JP2012212769A - 太陽電池素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1の受光面側9aに線状の第1電極5bが設けられて、半導体基板1の裏面側9bに線状の第2電極6bが設けられている太陽電池素子Sであって、半導体基板1の裏面側9bには、平面透視して第1電極5bと重なる部位に第1電極5bに沿って、表層がパッシベーション層8である凹部10が設けられており、第2電極6bが、凹部10を避けた部位に凹部10に沿って設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
性の優れた太陽電池素子を提供できる。
太陽電池素子の基本構成について図1〜3を参照しながら説明する。太陽電池素子Sは、半導体基板1の受光面(表面)側9aに線状の第1電極5が設けられており、半導体基板1の非受光面(裏面)側9bに線状の第2電極6が設けられている。また、半導体基板1の裏面側9bには、平面透視して第1電極5(本実施形態例では特に後記するフィンガー電極5b)と重なる部位に、第1電極5(5b)に沿って設けられており、平面透視して第1電極5(5b)と重なる部位に第1電極5(5b)に沿って、表層がパッシベーション層8である凹部10が設けられており、第2電極6(本実施形態例では特に後記する裏面集電電極6b)が、凹部10を避けた部位に凹部10に沿って設けられている。
の低減によるVocとFFとの改善をも期待できる。そして、変換効率の向上した優れた太陽電池素子を提供できる。
次に、本実施形態の太陽電池素子Sにおいて、上記凹部10を設ける理由について説明する。一般的な太陽電池素子J1の断面図を図4に示す。また、半導体基板1の裏面側に溝加工をして、そこに埋め込んだ第2電極6を設けた太陽電池素子J2を図5に示す。なお、図1〜3と同一部材については同一符号を付して説明を省略する。
、Jscはフィンガー電極5bの遮光の影響を除いた真性のJscを意味しており、フィンガー電極5bによる遮光面積をセルの受光面全体の約7%として算出した値である。
次に、太陽電池素子の形態のより具体的な例について図1〜3を参照しながら説明する。例えば、p型の第1半導体層2を有する半導体基板1としては、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が好適に用いられる。このような半導体基板1の比抵抗は0.2〜2.0Ω・cm程度である。また、半導体基板1の厚みは150〜250μ程度である。また、半導体基板1の形状は、特に限定されるものではないが、四角形状であれば製法上および多数の太陽電池素子を配列して太陽電池モジュールを構成する際等の観点から好適である。
長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる役割を果たす。反射防止層4は、例えば、窒化シリコン膜、酸化チタン膜または酸化シリコン膜などが用いられる。反射防止層4の屈折率と厚みは、構成する材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できるように設定される。結晶シリコンからなる半導体基板1においては、その屈折率は1.8〜2.3程度、厚みは500〜1200Å程度が好ましい。また、反射防止層4が例えばプラズマCVD法によって成膜された窒化シリコン膜からなる場合、パッシベーション効果も有することができるので好適である。
6を形成することが好ましい。ここで、BSF領域7は裏面側9bに内部電界を形成するものであり、裏面側9bの近傍でキャリアの再結合による効率の低下を低減させる役割を有している。
次に、太陽電池素子Sの具体的な製造方法について説明する。まず、第1半導体層2を構成する半導体基板1を準備する。半導体基板1が単結晶シリコン基板の場合は、例えばチョクラルスキー(CZ)法などによって形成され、半導体基板1が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下では、p型の多結晶シリコンを用いた例によって説明する。
1の裏面側9bに形成される。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。
さらに半導体基板1の表面9aに銀ペーストを、裏面9bの開口部以外の位置にアルミニウムペーストを塗布・焼成して、第1電極5とBSF領域7と裏面集電電極6bを形成した。さらに裏面9bに銀ペーストを塗布・焼成して裏面出力取出電極6aを形成した。裏面集電電極6bは幅150μmのフィンガー状であり、そのピッチは1mmとした。
2 :第1半導体層(逆導電型半導体層)
3 :第2半導体層(一導電型半導体層)
4 :反射防止層
5 :第1電極(表面電極)
5a :バスバー電極
5b :フィンガー電極
5c :補助電極
6 :第2電極(裏面電極)
6a :裏面出力取出電極
6b :裏面集電電極
7 :BSF領域
8 :裏面パッシベーション層
9a :受光面(表面)側
9b :非受光面(裏面)側
10 :凹部
Claims (6)
- 半導体基板の受光面側に線状の第1電極が設けられて、前記半導体基板の裏面側に線状の第2電極が設けられている太陽電池素子であって、
前記半導体基板の前記裏面側には、
平面透視して前記第1電極と重なる部位に該第1電極に沿って、表層がパッシベーション層である凹部が設けられており、
前記第2電極が、前記凹部を避けた部位に該凹部に沿って設けられていることを特徴とする太陽電池素子。 - 前記半導体基板は一導電型半導体層および逆導電型半導体層を有していて、前記第1電極は前記一導電型半導体層に、前記第2電極は前記逆導電型半導体層にそれぞれ接していることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記第1電極が接している前記一導電型半導体層の部位は、該一導電型半導体層において一導電型を呈する不純物の濃度が他の領域よりも高い領域であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池素子。
- 前記逆導電型半導体層において、前記凹部に沿って、逆導電型を呈する不純物の濃度が他の領域よりも高い領域が設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の太陽電池素子。
- 前記第2電極が接している前記逆導電型半導体層の部位は、該逆導電型半導体層における、逆導電型を呈する不純物の濃度が他の領域よりも高い領域であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の太陽電池素子。
- 前記凹部は、前記第1電極に沿って設けられた多数の孔からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池素子。
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