基も同様）又は原子を介してＡｒ6に結合していてもよい。
即ち、Ｒ12は、式（２１）で表される基、又は、式：−Ｂ7−（Ａ7）n*7（式中、Ａ7は、式（２１）で表される基である。Ｂ7は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊７は、１以上の整数である。複数個のＡ7が存在する場合、各々のＡ7は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
〔１．６．３．式（２１）で表される基の説明〕
式（２１）中、Ｒ13は、単結合、又は、（１＋ｍ８）価の有機基である。Ｑ3、Ｙ3、及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ８は、１以上の整数である。但し、Ｒ13が単結合である場合、ｍ８は、１である。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２１）中、Ｒ13で表される（１＋ｍ８）価の有機基としては例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ８個の水素原子を除いた基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ８個の水素原子を除いた基；
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ８個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ８個の水素原子を除いた基；
炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ８個の水素原子を除いた基。
原料モノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ13で表される（１＋ｍ８）価の有機基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ８個の水素原子を除いた基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ８個の水素原子を除いた基、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ８個の水素原子を除いた基であることが好ましい。
Ｒ13で表される（１＋ｍ８）価の有機基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ13で表される（１＋ｍ８）価の有機基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２１）中、ｍ８は、１以上の整数である。但し、Ｒ13が単結合である場合、ｍ８は、１である。
式（２１）中、Ｑ3、Ｙ3、及びｎ６は、前述と同じ意味である。
式（２１）中、複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。式（２１）中、複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。式（２１）中、複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．６．４．式（２１）で表される基の例〕
前記式（２１）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
〔１．６．５．Ａｒ6、ｎ９及びｎ１０の説明〕
式（２０）中、Ａｒ6は、Ｒ11及びＲ12以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基である。
前記Ａｒ6は、Ｒ11及びＲ12以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ6に複数個の前記置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ6が有するＲ11及びＲ12以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（２０）中、ｎ９は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（２０）中、ｎ１０は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（２０）中のＡｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基であることが好ましい。該（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
単環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜５、式７〜１０で表される環が挙げられる。
縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜３３で表される環が挙げられる。
芳香環集合としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３４〜４２で表される環が挙げられる。
有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式４３〜５１で表される環が挙げられる。
Ａｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜５、７〜１０、式１３〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８、５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基であることが好ましく、式１、２、５、４、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７、又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基であることがより好ましく、式１、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６、又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の基であることが更に好ましい。
Ａｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基は、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１’、３’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子を（ｎ９＋ｎ１０）個除いた基であることが好ましい。
〔１．７．式（２２）で表される構造単位〕
式（２２）中、Ｒ14は、前記式（４）で表される基又は前記式（１９）で表される基を含む１価の基である。Ｒ15は、前記式（２１）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ7は、Ｒ14及びＲ15以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基である。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＲ14が存在する場合、各々のＲ14は、互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ15が存在する場合、各々のＲ15は、互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、Ｒ14、Ｒ15、Ａｒ7、ｎ１１及びｎ１２の順に説明する。
〔１．７．１．Ｒ14の説明〕
Ｒ14は、前記式（４）で表される基又は前記式（１９）で表される基を含む１価の基である。
Ｒ14は、式（４）で表される基又は前記式（１９）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、前記式（４）で表される基又は前記式（１９）で表される基がＡｒ7に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ14は、式（４）で表される基又は式（１９）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（４）で表される基又は式（１９）で表される基は、例えば、以下の基又は原子を介してＡｒ7に結合していてもよい：
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基；
メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、ノニレンオキシ基、ドデシレンオキシ基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボルニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒl−Ｏ−で表される２価の有機基（式中、Ｒlは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基である。置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、及び、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基が挙げられる。））；
置換基を有していてもよいイミノ基；
置換基を有していてもよいシリレン基；
置換基を有していてもよいエテニレン基；
エチニレン基；
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子。
即ち、Ｒ14は、式（４）で表される基、式（１９）で表される基、又は、式：−Ｂ9−（Ａ9）n*9（式中、Ａ9は、式（４）で表される基又は式（１９）で表される基である。Ｂ9は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊９は、１以上の整数である。複数個のＡ9が存在する場合、各々のＡ9は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。炭素原子数１〜５０のアルキレン基、炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基、イミノ基、シリレン基及びエテニレン基が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．７．２．Ｒ15の説明〕
Ｒ15は、前記式（２１）で表される基を含む１価の基である。
Ｒ15は、式（２１）で表される基からなる１価の基であってもよい。即ち、式（２１）で表される基がＡｒ7に直接結合していてもよい。
一方、Ｒ15は、式（２１）で表される基を一部に含む基であってもよい。即ち、式（２１）で表される基は、前述のＲ14に関する説明中で例示した基（置換基も同様）又は原子を介してＡｒ7に結合していてもよい。
例えば、Ｒ15は、式（２１）で表される基、又は式：−Ｂ8−（Ａ8）n*8（式中、Ａ8は、式（２１）で表される基である。Ｂ8は、Ｂ1と同じ意味である。ｎ＊８は、１以上の整数である。複数個のＡ8が存在する場合、各々のＡ8は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される基である。
〔１．７．３．Ａｒ7の説明〕
式（２２）中、Ａｒ7は、Ｒ14及びＲ15以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基である。
前記Ａｒ7は、Ｒ14及びＲ15以外の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ａｒ7が複数個の前記置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ7が有するＲ14及びＲ15以外の置換基は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はハロゲン原子であることが好ましい。
式（２２）中、ｎ１１は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（２２）中、ｎ１２は、１以上の整数であり、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。
式（２２）中のＡｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基としては、例えば、（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみからなる（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環等）から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の基；２つ以上の該単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている芳香環集合から、水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
単環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜５、式７〜１０で表される環が挙げられる。
縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜３３で表される環が挙げられる。
芳香環集合としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３４〜４２で表される環が挙げられる。
有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式４３〜５１で表される環が挙げられる。
Ａｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜５、７〜１０、式１３〜１５、１９〜２５、３１〜３５、４３、４６〜４８又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた基であることが好ましく、式１、２、５、４、１３〜１５、１９、２１、２３、３１、３２、３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた基であることがより好ましく、式１、１３〜１５、２１、２３、３３、４３、４６又は４７で表される環から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた基であることが更に好ましい。
Ａｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基は、高分子化合物の導電性及び原料モノマーの合成の容易さの観点から、式（１）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１’、３’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される２価の基から水素原子を（ｎ１１＋ｎ１２）個除いた基であることが好ましい。
〔１．８．各構造単位の例〕
〔１．８．１．式（１）で表される構造単位の例〕
式（１）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、下記式５２ａ1、５５ａ1、５５ｂ1、５５ｃ1、５６ｂ1、５７ｂ1、５８ａ1、５９ｂ1、６０ｂ1、６１ａ1、６１ｂ1、６１ｃ1又は６３ｂ1で表される構造単位であることが好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｒ2、Ｑ1、ｎ２、Ｙ1、Ｍ1、ａ１及びｍ１は、前述と同じ意味を表す。１つの式にＲ2、Ｑ1、ｎ２、Ｙ1、Ｍ1、ａ１及びｍ１の各々が複数個存在する場合には、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ2は、合成の容易さの観点から、直接結合、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ１個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ2が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味である。１つの式に複数個のＭが存在する場合、各々のＭは互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．８．２．式（３）で表される構造単位の例〕
式（３）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、下記式５２ａ2、５５ａ2、５５ｂ2、５５ｃ2、５６ｂ2、５７ｂ2、５８ａ2、５９ｂ2、６０ｂ2、６１ａ2、６１ｂ2、６１ｃ2又は６３ｂ2で表される構造単位であることが好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｒ4、Ｑ2、ｎ４、Ｙ2、Ｍ2、ａ２及びｍ２は、前述と同じ意味である。１つの式に、Ｒ4、Ｑ2、ｎ４、Ｙ2、Ｍ2及びｍ２の各々が複数個存在する場合には、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ4は、合成の容易さの観点から、直接結合、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ4が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（３）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｘは、前述と同じ意味である。１つの式に複数個のＸが存在する場合、各々のＸは互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．８．３．式（５）で表される構造単位の例〕
式（５）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、式５２ａ3、５５ａ3、５５ｂ3、５５ｃ3、５６ｂ3、５７ｂ3、５８ａ3、５９ｂ3、６０ｂ3、６１ａ3、６１ｂ3、６１ｃ3又は６３ｂ3で表される構造単位が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｒ6、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3及びｍ３は、前述と同じ意味である。１つの式にＲ6、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3及びｍ３の各々が複数個存在する場合には、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ6は、合成の容易さの観点から、直接結合、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ３個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ6が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（５）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．８．４．式（１６）で表される構造単位の例〕
式（１６）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、式５２ａ4、５５ａ4、５５ｂ4、５５ｃ4、５６ｂ4、５７ｂ4、５８ａ4、５９ｂ4、６０ｂ4、６１ａ4、６１ｂ4、６１ｃ4又は６３ｂ4で表される構造単位が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｒ8、Ｑ1、ｎ２、Ｙ1、Ｍ1、ａ１、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3、ｍ４及びｍ５は、前述と同じ意味である。１つの式にＲ8、Ｑ1、ｎ２、Ｙ1、Ｍ1、ａ１、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3、ｍ４及びｍ５の各々が複数個存在する場合には、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ8は、合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ8が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１６）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味である。
〔１．８．５．式（１８）で表される構造単位の例〕
式（１８）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、式５２ａ5、５５ａ5、５５ｂ5、５５ｃ5、５６ｂ5、５７ｂ5、５８ａ5、５９ｂ5、６０ｂ5、６１ａ5、６１ｂ5、６１ｃ5又は６３ｂ5で表される構造単位が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｑ2、Ｑ3、Ｙ2、Ｍ2、Ｙ3、ｎ４、ａ２、ｎ６、ｍ６及びｍ７は、前述と同じ意味である。１つの式にＱ2、Ｑ3、Ｙ2、Ｍ2、Ｙ3、ｎ４、ｎ６、ｍ６及びｍ７の各々が複数個存在する場合には、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ10は、合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ10が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（１８）で表される構造単位としては、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｘは、前述と同じ意味である。１つの式に複数個のＸが存在する場合、各々のＸは互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．８．６．式（２０）で表される構造単位の例〕
式（２０）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、式５２ａ6、５５ａ6、５５ｂ6、５５ｃ6、５６ｂ6、５７ｂ6、５８ａ6、５９ａ6、６０ｂ6、６１ａ6、６１ｃ6又は６３ａ6で表される構造単位が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｒ8、Ｒ13、Ｑ1、ｎ２、Ｙ1、Ｍ1、ａ１、ｍ４、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3、ｍ５及びｍ６は、前述と同じ意味である。１つの式にＲ8、Ｒ13、Ｑ1、ｎ２、Ｙ1、Ｍ1、ａ１、ｍ４、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3、ｍ５及びｍ６の各々が複数個存在する場合、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ2は、合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ１個の水素原子を除いた基であることが好ましい。上記式中、Ｒ8は、合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ４＋ｍ５）個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ2が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２０）で表される構造単位としては、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味である。１つの式に複数個のＭが存在する場合、各々のＭは互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．８．７．式（２２）で表される構造単位の例〕
式（２２）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さと電子輸送性の観点からは、式５２ａ8、５５ａ8、５５ｂ8、５５ｃ8、５６ｂ8、５７ｂ8、５８ａ8、５９ａ8、６０ｂ8、６１ａ8、６１ｃ8、６３ａ8で表される構造単位が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｒ10、Ｒ4、Ｑ2、ｎ４、Ｙ2、Ｍ2、ａ２、ｍ２、ｍ６、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3、ｍ７、Ｒ13、及びｍ８は、前述と同じ意味である。１つの式にＲ10、Ｒ4、Ｑ2、ｎ４、Ｙ2、Ｍ2、ｍ２、ｍ６、Ｑ3、ｎ６、Ｙ3、ｍ７、Ｒ13、及びｍ８の各々が複数個存在する場合には、複数個のそれぞれは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式中、Ｒ4は、合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基であることが好ましい。該式中、Ｒ10は、合成の容易さの観点から、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基又はこれらの基の中の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されている基であることが好ましい。
前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｒ4が複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２２）で表される構造単位としては、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位も挙げられる。前記置換基としては、例えば、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。１つの式に複数個の置換基が存在する場合、複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。以下の式中、Ｘは、前述と同じ意味である。１つの式に複数個のＸが存在する場合、各々のＸは互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．９．その他の構造単位〕
本発明に用いられる高分子化合物は、更に式（２４）で表される構造単位を有していてもよい。

（式（２４）中、Ａｒ8は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基である。Ｘ’は、置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基又はエチニレン基である。ｍ９及びｍ１０は、それぞれ独立に０又は１である。但し、ｍ９及びｍ１０の少なくとも１つは、１である。）
式（２４）中のＡｒ8は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基である。
式（２４）中のＡｒ8で表される２価の芳香族基としては、例えば、２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基が挙げられる。該２価の芳香族基としては、例えば、単環式芳香環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、アザジアゾール環等）から水素原子を２個除いた２価の基；２つ以上の単環式芳香環が縮合している構造を有する縮合多環式芳香環から、水素原子を２個除いた２価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環が、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結されている芳香環集合から水素原子を２個除いた２価の基；該単環式芳香環、該縮合多環式芳香環及び該芳香環集合から選ばれる２つ以上の芳香環を含み、該芳香環のうち隣り合う２つの芳香環が、メチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基等の２価の基で、又はメタンテトライル基で橋かけされている構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を２個除いた２価の基等が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされている芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。
前記単環式芳香環としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
前記芳香環集合としては、例えば、以下の式で表される環が挙げられる。
前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。
高分子化合物の電子受容性及び正孔受容性のいずれか一方又は両方の観点から、Ａｒ8で表される２価の芳香族基は、式５２〜６７、６８〜８３、８９〜９３、１０４〜１０６、１０８又は１０９で表される環から水素原子を２個除いた２価の基であることが好ましく、式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８又は１０９で表される環から水素原子を２個除いた２価の基であることがより好ましい。
上記の２価の芳香族基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。
式（２４）中のＡｒ8で表される２価の芳香族アミン残基としては、例えば、式（２５）で表される基が挙げられる。

（式（２５）中、Ａｒ9、Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基である。Ａｒ13、Ａｒ14及びＡｒ15は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基である。ｍ１１及びｍ１２は、それぞれ独立に、０又は１である。）
前記アリーレン基、アリール基、２価の複素環基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基及びカルボキシル基が挙げられる。該置換基は、例えば、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環（シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基等）を有する基、ラクトン基、ラクタム基、又はシロキサン誘導体の構造を含有する基等の架橋基であってもよい。
ｍ１１が０の場合、Ａｒ9中の炭素原子とＡｒ11中の炭素原子とが直接結合していてもよい。Ａｒ9中の炭素原子とＡｒ11中の炭素原子とが、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。
Ａｒ13、Ａｒ14及びＡｒ15は、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基である。アリール基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示したアリール基と同様の基が挙げられる。１価の芳香族基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した１価の複素環基と同様の基が挙げられる。当該置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した１価の複素環基と同様の基が挙げられる。
Ａｒ9、Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12は、置換基を有する若しくは有しないアリーレン基である。アリーレン基としては、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いた残りの原子団が挙げられる。アリーレン基としては、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上が単結合している基、及び、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上が２価の有機基（例えば、ビニレン基等のアルケニレン基）を介して結合している基が挙げられる。アリーレン基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、７〜４８であることが好ましい。アリーレン基の例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、Ｃ1〜Ｃ17アルコキシフェニレン基、Ｃ1〜Ｃ17アルキルフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、１−アントラセニレン基、２−アントラセニレン基及び９−アントラセニレン基が挙げられる。前記アリーレン基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するアリーレン基（フッ素原子置換アリール基）としては、例えば、テトラフルオロフェニレン基が挙げられる。アリーレン基の中では、フェニレン基、ビフェニレン基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニレン基及びＣ1〜Ｃ12アルキルフェニレン基が好ましい。
Ａｒ9、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12で表される２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団である。ここで、「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。２価の複素環基は置換基を有していてもよい。２価の複素環基は、炭素原子数が通常４〜６０であり、４〜２０であることが好ましい。なお、２価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。このような２価の複素環基としては、例えば、チオフェンジイル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオフェンジイル基、ピロールジイル基、フランジイル基、ピリジンジイル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジンジイル基、ピリダジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、ピロリジンジイル基、ピペリジンジイル基、キノリンジイル基及びイソキノリンジイル基が挙げられ、中でも、チオフェンジイル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオフェンジイル基、ピリジンジイル基及びＣ1〜Ｃ12アルキルピリジンジイル基が好ましい。
式（２５）で表される２価の芳香族アミン残基としては、下記式１１５〜１２４で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基が例示される。高分子化合物の正孔電流に対する安定性の観点から、式（２５）で表される２価の芳香族アミン残基は、式１１５、１１６、１１７又は１２０で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基であることが好ましい。
式１１５〜１２４で表される芳香族アミンは２価の芳香族アミン残基を生成しうる範囲で置換基を有していてもよい。該置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。芳香族アミンが複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２４）中、Ｘ’は置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基又はエチニレン基である。イミノ基、シリル基及びエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば以下の基が挙げられる：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基；及び
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基。
イミノ基、シリレン基、エテニレン基又はエチニレン基が、複数個の置換基を有している場合、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
高分子化合物の安定性の観点からは、Ｘ’はイミノ基、エテニレン基又はエチニレン基であることが好ましい。
ｍ９及びｍ１０は、それぞれ独立に０又は１であり、ｍ９及びｍ１０の少なくとも１つは、１である。高分子化合物の電子輸送性の観点からは、ｍ９が１であり、ｍ１０が０であることが好ましい。
〔１．１０．構造単位の含有割合〕
本発明に用いられる高分子化合物には、式（１）で表される構造単位、式（３）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位、式（１６）で表される構造単位、式（１８）で表される構造単位、式（２０）で表される構造単位及び式（２２）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位が含まれる。これらの構造単位の合計が高分子化合物に含まれる全構造単位（但し、末端の構造単位を除く）に占める割合は、１５〜１００モル％であることが好ましく、電界発光素子の発光効率の観点からは、３０〜１００モル％であることが好ましい。
〔１．１１．末端の構造単位〕
なお、本発明に用いられる高分子化合物の末端の構造単位（末端基）としては、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、（フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、（フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）シリル基、（フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）ジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−キシリル）シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
本発明に用いられる高分子化合物が、複数個の末端の構造単位を有している場合には、各々の末端の構造単位は互いに同一でも異なっていてもよい。
〔１．１２．高分子化合物の特性〕
以下、本発明で用いられる高分子化合物の特性について説明する。
〔１．１２．１．分子量〕
「高分子化合物」とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１×１０3以上である化合物をいう。
本発明に用いられる高分子化合物の塗布による成膜性の観点から、該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量の下限は、１×１０3以上であることが好ましく、２×１０3以上であることがより好ましく、３×１０3以上であることが更に好ましく、５×１０3以上であることが特に好ましい。同様の理由から、該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量の上限は、１×１０8以下であることが好ましく、１×１０7以下であることがより好ましい。該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量の範囲は、１×１０3〜１×１０8であることが好ましく、２×１０3〜１×１０7であることがより好ましく、３×１０3〜１×１０7であることが更に好ましく、５×１０3〜１×１０7であることが特に好ましい。
本発明に用いられる高分子化合物の純度の観点から、該高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量の下限は、１×１０3以上であることが好ましい。また同様の理由から、該高分子化合物のポリスチレン換算の該数平均分子量の上限は、５×１０7以下であることが好ましく、１×１０7以下であることがより好ましく、５×１０6以下であることが更に好ましい。該高分子化合物のポリスチレン換算の該数平均分子量の範囲は、１×１０3〜５×１０7であることが好ましく、１×１０3〜１×１０7であることがより好ましく、１×１０3〜５×１０6であることが更に好ましい。
本発明に用いられる高分子化合物の溶解性の観点から、該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量の下限は、１×１０3以上であることが好ましい。また同様の理由から、該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量の上限は、５×１０5以下であることが好ましく、５×１０4以下であることがより好ましく、３×１０3以下であることが更に好ましい。該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量の範囲は、１×１０3〜５×１０5であることが好ましく、１×１０3〜５×１０4であることがより好ましく、１×１０3〜３×１０3であることが更に好ましい。
本発明に用いられる高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、それぞれ求めることができる。
〔１．１２．２．共役高分子化合物としての特性〕
本発明に用いられる高分子化合物は、好ましくは共役高分子化合物である。本発明に用いられる高分子化合物が「共役高分子化合物」であるとは、該高分子化合物が主鎖中に、多重結合（例えば、二重結合、三重結合）、及び／又は、窒素原子、酸素原子等の原子が有する非共有電子対が１つの単結合を挟んで連なっている領域を含むことを意味する。該高分子化合物が共役高分子化合物である場合、共役高分子化合物の電子輸送性の観点から、｛（高分子化合物中の、多重結合、及び／又は、窒素原子、酸素原子等の原子が有する非共有電子対が１つの単結合を挟んで連なっている領域に含まれる主鎖上の原子の数）／（高分子化合物中の主鎖上の全原子の数）｝×１００で計算される比（％）が、５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であることがとりわけ好ましい。
〔１．１２．３．軌道エネルギー〕
本発明に用いられる高分子化合物の電子受容性及び正孔受容性の観点からは、該高分子化合物の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の軌道エネルギーの下限は、−５．０ｅＶ以上であることが好ましく、−４．５ｅＶ以上であることがより好ましい。同様の理由から、該高分子化合物のＬＵＭＯの軌道エネルギーの上限は、−２．０ｅＶ以下であることが好ましい。該高分子化合物のＬＵＭＯの軌道エネルギーの範囲は、−５．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であることが好ましく、−４．５ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下がより好ましい。
同様の理由から、本発明に用いられる高分子化合物の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の軌道エネルギーの下限は、−６．０ｅＶ以上であることが好ましく、−５．５ｅＶ以上であることがより好ましい。同様の理由から、該高分子化合物のＨＯＭＯの軌道エネルギーの上限は、−３．０ｅＶ以下であることが好ましい。該高分子化合物のＨＯＭＯの軌道エネルギーの範囲は、−６．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下であることが好ましく、−５．５ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下であることがより好ましい。ＨＯＭＯの軌道エネルギーは、通常はＬＵＭＯの軌道エネルギーよりも低い。
高分子化合物のＨＯＭＯの軌道エネルギーは、高分子化合物のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求めることができる。高分子化合物のＬＵＭＯの軌道エネルギーは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求めることができる。イオン化ポテンシャルの測定には、光電子分光装置を用いることができる。ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差は、紫外分光光度計・可視分光光度計又は近赤外分光光度計を用いて高分子化合物の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求めることができる。
〔１．１３．高分子化合物の例〕
本発明に用いられる高分子化合物としては、本発明の電子デバイスのＯＮ／ＯＦＦ応答速度の観点から、以下のいずれかが好ましい：
式（１）で表される構造単位及び式（５）で表される構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（１）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位、及び式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（１６）で表される構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、該単位からなる高分子化合物）；
式（１６）で表される構造単位、及び、式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（１６）で表される構造単位及び式（５）で表される構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（１６）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位、及び式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（２０）で表される構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、該単位からなる高分子化合物）；
式（２０）で表される構造単位、及び式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（２０）で表される構造単位及び式（５）で表される構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）；
式（２０）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位、及び式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を含む高分子化合物（好ましくは、これらの単位からなる高分子化合物）。
本発明に用いられる高分子化合物としては、例えば、以下の式で表される構造単位を有する高分子化合物が挙げられる。以下の式を含む本明細書において、複数の構造がスラッシュ「／」で区切られている式で表される構造単位を有する高分子化合物では、これらの構造単位はランダムに配列している。２種の構造がスラッシュ「／」で区切られている場合、左側の構造単位の割合がｐモル％、右側の構造単位の割合が（１００−ｐ）モル％である。ｐは１５〜９９であることが好ましく、３０〜９９であることがより好ましい。３種の構造がスラッシュ「／」で区切られている式で表される高分子化合物では、左側の構造単位の割合がｐモル％、中央の構造単位の割合がｑモル％、右側の構造単位の割合が（１００−ｐ）モル％である。ｐは１５〜９９であることが好ましく、３０〜９９であることがより好ましい。ｑは１〜５０であることが好ましく、１〜３０であることがより好ましい。なお、以下の式で表される構造単位以外の構造単位がさらに含まれていてもよく、この場合においても、以下と同様に書き表すことができる。これらの構造単位はランダムに配列している。なお、以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味である。ｎは重合度である。式中の任意の水素原子は、合成可能な範囲内で置換基に置き換えられてもよい。前記置換基としては、前述のＲ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。
〔１．１４．高分子化合物の製造方法〕
本発明に用いられる高分子化合物を製造する方法について以下説明する。本発明に用いられる高分子化合物を製造するための好適な方法としては、下記一般式（２６）で表される化合物を原料の１つとして用い、該化合物を縮合重合させる方法、及び、第一工程でイオンを含有しない高分子化合物を合成し、第二工程で該高分子化合物からイオンを含有する高分子化合物を合成する方法が挙げられる。
Ｘ1−Ａa−Ｘ2 （２６）
（式（２６）中、Ａaは式（２）で表される基、式（４）で表される基、式（６）で表される基、式（１７）で表される基、式（１９）で表される基、式（２１）で表される基、式（２７）で表される基及び式（２８）で表される基からなる群より選ばれる１又は２以上の基を置換基として含む構造単位であり、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、縮合重合に関与し得る基である。）
−Ｒ16−｛（Ｑ4）n14−Ｙ4｝m15 （２７）
（式（２７）中、Ｒ16は、（１＋ｍ１５）価の有機基である。Ｑ4は、２価の有機基である。Ｙ4は、−ＣＯ2Ｒχ、−ＳＯ3Ｒχ、−ＳＯ2Ｒχ、−ＰＯ3（Ｒχ）2又は−Ｂ（Ｒχ）2である。ｎ１４は、０以上の整数である。Ｒχは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。ｍ１５は、１以上の整数である。複数個のＱ4が存在する場合、各々のＱ4は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ4が存在する場合、各々のＹ4は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ１４が存在する場合、各々のｎ１４は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲχが存在する場合、各々のＲχは互いに同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ17−｛（Ｑ5）n15−Ｙ5｝m16 （２８）
（式（２８）中、Ｒ17は、（１＋ｍ１６）価の有機基である。Ｑ5は、２価の有機基である。Ｙ5は、ハロゲン原子、−Ｎ（Ｒδ）2、−Ｐ（Ｒδ）2又は−ＳＲδである。ｎ１５は、０以上の整数である。Ｒδは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。ｍ１６は、１以上の整数である。複数個のＱ5が存在する場合、各々のＱ5は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ5が存在する場合、各々のＹ5は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ１５が存在する場合、各々のｎ１５は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲδが存在する場合、各々のＲδは互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｍ１６が存在する場合、各々のｍ１６は互いに同一でも異なっていてもよい。）
本発明に用いられる高分子化合物中に、上記式（２６）中の−Ａa−で表される構造単位とともに、前記−Ａa−以外の他の構造単位を含有させる場合には、前記−Ａa−以外の他の構造単位となる、縮合重合に関与し得る置換基を２個有する化合物を用い、これを前記式（２６）で表される化合物とともに共存させて縮合重合させればよい。
このような、縮合重合に関与し得る置換基を２個有する化合物としては、式（２９）で表される化合物が例示される。
Ｘ3−Ａb−Ｘ4 （２９）
（式（２９）中、Ａbは、前記Ａｒ8で表される置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基で表される構造単位である。Ｘ3及びＸ4は、それぞれ独立に、縮合重合に関与し得る基である。）
このように、前記式（２６）で表される化合物に加えて、式（２９）で表される化合物を縮合重合させることで、−Ａb−で表される構造単位を更に有する本発明に用いられる高分子化合物を製造することができる。
式（２６）及び式（２９）中の縮合重合に関与し得る基（Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4）としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）2、ホルミル基、シアノ基、及びビニル基が挙げられる。
このような縮合重合に関与し得る基として選択され得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基及びｐ−トルエンスルホネート基が例示される。
前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るアリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。
前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るホウ酸エステル残基としては、下記式で表される基が例示される。
更に、前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るスルホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ2Ｓ+Ｍｅ2Ｅ-、又は、−ＣＨ2Ｓ+Ｐｈ2Ｅ-
（式中、Ｅは、ハロゲン原子である。Ｐｈは、フェニル基であり、以下、同じである。）で表される基が例示される。
前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るホスホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ2Ｐ+Ｐｈ3Ｅ-
（式中、Ｅは、ハロゲン原子である。）
で表される基が例示される。
前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るホスホネートメチル基としては、下記式：
−ＣＨ2ＰＯ（ＯＲ）2
（式中、Ｒは、アルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基である。）
で表される基が例示される。
前記縮合重合に関与し得る基として選択され得るモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基及びヨウ化メチル基が例示される。
縮合重合に関与し得る基として好適な基は、重合反応の種類によって異なる。Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる重合反応の場合には、例えば、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる重合反応の場合には、例えば、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基及び−Ｂ（ＯＨ）2が挙げられる。酸化剤又は電気化学的な酸化重合の場合には、例えば、水素原子が挙げられる。
本発明に用いられる高分子化合物を製造する際には、例えば、前記一般式（２６）で表される化合物（モノマー）を、必要に応じて前記一般式（２９）で表される化合物（モノマー）とともに、これらのモノマーを有機溶媒に溶解してから、アルカリ又は適当な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる重合方法を採用してもよい。
このような重合方法としては、例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年に記載の方法、“オルガニック シンセシーズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年に記載の方法、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）に記載の方法、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）に記載の方法、及びマクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）に記載の方法が挙げられる。
本発明に用いられる高分子化合物を製造する際には、縮合重合に関与し得る基に応じて、既知の縮合重合反応を採用してもよい。このような縮合重合反応としては、例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により該当するモノマーを重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により該当するモノマーを重合する方法、ニッケルゼロ価錯体（Ｎｉ（０）錯体）により該当するモノマーを重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により該当するモノマーを重合する方法、電気化学的に該当するモノマーを酸化重合する方法、及び、適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法が挙げられる。このような重合反応の中でも、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により該当するモノマーを重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により該当するモノマーを重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により該当するモノマーを重合する方法が、得られる高分子化合物の構造制御がし易いので好ましい。
本発明に用いられる高分子化合物を製造するための好適な方法の別の態様として、縮合重合に関与し得る基としての、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選択される基を有する原料モノマーを用いて、ニッケルゼロ価錯体の存在下で縮合重合して、高分子化合物を製造する方法が挙げられる。このような方法に使用する原料モノマーとしては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物及びアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
本発明に用いられる高分子化合物を製造するための好適な方法の更に別の態様としては、縮合重合に関与し得る基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）2、及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる基を有し、全原料モノマーが有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）2及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）との比が、実質的に１（通常 Ｋ／Ｊ は０．７〜１．２の範囲）である原料モノマーを、ニッケル触媒又はパラジウム触媒の存在下で縮合重合する方法が挙げられる。
高分子化合物を製造する際には、有機溶媒を用いることができる。用いる化合物又は反応によっても異なるが、一般に、副反応を抑制するために十分に脱酸素処理を施した有機溶媒を用いることが好ましい。前記有機溶媒を用いて高分子化合物を製造する場合には、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。前記有機溶媒においては、前記脱酸素処理と同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
このような有機溶媒としては、例えば以下のものが挙げられる：
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素；
メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類；
蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；
ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略記する。）、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；
トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類。
これらの有機溶媒は１種を単独で、又は２種以上を混合して用いてもよい。このような有機溶媒の中で、反応性の観点からはエーテル類が好ましく、ＴＨＦ及びジエチルエーテルが更に好ましい。また、反応速度の観点からは、トルエン及びキシレンが好ましい。
前記高分子化合物を製造する際、原料モノマーを反応させるために、アルカリ又は触媒を反応液に添加することが好ましい。このようなアルカリ又は触媒は、採用する重合方法等に応じて選択すればよい。このようなアルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。前記アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液を、アルゴン、窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加する方法、及び、アルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
本発明に用いられる高分子化合物においては、末端基が安定な基で保護されていてもよい。末端基に重合活性基がそのまま残っていると、得られる電界発光素子の発光特性及び／又は寿命特性が低下する可能性がある。本発明に用いられる高分子化合物が共役高分子化合物であり、かつ上記のように安定な基で末端基が保護されている場合、安定な基で末端基が保護されている構造中に、該高分子化合物の主鎖の共役構造と連続した共役結合を有していることが好ましい。この共役構造としては、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が挙げられる。このような末端基を保護する安定な基としては、特開平９−４５４７８号公報において化１０の構造式で示される１価の芳香族化合物基等の置換基が挙げられる。
本発明に用いられる高分子化合物を製造するための好適な方法として前述した、第一工程でイオンを含有しない高分子化合物を合成し、第二工程で該高分子化合物からイオンを含有する高分子化合物を合成する方法について以下説明する。
該方法のより好適な態様としては、第一工程でカチオンを有さない高分子化合物を重合し、第二工程で該高分子化合物からカチオンを含有する高分子化合物を製造する方法が挙げられる。この方法において、第一工程としては、例えば、カチオンを有さない高分子化合物を前述の縮合重合反応により重合する方法が挙げられる。第二工程としては、例えば、第一工程で得られたカチオンを有さない高分子化合物と、金属水酸化物、金属炭酸塩、アルキルアンモニウムヒドロキシド等を、必要に応じて、溶媒（例えば、水、有機溶媒等）に溶解し、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる方法が挙げられる。
該方法のより好適な別の態様としては、第一工程でアニオンを有さない高分子化合物を重合し、第二工程で該高分子化合物からアニオンを含有する高分子化合物を製造する方法が挙げられる。この方法において、第一工程としては、例えば、アニオンを有さない高分子化合物を、前述の縮合重合反応により重合する方法が挙げられる。第二工程としては、例えば、第一工程で得られたアニオンを有さない高分子化合物と、ハロゲン化アルキル、ＳｂＦ5等を、必要に応じて溶媒（例えば、水、有機溶媒）に溶解し、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる方法が挙げられる。
〔２．式（２３）で表されるイオン性化合物〕
本発明の組成物は、式（２３）で表されるイオン性化合物（即ち、塩）を含む。以下、該イオン性化合物について説明する。
式（２３）中、Ｍ3は金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。Ｚ3はＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒp）4 -、ＲpＳＯ3 -、ＲpＣＯＯ-、ＲpＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＣＯ3 2-、ＳＯ4 2-、ＨＳＯ4 -、ＰＯ4 3-、ＨＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。ａ５は１以上の整数である。ｂ１は１以上の整数である。但し、ａ５及びｂ１は、式（２３）で表されるイオン性化合物の電荷が０となるように選択される。Ｒpは置換基を有していてもよい１価の有機基である。複数個のＲpが存在する場合、各々のＲpは互いに同一でも異なっていてもよい。
式（２３）中、Ｍ3は金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。Ｍ3で表される金属カチオンは、１価、２価又は３価の金属カチオンであることが好ましい。１価、２価及び３価の金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉのカチオン、Ｎａのカチオン、Ｋのカチオン、Ｒｂのカチオン、Ｃｓのカチオン、Ｂｅのカチオン、Ｍｇのカチオン、Ｃａのカチオン、Ｂａのカチオン、Ａｇのカチオン、Ａｌのカチオン、Ｂｉのカチオン、Ｃｕのカチオン、Ｆｅのカチオン、Ｇａのカチオン、Ｍｎのカチオン、Ｐｂのカチオン、Ｓｎのカチオン、Ｔｉのカチオン、Ｖのカチオン、Ｗのカチオン、Ｙのカチオン、Ｙｂのカチオン、Ｚｎのカチオン及びＺｒのカチオンが挙げられ、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｒｂ+、Ｃｓ+等のアルカリ金属カチオン、及び、Ｍｇ2+、Ｃａ2+等のアルカリ土類金属カチオンが好ましい。アンモニウムカチオンが有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基、及び、フェニル基、１−ナフチル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。
式（２３）中、Ｚ3はＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒp）4 -、ＲpＳＯ3 -、ＲpＣＯＯ-、ＲpＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＣＯ3 2-、ＳＯ4 2-、ＨＳＯ4 -、ＰＯ4 3-、ＨＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。
Ｒpは置換基を有していてもよい１価の有機基である。該有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基、及び、フェニル基、１−ナフチル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。
式（２３）中、ａ５は１以上の整数であり、ｂ１は１以上の整数である。但し、ａ５及びｂ１は、式（２３）で表されるイオン性化合物の電荷が０となるように選択される。
式（２３）で表されるイオン性化合物は、ＬｉＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＲｂＯＨ、ＣｓＯＨ等の金属水酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ等の金属ハロゲン化物、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、Ｃｓ2ＣＯ3等の金属炭酸塩、ＲpＣＯＯＬｉ、ＲpＣＯＯＮａ、ＲpＣＯＯＫ、ＲpＣＯＯＣｓ等の金属カルボン酸塩、ＲpＳＯ3Ｌｉ、ＲpＳＯ3Ｎａ、ＲpＳＯ3Ｋ、ＲpＳＯ3Ｃｓ、Ｌｉ2ＳＯ3、Ｎａ2ＳＯ3、Ｋ2ＳＯ3、Ｃｓ2ＳＯ3等の金属硫酸塩、ＲpＯＬｉ、ＲpＯＮａ、ＲpＯＫ、ＲpＯＣｓ等の金属アルコキシド、及び（ＣＨ3）4ＮＢｒ、（Ｃ2Ｈ5）4ＮＢｒ、（Ｃ4Ｈ9）4ＮＢｒ、（Ｃ6Ｈ5）4ＮＢｒ等のアンモニウム塩からなる群から選ばれるイオン性化合物であることが好ましい。
〔３．組成物〕
本発明の組成物は、前記高分子化合物及び前記イオン性化合物を含む。即ち、本発明の組成物は、式（１）で表される構造単位、式（３）で表される構造単位及び式（５）で表される構造単位、式（１６）で表される構造単位、式（１８）で表される構造単位、式（２０）で表される構造単位及び式（２２）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物、及び式（２３）で表されるイオン性化合物を含む。本発明の組成物は、前記高分子化合物を２種以上含んでいてもよく、前記イオン性化合物を２種以上含んでいてもよい。
本発明の組成物中に含まれる式（２３）で表されるイオン性化合物の割合は、本発明の組成物を含む層を成膜する際の成膜性の観点から、前記組成物中に含まれる高分子化合物の重量に対して０．１重量％〜１００重量％であることが好ましく、０．１重量％〜５０重量％であることがより好ましく、０．１重量％〜３０重量％であることが更に好ましい。本発明の組成物を含む層を電子デバイスの電荷注入層及び／又は電荷輸送層とした際の、電荷注入性及び／又は電荷輸送性の観点からは、高分子化合物に対して、１重量％〜１００重量％であることが好ましく、５重量％〜１００重量％であることがより好ましく、１０重量％〜１００重量％であることが更に好ましい。
本発明の組成物の製造方法としては、例えば、本発明に用いられる高分子化合物と式（２３）で表されるイオン性化合物とを固体状態で混合する方法、本発明に用いられる高分子化合物の溶液と式（２３）で表されるイオン性化合物の溶液を溶液状態で混合する方法、本発明に用いられる高分子化合物の溶液に式（２３）で表されるイオン性化合物を添加する方法、及び、本発明に用いられる高分子化合物を合成する際に式（２３）で表されるイオン性化合物を添加する方法が挙げられる。
本発明の組成物は、電荷の注入性及び輸送性に優れるため、該組成物を含む層を電界発光素子に用いると、高輝度で発光する素子が得られる。
なお、本発明の組成物を含む層は、実質的に非発光性であることが好ましい。ここで、ある組成物を含む層が「実質的に非発光性である」とは、以下のとおりの意味である。まず、下記の実施例２６において、組成物１の代わりに、測定対象である組成物を用いる以外は実施例２６と同様にして、電界発光素子Ｅを作製する。一方、下記の比較例１に記載のとおりにして電界発光素子Ｃ１を作製する。測定対象である組成物を含む層を有するか否かの点でのみ、電界発光素子Ｅと電界発光素子Ｃ１とは異なる。次に、電界発光素子Ｅ及び電界発光素子Ｃ１に１０Ｖの順方向電圧を印加して、それぞれについて発光スペクトルを測定する。電界発光素子Ｃ１について得られた発光スペクトルにおいて最大ピークを与える波長λを求める。波長λにおける発光強度を１として、電界発光素子Ｃ１について得られた発光スペクトルを規格化し、波長について積分して規格化発光量Ｓ0を計算する。一方、波長λにおける発光強度を１として、電界発光素子Ｅについて得られた発光スペクトルも規格化し、波長について積分して規格化発光量Ｓを計算する。（Ｓ−Ｓ0）／Ｓ0×１００で計算される値（％）が３０％以下である場合、即ち、測定対象である組成物を含む層を有さない電界発光素子Ｃ１の規格化発光量に比べ、該組成物を含む層を有する電界発光素子Ｅの規格化発光量の増加分が３０％以下である場合に、該組成物を含む層は実質的に非発光性であるものとする。（Ｓ−Ｓ0）／Ｓ0×１００で計算される値は、１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
＜電子デバイス＞
本発明の組成物を用いる電子デバイスについて以下に説明する。
本発明の電子デバイスは、本発明の組成物を含む層を有する。本発明の組成物を含む層は、本発明の組成物を含む有機薄膜と言い換えることができる。本発明の電子デバイスは、通常は、本発明の組成物を含む層のほかに、第１の電極と、第２の電極と、発光層又は電荷分離層とを含む。本発明の組成物を含む層は、好ましくは、本発明の組成物を含む有機薄膜層である。発光層又は電荷分離層は、第１の電極と第２の電極との間に位置する。本発明の組成物を含む層は、通常は、発光層又は電荷分離層と第１の電極との間に位置する。
本発明の電子デバイスは、電界発光素子、光電変換素子等の素子に用いることができる。本発明の電子デバイスを電界発光素子に用いる場合（以下、「本発明の電界発光素子」と言うことがある。）、該電子デバイスは発光層を有している。本発明の電子デバイスを光電変換素子に用いる場合（以下、「本発明の光電変換素子」と言うことがある。）、該電子デバイスは電荷分離層を有している。
＜電界発光素子＞
本発明の電界発光素子について以下説明する。本発明の電界発光素子は、本発明の組成物を含む層を有する電界発光素子であり、本発明の組成物を有する電界発光素子と言い換えることもできる。
本発明の電界発光素子は、例えば、陰極、陽極、前記陰極と前記陽極との間に位置する発光層、及び前記発光層と前記陰極又は前記陽極との間に位置する、本発明で用いられる高分子化合物を含む層を有する。本発明の電界発光素子は、任意の構成要素として基板を有することができ、かかる基板の面上に、前記陰極、陽極、発光層、本発明の組成物を含む層、及び任意の構成要素を設けた構成とすることができる。
本発明の電界発光素子の層構成としては、以下の各態様が挙げられる：
（１）基板上に陽極が設けられ、その上層に発光層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陰極が積層される態様；
（２）基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、発光層が積層され、更にその上層に陰極が積層される態様；
（３）基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、発光層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陰極が積層される態様。
（４）陰極を基板上に設け、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、その上層に発光層が積層され、更にその上層に陽極が積層される態様。
（５）陰極を基板上に設け、その上層に発光層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陽極が積層される態様。
（６）陰極を基板上に設け、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、その上層に発光層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陽極が積層される態様。
前記態様（１）〜（６）のそれぞれにおいて、更に、保護層、バッファー層、反射層、正孔ブロック層等の他の機能を有する層を設けてもよい。なお、電界発光素子の構成については、下記にて別途詳述する。更に封止膜又は封止基板が電界発光素子に覆い被せられると、電界発光素子が外気と遮断された発光装置が形成される。
〔１．本発明の組成物を含む層（本発明の有機薄膜）〕
本発明の組成物を含む層において、本発明の組成物は、公知の材料と混合されていてもよい。例えば、高分子の電荷輸送材料、低分子の電荷輸送材料、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物等の電気伝導性化合物、及びこれらの混合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、正孔輸送層及び電子輸送層を構成する材料を用いてもよい。金属、合金、金属酸化物及び金属硫化物としては、陽極を構成する材料又は陰極を構成する材料を用いてもよい。更に、電界発光素子としての発光機能を損なわない範囲で、発光機能及び電荷輸送機能を有していない有機材料が混合されていてもよい。
本発明の電界発光素子は、基板側から採光する所謂ボトムエミッションタイプ、基板と反対側から採光する所謂トップエミッションタイプ、及び、両面採光型のタイプのいずれのタイプの電界発光素子であってもよい。
本発明の組成物を含む層を形成する方法としては、例えば、該組成物を含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。
このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、ニトリル化合物類、ニトロ化合物類、ハロゲン化アルキル類、ハロゲン化アリール類、チオール類、スルフィド類、スルホキシド類、チオケトン類、アミド類、及びカルボン酸類からなる群から選ばれる１種の溶媒、及びこれらの群から選ばれる２種以上の混合溶媒が挙げられ、これらのうち溶解パラメーターが９．３以上であるものが好ましい。溶解パラメーターが９．３以上である溶媒（各括弧内の値は、各溶媒の溶解パラメーターの値を表す）の例としては、水（２１．０）、メタノール（１２．９）、エタノール（１１．２）、２−プロパノール（１１．５）、１−ブタノール（９．９）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（１０．５）、アセトニトリル（１１．８）、１，２−エタンジオール（１４．７）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１１．５）、ジメチルスルホキシド（１２．８）、酢酸（１２．４）、ニトロベンゼン（１１．１）、ニトロメタン（１１．０）、１，２−ジクロロエタン（９．７）、ジクロロメタン（９．６）、クロロベンゼン（９．６）、ブロモベンゼン（９．９）、ジオキサン（９．８）、炭酸プロピレン（１３．３）、ピリジン（１０．４）、二硫化炭素（１０．０）、及びこれらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。（溶解パラメータの値は溶剤ハンドブック 第１４刷 （株）講談社 参照）。
ここで、２種の溶媒（溶媒１、溶媒２とする）の混合溶媒の溶解パラメーター（δm）は、δm=δ1×φ1＋δ2×φ2により求めることができる（上記式中、δ1は、溶媒１の溶解パラメーターであり、φ1は、溶媒１の体積分率であり、δ2は、溶媒２の溶解パラメーターであり、φ2は、溶媒２の体積分率である。）。
溶液からの成膜方法としては、例えば、塗布法及び印刷法を挙げることができ、好ましくは例えば、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法及び反転印刷法が挙げられる。
本発明の組成物を含む層の厚さは、用いる組成物によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、２ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましい。発光層を保護する観点からは、該厚さは、５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
〔２．電界発光素子の層構成〕
電界発光素子は、一般に、陰極、陽極、及び、陰極と陽極との間に位置する発光層を有するが、更に他の構成要素を備えることができる。
例えば、陽極と発光層との間には、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの１層以上を有することができる。正孔注入層が存在する場合は、発光層と正孔注入層との間に、正孔輸送層を有することができる。
一方、陰極と発光層との間には、電子注入層及び電子輸送層のうちの１層以上を有することができる。電子注入層が存在する場合は、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を有することができる。
本発明の組成物を含む層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の層として用いることができる。本発明の組成物を含む層を正孔注入層及び正孔輸送層から選ばれる１層又は２層以上として用いる場合、第１の電極は陽極であり、第２の電極は陰極である。本発明の組成物を含む層を電子注入層及び電子輸送層から選ばれる１層又は２層以上として用いる場合、第１の電極は陰極であり、第２の電極は陽極である。
ここで、陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給する電極である。陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等の層に電子を供給する電極である。
発光層とは、電界を印加した際に、陽極側に隣接する層より正孔を受け取り陰極側に隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、及び、電子と正孔の再結合の場を提供し再結合を発光につなげる機能を有する層をいう。
電子注入層とは、陰極に隣接する層であり、陰極から電子を受け取る機能を有する層であり、更に必要に応じて、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能及び発光層へ電子を供給する機能のいずれかを有する層をいう。電子輸送層とは、主に電子を輸送する機能を有する層であり、さらに必要に応じて、陰極から電子を受け取る機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能及び発光層へ電子を供給する機能のいずれかを有する層をいう。
正孔注入層とは、陽極に隣接する層であり、陽極から正孔を受け取る機能を有する層であり、更に必要に応じて、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能及び陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。正孔輸送層とは、主に正孔を輸送する機能を有する層であり、さらに必要に応じて、陽極から正孔を受け取る機能、発光層へ正孔を供給する機能及び陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。
なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶことがある。電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶことがある。
即ち、本発明の組成物が用いられている電界発光素子は下記の層構成（ａ）を有することができ、又は、層構成（ａ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のいずれか１層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成（ａ）において、本発明の組成物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選ばれる１つ以上の層として用いることができる。
（ａ）陽極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−陰極
ここで、符号「−」は各層が隣接して積層されていることを示す。「（正孔輸送層)」は、正孔輸送層を１層以上含む層構成を示す。「（電子輸送層）」は、電子輸送層を１層以上含む層構成を示す。以下の層構成の説明においても同様である。
更に、本発明の組成物が用いられている電界発光素子は、１つの積層構造中に２層の発光層を有することができる。この場合、電界発光素子は下記の層構成（ｂ）を有することができ、又は、層構成（ｂ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電極の１層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成（ｂ）において、本発明の組成物を含む層は、陽極と陽極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられるか、陰極と陰極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられる。
（ｂ）陽極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−電極−正孔注入層−(正孔輸送層)−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−陰極
更に、本発明の組成物が用いられている電界発光素子は、１つの積層構造中に３層以上の発光層を有することができる。この場合、電界発光素子は下記の層構成（ｃ）を有することができ、又は、層構成（ｃ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び電極のうち１層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成（ｃ）において、本発明の組成物を含む層は、陽極と陽極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられるか、陰極と陰極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられる。
（ｃ）陽極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−繰返し単位Ａ−繰返し単位Ａ・・・−陰極
ここで、「繰返し単位Ａ」は、電極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層の層構成の単位を示す。
本発明の組成物が用いられている電界発光素子の好ましい層構成としては、下記の層構成（ｄ）〜（ｎ）が挙げられる。下記層構成において、本発明の組成物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選ばれる１つ以上の層として用いることができる。
（ｄ）陽極−正孔注入層−発光層−陰極
（ｅ）陽極−発光層−電子注入層−陰極
（ｆ）陽極−正孔注入層−発光層−電子注入層−陰極
（ｇ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｋ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｌ）陽極−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｍ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｎ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
本発明の組成物を含む層は、電子注入層又は電子輸送層であることが好ましい。本発明の組成物を含む層が、電子注入層又は電子輸送層である場合、第１の電極は陰極である。
電界発光素子は、電極との密着性向上のために、及び／又は、電極からの電荷（即ち正孔又は電子）の注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよい。電界発光素子は、界面の密着性向上、混合の防止等のために、電荷輸送層（即ち正孔輸送層又は電子輸送層）又は発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番、数、及び各層の厚さは、発光効率及び／又は素子寿命を勘案して定めることができる。
〔３．電界発光素子を構成する各層〕
次に、本発明の電界発光素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より詳細に説明する。
〔３．１．基板〕
本発明の電界発光素子を構成する基板は、電極を形成する際及び有機化合物の層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよい。基板としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、及びこれらを積層した基板が挙げられる。前記基板は、市販品を利用してもよく、又は公知の方法により製造された基板を用いてもよい。
電界発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する際には、当該基板上に画素駆動用の駆動回路が設けられていてもよく、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。
平坦化膜は、中心線平均粗さ（Ｒａ）がＲａ＜１０ｎｍを満たしていることが好ましい。
Ｒａは、日本工業規格ＪＩＳのＪＩＳ−Ｂ０６０１−２００１に基づいて、ＪＩＳ−Ｂ０６５１からＪＩＳ−Ｂ０６５６及びＪＩＳ−Ｂ０６７１−１等を参考に計測できる。
〔３．２．陽極〕
本発明の電界発光素子を構成する陽極の発光層側表面の仕事関数は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層で用いられる有機半導体材料への正孔供給性の観点から、４．０ｅＶ以上であることが好ましい。
陽極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、導電性化合物（例えば、金属酸化物、金属硫化物）、及びこれらの混合物を用いることができる。好ましくは例えば、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、及び、これらの導電性金属酸化物とこれらの金属との混合物が挙げられる。
前記陽極は、これら材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、複数層のうち発光層側の最表面層の材料の仕事関数が、４．０ｅＶ以上であることがより好ましい。
陽極の作製方法としては公知の方法が利用でき、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、及び、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）が挙げられる。
陽極の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。
短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）はＲａ＜１０ｎｍを満たすこと好ましく、Ｒａ＜５ｎｍを満たすことがより好ましい。
更に、該陽極は上記方法にて作製された後に、ＵＶオゾン、シランカップリング剤、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン等の電子受容性化合物を含む溶液等で表面処理を施されることがある。表面処理によって該陽極に接する層との電気的接続が改善される。
本発明の電界発光素子において、陽極を光反射電極として用いる場合には、陽極が、高光反射性金属からなる光反射層と４．０ｅＶ以上の仕事関数を有する材料を含む高仕事関数材料層とを組み合わせた多層構造であることが好ましい。
このような陽極の構成としては、以下の構成が例示される。
（ｉ） Ａｇ−ＭｏＯ3
（ｉｉ） （Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）
（ｉｉｉ）（Ａｌ−Ｎｄ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）
（ｉｖ） （Ｍｏ−Ｃｒ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）
（ｖ） （Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）−ＭｏＯ3
十分な光反射率を得るために、高光反射性金属（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｃｒ合金）からなる光反射層の厚さは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましい。４．０ｅＶ以上の仕事関数を有する材料（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＭｏＯ3）を含む高仕事関数材料層の厚さは通常、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。
〔３．３．正孔注入層〕
正孔注入層を構成する材料としては、本発明の組成物のほか、例えば、以下の材料が挙げられる：
カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらのうち１種以上を含む重合体；
酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物；
ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー；
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリスチレンスルホン酸、ポリピロール等の有機導電性材料及びこれらの有機導電性材料のうち１種以上を含む重合体；
アモルファスカーボン；
テトラシアノキノジメタン誘導体（例えば、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、１，４−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物等のアクセプター性有機化合物；及び
オクタデシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤。
前記材料は、単一の成分であっても、或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。前記正孔注入層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。正孔輸送層を構成する材料として例示する材料も、正孔注入層を構成する材料として用いることができる。
正孔注入層の作製方法としては、公知の方法が利用できる。正孔注入層に用いられる正孔注入材料が無機材料の場合は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が利用でき、低分子有機材料の場合は、真空蒸着法、転写法（例えば、レーザー転写及び熱転写）の、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）等が利用できる。正孔注入材料が高分子有機材料の場合は、溶液からの成膜による方法が利用できる。
正孔注入材料が、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の低分子有機材料の場合には、真空蒸着法を用いて正孔注入層を形成することが好ましい。
高分子化合物バインダーと前記低分子有機材料を分散させた混合溶液を用いて正孔注入層を成膜することもできる。
混合する高分子化合物バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しない化合物及び可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましく、電荷輸送を極度に阻害せず、かつ、可視光に対する吸収が強くない化合物がより好ましい。この高分子化合物バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル並びにポリシロキサンが例示される。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させることができる溶媒であればよい。該溶媒として、水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の含塩素溶媒、ＴＨＦ等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、及び、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒が例示される。
溶液からの成膜による方法としては、例えば、印刷法及び塗布法を挙げることができ、好ましくは、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法及び反転印刷法が挙げられる。パターン形成が容易であるという点で、印刷法（例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等）又はノズルコート法によることがより好ましい。
正孔注入層に続いて、正孔輸送層、発光層等の有機化合物層を形成する際に、正孔注入層と該有機化合物層との両方を塗布法によって形成する場合には、先に塗布した層（下層）が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を作製できなくなることがある。この場合には、下層を溶媒不溶化する方法を用いることができる。溶媒不溶化する方法としては、例えば、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、及び、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法等が挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常１００℃〜３００℃であり、時間は通常１分〜１時間である。
架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、たとえば、下層に水溶性の高分子化合物を用い、上層に油溶性の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法等がある。
正孔注入層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
〔３．４．正孔輸送層〕
本発明の電界発光素子において、正孔輸送層を構成する材料としては、本発明の組成物のほか、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらの構造を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー；ポリピロール等の有機導電性材料が挙げられる。
前記材料は単一の成分であっても、或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。正孔注入層を構成する材料として例示する材料も、正孔輸送層を構成する材料として用いることができる。
正孔輸送層及の作製方法としては、正孔注入層の作製と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜による方法としては、例えば、印刷法及び塗布法を挙げることができ、好ましくは、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法及び反転印刷法が挙げられる。正孔輸送層の材料として昇華性化合物材料を用いる場合には、通常は、真空蒸着法及び転写法が用いられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
正孔輸送層に続いて、発光層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、先に塗布した層（下層）が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶化することができる。
正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
〔３．５．発光層〕
本発明の電界発光素子において、発光層が高分子化合物を含む場合、該高分子化合物としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン等の共役高分子化合物を好適に用いることができる。
前記高分子化合物を含む発光層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系色素化合物、及び／又は、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子色素化合物を含有してもよい。前記高分子化合物を含む発光層は、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びに、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光を発光する金属錯体を含有してもよい。
発光層は、非共役高分子化合物と、前記有機色素及び前記金属錯体等の発光性有機化合物から選ばれる化合物との組成物から構成されてもよい。非共役高分子化合物としては、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、及び、シリコン樹脂が挙げられる。前記の非共役高分子化合物は側鎖にカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物、及び有機シラン誘導体からなる群から選ばれる１つ以上の誘導体若しくは化合物の構造を有していてもよい。
発光層が低分子化合物を含む場合、該低分子化合物としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、カルバゾール、キナクリドン等の低分子色素化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系、インジゴ系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、フタロシアニン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びにテトラフェニルブタジエン及びその誘導体が挙げられる。
前記低分子化合物を含む発光層は、燐光を発光する金属錯体を含んでいてもよい。該金属錯体としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体が挙げられる。
前記材料は単一の成分であっても、或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。前記発光層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
発光層の作製方法としては、正孔注入層の作製と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、例えば、印刷法及び塗布法を挙げることができ、好ましくは、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法及び反転印刷法が挙げられる。発光層の材料として昇華性化合物材料を用いる場合には、通常は、真空蒸着法又は転写法が用いられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
発光層に続いて、電子輸送層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、先に塗布した層（下層）が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶化にすることができる。
発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、５ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
〔３．６．電子輸送層〕
本発明の電界発光素子において、電子輸送層を構成する材料としては、本発明の組成物のほか、公知の材料が使用できる。例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン等）テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾール配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、有機シラン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びにポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びに、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましい。
前記材料は単一の成分であっても、或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。前記電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。電子注入層を構成する材料として例示する材料も、電子輸送層を構成する材料として用いることができる。
電子輸送層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、例えば、印刷法及び塗布法を挙げることができ、好ましくは、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法及び反転印刷法が挙げられる。電子輸送層として昇華性化合物材料を用いる場合には、通常は、真空蒸着法又は転写法等が用いられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
電子輸送層に続いて、電子注入層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、先に塗布した層（下層）が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶化することができる。
電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
〔３．７．電子注入層〕
本発明の電界発光素子において、電子注入層を構成する材料としては、本発明の組成物のほか、公知の材料が使用できる。例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（ナフタレン、ペリレン等）テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、各種金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体等）、有機シラン誘導体が挙げられる。
前記材料は単一の成分であっても、或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。前記電子注入層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。電子輸送層を構成する材料として例示する材料も、電子注入層を構成する材料として用いることができる。
電子注入層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、例えば、印刷法及び塗布法を挙げることができ、好ましくは、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法及び反転印刷法が挙げられる。電子注入層の材料として昇華性化合物材料を用いる場合には、通常は、真空蒸着法又は転写法が用いられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
電子注入層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
〔３．８．陰極〕
陰極は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成の複数層からなる又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
陰極が単層構造である場合、陰極を構成する材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属、これらの低抵抗金属から選ばれる１種以上を含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、及び、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物が挙げられる。
陰極が多層構造である場合、第１陰極層とカバー陰極層の２層構造、又は第１陰極層、第２陰極層及びカバー陰極層の３層構造であることが好ましい。ここで、第１陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は、２層構造の場合は第１陰極層を覆う層をいい、３層構造の場合は第１陰極層と第２陰極層を覆う層をいう。電子供給能の観点からは、第１陰極層を構成する材料の仕事関数が３．５ｅＶ以下であることが好ましい。このような第１陰極層を構成する材料としては、仕事関数が３．５ｅＶ以下の金属、該金属の酸化物、該金属のフッ化物、該金属の炭酸塩、又は該金属の複合酸化物が、好適に用いられる。カバー陰極層の材料としては、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い材料（例えば、金属、金属酸化物）が好適に用いられる。
第１陰極層を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の金属、前記金属を１種類以上含む合金、前記金属の酸化物、前記金属のハロゲン化物、前記金属の炭酸塩、前記金属の複合酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される１つ以上の材料が挙げられる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の複合酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム及びモリブデン酸セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の炭酸塩及びアルカリ土類金属の複合酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、モリブデン酸バリウム及びタングステン酸バリウムが挙げられる。アルカリ金属及びアルカリ土類金属を１種類以上含む合金の例としては、Ｌｉ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｂａ合金、Ｍｇ−Ｂａ合金、Ｂａ−Ａｇ合金及びＣａ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ合金が挙げられる。第１陰極層を構成する材料として例示した材料と電子注入層を構成する材料として例示した材料との組成物も、第１陰極層を構成する材料として使用できる。第２陰極層を構成する材料としては、第１陰極層を構成する材料と同様の材料が例示される。
カバー陰極層を構成する材料の例としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属、これらの低抵抗金属を１種類以上含む合金、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物、導電性金属酸化物のナノ粒子、導電性金属酸化物のナノワイヤー、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素が挙げられる。金属酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯが好ましい。
金属ナノワイヤーのアスペクト比及び導電性金属酸化物のナノワイヤーのアスペクト比は、陰極の導電性の観点からは、２以上が好ましく、５以上がより好ましく、１０以上がさらに好ましく、５０以上が特に好ましく、１００以上とりわけ好ましく、３００以上が殊更に好ましい。
金属ナノ粒子のアスペクト比及び導電性金属酸化物のナノ粒子のアスペクト比は、分散性の観点から、１．４以下が好ましく、１．３以下がより好ましい。
ここでアスペクト比とは、棒状体、ワイヤー状体、粒子状体等において、最も長い径と最も短い径との比率（最も長い径／最も短い径）を意味し、このアスペクト比に分布がある場合には平均値である。ここでいう平均値とは、算術平均値である。金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーの、それぞれのアスペクト比は、走査型電子顕微鏡による写真を用いて特定することができる。
金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーの、それぞれの最も短い径は、通常１ｎｍ以上であり、１０００ｎｍ未満である。金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーのそれぞれの最も短い径は、分散性が良好となるので、好ましくは８００ｎｍ以下であり、より好ましくは６００ｎｍ以下であり、更に好ましくは３００ｎｍ以下であり、特に好ましくは１５０ｎｍ以下であり、とりわけ好ましくは１００ｎｍ以下である。
金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーの、それぞれの最も長い径は、分散性が良好となるので、好ましくは１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以下、とりわけ好ましくは１００ｎｍ以下、殊更に好ましくは５０ｎｍ以下である。
金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーの数平均のフェレー径（Ｆｅｒｅｔ径）は、好ましくは１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以下、とりわけ好ましくは１００ｎｍ以下、殊更に好ましくは５０ｎｍ以下である。
金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーは、市場で入手可能であるか、又は従来公知の方法で製造することができる。金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーの製造には、いかなる方法を用いてもよいが、例えば、液相法、気相法等の製造方法を用いることができる。
金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び、導電性金属酸化物のナノワイヤーの、製造方法としては、金ナノ構造体の製造方法が、特開２００６−２３３２５２号公報に開示されている。銀ナノ構造体の製造方法が、Ｘｉａ，Ｙ、ｅｔａｌ．，Ｃｈｅ、．Ｍａｔｅｒ．（２００２）、１４，４７３６−４７４５及びＸｉａ，Ｙ、ｅｔａｌ．，ＮａｎｏＬｅｔｔｅｒｓ（２００３）３，９５５−９６０、Ｘｉａ，Ｙ、ｅｔａｌ．，』．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅ、．（２００８）１８，４３７−４４１に開示されている。銅ナノ構造体の製造方法が、特開２００２−２６６００７号公報に開示されている。コバルトナノ構造体の製造方法が、特開２００４−１４９８７１号公報に開示されている。
陰極が多層構造である場合の構成例としては、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ａｌ、ＫＦ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｎａ2ＣＯ3／Ａｌ、Ｋ2ＣＯ3／Ａｌ、Ｃｓ2ＣＯ3／Ａｌ等の、第１陰極層とカバー陰極層の２層構造、及び、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｇ、Ｋ2ＣＯ3／Ｃａ／Ａｇ等の、第１陰極層、第２陰極層及びカバー陰極層の３層構造が挙げられる。ここで、符号「／」は各層が隣接していることを示す。なお、第２陰極層を構成する材料が第１陰極層を構成する材料に対して還元作用を有することが好ましい。ここで、材料間の還元作用の有無及び程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギー（ΔｒＨ°）から見積もることができる。即ち、第２陰極層を構成する材料による、第１陰極層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正である組み合わせの場合、第２陰極層の材料が第１陰極層を構成する材料に対して還元作用を有すると言える。結合解離エネルギーは、例えば「電気化学便覧第５版」（丸善、２０００年発行）、「熱力学データベースＭＡＬＴ」（科学技術社、１９９２年発行）で参照できる。
陰極の作製方法としては公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、及び溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）が例示される。金属、金属酸化物、フッ化物及び炭酸塩から選ばれる１種以上を用いて陰極を作製する場合には、真空蒸着法が多用され、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物、及び、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、から選ばれる１種以上を用いて陰極を作製する場合には、スパッタリング法及びイオンプレーティング法が多用される。陰極を構成する材料として、金属、金属酸化物、金属フッ化物、炭酸塩、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物及び導電性金属酸化物からなる群から選ばれる２種以上を併用して陰極を作製する場合には、共蒸着法、スパッタリング法及びイオンプレーティング法が多用される。陰極を構成する材料として、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子、及び導電性金属酸化物のナノワイヤーから選ばれる１種以上を用いて陰極を作製する場合には、溶液からの成膜による方法が多用される。陰極を構成する材料として、低分子有機化合物と、金属、金属酸化物、金属フッ化物及び金属の炭酸塩からなる群から選ばれる１種以上との組成物を成膜する場合には、共蒸着法が適している。
陰極の厚さは、用いる材料及び層構造によって最適値が異なり、駆動電圧、発光効率及び素子寿命が適度な値となるように選択すればよい。第１陰極層の厚さは、通常、０．５ｎｍ〜２０ｎｍである。カバー陰極層の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１μｍである。例えば、第１陰極層にＢａ又はＣａ、カバー陰極層にＡｌをそれぞれ用いる場合、Ｂａ又はＣａの厚さは２ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、Ａｌの厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。例えば、第１陰極層にＮａＦ又はＫＦ、カバー陰極層にＡｌをそれぞれ用いる場合、ＮａＦ又はＫＦの厚さは１ｎｍ〜８ｎｍであることが好ましく、Ａｌの厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。陰極を構成する材料として金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子又は導電性金属酸化物のナノワイヤーを用いる場合、陰極の厚さは１００ｎｍ〜１μmであることが好ましい。
電界発光素子において、陰極を光透過性電極として用いる場合には、カバー陰極層の可視光透過率が４０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましい。この可視光透過率は、カバー陰極層を構成する材料として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の透明導電性金属酸化物を用いることで容易に達成される。或いは、カバー陰極層を構成する材料として、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛等の低抵抗金属及びこれらの低抵抗金属からなる群から選ばれる１種以上を含む合金を用い、かつ、カバー陰極層の厚さを３０ｎｍ以下にすることでも、容易に達成される。
陰極側からの光透過率を向上させることを目的として、陰極のカバー陰極層上に反射防止層を設けることもできる。反射防止層を構成する材料の屈折率は、１．８〜３．０であることが好ましい。この屈折率を満たす材料としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＷＯ3が挙げられる。反射防止層の厚さは、用いる材料によって異なるが、通常１０ｎｍ〜１５０ｎｍである。
〔３．９．絶縁層〕
絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷注入改善、隣接層との混合防止等の機能を有する層である。絶縁層を構成する材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物及び有機絶縁材料（例えば、ポリメチルメタクリレート等）が挙げられる。絶縁層の厚さは、通常は５ｎｍ以下である。絶縁層（例えば、厚さ５ｎｍ以下の絶縁層）の設置位置としては、及び陰極に隣接する位置、及び陽極に隣接する位置が挙げられる。
〔３．１０．その他の構成要素〕
電界発光素子は、封止部材を有することができる。封止部材の位置は、通常は、発光層等を挟んで基板と反対側である。電界発光素子は、カラーフィルター、蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路及び配線等の、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を有することができる。
〔４．電界発光素子の製造方法〕
本発明の電界発光素子は、例えば、電界発光素子を構成する各層を、基板上に順次積層することにより製造することができる。一例を挙げると、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を順次設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を設け、更にその上に、陰極を積層することにより、電界発光素子を製造することができる。他の例を挙げると、基板上に陰極を設け、その上に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等の各層を順次設け、更にその上に、陽極を積層することにより、電界発光素子を製造することができる。更に他の例を挙げると、陽極又は陽極上に各層を積層した陽極側基材と、陰極又は陰極上に各層を積層させた陰極側基材とを、対向させて接合することにより、電界発光素子を製造することができる。
〔５．電界発光素子の応用〕
本発明の電界発光素子を用いて、ディスプレイ装置を製造することができる。該ディスプレイ装置は、電界発光素子を１画素単位として備える。画素単位の配列の態様は、テレビ等のディスプレイ装置で通常採られる配列とすることができ、多数の画素が共通の基板上に配列された態様とすることができる。本発明のディスプレイ装置において、基板上に配列される画素は、バンクで規定される画素領域内に形成することができる。
本発明の電界発光素子は平面状や曲面状の照明装置に用いることができる。
＜光電変換素子＞
本発明の光電変換素子について以下説明する。本発明の光電変換素子は、本発明の組成物を含む層を有する光電変換素子であり、本発明の組成物を含む有機薄膜を有する光電変換素子と言い換えることができる。
本発明の光電変換素子は、例えば、陰極、陽極、前記陰極と前記陽極との間に位置する電荷分離層、及び前記電荷分離層と前記陰極又は前期陽極との間に位置する、本発明の組成物を含む層を有する。本発明の光電変換素子は、任意の構成要素として基板を有することができ、かかる基板の面上に、前記陰極、陽極、電荷分離層、本発明の組成物を含む層、及び任意の構成要素を設けた構成とすることができる。
本発明の組成物が用いられている光電変換素子の層構成としては、以下の各態様が挙げられる：
（１）基板上に陽極が設けられ、その上層に電荷分離層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陰極が積層される態様；
（２）基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、電荷分離層が積層され、更にその上層に陰極が積層される態様；
（３）基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、電荷分離層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陰極が積層される態様；
（４）陰極を基板上に設け、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、その上層に電荷分離層が積層され、更にその上層に陽極が積層される態様；
（５）陰極を基板上に設け、その上層に電荷分離層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陽極が積層される態様；
（６）陰極を基板上に設け、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、その上層に電荷分離層が積層され、その上層に本発明の組成物を含む層が積層され、更にその上層に陽極が積層される態様。
前記態様（１）〜（６）のそれぞれにおいて、更に、本発明の組成物を含む層及び電荷分離層以外の層を設けてもよい。なお、光電変換素子の構成については、下記にて別途詳述する。
〔１．本発明の組成物を含む層（本発明の有機薄膜）〕
本発明の組成物を含む層において、本発明の組成物は公知の材料と混合されていてもよい。公知の材料としては、例えば、電子供与性化合物、電子受容性化合物、金属ナノ粒子及び金属酸化物ナノ粒子が挙げられる。
本発明の組成物を含む層を形成する方法としては、例えば、組成物を含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。
このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、カルボン酸類、ハロゲン化アルキル類、複素環芳香族化合物類、チオール類、スルフィド類、チオケトン類、スルホキシド類、ニトロ化合物類及びニトリル化合物類からなる群から選ばれる１種の溶媒、及びこれらから選ばれる２種以上の混合溶媒が挙げられ、これらのうち溶解パラメーターが９．３以上である溶媒、及びこれらから選ばれる２種以上の混合溶媒が好ましい。溶解パラメーターが９．３以上である溶媒（各括弧内の値は、各溶媒の溶解パラメーターの値を表す）の例としては、水（２１．０）、メタノール（１２．９）、エタノール（１１．２）、２−プロパノール（１１．５）、１−ブタノール（９．９）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（１０．５）、アセトニトリル（１１．８）、１，２−エタンジオール（１４．７）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１１．５）、ジメチルスルホキシド（１２．８）、酢酸（１２．４）、ニトロベンゼン（１１．１）、ニトロメタン（１１．０）、１，２−ジクロロエタン（９．７）、ジクロロメタン（９．６）、クロロベンゼン（９．６）、ブロモベンゼン（９．９）、ジオキサン（９．８）、炭酸プロピレン（１３．３）、ピリジン（１０．４）、二硫化炭素（１０．０）及びこれらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。（溶解パラメーターの値は溶剤ハンドブック 第１４刷 （株）講談社参照）。
ここで、２種の溶媒（溶媒１、溶媒２とする）の混合溶媒の溶解パラメーター（δm）は、δm＝δ1×φ1＋δ2×φ2により求めることとする（上記式中、δ1は、溶媒１の溶解パラメーターであり、φ1は、溶媒１の体積分率であり、δ2は、溶媒２の溶解パラメーターであり、φ2は、溶媒２の体積分率である。）。
溶液からの成膜方法としては、例えば、印刷法及び塗布法を挙げることができ、好ましくは、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法及び反転印刷法が挙げられる。
本発明の組成物を含む層の厚さは、用いる組成物によって最適値が異なり、光電変換効率が適度な値となるように選択すればよい。該厚さは、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
〔２．光電変換素子の層構成〕
本発明の組成物が用いられている光電変換素子は、陰極、陽極、及び陰極と陽極との間に位置する電荷分離層を有し、更に、本発明の組成物を含む層を有する。本発明の組成物を含む層の位置は、電荷分離層と陰極との間、及び／又は、電荷分離層と陰極との間であることが好ましく、陰極と電荷分離層との間であることがより好ましい。
〔３．光電変換素子を構成する各層〕
〔３．１．電荷分離層〕
本発明の組成物が用いられている光電変換素子の電荷分離層には、電子供与性化合物と電子受容性化合物とが含まれていることが好ましい。
前記電荷分離層は、電子供与性化合物を１種単独で含んでいても２種以上を組み合わせて含んでいてもよい。前記電荷分離層は、電子受容性化合物を１種単独で含んでいても２種以上を組み合わせて含んでいてもよい。なお、前記電子供与性化合物及び前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
前記電子供与性化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体及び共役高分子化合物が挙げられる。前記共役高分子化合物としては、例えば、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、並びに、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。
前記電子受容性化合物としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、Ｃ60等のフラーレン類及びその誘導体、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体、酸化チタン等の金属酸化物、並びに、カーボンナノチューブが挙げられる。電子受容性化合物は、好ましくは酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン又はフラーレン誘導体であり、より好ましくはフラーレン又はフラーレン誘導体である。
電荷分離層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。
前記電荷分離層の作製方法は、如何なる方法でもよい。例えば、溶液からの成膜による方法及び真空蒸着法が挙げられる。
溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましい。
〔３．２．基板〕
本発明の組成物が用いられている光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成する際及び有機化合物物の層を形成する際に変化しない基板であればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム及びシリコンが挙げられる。不透明な基板を用いる場合には、反対の電極（即ち、基板から遠いほうの電極）が透明又は半透明であることが好ましい。
〔３．３．電極〕
前記の透明又は半透明の電極を構成する材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、及び半透明の金属薄膜が挙げられる。好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、それらの複合体（例えば、インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等）、ＮＥＳＡ、金、白金、銀及び銅が挙げられる。これらのうち、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド及び酸化スズが好ましい。
電極の作製方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
電極を構成する材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の、有機の透明導電膜を用いてもよい。更に、電極を構成する材料としては、例えば、金属及び導電性高分子を用いることができる。一対の電極のうち一方の電極を構成する材料は、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属；それらの金属から選ばれる２つ以上の金属の合金；それらの金属から選ばれる１つ以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１つ以上との合金；グラファイト；グラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金及びカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
〔３．４．中間層〕
本発明の光電変換素子の光電変換効率を向上させるための手段として、本発明の組成物を含む層及び電荷分離層以外に、中間層を光電変換素子に含めてもよい。中間層を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属のハロゲン化物（例えば、フッ化リチウム）、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属の酸化物が挙げられる。例えば、酸化チタン等無機半導体の微粒子、及びＰＥＤＯＴ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン）も挙げられる。
〔４．光電変換素子の用途〕
本発明の光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
〔５．太陽電池モジュール〕
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には、金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂、保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとる。一方、太陽電池モジュールの支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造としてもよい。太陽電池モジュールの構造として、例えば、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、及びアモルファスシリコン太陽電池等で用いられる基板一体型モジュール構造が知られている。本発明の有機薄膜太陽電池は、使用目的、使用場所及び環境に応じて、適宜これらのモジュール構造から選択される構造をとり得る。
代表的なスーパーストレートタイプ及びサブストレートタイプのモジュール構造では、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に、一定間隔にセルが配置されている。隣り合うセル同士は、金属リード又はフレキシブル配線等によって接続されている。外縁部には、集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。セルの保護及び／又は集電効率向上のため、目的に応じ、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等様々な種類のプラスチック材料を、フィルム又は充填樹脂の形で、基板とセルの間に位置させてもよい。外部からの衝撃が少ない場所等、表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成すること、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板を省略することが可能である。内部の密封のため及びモジュールの剛性を確保するため、支持基板の周囲を金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。セルそのもの、支持基板、充填材料及び封止材料に、可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体が用いられている太陽電池の場合、例えば、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより、電池本体を作製できる。
フレキシブル支持体を用いる太陽電池は、Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ，４８，ｐ３８３−３９１記載の「ＳＣＡＦ」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体が用いられている太陽電池は、曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー株式会社製：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量及び数平均分子量として求めた。測定する試料は、約０．５重量％の濃度になるようにＴＨＦに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相としてはＴＨＦを用い、０．５ｍＬ／分の流速で流した。
化合物及び高分子化合物の構造分析は、Ｖａｒｉａｎ社製３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメータ−を用いる1Ｈ−ＮＭＲ解析によって行った。測定は、２０ｍｇ／ｍＬの濃度になるように試料を可溶な重溶媒（溶媒分子中の水素原子が重水素原子で置換された溶媒）に溶解させて行った。
高分子化合物の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の軌道エネルギーは、該高分子化合物のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求めた。
高分子化合物の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の軌道エネルギーは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求めた。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置（理研計器株式会社製：ＡＣ−２）を用いた。ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差は紫外・可視・近赤外分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製：Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて高分子化合物の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求めた。なお、これらの測定には、石英基板上に高分子化合物を膜厚１００ｎｍ程度に成膜した試料を用いた。
［製造例１：２，７−ジブロモ−９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン（化合物Ａ）の合成］
２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（５２．５ｇ）、サリチル酸エチル（１５４．８ｇ）及びメルカプト酢酸（１．４ｇ）を３００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、メタンスルホン酸（６３０ｍＬ）を添加し、混合物を７５℃で終夜撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して１時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別した。得られた固体（６２．７ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチルｐ−トルエンスルホネート（８６．３ｇ）、炭酸カリウム（６２．６ｇ）、及び１８−クラウン−６（７．２ｇ）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（６７０ｍＬ）に溶解させ、溶液をフラスコへ移して１０５℃で終夜撹拌した。得られた混合物を室温まで放冷し、氷水へ加え、１時間撹拌した。反応液にクロロホルムを加えて分液抽出を行い、溶液を濃縮することで、２，７−ジブロモ−９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン(化合物Ａ)（５１．２ｇ）を得た。

化合物Ａ
［製造例２：２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン（化合物Ｂ）の合成］
窒素雰囲気下、化合物Ａ（１５ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（８．９ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（０．８ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．５ｇ）、酢酸カリウム（９．４ｇ）及びジオキサン（４００ｍＬ）を混合し、１１０℃に加熱し、１０時間加熱還流させた。放冷後、反応液をろ過し、ろ液を減圧濃縮した。反応混合物をメタノールで３回洗浄した。沈殿物をトルエンに溶解させ、溶液に活性炭を加えて攪拌した。その後、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することで、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン（化合物Ｂ）（１１．７ｇ）を得た。

化合物Ｂ
［製造例３：鈴木カップリングによるポリ［９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン］（高分子化合物Ａ）の合成］
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．５５ｇ）、化合物Ｂ（０．６１ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応液に４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸（０．０１ｇ）を加え、６時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、２時間撹拌した。混合溶液をメタノール中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、ＴＨＦに溶解させた。得られた溶液をメタノール、３重量％酢酸水溶液の混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、ＴＨＦに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をＴＨＦに溶解させ、アルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したＴＨＦ溶液を濃縮した後、メタノール中に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られたポリ［９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン］（高分子化合物Ａ）の収量は５２０ｍｇであった。
高分子化合物Ａのポリスチレン換算の数平均分子量は５．２×１０4であった。高分子化合物Ａは、式（Ａ）で表される構造単位からなる。

（Ａ)
［製造例４：山本重合によるポリ［９，９−ビス［３−エトキシカルボニル−４−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］フェニル］−フルオレン］（高分子化合物Ａ）の合成］
不活性雰囲気下、化合物Ａ（１．３１ｇ）、２，２’−ビピリジン（０．４８ｇ）、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０．８４ｇ）、ＴＨＦ（１５０ｍＬ）を混合し、５５℃で５時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶液をメタノール、水、１５重量％アンモニア水の混合液に滴下した。生じた沈殿物をろ過により収集し、減圧乾燥をした後、ＴＨＦに再溶解させた。溶液をセライトを用いてろ過した後、ろ液を減圧濃縮した。濃縮した溶液にメタノールを滴下し、生じた沈殿物をろ過により収集したのち減圧乾燥することで、高分子化合物Ａ（９７０ｍｇ）を得た。高分子化合物Ａのポリスチレン換算の数平均分子量は１．５×１０5であった。
［製造例５：高分子化合物Ａのセシウム塩（共役高分子化合物１）の合成］
製造例３に記載の方法で合成した高分子化合物Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（２０ｍＬ）及びエタノール（２０ｍＬ）を添加し、混合物を５５℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム・１水和物（２００ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、５５℃で６時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１５０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ａのセシウム塩を共役高分子化合物１と呼ぶ。共役高分子化合物１は式（Ｂ）で表される構造単位からなる。

（Ｂ）
共役高分子化合物１のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．７ｅＶであった。
［製造例６：高分子化合物Ａのカリウム塩（共役高分子化合物２）の合成］
製造例３に記載の方法で合成した高分子化合物Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（２０ｍＬ）、及びメタノール（１０ｍＬ）を混合し、混合溶液に、水酸化カリウム（４００ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール５０ｍＬを加え、更に６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１３１ｍｇ）を得た。
ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ａのカリウム塩を共役高分子化合物２と呼ぶ。共役高分子化合物２は式（Ｃ）で表される構造単位からなる。

（Ｃ）
共役高分子化合物２のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．７ｅＶであった。
［製造例７：高分子化合物Ａのナトリウム塩（共役高分子化合物３）の合成］
製造例３に記載の方法で合成した高分子化合物Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（２０ｍＬ）、及びメタノール（１０ｍＬ）を混合し、混合溶液に、水酸化ナトリウム（２６０ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール３０ｍＬを加え、更に６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１２３ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ａのナトリウム塩を共役高分子化合物３と呼ぶ。共役高分子化合物３は式（Ｄ）で表される構造単位からなる。

（Ｄ）
共役高分子化合物３のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。
［製造例８：高分子化合物Ａのアンモニウム塩（共役高分子化合物４）の合成］
製造例３に記載の方法で合成した高分子化合物Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（２０ｍＬ）、及びメタノール（１５ｍＬ）を混合し、混合溶液にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（５０ｍｇ）を水（１ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で６時間撹拌した。反応溶液にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（５０ｍｇ）を水（１ｍＬ）に溶解させた水溶液を加え、更に６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１５０ｍｇ）を得た。
ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが９０％消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ａのアンモニウム塩を共役高分子化合物４と呼ぶ。共役高分子化合物４は式（Ｅ）で表される構造単位からなる。

（Ｅ）
共役高分子化合物４のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。
［製造例９：高分子化合物Ｂの合成］
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．４０ｇ）、化合物Ｂ（０．４９ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（３５ｍｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（８ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．０１ｇ）を加え、６時間還流させた。
次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、２時間撹拌した。混合溶液をメタノール中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、ＴＨＦに溶解させた。得られた溶液をメタノール、３重量％酢酸水溶液の混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、ＴＨＦに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をＴＨＦに溶解させ、アルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したＴＨＦ溶液を濃縮した後、メタノール中に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた高分子化合物Ｂの収量は５２６ｍｇであった。
高分子化合物Ｂのポリスチレン換算の数平均分子量は３．６×１０4であった。高分子化合物Ｂは、式（Ｆ）で表される構造単位からなる。

（Ｆ）
なお、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル-２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミンは、例えば特開２００８−７４９１７号公報に記載されている方法で合成することができる。
［製造例１０：高分子化合物Ｂのセシウム塩（共役高分子化合物５）の合成］
高分子化合物Ｂ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（２０ｍＬ）及びメタノール（２０ｍＬ）を添加し混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（２００ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール３０ｍＬを加え、更に６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１５０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ｂ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ｂのセシウム塩を共役高分子化合物５と呼ぶ。共役高分子化合物５は式（Ｇ）で表される構造単位からなる。

（Ｇ）
共役高分子化合物５のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．３ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６ｅＶであった。
［製造例１１：高分子化合物Ｃの合成］
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．５５ｇ）、化合物Ｂ（０．６７ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（０．０３８ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン（０．００９ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（６ｍＬ）を滴下し、２時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．００４ｇ）を加え、６時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、２時間撹拌した。混合溶液をメタノール中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、ＴＨＦに溶解させた。得られた溶液をメタノール、３重量％酢酸水溶液の混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、ＴＨＦに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をＴＨＦに溶解させ、アルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したＴＨＦ溶液を濃縮した後、メタノール中に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた高分子化合物Ｃの収量は５９０ｍｇであった。
高分子化合物Ｃのポリスチレン換算の数平均分子量は２．７×１０4であった。高分子化合物Ｃは、式（Ｈ）で表される構造単位からなる。
（Ｈ）
なお、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、特開２００４−１３７４５６号公報に記載の方法で合成した。
［製造例１２：高分子化合物Ｃのセシウム塩（共役高分子化合物６）の合成］
高分子化合物Ｃ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（１５ｍＬ）及びメタノール（１０ｍＬ）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（３６０ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で３時間撹拌した。反応溶液にメタノール１０ｍＬを加え、更に６５℃で４時間攪拌した。
混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（２１０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ｃ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ｃのセシウム塩を共役高分子化合物６と呼ぶ。共役高分子化合物６は式（Ｉ）で表される構造単位からなる。

（Ｉ）
共役高分子化合物６のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．３ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．４ｅＶであった。
［製造例１３］
高分子化合物Ｄの合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．３７ｇ）、化合物Ｂ（０．８２ｇ）、１，３−ジブロモベンゼン（０．０９ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（６ｍＬ）を滴下し、７時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．００２ｇ）を加え、１０時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、１時間撹拌した。混合溶液をメタノール３００ｍＬ中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、ＴＨＦ２０ｍＬに溶解させた。得られた溶液をメタノール、３重量％酢酸水溶液の混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、ＴＨＦに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をＴＨＦに溶解させ、アルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したＴＨＦ溶液を濃縮した後、メタノール中に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた高分子化合物Ｄの収量は２９３ｍｇであった。
高分子化合物Ｄのポリスチレン換算の数平均分子量は１．８×１０4であった。高分子化合物Ｄは、式（Ｊ）で表される構造単位からなる。

（Ｊ）
［製造例１４：高分子化合物Ｄのセシウム塩（共役高分子化合物７）の合成］
高分子化合物Ｄ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（１０ｍＬ）、及びメタノール（５ｍＬ）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（２００ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で２時間撹拌した。反応溶液にメタノール１０ｍＬを加え、更に６５℃で５時間攪拌した。
混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１７０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ｄ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ｄのセシウム塩を共役高分子化合物７と呼ぶ。共役高分子化合物７は式（Ｋ）で表される構造単位からなる。

（Ｋ）
共役高分子化合物７のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６ｅＶであった。
［製造例１５：高分子化合物Ｅの合成］
不活性雰囲気下、化合物Ｂ（１．０１ｇ）、１，４−ジブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン（０．３０ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０２ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（６ｍＬ）を滴下し、４時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．００２ｇ）を加え、４時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、１時間撹拌した。混合溶液をメタノール中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、ＴＨＦに溶解させた。得られた溶液をメタノール、３重量％酢酸水溶液の混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、ＴＨＦに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をＴＨＦ／酢酸エチル（１／１（体積比））の混合溶媒に溶解させ、アルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したＴＨＦ溶液を濃縮した後、メタノール中に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた高分子化合物Ｅの収量は３４３ｍｇであった。
高分子化合物Ｅのポリスチレン換算の数平均分子量は６．０×１０4であった。高分子化合物Ｅは、式（Ｌ）で表される構造単位からなる。

（Ｌ）
［製造例１６：高分子化合物Ｅのセシウム塩（共役高分子化合物８）の合成］
高分子化合物Ｅ（１５０ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（１０ｍＬ）、及びメタノール（５ｍＬ）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（２６０ｍｇ）を水（２ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で２時間撹拌した。反応溶液にメタノール１０ｍＬを加え、更に６５℃で５時間攪拌した。
混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１３０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ｅ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ｅのセシウム塩を共役高分子化合物８と呼ぶ。共役高分子化合物８は式（Ｍ）で表される構造単位からなる。

（Ｍ）
共役高分子化合物８のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．９ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。
［製造例１７：１，３−ジブロモ−５−エトキシカルボニル−６−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］ベンゼンの合成］
不活性雰囲気下、３，５−ジブロモサリチル酸（２０ｇ）、エタノール（１７ｍＬ）、濃硫酸（１．５ｍＬ）、トルエン（７ｍＬ）を混合し、１３０℃で２０時間加熱攪拌した。放冷後、反応溶液を氷水（１００ｍＬ）に加え、クロロホルムで分液抽出を行い、溶液を濃縮した。得られた固体をイソプロパノールに溶解し、溶液を蒸留水に滴下した。得られた析出物をろ別することにより、固体（１８ｇ）を得た。不活性雰囲気下、得られた固体（１ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチルｐ−トルエンスルホネート（１．５ｇ）、炭酸カリウム（０．７ｇ）、ＤＭＦ（１５ｍＬ）を混合し、１００℃で４時間加熱攪拌した。放冷後、クロロホルムを加えて分液抽出し、溶液を濃縮した。
濃縮物をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラムに通液することにより精製した。溶液を濃縮することにより、１，３−ジブロモ−５−エトキシカルボニル−６−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］ベンゼン（１．０ｇ）を得た。
［製造例１８：高分子化合物Ｆの合成］
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．２ｇ）、化合物Ｂ（０．５ｇ）、１，３−ジブロモ−５−エトキシカルボニル−６−［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］ベンゼン（０．１ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（３０ｍｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（４ｍｇ）、及びトルエン（１９ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（５ｍＬ）を滴下し、５時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（６ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、２時間撹拌した。水層を除去して有機層を蒸留水で洗浄し、濃縮して得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムからの溶出液を濃縮して乾燥させた。得られた高分子化合物Ｆの収量は０．４４ｇであった。
高分子化合物Ｆのポリスチレン換算の数平均分子量は３．６×１０4であった。高分子化合物Ｆは、式（Ｎ）で表される構造単位からなる。

（Ｎ）
［製造例１９：高分子化合物Ｆのセシウム塩（共役高分子化合物９）の合成］
高分子化合物Ｆ（２００ｍｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。ＴＨＦ（１４ｍＬ）、及びメタノール（７ｍＬ）を添加し混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（９０ｍｇ）を水（１ｍＬ）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール５ｍＬを加え、更に６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１９０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物Ｆ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた高分子化合物Ｆのセシウム塩を共役高分子化合物９と呼ぶ。共役高分子化合物９は式（Ｏ）で表される構造単位からなる。

（Ｏ）
共役高分子化合物９のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。
［製造例２０：化合物Ｃの合成］
窒素雰囲気下、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（９２．０ｇ、２７２ｍｍｏｌ）、及びジエチルエーテル（３．７Ｌ）を混合して０℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌヨウ化メチルマグネシウム−ジエチルエーテル溶液（０．５Ｌ、５４５ｍｍｏｌ）を滴下して３時間撹拌した。反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｃ（９２．８１ｇ、２６２ｍｍｏｌ、収率９６％）を得た。

化合物Ｃ
［製造例２１：化合物Ｄの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｃ（８３．０ｇ、２３４ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（４．４９ｇ、２３．６ｍｍｏｌ）、及びクロロホルム（２．５Ｌ）を１時間還流し、反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、化合物Ｄ（７３．６ｇ、２１９ｍｍｏｌ、収率９３％）を得た。

化合物Ｄ
［製造例２２：化合物Ｅの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｄ（７０．０ｇ、２０８ｍｍｏｌ）、サリチル酸エチル（１０４ｇ、６２５ｍｍｏｌ）、メルカプト酢酸（４．２０ｇ、４５．６ｍｍｏｌ）、及びメタンスルホン酸（１２１４ｇ）を７０℃で８時間撹拌し、反応混合物を氷水に滴下して析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｅ（５２．１４ｇ、１０４ｍｍｏｌ、収率５０％）を得た。

化合物Ｅ
［製造例２３：化合物Ｆの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｅ（４１．２ｇ、８２．０ｍｍｏｌ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（７５．８ｇ、２３８ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（２１４ｇ）、炭酸カリウム（５４．４ｇ、３９４ｍｍｏｌ）、及び１８−クラウン−６（４．６８ｇ、１８ｍｍｏｌ）を１０５℃で２時間撹拌し、反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｆ（４０．２ｇ、６２．０ｍｍｏｌ、収率７６％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３７（３Ｈ），１．８４（３Ｈ），３．３６（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．５８−３．７９（６Ｈ），３．７３（２Ｈ），４．１２（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．８０（１Ｈ），６．９０（１Ｈ），７．２８（２Ｈ），７．４８（２Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７０（１Ｈ）．

化合物Ｆ
［製造例２４：化合物Ｇの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｆ（２８．４ｇ、４３．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２４．３０ｇ、９５．７ｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドのジクロロメタン付加物（０．３５ｇ、０．４ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２４ｇ、０．４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２５．６０ｇ、２６０ｍｍｏｌ）、及び１，４−ジオキサン（４８０ｍＬ）を１２０℃で１７時間撹拌し、反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶で精製して化合物Ｇ（１８．２２ｇ、２４．５ｍｍｏｌ、収率５６％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３０−１．４７（２７Ｈ），１．８８（３Ｈ），３．３５（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．６０−３．６９（４Ｈ），３．７３（２Ｈ），３．８４（２Ｈ），４．１０（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７４（１Ｈ），６．８７（１Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７２−７．８９（５Ｈ）．

化合物Ｇ
［製造例２５：高分子化合物Ｇの合成］
アルゴン雰囲気下、化合物Ｆ（０．４７ｇ）、化合物Ｇ（０．４８ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．６ｍｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（６ｍｇ）、トルエン（６ｍＬ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を１０５℃で６時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３５ｍｇ）を加え１０５℃で１４時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．６５ｇ）と水（１３ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｇ（０．５７ｇ）を得た。
高分子化合物Ｇのポリスチレン換算の数平均分子量は２．０×１０4であった。高分子化合物Ｇは、式（Ｐ）で表される構造単位からなる。

（Ｐ）
［製造例２６：高分子化合物Ｇのセシウム塩（共役高分子化合物１０）の合成］
アルゴン雰囲気下、高分子化合物Ｇ（０．２０ｇ）、ＴＨＦ（１８ｍＬ）、メタノール（９ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（９７ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（５２ｍＬ）を加え６５℃で６時間撹拌した。反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｇのセシウム塩（０．２０ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｇのセシウム塩を共役高分子化合物１０と呼ぶ。共役高分子化合物１０は、式（Ｑ）で表される構造単位からなる。

（Ｑ）
共役高分子化合物１０のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５１ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６４ｅＶであった。
［製造例２７：高分子化合物Ｈの合成］
アルゴン雰囲気下、化合物Ｆ（０．５２８ｇ）、化合物Ｇ（０．４９３ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５６ｍｇ）、Ｎ，Ｎ’-ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（３５．８ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（８．１０ｍｇ、０．０２００ｍｍｏｌ）、トルエン（２０ｍＬ）及び２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）を１０５℃で６時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３５ｍｇ）を加え１０５℃で１４時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）と水（１４ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮し乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｈ（０．３１ｇ）を得た。
高分子化合物Ｈのポリスチレン換算の数平均分子量は１．８×１０4であった。高分子化合物Ｈは、式（Ｒ）で表される構造単位からなる。

（Ｒ）
［製造例２８：高分子化合物Ｈのセシウム塩（共役高分子化合物１１）の合成］
アルゴン雰囲気下、高分子化合物Ｈ（０．１５ｇ）、ＴＨＦ（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１０３ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）を加え６５℃で２時間撹拌した。反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥して、高分子化合物Ｈのセシウム塩（０．１５ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｈのセシウム塩を、共役高分子化合物１１と呼ぶ。共役高分子化合物１１は、式（Ｓ）で表される構造単位からなる。

（Ｓ）
共役高分子化合物１１のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．２３ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．３６ｅＶであった。
［製造例２９：２，７−ジブロモ−９，９−ビス（３，４−ジヒドロキシ）−フルオレンの合成］
窒素気流下、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（１２１．９ｇ）、カテコール（８８３．１ｇ）、及び３−メルカプトプロピオン酸（４．８７ｇ）、濃硫酸（１８．４ｇ）を混合し、１２５℃で２時間撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して生じた固体をろ別した。得られた固体をエタノールに溶解させ、エタノール溶液をヘキサンに添加し生じた固体をろ別することで、下記の構造式で表される、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（３，４−ジヒドロキシ）−フルオレン（１６８．１ｇ）を得た。
［製造例３０：化合物Ｈの合成］
窒素気流下、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（３，４−ジヒドロキシ）−フルオレン（１３８．４ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（４０８．６ｇ）、炭酸カリウム（３５８．５ｇ）及びアセトニトリル（２．５Ｌ）を混合し、３時間加熱還流した。放冷後、反応混合物をろ別し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し化合物Ｈ（１０９．４）を得た。

化合物Ｈ
［製造例３１：化合物Ｉの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｈ（１０１．２ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（５３．１ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（３．７ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（５．４ｇ）、酢酸カリウム（９０．６ｇ）及びジオキサン（９００ｍＬ）を混合し、１１０℃に加熱し、８時間加熱還流させた。放冷後、反応液をろ過し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して化合物Ｉ（５１．４ｇ）を得た。

化合物Ｉ
［製造例３２：高分子化合物Ｉの合成］
化合物Ｇ（０．３６０ｇ）、化合物Ｉ（０．２７３ｇ）、化合物Ｈ（０．４９３ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（３５．８ｍｇ）、ａｌｉｑｕｏｔ３３６（８．１０ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．１２ｍｇ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１５ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を１０５℃で６時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３９ｍｇ）を加え１０５℃で６時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）と水（１４ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮し乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｉ（０．４１ｇ）を得た。
高分子化合物Ｉのポリスチレン換算の数平均分子量は２．０×１０4であった。高分子化合物Ｉは、式（Ｔ）で表される構造単位からなる。

（Ｔ）
［製造例３３：高分子化合物Ｉのセシウム塩（共役高分子化合物１２）の合成］
アルゴン雰囲気下、高分子化合物Ｉ（０．１５ｇ）、ＴＨＦ（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１０３ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）を加え６５℃で２時間撹拌した。反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｉのセシウム塩（０．１７ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｉのセシウム塩を、共役高分子化合物１２と呼ぶ。共役高分子化合物１２は、式（Ｕ）で表される構造単位からなる。

（Ｕ）
共役高分子化合物１２のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．２５ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．３８ｅＶであった。
［製造例３４：高分子化合物Ｊの合成］
化合物Ｉ（０．７１５ｇ）、化合物Ｆ（０．４２６ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（６．６０ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．４６０ｍｇ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を加えて、１０５℃で攪拌した。トルエン（２０ｍＬ）を１０５℃で５時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３２ｍｇ）を加え１０５℃で６時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）と水（１４ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮し乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｊ（０．５５ｇ）を得た。
高分子化合物Ｊのポリスチレン換算の数平均分子量は２．３×１０4であった。高分子化合物Ｊは、式（Ｖ）で表される構造単位からなる。

（Ｖ）
［製造例３５：高分子化合物Ｊのセシウム塩（共役高分子化合物１３）の合成］
アルゴン雰囲気下、高分子化合物Ｊ（０．１５ｇ）、ＴＨＦ（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１０３ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）を加え６５℃で２時間撹拌した。反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過した。得られたろ液を濃縮して乾燥し、得られた固体を水で洗浄した後、乾燥させることで、高分子化合物Ｊのセシウム塩（０．１４ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｊのセシウム塩を共役高分子化合物１３と呼ぶ。共役高分子化合物１３は、式（Ｗ）で表される構造単位からなる。

（Ｗ）
共役高分子化合物１３のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６７ｅＶであった。
［製造例３６：化合物Ｊの合成］
窒素雰囲気下、５−ブロモ−２−ヒドロキシ安息香酸（９２．８５ｇ）、エタノール（１１４０ｍＬ）、及び濃硫酸（４５ｍＬ）を４８時間還流し、減圧濃縮した後に酢酸エチルを加え、水及び１０重量％炭酸ナトリウム水溶液で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｊ（９５．３８ｇ、収率９１％）を得た。

化合物Ｊ
［製造例３７：化合物Ｋの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｊ（９５．０ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１０８．５ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドのジクロロメタン付加物（３．３ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２．２ｇ）、酢酸カリウム（１１７．２ｇ）、及び１，４−ジオキサン（１．３Ｌ）を１０５℃で２２時間撹拌し、反応混合物をろ過してジオキサン及びトルエンで洗浄した。ろ液を減圧濃縮して酢酸エチルを加え、飽和食塩水で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｋ（９０．１ｇ、３０８ｍｍｏｌ）を得た。

化合物Ｋ
［製造例３８：化合物Ｌの合成］
窒素雰囲気下、１，５−ジヒドロキシナフタレン（１５．０ｇ）、トリエチルアミン（２８．５ｇ）、及びクロロホルム（１５０ｍＬ）を混合して０℃に冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（６８．７ｇ）を滴下して１時間撹拌した。反応混合物に水、及びクロロホルムを加えて水層を除去し、有機層を水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、得られた固体を再結晶で精製し、化合物Ｌ（３１．４６ｇ）を得た。下記式中、Ｔｆは、トリフルオロメチルスルホニル基を示す。

化合物Ｌ
［製造例３９：化合物Ｍの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｌ（１６．９０ｇ）、化合物Ｋ（２３．３０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．６０ｇ）、リン酸カリウム（４２．３０ｇ）、及び１，２−ジメトキシエタン（３４０ｍＬ）を８０℃で１４時間撹拌し、反応混合物をろ過してクロロホルム及びメタノールで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｍ（８．８５ｇ）を得た。

化合物Ｍ
［製造例４０：化合物Ｎの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｍ（８．８０ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（１２．５２ｇ）、ジメチルホルムアミド（３８０ｍＬ）、炭酸カリウム（１３．３２ｇ）、及び１８−クラウン−６（１．０２ｇ）を１００℃で２３時間撹拌し、反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｎ（７．３８ｇ）を得た。

化合物Ｎ
［製造例４１：化合物Ｏの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｎ（５．５３ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１１．２５ｇ）、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）二量体（０．１５ｇ、シグマアルドリッチ社製）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（０．１２ｇ、シグマアルドリッチ社製）、及び１，４−ジオキサン（３００ｍＬ）を１１０℃で１９時間撹拌し、反応混合物を減圧濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶で精製して化合物Ｏ（５．８１ｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．２７−１．４１（３０Ｈ），３．３９（６Ｈ），３．５７（４Ｈ），３．６６−３．７５（８Ｈ），３．８３（４Ｈ），３．９９（４Ｈ），４．２７−４．４２（８Ｈ），７．１３（２Ｈ），７．６０（２Ｈ），７．７６（２Ｈ），７．９３（２Ｈ），８．３０（２Ｈ）．

化合物Ｏ
［製造例４２：高分子化合物Ｋの合成］
アルゴン雰囲気下、化合物Ｈ（０．５３ｇ）、化合物Ｏ（０．４３ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（５ｍｇ、シグマアルドリッチ社製）、トルエン（１２ｍＬ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１ｍＬ）を１０５℃で９時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（２３ｍｇ）を加え１０５℃で１４時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．４０ｇ）と水（８ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液をメタノール中に滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｋ（０．５６ｇ）を得た。
高分子化合物Ｋのポリスチレン換算の数平均分子量は３．４×１０4であった。高分子化合物Ｋは、式（Ｗ）で表される構造単位からなる。

（Ｗ）
［製造例４３：高分子化合物Ｋのセシウム塩（共役高分子化合物１４）の合成］
アルゴン雰囲気下、高分子化合物Ｋ（０．２５ｇ）、ＴＨＦ（１３ｍＬ）、メタノール（６ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（６９ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で６時間撹拌し、反応混合物を濃縮してイソプロパノールに滴下し、固体をろ過で回収して乾燥した。固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｋのセシウム塩（０．１９ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｋのセシウム塩を共役高分子化合物１４と呼ぶ。共役高分子化合物１４は、式（Ｘ）で表される構造単位からなる。

（Ｘ）
共役高分子化合物１４のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５０ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６５ｅＶであった。
［製造例４４：化合物Ｐの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｋ（６０．０１ｇ）、１，４−ジブロモ−２−ヨードベンゼン（１１１．６１ｇ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００８，８８８−８９０記載の方法で合成した）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１２．３２ｇ）、炭酸銀（８４．９５ｇ）、及びＴＨＦ（１２００ｍＬ）を６５℃で１１時間撹拌し、反応混合物をろ過してＴＨＦ及びトルエンで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｐ（３６．８２ｇ）を得た。

化合物Ｐ
［製造例４５：化合物Ｑの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｐ（２２．０ｇ）、２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（１７．８ｇ）、ジメチルホルムアミド（３７０ｍＬ）、炭酸カリウム（１８．３１ｇ）、及び１８−クラウン−６（２．３０ｇ）を９５℃で１４時間撹拌し、反応混合物に水を加え酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｑ（２６．３０ｇ）を得た。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３８（３Ｈ），３．３８（３Ｈ），３．５５（２Ｈ），３．６２−３．７１（４Ｈ），３．７８（２Ｈ），３．９３（２Ｈ），４．２５（２Ｈ），４．３６（２Ｈ），７．０４（１Ｈ），７．３２（１Ｈ），７．４４−７．５３（３Ｈ），７．８０（１Ｈ）．

化合物Ｑ
［製造例４６：高分子化合物Ｌの合成］
アルゴン雰囲気下、化合物Ｉ（１．０９ｇ）、化合物Ｑ（０．４１ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．１ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）（８ｍｇ）、トルエン（１８ｍＬ）及び２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を１０５℃で２３時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３７ｍｇ）を加え１０５℃で６時間撹拌した。反応混合物に水を加えて撹拌し、有機層を減圧濃縮して高分子化合物Ｌ（１．２６ｇ）を得た。
高分子化合物Ｌのポリスチレン換算の数平均分子量は８×１０3であった。高分子化合物Ｌは、式（Ｙ）で表される構造単位からなる。

（Ｙ）
［製造例４７：高分子化合物Ｌのセシウム塩（共役高分子化合物１５）の合成］
アルゴン雰囲気下、高分子化合物Ｌ（０．２０ｇ）、ＴＨＦ（１３ｍＬ）、メタノール（６ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（４０ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を７０℃で４時間撹拌し、反応混合物を減圧濃縮した。固体に水を加えてろ過し、固体を乾燥して高分子化合物Ｌのセシウム塩（０．１９ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｌのセシウム塩を共役高分子化合物１５と呼ぶ。共役高分子化合物１５は、式（Ｚ）で表される構造単位からなる。

（Ｚ）
共役高分子化合物１５のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６７ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．５９ｅＶであった。
［実施例１：組成物１の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と水酸化セシウムからなる組成物１を得た。
［実施例２：組成物２の作製］
共役高分子化合物２（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物２と水酸化セシウムからなる組成物２を得た。
［実施例３：組成物３の作製］
共役高分子化合物３（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物３と水酸化セシウムからなる組成物３を得た。
［実施例４：組成物４の作製］
共役高分子化合物４（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物４と水酸化セシウムからなる組成物４を得た。
［実施例５：組成物５の作製]
共役高分子化合物５（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物５と水酸化セシウムからなる組成物５を得た。
［実施例６：組成物６の作製］
共役高分子化合物６（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物６と水酸化セシウムからなる組成物６を得た。
［実施例７：組成物７の作製］
共役高分子化合物７（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物７と水酸化セシウムからなる組成物７を得た。
［実施例８：組成物８の作製］
共役高分子化合物８（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物８と水酸化セシウムからなる組成物８を得た。
［実施例９：組成物９の作製］
共役高分子化合物９（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物９と水酸化セシウムからなる組成物９を得た。
［実施例１０：組成物１０の作製］
共役高分子化合物１０（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１０と水酸化セシウムからなる組成物１０を得た。
［実施例１１：組成物１１の作製］
共役高分子化合物１１（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１１水酸化セシウムからなる組成物１１を得た。
［実施例１２：組成物１２の作製］
共役高分子化合物１２（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１２と水酸化セシウムからなる組成物１２を得た。
［実施例１３：組成物１３の作製］
共役高分子化合物１３（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１３と水酸化セシウムからなる組成物１３を得た。
［実施例１４：組成物１４の作製］
共役高分子化合物１４（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１４と水酸化セシウムからなる組成物１４を得た。
［実施例１５：組成物１５の作製］
共役高分子化合物１５（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１５と水酸化セシウムからなる組成物１５を得た。
［実施例１６：組成物１６の作製］
共役高分子化合物１０（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．１ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１０と水酸化セシウムからなる組成物１６を得た。
［実施例１７：組成物１７の作製］
共役高分子化合物１０（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．４ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１０と水酸化セシウムからなる組成物１７を得た。
［実施例１８：組成物１８の作製］
共役高分子化合物１０（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（１ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１０と水酸化セシウムからなる組成物１８を得た。
［実施例１９：組成物１９の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と酢酸セシウム（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と酢酸セシウムからなる組成物１９を得た。
［実施例２０：組成物２０の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と安息香酸セシウム（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と安息香酸セシウムからなる組成物２０を得た。
［実施例２１：組成物２１の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と安息香酸ナトリウム（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と安息香酸ナトリウムからなる組成物２１を得た。
［製造例４８：化合物Ｒの合成］
窒素雰囲気下、サリチル酸エチル（５．０ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（１０．１ｇ）、炭酸カリウム（６．２４ｇ）、ジメチルホルムアミド（２０ｍＬ）を１００℃で３時間撹拌し、反応混合物を水に加えクロロホルムで抽出した。有機層を水洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｒ（８．７８ｇ）を得た。

化合物Ｒ
［製造例４９：化合物Ｓの合成］
窒素雰囲気下、化合物Ｒ（１．００ｇ）、メタノール（５ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（０．５７ｇ）、及び水（２ｍＬ）を８０℃で５時間撹拌し、反応混合物を減圧濃縮した。固体を乾燥して化合物Ｓ（１．３６ｇ）を得た。

化合物Ｓ
［実施例２２：組成物２２の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と化合物Ｓ（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と化合物Ｓからなる組成物２２を得た。
［実施例２３：組成物２３の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）とカリウムメトキシド（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１とカリウムメトキシドからなる組成物２３を得た。
［実施例２４：組成物２４の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と炭酸セシウム（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と炭酸セシウムからなる組成物２４を得た。
［実施例２５：組成物２５の作製］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）とテトラフェニルボロン酸ナトリウム（０．２ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１とテトラフェニルボロン酸ナトリウムからなる組成物２５を得た。
［実施例２６：電界発光素子１の作製］
ガラス基板表面に成膜パターニングされたＩＴＯ陽極（厚さ：４５ｎｍ）上に、正孔注入材料溶液を塗布し、スピンコート法によって厚さが６０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。正孔注入層が成膜されたガラス基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、２００℃で１０分加熱して正孔注入層を不溶化させ、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。
ここで正孔注入材料溶液には、Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社から入手した、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００を用いた。
次に、正孔輸送性高分子材料Ａとキシレンとを混合し、０．７重量％の正孔輸送性高分子材料Ａを含む正孔輸送層形成用組成物Ａを得た。
ここで、正孔輸送性高分子材料Ａは、以下の方法で合成した。
不活性ガス雰囲気下、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（１．４ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（６．４ｇ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ'−ビス（４−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（４．１ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）ベンゾシクロブテンアミン（０．６ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（１．７ｇ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０３ｇ）、トルエン（１００ｍＬ）を混合し、混合物を、１００℃で２時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸（０．０６ｇ）を添加し、得られた混合物を１０時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し攪拌した後、水層を除去し、有機層を水、３重量％酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた後、濾取したポリマーを再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。ポリマーを含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾取後５０℃で真空乾燥し、正孔輸送性高分子材料Ａを得た。正孔輸送性高分子材料Ａのポリスチレン換算の重量平均分子量は３．０×１０5であった。
上記で得た正孔注入層が形成された基板の正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物Ａをスピンコート法により塗布し、厚さ２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１８０℃で６０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。
次に、発光高分子材料Ａとキシレンとを混合し、１．４重量％の発光高分子材料Ａを含む発光層形成用組成物Ａを得た。
ここで、発光高分子材料Ａは、以下の方法で合成した。
不活性ガス雰囲気下、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（９．０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（１．３ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル-１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１３．４ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（４３．０ｇ）、酢酸パラジウム（８ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０５ｇ）、トルエン（２００ｍＬ）を混合し、混合物を、９０℃で８時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸（０．２２ｇ）を添加し、得られた混合物を１４時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し撹拌した後、水層を除去し、有機層を水、３重量％酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた後、濾取したポリマーを再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。ポリマーを含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを５０℃で真空乾燥し、発光高分子材料Ａ（１２．５ｇ）を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによれば、得られた発光高分子材料Ａのポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０5であった。
上記で得た正孔輸送層が形成された基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物Ａをスピンコート法により塗布し、厚さ８０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。
メタノールと組成物１とを混合し、０．２重量％の組成物１を含む溶液を得た。上記で得た発光層が形成された基板の発光層の上に、前記溶液をスピンコート法により塗布し、厚さ１０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、組成物１を含む層が形成された基板を得た。
上記で得た組成物１を含む層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によって該層の上にＡｌを８０ｎｍ成膜し、陰極を形成させて、積層構造体１を製造した。
上記で得た積層構造体１を真空装置より取り出し、不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）で、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止し、電界発光素子１を得た。
［実施例２７：電界発光素子２の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２を得た。
［実施例２８：電界発光素子３の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物３を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子３を得た。
［実施例２９：電界発光素子４の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物４を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子４を得た。
［実施例３０：電界発光素子５の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物５を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子５を得た。
［実施例３１：電界発光素子６の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物６を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子６を得た。
［実施例３２：電界発光素子７の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物７を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子７を得た。
［実施例３３：電界発光素子８の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物８を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子８を得た。
［実施例３４：電界発光素子９の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物９を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子９を得た。
［実施例３５：電界発光素子１０の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１０を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１０を得た。
［実施例３６：電界発光素子１１の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１１を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１１を得た。
［実施例３７：電界発光素子１２の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１２を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１２を得た。
［実施例３８：電界発光素子１３の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１３を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１３を得た。
［実施例３９：電界発光素子１４の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１４を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１４を得た。
［実施例４０：電界発光素子１５の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１５を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１５を得た。
［実施例４１：電界発光素子１６の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１６を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１６を得た。
［実施例４２：電界発光素子１７の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１７を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１７を得た。
［実施例４３：電界発光素子１８の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１８を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１８を得た。
［実施例４４：電界発光素子１９の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物１９を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子１９を得た。
［実施例４５：電界発光素子２０の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２０を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２０を得た。
［実施例４６：電界発光素子２１の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２１を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２１を得た。
［実施例４７：電界発光素子２２の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２２を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２２を得た。
［実施例４８：電界発光素子２３の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２３を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２３を得た。
［実施例４９：電界発光素子２４の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２４を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２４を得た。
［実施例５０：電界発光素子２５の作製］
実施例２６において、組成物１の代わりに組成物２５を用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２５を得た。
［実施例５１：電界発光素子２６の作製］
実施例２６において、Ａｌの代わりにＡｇを用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２６を得た。
［実施例５２：電界発光素子２７の作製］
実施例２６において、Ａｌの代わりにＡｕを用いた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子２７を得た。
［比較例１：電界発光素子Ａ１の作製］
実施例２６において、組成物１を含む層を形成させずに、直接発光層の上に陰極を形成させた以外は、実施例２６と同様にして、電界発光素子Ａ１を得た。
［比較例２：電界発光素子Ａ２の作製］
実施例５１において、組成物１を含む層を形成させずに、直接発光層の上に陰極を形成させた以外は、実施例５１と同様にして、電界発光素子Ａ２を得た。
［比較例３：電界発光素子Ａ３の作製］
実施例５２において、組成物１を含む層を形成させずに、直接発光層の上に陰極を形成させた以外は、実施例５２と同様にして、電界発光素子Ａ３を得た。
［電界発光素子の評価］
上記で得られた電界発光素子１〜２７及び電界発光素子Ａ１〜Ａ３に１０Ｖの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。結果を表１に示す。
［製造例５０：銀ナノ構造体Ａの合成］
５ｍＬのエチレングリコールを入れた容量５０ｍＬのフラスコを１５０℃のオイルバスに浸漬し、エチレングリコールを６０分間空気でバブリングしながら、予備加熱を行った。予備加熱後に、空気から窒素ガスに切り替えてフラスコ内の雰囲気を窒素ガスで置換し、バブリングを止めた。次いで、そこに、０．１Ｍの硝酸銀一エチレングリコール溶液を１．５ｍＬと、０．１５ｍｏｌ／Ｌのボリビニルピロリドン（以下、「ＰＶＰ」ということがある。シグマアルドリッチ社製、カタログ記載の重量平均分子量：５．５×１０４）−エチレングリコール溶液を１．５ｍＬと、４，ｍｏｌ／Ｌの塩化銅２水和物一エチレングリコール溶液を４０以Ｌとを入れ、１２０分間撹枠したところ、銀ナノ構造体の分散液が得られた。得られた分散液を４０℃まで冷却した後、遠心分離して、沈殿物を取得した。取得した沈殿物を乾燥して、銀ナノ構造体（以下、「銀ナノ構造体Ａ」という。）を得た。
得られた銀ナノ構造体Ａを走査型電子顕微鏡（日本電子社製、商品名：ＪＳＭ−５５００）（以下、「ＳＥＭ」という。）による写真を用いて目視で確認したところ、形状はワイヤー状であり、最も短い径の平均値は約３０ｎｍであり、最も長い径の平均値は約１５μｍであった。前記方法により確認した少なくとも１０個の銀ナノ構造体Ａのアスペクト比の平均値は約５００であった。
［製造例５１：組成物２６の合成］
共役高分子化合物１（２ｍｇ）と水酸化セシウム１水和物（０．７ｍｇ）を混合し、共役高分子化合物１と水酸化セシウムからなる組成物２６を得た。
［製造例５２：陰極用組成物Ａの合成］
銀ナノ構造体Ａ（１０．０ｍｇ）に、１．３ｍＬの水を混合して、１時間攪拌を行うことで陰極用組成物Ａを調製した。
［実施例５３：電界発光素子２８の作製］
ガラス基板表面に成膜パターニングされたＩＴＯ陽極（厚さ：４５ｎｍ）上に、正孔注入材料溶液を塗布し、スピンコート法によって厚さが７０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。正孔注入層が成膜されたガラス基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、２００℃で１０分加熱して正孔注入層を不溶化させ、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。
ここで正孔注入材料溶液には、ポリ（３，４‐エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ製、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標） Ｐ ＶＰ ＡＩ ４０８３）を用いた。
次に、正孔輸送性高分子材料Ａとキシレンとを混合し、０．６重量％の正孔輸送性高分子材料Ａを含む正孔輸送層形成用組成物Ｂを得た。
上記で得た正孔注入層が形成された基板の正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物Ｂをスピンコート法により塗布し、厚さ３３ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、２００℃で２０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。
次に、発光高分子材料Ａとキシレンとを混合し、１．３重量％の発光高分子材料Ａを含む発光層形成用組成物Ｂを得た。
上記で得た正孔輸送層が形成された基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物Ｂをスピンコート法により塗布し、厚さ９９ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１３０℃で１５分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。
メタノールと組成物２６とを混合し、０．２重量％の組成物２６を含む溶液を得た。上記で得た発光層が形成された基板の発光層の上に、前記溶液をスピンコート法により塗布し、厚さ１０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、組成物２６を含む層が形成された基板を得た。
陰極用組成物Ａをキャスティング法により、上記で得た組成物２６を含む層が形成された基板上に塗布し、厚さ約２００ｎｍの塗膜を形成した。この塗膜を形成した基板を窒素雰囲気下で、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させることにより、陰極が形成された積層構造体２を得た。
上記で得た積層構造体２を、不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）で、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止し、電界発光素子２８を得た。
［実施例５４：電界発光素子２９の作製］
実施例５３において、陰極用組成物Ａの代わりに、数平均フェレー径が７ｎｍの銀ナノ粒子の分散液である陰極用組成物Ｂ（ＮＰＳ−ＪＬ、ハリマ化成製、銀粒子のアスペクト比：１．０）をキャスティング法により、塗布し、厚さ約２００ｎｍの塗膜を形成させ、この塗膜を形成した基板を窒素雰囲気下で、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させることにより、陰極を形成させた以外は、実施例５３と同様にして、電界発光素子２９を得た。
［比較例４：電界発光素子Ａ４の作製］
実施例５３において、組成物２６を含む層を形成しなかった以外は、実施例５３と同様にして、電界発光素子Ａ４を作製した。
［比較例５：電界発光素子Ａ５の作製］
実施例５４において、組成物２６を含む層を形成しなかった以外は、実施例５４と同様にして、電界発光素子Ａ５を作製した。
［電界発光素子の評価］
上記で得られた電界発光素子２８〜２９及び電界発光素子Ａ４〜Ａ５に１４Ｖの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。結果を表２に示す。
表１および表２から明らかなように、本発明の組成物を含む電界発光素子は、該組成物を含まない電界発光素子に比べ、高輝度で発光する。また、本発明の組成物を含む電界発光素子は、該組成物を含まない電界発光素子に比べ、高発光効率である。

Claims (20)

  1. 式（１）で表される構造単位、式（３）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位、式（１６）で表される構造単位、式（１８）で表される構造単位、式（２０）で表される構造単位及び式（２２）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物と、
    式（２３）で表されるイオン性化合物と
    を含む組成物。

    （式（１）中、Ｒ1は、式（２）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ1は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１）価の芳香族基である。ｎ１は、１以上の整数である。複数個のＲ1が存在する場合、各々のＲ1は互いに同一でも異なっていてもよい。）
    −Ｒ2−｛（Ｑ1）n2−Ｙ1（Ｍ1）a1｝m1 （２）
    （式（２）中、Ｒ2は、単結合、又は、（１＋ｍ１）価の有機基である。Ｑ1は、２価の有機基である。Ｙ1は、−ＣＯ2 -、−ＳＯ3 -、−ＳＯ2 -、−ＰＯ3 2-又は−Ｂ（Ｒα）3 -である。Ｍ1は、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。ｎ２は、０以上の整数である。ａ１は、１以上の整数である。但し、ａ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。Ｒαは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。各々のＲαは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ１は、１以上の整数である。但し、Ｒ2が単結合である場合、ｍ１は１である。複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は互いに同一でも異なっていてもよい。）

    （式（３）中、Ｒ3は、式（４）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ2は、Ｒ3以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ３）価の芳香族基である。ｎ３は、１以上の整数である。複数個のＲ3が存在する場合、各々のＲ3は互いに同一でも異なっていてもよい。）
    −Ｒ4−｛（Ｑ2）n4−Ｙ2（Ｍ2）a2｝m2 （４）
    （式（４）中、Ｒ4は、単結合、又は、（１＋ｍ２）価の有機基である。Ｑ2は、２価の有機基である。Ｙ2は、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。Ｍ2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒb）4 -、ＲbＳＯ3 -、ＲbＣＯＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＨＳＯ4 -、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。ｎ４は、０以上の整数である。ａ２は、１である。Ｒbは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。複数個のＲbが存在する場合、各々のＲbは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ２は、１以上の整数である。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ２は、１である。複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。）

    （式（５）中、Ｒ5は、式（６）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ3は、Ｒ5以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ５）価の芳香族基である。ｎ５は、１以上の整数である。複数個のＲ5が存在する場合、各々のＲ5は互いに同一でも異なっていてもよい。）
    −Ｒ6−｛（Ｑ3）n6−Ｙ3｝m3 （６）
    （式（６）中、Ｒ6は、単結合、又は、（１＋ｍ３）価の有機基である。Ｑ3は、２価の有機基である。Ｙ3は、シアノ基又は式（７）〜（１５）のいずれかで表される基である。ｎ６は、０以上の整数である。ｍ３は、１以上の整数である。但し、Ｒ6が単結合である場合、ｍ３は、１である。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）
    −Ｏ−（Ｒ’Ｏ）a3−Ｒ’’ （７）

    −Ｓ−（Ｒ’Ｓ）a4−Ｒ’’ （９）
    −Ｃ（＝Ｏ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ））a4−Ｒ’’ （１０）
    −Ｃ（＝Ｓ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｓ））a4−Ｒ’’ （１１）
    −Ｎ｛（Ｒ’）a4Ｒ’’｝2 （１２）
    −Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）a4−Ｒ’’ （１３）
    −Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’Ｏ）a4−Ｒ’’ （１４）
    −ＮＨＣ（＝Ｏ）−（Ｒ’ＮＨＣ（＝Ｏ））a4−Ｒ’’ （１５）
    （式（７）〜（１５）中、Ｒ’は、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。Ｒ’’は、水素原子、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、−ＮＲc 2、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲc 2である。Ｒ’’’は、置換基を有していてもよい３価の炭化水素基である。ａ３は、１以上の整数である。ａ４は、０以上の整数である。Ｒcは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。各々のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ’が存在する場合、各々のＲ’は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ’’が存在する場合、各々のＲ’’は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のａ４が存在する場合、各々のａ４は互いに同一でも異なっていてもよい。）

    （式（１６）中、Ｒ7は、式（１７）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ4は、Ｒ7以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ７）価の芳香族基である。ｎ７は、１以上の整数である。複数個のＲ7が存在する場合、各々のＲ7は互いに同一でも異なっていてもよい。）

    （式（１７）中、Ｒ8は、（１＋ｍ４＋ｍ５）価の有機基である。Ｑ1、Ｑ3、Ｙ1、Ｍ1、Ｙ3、ｎ２、ａ１及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ４及びｍ５は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＱ1が存在する場合、各々のＱ1は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ1が存在する場合、各々のＹ1は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ1が存在する場合、各々のＭ1は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ２が存在する場合、各々のｎ２は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のａ１が存在する場合、各々のａ１は相互に同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は相互に同一でも異なっていてもよい。）

    （式（１８）中、Ｒ9は、式（１９）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ5は、Ｒ9以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ８）価の芳香族基である。ｎ８は、１以上の整数である。複数個のＲ9が存在する場合、各々のＲ9は相互に同一でも異なっていてもよい。）

    （式（１９）中、Ｒ10は、（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基である。Ｑ2、Ｑ3、Ｙ2、Ｍ2、Ｙ3、ｎ４、ａ２及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ６及びｍ７は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＱ2が存在する場合、各々のＱ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ2が存在する場合、各々のＹ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＭ2が存在する場合、各々のＭ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ４が存在する場合、各々のｎ４は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）

    （式（２０）中、Ｒ11は、前記式（２）で表される基又は前記式（１７）で表される基を含む１価の基である。Ｒ12は、式（２１）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ6は、Ｒ11及びＲ12以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基である。ｎ９及びｎ１０は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＲ11が存在する場合、各々のＲ11は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ12が存在する場合、各々のＲ12は互いに同一でも異なっていてもよい。）
    −Ｒ13−｛（Ｑ3）n6−Ｙ3｝m8 （２１）
    （式（２１）中、Ｒ13は、単結合、又は、（１＋ｍ８）価の有機基である。Ｑ3、Ｙ3及びｎ６は、前述と同じ意味である。ｍ８は、１以上の整数である。但し、Ｒ13が単結合である場合、ｍ８は、１である。複数個のＱ3が存在する場合、各々のＱ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＹ3が存在する場合、各々のＹ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のｎ６が存在する場合、各々のｎ６は互いに同一でも異なっていてもよい。）

    （式（２２）中、Ｒ14は、前記式（４）で表される基又は前記式（１９）で表される基を含む１価の基である。Ｒ15は、前記式（２１）で表される基を含む１価の基である。Ａｒ7は、Ｒ14及びＲ15以外の置換基を有していてもよい（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基である。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立に１以上の整数である。複数個のＲ14が存在する場合、各々のＲ14は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＲ15が存在する場合、各々のＲ15は互いに同一でも異なっていてもよい。）
    （Ｍ3）a5（Ｚ3）b1 （２３）
    （式（２３）中、Ｍ3は、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンである。Ｚ3は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒp）4 -、ＲpＳＯ3 -、ＲpＣＯＯ-、ＲpＯ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2 -、ＣｌＯ3 -、ＣｌＯ4 -、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3 -、ＣＯ3 2-、ＳＯ4 2-、ＨＳＯ4 -、ＰＯ4 3-、ＨＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -、ＢＦ4 -又はＰＦ6 -である。ａ５は、１以上の整数である。ｂ１は、１以上の整数である。但し、ａ５及びｂ１は、式（２３）で表されるイオン性化合物の電荷が０となるように選択される。Ｒpは、置換基を有していてもよい１価の有機基である。複数個のＲpが存在する場合、各々のＲpは互いに同一でも異なっていてもよい。）
  2. Ａｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  3. Ａｒ1で表される（２＋ｎ１）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ１個の水素原子を除いた基である、請求項２に記載の組成物。
  4. Ａｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ３）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  5. Ａｒ2で表される（２＋ｎ３）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ３個の水素原子を除いた基である、請求項４に記載の組成物。
  6. Ａｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  7. Ａｒ3で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ５個の水素原子を除いた基である、請求項６に記載の組成物。
  8. Ａｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ７）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  9. Ａｒ4で表される（２＋ｎ７）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ７個の水素原子を除いた基である、請求項８に記載の組成物。
  10. Ａｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基が、式１〜４、６、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ８）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  11. Ａｒ5で表される（２＋ｎ８）価の芳香族基が、式１’、３’、６’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基からｎ８個の水素原子を除いた基である、請求項１０に記載の組成物。
  12. Ａｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基が、式１〜４、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ９＋ｎ１０）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  13. Ａｒ6で表される（２＋ｎ９＋ｎ１０）価の芳香族基が、式１’、３’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基から（ｎ９＋ｎ１０）個の水素原子を除いた基である、請求項１２に記載の組成物。
  14. Ａｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基が、式１〜４、１３〜１５、１９、２１、２３、３１〜３３、４３、４６、４７又は５１で表される環から水素原子を（２＋ｎ１１＋ｎ１２）個除いた基である、請求項１に記載の組成物。
  15. Ａｒ7で表される（２＋ｎ１１＋ｎ１２）価の芳香族基が、式１’、３’、１３’〜１５’、２１’、２３’、３３’、４３’、４６’又は４７’で表される基から（ｎ１１＋ｎ１２）個の水素原子を除いた基である、請求項１４に記載の組成物。
  16. 前記Ｍ3がアルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンである、請求項１から１５のいずれか一項に記載の組成物。
  17. 前記組成物中に含まれる式（２３）で表されるイオン性化合物の割合が、前記組成物中に含まれる高分子化合物の重量に対して０．１〜１００重量％である、請求項１から１６のいずれか一項に記載の組成物。
  18. 請求項１から１７のいずれか一項に記載の組成物を含む有機薄膜。
  19. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    第１の電極と第２の電極との間に位置する発光層又は電荷分離層と、
    第１の電極と、発光層又は電荷分離層との間に位置し、請求項１から１７のいずれか一項に記載の組成物を含む層と
    を有する電子デバイス。
  20. 第１の電極が陰極である請求項１９に記載の電子デバイス。
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