JP2012212929A - InGaAlN発光装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】InGaAlN発光装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】発光装置は、主面および背面を有する伝導性基板11と、基板の主面上に形成された金属結合層12と、結合層上に形成された光反射層13と、反射層13上に配置された少なくとも1つのp型および1つのn型InGaAlN層を含む半導体多層構造14と、反射層13と直接接触しているp型InGaAlN層と、前記n型InGaAlN層の上および伝導性基板の背面の上にそれぞれ配置されたオーム性電極15、16と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】発光装置は、主面および背面を有する伝導性基板11と、基板の主面上に形成された金属結合層12と、結合層上に形成された光反射層13と、反射層13上に配置された少なくとも1つのp型および1つのn型InGaAlN層を含む半導体多層構造14と、反射層13と直接接触しているp型InGaAlN層と、前記n型InGaAlN層の上および伝導性基板の背面の上にそれぞれ配置されたオーム性電極15、16と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、一種の窒化インジウムガリウムアルミニウム(InxGayAl1−x−yN、0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置と、その製造方法に関する。
窒化インジウムガリウムアルミニウム(InxGayAl1−x−yN、0≦x≦1、0≦y≦1)は、短波長発光装置を製造するための最適材料の1つである。近年、InGaAlN材料を使用して、青色、緑色、紫外線、および白色の発光ダイオード(LED)のような、多くの新しい発光装置が製造されている。既存の技術は、InGaAlN発光製品の大部分がサファイア基板上で製造されることを示している。現在、これらの技術は公表され利用可能である。例えば、特許文献1は、サファイア基板上でGaN発光装置を作製するための方法を開示している。サファイアは絶縁体であるため、サファイア基板上で製造されるInGaAlN発光装置の2つの電極は、チップの同じ側面に位置付けられる必要がある。その結果、チップ作製プロセスはさらに複雑なものとなり、パッケージングの困難さは増大する。また、製品収量が減少する。したがって、装置信頼性が低下し、製品コストが増大する。さらに、サファイアの熱伝導率は低い。高出力装置が望ましい場合には、熱放散が依然として課題となる。1つの解決策は、SiCが導電性であり、高い熱伝導率を有するという事実に基づいて、GaN材料を作製するためにSiC基板を使用することである。したがって、技術的には、SiC基板を使用することによって前述の問題を解決することができる。特許文献2は、SiC基板上でInGaAlN発光装置を作製するための方法を開示している。しかしながら、SiC基板は非常に高価なものであるため、InGaAlN材料を製造するために使用されると、コストが高くなる。それ故に、生産コストの観点から、SiC基板は大量生産に適していない。もう1つの解決策は、シリコン基板上でInGaAlN材料を作製することである。シリコンは、低コストで高い熱伝導率を持つ十分に試験された半導体材料であり、シリコン処理技術は成熟しているため、InGaAlN発光装置を製造する上でシリコン基板を使用することにより、垂直電極装置構造を容易にすることができるだけでなく、コストを大幅に削減する。しかしながら、シリコンのバンドギャップはかなり狭く、シリコンは可視光の相当な吸収を呈するため、シリコン基板上で直接的に作製されたInGaAlN発光装置は、当該基板による光の吸収により、低い発光効率を呈する。既存の技術において利用可能なもう1つの解決策は、サファイア基板上に作製されたInGaAlN材料に伝導性基板を結合することである。サファイア基板は後に除去され、基板の両面に電極を設置することができる。とはいえ、サファイアは非常に硬く、酸または塩基腐食に耐性があるため、サファイア基板を除去することは非常に困難である。サファイア基板を除去するためにレーザーリフトオフ技術が使用され得るが、製品収量および製造効率は依然として低いままである。レーザーリフトオフプロセスは、InGaAlN材料にある程度の損傷をもたらし得る。したがって、この方法を大量生産に適用することは困難である。
本発明の1つの目的は、一種のInGaAlN発光装置を提供することである。かかる装置は垂直電極構造を有し、製造コストを削減し輝度効率を増大する。本発明の別の目的は、前述の垂直電極構造を持つInGaAlN発光装置を作製するための方法を提供することである。この方法によると、シリコン基板上で層状のInGaAlN半導体構造が成長する。その後、当該層状のInGaAlN半導体構造は、別の伝導性基板と結合される。低コストの製造プロセスを使用して、シリコン成長基板を除去し、発光装置の製造を完成する。本明細書で開示される方法は、製造プロセスを単純化し、製造コストを削減する。
本発明の一実施形態に従って作製される発光装置の構造は、主面と背面とを持つ伝導性基板を含む。当該構造は、伝導性基板の主面の上に金属結合層をさらに含む。また、当該構造は、金属結合層の上に光反射層を含む。当該構造は、光反射層の上に少なくとも1つのp型層および1つのn型層を含むInxGayAl1−x−yN、0≦x≦1、0≦y≦1多層構造をも含む。p型InGaAlN半導体材料は、光反射層に直接接触している。さらに、InxGayAl1−x−yN多層構造の上および伝導性基板の背面の上にそれぞれオーム接点(ohmic contact)が作製される。
発光装置を製造する方法は以下のステップ、すなわち
(a)(111)シリコン成長基板上に少なくとも1つのp型および1つのn型層を含むInxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造を作製するステップ;多層InxGayAl1−x−yN半導体材料(22〜26)は、A1N緩衝層(22)と、n型GaN層(24)と、GaN/InGaN多重量子井戸(multi−quantum−well)層(25)と、p型GaN層(26)とを含む。最外層はp型層(26)である。ドープされていないGaN層(23)は、A1N緩衝層(22)とn型GaN層(24)との間に設置され得る。A1N緩衝層はドープされていてもドープされていなくてもよい。
(a)(111)シリコン成長基板上に少なくとも1つのp型および1つのn型層を含むInxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造を作製するステップ;多層InxGayAl1−x−yN半導体材料(22〜26)は、A1N緩衝層(22)と、n型GaN層(24)と、GaN/InGaN多重量子井戸(multi−quantum−well)層(25)と、p型GaN層(26)とを含む。最外層はp型層(26)である。ドープされていないGaN層(23)は、A1N緩衝層(22)とn型GaN層(24)との間に設置され得る。A1N緩衝層はドープされていてもドープされていなくてもよい。
(b)InxGayAl1−x−yN多層構造上に、光反射層および金属結合層を形成するステップ;
(c)伝導性基板の主面を前述の金属結合層と結合するステップ;
(d)n型InGaAlN層を露出させるために、シリコン(111)成長基板と、AlN緩衝層と、ドープされていないGaN層とを除去するステップ;
(e)n型InGaAlN層と伝導性基板の背面との、それぞれの上に、それぞれのオーム接点を形成するステップ;
を包含する。
(c)伝導性基板の主面を前述の金属結合層と結合するステップ;
(d)n型InGaAlN層を露出させるために、シリコン(111)成長基板と、AlN緩衝層と、ドープされていないGaN層とを除去するステップ;
(e)n型InGaAlN層と伝導性基板の背面との、それぞれの上に、それぞれのオーム接点を形成するステップ;
を包含する。
本発明の一実施形態に従って製造された発光装置は、信頼性のある垂直電極構造を有し、当該構造は、チップの製造プロセスを単純化し、パッケージングの複雑性を削減し、製品収量と産出高を増大し、製造コストを削減する。
本発明は、シリコン基板上で多層InxGayAl1−x−yN半導体材料を作製する方法を開示する。シリコン基板は、高品質のInGaAlN作製を容易にすることができ、簡単に除去され得、安価であるために、本方法は、大規模生産を容易にし、製品コストを低下することができる。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
前面および背面を有するように構成された伝導性基板(11)と、
該伝導性基板の該前面の上に置かれた金属結合層(12)と、
該金属結合層の上に置かれた光反射層(13)と、
該光反射層(13)の上に置かれたIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造(14)であって、該In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造は少なくとも1つのp型層および1つのn型層を備え、該p型InGaAlN層は、該光反射層(13)と直接接触している、In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造と、
該In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造(14)と伝導性基板(11)の該背面とのそれぞれの上の、オーム性電極(15および16)と、
を備える、In x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目2)
前記InGaAlN半導体多層構造(14)は、該InGaAlN半導体多層構造(14)から前記伝導性基板への方向が<0001>結晶方位となる結晶方位を有するように、すなわち、Ga面が下方を向いており、N面が上方を向いているように構成される、項目1に記載のIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目3)
前記光反射層(13)は少なくとも1つの白金層を備える、項目1または項目2に記載のIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目4)
前記InGaAlN半導体多層構造(14)の上の前記オーム性電極(15)は、金−ゲルマニウム−ニッケル合金を備える、項目1または項目2に記載のIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目5)
前記伝導性基板(11)は、シリコン、銅、またはコバールを備える、項目1または項目2に記載の発光装置。
(項目6)
(a)シリコン(111)成長基板(21)上に少なくとも1つのn型層(24)および1つのp型層(23)を備える、In x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造(22〜26)を作製するステップであって、
該In x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造(22〜26)は、A1N緩衝層(22)と、n型GaN層(24)と、GaN/InGaN多重量子井戸層(25)と、p型GaN層(26)とを含み、
最外層は該p型層(26)であり、
該A1N緩衝層(22)と該n型GaN層(24)との間に、ドープされていないGaN層(23)があり、
該A1N緩衝層はドープされていてもドープされていなくてもよい、
ステップと、
(b)該In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造(22〜26)の該表面上に、まず光反射層(27)を、続いて金属結合層(28)を形成するステップと、
(c)伝導性基板(31)の主面を該金属結合層(28)と結合するステップと、
(d)該n型InGaAlN層を露出させるために、該シリコン(111)成長基板(21)と、A1N緩衝層(22)と、ドープされていないGaN層(23)とを除去するステップと、
(e)該n型InGaAlN層(24)の上および該結合基板(31)の背面の上に、それぞれオーム性電極(C1、C2)を形成するステップと、
を包含する、項目1の発光装置を製造する方法。
(項目7)
前記In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造(22〜26)を作製するステップの前に、溝およびメサをその上に形成することによって前記シリコン(111)基板(21)をパターニングするステップ、をさらに包含する、項目6に記載の方法。
(項目8)
InGaAlN薄膜上の前記金属結合層と結合するステップの前に、前記結合基板(31)の前記主面の上にオーム接点層(32)および金属結合層(33)を形成するステップ、をさらに包含する、項目6または項目7に記載の方法。
(項目9)
シリコン(111)成長基板(21)は、硝酸、フッ化水素酸、および酢酸を備えるエッチング液を使用して除去され、
前記A1N緩衝層(22)とドープされていないGaN層(23)とを除去するステップは、反応性イオンエッチングおよびICPエッチング等のドライエッチング手法、あるいは濃リン酸またはアルカリを用いるエッチング、を使用するステップを包含する、
項目6または項目7に記載の方法。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
前面および背面を有するように構成された伝導性基板(11)と、
該伝導性基板の該前面の上に置かれた金属結合層(12)と、
該金属結合層の上に置かれた光反射層(13)と、
該光反射層(13)の上に置かれたIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造(14)であって、該In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造は少なくとも1つのp型層および1つのn型層を備え、該p型InGaAlN層は、該光反射層(13)と直接接触している、In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造と、
該In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造(14)と伝導性基板(11)の該背面とのそれぞれの上の、オーム性電極(15および16)と、
を備える、In x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目2)
前記InGaAlN半導体多層構造(14)は、該InGaAlN半導体多層構造(14)から前記伝導性基板への方向が<0001>結晶方位となる結晶方位を有するように、すなわち、Ga面が下方を向いており、N面が上方を向いているように構成される、項目1に記載のIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目3)
前記光反射層(13)は少なくとも1つの白金層を備える、項目1または項目2に記載のIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目4)
前記InGaAlN半導体多層構造(14)の上の前記オーム性電極(15)は、金−ゲルマニウム−ニッケル合金を備える、項目1または項目2に記載のIn x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
(項目5)
前記伝導性基板(11)は、シリコン、銅、またはコバールを備える、項目1または項目2に記載の発光装置。
(項目6)
(a)シリコン(111)成長基板(21)上に少なくとも1つのn型層(24)および1つのp型層(23)を備える、In x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造(22〜26)を作製するステップであって、
該In x Ga y Al 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造(22〜26)は、A1N緩衝層(22)と、n型GaN層(24)と、GaN/InGaN多重量子井戸層(25)と、p型GaN層(26)とを含み、
最外層は該p型層(26)であり、
該A1N緩衝層(22)と該n型GaN層(24)との間に、ドープされていないGaN層(23)があり、
該A1N緩衝層はドープされていてもドープされていなくてもよい、
ステップと、
(b)該In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造(22〜26)の該表面上に、まず光反射層(27)を、続いて金属結合層(28)を形成するステップと、
(c)伝導性基板(31)の主面を該金属結合層(28)と結合するステップと、
(d)該n型InGaAlN層を露出させるために、該シリコン(111)成長基板(21)と、A1N緩衝層(22)と、ドープされていないGaN層(23)とを除去するステップと、
(e)該n型InGaAlN層(24)の上および該結合基板(31)の背面の上に、それぞれオーム性電極(C1、C2)を形成するステップと、
を包含する、項目1の発光装置を製造する方法。
(項目7)
前記In x Ga y Al 1−x−y N半導体多層構造(22〜26)を作製するステップの前に、溝およびメサをその上に形成することによって前記シリコン(111)基板(21)をパターニングするステップ、をさらに包含する、項目6に記載の方法。
(項目8)
InGaAlN薄膜上の前記金属結合層と結合するステップの前に、前記結合基板(31)の前記主面の上にオーム接点層(32)および金属結合層(33)を形成するステップ、をさらに包含する、項目6または項目7に記載の方法。
(項目9)
シリコン(111)成長基板(21)は、硝酸、フッ化水素酸、および酢酸を備えるエッチング液を使用して除去され、
前記A1N緩衝層(22)とドープされていないGaN層(23)とを除去するステップは、反応性イオンエッチングおよびICPエッチング等のドライエッチング手法、あるいは濃リン酸またはアルカリを用いるエッチング、を使用するステップを包含する、
項目6または項目7に記載の方法。
以下のセクションは、図および実施形態と併せて、本発明の詳細な説明を提供する。
図1から図5中の符号は、以下のように定義される。
要素11は伝導性基板、要素12は金属結合層、要素13は光反射層13、要素14はInxGayAl1−x−yN半導体多層構造、要素15および16は電極、要素21はシリコン基板、要素22はA1N緩衝層、要素23はドープされていないGaN層、要素24はn型GaN層、要素25はGaN/InGaN多重量子井戸、要素26はp型GaN層、要素27は光反射層、要素28は結合層、要素31は伝導層、要素32はオーム接点層、要素33は結合層33、要素C1およびC2は電極である。
図1で図示するように、本発明の一実施形態によると、本発明のInxGayAl1−x−yN発光装置は伝導性基板11を含み、この基板の上に結合金属層12および光反射層13がある。前記光反射層の上には、InGaAlN半導体多層構造14がある。前記InGaA1N多層構造の最下層はp型層であり、最上層はn型層である。InGaAlN材料の頂面はN面である。オーム接点15および16は、それぞれInxGayAl1−x−yN多層構造14の上および伝導性基板11の下に形成される。
伝導性基板11に使用される材料は、任意の種類の半導体または金属材料であり得る。電気および熱伝導率、製造可能性、およびコストを考慮すると、シリコン等の十分に確立された半導体材料、ならびに、銅、ステンレス鋼、銀、およびコバール(ニッケル−コバルト鉄合金)等の一般的な金属がある。InxGayAl1−x−yN材料は伝導性基板11と結合しにくいため、基板11とInGaAlN構造14との間に結合層12が追加される。結合層12は、良好な結合能力を有するだけでなく、伝導性基板11との良好なオーム接点をも形成する。さらに、理想的なことに、結合層12は、その後の作製プロセスを支え、損傷のない状態を維持することができる。結合層12は、単層または多層構造であり得る。伝導性基板11は高いキャリア密度を呈するため、金属が良好な結合能力を有しかつ良好な信頼性を呈する限りにおいては、結合層12用の金属に対しては広い選択の幅がある。信頼性のある結合を作成するために、結合層に使用される金属は低融点を有するのが理想的である。例えば、金(Au)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)、パラジウム(Pd)、およびそれらの合金が選択され得る。オーム接点上の金属層の間での拡散の効果および作製プロセス中における金属の安定性を考慮すると、金、または、金−亜鉛および金−スズ合金等の金合金を、結合金属として使用することが好ましい。
Ni、Au等の金属は反射力が弱いため、そのような金属層は、InGaAlN多層構造14によって生み出された光を反射しにくい。結果として、光抽出効率が低下する。したがって、結合金属層12とInGaAlN多層構造14との間に光反射層が挿入され得る。上述したように、本発明のInGaAlN多層構造の最下層はp型層である。したがって、光反射層13が、p型InGaAlN材料との良好なオーム接点を形成することが理想的である。本発明の一実施形態において、この光反射層13は白金(Pt)であるが、これは、Ptがp型InGaAlN材料との良好なオーム接点を形成するだけでなく、可視光に対する高い反射力をも呈するからである。一方、Ptは非常に安定でもある。電界発光(electroluminescence)を実現するために、InGaAlN多層構造14は、少なくとも1つのn型層および1つのp型層を含有する。発光効率を増大するために、一般に二重ヘテロ接合または多重量子井戸構造が、n型層とp型層との間に挿入される。InGaAlN多層構造はまた、公表されて利用可能な任意の構造をも用い得る。発光層14におけるIn、Ga、およびAlの比率は、0と1との間で変化することができ、それにより、装置の発光波長の調整が可能になる。
本発明の一実施形態に従って製造されたInxGayAl1−x−yN発光装置14は、窒素原子上面を呈し、それは化学エッチングを使用してInGaAlN材料を除去することを可能にし、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)(ICP)エッチングシステムの使用を回避する。したがって、化学エッチングを使用して装置表面を粗面にすることができ、それによって光抽出効率を向上させることができる。
InGaAlN多層構造14の上のオーム性電極(ohmic electrode)15は、Au−Ge−Ni合金、または、TiおよびAl等の小さい仕事関数を持つ金属に基づくものであり得る。原則として、ドーピング密度が十分に高い場合には、任意の金属が使用され得る。本発明の一実施形態において、Au−Ge−Ni合金は良好な安定性、耐腐食性、および耐酸化性を呈するために、Au−Ge−Ni合金がオーム接点15を形成するために使用される。また、伝導性基板16の背面の上にオーム接点16を形成するためには任意の金属が使用され得るが、これは、この伝導性基板が高いキャリア密度を有するように構成されているからである。本発明の一実施形態において、Au、Ni−Au合金、および/またはTi−Au合金が電極に使用され得る。
発光装置を製造するための方法は、以下を含む。
多層InxGayAl1−x−yN多層構造22〜26が、(111)シリコン基板21上に作製される。作製には、化学蒸着法および分子線エピタキシー法等、任意の公表されて利用可能な堆積プロセスが使用され得る。InGaAlNの作製プロセスは、任意の公表されて利用可能なアプローチに基づくものであり得る。本発明の一実施形態において、InxGayAl1−x−yN多層構造22〜26は以下の順序、すなわちAlN緩衝層22、ドープされていないGaN層23、シリコンをドープしたGaN(n型)層24、GaN/InGaN多重量子井戸層25、およびマグネシウムをドープした(p型)層26、で作製される。シリコン基板21の表面は、シリコン基板21とInxGayAl1−x−yN多層構造22〜26との間の格子および熱的不整合によって生成される応力を解放するために、ならびに、亀裂を防止するために、溝が刻まれる。
多層InxGayAl1−x−yN半導体材料22〜26の作製が完了すると、p型ドーパントを活性化するためにアニール処理が実行される。多層InxGayAl1−x−yN半導体材料22〜26のp型層の頂上部に、光反射層27が構築される。同時に、この光反射層がp型層との良好なオーム接点をも形成する。本発明の一実施形態において、光反射層27に白金が使用される。オーム接点特性を向上させるために、この電極層は、合金化され得るように、アニール処理を受ける必要がある。光反射層27の上に、金属結合層28が形成される。理論的には、任意の金属が結合層28に使用され得る。しかしながら、信頼性のある結合を作製するために、融点が高すぎない金属が使用され得る。本発明の実施形態は、Au−Zn、Au−Sn、およびAu−In合金等の低融点合金、ならびに純Auを使用する。結合層28は、単層または多層構造であり得る。光反射層27および結合層28は一緒に積み重ねられ、続いて合金化され得る。
同時に、伝導性基板31の頂上部にオーム接点層32が形成され得る。単層または多層のオーム接点32を形成するために、シリコン基板の電気伝導率に応じて、ニッケル、金、白金、およびチタン等の金属材料が使用され得る。その後、オーム接点層32上に金属結合層33が形成される。結合層33の材料選択基準は、結合層28のものと同様である。伝導性基板31が低融点金属である場合には、オーム接点層32および結合層33を必ずしも作製する必要はない。この場合には、オーム接点層が直接的に結合層33として使用され得る。金属結合層33は、電子ビーム蒸発、マグネトロンスパッタリング、または、その他任意の金属堆積法を使用して構成され得る。金属結合層33の形成の後に、結合層28が伝導性基板31と結合される。本発明の一実施形態において、これら2つの結合層は、ある一定の圧力下に所与の温度で所定の時間置かれた後に結合される。
結合の後に、シリコン基板21が除去される。シリコン基板21は、機械研削、ドライエッチング、化学エッチング、または上記の方法の任意の組み合わせ等の手法を使用して除去され得る。本発明の一実施形態において、シリコン基板は、フッ化水素酸、硝酸、および酢酸に基づく溶液を使用する化学エッチングによって除去される。
シリコン基板21が除去された後に、InGaA1N材料が露出される。AlN緩衝層22およびドープされていないGaN層23は良好なオーム接点の形成を妨げ得るので、高いキャリア密度を有するn型層24を露出させ、当該露出されたn型層24上にオーム接点を形成するために、これらの層は除去されるのが理想的である。AlN緩衝層22およびドープされていないGaN層23を除去するための方法は、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching)(RIE)およびICPエッチングシステム等のドライエッチング手法、ならびに濃リン酸またはアルカリエッチングに基づくウェットエッチング手法をも含む。次に、n型GaN層24の上にオーム接点層C1が形成され、伝導性基板31の上にオーム接点層C2が形成される。このようにして、本発明の一実施形態による、垂直電極構造を有するInGaAlN発光装置が得られる。
以下の3つの例は、本発明において開示される方法をさらに説明するものである。
(実例1)
図2を参照すると、発光装置の作製は、2インチシリコン(111)基板21を調製することから始まる。化学蒸着法を使用して、多層InxGayAl1−x−yN半導体材料22〜26が以下の順序、すなわち、AlN緩衝層22、ドープされていないGaN層23、シリコンをドープしたn型GaN層24、5周期(five−period)GaN/InGaN多重量子井戸層25、およびマグネシウムをドープしたp型層26、で作製される。完了すると、700℃の窒素環境で約30分間、ウエハはアニールされ、Mgドーパントを活性化する。その後、電子ビーム蒸発を使用して、厚さ約50ナノメートルの白金層27、および厚さ約1000ナノメートルの金層28が、p型層の上に堆積される。図3を参照して、シリコン(111)基板31上に、厚さ約100ナノメートルのニッケル層32および厚さ約1000ナノメートルの金層33が形成される。堆積に続いて、InGaA1N薄膜がエピタキシャル成長したウエハが、ニッケルと金が堆積されたシリコン(111)基板と結合される。この結合プロセスは、300℃、600kgの圧力下で実行され、それによって強固な結合を容易にする。その後、図4に示すような構造が得られる。次に、結合されたウエハは、シリコン成長基板が完全に除去されるまで、フッ化水素酸、硝酸、および酢酸を含む溶液中に置かれる。ここで留意すべきは、化学エッチングの前に、基板31の背面の上にニッケル/金保護薄膜が形成され、基板31が化学的にエッチングされないように保護することである。化学エッチングの後に、InGaA1N薄膜が露出される。最外層はA1N緩衝層22である。続いて、濃リン酸に基づく化学エッチングによって、A1N緩衝層22およびドープされていないGaN層23が除去される。次に、厚さ約100ナノメートルの金−ゲルマニウム−ニッケル合金の層が、n型GaN層24の上に堆積される。堆積プロセスの後に、構造体は、300℃の窒素ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。また、厚さ約1000ナノメートルの金の層が、金−ゲルマニウム−ニッケル合金の層の上に堆積される。続いて、フォトリソグラフィによって約100ミクロンの直径を持つ電極C1が形成される。フォトリソグラフィによって、基板31の背面の上に電極C2が形成される。その後、ウエハは1000ミクロン×1000ミクロンのチップにダイスカットされる。ワイヤボンディングとパッケージングの後に、図5に示すような発光装置が得られる。
図2を参照すると、発光装置の作製は、2インチシリコン(111)基板21を調製することから始まる。化学蒸着法を使用して、多層InxGayAl1−x−yN半導体材料22〜26が以下の順序、すなわち、AlN緩衝層22、ドープされていないGaN層23、シリコンをドープしたn型GaN層24、5周期(five−period)GaN/InGaN多重量子井戸層25、およびマグネシウムをドープしたp型層26、で作製される。完了すると、700℃の窒素環境で約30分間、ウエハはアニールされ、Mgドーパントを活性化する。その後、電子ビーム蒸発を使用して、厚さ約50ナノメートルの白金層27、および厚さ約1000ナノメートルの金層28が、p型層の上に堆積される。図3を参照して、シリコン(111)基板31上に、厚さ約100ナノメートルのニッケル層32および厚さ約1000ナノメートルの金層33が形成される。堆積に続いて、InGaA1N薄膜がエピタキシャル成長したウエハが、ニッケルと金が堆積されたシリコン(111)基板と結合される。この結合プロセスは、300℃、600kgの圧力下で実行され、それによって強固な結合を容易にする。その後、図4に示すような構造が得られる。次に、結合されたウエハは、シリコン成長基板が完全に除去されるまで、フッ化水素酸、硝酸、および酢酸を含む溶液中に置かれる。ここで留意すべきは、化学エッチングの前に、基板31の背面の上にニッケル/金保護薄膜が形成され、基板31が化学的にエッチングされないように保護することである。化学エッチングの後に、InGaA1N薄膜が露出される。最外層はA1N緩衝層22である。続いて、濃リン酸に基づく化学エッチングによって、A1N緩衝層22およびドープされていないGaN層23が除去される。次に、厚さ約100ナノメートルの金−ゲルマニウム−ニッケル合金の層が、n型GaN層24の上に堆積される。堆積プロセスの後に、構造体は、300℃の窒素ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。また、厚さ約1000ナノメートルの金の層が、金−ゲルマニウム−ニッケル合金の層の上に堆積される。続いて、フォトリソグラフィによって約100ミクロンの直径を持つ電極C1が形成される。フォトリソグラフィによって、基板31の背面の上に電極C2が形成される。その後、ウエハは1000ミクロン×1000ミクロンのチップにダイスカットされる。ワイヤボンディングとパッケージングの後に、図5に示すような発光装置が得られる。
(実例2)
図2を参照すると、発光装置の作製は、2インチシリコン(111)基板を調製することから始まる。フォトリソグラフィおよびICPエッチングを使用して、十字パターンを持つ多数の深さ10ナノメートルの溝をシリコン基板上に作成することにより、約350ミクロン×350ミクロンのサイズである多数の正方形のメサを形成する。化学蒸着法を使用して、InxGayAl1−x−yN多層構造が以下の順序、すなわち、AlN緩衝層、ドープされていないGaN層、シリコンをドープしたn型GaN層、5周期GaN/InGaN多重量子井戸層、およびマグネシウムをドープしたp型層、で作製される。これらの層の作製が完了すると、700℃の窒素環境で約20分間、ウエハはアニールされ、Mgドーパントを活性化する。その後、電子ビーム蒸発を使用して、厚さ約100ナノメートルの白金層、厚さ約500ナノメートルの金層、および厚さ約200ナノメートルの金−亜鉛合金層がp型層の上に堆積される。伝導性シリコン(100)基板の両面に、厚さ約50ナノメートルの白金層、厚さ約500ナノメートルの金層、および厚さ約100ナノメートルの金−インジウム合金の層が作製される。堆積の後に、InGaAlN薄膜がエピタキシャル成長したウエハが、、金属層のみが堆積されたシリコン(100)基板と結合される。当該結合プロセスは、260℃、800kgの圧力下で実行される。その後、ICPエッチングを使用してシリコン(111)基板が除去され、InGaAlN薄を露出させる。最外層はA1N緩衝層である。次に、ICPエッチングを使用して、A1N緩衝層およびドープされていないGaN層が完全に除去される。厚さ約50ナノメートルのチタン層および厚さ約100ナノメートルのアルミニウム層が、n型GaN層に堆積される。堆積プロセスの後に、ウエハは、500℃の窒素ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。また、厚さ約10ナノメートルのチタン層および厚さ約1200ナノメートルの金層が、チタン/アルミニウム電極の上に堆積される。続いて、フォトリソグラフィによって一片が100ミクロンの正方形の電極が形成される。さらに、事前に形成された溝に沿ってウエハはダイスカットされ、その後、個々の発光チップを得ることができる。ワイヤボンディングとパッケージングの後に、本発明の一実施形態による発光装置が得られる。
図2を参照すると、発光装置の作製は、2インチシリコン(111)基板を調製することから始まる。フォトリソグラフィおよびICPエッチングを使用して、十字パターンを持つ多数の深さ10ナノメートルの溝をシリコン基板上に作成することにより、約350ミクロン×350ミクロンのサイズである多数の正方形のメサを形成する。化学蒸着法を使用して、InxGayAl1−x−yN多層構造が以下の順序、すなわち、AlN緩衝層、ドープされていないGaN層、シリコンをドープしたn型GaN層、5周期GaN/InGaN多重量子井戸層、およびマグネシウムをドープしたp型層、で作製される。これらの層の作製が完了すると、700℃の窒素環境で約20分間、ウエハはアニールされ、Mgドーパントを活性化する。その後、電子ビーム蒸発を使用して、厚さ約100ナノメートルの白金層、厚さ約500ナノメートルの金層、および厚さ約200ナノメートルの金−亜鉛合金層がp型層の上に堆積される。伝導性シリコン(100)基板の両面に、厚さ約50ナノメートルの白金層、厚さ約500ナノメートルの金層、および厚さ約100ナノメートルの金−インジウム合金の層が作製される。堆積の後に、InGaAlN薄膜がエピタキシャル成長したウエハが、、金属層のみが堆積されたシリコン(100)基板と結合される。当該結合プロセスは、260℃、800kgの圧力下で実行される。その後、ICPエッチングを使用してシリコン(111)基板が除去され、InGaAlN薄を露出させる。最外層はA1N緩衝層である。次に、ICPエッチングを使用して、A1N緩衝層およびドープされていないGaN層が完全に除去される。厚さ約50ナノメートルのチタン層および厚さ約100ナノメートルのアルミニウム層が、n型GaN層に堆積される。堆積プロセスの後に、ウエハは、500℃の窒素ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。また、厚さ約10ナノメートルのチタン層および厚さ約1200ナノメートルの金層が、チタン/アルミニウム電極の上に堆積される。続いて、フォトリソグラフィによって一片が100ミクロンの正方形の電極が形成される。さらに、事前に形成された溝に沿ってウエハはダイスカットされ、その後、個々の発光チップを得ることができる。ワイヤボンディングとパッケージングの後に、本発明の一実施形態による発光装置が得られる。
(実例3)
2インチシリコン(111)基板上に、化学蒸着法を使用して、InxGayAl1−x−yN多層構造が以下の順序、すなわち、AlN緩衝層、ドープされていないGaN層、シリコンをドープしたGaNn型層、5周期GaN/InGaN多重量子井戸層、およびマグネシウムをドープしたp型層、で作製される。これらの層の作製が完了すると、700℃の窒素環境で30分間、ウエハがアニールされ、Mgドーパントを活性化する。その後、電子ビーム蒸発を使用して、厚さ約5ナノメートルの白金層、厚さ約5ナノメートルのニッケル層、および厚さ約10ナノメートルの金層がp型層に上に堆積される。堆積プロセスの後に、構造体は、550℃の窒素−酸素混合ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。その後、厚さ約500ナノメートルの金層が、当該合金の上に堆積される。研磨した銅基板上に、厚さ約500ナノメートルの金−スズ合金が形成される。InGaAlN薄膜がエピタキシャル成長したウエハが、300℃、500kgの圧力下で、金−スズ合金が堆積された銅基板と結合される。次に、ICPエッチングを使用して、シリコン基板、AlN緩衝層、およびドープされていないGaN層を完全に除去する。続いて、厚さ約100ナノメートルの金−ゲルマニウム−ニッケル合金の層が、n型GaN層の上に堆積される。堆積プロセスの後に、構造体は、300℃の窒素ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。また、厚さ約100ナノメートルの金層が、金−ゲルマニウム−ニッケル電極層の上に堆積される。フォトリソグラフィの後に、約80ミクロンの直径を持つ電極が形成される。ウエハが200ミクロン×200ミクロンのチップにダイスカットされ、ワイヤボンディングおよびパッケージングの後に、本発明の一実施形態による発光装置が得られる。
2インチシリコン(111)基板上に、化学蒸着法を使用して、InxGayAl1−x−yN多層構造が以下の順序、すなわち、AlN緩衝層、ドープされていないGaN層、シリコンをドープしたGaNn型層、5周期GaN/InGaN多重量子井戸層、およびマグネシウムをドープしたp型層、で作製される。これらの層の作製が完了すると、700℃の窒素環境で30分間、ウエハがアニールされ、Mgドーパントを活性化する。その後、電子ビーム蒸発を使用して、厚さ約5ナノメートルの白金層、厚さ約5ナノメートルのニッケル層、および厚さ約10ナノメートルの金層がp型層に上に堆積される。堆積プロセスの後に、構造体は、550℃の窒素−酸素混合ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。その後、厚さ約500ナノメートルの金層が、当該合金の上に堆積される。研磨した銅基板上に、厚さ約500ナノメートルの金−スズ合金が形成される。InGaAlN薄膜がエピタキシャル成長したウエハが、300℃、500kgの圧力下で、金−スズ合金が堆積された銅基板と結合される。次に、ICPエッチングを使用して、シリコン基板、AlN緩衝層、およびドープされていないGaN層を完全に除去する。続いて、厚さ約100ナノメートルの金−ゲルマニウム−ニッケル合金の層が、n型GaN層の上に堆積される。堆積プロセスの後に、構造体は、300℃の窒素ガスを入れたチャンバ内に3分間置かれて、合金を形成する。また、厚さ約100ナノメートルの金層が、金−ゲルマニウム−ニッケル電極層の上に堆積される。フォトリソグラフィの後に、約80ミクロンの直径を持つ電極が形成される。ウエハが200ミクロン×200ミクロンのチップにダイスカットされ、ワイヤボンディングおよびパッケージングの後に、本発明の一実施形態による発光装置が得られる。
Claims (8)
- 前面および背面を有するように構成された伝導性基板であって、該伝導性基板は、伝導性シリコン(100)基板を含み、該伝導性シリコン(100)基板の両面には、白金層、金層、および金−インジウム合金層を備えるオーム接点層スタックが堆積されている、伝導性基板と、
該伝導性基板の該前面の上に置かれた金属結合層と、
該金属結合層の上に置かれた光反射層と、
該光反射層の上に置かれたInxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造であって、該InxGayAl1−x−yN半導体多層構造は少なくとも1つのp型層および1つのn型層を備え、該p型層は、該光反射層と結合されている、InxGayAl1−x−yN半導体多層構造と、
2つの電極であって、その1つの電極は該InxGayAl1−x−yN半導体多層構造の上に置かれ、他の電極は該伝導性基板の該背面の上にある、電極と
を備える、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。 - 前記InGaAlN半導体多層構造は、前記伝導性基板により接近して置かれた前記InGaAlN半導体多層構造の側がGa面を呈し、該伝導性基板からより遠くに置かれた該InGaAlN半導体多層構造の側がN面を呈するように構成される、請求項1に記載のInxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
- 前記光反射層は少なくとも1つの白金層を備える、請求項1に記載のInxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
- 前記InGaAlN半導体多層構造の上のオーム性電極は、金−ゲルマニウム−ニッケル合金を備える、請求項1に記載のInxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)発光装置。
- (a)シリコン(111)成長基板上に少なくとも1つのn型層および1つのp型層を備える、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造を作製することであって、
該InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体多層構造は、A1N緩衝層と、n型GaN層と、GaN/InGaN多重量子井戸層と、p型GaN層とを含み、
最外層は該p型層であり、
該A1N緩衝層と該n型GaN層との間に、ドープされていないGaN層があり、
該A1N緩衝層はドープされていてもドープされていなくてもよい、
ことと、
(b)該InxGayAl1−x−yN半導体多層構造の表面上に、まず光反射層を、続いて金属結合層を形成することと、
(c)伝導性基板の主面を該金属結合層と結合することであって、該伝導性基板は伝導性シリコン(100)基板を含み、該伝導性シリコン(100)基板の両面には、白金層、金層、および金−インジウム合金層を備えるオーム接点層スタックが堆積されている、ことと、
(d)該n型を露出させるために、該シリコン(111)成長基板と、A1N緩衝層と、ドープされていないGaN層とを除去することと、
(e)該n型層の上および該伝導性基板の背面の上に、それぞれ電極を形成することと
を包含する、発光装置を製造する方法。 - 前記InxGayAl1−x−yN半導体多層構造を作製する前に、溝およびメサを上に形成することによって前記シリコン(111)成長基板をパターニングすることをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
- 前記伝導性基板を前記金属結合層と結合する前に、該伝導性基板の前記主面の上にオーム接点層および金属結合層を形成することをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
- 前記シリコン(111)成長基板は、硝酸、フッ化水素酸、および酢酸を備えるエッチング液を使用して除去され、
前記A1N緩衝層とドープされていないGaN層とを除去することは、反応性イオンエッチングおよびICPエッチング等のドライエッチング手法、あるいは濃リン酸またはアルカリを使用するウエットエッチング手法、を使用することを包含する、
請求項5に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
CN100375303C (zh) * | 2005-10-27 | 2008-03-12 | 晶能光电(江西)有限公司 | 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法 |
JPWO2008120432A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-15 | パナソニック株式会社 | オーミック電極構造体および半導体素子 |
CN101295758B (zh) * | 2007-04-29 | 2013-03-06 | 晶能光电(江西)有限公司 | 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法 |
US7781780B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-08-24 | Bridgelux, Inc. | Light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode |
US20100176369A2 (en) * | 2008-04-15 | 2010-07-15 | Mark Oliver | Metalized Silicon Substrate for Indium Gallium Nitride Light-Emitting Diodes |
DE102008030584A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement |
US8525200B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitting diode with non-metallic reflector |
CN102067339B (zh) * | 2008-08-19 | 2013-03-06 | 晶能光电(江西)有限公司 | 一种制备具有金属衬底的InGaAlN发光二极管的方法 |
CN102067335A (zh) * | 2008-08-22 | 2011-05-18 | 晶能光电(江西)有限公司 | 一种在复合衬底上制备InGaAlN发光器件的方法 |
KR101004858B1 (ko) * | 2008-11-06 | 2010-12-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
US8188496B2 (en) * | 2008-11-06 | 2012-05-29 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device including substrate having protection layers and method for manufacturing the same |
EP2466626A3 (en) | 2009-02-19 | 2012-07-04 | Soitec | Relaxation and transfer of strained material layers |
US8642369B2 (en) * | 2009-03-03 | 2014-02-04 | Zn Technology, Inc. | Vertically structured LED by integrating nitride semiconductors with Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) and method for making same |
TW201112440A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-01 | Ubilux Optoelectronics Corp | Manufacturing method of vertical light emitting diode |
US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
US9012939B2 (en) * | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
US9053930B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-06-09 | International Business Machines Corporation | Heterogeneous integration of group III nitride on silicon for advanced integrated circuits |
US9048173B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-06-02 | International Business Machines Corporation | Dual phase gallium nitride material formation on (100) silicon |
US9099381B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | Selective gallium nitride regrowth on (100) silicon |
CN104037287B (zh) * | 2014-06-10 | 2017-01-11 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 |
JP7154429B2 (ja) * | 2018-12-24 | 2022-10-17 | 泉州三安半導体科技有限公司 | 発光ダイオード及びその製作方法 |
US11127595B2 (en) * | 2019-09-19 | 2021-09-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Method for bonding a semiconductor substrate to a carrier |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6466977A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of optical semiconductor device |
JPH07106467A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Nec Corp | 光半導体装置およびその製造方法。 |
JPH10173226A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH118414A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Sony Corp | 半導体装置および半導体発光装置 |
JP2000174393A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Fuji Electric Co Ltd | Iii族窒化物半導体およびその製造方法、およびiii族窒化物半導体装置 |
JP2000228537A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Agilent Technol Inc | InXAlYGaZN発光素子及びその製造方法 |
JP2001102632A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Advantest Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
JP2001284641A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sony Corp | 画像表示素子 |
JP2002057411A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ |
JP2003309286A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004047748A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2004088083A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法 |
JP2004521494A (ja) * | 2001-02-01 | 2004-07-15 | クリー インコーポレイテッド | 光抽出用の改良を含む発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2004228540A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2004281863A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2005072148A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物系半導体装置 |
JP2005108863A (ja) * | 2002-12-27 | 2005-04-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造ガリウムナイトライド発光ダイオード及びその製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2704181B2 (ja) * | 1989-02-13 | 1998-01-26 | 日本電信電話株式会社 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 |
JP3702700B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2005-10-05 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 |
US6287882B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-09-11 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same |
JP4432180B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-03-17 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体 |
EP1277241B1 (de) * | 2000-04-26 | 2017-12-13 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Lumineszenzdiodenchip auf der basis von gan |
CN1185720C (zh) * | 2001-03-05 | 2005-01-19 | 全新光电科技股份有限公司 | 一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法 |
TW523939B (en) * | 2001-11-07 | 2003-03-11 | Nat Univ Chung Hsing | High-efficient light emitting diode and its manufacturing method |
JP4078830B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2008-04-23 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2003174194A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子とその製造方法 |
CA2754097C (en) * | 2002-01-28 | 2013-12-10 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
US6869820B2 (en) * | 2002-01-30 | 2005-03-22 | United Epitaxy Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode and method of making the same |
JP3960815B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
US6919585B2 (en) * | 2002-05-17 | 2005-07-19 | Lumei Optoelectronics, Inc. | Light-emitting diode with silicon carbide substrate |
KR101030068B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2011-04-19 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자 |
US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
JP2004079972A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 面発光型発光素子 |
TWI230473B (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-01 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
JP4217093B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-01-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
TWI287878B (en) * | 2003-04-16 | 2007-10-01 | Arima Optoelectronics Corp | Light-emitting diodes and method of manufacturing same using metal bonding technique |
US20040231590A1 (en) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Ovshinsky Stanford R. | Deposition apparatus for the formation of polycrystalline materials on mobile substrates |
FR2859312B1 (fr) * | 2003-09-02 | 2006-02-17 | Soitec Silicon On Insulator | Scellement metallique multifonction |
CN100355096C (zh) * | 2003-09-23 | 2007-12-12 | 晶元光电股份有限公司 | 具有热吸收层的发光元件的制造方法 |
JP2005109220A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
TW200520266A (en) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor luminous element and manufacturing method of the same |
JP2005223165A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系発光素子 |
KR101119019B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-03-12 | 주식회사 엘지실트론 | 질화갈륨 반도체 및 이의 제조 방법 |
KR100638818B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
US8334155B2 (en) * | 2005-09-27 | 2012-12-18 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Substrate for growing a III-V light emitting device |
-
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Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6466977A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of optical semiconductor device |
JPH07106467A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Nec Corp | 光半導体装置およびその製造方法。 |
JPH10173226A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH118414A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Sony Corp | 半導体装置および半導体発光装置 |
JP2000174393A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Fuji Electric Co Ltd | Iii族窒化物半導体およびその製造方法、およびiii族窒化物半導体装置 |
JP2000228537A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Agilent Technol Inc | InXAlYGaZN発光素子及びその製造方法 |
JP2001102632A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Advantest Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
JP2001284641A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sony Corp | 画像表示素子 |
JP2002057411A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ |
JP2004521494A (ja) * | 2001-02-01 | 2004-07-15 | クリー インコーポレイテッド | 光抽出用の改良を含む発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2003309286A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004088083A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法 |
JP2004047748A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2004228540A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2005108863A (ja) * | 2002-12-27 | 2005-04-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造ガリウムナイトライド発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2004281863A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2005072148A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物系半導体装置 |
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