JP2012181931A - Organic el light-emitting element - Google Patents

Organic el light-emitting element Download PDF

Info

Publication number
JP2012181931A
JP2012181931A JP2011042152A JP2011042152A JP2012181931A JP 2012181931 A JP2012181931 A JP 2012181931A JP 2011042152 A JP2011042152 A JP 2011042152A JP 2011042152 A JP2011042152 A JP 2011042152A JP 2012181931 A JP2012181931 A JP 2012181931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light emitting
embedded portion
organic
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011042152A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5743609B2 (en
Inventor
Akira Nishikawa
明 西川
Hideo Yamagishi
英雄 山岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Priority to JP2011042152A priority Critical patent/JP5743609B2/en
Publication of JP2012181931A publication Critical patent/JP2012181931A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5743609B2 publication Critical patent/JP5743609B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element which can prevent invasion of moisture and the like into a light-emitting portion of the organic EL element.SOLUTION: An organic EL element comprises a transparent conductive layer, an organic light-emitting unit layer, a metal layer and an insulation encapsulation layer on a transparent substrate 1 in this order from the bottom. An embedded part 35 is filled with a material layer of the same material as the insulation encapsulation layer in a Z direction from the insulation encapsulation layer to a depth position of at least a top face of the transparent conductive layer and forms a ring shape. An embedded part 37 is filled with a material layer of the same material as the metal layer inside an encapsulated closed region B1 from the metal layer to the depth position of the top face of the transparent conductive layer with penetrating the organic light-emitting unit layer in the Z direction. An embedded part 39 is filled with a material layer of the same material as the organic light-emitting unit layer inside the encapsulated closed region B1 from the organic light-emitting unit layer to a depth position of a top face of the transparent substrate with penetrating the transparent conductive layer in the Z direction. Embedded parts 47 and 48 connect two power supply layers formed at a distance in an X direction in an upper layer of the insulation encapsulation layer with the top face of the transparent conductive layer outside the encapsulated closed region B1.

Description

本発明は、面発光光源等として幅広い用途が期待される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）発光素子に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) light-emitting element that is expected to be widely used as a surface-emitting light source.

有機ＥＬ装置を構成する有機ＥＬ素子は電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子である。近年、有機ＥＬ素子を用いた研究が加速度的に行われ、有機ＥＬ素子を構成する有機材料等の改良により、素子の駆動電圧が格段に下げられると共に発光効率が高められている。   An organic EL element constituting the organic EL device is a semiconductor element that converts electric energy into light energy. In recent years, research using an organic EL element has been accelerated, and the drive voltage of the element has been drastically lowered and the light emission efficiency has been improved by improving organic materials and the like constituting the organic EL element.

有機ＥＬ素子は、電圧を印加するための陽極と陰極との間に有機発光ユニット層が挟持された構成を有している。陽極と陰極のうちの少なくとも一方は、素子内で発生する光を外部に取り出すために透明な導電性材料が用いられる。一般には、陽極として透明導電層が用いられ、陽極側から光が取り出される。有機ＥＬ素子は面発光光源として機能するため、ＬＥＤ等の点光源とは異なった光の表現が可能になる点において、照明用途としての今後の需要が期待されているところである。   The organic EL element has a configuration in which an organic light emitting unit layer is sandwiched between an anode and a cathode for applying a voltage. At least one of the anode and the cathode is made of a transparent conductive material in order to extract light generated in the element to the outside. In general, a transparent conductive layer is used as the anode, and light is extracted from the anode side. Since the organic EL element functions as a surface-emitting light source, future demand for illumination applications is expected in that light can be expressed differently from a point light source such as an LED.

しかしながら、有機ＥＬ素子は、一定期間駆動した場合に発光特性が初期と比べて著しく劣化する場合があるという問題を有する。この原因としては、有機ＥＬ素子内に侵入した酸素や水分が電極を酸化させることで、当該電極にダークスポット（非発光領域）を形成し、場合によっては電極間の短絡を生じさせるという点が挙げられる。   However, the organic EL element has a problem that the light emission characteristics may be significantly deteriorated compared to the initial state when driven for a certain period. The cause of this is that oxygen or moisture that has penetrated into the organic EL element oxidizes the electrode, thereby forming a dark spot (non-light emitting region) on the electrode and possibly causing a short circuit between the electrodes. Can be mentioned.

このような問題を防止するため、下記特許文献１には、有機ＥＬ素子の基板上に形成された発光層の上方の位置に封止部材をかぶせて接着剤で封止し、更に封止空間内に吸湿作用のある吸着剤等を封入するという措置を施した有機ＥＬパネルが開示されている   In order to prevent such a problem, the following Patent Document 1 discloses that a sealing member is placed on a position above the light emitting layer formed on the substrate of the organic EL element and sealed with an adhesive, and further a sealing space. An organic EL panel in which measures are taken to enclose an adsorbent having a hygroscopic effect inside is disclosed.

特開２００４−２３５０７７号公報JP 2004-235077 A

特許文献１の技術では、有機発光ユニット層を含む積層体が存在する領域の側方位置において、ガラス基板と封止部材とが接着剤を介して密着固定されている。このため、長時間の使用により接着剤部分を介して水分や酸素が侵入し、所望の封止性能が十分に得られないという問題を依然として有している。   In the technique of Patent Document 1, the glass substrate and the sealing member are closely fixed via an adhesive at a side position of a region where the laminate including the organic light emitting unit layer exists. For this reason, moisture and oxygen penetrate | invade through an adhesive agent part by long-time use, and there still exists a problem that desired sealing performance is not fully obtained.

本発明は、このような問題点に鑑み、有機ＥＬ素子の発光部位への水分等の侵入を防止することのできる有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。   In view of such problems, an object of the present invention is to provide an organic EL element that can prevent moisture and the like from entering a light emitting portion of the organic EL element.

上記の問題を解決すべく、本発明に係る有機ＥＬ発光素子は、透明基板上に、透明導電層、有機発光ユニット層、金属層、及び絶縁封止層を下からこの順に有してなる構成であって、
前記透明基板の基板面に垂直な第１方向に前記絶縁封止層から少なくとも前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填され、前記第１方向に見て環形状を示す第１埋め込み部と、
前記第１方向に見て前記第１埋め込み部に外周を囲まれてなる封止閉領域の内側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層を貫通して前記金属層から前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記金属層と同一の材料層が充填された第２埋め込み部と、
前記封止閉領域の内側において、前記第１方向に前記透明導電層を貫通して前記有機発光ユニット層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記有機発光ユニット層と同一の材料層が充填された第３埋め込み部と、
前記封止閉領域の外縁部又はその外側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記有機発光ユニット層と同一の材料層が充填されてなる埋め込み部と、前記第１方向に前記絶縁封止層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填されてなる埋め込み部の少なくとも何れか一方を有してなる第４埋め込み部と、
前記封止閉領域の外側において、前記基板面に平行な方向に離隔して、直接又は導電性材料が充填された第５埋め込み部を介して前記透明導電層の上面に接触して形成された２つの給電層と、
前記第３埋め込み部及び前記第４埋め込み部は、前記第１埋め込み部と連結して前記封止閉領域を横切るように構成され、前記基板面に平行な方向に前記透明導電層を２つに分断し、
前記２つの給電層のうちの一方は、分断された一方の前記透明導電層と接触し、前記２つの給電層のうちの他方は、分断された他方の前記透明導電層と接触していることを特徴とする。 In order to solve the above problem, the organic EL light emitting device according to the present invention includes a transparent conductive layer, an organic light emitting unit layer, a metal layer, and an insulating sealing layer in this order from the bottom on a transparent substrate. Because
In the first direction perpendicular to the substrate surface of the transparent substrate, the same material layer as the insulating sealing layer is filled from the insulating sealing layer to at least a depth position of the upper surface of the transparent conductive layer, and in the first direction. A first embedding portion showing a ring shape when viewed;
As viewed in the first direction, inside the sealed closed region surrounded by the first embedded portion, the organic light emitting unit layer penetrates in the first direction from the metal layer to the transparent conductive layer. A second embedded portion filled with the same material layer as the metal layer up to a depth position on the upper surface;
Inside the sealed closed region, the same material layer as the organic light emitting unit layer is filled from the organic light emitting unit layer to the depth position of the upper surface of the transparent substrate through the transparent conductive layer in the first direction. A third embedded portion,
An embedding in which the same material layer as that of the organic light emitting unit layer is filled in the first direction from the organic light emitting unit layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the outer edge portion or outside of the sealed closed region And at least one of a buried portion filled with the same material layer as the insulating sealing layer from the insulating sealing layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the first direction. A fourth embedded portion,
Outside the sealed closed region, formed in contact with the upper surface of the transparent conductive layer directly or via a fifth embedded portion filled with a conductive material, spaced in a direction parallel to the substrate surface. Two feeding layers,
The third embedded portion and the fourth embedded portion are configured to be connected to the first embedded portion and cross the sealed closed region, and the two transparent conductive layers are formed in a direction parallel to the substrate surface. Divide,
One of the two power supply layers is in contact with one of the divided transparent conductive layers, and the other of the two power supply layers is in contact with the other divided transparent conductive layer. It is characterized by.

本発明に係る有機ＥＬ発光素子によれば、絶縁封止層と同一の材料で形成された第１埋め込み部が、封止閉領域の内側に位置する有機発光ユニット層に対して、側方から水分や酸素が流入するのを防止する障壁としての機能を果たす。また、有機発光ユニット層の上層には絶縁封止層が形成されているため、上方からの水分や酸素の流入も防ぐことができる。これにより、発光特性の経時的な劣化を抑制することが可能となる。   According to the organic EL light emitting device according to the present invention, the first embedded portion formed of the same material as the insulating sealing layer is lateral to the organic light emitting unit layer located inside the sealed closed region. It functions as a barrier that prevents moisture and oxygen from entering. Moreover, since the insulating sealing layer is formed on the organic light emitting unit layer, the inflow of moisture and oxygen from above can be prevented. As a result, it is possible to suppress deterioration over time of the light emission characteristics.

また、この有機ＥＬ発光素子は、一方の面に透明導電層が形成された透明基板に対して所定の箇所にレーザーで溝を形成する工程と、全面に有機発光ユニット層，金属層，絶縁封止層を成膜する工程によって製造することが可能である。これにより、有機発光ユニット層内部への水分や酸素の侵入を防止する機構を備えた有機ＥＬ発光素子を、簡易な工程によって実現できるため、かかる機構を備えることによる歩留まりの大幅な低下や、製造コストの大幅な上昇するという事態を招くことがない。   In addition, the organic EL light emitting device includes a step of forming a groove with a laser at a predetermined position on a transparent substrate having a transparent conductive layer formed on one surface, an organic light emitting unit layer, a metal layer, an insulating seal on the entire surface. It can be manufactured by a process of forming a stop layer. As a result, an organic EL light-emitting device having a mechanism for preventing moisture and oxygen from entering into the organic light-emitting unit layer can be realized by a simple process. There is no risk of a significant increase in costs.

本発明に係る有機ＥＬ発光素子は、上記特徴に加えて、前記封止閉領域の外側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層を貫通して前記金属層から前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記金属層と同一の材料層が充填された第６埋め込み部を有することを別の特徴とする。   In addition to the above characteristics, the organic EL light emitting device according to the present invention penetrates the organic light emitting unit layer in the first direction outside the sealed closed region from the metal layer to the top surface of the transparent conductive layer. Another feature is that the sixth embedded portion is filled with the same material layer as the metal layer up to a depth position.

この構成によれば、封止閉領域の外側において、第６埋め込み部が金属層と透明導電層を連絡する機能を果たす。これにより、封止閉領域の外側で、第６埋め込み部及び金属層を介して進行する電流経路が確保される。金属層は透明導電層よりも低抵抗の材料で構成されるため、透明導電層内を電流が流れる場合と比べて電圧の低下が抑制される。これにより、有機ＥＬ発光素子上の位置に応じて輝度ムラが生じるのを緩和できる。   According to this configuration, the sixth embedded portion functions to communicate the metal layer and the transparent conductive layer outside the sealed closed region. This secures a current path that travels through the sixth embedded portion and the metal layer outside the sealed closed region. Since the metal layer is made of a material having a resistance lower than that of the transparent conductive layer, a decrease in voltage is suppressed as compared with a case where a current flows in the transparent conductive layer. Thereby, it can relieve | moderate that a brightness nonuniformity arises according to the position on an organic EL light emitting element.

本発明の構成によれば、簡易な製造プロセスによって、発光部位（有機発光ユニット層）への水分や酸素の侵入を防止する機構を付加した有機ＥＬ発光素子が実現できる。   According to the configuration of the present invention, an organic EL light emitting device to which a mechanism for preventing moisture and oxygen from entering the light emitting portion (organic light emitting unit layer) is added can be realized by a simple manufacturing process.

本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の概略斜視図1 is a schematic perspective view of a first embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の概略上面視平面図1 is a schematic top plan view of a first embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の概略断面図1 is a schematic sectional view of a first embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の別の概略上面視平面図Another schematic top view plan view of the first embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の工程断面図（１）Process sectional drawing (1) of 1st Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の工程断面図（２）Process sectional drawing (2) of 1st Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の別の概略斜視図Another schematic perspective view of 1st Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の更に別の概略上面視平面図Still another schematic top plan view of the first embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第１実施形態の更に別の概略断面図Another schematic sectional drawing of 1st Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第２実施形態の概略上面視平面図Schematic top view plan view of a second embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第２実施形態の概略断面図Schematic sectional view of a second embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第２実施形態の別の概略上面視平面図Another schematic top view plan view of the second embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第２実施形態の別の概略断面図Another schematic sectional drawing of 2nd Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第２実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top view plan view of the second embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第２実施形態の更に別の概略断面図Another schematic sectional drawing of 2nd Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の概略上面視平面図Schematic top view plan view of a third embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の概略断面図Schematic sectional view of a third embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の別の概略上面視平面図Another schematic top view plan view of the third embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top view plan view of the third embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top view plan view of the third embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top view plan view of the third embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第３実施形態の別の概略断面図Another schematic sectional drawing of 3rd Embodiment of the organic electroluminescent light emitting element which concerns on this invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第４実施形態の概略上面視平面図Schematic top view plan view of a fourth embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第４実施形態の概略断面図Schematic sectional view of a fourth embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第５実施形態の概略上面視平面図Schematic top view plan view of a fifth embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第５実施形態の概略断面図Schematic sectional view of a fifth embodiment of an organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の第５実施形態の別の概略上面視平面図Another schematic top view plan view of the fifth embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の概略上面視平面図Schematic top view plan view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の概略断面図Schematic sectional view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の別の概略上面視平面図Another schematic plan view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top plan view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top plan view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top plan view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention. 本発明に係る有機ＥＬ発光素子の他の実施形態の更に別の概略上面視平面図Yet another schematic top plan view of another embodiment of the organic EL light emitting device according to the present invention.

本発明の有機ＥＬ発光素子（以下、適宜「本素子」という）の各実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、各図面において、実際の寸法比と図面上の寸法比は必ずしも一致するものではない。   Each embodiment of the organic EL light emitting device of the present invention (hereinafter referred to as “the present device” as appropriate) will be described with reference to the drawings. In each drawing, the actual dimensional ratio and the dimensional ratio on the drawing do not necessarily match.

〔第１実施形態〕
本素子の第１実施形態の構成について説明する。 [First Embodiment]
The configuration of the first embodiment of this element will be described.

［全体構造］
図１は、本素子の第１実施形態の概略斜視図である。図１に示す有機ＥＬ発光素子１は、透明基板１１，透明導電層１３，有機発光ユニット層１５，金属層１７，絶縁封止層１９，絶縁フィルム２１，給電層２３を備える。給電層２３には、本素子１外部との間で電気的接続を形成するための引き出し線３１が接続されている。 [Overall structure]
FIG. 1 is a schematic perspective view of a first embodiment of the present element. An organic EL light emitting device 1 shown in FIG. 1 includes a transparent substrate 11, a transparent conductive layer 13, an organic light emitting unit layer 15, a metal layer 17, an insulating sealing layer 19, an insulating film 21, and a power feeding layer 23. A lead line 31 for forming an electrical connection with the outside of the element 1 is connected to the power supply layer 23.

本明細書では、説明の便宜上、透明基板１１が存在する側を「下側」と規定する。このとき、図１に示すように本素子１は、透明基板１１上に、透明導電層１３，有機発光ユニット層１５，金属層１７，絶縁封止層１９を下からこの順に積層してなる構成である。有機発光ユニット層１５には有機発光層が含まれている。つまり、本素子１は、透明基板１１側から光が取り出される、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置を主な対象としている。なお、透明基板１１が存在する側を「下側」として規定したのは、あくまで説明の便宜のためであり、実際の利用形態をこのように限定する意図ではない。つまり、例えば透明基板１１が存在する側を上にして本素子を利用したとしても、そのことのみをもって本発明の範囲から外れるわけではないことは言うまでもない。   In this specification, for convenience of explanation, the side on which the transparent substrate 11 exists is defined as “lower side”. At this time, as shown in FIG. 1, the element 1 is configured by laminating a transparent conductive layer 13, an organic light emitting unit layer 15, a metal layer 17, and an insulating sealing layer 19 in this order on a transparent substrate 11. It is. The organic light emitting unit layer 15 includes an organic light emitting layer. That is, the element 1 is mainly intended for a so-called bottom emission type organic EL light emitting device in which light is extracted from the transparent substrate 11 side. The reason that the side on which the transparent substrate 11 exists is defined as “lower side” is only for convenience of explanation, and is not intended to limit the actual usage form in this way. That is, it goes without saying that, for example, even if the present element is used with the side where the transparent substrate 11 is present facing up, it does not deviate from the scope of the present invention.

有機発光ユニット層１５において発光した光を外部に取り出す観点から、透明基板１１はなるべく高い透光性を有することが好ましい。透明基板１１の材料としては、例えばガラス板、透明プラスチックフィルム等が利用可能である。また、同様の理由により透明基板１の上に形成される透明導電層１３も、できるだけ高い透光性を有することが好ましい。より具体的には、透明基板１１及び透明導電層１３は、可視光域（３５０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における透過率がおおむね５０％を超えていればよい。好ましくはその透過率が８０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。   From the viewpoint of extracting light emitted from the organic light emitting unit layer 15 to the outside, the transparent substrate 11 preferably has as high a light transmission property as possible. As a material of the transparent substrate 11, for example, a glass plate, a transparent plastic film, or the like can be used. For the same reason, it is preferable that the transparent conductive layer 13 formed on the transparent substrate 1 has as high a translucency as possible. More specifically, the transparent substrate 11 and the transparent conductive layer 13 only have to have a transmittance of more than 50% in the visible light region (350 nm to 780 nm). The transmittance is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.

透明導電層１３を構成する透明導電性材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムドープの亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化スズ、酸化亜鉛等が利用可能である。その中でも表面抵抗の低さの観点から、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が好適に用いられる。透明導電層１３の形成方法としては、例えばスパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法等が好適に採用される。   As the transparent conductive material constituting the transparent conductive layer 13, for example, indium tin oxide (ITO), indium-doped zinc oxide (IZO), tin oxide, zinc oxide, or the like can be used. Among them, indium tin oxide (ITO) is preferably used from the viewpoint of low surface resistance. As a method for forming the transparent conductive layer 13, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, a pulse laser deposition method, or the like is preferably employed.

透明導電層１３上には、有機発光ユニット層１５が形成される。有機発光ユニット層１５は、一般の有機ＥＬ発光素子において陰極と陽極とに挟持された部分を指し、有機発光層の他には、例えば電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を含む。有機発光ユニット層１５は、有機化合物層の他に、薄膜のアルカリ金属層や無機層を有していてもよい。また、有機発光ユニット層１５は、特開２００３−２７２８６０号公報等に開示されているように、電荷発生層（Charge Generation Layer）を介して、膜面の法線方向に複数の発光層が直列に接続されたマルチフォトエミッション（ＭＰＥ）構成を有していても構わない。   On the transparent conductive layer 13, an organic light emitting unit layer 15 is formed. The organic light emitting unit layer 15 refers to a portion sandwiched between a cathode and an anode in a general organic EL light emitting element. In addition to the organic light emitting layer, for example, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, a hole Includes transport layer. The organic light emitting unit layer 15 may have a thin alkali metal layer or an inorganic layer in addition to the organic compound layer. The organic light emitting unit layer 15 includes a plurality of light emitting layers connected in series in the normal direction of the film surface via a charge generation layer as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-272860. It may have a multi-photo emission (MPE) configuration connected to.

有機発光ユニット層１５を構成する各層は、目的に応じて適宜の方法により形成され得る。例えば、低分子有機化合物等は蒸着法で形成されてもよいし、高分子有機化合物は印刷法等で形成されてもよい。また、有機ＥＬ発光素子の製造工程において、吸湿によって有機発光ユニット層を構成する各層が劣化するのを抑止する観点から、有機発光ユニット層１５と金属層１７の界面に、金属層１７とは別にバッファー層として導電性の層を形成してもよい。   Each layer constituting the organic light emitting unit layer 15 can be formed by an appropriate method according to the purpose. For example, the low molecular organic compound or the like may be formed by a vapor deposition method, and the high molecular organic compound may be formed by a printing method or the like. In addition, in the manufacturing process of the organic EL light emitting element, from the viewpoint of suppressing deterioration of each layer constituting the organic light emitting unit layer due to moisture absorption, separately from the metal layer 17 at the interface between the organic light emitting unit layer 15 and the metal layer 17. A conductive layer may be formed as the buffer layer.

有機発光ユニット層１５上には、透明導電層１３よりも低抵抗の金属層１７が形成される。金属層１７は、例えば、Ａｌ，Ａｇ等を用いて、蒸着，スパッタ等の方法により形成され得る。   A metal layer 17 having a lower resistance than the transparent conductive layer 13 is formed on the organic light emitting unit layer 15. The metal layer 17 can be formed by a method such as vapor deposition or sputtering using Al, Ag, or the like, for example.

金属層１７上には、絶縁封止層１９が形成される。絶縁封止層１９は、絶縁性の材料で構成され、吸湿性を更に有する材料であればより好ましい。酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、酸窒化ケイ素等の金属酸窒化物、その他の材料を用いて、ＣＶＤ，蒸着，スパッタ等の方法により形成することができる。   An insulating sealing layer 19 is formed on the metal layer 17. The insulating sealing layer 19 is more preferably a material made of an insulating material and further having a hygroscopic property. A metal oxide such as silicon oxide or aluminum oxide, a metal oxynitride such as silicon oxynitride, or other materials can be used to form the film by a method such as CVD, vapor deposition, or sputtering.

絶縁封止層１９上の所定箇所には、外部から電源を供給するための給電層２３が形成される。給電層２３は、ハンダ，Ａｇペースト，ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電フィルム）等の導電性材料を用い、材料に応じて蒸着、スパッタ、転写等の方法により形成することができる。   A power supply layer 23 for supplying power from the outside is formed at a predetermined location on the insulating sealing layer 19. The power feeding layer 23 can be formed by using a conductive material such as solder, Ag paste, ACF (Anisotropic Conductive Film), or the like by a method such as vapor deposition, sputtering, or transfer depending on the material.

そして、絶縁封止層１９及び給電層２３の上面には、保護目的の絶縁フィルム２１が形成されている。絶縁フィルム２１には、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン等の高分子絶縁素材を用いることができる。一例としては、硬化性樹脂を塗布した後に絶縁フィルム２１を形成し、その後に樹脂を硬化させることで絶縁フィルム２１を固定的に貼り付ける方法が採用され得る。   An insulating film 21 for protection is formed on the top surfaces of the insulating sealing layer 19 and the power feeding layer 23. For the insulating film 21, a polymer insulating material such as polyimide, polyamide, or polyethylene can be used. As an example, a method in which the insulating film 21 is formed after applying the curable resin, and then the insulating film 21 is fixedly pasted by curing the resin may be employed.

後述するように、透明導電層１３，有機発光ユニット層１５，及び金属層１７には、夫々所定の箇所において、当該層とは異なる材料層が充填された溝状の埋め込み部が形成されている。つまり、透明導電層１３の所定位置に形成されている埋め込み部内には、透明導電層１３ではない別の層材料が充填されている。有機発光ユニット層１５、金属層１７においても同様である。   As will be described later, each of the transparent conductive layer 13, the organic light emitting unit layer 15, and the metal layer 17 is formed with a groove-like embedded portion filled with a material layer different from the layer at predetermined positions. . That is, the embedded portion formed at a predetermined position of the transparent conductive layer 13 is filled with another layer material that is not the transparent conductive layer 13. The same applies to the organic light emitting unit layer 15 and the metal layer 17.

なお、本明細書では、透明基板１１が矩形形状を有しているものとして説明するが、本素子１において透明基板１１の形状は矩形に限定されるものではない。   In the present specification, the transparent substrate 11 is described as having a rectangular shape. However, in the element 1, the shape of the transparent substrate 11 is not limited to a rectangle.

［埋め込み部の構造］
図２は、本素子１の概略上面視平面図である。なお、図２では、理解の容易化のために、積層体の内部に形成されている埋め込み部が強調して図示されている。 [Structure of embedded part]
FIG. 2 is a schematic top plan view of the element 1. In FIG. 2, the embedding portion formed inside the stacked body is emphasized for easy understanding.

図２に示すように、本素子１には、埋め込み部３５，３７，３９，４１，４７及び４８が形成されている。埋め込み部３５は、溝部に絶縁封止層１９と同一の材料層が充填されて形成されたものである。埋め込み部３７は、溝部に金属層１７と同一の材料層が充填されて形成されたものである。埋め込み部３９は、後述するように埋め込み部３５によって形成される封止閉領域Ｂ１の内側において、溝部に有機発光ユニット層１５と同一の材料層が充填されて形成されたものである。埋め込み部４１は、封止閉領域Ｂ１の外側において、溝部に有機発光ユニット層１５と同一の材料層が充填されて形成されたものである。埋め込み部４７及び４８は、溝部に給電層２３と同一の材料層が充填されて形成されたものである。   As shown in FIG. 2, the element 1 has embedded portions 35, 37, 39, 41, 47 and 48. The buried portion 35 is formed by filling the groove with the same material layer as the insulating sealing layer 19. The buried portion 37 is formed by filling the groove with the same material layer as the metal layer 17. The embedded portion 39 is formed by filling the groove with the same material layer as the organic light emitting unit layer 15 inside the sealed closed region B1 formed by the embedded portion 35 as will be described later. The embedded portion 41 is formed by filling the groove with the same material layer as that of the organic light emitting unit layer 15 outside the sealed closed region B1. The embedded portions 47 and 48 are formed by filling the groove with the same material layer as that of the power feeding layer 23.

図面上、各埋め込み部３５，３７，３９，４１，４７及び４８における塗りつぶしパターンは、図１で図示されている各層の塗りつぶしパターンに対応させている。なお、後述するように、各埋め込み部は、同形状の溝部を形成した後に充填すべき材料層を各溝部内に充填することで形成されている。   In the drawing, the filling patterns in the embedding portions 35, 37, 39, 41, 47, and 48 correspond to the filling patterns of the respective layers shown in FIG. As will be described later, each buried portion is formed by filling each groove portion with a material layer to be filled after forming the groove portion having the same shape.

以下では、透明基板１１の基板面に平行な平面を「Ｘ−Ｙ平面」と呼び、図２における左右方向を「Ｘ方向」、上下方向を「Ｙ方向」と呼ぶ。また、Ｘ−Ｙ平面に直交する方向を「Ｚ方向」と呼ぶ。このＺ方向は「第１方向」に対応する。特に本明細書では、絶縁封止層１９から透明基板１１に向かう方向をＺ方向と規定して説明する。   Hereinafter, a plane parallel to the substrate surface of the transparent substrate 11 is referred to as an “XY plane”, a horizontal direction in FIG. 2 is referred to as an “X direction”, and a vertical direction is referred to as a “Y direction”. A direction orthogonal to the XY plane is referred to as a “Z direction”. This Z direction corresponds to the “first direction”. In particular, in this specification, the direction from the insulating sealing layer 19 toward the transparent substrate 11 is described as the Z direction.

（埋め込み部３５）
埋め込み部３５は、「第１埋め込み部」に対応する。埋め込み部３５は、Ｚ方向に見てＸ−Ｙ平面上に矩形環状を示すように形成されている。これにより、本素子１の形成領域は、Ｚ方向に見て埋め込み部３５に外周を囲まれてなる封止閉領域Ｂ１と、その外側の領域Ｂ２に分離される。 (Embedding part 35)
The embedding unit 35 corresponds to a “first embedding unit”. The embedded portion 35 is formed so as to show a rectangular ring shape on the XY plane when viewed in the Z direction. Thereby, the formation region of the element 1 is separated into a sealed closed region B1 that is surrounded by the embedded portion 35 as viewed in the Z direction, and a region B2 outside thereof.

この埋め込み部３５は、金属層１７及び有機発光ユニット層１５をＺ方向に貫通しているが、透明導電層１３の上面に達するに留まっており、透明導電層１３及びその下層の透明電極１１を分断することはない。絶縁封止層１９と同一の材料層で形成された埋め込み部３５により、金属層１７及び有機発光ユニット層１５が２つの領域Ｂ１，Ｂ２に分離され、絶縁封止層１９と透明導電層１３が連絡されている。   The embedded portion 35 penetrates the metal layer 17 and the organic light emitting unit layer 15 in the Z direction, but only reaches the upper surface of the transparent conductive layer 13, and the transparent conductive layer 13 and the transparent electrode 11 therebelow are connected. There is no division. The embedded portion 35 formed of the same material layer as the insulating sealing layer 19 separates the metal layer 17 and the organic light emitting unit layer 15 into two regions B1 and B2, and the insulating sealing layer 19 and the transparent conductive layer 13 are formed. Have been contacted.

本実施形態では、埋め込み部３５の形状を矩形環状であるとして説明するが、少なくともその内側に閉領域Ｂ１を形成するような環状であればよい。つまり、円環状や楕円環状、三角形環状、その他の環状であっても構わない。また、この埋め込み部３５は、一部の箇所において透明基板１１の上面に達するように形成されていてもよい。この形態については後に説明される。   In the present embodiment, the shape of the embedding part 35 is described as a rectangular ring, but it may be any ring that forms at least the closed region B1 inside thereof. That is, it may be an annular shape, an elliptical shape, a triangular shape, or other shapes. Further, the embedded portion 35 may be formed so as to reach the upper surface of the transparent substrate 11 at a part of the portion. This form will be described later.

（埋め込み部３７）
埋め込み部３７は、「第２埋め込み部」に対応する。埋め込み部３７は、封止閉領域Ｂ１の内側において、Ｚ方向に有機発光ユニット層１５を貫通し、金属層１７から透明導電層１３の上面の深さ位置まで金属層１７と同一の材料層が充填されることで形成されている。この埋め込み部３７は、有機発光ユニット層１５をＺ方向に貫通しているが、透明導電層１３の上面に達するに留まっており、透明導電層１３及びその下層の透明電極１１を分断することはない。金属層１７と同一の材料層で形成された埋め込み部３７により、金属層１７と透明導電層１３が連絡される。 (Embedding part 37)
The embedding unit 37 corresponds to a “second embedding unit”. The embedded portion 37 penetrates the organic light emitting unit layer 15 in the Z direction inside the sealed closed region B1, and the same material layer as the metal layer 17 extends from the metal layer 17 to a depth position on the upper surface of the transparent conductive layer 13. It is formed by filling. The embedded portion 37 penetrates the organic light emitting unit layer 15 in the Z direction, but only reaches the upper surface of the transparent conductive layer 13, and the transparent conductive layer 13 and the transparent electrode 11 below it are not divided. Absent. The metal layer 17 and the transparent conductive layer 13 are communicated with each other by an embedded portion 37 formed of the same material layer as the metal layer 17.

（埋め込み部３９）
埋め込み部３９は、「第３埋め込み部」に対応する。埋め込み部３９は、封止閉領域Ｂ１の内側において、Ｚ方向に透明導電層１３を貫通し、有機発光ユニット層１５から透明基板１１の上面の深さ位置まで有機発光ユニット層１５と同一の材料層が充填されることで形成されている。この埋め込み部４１は、透明導電層１３をＺ方向に貫通しているが、透明基板１１の上面に達するに留まっており、透明基板１１を分断することはない。 (Embedding part 39)
The embedding unit 39 corresponds to a “third embedding unit”. The embedded portion 39 penetrates the transparent conductive layer 13 in the Z direction inside the sealed closed region B1, and is the same material as the organic light emitting unit layer 15 from the organic light emitting unit layer 15 to a depth position on the upper surface of the transparent substrate 11. It is formed by filling the layer. The embedded portion 41 penetrates the transparent conductive layer 13 in the Z direction, but only reaches the upper surface of the transparent substrate 11 and does not divide the transparent substrate 11.

そして、図２に示すように、埋め込み部３９は封止閉領域Ｂ１を２つの領域に分断するように延伸して形成されている。図２の例では、埋め込み部３９がＹ方向に延伸する例が示されているが、延伸方向はＹ方向に限定されるものではない。   As shown in FIG. 2, the embedded portion 39 is formed by extending so as to divide the sealed closed region B1 into two regions. In the example of FIG. 2, an example in which the embedded portion 39 extends in the Y direction is shown, but the extending direction is not limited to the Y direction.

（埋め込み部４１）
埋め込み部４１は、「第４埋め込み部」に対応する。埋め込み部４１は、封止閉領域Ｂ１の外側において、Ｚ方向に透明導電層１３を貫通する、透明導電層１３以外の材料層が充填された埋め込み部を指している。そして、この埋め込み部４１は、埋め込み部３５及び３９と連結されて封止閉領域Ｂ１を横切るように構成されている。これらの埋め込み部によって、透明導電層１３は、Ｘ−Ｙ平面上において２つの領域Ａ１，Ａ２に分断される。図２ではＹ方向に延伸する埋め込み部によって、透明導電層１３がＸ方向に２領域に分断されるものとして図示している。 (Embedding part 41)
The embedding unit 41 corresponds to a “fourth embedding unit”. The embedded portion 41 indicates an embedded portion filled with a material layer other than the transparent conductive layer 13 that penetrates the transparent conductive layer 13 in the Z direction outside the sealed closed region B1. The embedded portion 41 is configured to be connected to the embedded portions 35 and 39 and cross the sealed closed region B1. By these embedded portions, the transparent conductive layer 13 is divided into two regions A1 and A2 on the XY plane. In FIG. 2, the transparent conductive layer 13 is illustrated as being divided into two regions in the X direction by the embedded portion extending in the Y direction.

図２の構成によれば、埋め込み部４１は、封止閉領域Ｂ１の外側において、Ｚ方向に有機発光ユニット層１５から透明基板１１の上面の深さ位置まで有機発光ユニット層１５と同一の材料層が充填されて形成される。また、埋め込み部４１と埋め込み部３５が結合する箇所においては、Ｚ方向に絶縁封止層１９から透明基板１１の上面の深さ位置まで絶縁封止層１９と同一の材料層が充填されて形成される。なお、当該箇所において、有機発光ユニット層１５と同一の材料層が透明導電層１３を貫通する構成としても構わない。   According to the configuration of FIG. 2, the embedded portion 41 is the same material as the organic light emitting unit layer 15 from the organic light emitting unit layer 15 to the depth position on the upper surface of the transparent substrate 11 in the Z direction outside the sealed closed region B1. Layers are filled and formed. Further, at the place where the embedded portion 41 and the embedded portion 35 are joined, the same material layer as the insulating sealing layer 19 is filled in the Z direction from the insulating sealing layer 19 to a depth position on the upper surface of the transparent substrate 11. Is done. It should be noted that the same material layer as the organic light emitting unit layer 15 may penetrate the transparent conductive layer 13 at the location.

（埋め込み部４７及び４８）
埋め込み部４７及び４８は、「第５埋め込み部」に対応する。この埋め込み部の説明を行うに当たり、まず給電層２３の説明を行う。給電層２３は、封止閉領域Ｂ１の外側において、基板面に平行な方向（ここではＸ方向）に離隔した２か所に形成されている。そして、埋め込み部４７は、一方の給電層２３からＺ方向に透明導電層１３の上面の深さ位置まで導電性の材料層が充填されて形成されている。埋め込み部４８は、他方の給電層２３からＺ方向に透明導電層１３の上面の深さ位置まで導電性の材料層が充填されて形成されている。つまり、埋め込み部４７及び４８も、封止閉領域Ｂ１の外側において基板面に平行な方向（Ｘ方向）に離隔して形成されている。 (Embedments 47 and 48)
The embedding parts 47 and 48 correspond to a “fifth embedding part”. In describing the embedded portion, first, the power feeding layer 23 will be described. The power feeding layer 23 is formed at two locations separated from each other in the direction parallel to the substrate surface (here, the X direction) outside the sealed closed region B1. The embedded portion 47 is formed by filling a conductive material layer from one power supply layer 23 to the depth position on the upper surface of the transparent conductive layer 13 in the Z direction. The embedded portion 48 is formed by filling a conductive material layer from the other power feeding layer 23 to the depth position on the upper surface of the transparent conductive layer 13 in the Z direction. That is, the embedded portions 47 and 48 are also formed apart from each other in the direction parallel to the substrate surface (X direction) outside the sealed closed region B1.

そして、埋め込み部４７は、領域Ａ１に係る透明導電層１３の上面に接触し、埋め込み部４８は、領域Ａ２に係る透明導電層１３の上面に接触する構成である。つまり、一方の給電層２３は、領域Ａ１に係る透明導電層１３と埋め込み部４７を介して連絡され、他方の給電層２３は、領域Ａ２に係る透明導電層１３と埋め込み部４８を介して連絡されている。   The embedded portion 47 is in contact with the upper surface of the transparent conductive layer 13 in the region A1, and the embedded portion 48 is in contact with the upper surface of the transparent conductive layer 13 in the region A2. That is, one of the power supply layers 23 is in communication with the transparent conductive layer 13 in the region A1 through the embedded portion 47, and the other power supply layer 23 is in communication with the transparent conductive layer 13 in the region A2 through the embedded portion 48. Has been.

本実施形態では、図示の簡単のため、埋め込み部３７，４７及び４８が、いずれもＹ方向に変位せずＸ方向にのみ変位した位置関係に配置されているものとして説明する（図２参照）。つまり、埋め込み部３７，４７及び４８を通過するＸ方向に平行な線分Ｘ１−Ｘ２を引くことができるものとする。しかし、本素子１において、これらの埋め込み部３７，４７及び４８が、相互にＹ方向に変位した位置に配置されていても構わない。   In the present embodiment, for simplicity of illustration, it is assumed that the embedded portions 37, 47, and 48 are all arranged in a positional relationship that is not displaced in the Y direction but displaced only in the X direction (see FIG. 2). . That is, a line segment X1-X2 parallel to the X direction passing through the embedding parts 37, 47 and 48 can be drawn. However, in the element 1, these embedded portions 37, 47 and 48 may be arranged at positions displaced in the Y direction.

［断面構造］
以下、本素子１の断面構造につき、図２で図示したＸ１−Ｘ２線、及びＸ３−Ｘ４線で切断した概略断面図を参照して説明する。図３は、本素子１の概略断面図であり、（ａ）にＸ１−Ｘ２線の断面図を、（ｂ）にＸ３−Ｘ４線の断面図を示す。 [Cross-section structure]
Hereinafter, the cross-sectional structure of the element 1 will be described with reference to schematic cross-sectional views taken along lines X1-X2 and X3-X4 shown in FIG. 3A and 3B are schematic cross-sectional views of the element 1, wherein FIG. 3A shows a cross-sectional view taken along line X1-X2, and FIG. 3B shows a cross-sectional view taken along line X3-X4.

図２の平面図からも分かるように、Ｘ１−Ｘ２断面においては埋め込み部３５，３７，３９，４７，４８が現れており、Ｘ３−Ｘ４断面においては埋め込み部３５，３９が現れている。なお、埋め込み部３７，４７及び４８が相互にＹ方向に変位していた場合には、Ｘ１−Ｘ２断面図において埋め込み部３７，４７，４８の何れか一のみが現れる構成となる。   As can be seen from the plan view of FIG. 2, embedded portions 35, 37, 39, 47, and 48 appear in the X1-X2 cross section, and embedded portions 35 and 39 appear in the X3-X4 cross section. When the embedded portions 37, 47, and 48 are displaced in the Y direction, only one of the embedded portions 37, 47, and 48 appears in the X1-X2 cross-sectional view.

図３により明らかなように、領域Ａ１内に形成された引き出し線３１は、領域Ａ１内の給電層２３及び給電層２３と同一の材料層で形成された埋め込み部４７を介して、領域Ａ１内の透明導電層１３と電気的に接続される。なお、透明導電層１３は、埋め込み部３５，３９及び４１が結合されることで領域Ａ１とＡ２に分断されるため、領域Ａ１内の透明導電層１３と領域Ａ２内の透明導電層１３とが直接短絡されることはない。   As is clear from FIG. 3, the lead line 31 formed in the region A1 passes through the power supply layer 23 in the region A1 and the embedded portion 47 formed of the same material layer as the power supply layer 23. The transparent conductive layer 13 is electrically connected. Note that the transparent conductive layer 13 is divided into the regions A1 and A2 by combining the embedded portions 35, 39, and 41, so that the transparent conductive layer 13 in the region A1 and the transparent conductive layer 13 in the region A2 are separated. There is no direct short circuit.

他方、領域Ａ２内に形成された引き出し線３１は、領域Ａ２内の給電層２３及び給電層２３と同一の材料層で形成された埋め込み部４８を介して、領域Ａ２内の透明導電層１３と電気的に接続される。この領域Ａ２内の透明導電層１３は、金属層１７と同一の材料が充填された埋め込み部３７を介して、金属層１７と電気的に接続される。   On the other hand, the lead line 31 formed in the region A2 is connected to the transparent conductive layer 13 in the region A2 via the power feeding layer 23 in the region A2 and the embedded portion 48 formed of the same material layer as the power feeding layer 23. Electrically connected. The transparent conductive layer 13 in the region A2 is electrically connected to the metal layer 17 through a buried portion 37 filled with the same material as the metal layer 17.

［本素子の機能］
領域Ａ１内の給電層２３と領域Ａ２内の給電層２３との間に電圧を印加すると、領域Ａ１内で且つ封止閉領域Ｂ１内において、透明導電層１３と金属層１７の間に電圧が印加される。これにより、透明導電層１３と金属層１７に挟持された、領域Ａ１内で且つ封止閉領域Ｂ１内の有機発光ユニット層１５が発光する。一方、領域Ａ２内或いは領域Ｂ２内の有機発光ユニット層１５は発光しない。つまり、埋め込み部３５及び３９によって囲まれた領域のうち、埋め込み部３７が形成されていない側の領域が発光領域となり、それ以外は非発光領域となる。 [Function of this element]
When a voltage is applied between the power supply layer 23 in the region A1 and the power supply layer 23 in the region A2, a voltage is generated between the transparent conductive layer 13 and the metal layer 17 in the region A1 and in the sealed closed region B1. Applied. Thus, the organic light emitting unit layer 15 in the region A1 and in the sealed closed region B1 sandwiched between the transparent conductive layer 13 and the metal layer 17 emits light. On the other hand, the organic light emitting unit layer 15 in the region A2 or the region B2 does not emit light. That is, in the region surrounded by the embedded portions 35 and 39, the region on the side where the embedded portion 37 is not formed is a light emitting region, and the other regions are non-light emitting regions.

一般には、透明導電層１３を陽極領域とし、金属層１７を陰極領域として機能させる。つまり、本素子１を発光素子として機能させる際には、領域Ａ１側の引き出し線３１が領域Ａ２側の引き出し線３１に対して正極性となるような電圧を印加する。このとき、領域Ａ１内の給電層２３が陽極端子、領域Ａ２内の給電層２３が陰極端子として機能する。   In general, the transparent conductive layer 13 functions as an anode region and the metal layer 17 functions as a cathode region. That is, when the element 1 functions as a light emitting element, a voltage is applied so that the lead line 31 on the area A1 side is positive with respect to the lead line 31 on the area A2. At this time, the power supply layer 23 in the region A1 functions as an anode terminal, and the power supply layer 23 in the region A2 functions as a cathode terminal.

図２及び図３において示されるように、封止閉領域Ｂ１は、絶縁封止層１９と同一の材料で形成された埋め込み部３５によって周囲を取り囲まれている。つまり、この埋め込み部３５は、封止閉領域Ｂ１内に位置する有機発光ユニット層１５に対して、側方から水分や酸素が流入するのを防止する障壁としての機能を果たす。また、有機発光ユニット層１５の上層には絶縁封止層１９及び絶縁フィルム２１が形成されているため、上方からの水分や酸素の流入も防止される。なお、絶縁フィルム２１は、必ず設けなければならないものではないが、上方からの水分や酸素の流入を抑制する効果を高め、また引き出し線２３や給電層３１以外の箇所における本素子１の表面部分の絶縁性を担保するためには、絶縁フィルム２１を設けるのが好適である。   As shown in FIGS. 2 and 3, the sealed closed region B <b> 1 is surrounded by a buried portion 35 made of the same material as the insulating sealing layer 19. That is, the burying portion 35 functions as a barrier that prevents moisture and oxygen from flowing into the organic light emitting unit layer 15 located in the sealed closed region B1 from the side. Moreover, since the insulating sealing layer 19 and the insulating film 21 are formed on the upper layer of the organic light emitting unit layer 15, inflow of moisture and oxygen from above is prevented. The insulating film 21 is not necessarily provided, but enhances the effect of suppressing the inflow of moisture and oxygen from above, and the surface portion of the element 1 at locations other than the lead wires 23 and the power feeding layer 31. In order to ensure the insulating property, it is preferable to provide the insulating film 21.

発光領域の面積をできるだけ確保しながら、有機発光ユニット層１５に対して水分や酸素の流入を防ぐ機能を付加するためには、領域Ａ１内のできるだけ広い領域を埋め込み部３５で囲むことが好ましい。一例として、図４に示すような構造とすることが可能である。また、発光領域の面積をできるだけ確保するという観点に立てば、図４において領域Ａ２をなるべく狭くするのが望ましい。   In order to add a function of preventing the inflow of moisture and oxygen to the organic light emitting unit layer 15 while securing the area of the light emitting region as much as possible, it is preferable to surround the widest region in the region A1 with the embedded portion 35. As an example, a structure as shown in FIG. 4 can be used. From the viewpoint of securing the area of the light emitting region as much as possible, it is desirable to make the region A2 as narrow as possible in FIG.

［製造プロセス］
以下、本実施形態における本素子１の具体的な製造プロセスの実施例につき、図５及び図６の工程断面図（紙面の都合上、２図面に分けている）を参照して説明する。図５及び図６の工程断面図は、図２の平面図上におけるＸ１−Ｘ２線断面図及びＸ３−Ｘ４線断面図を示している。なお、膜厚の数値、成膜方法、材料、加工時におけるレーザーの出力条件等はあくまで一例であり、これらに限定されるものではない。 [Manufacturing process]
Hereinafter, an example of a specific manufacturing process of the element 1 in the present embodiment will be described with reference to process cross-sectional views in FIG. 5 and FIG. 6 (divided into two drawings for convenience of paper). The process cross-sectional views of FIGS. 5 and 6 show a cross-sectional view taken along line X1-X2 and a cross-sectional view taken along line X3-X4 on the plan view of FIG. The numerical values of the film thickness, the film forming method, the material, the laser output conditions at the time of processing, etc. are merely examples, and are not limited to these.

以下では、埋め込み部３５，３７，３９，４１，４７，４８を形成するために予め形成する溝部を夫々、３５ｈ，３７ｈ，３９ｈ，４１ｈ，４７ｈ，４８ｈと符号を付して説明する。また、以下では工程毎にステップ番号Ｓ１〜Ｓ１０を付して説明する。   Hereinafter, the grooves formed in advance for forming the embedded portions 35, 37, 39, 41, 47, and 48 will be described with reference numerals 35h, 37h, 39h, 41h, 47h, and 48h, respectively. Moreover, below, step number S1-S10 is attached | subjected and demonstrated for every process.

（透明導電層付き透明基板の準備：ステップＳ１）
図５（ａ）に示すように、透明導電層として平均膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜が片面全体に形成された無アルカリガラス（２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）を用意する。無アルカリガラスが透明基板１１に、ＩＴＯ膜が透明導電層１３に夫々対応する。 (Preparation of transparent substrate with transparent conductive layer: Step S1)
As shown in FIG. 5A, an alkali-free glass (200 mm × 200 mm, thickness 0.7 mm) having an ITO film with an average film thickness of 150 nm formed on one side as a transparent conductive layer is prepared. The alkali-free glass corresponds to the transparent substrate 11 and the ITO film corresponds to the transparent conductive layer 13.

（溝部３９ｈ及び４１ｈの形成：ステップＳ２）
ステップＳ１の後、透明導電層１３が形成された透明基板１１を、透明導電層１３側の面（ＩＴＯ膜面）が上になるようにＸＹステージ上に設置し、ＹＡＧレーザーの基本波を用いて上面からレーザービームを照射し、Ｙ方向に走査することにより、所定箇所においてＹ方向に透明導電層１３を除去して透明基板１１の基板面を露出させる。これにより、図５（ｂ）に示すように、所定箇所においてＹ方向に延伸する溝部３９ｈが形成される。なお、図５内には現れないが、本工程において溝部３９ｈに連結されて溝部４１ｈも形成される。これらの溝部を境界として、透明基板１１は概念上２つの領域Ａ１，Ａ２に分けられる。 (Formation of grooves 39h and 41h: Step S2)
After step S1, the transparent substrate 11 on which the transparent conductive layer 13 is formed is placed on the XY stage so that the surface on the transparent conductive layer 13 side (ITO film surface) is up, and the fundamental wave of the YAG laser is used. By irradiating the laser beam from the upper surface and scanning in the Y direction, the transparent conductive layer 13 is removed in the Y direction at a predetermined location to expose the substrate surface of the transparent substrate 11. Thereby, as shown in FIG.5 (b), the groove part 39h extended | stretched to a Y direction in a predetermined location is formed. Although not shown in FIG. 5, in this step, the groove portion 41h is also connected to the groove portion 39h. The transparent substrate 11 is conceptually divided into two regions A1 and A2 with these groove portions as boundaries.

このとき、透明基板１１の基板面が極力損傷しないよう、レーザーの出力条件を設定する必要がある。本実施例では、レーザーの発振周波数は１５ｋＨｚ、出力は１４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は５０ｍｍ／秒である。   At this time, it is necessary to set the laser output conditions so that the substrate surface of the transparent substrate 11 is not damaged as much as possible. In this embodiment, the laser oscillation frequency is 15 kHz, the output is 14 W, the beam diameter is about 25 μm, and the processing speed is 50 mm / second.

（有機発光ユニット層１５の形成：ステップＳ３）
ステップＳ２の後、基板を中性洗剤で洗浄し、１５０℃で２０分加熱乾燥させた後、パターン化された透明導電層１３上に、酸化モリブデン層／４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（以下「α−ＮＰＤ」）層／α−ＮＰＤ層／［トリス（８−ハイドロキシキノリナート）］アルミニウム(ＩＩＩ)（以下「Ａｌｑ３」）層／ＬｉＦ層／Ａｌ層からなる有機発光ユニット層１５を、真空蒸着法により形成する。これにより、図５（ｃ）に示すように、ステップＳ２で形成された溝部３９ｈには有機発光ユニット層１５と同一の材料層で充填されて、埋め込み部３９が形成される。 (Formation of organic light emitting unit layer 15: Step S3)
After step S2, the substrate was washed with a neutral detergent, dried by heating at 150 ° C. for 20 minutes, and then a molybdenum oxide layer / 4,4′-bis [N- ( 2-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (hereinafter “α-NPD”) layer / α-NPD layer / [tris (8-hydroxyquinolinato)] aluminum (III) (hereinafter “Alq 3 ”) layer The organic light emitting unit layer 15 composed of / LiF layer / Al layer is formed by vacuum deposition. As a result, as shown in FIG. 5C, the groove 39 h formed in step S <b> 2 is filled with the same material layer as the organic light emitting unit layer 15, thereby forming the embedded portion 39.

より具体的には、まず、透明導電層１３の直上層に、発光ユニットを形成するホール注入層として、酸化モリブデンとα−ＮＰＤを真空蒸着法により夫々１０ｎｍの膜厚で順次製膜する。本実施例では、モリブデンの蒸着速度は０．０１５ｎｍ／秒、α―ＮＰＤの蒸着速度は０．１３５ｎｍ／秒である。   More specifically, first, molybdenum oxide and α-NPD are sequentially formed in a thickness of 10 nm on the transparent conductive layer 13 as a hole injection layer for forming a light emitting unit by a vacuum deposition method. In this example, the deposition rate of molybdenum is 0.015 nm / second, and the deposition rate of α-NPD is 0.135 nm / second.

次いでホール輸送層として、α−ＮＰＤを、真空蒸着法により５０ｎｍの膜厚で形成する（蒸着速度０．０８ｎｍ〜０．１２ｎｍ／秒）。更にその直上層に、電子輸送層を兼ねた発光層として、Ａｌｑ３を、真空蒸着法により７０ｎｍの膜厚で形成する（蒸着速度０．２５ｎｍ〜０．３０ｎｍ／秒）。更にその直上層にバッファー層として、膜厚１ｎｍのＬｉＦ（蒸着速度０．０１ｎｍ〜０．０５ｎｍ／秒）及び膜厚１５０ｎｍのＡｌを、真空蒸着法により順次形成する。 Next, α-NPD is formed as a hole transport layer with a film thickness of 50 nm by a vacuum deposition method (deposition rate: 0.08 nm to 0.12 nm / second). Further, Alq 3 is formed as a light-emitting layer also serving as an electron transport layer on the layer immediately above by a vacuum deposition method with a film thickness of 70 nm (deposition rate: 0.25 nm to 0.30 nm / second). Further, LiF (deposition rate: 0.01 nm to 0.05 nm / second) having a film thickness of 1 nm and Al having a film thickness of 150 nm are sequentially formed as a buffer layer directly on the upper layer by a vacuum evaporation method.

（溝部３７ｈの形成：ステップＳ４）
ステップＳ３の後、基板を、有機発光ユニット層１５側が下面になるようにＸＹステージ上に設置した。このとき、有機発光ユニット層１５面とＸＹステージ面との距離が７ｍｍとなるように、基板の端部４個所で基板とＸＹステージとを固定して、基板のレーザー加工面がＸＹステージと直接接触しないようにした。このようにＸＹステージから基板を浮かせた状態でレーザー加工を行うことで、レーザー加工による蒸発物が基板に再付着することや、ステージで反射・散乱したレーザー光による悪影響を抑制し得る。 (Formation of groove 37h: Step S4)
After step S3, the substrate was placed on the XY stage so that the organic light emitting unit layer 15 side was the lower surface. At this time, the substrate and the XY stage are fixed at the four end portions of the substrate so that the distance between the surface of the organic light emitting unit layer 15 and the XY stage surface is 7 mm, and the laser processing surface of the substrate is directly connected to the XY stage. I tried not to touch it. By performing laser processing in a state where the substrate is lifted from the XY stage in this way, it is possible to suppress the adhering substance by the laser processing from reattaching to the substrate, and the adverse effect of the laser light reflected / scattered on the stage.

この状態で、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いて上面からレーザービームを照射することにより、領域Ａ２内の所定箇所において有機発光ユニット層１５を除去して透明導電板１３の上面を露出させる。これにより、図５（ｄ）に示すように、領域Ａ２内の所定箇所に溝部３７ｈが形成される。   In this state, by irradiating a laser beam from the upper surface using the second harmonic of the YAG laser, the organic light emitting unit layer 15 is removed at a predetermined position in the region A2, and the upper surface of the transparent conductive plate 13 is exposed. As a result, as shown in FIG. 5D, a groove 37h is formed at a predetermined location in the region A2.

このとき、透明基板１１及び透明導電層１３が極力損傷しないよう、レーザーの出力条件を設定する必要がある。本実施例では、レーザーの発振周波数は５ｋＨｚ、出力は０．４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は５０ｍｍ／秒である。   At this time, it is necessary to set the laser output conditions so that the transparent substrate 11 and the transparent conductive layer 13 are not damaged as much as possible. In this embodiment, the laser oscillation frequency is 5 kHz, the output is 0.4 W, the beam diameter is about 25 μm, and the processing speed is 50 mm / second.

（金属層１７の形成：ステップＳ５）
ステップＳ４の後、基板を真空蒸着機に設置して、有機発光ユニット層１５の上層にＡｌを真空蒸着法により１５０ｎｍ（蒸着速度０．３０ｎｍ〜０．３５ｎｍ／秒）の膜厚で製膜することで金属層１７を形成した。これにより、図５（ｅ）に示すように、ステップＳ４で形成された溝部３７ｈには金属層１７と同一の材料層で充填されて、埋め込み部３７が形成される。 (Formation of metal layer 17: Step S5)
After step S4, the substrate is set in a vacuum vapor deposition machine, and Al is deposited on the organic light emitting unit layer 15 at a film thickness of 150 nm (deposition rate: 0.30 nm to 0.35 nm / second) by a vacuum vapor deposition method. Thus, the metal layer 17 was formed. As a result, as shown in FIG. 5E, the groove portion 37 h formed in step S <b> 4 is filled with the same material layer as the metal layer 17, thereby forming the embedded portion 37.

本ステップＳ５により、領域Ａ２内の所定箇所において、透明導電層１３と金属層１７との間の電気的接続経路が確保される。   By this step S5, an electrical connection path between the transparent conductive layer 13 and the metal layer 17 is secured at a predetermined location in the region A2.

（溝部３５ｈの形成：ステップＳ６）
ステップＳ５の後、基板を、金属層１７が下面になるようにＸＹステージ上に設置した。このとき、ステップＳ４と同様に、基板の端部４個所で基板とＸＹステージとを固定して、基板のレーザー加工面がＸＹステージと直接接触しないようにした。そして、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いて上面からレーザービームを照射し、矩形環状に走査することにより、所定箇所において金属層１７及び有機発光ユニット層１５を除去して、矩形環状に透明導電層１３の上面を露出させる。これにより、図５（ｆ）に示すように、所定箇所においてＸ−Ｙ平面上において矩形環状を示す溝部３５ｈが形成され、基板１１は、この溝部３５ｈを境界として、内側の閉領域Ｂ１と外側の領域Ｂ２の２つの領域に概念上分けられる。 (Formation of groove 35h: Step S6)
After step S5, the substrate was placed on the XY stage so that the metal layer 17 was on the lower surface. At this time, as in step S4, the substrate and the XY stage were fixed at the four end portions of the substrate so that the laser processing surface of the substrate did not directly contact the XY stage. Then, the second harmonic of the YAG laser is used to irradiate a laser beam from the upper surface and scan in a rectangular ring shape, thereby removing the metal layer 17 and the organic light emitting unit layer 15 at a predetermined location, and transparently conducting the rectangular ring. The top surface of layer 13 is exposed. As a result, as shown in FIG. 5 (f), a groove portion 35h having a rectangular ring shape is formed on the XY plane at a predetermined location, and the substrate 11 is separated from the inner closed region B1 and the outer side with the groove portion 35h as a boundary. The region B2 is conceptually divided into two regions.

このとき、透明基板１１及び透明導電層１３が極力損傷しないよう、レーザーの出力条件を設定する必要がある。本実施例では、レーザーの発振周波数は５ｋＨｚ、出力は０．４Ｗ、ビーム径は約２５μｍ、加工速度は２００ｍｍ／秒である。   At this time, it is necessary to set the laser output conditions so that the transparent substrate 11 and the transparent conductive layer 13 are not damaged as much as possible. In this embodiment, the laser oscillation frequency is 5 kHz, the output is 0.4 W, the beam diameter is about 25 μm, and the processing speed is 200 mm / second.

なお、この溝部３５ｈは、後のステップで絶縁封止層１９の材料層が充填されることで埋め込み部３５を形成する。図２において示したように、埋め込み部３５によって構成される閉領域Ｂ１は埋め込み部３９によって横切られる位置関係となる必要がある。このため、本ステップでは、領域Ａ１及びＡ２を跨ぐ矩形環状の溝部３５ｈを形成する必要がある。   The groove 35h forms the buried portion 35 by filling the material layer of the insulating sealing layer 19 in a later step. As shown in FIG. 2, the closed region B <b> 1 constituted by the embedding part 35 needs to be in a positional relationship crossed by the embedding part 39. For this reason, in this step, it is necessary to form a rectangular annular groove 35h that straddles the regions A1 and A2.

なお、この溝部３５ｈは、閉領域を構成する環状であれば、矩形環状に限定されない点は既に上述した通りである。発光領域をできるだけ確保するためには、例えば図４の埋め込み部３５が示すような形状にするのが好適である。   In addition, as long as this groove part 35h is the cyclic | annular structure which comprises a closed area | region, the point which is not limited to a rectangular cyclic | annular form is already as above-mentioned. In order to secure the light emitting region as much as possible, it is preferable to have a shape as shown by the embedded portion 35 in FIG. 4, for example.

（絶縁封止層１９の形成：ステップＳ７）
ステップＳ６の後、基板をプラズマＣＶＤ装置に設置して、金属層１７の上層にＳｉＮをプラズマＣＶＤ法により１．６μｍの膜厚で製膜することにより、絶縁封止層１９を形成した。これにより、図６（ａ）に示すように、ステップＳ６で形成された溝部３５ｈには絶縁封止層１９と同一の材料層で充填されて、埋め込み部３５が形成される。上述したように、この埋め込み部３５は、環状の封止閉領域Ｂ１を形成し、その内側に位置する有機発光ユニット層１５の水分や酸素の流入を防止する壁としての役目を果たす。 (Formation of insulating sealing layer 19: Step S7)
After step S6, the substrate was placed in a plasma CVD apparatus, and SiN was formed on the metal layer 17 to a thickness of 1.6 μm by plasma CVD to form the insulating sealing layer 19. As a result, as shown in FIG. 6A, the groove portion 35h formed in step S6 is filled with the same material layer as the insulating sealing layer 19, and the embedded portion 35 is formed. As described above, the embedded portion 35 forms an annular sealed closed region B1 and serves as a wall that prevents the inflow of moisture and oxygen in the organic light emitting unit layer 15 located inside thereof.

（溝部４７ｈの形成：ステップＳ８）
ステップＳ７の後、基板を、絶縁封止層１９側が下面になるようにＸＹステージ上に設置した。このとき、ステップＳ４，Ｓ６と同様に、基板の端部４個所で基板とＸＹステージとを固定して、基板のレーザー加工面がＸＹステージと直接接触しないようにした。そして、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いて上面から、埋め込み部３５の外側において、領域Ａ１及びＡ２内の所定箇所にレーザービームを照射することで、絶縁封止層１９、金属層１７及び有機発光ユニット層１５を除去して透明導電層１３の上面を露出させる。これにより、図６（ｂ）に示すように溝部４７ｈ及び４８ｈが形成される。 (Formation of groove 47h: Step S8)
After step S7, the substrate was placed on the XY stage so that the insulating sealing layer 19 side was the lower surface. At this time, similarly to Steps S4 and S6, the substrate and the XY stage were fixed at the four end portions of the substrate so that the laser processing surface of the substrate was not in direct contact with the XY stage. Then, the insulating sealing layer 19, the metal layer 17, and the organic layer are irradiated by irradiating a predetermined position in the regions A1 and A2 from the upper surface using the second harmonic of the YAG laser to the outside of the embedded portion 35. The light emitting unit layer 15 is removed and the upper surface of the transparent conductive layer 13 is exposed. As a result, grooves 47h and 48h are formed as shown in FIG.

（給電層２３の形成：ステップＳ９）
ステップＳ８の後、超音波によりハンダを塗布することにより、給電層２３を形成した。これにより、図６（ｃ）に示すように、ステップＳ８で形成された溝部４７ｈに給電層２３と同一の材料層で充填されて埋め込み部４７が形成され、ステップＳ８で形成された溝部４８ｈに給電層２３と同一の材料層で充填されて埋め込み部４８が形成される。埋め込み部４７及び４８は、本素子１の外部と透明導電層１３との電気的接続を確保するための経路としての役目を果たす。 (Formation of power feeding layer 23: Step S9)
After step S8, the power feeding layer 23 was formed by applying solder with ultrasonic waves. As a result, as shown in FIG. 6C, the groove 47h formed in step S8 is filled with the same material layer as the power supply layer 23 to form the embedded portion 47, and the groove 48h formed in step S8 is formed. The embedded portion 48 is formed by being filled with the same material layer as that of the power feeding layer 23. The embedded portions 47 and 48 serve as a path for ensuring electrical connection between the outside of the element 1 and the transparent conductive layer 13.

（絶縁フィルム２１、引き出し線３１の形成：ステップＳ１０）
ステップＳ９の後、給電層２３を外部に引き出すための引き出し線３１を給電層２３に接触形成させた後、引き出し線３１を給電層２３に超音波ハンダにより接合させた後、接着剤付きのＰＥＴフィルムを貼り付けることにより、絶縁フィルム２１を形成した。 (Formation of insulating film 21 and lead wire 31: Step S10)
After step S9, a lead wire 31 for pulling out the power feeding layer 23 is formed in contact with the power feeding layer 23, and then the lead wire 31 is joined to the power feeding layer 23 by ultrasonic soldering, and then PET with adhesive is used. The insulating film 21 was formed by affixing a film.

以上において説明したように、本実施形態における本素子１は、一方の面に透明導電層１３が形成された透明基板１１に対し、所定の箇所にレーザーで溝を形成する工程と、全面に有機発光ユニット層１５，金属層１７，絶縁封止層１９を成膜する工程によって実現することが可能である。すなわち、有機発光ユニット層１５内部への水分や酸素の侵入を防止する機構を備えた有機ＥＬ発光素子を、簡易な工程によって実現できるため、かかる機構を備えることによる歩留まりの大幅な低下や、製造コストの大幅な上昇するという事態を招くことがない。   As described above, the element 1 according to the present embodiment includes a step of forming a groove with a laser at a predetermined position on the transparent substrate 11 having the transparent conductive layer 13 formed on one surface, and an organic surface on the entire surface. This can be realized by a process of forming the light emitting unit layer 15, the metal layer 17, and the insulating sealing layer 19. That is, since an organic EL light emitting device having a mechanism for preventing moisture and oxygen from entering the organic light emitting unit layer 15 can be realized by a simple process, a significant decrease in yield due to the provision of such a mechanism, and manufacturing. There is no risk of a significant increase in costs.

［変形例］
本実施形態においては、給電層２３を絶縁封止層１９の上層に形成し、埋め込み部４８又は４９（第５埋め込み部）を介して給電層２３と透明導電層１３を接触させる構成とした。これに対し、Ｚ方向から本素子１を見た場合に、透明基板１１及び透明導電層１３が、有機発光ユニット層１５、金属層１７及び絶縁封止層１９よりも外側にはみ出しているような構成においては、透明導電層１３の上面に直接給電層２３を接触させる構成としても構わない。 [Modification]
In the present embodiment, the power feeding layer 23 is formed on the insulating sealing layer 19, and the power feeding layer 23 and the transparent conductive layer 13 are brought into contact with each other through the embedded portion 48 or 49 (fifth embedded portion). On the other hand, when the element 1 is viewed from the Z direction, the transparent substrate 11 and the transparent conductive layer 13 protrude beyond the organic light emitting unit layer 15, the metal layer 17, and the insulating sealing layer 19. In the configuration, the power feeding layer 23 may be in direct contact with the upper surface of the transparent conductive layer 13.

図７は、このような構成における概略斜視図である。なお、図７では、本素子１上における給電層の位置関係を明瞭にするために、絶縁フィルム２１を図示していない。また、図８は、図７に示す本素子を図２にならって上から見た平面図として図示したものである。図８に示すように、領域Ａ１内の透明導電層１３上には給電層２３ａが形成され、領域Ａ２内の透明導電層１３上には給電層２３ｂが形成されている。また、図９は、図８上のＸ１−Ｘ２線で本素子を切断したときの概略断面図である。実際の構造では、図７の状態において、給電層の上面を含む全面に絶縁フィルム２１が形成されているものとして構わない。   FIG. 7 is a schematic perspective view of such a configuration. In FIG. 7, the insulating film 21 is not shown in order to clarify the positional relationship of the power feeding layer on the element 1. FIG. 8 is a plan view of the device shown in FIG. 7 as seen from above in accordance with FIG. As shown in FIG. 8, a power feeding layer 23a is formed on the transparent conductive layer 13 in the region A1, and a power feeding layer 23b is formed on the transparent conductive layer 13 in the region A2. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the device taken along line X1-X2 in FIG. In the actual structure, in the state of FIG. 7, the insulating film 21 may be formed on the entire surface including the upper surface of the power feeding layer.

図９に示す本素子によれば、図２及び図３に示す本素子１と同様に、領域Ａ１側の引き出し線３１が領域Ａ２側の引き出し線３１に対して正極性となるような電圧を印加することで、領域Ａ１内の給電層２３が陽極端子、領域Ａ２内の給電層２３が陰極端子として機能し、透明導電層１３と金属層１７に挟持された、領域Ａ１内で且つ封止閉領域Ｂ１内の有機発光ユニット層１５が発光する。   According to the present element shown in FIG. 9, as in the present element 1 shown in FIGS. 2 and 3, the voltage at which the lead line 31 on the region A1 side is positive with respect to the lead line 31 on the region A2 side. By applying, the power feeding layer 23 in the region A1 functions as an anode terminal, and the power feeding layer 23 in the region A2 functions as a cathode terminal, and is sealed in the region A1 sandwiched between the transparent conductive layer 13 and the metal layer 17 The organic light emitting unit layer 15 in the closed region B1 emits light.

なお、図９に示す本素子を製造するに際しては、図１の素子と同様に、ステップＳ１〜Ｓ７を実行後、透明基板１１の外周付近に形成されている有機発光ユニット層１５、金属層１７及び絶縁封止層１９の積層体を除去して透明導電層１３の上面を露出させる。その後、ステップＳ８を経ずにステップＳ９においてこの露出した透明導電層１３上に給電層２３（２３a、２３b）を形成すればよい。   9, the organic light emitting unit layer 15 and the metal layer 17 formed in the vicinity of the outer periphery of the transparent substrate 11 after executing Steps S1 to S7 as in the element of FIG. Then, the laminated body of the insulating sealing layer 19 is removed to expose the upper surface of the transparent conductive layer 13. Thereafter, the power feeding layer 23 (23a, 23b) may be formed on the exposed transparent conductive layer 13 in step S9 without passing through step S8.

〔第２実施形態〕
本素子の第２実施形態の構成について説明する。なお、以下の各実施形態では、第１実施形態と異なる箇所についてのみ説明し、共通する箇所についての説明は割愛する。第１実施形態と共通する箇所については、同じ符号を付している。 [Second Embodiment]
The structure of 2nd Embodiment of this element is demonstrated. In the following embodiments, only portions different from the first embodiment will be described, and descriptions of common portions will be omitted. The parts common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

また、以下の各実施形態では、給電層２３が埋め込み部４７又は４８を介して透明導電層１３に接触する構成について説明するが、図７〜図９において説明したように、給電層２３を直接透明導電層１３上に形成する構成とすることも可能である。   In each of the following embodiments, a configuration in which the power feeding layer 23 is in contact with the transparent conductive layer 13 via the embedded portion 47 or 48 will be described. However, as described in FIGS. It is also possible to adopt a configuration in which it is formed on the transparent conductive layer 13.

図１０は、本実施形態における有機ＥＬ発光素子１ａの概略上面視平面図である。また、図１１は、図１０上のＹ１−Ｙ２線で切断したときの概略断面図である。なお、本実施形態における有機ＥＬ発光素子１ａは、第１実施形態における有機ＥＬ発光素子１と比較して、概略斜視図、並びに、Ｘ１−Ｘ２線及びＸ３−Ｘ４線の断面図は共通である。   FIG. 10 is a schematic top plan view of the organic EL light emitting device 1a in the present embodiment. FIG. 11 is a schematic sectional view taken along line Y1-Y2 in FIG. In addition, compared with the organic EL light emitting device 1 in the first embodiment, the organic EL light emitting device 1a in the present embodiment has a schematic perspective view and a cross-sectional view of the X1-X2 line and the X3-X4 line in common. .

図２と図１０を比較すれば分かるように、本実施形態の本素子１ａは、第１実施形態の本素子１と比較して、更にＸ方向に延伸する埋め込み部５１及び５２を有している点が異なる。これらの埋め込み部５１及び５２は、溝部に金属層１７と同一の材料層が充填されて形成されたものである。   As can be seen from a comparison between FIG. 2 and FIG. 10, the element 1 a of the present embodiment further includes embedded portions 51 and 52 extending in the X direction as compared with the element 1 of the first embodiment. Is different. These embedded portions 51 and 52 are formed by filling the groove with the same material layer as the metal layer 17.

埋め込み部５１及び５２は、「第６埋め込み部」に対応する。埋め込み部５１及び５２は、封止閉領域Ｂ１の外側において、Ｚ方向に有機発光ユニット層１５を貫通して金属層１７から透明導電層１３の上面の深さ位置まで金属層１７と同一の材料層が充填されて形成される。本実施形態では、Ｙ方向に離隔した２か所の位置に、夫々埋め込み部５１及び５２が形成されているものとして説明するが、何れか一方の埋め込み部のみが形成されているものとしても構わないし、例えば図１２に示す構造のように両埋め込み部５１及び５２が一体化されていても構わない。図１２に示す本素子１ａのＹ１−Ｙ２線断面図は、図１１と共通である。なお、図１３に同素子１ａのＸ１−Ｘ２線断面図を示している。   The embedding parts 51 and 52 correspond to a “sixth embedding part”. The embedded portions 51 and 52 are made of the same material as that of the metal layer 17 from the metal layer 17 to the depth of the upper surface of the transparent conductive layer 13 through the organic light emitting unit layer 15 in the Z direction outside the sealed closed region B1. Layers are filled and formed. In the present embodiment, description will be made assuming that the embedding portions 51 and 52 are formed at two positions separated in the Y direction, respectively, but only one of the embedding portions may be formed. Or both the embedding parts 51 and 52 may be integrated like the structure shown in FIG. A cross-sectional view taken along line Y1-Y2 of the element 1a shown in FIG. 12 is common to FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view of the element 1a taken along line X1-X2.

図２及び図３を参照すれば分かるように、第１実施形態の本素子１の場合、領域Ａ１内において給電層２３に与えられた電位は、埋め込み部４７を介して透明導電層１３との接触箇所に与えられた後、この透明導電層１３内をＸ−Ｙ平面に伝搬する。ここで、透明導電層１３を構成するＩＴＯやＡＧＯ等の金属酸化物は、透明性が求められない金属層１７を構成する材料と比較して高抵抗であるという性質を有している。このため、透明導電層１３内の電位は、領域Ａ１内において埋め込み部４７と透明導電層１３の接触箇所から離れれば離れるほど、給電層２３に印加された電位よりも低下する。   As can be seen from FIGS. 2 and 3, in the case of the element 1 of the first embodiment, the potential applied to the power feeding layer 23 in the region A <b> 1 is connected to the transparent conductive layer 13 via the embedded portion 47. After being given to the contact location, it propagates in the transparent conductive layer 13 to the XY plane. Here, the metal oxide such as ITO or AGO constituting the transparent conductive layer 13 has a property of having a higher resistance than the material constituting the metal layer 17 for which transparency is not required. For this reason, the potential in the transparent conductive layer 13 decreases from the potential applied to the power feeding layer 23 as the distance from the contact portion between the embedded portion 47 and the transparent conductive layer 13 increases in the region A1.

他方、領域Ａ２内の給電層２３は、埋め込み部４８，透明導電層１３，埋め込み部３７を介して金属層１７と電気的に接続される。この金属層１７は、透明性材料が用いられていないため、その抵抗は十分小さく位置に応じて電位が低下するということはない。   On the other hand, the power feeding layer 23 in the region A <b> 2 is electrically connected to the metal layer 17 through the embedded portion 48, the transparent conductive layer 13, and the embedded portion 37. Since the metal layer 17 is not made of a transparent material, its resistance is sufficiently small and the potential does not decrease depending on the position.

この結果、Ｘ−Ｙ平面上の座標位置に応じて、上層にある金属層１７と、下層にある透明導電層１３との電位差が変化するという問題が生じる。有機発光ユニット層１５の輝度は、印加される電圧に応じて決定されるため、場所に応じて金属層１７と透明導電層１３の間の電位差が変化することは、場所に応じて有機発光ユニット層１５の輝度が変化してしまうことを意味している。これは、有機ＥＬ発光素子１を構成する透明基板１１の面積を大きくすればするほど顕著な問題となる。より具体的には、輝度ムラとして現れることとなる。   As a result, there arises a problem that the potential difference between the upper metal layer 17 and the lower transparent conductive layer 13 changes according to the coordinate position on the XY plane. Since the luminance of the organic light emitting unit layer 15 is determined according to the applied voltage, the potential difference between the metal layer 17 and the transparent conductive layer 13 varies depending on the location. This means that the luminance of the layer 15 changes. This becomes a more serious problem as the area of the transparent substrate 11 constituting the organic EL light emitting element 1 is increased. More specifically, it appears as luminance unevenness.

これに対し、本実施形態の本素子１ａによれば、Ｘ方向に延伸する埋め込み部５１及び５２が形成されている。これらの埋め込み部５１及び５２は、図１１に示すように、封止閉領域の外側である領域Ｂ２内において金属層１７と透明導電層１３を連絡する役目を果たしている。すなわち、埋め込み部４７と透明導電層１３の接触箇所からＸ方向に離れた位置においても、埋め込み部５１及び５２、並びにこれに連絡された金属層１７を介してＸ方向に進行する電流経路が確保される。埋め込み部５１及び５２、並びに金属層１７は抵抗値が低い材料で構成されるため、この経路を電流が通過することによる電圧降下はほとんど生じない。このため、第１実施形態の本素子１と比べて、輝度ムラを解消する効果が期待できる。図１２に示す本素子１ａの構造によれば、その効果が更に期待できることは言うまでもない。なお、図１０や図１２の構造のように、Ｙ方向に対称性を有した構造を実現することで、意匠性に優れるという効果も得られる。   On the other hand, according to the element 1a of the present embodiment, the embedded portions 51 and 52 extending in the X direction are formed. As shown in FIG. 11, these embedded portions 51 and 52 serve to connect the metal layer 17 and the transparent conductive layer 13 in the region B2 that is outside the sealed closed region. That is, a current path traveling in the X direction is ensured through the embedded portions 51 and 52 and the metal layer 17 connected to the embedded portions 51 and 52 even at a position away from the contact portion between the embedded portion 47 and the transparent conductive layer 13 in the X direction. Is done. Since the embedded portions 51 and 52 and the metal layer 17 are made of a material having a low resistance value, a voltage drop due to current passing through this path hardly occurs. For this reason, the effect which eliminates a brightness nonuniformity can be anticipated compared with this element 1 of 1st Embodiment. Needless to say, according to the structure of the element 1a shown in FIG. In addition, the effect that it is excellent in design property is also acquired by implement | achieving the structure which has the symmetry in the Y direction like the structure of FIG.10 and FIG.12.

なお、本素子１ａを製造するに際しては、第１実施形態のステップＳ４において、埋め込み部３７のための溝部３７ｈに加えて、埋め込み部５１及び５２のための溝部を形成することの他は、第１実施形態と同様の工程で製造できる。   In manufacturing the element 1a, in addition to forming the groove portions for the embedded portions 51 and 52 in addition to the groove portion 37h for the embedded portion 37 in step S4 of the first embodiment, It can be manufactured in the same process as in the first embodiment.

本実施形態の別の構成例としては、図１４に示すような構造を採用することが可能である。図１４に示す本素子１ａは、埋め込み部３５によって囲まれた封止閉領域Ｂ１内に埋め込み部５１及び５２を有している。そして、埋め込み部５１の内側において絶縁封止層１９が充填された埋め込み部３５ａが形成されており、埋め込み部５２の内側において絶縁封止層１９が充填された埋め込み部３５ｂが形成されている。つまり、埋め込み部５１は、埋め込み部３５，３５ａ及び４１によって外周を取り囲まれており、埋め込み部５２は、埋め込み部３５，３５ｂ及び４１によって外周を取り囲まれている。   As another configuration example of the present embodiment, a structure as shown in FIG. 14 can be adopted. The element 1a shown in FIG. 14 has embedded portions 51 and 52 in a sealed closed region B1 surrounded by the embedded portion 35. A buried portion 35 a filled with the insulating sealing layer 19 is formed inside the buried portion 51, and a buried portion 35 b filled with the insulating sealing layer 19 is formed inside the buried portion 52. That is, the embedding part 51 is surrounded by the embedding parts 35, 35 a and 41, and the embedding part 52 is surrounded by the embedding parts 35, 35 b and 41.

ここで、埋め込み部３５ａ及び３５ｂは「第７埋め込み部」に対応する。なお、埋め込み部５１及び５２が「第６埋め込み部」に対応する点は図１０の構成と同じである。   Here, the embedding parts 35a and 35b correspond to a “seventh embedding part”. The point that the embedding parts 51 and 52 correspond to the “sixth embedding part” is the same as the configuration of FIG.

図１５は、図１４に示す本素子１ａのＹ１−Ｙ２線で切断したときの概略断面図である。図１５に示すように、埋め込み部３５ａ及び３５ｂは、絶縁封止層１９の直下に形成され、金属層１７をＺ方向に貫通しているが、有機発光ユニット層１５の上面に達するに留まっており、有機発光ユニット層１５及びその下層の透明導電層１３，透明電極１１を分断していない。   FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of the element 1a shown in FIG. 14 taken along line Y1-Y2. As shown in FIG. 15, the embedded portions 35 a and 35 b are formed immediately below the insulating sealing layer 19 and penetrate the metal layer 17 in the Z direction, but only reach the upper surface of the organic light emitting unit layer 15. The organic light emitting unit layer 15 and the transparent conductive layer 13 and the transparent electrode 11 below the organic light emitting unit layer 15 are not divided.

このように構成した場合、図１０や図１２の構成と同様に、Ｘ方向にわたって抵抗値に少ない電流経路が形成されるため、第１実施形態の本素子１よりも輝度ムラを解消する効果が得られる。一方で、図１４の構成の場合、埋め込み部３５，３５ａ，３５ｂ，及び３９で囲まれた領域（図１５内における領域Ｃに対応）が発光領域となるため、理論的に図１０や図１２の構成と比べて発光領域が狭くなってしまうという欠点がある。ただし、第１実施形態で上述したように、本素子１ａについても、レーザーにより形成した溝に材料層を充填することで埋め込み部を形成する構成であるため、埋め込み部の幅を極めて細く加工することができる。このため、図１４のような構成であっても、実用的な観点からすれば非発光領域が増大するという問題はさほど大きなものではない。   When configured in this manner, a current path having a smaller resistance value is formed in the X direction as in the configurations of FIGS. 10 and 12, and therefore, the effect of eliminating luminance unevenness is greater than that of the element 1 of the first embodiment. can get. On the other hand, in the case of the configuration of FIG. 14, the region surrounded by the embedding portions 35, 35a, 35b, and 39 (corresponding to the region C in FIG. 15) is the light emitting region, so theoretically FIGS. There is a drawback in that the light emitting region becomes narrower than the above configuration. However, as described above in the first embodiment, the element 1a is also configured to form the embedded portion by filling the groove formed by the laser with the material layer, and thus the width of the embedded portion is processed to be extremely narrow. be able to. For this reason, even if it is a structure like FIG. 14, from a practical viewpoint, the problem that a non-light-emission area | region increases is not so big.

なお、図１４の構成の場合には、第１実施形態のステップＳ４において、埋め込み部３７のための溝部３７ｈに加えて、埋め込み部５１及び５２のための溝部を形成し、更に、ステップＳ６において、埋め込み部３５のための溝部３５ｈに加えて、埋め込み部３５ａ及び３５ｂのための溝部を形成することの他は、第１実施形態と同様の工程によって製造することが可能である。   In the case of the configuration of FIG. 14, in step S4 of the first embodiment, in addition to the groove portion 37h for the embedded portion 37, groove portions for the embedded portions 51 and 52 are formed, and further in step S6. In addition to the formation of the groove portions 35a and 35b in addition to the groove portion 35h for the embedded portion 35, it can be manufactured by the same process as in the first embodiment.

〔第３実施形態〕
本素子の第３実施形態につき説明する。図１６は、本実施形態における本素子１ｂの概略上面視平面図である。また、図１７は、図１６上において線分Ｙ１−Ｙ２線で本素子１ｂを切断したときの概略断面図である。本素子１ｂは、図１０に示す本素子１ａに対して、埋め込み部５５を備えた点が異なる。 [Third Embodiment]
A third embodiment of the element will be described. FIG. 16 is a schematic top plan view of the element 1b in the present embodiment. FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the element 1b taken along line Y1-Y2 in FIG. The present element 1b is different from the present element 1a shown in FIG. 10 in that an embedded portion 55 is provided.

埋め込み部５５は、「第８埋め込み部」に対応する。この埋め込み部５５は、領域Ａ１内において、透明基板１の外周に沿うように形成されており、Ｚ方向に絶縁封止層１９から透明基板１１の上面の深さ位置まで絶縁封止層１９と同一の材料層が充填されて形成されている。つまり、本実施形態では、少なくとも領域Ａ１側において、透明導電層１３、有機発光ユニット層１５、及び金属層１７からなる積層体は、透明基板１１よりもＺ方向に見て面積が小さくなっており、絶縁封止層１９は、この埋め込み部５５を介して前記積層体の外壁に接触しながら透明基板１１の上面に連絡されている。   The embedding unit 55 corresponds to an “eighth embedding unit”. The embedded portion 55 is formed along the outer periphery of the transparent substrate 1 in the region A1, and the insulating sealing layer 19 extends from the insulating sealing layer 19 to the depth position on the upper surface of the transparent substrate 11 in the Z direction. The same material layer is filled and formed. That is, in the present embodiment, at least on the region A1 side, the laminate including the transparent conductive layer 13, the organic light emitting unit layer 15, and the metal layer 17 has a smaller area as viewed in the Z direction than the transparent substrate 11. The insulating sealing layer 19 is in contact with the upper surface of the transparent substrate 11 while being in contact with the outer wall of the laminate through the embedded portion 55.

このように構成された埋め込み部５５により、埋め込み部５１及び透明導電層１３に対して外部から水分や酸素が流入するのを防ぐ障壁としての機能が発揮される。よって、埋め込み部５１や透明導電層１３を介して有機発光ユニット層１５内に水分や酸素が侵入するのを防止する効果を更に高めることができる。   The burying portion 55 configured as described above functions as a barrier that prevents moisture and oxygen from flowing into the burying portion 51 and the transparent conductive layer 13 from the outside. Accordingly, it is possible to further enhance the effect of preventing moisture and oxygen from entering the organic light emitting unit layer 15 through the embedded portion 51 and the transparent conductive layer 13.

図１６では、透明基板１１を構成する３辺に沿って埋め込み部５１が形成されるものとしたが、１辺或いは向かい合う２辺に沿って埋め込み部５１が形成される構成であっても構わない。更に、図１８に示すように、埋め込み部５１が、領域Ａ１及びＡ２を含む透明基板１１の全外周を取り囲むように形成されていても構わない。このように構成することで、水分や酸素が有機発光ユニット層１５内に流入するのを更に抑制することができる。   In FIG. 16, the embedded portion 51 is formed along three sides constituting the transparent substrate 11. However, the embedded portion 51 may be formed along one side or two opposite sides. . Furthermore, as shown in FIG. 18, the embedding part 51 may be formed so as to surround the entire outer periphery of the transparent substrate 11 including the regions A1 and A2. By comprising in this way, it can further suppress that a water | moisture content or oxygen flows in into the organic light emission unit layer 15. FIG.

なお、埋め込み部５１及び５２を備えない構成において、埋め込み部５５を備える構成としても構わない。   Note that a configuration without the embedding units 51 and 52 may be configured with the embedding unit 55.

別の実施例として、図１９に示すように、埋め込み部４７及び４８を透明基板１１の外周に沿う位置に形成するものとしても構わない。このように構成することで、封止閉領域Ｂ１をＸ−Ｙ平面上において拡げることができるため、発光領域を拡大することができる。ただし、この構成の場合、導電性材料が充填された埋め込み部４７及び４８が本素子１ｂの側面に露出することのないよう、素子１ｂの外周全面を絶縁フィルム２１等の絶縁素材で覆うのが好ましい。   As another example, as shown in FIG. 19, the embedded portions 47 and 48 may be formed at positions along the outer periphery of the transparent substrate 11. By comprising in this way, since the sealing closed region B1 can be expanded on an XY plane, a light emission region can be expanded. However, in this configuration, the entire outer periphery of the element 1b is covered with an insulating material such as the insulating film 21 so that the embedded portions 47 and 48 filled with the conductive material are not exposed on the side surfaces of the element 1b. preferable.

なお、本実施形態以外の構成であっても、埋め込み部４７及び４８を透明基板の外周に沿う位置に形成することは可能である。また、図１２の場合と同様、本実施形態においても、埋め込み部５１と５２を連絡する構成としてもよい（図２０参照）。このとき、Ｘ方向及びＹ方向において、発光領域Ｃ１の両サイドに非発光領域Ｃ２がほぼ均等の幅で形成されるような位置関係となるように各埋め込み部を形成するのがより好ましい。図２０の構成においても、埋め込み部３５及び３９で周囲を囲まれた領域のうち、埋め込み部３７が形成されていない側の領域が発光領域となる点は図２や図１０の構成と同じである。このとき、Ｚ方向に見て埋め込み部３５及び３９によって囲まれる発光領域と、それ以外の領域である非発光領域とが対称的な位置関係となるように配置され、意匠性に優れる。   Note that even with a configuration other than that of the present embodiment, the embedded portions 47 and 48 can be formed at positions along the outer periphery of the transparent substrate. Further, similarly to the case of FIG. 12, in this embodiment, the embedded portions 51 and 52 may be connected (see FIG. 20). At this time, it is more preferable to form the respective embedded portions so that the non-light-emitting region C2 is formed with a substantially uniform width on both sides of the light-emitting region C1 in the X direction and the Y direction. In the configuration of FIG. 20 as well, the region on the side where the embedded portion 37 is not formed among the regions surrounded by the embedded portions 35 and 39 is the same as the configuration of FIGS. 2 and 10. is there. At this time, the light emitting region surrounded by the embedding parts 35 and 39 and the non-light emitting region which is the other region as viewed in the Z direction are arranged so as to have a symmetrical positional relationship, and the design is excellent.

更に、別の構成として、図２１に示すように、領域Ａ２内において、埋め込み部３５と埋め込み部５５をＸ方向に連結する構成としても構わない。なお、図２１に示す本素子１ｂをＸ１−Ｘ２線，Ｘ３−Ｘ４線で切断したときの概略断面図を図２２に示す。Ｙ１−Ｙ２線の断面図は、図１７と共通である。   Furthermore, as another configuration, as shown in FIG. 21, in the region A2, the embedded portion 35 and the embedded portion 55 may be connected in the X direction. FIG. 22 shows a schematic cross-sectional view of the element 1b shown in FIG. 21 taken along lines X1-X2 and X3-X4. A cross-sectional view taken along line Y1-Y2 is common to FIG.

本実施形態で説明した各構造についても、埋め込み部形成のための溝部の形成箇所を、本素子の構造に応じて変更する他は、第１実施形態で説明した本素子１の製造プロセスに準じた方法で製造が可能である。   Each structure described in the present embodiment also conforms to the manufacturing process of the present element 1 described in the first embodiment, except that the location of the groove for forming the buried portion is changed according to the structure of the present element. Can be manufactured by any other method.

〔第４実施形態〕
本素子の第４実施形態について説明する。図２３は、本実施形態における本素子１ｃの概略上面視平面図である。また、図２４は、図２３上において線分Ｘ１−Ｘ２線で本素子１ｃを切断したときの概略断面図である。 [Fourth Embodiment]
A fourth embodiment of the element will be described. FIG. 23 is a schematic top plan view of the element 1c in the present embodiment. FIG. 24 is a schematic cross-sectional view of the device 1c taken along line X1-X2 in FIG.

図２３に示されるように、本実施形態における本素子１ｃは、Ｘ方向に、埋め込み部３５，埋め込み部３７，埋め込み部３９，埋め込み部４１を複数配置して構成されている。これにより、埋め込み部３５に外周を囲まれてなる封止閉領域Ｂ１も同じＸ方向に複数形成される。また、埋め込み部３９，４１及び３５が連結されて各封止閉領域Ｂ１を横切るように形成され、これにより透明導電層１３はＸ方向に複数分断される。   As shown in FIG. 23, the element 1c in the present embodiment is configured by arranging a plurality of embedded portions 35, embedded portions 37, embedded portions 39, and embedded portions 41 in the X direction. As a result, a plurality of sealed closed regions B1 surrounded by the embedded portion 35 in the outer periphery are also formed in the same X direction. Further, the embedded portions 39, 41, and 35 are connected and formed so as to cross the respective sealed closed regions B1, whereby the transparent conductive layer 13 is divided into a plurality in the X direction.

埋め込み部４７は、Ｘ方向に分断された複数の透明導電層１３のうちの一方の端部に位置する透明導電層１３の上面に連絡される。また、埋め込み部４８は、Ｘ方向に分断された複数の透明導電層１３のうちの他方の端部に位置する透明導電層１３の上面に連絡される。２つの給電層２３のうち、一方は埋め込み部４７に接触し、他方は埋め込み部４８に接触している。   The embedded portion 47 is connected to the upper surface of the transparent conductive layer 13 located at one end of the plurality of transparent conductive layers 13 divided in the X direction. The embedded portion 48 is connected to the upper surface of the transparent conductive layer 13 located at the other end of the plurality of transparent conductive layers 13 divided in the X direction. One of the two power supply layers 23 is in contact with the embedded portion 47, and the other is in contact with the embedded portion 48.

かかる構成とすることで、埋め込み部３５及び３９に周囲を囲まれた領域のうち、埋め込み部３７が形成されていない側の領域からなる発光領域が、Ｘ方向に複数配列されることとなる。なお、隣接する発光領域の間には、埋め込み部３５及び３９に周囲を囲まれた領域のうち、埋め込み部３７が形成されている側の領域からなる非発光領域が形成される。つまり、発光領域と非発光領域がＸ方向に交互に配置される構成となる。   With this configuration, among the regions surrounded by the embedded portions 35 and 39, a plurality of light emitting regions composed of regions on the side where the embedded portion 37 is not formed are arranged in the X direction. Note that a non-light-emitting region composed of a region on the side where the embedded portion 37 is formed is formed between the adjacent light-emitting regions among the regions surrounded by the embedded portions 35 and 39. That is, the light emitting area and the non-light emitting area are alternately arranged in the X direction.

透明導電層１３及び金属層１７は、いずれもＸ方向に複数分断されている。図２４によれば、分断された各透明導電層１３は、埋め込み部４７が接触する透明導電層１３を除けば、埋め込み部４７側に隣接する封止閉領域Ｂ１内の金属層１７と、埋め込み部３７を介して電気的に接続されて同電位となる。この金属層１７と、同じ封止閉領域Ｂ１内の透明導電層１３の間で生じている電位差が同閉領域内の有機発光ユニット層１５に印加される。そして、この閉領域Ｂ１内の透明導電層１３は、同様の理屈により更に埋め込み部２７側に隣接する閉領域内の金属層１７と電気的に接続されて同電位となっている。かかる構成が、Ｘ方向にわたって連続して形成されている。   Each of the transparent conductive layer 13 and the metal layer 17 is divided into a plurality of pieces in the X direction. According to FIG. 24, each of the divided transparent conductive layers 13 is embedded in the metal layer 17 in the sealed closed region B1 adjacent to the embedded portion 47 side, except for the transparent conductive layer 13 with which the embedded portion 47 contacts. They are electrically connected via the part 37 and have the same potential. A potential difference generated between the metal layer 17 and the transparent conductive layer 13 in the same sealed closed region B1 is applied to the organic light emitting unit layer 15 in the closed region. The transparent conductive layer 13 in the closed region B1 is further electrically connected to the metal layer 17 in the closed region adjacent to the embedded portion 27 side by the same reasoning and has the same potential. Such a configuration is formed continuously over the X direction.

このような構成とすることで、図２の構成と比較した場合、埋め込み部４７に近い位置における透明導電層１３と金属層１７の間の印加電圧の大きさと、埋め込み部４８に近い位置における透明導電層１３と金属層１７の間の印加電圧の大きさの差異を小さくすることが可能となる。これにより、透明基板１を大型化した場合においても、場所に応じた輝度ムラを抑制することが可能である。   With such a configuration, compared with the configuration of FIG. 2, the magnitude of the applied voltage between the transparent conductive layer 13 and the metal layer 17 at a position close to the embedded portion 47 and the transparent at a position close to the embedded portion 48 are obtained. The difference in the magnitude of the applied voltage between the conductive layer 13 and the metal layer 17 can be reduced. Thereby, even when the transparent substrate 1 is increased in size, it is possible to suppress luminance unevenness depending on the location.

なお、本素子１ｃにおいても、埋め込み部形成のための溝部の形成箇所を、本素子の構造に応じて変更する他は、第１実施形態で説明した本素子１の製造プロセスに準じた方法で製造が可能である。   In addition, in the present element 1c, a method according to the manufacturing process of the present element 1 described in the first embodiment is also used except that the formation portion of the groove for forming the buried portion is changed according to the structure of the present element. Manufacturing is possible.

ここで、図２３においては、理論上、Ｘ方向にわたって一定間隔で非発光領域が存在することとなる。しかし、上述したように、本素子１ｃは第１実施形態の本素子１と同様に、レーザーにより形成した溝に材料層を充填することで埋め込み部を形成する構成であるため、埋め込み部の幅を極めて細く加工することができる。このため、図２３に示す構成であっても、Ｘ方向に一定間隔で非発光領域が視認されるようなことはない。   Here, in FIG. 23, theoretically, non-light emitting regions exist at regular intervals in the X direction. However, as described above, the present element 1c is configured to form a buried portion by filling a groove formed by a laser with a material layer, similarly to the present device 1 of the first embodiment. Can be processed extremely finely. For this reason, even in the configuration shown in FIG. 23, the non-light emitting region is not visually recognized at regular intervals in the X direction.

なお、図２３では、図２と同様の埋め込み部を有してなる単位構造がＸ方向に複数配置された構成としたが、単位構造をどのような構成にするかは、適宜自由に選択できる。例えば、図１０や図２１に示したような構成を単位構造とすることも可能である。   In FIG. 23, a plurality of unit structures having embedded portions similar to those in FIG. 2 are arranged in the X direction. However, the configuration of the unit structure can be freely selected as appropriate. . For example, the configuration shown in FIGS. 10 and 21 can be a unit structure.

更に、単位構造の構成を異ならせた状態でＸ方向に複数配置することで本素子１ｃを形成しても構わない。各実施形態で上述したように、本素子は埋め込み部３５及び３９によって発光領域が画定される。つまり、これを逆に言えば、埋め込み部３５及び３９の形状を変化させることで、発光領域の形状を自由に変化させることが可能になることを意味している。埋め込み部３５及び３９の形状は、ステップＳ４及びＳ６に係る各溝部形成工程によって決定されるため、このステップにおいて、溝部が所望の形状となるようにレーザーを走査することで容易に実現できる。特に、本実施形態のように、透明基板１１上に複数の発光領域が構成される形態の場合、各発光領域を幾何学的模様やアルファベット、数字等の形状にすることで、ユーザーの要望に応じて発光領域の形状を変化させることのできる、自由度の高い照明装置が実現できる。   Further, the element 1c may be formed by arranging a plurality of unit structures in the X direction in a different state. As described above in each embodiment, the light emitting region of the element is defined by the embedded portions 35 and 39. That is, conversely, this means that the shape of the light emitting region can be freely changed by changing the shape of the embedded portions 35 and 39. Since the shapes of the embedded portions 35 and 39 are determined by the groove forming steps according to steps S4 and S6, in this step, it can be easily realized by scanning the laser so that the groove portions have a desired shape. In particular, in the case where a plurality of light emitting areas are configured on the transparent substrate 11 as in the present embodiment, each light emitting area is formed into a geometric pattern, alphabet, number, or the like to meet the user's request. Accordingly, a lighting device having a high degree of freedom that can change the shape of the light emitting region can be realized.

〔第５実施形態〕
本素子の第５実施形態について説明する。図２５は、本実施形態における本素子１ｄの概略上面視平面図である。また、図２６は、図２５上において線分Ｙ１−Ｙ２線で本素子１ｄを切断したときの概略断面図である。 [Fifth Embodiment]
A fifth embodiment of the element will be described. FIG. 25 is a schematic top plan view of the element 1d according to the present embodiment. FIG. 26 is a schematic cross-sectional view of the element 1d taken along line Y1-Y2 in FIG.

上記の各実施形態では、埋め込み部４１として、有機発光ユニット層１５と同一の材料層が充填されてなる場合を想定した（特に図２及び図３参照）。このような埋め込み部４１が設けられているのは、埋め込み部３９と共に埋め込み部３５と連結されることで透明導電層１３をＸ方向に分断し、埋め込み部４７及び４８が透明導電層１３を介して直接的に短絡されるのを防止する趣旨である。   In each of the embodiments described above, it is assumed that the embedded portion 41 is filled with the same material layer as that of the organic light emitting unit layer 15 (see particularly FIGS. 2 and 3). Such a buried portion 41 is provided because the transparent conductive layer 13 is divided in the X direction by being connected to the buried portion 35 together with the buried portion 39, and the buried portions 47 and 48 are interposed via the transparent conductive layer 13. This is intended to prevent direct short circuit.

従って、埋め込み部４１は、埋め込み部３９と共に埋め込み部３５と連結されて透明導電層１３をＸ方向に分断する構成であれば、絶縁封止層１９と同一の材料層が充填されて形成される構成であっても構わない。   Accordingly, the embedded portion 41 is formed by being filled with the same material layer as that of the insulating sealing layer 19 as long as the embedded portion 41 is connected to the embedded portion 35 together with the embedded portion 39 to divide the transparent conductive layer 13 in the X direction. It may be a configuration.

本素子１ｄは、このような点に鑑み、上記の各実施形態とは異なり封止閉領域Ｂ１の外縁を形成する埋め込み部３５の一部が、透明基板１１の上面に接触する埋め込み部（６１及び６２）を構成している。図２６に示すように、埋め込み部６１及び６２は、埋め込み部３５と同様に、絶縁封止層１９と同一の材料層が充填されて形成されているが、例えば図２の構造の埋め込み部３５とは異なり、金属層１７，有機発光ユニット層１５に加えて透明導電層１３をもＺ方向に貫通している。なお、Ｘ１−Ｘ２断面、Ｘ３−Ｘ４断面については図３と同じである。   In view of these points, the element 1d is different from the above embodiments in that a part of the embedded part 35 forming the outer edge of the sealed closed region B1 is in contact with the upper surface of the transparent substrate 11 (61 And 62). As shown in FIG. 26, the embedded portions 61 and 62 are formed by being filled with the same material layer as that of the insulating sealing layer 19 in the same manner as the embedded portion 35. For example, the embedded portions 35 have the structure shown in FIG. Unlike the metal layer 17 and the organic light emitting unit layer 15, the transparent conductive layer 13 also penetrates in the Z direction. The X1-X2 cross section and the X3-X4 cross section are the same as those in FIG.

かかる構成とした場合、埋め込み部６１及び６２が形成されている領域には、透明導電層１３が形成されていないため、かかる領域内において、埋め込み部４７と４８をつなぐ電流経路は形成されない。また、封止閉領域Ｂ１内においては、透明導電層１３が除去された埋め込み部３９が形成されているため、やはり埋め込み部４７と４８をつなぐ電流経路は形成されない。   In such a configuration, since the transparent conductive layer 13 is not formed in the region where the embedded portions 61 and 62 are formed, a current path that connects the embedded portions 47 and 48 is not formed in the region. Further, since the embedded portion 39 from which the transparent conductive layer 13 has been removed is formed in the sealed closed region B1, a current path that connects the embedded portions 47 and 48 is not formed.

つまり、埋め込み部３５の一部分を構成する埋め込み部６１及び６２は、封止閉領域Ｂ１の外縁において、Ｚ方向に透明導電層１３を貫通する、透明導電層１３以外の材料層が充填されて形成されており、「第４埋め込み部」に対応している。すなわち、埋め込み部６１及び６２が、図２の構成において封止閉領域Ｂ１の外側に形成された埋め込み部４１の役割を果たす。   That is, the embedded portions 61 and 62 constituting a part of the embedded portion 35 are formed by filling a material layer other than the transparent conductive layer 13 that penetrates the transparent conductive layer 13 in the Z direction at the outer edge of the sealed closed region B1. This corresponds to the “fourth embedded portion”. That is, the embedded portions 61 and 62 serve as the embedded portion 41 formed outside the sealed closed region B1 in the configuration of FIG.

なお、図２５の構成において、埋め込み部６１及び６２によって透明基板１の外周を取り囲むように形成することも可能である。   In the configuration of FIG. 25, it is also possible to form the embedding portions 61 and 62 so as to surround the outer periphery of the transparent substrate 1.

また、図２５では、埋め込み部６１及び６２が封止閉領域Ｂ１の外縁の一部を構成していたが、図２７に示す構造のように、封止閉領域Ｂ１の外側の位置にのみ埋め込み部６１及び６２を形成しても構わない。この場合、Ｘ１−Ｘ２線、Ｘ３−Ｘ４線、Ｙ１−Ｙ２線における各断面図は、いずれも図２の構成と同じになる。図２７の構成であっても、埋め込み部６１及び６２、埋め込み部３５、埋め込み部３９が結合して透明導電層１３をＸ方向に分断しているので、埋め込み部４７及び４８が透明導電層１３を介して直接短絡されることはない。   In FIG. 25, the embedded portions 61 and 62 constitute a part of the outer edge of the sealed closed region B1, but as shown in FIG. 27, the embedded portions 61 and 62 are embedded only at positions outside the sealed closed region B1. The portions 61 and 62 may be formed. In this case, each cross-sectional view along the X1-X2 line, the X3-X4 line, and the Y1-Y2 line has the same configuration as that in FIG. Even in the configuration of FIG. 27, since the embedded portions 61 and 62, the embedded portion 35, and the embedded portion 39 are combined to divide the transparent conductive layer 13 in the X direction, the embedded portions 47 and 48 are included in the transparent conductive layer 13. It is not directly shorted through.

〔他の実施形態〕
他の実施形態について説明する。 [Other Embodiments]
Another embodiment will be described.

〈１〉 図２８は他の実施形態における概略上面視平面図、図２９は図２８に示される本素子１ｅをＸ３−Ｘ４線で切断したときの概略断面図である。本素子１ｅのように、埋め込み部３５が、埋め込み部３９との連結に寄与しない一部の箇所において透明基板１１の上面に連絡されていても構わない。図２８では、埋め込み部３５の一部である埋め込み部３５ｃが、透明導電層１３を貫通して透明基板１１の上面に連絡されている。なお、Ｘ１−Ｘ２線の断面図については、図３（ａ）と同じである。   <1> FIG. 28 is a schematic top plan view of another embodiment, and FIG. 29 is a schematic cross-sectional view of the element 1e shown in FIG. 28 taken along line X3-X4. Like the element 1 e, the embedded portion 35 may be in contact with the upper surface of the transparent substrate 11 at a part of the portion that does not contribute to the connection with the embedded portion 39. In FIG. 28, the embedded portion 35 c that is a part of the embedded portion 35 penetrates through the transparent conductive layer 13 and communicates with the upper surface of the transparent substrate 11. The cross-sectional view taken along the line X1-X2 is the same as FIG.

〈２〉 上述の各実施形態では、領域Ａ２内において、埋め込み部３７が封止閉領域Ｂ１の内側の所定箇所に形成されるものとしたが、この埋め込み部３７は埋め込み部３９と同様にＹ方向に延伸する構成としても構わない（例えば図３０参照）。図３０に示す本素子１ｆは、第１実施形態の図２に示す本素子１の構成に対し、埋め込み部３７を埋め込み部３５に連結する箇所までＹ方向に延伸した構成である。   <2> In each of the above-described embodiments, the embedded portion 37 is formed at a predetermined position inside the sealed closed region B1 in the region A2. However, the embedded portion 37 is Y in the same manner as the embedded portion 39. It does not matter as a structure extending in the direction (see, for example, FIG. 30). The element 1f shown in FIG. 30 has a configuration in which the embedded portion 37 is extended in the Y direction to a location where the embedded portion 37 is connected to the embedded portion 35, compared to the configuration of the element 1 shown in FIG. 2 of the first embodiment.

更に、この埋め込み部３７の一部を、領域Ａ２内において封止閉領域Ｂ１の外側（すなわち、領域Ｂ２内）に形成しても構わない（例えば図３１参照）。つまり、第２埋め込み部の一部が封止閉領域Ｂ１の外側に形成されていても構わない。このとき、金属層１７は、領域Ａ２内において、封止閉領域Ｂ１内に形成された埋め込み部３７のみならず、封止閉領域Ｂ１の外側（領域Ｂ２内）に形成された埋め込み部３７を介して、透明導電層１３と連絡され、電気的に接続される。   Furthermore, a part of the embedded portion 37 may be formed outside the sealed closed region B1 in the region A2 (that is, in the region B2) (see, for example, FIG. 31). That is, a part of the second embedded portion may be formed outside the sealed closed region B1. At this time, the metal layer 17 includes not only the embedded portion 37 formed in the sealed closed region B1 but also the embedded portion 37 formed outside the sealed closed region B1 (in the region B2) in the region A2. Via the transparent conductive layer 13 and electrically connected.

図３１は、図３０に示す本素子１ｆに対し、埋め込み部３７を埋め込み部３５の外側にまで更にＹ方向に延伸させた構成である。また、この図３１に示す構成を基礎として、第４実施形態の図２３に示す本素子１ｃにならってＸ方向に複数の埋め込み部を配置した本素子１ｆの概略上面視平面図を図３２に示す。   FIG. 31 shows a configuration in which the embedded portion 37 is further extended in the Y direction to the outside of the embedded portion 35 with respect to the element 1f shown in FIG. Further, based on the configuration shown in FIG. 31, FIG. 32 is a schematic top view plan view of the element 1 f in which a plurality of embedded portions are arranged in the X direction following the element 1 c shown in FIG. 23 of the fourth embodiment. Show.

また、第３実施形態の図２１に示す本素子１ｂに対し、図３１の構成と同様に埋め込み部３７をＹ方向に延伸した構成を図３３に示す。図３３の本素子１ｆによれば、金属層が充填されている埋め込み部３７と埋め込み部５１（５２）によって、埋め込み部４１を隔てた環形状が形成される。各埋め込み部の幅が極めて狭く形成されていることを鑑みれば、埋め込み部３７及び５１が形成する形状は、Ｘ方向及びＹ方向に対称な矩形環状を示しているとみなすことができる。このとき、領域Ａ１側の透明基板１１のＹ方向に延伸する外周辺と埋め込み部５１とのＸ方向に係る離隔距離と、領域Ａ２側の透明基板１１のＹ方向に延伸する外周辺と埋め込み部３５とのＸ方向に係る離隔距離とを等しくすることで、Ｘ及びＹ方向に対称性を有する素子が実現され、極めて高い意匠性が得られる。   Further, FIG. 33 shows a configuration in which the embedded portion 37 is extended in the Y direction as in the configuration of FIG. 31 with respect to the element 1b shown in FIG. 21 of the third embodiment. According to the element 1f of FIG. 33, an annular shape with the embedded portion 41 is formed by the embedded portion 37 and the embedded portion 51 (52) filled with the metal layer. In view of the fact that the width of each embedded portion is extremely narrow, the shape formed by the embedded portions 37 and 51 can be regarded as indicating a rectangular ring symmetric in the X direction and the Y direction. At this time, the separation distance in the X direction between the outer periphery extending in the Y direction of the transparent substrate 11 on the region A1 side and the embedded portion 51, and the outer periphery and embedded portion extending in the Y direction on the transparent substrate 11 on the region A2 side. By equalizing the separation distance in the X direction with respect to 35, an element having symmetry in the X and Y directions is realized, and extremely high designability is obtained.

〈３〉 上述の各実施形態において、金属層１７と同一の材料層が充填されてなる埋め込み部（３５，５１，５２）は、間隔を有した状態で（ドット状に）延伸する構成とすることが可能である。一例として、図３３の本素子１ｆに対し、埋め込み部３５及び５１（５２）をドット状に形成した構成を図３４に示す。図３４に示す本素子１ｆにおいても、図３３の本素子と同様にＸ及びＹ方向についての対称性が実現できる。   <3> In each of the above-described embodiments, the embedded portions (35, 51, 52) filled with the same material layer as the metal layer 17 are configured to extend in a state of being spaced (in the form of dots). It is possible. As an example, FIG. 34 shows a configuration in which embedded portions 35 and 51 (52) are formed in a dot shape with respect to the element 1f of FIG. Also in the present element 1f shown in FIG. 34, symmetry in the X and Y directions can be realized as in the present element in FIG.

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ： 本発明の有機ＥＬ素子
１１： 透明基板
１３： 透明導電層
１５： 有機発光ユニット層
１７： 金属層
１９： 絶縁封止層
２１： 絶縁フィルム
２３： 給電層
３１： 引き出し線
３５： 第１埋め込み部
３５ａ，３５ｂ： 第７埋め込み部
３５ｈ： 溝部
３７： 第２埋め込み部
３７ｈ： 溝部
３９： 第３埋め込み部
３９ｈ： 溝部
４１： 第４埋め込み部
４７，４８： 第５埋め込み部
４７ｈ，４８ｈ： 溝部
５１，５２： 第６埋め込み部
５５： 第８埋め込み部
６１，６２： 第１又は第４埋め込み部の一部
Ｂ１： 封止閉領域
Ｂ２： 埋め込み部３５の外側領域 1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f: Organic EL element of the present invention 11: Transparent substrate 13: Transparent conductive layer 15: Organic light emitting unit layer 17: Metal layer 19: Insulating sealing layer 21: Insulating film 23 : Feed layer 31: Lead wire 35: First embedded portion 35a, 35b: Seventh embedded portion 35h: Groove portion 37: Second embedded portion 37h: Groove portion 39: Third embedded portion 39h: Groove portion 41: Fourth embedded portion 47, 48: Fifth embedded portion 47h, 48h: Groove 51, 52: Sixth embedded portion 55: Eighth embedded portion 61, 62: Part of the first or fourth embedded portion B1: Sealing closed region B2: Embedded portion 35 Outside area

Claims (10)

透明基板上に、透明導電層、有機発光ユニット層、金属層、及び絶縁封止層を下からこの順に有してなる有機ＥＬ発光素子であって、
前記透明基板の基板面に垂直な第１方向に前記絶縁封止層から少なくとも前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填され、前記第１方向に見て環形状を示す第１埋め込み部と、
前記第１方向に見て前記第１埋め込み部に外周を囲まれてなる封止閉領域の内側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層を貫通して前記金属層から前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記金属層と同一の材料層が充填された第２埋め込み部と、
前記封止閉領域の内側において、前記第１方向に前記透明導電層を貫通して前記有機発光ユニット層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記有機発光ユニット層と同一の材料層が充填された第３埋め込み部と、
前記封止閉領域の外縁部又はその外側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記有機発光ユニット層と同一の材料層が充填されてなる埋め込み部と、前記第１方向に前記絶縁封止層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填されてなる埋め込み部の少なくとも何れか一方を有してなる第４埋め込み部と、
前記封止閉領域の外側において、前記基板面に平行な方向に離隔して、直接又は導電性材料が充填された第５埋め込み部を介して前記透明導電層の上面に接触して形成された２つの給電層と、を有し、
前記第３埋め込み部及び前記第４埋め込み部は、前記第１埋め込み部と連結して前記封止閉領域を横切るように構成され、前記基板面に平行な方向に前記透明導電層を２つに分断し、
前記２つの給電層のうちの一方は、分断された一方の前記透明導電層と接触し、前記２つの給電層のうちの他方は、分断された他方の前記透明導電層と接触していることを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 An organic EL light emitting device comprising a transparent conductive layer, an organic light emitting unit layer, a metal layer, and an insulating sealing layer in this order from the bottom on a transparent substrate,
In the first direction perpendicular to the substrate surface of the transparent substrate, the same material layer as the insulating sealing layer is filled from the insulating sealing layer to at least a depth position of the upper surface of the transparent conductive layer, and in the first direction. A first embedding portion showing a ring shape when viewed;
As viewed in the first direction, inside the sealed closed region surrounded by the first embedded portion, the organic light emitting unit layer penetrates in the first direction from the metal layer to the transparent conductive layer. A second embedded portion filled with the same material layer as the metal layer up to a depth position on the upper surface;
Inside the sealed closed region, the same material layer as the organic light emitting unit layer is filled from the organic light emitting unit layer to the depth position of the upper surface of the transparent substrate through the transparent conductive layer in the first direction. A third embedded portion,
An embedding in which the same material layer as that of the organic light emitting unit layer is filled in the first direction from the organic light emitting unit layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the outer edge portion or outside of the sealed closed region And at least one of a buried portion filled with the same material layer as the insulating sealing layer from the insulating sealing layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the first direction. A fourth embedded portion,
Outside the sealed closed region, formed in contact with the upper surface of the transparent conductive layer directly or via a fifth embedded portion filled with a conductive material, spaced in a direction parallel to the substrate surface. Two power supply layers,
The third embedded portion and the fourth embedded portion are configured to be connected to the first embedded portion and cross the sealed closed region, and the two transparent conductive layers are formed in a direction parallel to the substrate surface. Divide,
One of the two power supply layers is in contact with one of the divided transparent conductive layers, and the other of the two power supply layers is in contact with the other divided transparent conductive layer. An organic EL light emitting device characterized by the above. 前記封止閉領域の外側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層を貫通して前記金属層から前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記金属層と同一の材料層が充填された第６埋め込み部を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光素子。   Outside the sealed closed region, the same material layer as the metal layer is filled from the metal layer to the depth position of the upper surface of the transparent conductive layer through the organic light emitting unit layer in the first direction. The organic EL light-emitting element according to claim 1, further comprising a sixth embedded portion. 前記封止閉領域の内側において、前記第１方向に前記有機発光ユニット層を貫通して前記金属層から前記透明導電層の上面の深さ位置まで前記金属層と同一の材料層が充填された第６埋め込み部と、
前記封止閉領域の内側において、前記第１方向に前記金属層を貫通して前記絶縁封止層から前記有機発光ユニット層の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填された第７埋め込み部とを有し、
前記第６埋め込み部は、前記第１方向に見て、前記第１埋め込み部、前記第３埋め込み部、及び前記第７埋め込み部によって外周を囲まれてなる閉領域の内側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光素子。 Inside the sealed closed region, the same material layer as the metal layer is filled from the metal layer to the depth position of the upper surface of the transparent conductive layer through the organic light emitting unit layer in the first direction. A sixth embedded portion;
Inside the sealing closed region, the same material layer as the insulating sealing layer extends from the insulating sealing layer to a depth position on the upper surface of the organic light emitting unit layer through the metal layer in the first direction. A filled seventh embedded portion;
The sixth embedded portion is formed inside a closed region surrounded by an outer periphery by the first embedded portion, the third embedded portion, and the seventh embedded portion when viewed in the first direction. The organic EL light-emitting device according to claim 1. 前記第４埋め込み部が、前記第１方向に前記有機発光ユニット層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記有機発光ユニット層と同一の材料層が充填されて形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。   The fourth embedded portion is formed by filling the same material layer as the organic light emitting unit layer from the organic light emitting unit layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the first direction. The organic EL light-emitting device according to claim 1. 前記第４埋め込み部が、前記第１方向に前記絶縁封止層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填されて形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。   The fourth embedded portion is formed by filling the same material layer as the insulating sealing layer from the insulating sealing layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the first direction. The organic EL light-emitting device according to claim 1. 前記第１方向に前記絶縁封止層から前記透明基板の上面の深さ位置まで前記絶縁封止層と同一の材料層が充填された第８埋め込み部を有し、
前記透明導電層、前記有機発光ユニット層、及び前記金属層からなる積層体は、前記第１方向に見て前記透明基板よりも面積が小さく、
前記絶縁封止層は、前記第８埋め込み部を介して前記積層体の外壁に接触しながら前記透明基板の上面に連絡されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。 An eighth embedded portion filled with the same material layer as the insulating sealing layer from the insulating sealing layer to a depth position on the upper surface of the transparent substrate in the first direction;
The laminate composed of the transparent conductive layer, the organic light emitting unit layer, and the metal layer has a smaller area than the transparent substrate when viewed in the first direction,
The said insulating sealing layer is connected to the upper surface of the said transparent substrate, contacting the outer wall of the said laminated body through the said 8th embedding part, The any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. The organic EL light emitting element as described. 前記２つの給電層は、前記基板面に平行な方向に離隔して前記絶縁封止層の上層に形成され、前記第５埋め込み部を介して前記透明導電層の上面に接触する構成であって、
前記第５埋め込み部が、前記透明基板の外周を構成する向かい合う２辺の上方の一部箇所に形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。 The two power feeding layers are formed in an upper layer of the insulating sealing layer so as to be separated from each other in a direction parallel to the substrate surface, and are in contact with the upper surface of the transparent conductive layer through the fifth embedded portion. ,
The organic EL light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein the fifth embedded portion is formed at a part of the upper side of two opposite sides constituting the outer periphery of the transparent substrate. element. 前記第１方向に見て、前記第１埋め込み部及び前記第３埋め込み部によって外周を囲まれてなる発光領域と、当該発光領域以外の領域である非発光領域とが対称的な位置関係となるように配置されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。   When viewed in the first direction, the light emitting region surrounded by the first embedded portion and the third embedded portion and the non-light emitting region other than the light emitting region are in a symmetrical positional relationship. The organic EL light-emitting device according to claim 1, wherein the organic EL light-emitting device is arranged as described above. 前記第３埋め込み部は、前記封止閉領域の外側にも形成されており、
前記金属層は、分断された一方の前記透明導電層と、前記封止閉領域の内側及び外側に形成された前記第３埋め込み部を介して連絡されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。 The third embedded portion is also formed outside the sealed closed region,
The metal layer is in communication with one of the divided transparent conductive layers via the third embedded portion formed inside and outside the sealed closed region. 9. The organic EL light-emitting device according to any one of 8. 前記基板面に平行な第２方向に、前記第１埋め込み部、前記第２埋め込み部、前記第３埋め込み部、及び前記第４埋め込み部が複数配置されることで、前記第１埋め込み部に外周を囲まれてなる前記封止閉領域が前記第２方向に複数形成されると共に、前記第３埋め込み部及び前記第４埋め込み部によって前記透明導電層が前記第２方向に複数分断され、
前記２つの給電層のうちの一方は、前記第２方向に分断された複数の前記透明導電層のうちの一方の端部に位置する前記透明導電層と直接又は前記第５埋め込み部を介して連絡され、
前記２つの給電層のうちの他方は、前記第２方向に分断された複数の前記透明導電層のうちの他方の端部に位置する前記透明導電層と直接又は前記第５埋め込み部を介して連絡されていることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の有機ＥＬ発光素子。 A plurality of the first burying portion, the second burying portion, the third burying portion, and the fourth burying portion are arranged in a second direction parallel to the substrate surface. A plurality of the sealed closed regions surrounded by the second conductive layer are formed in the second direction, and the plurality of transparent conductive layers are divided in the second direction by the third embedded portion and the fourth embedded portion,
One of the two power feeding layers is directly with the transparent conductive layer located at one end of the plurality of transparent conductive layers divided in the second direction or via the fifth embedded portion. Contacted,
The other of the two power feeding layers is directly or via the fifth embedded portion with the transparent conductive layer located at the other end of the plurality of transparent conductive layers divided in the second direction. The organic EL light-emitting element according to claim 1, wherein the organic EL light-emitting element is in communication.
JP2011042152A 2011-02-28 2011-02-28 Organic EL light emitting device Expired - Fee Related JP5743609B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011042152A JP5743609B2 (en) 2011-02-28 2011-02-28 Organic EL light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011042152A JP5743609B2 (en) 2011-02-28 2011-02-28 Organic EL light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012181931A true JP2012181931A (en) 2012-09-20
JP5743609B2 JP5743609B2 (en) 2015-07-01

Family

ID=47012984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011042152A Expired - Fee Related JP5743609B2 (en) 2011-02-28 2011-02-28 Organic EL light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5743609B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014154288A (en) * 2013-02-06 2014-08-25 Kaneka Corp Organic el device and manufacturing method therefor
JP2014187283A (en) * 2013-03-25 2014-10-02 Kaneka Corp Organic el device
JP2014191922A (en) * 2013-03-26 2014-10-06 Kaneka Corp Organic EL module
JP2014192050A (en) * 2013-03-27 2014-10-06 Kaneka Corp Organic el device and method for manufacturing organic el device
JP2014192049A (en) * 2013-03-27 2014-10-06 Kaneka Corp Organic el device and manufacturing method for organic el device
CN106252525A (en) * 2016-08-26 2016-12-21 京东方科技集团股份有限公司 OLED and manufacture method, display floater and display device
WO2017130625A1 (en) * 2016-01-26 2017-08-03 住友化学株式会社 Organic el element production method and organic el element
US20180190947A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-05 Lg Display Co., Ltd. Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002175877A (en) * 2000-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device, manufacturing method of the organic electroluminescence device, and electronic equipment
JP2009181752A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Fuji Electric Holdings Co Ltd Organic el device
JP2009224399A (en) * 2008-03-13 2009-10-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd Organic el device
JP2011009076A (en) * 2009-06-25 2011-01-13 Panasonic Electric Works Co Ltd Organic electroluminescent element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002175877A (en) * 2000-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device, manufacturing method of the organic electroluminescence device, and electronic equipment
JP2009181752A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Fuji Electric Holdings Co Ltd Organic el device
JP2009224399A (en) * 2008-03-13 2009-10-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd Organic el device
JP2011009076A (en) * 2009-06-25 2011-01-13 Panasonic Electric Works Co Ltd Organic electroluminescent element

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014154288A (en) * 2013-02-06 2014-08-25 Kaneka Corp Organic el device and manufacturing method therefor
JP2014187283A (en) * 2013-03-25 2014-10-02 Kaneka Corp Organic el device
JP2014191922A (en) * 2013-03-26 2014-10-06 Kaneka Corp Organic EL module
JP2014192050A (en) * 2013-03-27 2014-10-06 Kaneka Corp Organic el device and method for manufacturing organic el device
JP2014192049A (en) * 2013-03-27 2014-10-06 Kaneka Corp Organic el device and manufacturing method for organic el device
CN108496412A (en) * 2016-01-26 2018-09-04 住友化学株式会社 The manufacturing method and organic EL element of organic EL element
WO2017130625A1 (en) * 2016-01-26 2017-08-03 住友化学株式会社 Organic el element production method and organic el element
JP2017134945A (en) * 2016-01-26 2017-08-03 住友化学株式会社 Method for manufacturing organic el element and organic el element
US10658602B2 (en) 2016-01-26 2020-05-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic EL element production method and organic EL element having conductive member on external connection area of first electrode
CN108496412B (en) * 2016-01-26 2020-09-18 住友化学株式会社 Method for manufacturing organic EL element and organic EL element
CN106252525B (en) * 2016-08-26 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 OLED and preparation method, display panel and display device
CN106252525A (en) * 2016-08-26 2016-12-21 京东方科技集团股份有限公司 OLED and manufacture method, display floater and display device
US10270054B2 (en) 2016-08-26 2019-04-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode components including an insulating layer and an auxiliary electrode layer positioned above the insulating layer, manufacturing methods for organic light-emitting diode components, display panels including organic light-emitting diode components, and display devices
US20180190947A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-05 Lg Display Co., Ltd. Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof
CN108260259A (en) * 2016-12-29 2018-07-06 乐金显示有限公司 Use the lighting device and its manufacturing method of organic luminescent device
EP3349267A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-18 LG Display Co., Ltd. Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof
US10553832B2 (en) 2016-12-29 2020-02-04 Lg Display Co., Ltd. Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof
CN108260259B (en) * 2016-12-29 2020-03-03 乐金显示有限公司 Lighting apparatus using organic light emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5743609B2 (en) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5743609B2 (en) Organic EL light emitting device
JP5744022B2 (en) Encapsulated optoelectronic device and manufacturing method thereof
EP2983223B1 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing same
US8344389B2 (en) Optoelectronic device array
US20160254333A1 (en) Oled pixel structure and method for manufacturing the same, oled display panel and oled display device
WO2011115096A1 (en) Photoelectric conversion device
JP5941414B2 (en) ORGANIC EL LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US8829501B2 (en) Large area light emitting device comprising organic light emitting diodes
US20110084253A1 (en) Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same
TWI685138B (en) Lighting panel and method of fabricating the same, lighting module, lighting device, and lighting system
KR102372545B1 (en) Optoelectronic component and method for producing same
TWI716776B (en) Oled lighting apparatus
KR102304282B1 (en) Optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component
KR102656389B1 (en) Apparatus comprising light emitting device
JP6078295B2 (en) Organic EL device
JP6153356B2 (en) Organic EL module
JP2012033309A (en) Organic el element and manufacturing method thereof
KR102042418B1 (en) Organic electronic device and method for preparing the same
JP2014167864A (en) Organic EL module
JP2012084474A (en) Organic el device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140925

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5743609

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees