JP2012209409A - Manufacturing method of electronic component mounting body - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for easily and reliably mounting an electronic component provided with a bump electrode that has a resin core and for manufacturing an electronic component mounting body with a high yield.SOLUTION: A manufacturing method for an electronic component mounting body according to the present invention is the manufacturing method for the electronic component mounting body configured by electrically connecting an electronic component that has a bump electrode in which a conductive film is formed on a surface of resin as a core and a substrate that has a metal terminal to each other. The manufacturing method for the electronic component mounting body includes: a heating step of heating at least the bump electrode of the electronic component so as to increase hardness of the resin; and a mounting step of mounting the electronic component thereto by pressing the electronic component against the substrate under a state that the bump electrode in which the hardness of the resin has been increased is brought into contact with the metal terminal.

Description

本発明は、電子部品実装体の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component mounting body.

従来より、ドライバーＩＣ等の電子部品をフレキシブル基板上に実装する、いわゆるＣＯＦ(Chip On FPC)構造と称される実装構造が知られている。
このような実装構造に用いられるフレキシブル基板には、配線パターンに接続するＡｕ、Ｓｎ等の金属からなるランド（端子）が形成されている。一方、電子部品の表面には、絶縁膜を介してランドと電気的接続を得るためのバンプ電極が形成され、このバンプ電極は、絶縁膜上に露出した電極に導通されることで電子部品の電極としての機能を有する。
バンプ電極としては、コアとなる凸条形状の樹脂の表面がＡｕまたはＡｕ合金からなる導電膜で覆われた構造の樹脂コアバンプが多く用いられている。そして、このランドにバンプ電極を接続させた状態で、フレキシブル基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造体が形成されている（例えば、特許文献１参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, a mounting structure called a so-called COF (Chip On FPC) structure in which an electronic component such as a driver IC is mounted on a flexible substrate is known.
On a flexible substrate used in such a mounting structure, lands (terminals) made of metal such as Au and Sn connected to a wiring pattern are formed. On the other hand, a bump electrode for obtaining electrical connection with the land is formed on the surface of the electronic component via an insulating film, and this bump electrode is electrically connected to an electrode exposed on the insulating film, thereby It has a function as an electrode.
As the bump electrode, a resin core bump having a structure in which the surface of a ridge-shaped resin serving as a core is covered with a conductive film made of Au or an Au alloy is often used. And the mounting structure body of an electronic component is formed by mounting an electronic component on a flexible substrate in the state which connected the bump electrode to this land (for example, refer patent document 1).

上記の電子部品の実装構造体においては、フレキシブル基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
この実装構造体のバンプ電極は、コアとなる樹脂の表面が導電膜で覆われた構造であるから、従来のＡｕ等の金属からなるバンプと比べて狭ピッチ化が可能である。 In the electronic component mounting structure described above, it is desired that the electronic component is more firmly and securely connected to the flexible substrate. In particular, when there are a plurality of lands and bump electrodes, and a plurality of lands and bump electrodes are connected to each other, all the lands and bump electrodes are connected well to ensure reliability. It has become important.
Since the bump electrode of this mounting structure has a structure in which the surface of the resin serving as the core is covered with a conductive film, the pitch can be reduced as compared with a conventional bump made of metal such as Au.

特開２００９−０４９２２５号公報JP 2009-049225 A

上記特許文献１記載の電子部品の実装方法では、バンプ電極（樹脂コア）を加熱加圧により変形させて基板との接続を行うが、Ａｕ−Ａｕ接合などの金属接合によりバンプ電極と基板上の端子とを接続するためにバンプ電極を加熱すると、樹脂コアが軟化して潰れ過ぎてしまう場合があった。このように樹脂コアが潰れてしまうと、電子部品の能動面と基板上の配線とがショートしてしまうため、実装条件の設定が難しくなる場合があった。   In the electronic component mounting method described in Patent Document 1, the bump electrode (resin core) is deformed by heating and pressurizing to be connected to the substrate. However, the bump electrode and the substrate are connected by metal bonding such as Au-Au bonding. When the bump electrode is heated to connect the terminal, the resin core may be softened and excessively crushed. If the resin core is crushed in this way, the active surface of the electronic component and the wiring on the substrate are short-circuited, which may make it difficult to set the mounting conditions.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、樹脂コアを有するバンプ電極を備えた電子部品を簡便かつ確実に実装でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造する方法を提供することを目的の一つとする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a method of manufacturing an electronic component mounting body with high yield, which can easily and reliably mount an electronic component having a bump electrode having a resin core. One of the purposes is to do.

本発明の電子部品実装体の製造方法は、コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、前記電子部品の少なくとも前記バンプ電極を加熱し、前記樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、硬度を上昇させた前記バンプ電極を前記金属端子に接触させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記電子部品を実装する実装工程と、を有することを特徴とする。   The method of manufacturing an electronic component mounting body according to the present invention includes mounting an electronic component having a bump electrode in which a conductive film is formed on the surface of a resin serving as a core and a substrate having a metal terminal. A method of manufacturing a body, wherein at least the bump electrode of the electronic component is heated to increase the hardness of the resin, and the bump electrode having increased hardness is in contact with the metal terminal. And a mounting step of mounting the electronic component by pressing the electronic component against the substrate.

この製造方法によれば、電子部品を実装する実装工程に先立って、バンプ電極の樹脂の硬度を上昇させる加熱工程を有していることで、実装工程において電子部品を加熱したときに樹脂が軟化するのを防止することができ、実装時の基板上の金属端子の押圧力によって樹脂が過度に変形してしまうのを防止することができる。これにより、実装条件を厳密に制御する必要がなくなり、電子部品実装体を容易に製造することができる。また、バンプ電極が潰れるのを防止できることから、基板上の金属端子と電子部品の表面とが接触するのを防止できるので、金属端子と電子部品の短絡等の不具合の発生を防止でき、歩留まりよく電子部品実装体を製造することができる。   According to this manufacturing method, the resin softens when the electronic component is heated in the mounting process by having a heating step that increases the hardness of the resin of the bump electrode prior to the mounting step of mounting the electronic component. It is possible to prevent the resin from being deformed excessively by the pressing force of the metal terminal on the substrate during mounting. Thereby, it is not necessary to strictly control the mounting conditions, and the electronic component mounting body can be easily manufactured. In addition, since the bump electrode can be prevented from being crushed, it is possible to prevent the metal terminal on the substrate from contacting the surface of the electronic component, thereby preventing the occurrence of defects such as a short circuit between the metal terminal and the electronic component, and high yield. An electronic component mounting body can be manufactured.

前記加熱工程が、前記電子部品が載置された載置台から圧着ツールを用いて前記電子部品を搬出し、前記圧着ツールに支持された前記電子部品を加熱する工程であり、前記実装工程が、加熱後の前記電子部品を前記圧着ツールを用いて前記基板上に移動させ、前記基板に実装する実装工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、電子部品の実装に用いる圧着ツールに支持した状態で電子部品を加熱するので、実装処理の直前にバンプ電極の樹脂を適切な硬度に調整することができる。 The heating step is a step of unloading the electronic component from a mounting table on which the electronic component is mounted using a crimping tool, and heating the electronic component supported by the crimping tool, and the mounting step is It is good also as a manufacturing method which is the mounting process which moves the said electronic component after a heating on the said board | substrate using the said crimping | compression-bonding tool, and mounts it on the said board | substrate.
According to this manufacturing method, since the electronic component is heated while being supported by the crimping tool used for mounting the electronic component, the resin of the bump electrode can be adjusted to an appropriate hardness immediately before the mounting process.

前記加熱工程が、前記圧着ツールに設けられた加熱手段により前記電子部品を加熱する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、従来と同様の実装装置を用いて容易に実施できる製造方法となる。 The heating process may be a manufacturing method in which the electronic component is heated by a heating unit provided in the crimping tool.
According to this manufacturing method, it becomes a manufacturing method which can be easily implemented using the same mounting apparatus as before.

前記加熱工程が、加熱手段を有する載置台に前記電子部品を載置した状態で前記加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であり、前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、複数の電子部品を一括して加熱することができるので、効率良く電被部品実装体を製造することができる。 The heating step is a step of heating the electronic component by the heating unit in a state where the electronic component is mounted on a mounting table having a heating unit, and the mounting step is performed by using the crimping tool before the electronic component. It is good also as a manufacturing method which is the process of conveying on the said board | substrate from the mounting table, and mounting on the said board | substrate.
According to this manufacturing method, it is possible to heat a plurality of electronic components at once, and thus it is possible to efficiently manufacture an electrode assembly component mounting body.

前記加熱工程が、加熱装置を用いて前記電子部品を加熱する工程であり、加熱後の前記電子部品を前記加熱装置から載置台へ搬送する搬送工程を有し、前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程である製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、載置台からの電子部品のピックアップ動作中にも加熱装置を用いて電子部品の加熱を行うことができるので、さらに効率良く電子部品実装体を製造することが可能になる。 The heating step is a step of heating the electronic component using a heating device, and includes a transfer step of transferring the heated electronic component from the heating device to a mounting table, and the mounting step includes the electronic component. It is good also as a manufacturing method which is a process of conveying to the said board | substrate from the mounting table using the crimping | compression-bonding tool, and mounting on the said board | substrate.
According to this manufacturing method, since the electronic component can be heated using the heating device even during the operation of picking up the electronic component from the mounting table, the electronic component mounting body can be manufactured more efficiently. .

第１の実施形態に係る製造方法を実施可能な実装装置を示す図。The figure which shows the mounting apparatus which can implement the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 製造対象の電子部品実装体（実装構造体）を示す側面図。The side view which shows the electronic component mounting body (mounting structure) of manufacture object. 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。Sectional drawing in alignment with the AA of FIG. 電子部品及びフレキシブル基板を示す図。The figure which shows an electronic component and a flexible substrate. 第１実施形態の製造方法のフローチャート。The flowchart of the manufacturing method of 1st Embodiment. 実装工程の説明図。Explanatory drawing of a mounting process. 実装工程の説明図。Explanatory drawing of a mounting process. 第２の実施形態に係る製造工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing process which concerns on 2nd Embodiment. 第３の実施形態に係る実装装置を示す図。The figure which shows the mounting apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施形態に係る製造工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing process which concerns on 3rd Embodiment.

以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
The scope of the present invention is not limited to the following embodiment, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, the actual structure may be different from the scale, number, or the like in each structure.

（第１の実施形態）
［実装装置］
図１は、第１の実施形態に係る製造方法を実施可能な実装装置を示す図である。
図１に示す実装装置１００は、実装部１０１と、ウェハ供給部１０２と、制御部１０３とを備えている。
実装部１０１は、基台１１０と、載置台１１１と、カメラ１１４と、実装ステージ１１５と、圧着ツール１１６と、カメラ１１７と、搬送レール１１８とを備えて構成されている。
ウェハ供給部１０２は、マガジン載置部１２１と、ウェハ搬送部１２２とを備えている。
制御部１０３は、実装装置１００を総合的に制御する装置であり、各部の動作状況を管理しつつ電子部品の実装動作を実行する。 (First embodiment)
[Mounting equipment]
FIG. 1 is a diagram illustrating a mounting apparatus capable of performing the manufacturing method according to the first embodiment.
A mounting apparatus 100 illustrated in FIG. 1 includes a mounting unit 101, a wafer supply unit 102, and a control unit 103.
The mounting unit 101 includes a base 110, a mounting table 111, a camera 114, a mounting stage 115, a crimping tool 116, a camera 117, and a transport rail 118.
The wafer supply unit 102 includes a magazine placement unit 121 and a wafer transfer unit 122.
The control unit 103 is a device that comprehensively controls the mounting apparatus 100, and executes an electronic component mounting operation while managing the operation status of each unit.

実装部１０１において、概略平板状の基台１１０上に、載置台１１１、カメラ１１４及び実装ステージ１１５が設けられている。載置台１１１には、ダイシングシート２０２上に保持されたウェハ２０１が載置される。ウェハ２０１は、ダイシングにより個片化された複数の電子部品４を含む。カメラ１１４は圧着ツール１１６に保持された電子部品４を撮像する。実装ステージ１１５には、電子部品４が実装されるフレキシブル基板２が載置される。   In the mounting unit 101, a mounting table 111, a camera 114, and a mounting stage 115 are provided on a substantially flat base 110. A wafer 201 held on a dicing sheet 202 is placed on the mounting table 111. The wafer 201 includes a plurality of electronic components 4 separated by dicing. The camera 114 images the electronic component 4 held by the crimping tool 116. The flexible substrate 2 on which the electronic component 4 is mounted is placed on the mounting stage 115.

圧着ツール１１６は、略鉛直方向に移動自在の加熱保持部１１９を備えている。本実施形態の場合、加熱保持部１１９は、電子部品４を真空吸着させるとともに、図示略の加熱手段を動作させることにより、吸着保持した電子部品４を所定温度に加熱可能に構成されている。加熱手段としては、電熱ヒーター等の公知の構成を採用することができる。加熱手段は、加熱保持部１１９に内蔵されていてもよく、圧着ツール１１６の本体部に設けられ、加熱保持部１１９に熱を供給する構成であってもよい。   The crimping tool 116 includes a heating holding unit 119 that is movable in a substantially vertical direction. In the case of the present embodiment, the heating and holding unit 119 is configured so that the electronic component 4 can be heated to a predetermined temperature by vacuum-sucking the electronic component 4 and operating a heating unit (not shown). As the heating means, a known configuration such as an electric heater can be employed. The heating means may be built in the heating and holding unit 119 or may be provided in the main body of the crimping tool 116 and supply heat to the heating and holding unit 119.

カメラ１１７は、載置台１１１上のウェハ２０１及び実装ステージ１１５上のフレキシブル基板２を撮像する。圧着ツール１１６とカメラ１１７は、図示略のキャリッジに支持されており、このキャリッジを搬送レール１１８上で走行させることにより、載置台１１１と実装ステージ１１５との間を往復移動可能に構成されている。   The camera 117 images the wafer 201 on the mounting table 111 and the flexible substrate 2 on the mounting stage 115. The crimping tool 116 and the camera 117 are supported by a carriage (not shown), and are configured to be capable of reciprocating between the mounting table 111 and the mounting stage 115 by causing the carriage to travel on the transport rail 118. .

ウェハ供給部１０２において、マガジン載置部１２１は、上面にマガジン２１０を載置した状態で図示略の昇降手段によりマガジン２１０を実装部１０１に対して昇降させ、内部に収容しているウェハ２０１を載置台１１１に対して位置合わせする。   In the wafer supply unit 102, the magazine mounting unit 121 moves the magazine 210 up and down with respect to the mounting unit 101 by a lifting unit (not shown) in a state where the magazine 210 is mounted on the upper surface, so that the wafer 201 accommodated in the magazine is stored. Positioning is performed with respect to the mounting table 111.

ウェハ搬送部１２２は、ウェハ２０１（ダイシングシート２０２）の形状に応じた先端形状を有するアーム１２３を備えている。アーム１２３は、図示略の駆動機構により水平方向に移動され、マガジン載置部１２１上のマガジン２１０内へ挿脱可能である。ウェハ搬送部１２２は、アーム１２３を水平移動させることにより、ウェハ２０１をマガジン２１０と載置台１１１との間で搬送する。   The wafer transfer unit 122 includes an arm 123 having a tip shape corresponding to the shape of the wafer 201 (dicing sheet 202). The arm 123 is moved in the horizontal direction by a drive mechanism (not shown) and can be inserted into and removed from the magazine 210 on the magazine mounting portion 121. The wafer transfer unit 122 transfers the wafer 201 between the magazine 210 and the mounting table 111 by moving the arm 123 horizontally.

［電子部品実装体の製造方法］
次に、実装装置１００を用いて製造可能な電子部品実装体とその製造方法について説明する。
図２は、製造対象の電子部品実装体（実装構造体）を示す側面図である。図３は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図４は、電子部品及びフレキシブル基板を示す図である。 [Method of manufacturing electronic component mounting body]
Next, an electronic component mounting body that can be manufactured using the mounting apparatus 100 and a manufacturing method thereof will be described.
FIG. 2 is a side view showing an electronic component mounting body (mounting structure) to be manufactured. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 4 is a diagram illustrating an electronic component and a flexible substrate.

＜電子部品実装体＞
まず、製造対象の電子部品実装体について説明する。
電子部品実装体１０は、図２及び図３に示すように、フレキシブル基板（可撓性基板）２と電子部品４とを接続した構成を備えている。かかる電子部品実装体１０は、実装装置１００を用いて製造することができる。 <Electronic component mounting body>
First, the electronic component mounting body to be manufactured will be described.
As shown in FIGS. 2 and 3, the electronic component mounting body 10 has a configuration in which a flexible substrate (flexible substrate) 2 and an electronic component 4 are connected. The electronic component mounting body 10 can be manufactured using the mounting apparatus 100.

フレキシブル基板２は、プラスチックフィルム基板等の可撓性を有する基板１１と、基板１１上に形成された複数の金属端子１２とを備えている。金属端子１２は、基板１１上に形成された配線パターンと接続されている。なお、基板１１は、ガラス基板やプリント基板、半導体基板などの可撓性を有しない基板であってもよい。   The flexible substrate 2 includes a flexible substrate 11 such as a plastic film substrate and a plurality of metal terminals 12 formed on the substrate 11. The metal terminal 12 is connected to a wiring pattern formed on the substrate 11. In addition, the board | substrate 11 may be a board | substrate which does not have flexibility, such as a glass substrate, a printed circuit board, a semiconductor substrate.

金属端子１２は、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ等の単体金属や、Ａｕ合金、Ｓｎ合金、Ａｌ合金、Ｃｕ合金等の合金により形成されたストライプ状の金属膜により形成されている。金属端子１２は数μｍ程度の厚い金属膜からなり、その横断面（幅方向の断面）の形状は、略台形状である。   The metal terminal 12 is formed of a striped metal film formed of a single metal such as Au, Sn, Al, or Cu, or an alloy such as an Au alloy, Sn alloy, Al alloy, or Cu alloy. The metal terminal 12 is made of a thick metal film having a thickness of about several μm, and the cross section (cross section in the width direction) has a substantially trapezoidal shape.

電子部品４は、ドライバーＩＣ等の半導体素子（図示略）が内蔵された絶縁材料からなるパッケージ２１と、パッケージ２１の能動面２１ａに形成された絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に突設されるとともに上記半導体素子と導通するバンプ電極２３と、を備えている。   The electronic component 4 includes a package 21 made of an insulating material containing a semiconductor element (not shown) such as a driver IC, an insulating film 22 formed on the active surface 21 a of the package 21, and a protrusion on the insulating film 22. And a bump electrode 23 that is electrically connected to the semiconductor element.

なお、本実施形態では能動面２１ａ上にバンプ電極２３が形成された電子部品４を例示しているが、能動面２１ａと反対側の面にバンプ電極２３が形成された構成であってもよい。またバンプ電極２３が、半導体素子ではなくパッケージ上に併設されたキャパシタやインダクタなどの受動素子に接続されている構成であってもよい。   In the present embodiment, the electronic component 4 in which the bump electrode 23 is formed on the active surface 21a is illustrated, but a configuration in which the bump electrode 23 is formed on the surface opposite to the active surface 21a may be employed. . Further, the bump electrode 23 may be connected to a passive element such as a capacitor or an inductor provided on the package instead of the semiconductor element.

バンプ電極２３は、図２及び図４（ａ）に示すように、絶縁膜２２上に形成された断面略半円状の凸条である樹脂２４と、樹脂２４の外周面に形成された複数の帯状の導電膜２５と、を備えている。バンプ電極２３は、樹脂２４をコアとし、その表面に形成された導電膜２５を電極とする樹脂コアバンプである。   As shown in FIG. 2 and FIG. 4A, the bump electrode 23 includes a resin 24 which is a convex strip having a substantially semicircular cross section formed on the insulating film 22, and a plurality of bump electrodes 23 formed on the outer peripheral surface of the resin 24. And a belt-like conductive film 25. The bump electrode 23 is a resin core bump having the resin 24 as a core and the conductive film 25 formed on the surface thereof as an electrode.

樹脂２４は、絶縁性を有する熱硬化成分を含む樹脂材料からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂２４は、公知のリソグラフィ技術やエッチング技術により断面半円状の凸条に形成されている。
なお、樹脂の材質（硬度）や形状については、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。例えば、樹脂２４は、断面半楕円状、断面略台形状の凸条であってもよい。 The resin 24 is made of a resin material containing an insulating thermosetting component, and specific examples thereof include a polyimide resin, an acrylic resin, a phenol resin, a silicone resin, a silicone-modified polyimide resin, and an epoxy resin. The resin 24 is formed in a convex shape having a semicircular cross section by a known lithography technique or etching technique.
The resin material (hardness) and shape are appropriately selected and designed according to the shape and size of the metal terminal 12 of the flexible substrate 2. For example, the resin 24 may be a convex strip having a semi-elliptical cross section and a substantially trapezoidal cross section.

導電膜２５は、図４（ａ）に示すように、樹脂２４の外周面に所定の間隔で複数形成され、樹脂２４の外周面から幅方向の両側へ延びている。そして、導電膜２５は、絶縁膜２２に形成された図示略のコンタクトホールを介して、能動面２１ａの半導体素子等と電気的に接続されている。したがって導電膜２５は、電子部品４の外部接続端子として機能する。また複数の導電膜２５は樹脂２４の長手方向に沿って間隔を空けて設けられており、各々の導電膜２５が能動面２１ａに形成された半導体素子の端子に接続されている。   As shown in FIG. 4A, a plurality of conductive films 25 are formed on the outer peripheral surface of the resin 24 at predetermined intervals, and extend from the outer peripheral surface of the resin 24 to both sides in the width direction. The conductive film 25 is electrically connected to a semiconductor element or the like on the active surface 21 a through a contact hole (not shown) formed in the insulating film 22. Accordingly, the conductive film 25 functions as an external connection terminal of the electronic component 4. The plurality of conductive films 25 are provided at intervals along the longitudinal direction of the resin 24, and each conductive film 25 is connected to a terminal of a semiconductor element formed on the active surface 21a.

導電膜２５は、金属又は合金により構成され、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｄ、及びそれらの合金（例えば、ＴｉＷ、ＮｉＶ等）、鉛フリーはんだ等を用いることができる。導電膜２５は、単層の金属からなるものとしてもよく、複数の金属膜を積層した積層膜としてもよい。   The conductive film 25 is made of a metal or an alloy, and uses, for example, Au, Cu, Cr, Ni, Ti, W, Al, Pd, and their alloys (for example, TiW, NiV, etc.), lead-free solder, etc. Can do. The conductive film 25 may be made of a single layer of metal or a laminated film in which a plurality of metal films are laminated.

導電膜２５の形成方法は特に限定されず、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキにより選択的に形成したものであってもよい。また、スパッタ法や無電解メッキにより下地膜を形成し、その後電解メッキにより下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により導電膜２５を形成してもよい。
導電膜２５を構成する金属あるいは合金の種類、層構造、形成方法、膜厚、幅等については、上述した樹脂２４と同様に、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。 The method for forming the conductive film 25 is not particularly limited, and the conductive film 25 may be formed by a known film formation method such as a sputtering method and then patterned into a strip shape, or may be selectively formed by electroless plating. May be. Alternatively, a base film may be formed by sputtering or electroless plating, and then an upper layer film may be formed on the base film by electrolytic plating, and the conductive film 25 may be formed by a laminated film composed of these base film and upper layer film. .
About the kind of metal or alloy which comprises the electrically conductive film 25, a layer structure, a formation method, a film thickness, a width | variety, etc. suitably like the resin 24 mentioned above according to the shape of the metal terminal 12 of the flexible substrate 2, a magnitude | size, etc. Selected and designed.

フレキシブル基板２は、図４（ｂ）に示すように、基板１１上に、先端に金属端子１２を有する複数の配線が形成された構成を備えている。基板１１の辺縁から基板中央部へ向かって延びる配線が互いに対向して配置された領域が、電子部品４が実装される実装領域１１Ａである。   As shown in FIG. 4B, the flexible substrate 2 has a configuration in which a plurality of wirings having metal terminals 12 at the tip are formed on the substrate 11. A region where wirings extending from the edge of the substrate 11 toward the center of the substrate are arranged to face each other is a mounting region 11A on which the electronic component 4 is mounted.

上記構成を備えた電子部品４とフレキシブル基板２との接続構造は、図３に示すように、バンプ電極２３の導電膜２５に対してフレキシブル基板２の金属端子１２が押し込まれ、樹脂２４が一部変形した状態で金属端子１２の上面と導電膜２５とが金属接合している。かかる構造により、導電膜２５と金属端子１２とが電気的に接続されている。本実施形態の電子部品実装体１０では、金属端子１２と導電膜２５とが金属接合されているため、端子の接合部で十分な強度を得ることができ、ＮＣＰ（Non-Conductive Paste）などのアンダーフィル材を充填することなく簡便に低抵抗の接合部を形成することができる。   As shown in FIG. 3, the connection structure between the electronic component 4 and the flexible substrate 2 having the above configuration is such that the metal terminal 12 of the flexible substrate 2 is pushed into the conductive film 25 of the bump electrode 23 and the resin 24 is integrated. The upper surface of the metal terminal 12 and the conductive film 25 are metal-bonded in a partially deformed state. With this structure, the conductive film 25 and the metal terminal 12 are electrically connected. In the electronic component mounting body 10 of this embodiment, since the metal terminal 12 and the conductive film 25 are metal-bonded, sufficient strength can be obtained at the terminal-joint portion, and NCP (Non-Conductive Paste) or the like can be obtained. A low-resistance junction can be easily formed without filling the underfill material.

また、バンプ電極２３の樹脂２４が過度に変形していない（潰れていない）ため、フレキシブル基板２の金属端子１２は、電子部品４の絶縁膜２２には接触していない。これにより、金属端子１２と能動面２１ａの半導体素子との絶縁を良好に確保することができる。   Further, since the resin 24 of the bump electrode 23 is not excessively deformed (not crushed), the metal terminal 12 of the flexible substrate 2 is not in contact with the insulating film 22 of the electronic component 4. Thereby, the insulation with the semiconductor element of the metal terminal 12 and the active surface 21a can be ensured favorable.

次に、電子部品実装体の製造方法について、図５から図７を参照して説明する。
図５は、本実施形態の製造方法のフローチャートである。図６は、実装工程を示す斜視図。図７は、実装工程の説明図である。なお、図７には、図１のＡ−Ａ線に沿う位置に対応する断面図が示されている。 Next, a method for manufacturing an electronic component mounting body will be described with reference to FIGS.
FIG. 5 is a flowchart of the manufacturing method of the present embodiment. FIG. 6 is a perspective view showing a mounting process. FIG. 7 is an explanatory diagram of the mounting process. 7 shows a cross-sectional view corresponding to the position along the line AA in FIG.

本実施形態の製造方法は、図５に示すように、工程Ｓ１１から工程Ｓ１７を有する。
まず、工程Ｓ１１では、ダイシングシート２０２上に保持されたウェハ２０１（電子部品４）を収容したマガジン２１０を用意する。そして、図１に示したマガジン載置部１２１に、マガジン２１０を載置する。
本実施形態では、ダイシングシート２０２上のウェハ２０１はダイシングにより複数の電子部品４に個片化されている。したがって、マガジン２１０内には、複数の電子部品４がダイシングシート２０２上に並べられたものが収容されている。 The manufacturing method of this embodiment has process S11 to process S17, as shown in FIG.
First, in step S11, a magazine 210 that contains a wafer 201 (electronic component 4) held on a dicing sheet 202 is prepared. Then, the magazine 210 is placed on the magazine placement portion 121 shown in FIG.
In the present embodiment, the wafer 201 on the dicing sheet 202 is separated into a plurality of electronic components 4 by dicing. Therefore, the magazine 210 contains a plurality of electronic components 4 arranged on the dicing sheet 202.

次に、工程Ｓ１２では、制御部１０３によりウェハ供給部１０２が制御され、ウェハ２０１を実装部１０１へ搬送する動作が実行される。具体的には、マガジン載置部１２１の昇降動作により、処理対象のウェハ２０１を搬出可能な位置に、マガジン２１０の高さが設定される。その後、ウェハ搬送部１２２によりアーム１２３が駆動され、アーム１２３の水平移動してマガジン２１０内に挿入される。そして、アーム１２３の先端によりマガジン２１０内のウェハ２０１及びダイシングシート２０２が押し出され、実装部１０１の載置台１１１上に載置される。
なお、載置台１１１には、ウェハ２０１を支持しているダイシングシート２０２を固定するとともに引き延ばすエキスパンド機構や、ウェハ２０１の下面から電子部品４を上方に押し上げるチップ押し上げ機構が備えられている。 Next, in step S <b> 12, the wafer supply unit 102 is controlled by the control unit 103, and an operation for transporting the wafer 201 to the mounting unit 101 is performed. Specifically, the height of the magazine 210 is set to a position where the wafer 201 to be processed can be unloaded by the raising / lowering operation of the magazine placement unit 121. Thereafter, the arm 123 is driven by the wafer transfer unit 122, and the arm 123 is moved horizontally and inserted into the magazine 210. Then, the wafer 201 and the dicing sheet 202 in the magazine 210 are pushed out by the tip of the arm 123 and placed on the placement table 111 of the mounting unit 101.
The mounting table 111 is provided with an expanding mechanism for fixing and extending the dicing sheet 202 supporting the wafer 201 and a chip pushing mechanism for pushing the electronic component 4 upward from the lower surface of the wafer 201.

次に、工程Ｓ１３では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。具体的には、圧着ツール１１６及びカメラ１１７が載置台１１１上に移動し、カメラ１１７により載置台１１１上の電子部品４が撮像される。制御部１０３は、取得された電子部品４の画像データに基づいて電子部品４の良否を判定し、良品の電子部品４を選択する。上記良否の判定は、例えば検査結果に基づいて電子部品４上に付与されたマークの識別や、画像処理による割れや欠けの検出に基づいて行うことができる。
次いで、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させることでピックアップ動作は完了する。 Next, in step S <b> 13, the mounting unit 101 is controlled by the control unit 103, and an operation of picking up the individual electronic component 4 from the wafer 201 is executed. Specifically, the crimping tool 116 and the camera 117 move on the mounting table 111, and the electronic component 4 on the mounting table 111 is imaged by the camera 117. The control unit 103 determines pass / fail of the electronic component 4 based on the acquired image data of the electronic component 4 and selects a non-defective electronic component 4. The quality determination can be performed based on, for example, identification of a mark provided on the electronic component 4 based on an inspection result, or detection of a crack or a chip by image processing.
Next, the pick-up operation is completed by lowering and adsorbing the heating holding unit 119 of the crimping tool 116 to the selected non-defective electronic component 4 and then raising the heating holding unit 119 again.

次に、工程Ｓ１４では、加熱保持部１１９を介した電子部品４の加熱動作が開始される。具体的には、圧着ツール１１６に設けられた電熱ヒーター等の加熱手段を動作させ、電子部品４を設定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱する。
次に、工程Ｓ１５では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ１６へ移行する。 Next, in step S14, the heating operation of the electronic component 4 via the heating and holding unit 119 is started. Specifically, a heating means such as an electric heater provided in the crimping tool 116 is operated to heat the electronic component 4 to a set temperature (for example, 200 ° C. to 500 ° C.).
Next, in step S15, the elapse of the heating time is determined. That is, the heating operation of the electronic component 4 is continued until a preset heating time elapses. After the set heating time has elapsed, the process proceeds to step S16.

上記の工程Ｓ１４及びＳ１５により、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
本実施形態の樹脂２４は熱硬化成分を含んでおり、加熱量に応じて硬度が上昇する範囲を有する。例えば、熱硬化性のポリイミド樹脂であれば、４００℃以上の温度で数分加熱することで、硬度が大きく上昇する。その一方で、上記のような４００℃以上の高温に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合があるため、工程Ｓ１５における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。 Through the above steps S14 and S15, the resin 24 of the bump electrode 23 is heated, and the hardness of the resin 24 is increased. Thereby, it is possible to prevent the bump electrode 23 from being crushed by heat and pressure in the subsequent mounting process.
The resin 24 of the present embodiment includes a thermosetting component and has a range in which the hardness increases according to the amount of heating. For example, in the case of a thermosetting polyimide resin, the hardness is greatly increased by heating for several minutes at a temperature of 400 ° C. or higher. On the other hand, if the time for holding at a high temperature of 400 ° C. or higher as described above is too long, the resin may be softened or deteriorated, resulting in a decrease in hardness. Therefore, the holding time in step S15 is such hardness. It is preferable to set in a range in which the decrease in the thickness does not occur.

次に、工程Ｓ１６では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。   Next, in step S <b> 16, the electronic component 4 is conveyed onto the mounting stage 115 by the crimping tool 116. On the mounting stage 115, the flexible substrate 2 is placed by a conveying means (not shown).

次に、工程Ｓ１７では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的には、図６に示すように、フレキシブル基板２上の実装領域１１Ａに対して電子部品４を圧着する動作が実行される。   Next, in step S <b> 17, the mounting unit 101 is controlled by the control unit 103, and an operation for mounting the electronic component 4 on the flexible substrate 2 is executed. Specifically, as shown in FIG. 6, an operation of crimping the electronic component 4 to the mounting area 11 </ b> A on the flexible substrate 2 is executed.

図７（ａ）に示すように、電子部品４のバンプ電極２３が形成された面と、フレキシブル基板２の金属端子１２が形成された面とを対向配置され、バンプ電極２３の導電膜２５と、対応する金属端子１２との位置合わせが行われる。   As shown in FIG. 7A, the surface of the electronic component 4 on which the bump electrode 23 is formed and the surface of the flexible substrate 2 on which the metal terminal 12 is formed are arranged to face each other. The alignment with the corresponding metal terminal 12 is performed.

より詳しくは、まず、カメラ１１４による電子部品４及び加熱保持部１１９の撮像動作が実行され、取得された画像データは制御部１０３へ送信される。制御部１０３では、取得された電子部品４及び加熱保持部１１９の画像データに基づいて、加熱保持部１１９に対する電子部品４（導電膜２５）の相対位置及び姿勢が検出される。
また、圧着ツール１１６とともに移動するカメラ１１７によるフレキシブル基板２の撮像動作が実行され、取得された画像データは制御部１０３へ送信される。制御部１０３では、取得されたフレキシブル基板２の画像データに基づいて、加熱保持部１１９（圧着ツール１１６）に対するフレキシブル基板２（金属端子１２）の相対位置及び姿勢が検出される。
そして、制御部１０３において、上記位置情報及び姿勢情報に基づいて、導電膜２５と金属端子１２との位置合わせが実行される。 More specifically, first, imaging operations of the electronic component 4 and the heating and holding unit 119 are performed by the camera 114, and the acquired image data is transmitted to the control unit 103. The control unit 103 detects the relative position and orientation of the electronic component 4 (conductive film 25) with respect to the heating and holding unit 119 based on the acquired image data of the electronic component 4 and the heating and holding unit 119.
In addition, the imaging operation of the flexible substrate 2 is performed by the camera 117 that moves together with the crimping tool 116, and the acquired image data is transmitted to the control unit 103. The control unit 103 detects the relative position and orientation of the flexible substrate 2 (metal terminal 12) with respect to the heating and holding unit 119 (crimping tool 116) based on the acquired image data of the flexible substrate 2.
And in the control part 103, alignment with the electrically conductive film 25 and the metal terminal 12 is performed based on the said positional information and attitude | position information.

電子部品４とフレキシブル基板２との位置合わせが完了したならば、図７（ｂ）に示すように、加熱保持部１１９に保持された電子部品４を降下させてフレキシブル基板２に密着させる。これにより、金属端子１２と、導電膜２５とが当接する。この状態から、加熱状態に保持されている電子部品４をフレキシブル基板２に押圧する。すると、図７（ｃ）に示すように、金属端子１２が導電膜２５に押し込まれて樹脂２４の一部と導電膜２５とが変形するとともに、上記の加圧加熱により、導電膜２５と金属端子１２とが金属接合され、電子部品４とフレキシブル基板２とが電気的に接続される。   When the alignment between the electronic component 4 and the flexible substrate 2 is completed, the electronic component 4 held by the heating holding unit 119 is lowered and brought into close contact with the flexible substrate 2 as shown in FIG. Thereby, the metal terminal 12 and the electrically conductive film 25 contact | abut. From this state, the electronic component 4 held in the heated state is pressed against the flexible substrate 2. Then, as shown in FIG. 7C, the metal terminal 12 is pushed into the conductive film 25, and a part of the resin 24 and the conductive film 25 are deformed. The terminal 12 is metal-bonded, and the electronic component 4 and the flexible substrate 2 are electrically connected.

ここで、図７（ｃ）に示す加圧加熱工程では、押圧力によってバンプ電極２３が変形するが、本実施形態では、工程Ｓ１４、Ｓ１５において電子部品４を加熱し、バンプ電極２３の樹脂２４の硬度を上昇させている。そのため、樹脂２４が過度に変形して潰れてしまうことがなく、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。   Here, in the pressurizing and heating step shown in FIG. 7C, the bump electrode 23 is deformed by the pressing force, but in this embodiment, the electronic component 4 is heated in the steps S14 and S15, and the resin 24 of the bump electrode 23 is obtained. The hardness is increased. Therefore, the resin 24 is not excessively deformed and crushed, and the electronic component 4 can be mounted in a state where the metal terminal 12 and the insulating film 22 (active surface 21a) are not in contact with each other.

なお、加圧加熱工程におけるバンプ電極２３の変形量（樹脂２４の潰れ量）は、工程Ｓ１５における保持時間（加熱時間）によって制御することができる。先に記載のように、加熱開始からある時間までは加熱時間の長さに比例して樹脂２４の硬度が上昇する。したがって、加圧加熱工程における圧力が一定であれば、加熱時間の長さを変更することで、樹脂２４の硬度を調整することができ、バンプ電極２３の変形量を調整することができる。   Note that the deformation amount of the bump electrode 23 in the pressurizing and heating process (the collapse amount of the resin 24) can be controlled by the holding time (heating time) in the process S15. As described above, the hardness of the resin 24 increases in proportion to the length of the heating time from the start of heating to a certain time. Therefore, if the pressure in the pressure heating process is constant, the hardness of the resin 24 can be adjusted by changing the length of the heating time, and the deformation amount of the bump electrode 23 can be adjusted.

上記の加圧加熱工程が完了したならば、加熱保持部１１９の吸着が解除され、加熱保持部１１９が上昇される。また、圧着ツール１１６の加熱手段による加熱が停止され、加熱保持部１１９の温度が下げられる。これにより、実装部１０１が次の電子部品４の実装動作を実行可能な状態とされる。   When the above-described pressure heating process is completed, the suction of the heating and holding unit 119 is released, and the heating and holding unit 119 is raised. Further, heating by the heating means of the crimping tool 116 is stopped, and the temperature of the heating holding unit 119 is lowered. As a result, the mounting unit 101 is in a state in which the mounting operation of the next electronic component 4 can be executed.

以上の工程により、電子部品４のバンプ電極２３の導電膜２５がフレキシブル基板２の金属端子１２に電気的に接続された電子部品実装体１０を作製することができる。作製された電子部品実装体１０は、図示略の搬送機構により実装ステージ１１５から搬出される。   Through the above steps, the electronic component mounting body 10 in which the conductive film 25 of the bump electrode 23 of the electronic component 4 is electrically connected to the metal terminal 12 of the flexible substrate 2 can be manufactured. The produced electronic component mounting body 10 is unloaded from the mounting stage 115 by a transport mechanism (not shown).

以上、詳細に説明したように、本実施形態の電子部品実装体の製造方法では、圧着ツール１１６に保持した電子部品４をフレキシブル基板２に実装する前に、工程Ｓ１４、Ｓ１５において、電子部品４を所定温度にて所定時間保持する加熱動作を行い、バンプ電極２３の樹脂２４の硬度を上昇させている。これにより、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する加圧加熱工程において電子部品４を加熱したときに樹脂２４が軟化してしまうのを防止でき、バンプ電極２３が過度に変形するのを防止することができる。したがって本実施形態の製造方法では、実装条件を厳密に制御しなくともバンプ電極２３と金属端子１２とを適切な状態で実装することができる。
また、樹脂２４が潰れてしまうのを防止できることから、金属端子１２と電子部品４の能動面２１ａとが接触する不具合を低減することができ、歩留まりよく電子部品実装体を製造することができる。 As described above in detail, in the method of manufacturing the electronic component mounting body according to the present embodiment, the electronic component 4 is held in steps S14 and S15 before the electronic component 4 held by the crimping tool 116 is mounted on the flexible substrate 2. Is heated at a predetermined temperature for a predetermined time, and the hardness of the resin 24 of the bump electrode 23 is increased. Thereby, it is possible to prevent the resin 24 from being softened when the electronic component 4 is heated in the pressure heating process for mounting the electronic component 4 on the flexible substrate 2, and to prevent the bump electrode 23 from being excessively deformed. be able to. Therefore, in the manufacturing method of this embodiment, the bump electrode 23 and the metal terminal 12 can be mounted in an appropriate state without strictly controlling the mounting conditions.
Further, since the resin 24 can be prevented from being crushed, it is possible to reduce a problem that the metal terminal 12 and the active surface 21a of the electronic component 4 are in contact with each other, and it is possible to manufacture an electronic component mounting body with a high yield.

また本実施形態の製造方法では、電子部品４の実装時にバンプ電極２３を加熱して樹脂２４の硬度を上昇させるので、電子部品４の製造工程を変更することなく、他品種の電子部品実装体を製造することが可能である。
例えば、フレキシブル基板２ではなくガラス基板上に電子部品４をＣＯＧ(Chip On Glass)実装する場合、ガラス基板上の接続端子はスパッタ膜などを用いて形成された膜厚１００〜５００ｎｍ程度の薄膜である。そのため、樹脂２４の硬度が低くても電子部品４の能動面２１ａとガラス基板上の接続端子や配線とが接触してしまう可能性は低く、むしろ樹脂２４が軟らかい方が、導電膜２５とガラス基板上の接続端子との接触面積を増やす上で有利である。 Further, in the manufacturing method of the present embodiment, the bump electrode 23 is heated to increase the hardness of the resin 24 when the electronic component 4 is mounted, so that other types of electronic component mounting bodies can be used without changing the manufacturing process of the electronic component 4. Can be manufactured.
For example, when the electronic component 4 is mounted on the glass substrate instead of the flexible substrate 2 by COG (Chip On Glass), the connection terminal on the glass substrate is a thin film having a thickness of about 100 to 500 nm formed using a sputtered film or the like. is there. Therefore, even if the hardness of the resin 24 is low, there is a low possibility that the active surface 21a of the electronic component 4 and the connection terminals and wirings on the glass substrate are in contact with each other. This is advantageous in increasing the contact area with the connection terminal on the substrate.

このように、ＣＯＧ実装とＣＯＦ実装とでは、樹脂２４の硬度についての最適条件が異なることが想定される。従来は、樹脂２４の硬度を変更するには、バンプ電極２３を構成する樹脂２４の形成条件や構成材料を変更する必要があり、製品毎に電子部品４の製造工程を変更する必要があった。
これに対して本実施形態の製造方法では、樹脂２４の材質を変更しなくとも、実装時の加熱条件を変更するのみで樹脂２４の硬度を調整することができ、異なる基板への最適条件での実装が可能である。 Thus, it is assumed that the optimum conditions for the hardness of the resin 24 differ between COG mounting and COF mounting. Conventionally, in order to change the hardness of the resin 24, it is necessary to change the formation conditions and constituent materials of the resin 24 constituting the bump electrode 23, and it is necessary to change the manufacturing process of the electronic component 4 for each product. .
On the other hand, in the manufacturing method of the present embodiment, the hardness of the resin 24 can be adjusted only by changing the heating conditions at the time of mounting without changing the material of the resin 24, and under the optimum conditions for different substrates. Can be implemented.

なお、上記実施の形態では、圧着ツール１１６に備えられた加熱手段を用いて電子部品４を加熱することとしたが、圧着ツール１１６に保持された電子部品４のバンプ電極２３を加熱する手段としては、圧着ツール１１６とは別に儲けられた加熱装置であってもよい。例えば、図１に示すように、加熱保持部１１９と対向可能な位置にランプヒーターなどの加熱手段１２０を設け、圧着ツール１１６で電子部品４をピックアップした後、圧着ツール１１６を加熱手段１２０上に移動させて電子部品４のバンプ電極２３を加熱し、その後に実装ステージ１１５上に移動して実装工程を実施する製造方法とすることもできる。   In the above embodiment, the electronic component 4 is heated using the heating means provided in the crimping tool 116. However, as the means for heating the bump electrode 23 of the electronic component 4 held by the crimping tool 116. May be a heating device provided separately from the crimping tool 116. For example, as shown in FIG. 1, heating means 120 such as a lamp heater is provided at a position that can face the heating holding unit 119, and after the electronic component 4 is picked up by the crimping tool 116, the crimping tool 116 is placed on the heating means 120. The bump electrode 23 of the electronic component 4 can be heated to move, and then moved onto the mounting stage 115 to implement the mounting process.

（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、圧着ツール１１６に設けられた加熱手段を用いて電子部品４を加熱し、樹脂２４の硬度を上昇させる場合について説明したが、バンプ電極２３を加熱する方法は、上記実施形態に限られない。
例えば、図１に示すように、載置台１１１に電熱ヒーター等の加熱手段１１２を設置し、かかる加熱手段１１２によりウェハ２０１（電子部品４）を加熱する製造方法としてもよい。かかる製造方法を、第２の実施形態として、図８を参照しつつ以下に説明する。 (Second Embodiment)
In the first embodiment, the case where the electronic component 4 is heated using the heating means provided in the crimping tool 116 to increase the hardness of the resin 24 has been described. However, the method of heating the bump electrode 23 is described above. It is not limited to the embodiment.
For example, as shown in FIG. 1, a heating method 112 such as an electric heater may be installed on the mounting table 111, and the wafer 201 (electronic component 4) may be heated by the heating unit 112. Such a manufacturing method will be described below as a second embodiment with reference to FIG.

図８は、第２の実施形態に係る製造工程を示すフローチャートである。
まず、図８に示す工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２は、図５に示した工程Ｓ１１、Ｓ１２と同様である。具体的には、マガジン載置部１２１にウェハ２０１を収容したマガジン２１０が載置される。次いで、ウェハ搬送部１２２によりウェハ２０１が押し出され、実装部１０１の載置台１１１上に載置される。 FIG. 8 is a flowchart showing a manufacturing process according to the second embodiment.
First, steps S21 and S22 shown in FIG. 8 are the same as steps S11 and S12 shown in FIG. Specifically, a magazine 210 containing a wafer 201 is placed on the magazine placement unit 121. Next, the wafer 201 is pushed out by the wafer transfer unit 122 and mounted on the mounting table 111 of the mounting unit 101.

次に、工程Ｓ２３では、載置台１１１に備えられた加熱手段１１２によりウェハ２０１の加熱動作が開始される。加熱手段１１２は、制御部１０３により制御される電熱ヒーター等からなり、載置台１１１のウェハ２０１が載置される台座部分を所定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱可能に構成されている。
次に、工程Ｓ２４では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ２５へ移行する。 Next, in step S <b> 23, the heating operation of the wafer 201 is started by the heating unit 112 provided on the mounting table 111. The heating unit 112 includes an electric heater or the like controlled by the control unit 103, and is configured to be able to heat a pedestal portion on which the wafer 201 of the mounting table 111 is mounted to a predetermined temperature (for example, 200 ° C. to 500 ° C.). .
Next, in step S24, it is determined whether the heating time has elapsed. That is, the heating operation of the electronic component 4 is continued until a preset heating time elapses. After the set heating time has elapsed, the process proceeds to step S25.

上記の工程Ｓ２３及びＳ２４により、先の実施形態と同様に、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
なお、加熱状態に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合がある点も先の実施形態と同様であり、工程Ｓ２４における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。また、工程Ｓ２４の終了後には、加熱手段１１２の動作条件を変更し、樹脂２４の硬度が変化しない温度範囲まで載置台１１１の温度を低下させる。 By the above steps S23 and S24, the resin 24 of the bump electrode 23 is heated and the hardness of the resin 24 is increased as in the previous embodiment. Thereby, it is possible to prevent the bump electrode 23 from being crushed by heat and pressure in the subsequent mounting process.
It should be noted that if the holding time is too long, the hardness may decrease due to softening or deterioration of the resin, as in the previous embodiment, and the holding time in step S24 is such hardness. It is preferable to set in a range in which the decrease in the thickness does not occur. Further, after step S24 is completed, the operating condition of the heating means 112 is changed, and the temperature of the mounting table 111 is lowered to a temperature range in which the hardness of the resin 24 does not change.

次に、工程Ｓ２５では、図５に示した工程Ｓ１４と同様に、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。制御部１０３は、圧着ツール１１６及びカメラ１１７を載置台１１１上に移動させ、良品の電子部品４を選択する。そして、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させる。   Next, in step S25, the operation of picking up the individual electronic components 4 from the wafer 201 is executed, as in step S14 shown in FIG. The control unit 103 moves the crimping tool 116 and the camera 117 onto the mounting table 111 and selects a non-defective electronic component 4. Then, the heating and holding unit 119 of the crimping tool 116 is lowered and attracted to the selected good electronic component 4, and the heating and holding unit 119 is raised again.

次に、工程Ｓ２６では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
次に、工程Ｓ２７では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的な実装動作は、図６及び図７に示した第１実施形態の実装動作と同様である。 Next, in step S <b> 26, the electronic component 4 is conveyed onto the mounting stage 115 by the crimping tool 116. On the mounting stage 115, the flexible substrate 2 is placed by a conveying means (not shown).
Next, in step S27, the mounting unit 101 is controlled by the control unit 103, and the operation of mounting the electronic component 4 on the flexible substrate 2 is executed. The specific mounting operation is the same as the mounting operation of the first embodiment shown in FIGS.

本実施形態の製造方法では、工程Ｓ２３及びＳ２４において、載置台１１１に備えられた加熱手段１１２によりバンプ電極２３を加熱することで、樹脂２４の硬度を所定の硬度にまで上昇させている。これにより、工程Ｓ２７の実装工程で電子部品４をフレキシブル基板２に押圧したときに、フレキシブル基板２の金属端子１２の押圧力によって樹脂２４が過度に変形してしまうのを防止することができる。その結果、金属端子１２によって樹脂２４が潰れてしまうのを防止でき、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。   In the manufacturing method of the present embodiment, in steps S23 and S24, the bump electrode 23 is heated by the heating means 112 provided in the mounting table 111, thereby increasing the hardness of the resin 24 to a predetermined hardness. Thereby, when the electronic component 4 is pressed against the flexible substrate 2 in the mounting step of step S27, the resin 24 can be prevented from being excessively deformed by the pressing force of the metal terminal 12 of the flexible substrate 2. As a result, the resin 24 can be prevented from being crushed by the metal terminal 12, and the electronic component 4 can be mounted in a state where the metal terminal 12 and the insulating film 22 (active surface 21a) are not in contact with each other.

また本実施形態の製造方法では、載置台１１１上に載置されたウェハ２０１の全体を加熱するので、数個から数百個の電子部品４を一括して加熱することができる。したがって先の実施形態と比較するとタクトタイムを短縮することができ、効率良く電子部品実装体１０を製造することができる。   Moreover, in the manufacturing method of this embodiment, since the whole wafer 201 mounted on the mounting table 111 is heated, several to several hundred electronic components 4 can be heated at once. Therefore, the tact time can be shortened as compared with the previous embodiment, and the electronic component mounting body 10 can be manufactured efficiently.

（第３の実施形態）
上記第２の実施形態では、載置台１１１に設けられた加熱手段１１２によりウェハ２０１を加熱する場合について説明したが、ウェハ２０１を加熱する手段としては、載置台１１１に設けられたものに限られない。
例えば、図９に示すように、載置台１１１とは別に、電熱ヒーター等の加熱手段１１２を備えた加熱装置１１３を設け、加熱装置１１３によりウェハ２０１（電子部品４）を加熱する製造方法としてもよい。かかる製造方法を、第３の実施形態として、図９及び図１０を参照しつつ以下に説明する。 (Third embodiment)
In the second embodiment, the case where the wafer 201 is heated by the heating means 112 provided on the mounting table 111 has been described. However, the means for heating the wafer 201 is limited to that provided on the mounting table 111. Absent.
For example, as shown in FIG. 9, a heating device 113 including heating means 112 such as an electric heater is provided separately from the mounting table 111, and the manufacturing method of heating the wafer 201 (electronic component 4) by the heating device 113 is also possible. Good. Such a manufacturing method will be described below as a third embodiment with reference to FIGS. 9 and 10.

図９は、第３の実施形態に係る実装装置を示す図である。図１０は、第３の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。
図９に示す実装装置１００Ａは、基台１１０上に加熱装置１１３が備えられている点で第１実施形態の実装装置１００と異なる。
加熱装置１１３は、載置台１１１とほぼ同等の高さにウェハ２０１を支持可能な台座部分と、かかる台座部分を加熱する電熱ヒーター等の加熱手段１１２とを備えている。加熱装置１１３は、マガジン載置部１２１と載置台１１１との間に配置されている。 FIG. 9 is a diagram illustrating a mounting apparatus according to the third embodiment. FIG. 10 is a flowchart showing the manufacturing process of the third embodiment.
The mounting apparatus 100A shown in FIG. 9 differs from the mounting apparatus 100 of the first embodiment in that a heating device 113 is provided on the base 110.
The heating device 113 includes a pedestal portion that can support the wafer 201 at substantially the same height as the mounting table 111, and a heating unit 112 such as an electric heater that heats the pedestal portion. The heating device 113 is disposed between the magazine mounting unit 121 and the mounting table 111.

本実施形態の製造方法は、図１０に示す工程Ｓ３１〜Ｓ３８を有している。
まず、工程Ｓ３１において、ウェハ２０１を収容したマガジン２１０がマガジン載置部１２１にセットされる。次いで、工程Ｓ３２において、ウェハ搬送部１２２のアーム１２３によりウェハ２０１がマガジン２１０から押し出され、実装部１０１へ供給される。アーム１２３により押し出されたウェハ２０１は、加熱装置１１３の台座部分に載置される。 The manufacturing method of the present embodiment includes steps S31 to S38 shown in FIG.
First, in step S <b> 31, the magazine 210 containing the wafer 201 is set on the magazine placement unit 121. Next, in step S <b> 32, the wafer 201 is pushed out of the magazine 210 by the arm 123 of the wafer transfer unit 122 and supplied to the mounting unit 101. The wafer 201 pushed out by the arm 123 is placed on the pedestal portion of the heating device 113.

次に、工程Ｓ３３では、ウェハ２０１が加熱装置１１３上に載置されたウェハ２０１の加熱動作が開始される。加熱手段１１２は、制御部１０３の制御のもと、ウェハ２０１を所定温度（例えば２００℃〜５００℃）に加熱する。
次に、工程Ｓ３４では、加熱時間の経過が判定される。すなわち、電子部品４の加熱動作が、予め設定した加熱時間を経過するまで持続される。設定加熱時間の経過後、工程Ｓ３５へ移行する。 Next, in step S <b> 33, the heating operation of the wafer 201 on which the wafer 201 is placed on the heating device 113 is started. The heating unit 112 heats the wafer 201 to a predetermined temperature (for example, 200 ° C. to 500 ° C.) under the control of the control unit 103.
Next, in step S34, the elapse of the heating time is determined. That is, the heating operation of the electronic component 4 is continued until a preset heating time elapses. After the set heating time has elapsed, the process proceeds to step S35.

上記の工程Ｓ３３及びＳ３４により、先の実施形態と同様に、バンプ電極２３の樹脂２４が加熱され、樹脂２４の硬度が上昇する。これにより、後段の実装工程における加熱加圧によってバンプ電極２３が潰れてしまうのを防止することが可能になる。
なお、加熱状態に保持する時間が長すぎると、樹脂が軟化したり劣化することにより硬度が低下する場合がある点も先の実施形態と同様であり、工程Ｓ３４における保持時間はこのような硬度の低下が生じない範囲に設定することが好ましい。また、工程Ｓ３４の終了後には、加熱手段１１２の動作条件を変更し、樹脂２４の硬度が変化しない温度範囲まで加熱装置１１３の温度を低下させる。 By the above steps S33 and S34, the resin 24 of the bump electrode 23 is heated and the hardness of the resin 24 increases as in the previous embodiment. Thereby, it is possible to prevent the bump electrode 23 from being crushed by heat and pressure in the subsequent mounting process.
It should be noted that if the holding time is too long, the hardness may decrease due to softening or deterioration of the resin, as in the previous embodiment, and the holding time in step S34 is such hardness. It is preferable to set in a range in which the decrease in the thickness does not occur. In addition, after the process S34 is completed, the operating condition of the heating unit 112 is changed, and the temperature of the heating device 113 is lowered to a temperature range in which the hardness of the resin 24 does not change.

次に、工程Ｓ３５では、ウェハ２０１の移載動作が実行される。具体的には、制御部１０３による制御のもとで動作する図示略の移載装置により、加熱装置１１３から載置台１１１へ加熱処理後のウェハ２０１が搬送される。なお、上記の移載装置としては、特に限定されず、公知の搬送装置を用いることができる。例えば、ウェハ２０１を載置して水平移動する移載テーブルを備えたものや、ウェハ２０１を水平方向に搬送する搬送ベルトを備えたもの、あるいは、ウェハ２０１を支持又は吸着して搬送する搬送ロボットなどを用いることができる。   Next, in step S35, the transfer operation of the wafer 201 is performed. Specifically, the wafer 201 after the heat treatment is transferred from the heating device 113 to the mounting table 111 by a transfer device (not shown) that operates under the control of the control unit 103. In addition, it does not specifically limit as said transfer apparatus, A well-known conveying apparatus can be used. For example, a robot provided with a transfer table for placing the wafer 201 and moving horizontally, a robot provided with a transport belt for transporting the wafer 201 in the horizontal direction, or a transport robot for supporting or adsorbing and transporting the wafer 201 Etc. can be used.

次に、工程Ｓ３６では、図５に示した工程Ｓ１４と同様に、ウェハ２０１から個片の電子部品４をピックアップする動作が実行される。制御部１０３は、圧着ツール１１６及びカメラ１１７を載置台１１１上に移動させ、良品の電子部品４を選択する。そして、選択された良品の電子部品４に対して圧着ツール１１６の加熱保持部１１９を降下させて吸着させ、加熱保持部１１９を再び上昇させる。   Next, in step S36, the operation of picking up the individual electronic components 4 from the wafer 201 is executed, as in step S14 shown in FIG. The control unit 103 moves the crimping tool 116 and the camera 117 onto the mounting table 111 and selects a non-defective electronic component 4. Then, the heating and holding unit 119 of the crimping tool 116 is lowered and attracted to the selected good electronic component 4, and the heating and holding unit 119 is raised again.

次に、工程Ｓ３７では、圧着ツール１１６により電子部品４が実装ステージ１１５上へ搬送される。実装ステージ１１５上には、図示略の搬送手段によりフレキシブル基板２が載置されている。
次に、工程Ｓ３８では、制御部１０３により実装部１０１が制御され、電子部品４をフレキシブル基板２に実装する動作が実行される。具体的な実装動作は、図６及び図７に示した第１実施形態の実装動作と同様である。 Next, in step S <b> 37, the electronic component 4 is conveyed onto the mounting stage 115 by the crimping tool 116. On the mounting stage 115, the flexible substrate 2 is placed by a conveying means (not shown).
Next, in step S38, the mounting unit 101 is controlled by the control unit 103, and an operation of mounting the electronic component 4 on the flexible substrate 2 is executed. The specific mounting operation is the same as the mounting operation of the first embodiment shown in FIGS.

本実施形態の製造方法では、工程Ｓ３３及びＳ３４において、加熱装置１１３に備えられた加熱手段１１２によりバンプ電極２３を加熱することで、樹脂２４の硬度を所定の硬度にまで上昇させている。これにより、工程Ｓ３８の実装工程で電子部品４をフレキシブル基板２に押圧したときに、フレキシブル基板２の金属端子１２の押圧力によって樹脂２４が過度に変形してしまうのを防止することができる。その結果、金属端子１２によって樹脂２４が潰れてしまうのを防止でき、金属端子１２と絶縁膜２２（能動面２１ａ）とが接触しない状態で電子部品４を実装することができる。   In the manufacturing method of the present embodiment, in steps S33 and S34, the bump electrode 23 is heated by the heating means 112 provided in the heating device 113, thereby increasing the hardness of the resin 24 to a predetermined hardness. Thereby, when the electronic component 4 is pressed against the flexible substrate 2 in the mounting step of step S38, the resin 24 can be prevented from being excessively deformed by the pressing force of the metal terminal 12 of the flexible substrate 2. As a result, the resin 24 can be prevented from being crushed by the metal terminal 12, and the electronic component 4 can be mounted in a state where the metal terminal 12 and the insulating film 22 (active surface 21a) are not in contact with each other.

また本実施形態の製造方法では、加熱装置１１３上に載置されたウェハ２０１の全体を加熱するので、数個から数百個の電子部品４を一括して加熱することができる。また、電子部品４のピックアップ動作が行われている期間中に、加熱装置１１３により次のウェハ２０１を加熱することができる。
したがって、先の第１実施形態及び第２実施形態と比較してもタクトタイムを短縮することができ、効率良く電子部品実装体１０を製造することができる。 Further, in the manufacturing method of the present embodiment, since the entire wafer 201 placed on the heating device 113 is heated, several to several hundred electronic components 4 can be heated at once. Further, the next wafer 201 can be heated by the heating device 113 during the period in which the electronic component 4 is picked up.
Therefore, the tact time can be shortened as compared with the first and second embodiments, and the electronic component mounting body 10 can be manufactured efficiently.

４…電子部品、１０…電子部品実装体、１１…基板、１２…金属端子、２３…バンプ電極、２４…樹脂、２５…導電膜、１１１…載置台、１１２…加熱手段、１１３…加熱装置、１１６…圧着ツール   DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Electronic component, 10 ... Electronic component mounting body, 11 ... Board | substrate, 12 ... Metal terminal, 23 ... Bump electrode, 24 ... Resin, 25 ... Conductive film, 111 ... Mounting stand, 112 ... Heating means, 113 ... Heating device, 116 ... Crimping tool

Claims (5)

コアとなる樹脂の表面に導電膜が形成されたバンプ電極を有する電子部品と、金属端子を有する基板とを電気的に接続してなる電子部品実装体の製造方法であって、
前記電子部品の少なくとも前記バンプ電極を加熱し、前記樹脂の硬度を上昇させる加熱工程と、
硬度を上昇させた前記バンプ電極を前記金属端子に接触させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記電子部品を実装する実装工程と、
を有することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。 A method of manufacturing an electronic component mounting body in which an electronic component having a bump electrode in which a conductive film is formed on the surface of a resin as a core and a substrate having a metal terminal are electrically connected,
A heating step of heating at least the bump electrode of the electronic component and increasing the hardness of the resin;
A mounting step of mounting the electronic component by pressing the electronic component against the substrate in a state where the bump electrode with increased hardness is in contact with the metal terminal;
The manufacturing method of the electronic component mounting body characterized by having. 前記加熱工程が、前記電子部品が載置された載置台から圧着ツールを用いて前記電子部品を搬出し、前記圧着ツールに支持された前記電子部品を加熱する工程であり、
前記実装工程が、加熱後の前記電子部品を前記圧着ツールを用いて前記基板上に移動させ、前記基板に実装する実装工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。 The heating step is a step of carrying out the electronic component from a mounting table on which the electronic component is mounted using a crimping tool, and heating the electronic component supported by the crimping tool,
2. The electronic component mounting body according to claim 1, wherein the mounting step is a mounting step of moving the electronic component after heating onto the substrate using the crimping tool and mounting the electronic component on the substrate. Production method. 前記加熱工程が、前記圧着ツールに設けられた加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装体の製造方法。   The method of manufacturing an electronic component package according to claim 2, wherein the heating step is a step of heating the electronic component by a heating means provided in the crimping tool. 前記加熱工程が、加熱手段を有する載置台に前記電子部品を載置した状態で前記加熱手段により前記電子部品を加熱する工程であり、
前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。 The heating step is a step of heating the electronic component by the heating unit in a state where the electronic component is mounted on a mounting table having a heating unit;
The said mounting process is a process of conveying the said electronic component on the said board | substrate from the said mounting table using a crimping | compression-bonding tool, and mounting on the said board | substrate, The manufacture of the electronic component mounting body of Claim 1 characterized by the above-mentioned. Method. 前記加熱工程が、加熱装置を用いて前記電子部品を加熱する工程であり、
加熱後の前記電子部品を前記加熱装置から載置台へ搬送する搬送工程を有し、
前記実装工程が、前記電子部品を圧着ツールを用いて前記載置台から前記基板上へ搬送し、前記基板に実装する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。 The heating step is a step of heating the electronic component using a heating device;
A transporting step of transporting the heated electronic component from the heating device to a mounting table;
The said mounting process is a process of conveying the said electronic component on the said board | substrate from the said mounting table using a crimping | compression-bonding tool, and mounting on the said board | substrate, The manufacture of the electronic component mounting body of Claim 1 characterized by the above-mentioned. Method.
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