JP2012178501A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子は、出射端面及び反射端面を有する半導体部と、半導体部上に設けられた電極と、を有する半導体レーザ素子であって、平面視において、電極は、出射端面と反射端面との間に設けられた第1領域と、第1領域から半導体部の側面側に延伸する第2領域と、第2領域よりも反射端面側に設けられ第1領域から半導体部の側面側に延伸する第3領域と、を有し、第2領域及び第3領域のそれぞれは、第1領域に連結する連結部及びワイヤを接続するためのワイヤ接続部を有し、第3領域の連結部は、第3領域のワイヤ接続部より反射端面側に設けられている。
【選択図】図1
Description
一方、半導体レーザ素子は、その反射端面がアイレットと対向するように実装される所謂CANタイプとして利用されることが多い。この場合、半導体レーザ素子の電極は、アイレットを貫通したアウターリードとワイヤにて接続されることになる。また、パッケージの小型化が求められる現在においては、半導体レーザ素子とアイレットとの距離は近ければ近いほど望ましい。
(半導体部10)
半導体部10は、出射端面10a及び反射端面10bの一対の端面を有しており、半導体部で生じる光が出射端面10a及び反射端面10bとの間で往来し共振する領域、つまり、光導波路領域を有している。例えば、出射端面10a及び反射端面10bに所定の反射率のミラーを形成し、反射端面10b側のミラーの反射率を出射端面10a側のミラーよりも高くすることにより、出射端面10a側からレーザ発振が可能なように構成されている。
(電極20)
本実施形態の電極20は、図1に示すように、第1領域21、第2領域22、第3領域23及び第4領域24から構成されている。
(その他)
ヒートシンク50は、アイレット60の上に設けられる部材である。ヒートシンク50の半導体レーザ素子マウント面50aには、半導体レーザ素子100をマウントするためのサブマウント80が設けられ、そのサブマウント80上に半導体レーザ素子100が設けられている。ヒートシンク50は、例えば、Cu、Fe、CuW、CuMo、AlN、AlNにAuメッキを施したもの等から構成されている。また、ヒートシンク50は、窒素ガス雰囲気中で図示を省略しているキャップにより封止され、このキャップは半導体レーザ素子100からのレーザ光が出射する領域がガラス等の透明な部材で構成されている。
10・・・・半導体部
10a・・・出射端面
10b・・・反射端面
20・・・・電極
21・・・・第1領域
22・・・・第2領域
23・・・・第3領域
24・・・・第4領域
30・・・・連結部
32・・・・第2領域の連結部
33・・・・第3領域の連結部
34・・・・第4領域の連結部
40・・・・ワイヤ接続部
42・・・・第2領域のワイヤ接続部
43・・・・第3領域のワイヤ接続部
44・・・・第4領域のワイヤ接続部
200・・・半導体レーザ装置
50・・・・ヒートシンク
50a・・・半導体レーザ素子マウント面
60・・・・アイレット
70・・・・アウターリード
80・・・・サブマウント
Claims (2)
- 出射端面及び反射端面を有する半導体部と、前記半導体部上に設けられた電極と、を有する半導体レーザ素子であって、
前記電極は、出射端面と反射端面との間に設けられた第1領域と、前記第1領域から前記半導体部の側面側に延伸する第2領域と、前記第2領域よりも反射端面側に設けられ前記第1領域から前記半導体部の側面側に延伸する第3領域と、を有し、
前記第2領域及び前記第3領域のそれぞれは、前記第1領域に連結する連結部及びワイヤを接続するためのワイヤ接続部を有し、
前記第3領域の連結部は、前記第3領域のワイヤ接続部より反射端面側に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記電極は、前記第2領域と前記第3領域との間に第1領域から延伸する第4領域を有し、
前記第4領域は、前記第1領域に連結する連結部及びワイヤを接続するためのワイヤ接続部を有することを特徴とする請求項1に記載された半導体レーザ素子。
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JP2011041374A JP5668528B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 半導体レーザ素子 |
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JP2011041374A JP5668528B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 半導体レーザ素子 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03256386A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ、その製造方法及び光通信システム |
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- 2011-02-28 JP JP2011041374A patent/JP5668528B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03256386A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ、その製造方法及び光通信システム |
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