JP2012182474A5 - - Google Patents

Description

本発明の有機膜と、この有機膜の上に積層されたSiO2からなる中間膜と、前記中間膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える複数層レジストを、基板に形成された被エッチング膜上に積層されるように形成する膜形成工程と、
前記中間膜を前記レジスト膜をマスクとして処理室内においてプラズマによりエッチングして、当該中間膜に下端側が上端側よりも狭まるテーパ状の第１の開口部を形成する第１のエッチング工程と、
次いで、前記第１のエッチング工程を行った処理室と同一の処理室内において、前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記第１の開口部に沿ってエッチングし、当該有機膜に第２の開口部を形成する第２のエッチング工程と、
前記第２の開口部に沿って前記被エッチング膜をプラズマによりエッチングして、当該被エッチング膜に第３の開口部を開口する第３のエッチング工程と、
を含むことを特徴とする。

例えば前記膜形成工程、第１のエッチング工程、第２のエッチング工程及び第３のエッチング工程は、順次繰り返して行われ、前記第３のエッチング工程後、次に膜形成工程が行われるまでの間に、被エッチング膜上に残留する前記複数層レジストを構成する膜を除去する膜除去工程が行われ、各第３のエッチング工程で前記第３の開口部を被エッチング膜の互いに横方向にずれた位置に形成するために、各膜形成工程において前記レジストパターンは互いに横方向にずれた位置に形成される。また、例えば前記第２のエッチング工程において、前記処理室内に供給される二酸化炭素の流量と、水素の流量とは互いに等しく、前記第２のエッチング工程において、前記処理ガスの総流量に対する二酸化炭素及び水素の合計の流量比が２／３であってもよい。有機膜は、例えば基板に形成されたシリコン、炭素、酸素及び水素を含む低誘電率膜に埋め込まれており、その場合前記有機膜は、犠牲膜であり、また前記凹部は多層配線構造における上層と下層との配線同士を接続する電極を埋め込むためのビアホールであってもよい。前記有機膜は例えば炭素を主成分とする。

本発明によれば、複数層レジストにおける中間膜に下端側が上端側よりも狭まるテーパ状の第１の開口部を形成し、さらに二酸化炭素及び水素を含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマを用いて、複数層レジストにおける前記中間膜の下層に設けられた有機膜のエッチングを行うことで、複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高く、微細なマスクパターンを得ることができる。