JP2012178545A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、酸化ハフニウム膜と酸化シリコン膜とを有し、
   前記酸化ハフニウム膜は、ＡＬＤ法又はＣＶＤ法で成膜され、
   前記酸化シリコン膜は、ＡＬＤ法又はＣＶＤ法で成膜され、
   前記第２の絶縁膜は、酸化アルミニウム膜を有し、
   前記酸化アルミニウム膜は、スパッタリング法で成膜されることを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、酸化ハフニウム膜と酸化シリコン膜とを有し、
   前記酸化ハフニウム膜は、ＡＬＤ法又はＣＶＤ法で成膜され、
   前記酸化シリコン膜は、ＡＬＤ法又はＣＶＤ法で成膜され、
   前記第２の絶縁膜は、酸化アルミニウム膜を有し、
   前記酸化アルミニウム膜は、ＡＬＤ法で成膜されることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第２の絶縁膜は、加熱により酸素を放出する膜であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、ＩｎとＧａとＺｎとを有することを特徴とする半導体装置。