JP2012178401A - Method for manufacturing connection structure and coating application device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、第１の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布して、該異方性導電ペーストが硬化した硬化物層により上記第１の接続対象部材と第２の接続対象部材とを接続する接続構造体の製造方法に関する。また、本発明は、第１の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布するために用いられる塗布装置に関する。 In the present invention, an anisotropic conductive paste is applied on a first connection target member, and the first connection target member and the second connection target member are formed by a cured product layer obtained by curing the anisotropic conductive paste. The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure that connects the two. Moreover, this invention relates to the coating device used in order to apply | coat anisotropic conductive paste on the 1st connection object member.
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。 Pasty or film-like anisotropic conductive materials are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電ペーストは、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive paste is used, for example, for connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献１には、配線基板上に最低溶融粘度が１．０×１０３Ｐａ・ｓ以下である導電性接着剤を載せて、該導電性接着剤上に、厚みが２００μｍ以下である電気部品を載せる工程と、ゴム硬度が６０以下であるエラストマーを用いた圧着部を有する熱圧着ヘッドによって上記電気部品を加熱し、該電気部品を上記配線基板上に熱圧着する工程とを備える接続構造体の製造方法が開示されている。上記導電性接着剤として、複数の導電性粒子を含む異方性導電ペースト等が用いられている。
As an example of the manufacturing method of the connection structure, in
また、下記の特許文献２には、相対する電極を有する被接続部材を、両者間に配置したペースト状接続材料の硬化物により接続する接続構造体の製造方法が開示されている。特許文献２では、ペースト状接続材料を下記式（Ｉ）で示されるＹの１．１〜１．５倍量であって、接続領域の間隙に充満し、かつ接続領域の周辺部の硬化可能領域に実質的に均一に分布して、上記ペースト状接続材料を硬化させている。上記ペースト状接続材料として、複数の導電性粒子を含む異方性導電ペースト等が用いられている。
Ｙ＝（一方の被接続部材の電極の高さ＋他方の被接続部材の電極の高さ）×接続領域の面積 ・・・式（Ｉ） Y = (height of the electrode of one connected member + height of the electrode of the other connected member) × area of the connection region (formula (I)
特許文献１，２に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、下方の接続対象部材上に配置された異方性導電ペースト上に、上方の接続対象部材を積層して仮圧着した後に、上方と下方との接続対象部材の位置ずれが生じることがある。上方と下方との接続対象部材の位置がずれていると、上方と下方との接続対象部材の対向する電極間の位置がずれ、電極間の導通信頼性が低くなるという問題がある。
In the manufacturing method of the conventional connection structure as described in
また、特許文献１，２に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、電極間に導電性粒子を精度よく配置できないことがある。このため、得られる接続構造体において、電極間の導通信頼性が低くなるという問題がある。
Moreover, in the conventional manufacturing method of the connection structure as described in
本発明の目的は、第１，第２の接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、導通信頼性に優れた接続構造体を得ることができる接続構造体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a connection structure that can suppress a positional shift between the electrodes of the first and second connection target members and that can obtain a connection structure excellent in conduction reliability. is there.
本発明の広い局面によれば、電極を上面に有する第１の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを上記ディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、上記異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第２の接続対象部材を積層する工程と、上記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する工程とを備え、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の上記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、上記異方性導電ペーストを塗布する、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles is applied from the dispenser while moving the dispenser onto a first connection target member having an electrode on the upper surface. A step of forming an anisotropic conductive paste layer, a step of laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the anisotropic conductive paste layer, and the anisotropic conductive paste layer. Heating and main-curing to form a cured product layer, the anisotropic in the direction perpendicular to the coating direction with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction perpendicular to the coating direction There is provided a method for manufacturing a connection structure, in which the anisotropic conductive paste is applied so that the outer edge of the central portion of the conductive conductive paste layer has a raised shape.
また、本発明の広い局面によれば、電極を上面に有する第１の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを上記ディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、上記異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第２の接続対象部材を積層する工程と、上記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する工程とを備え、上記異方性導電ペースト層の最大厚み（μｍ）をＴ１としたときに、上記第１の接続対象部材の上面と上記ディスペンサーの先端との距離（μｍ）をＴ１未満にして、上記異方性導電ペーストを上記ディスペンサーから塗布する、接続構造体の製造方法が提供される。 Moreover, according to the wide situation of this invention, while moving a dispenser on the 1st connection object member which has an electrode on the upper surface, the anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and electroconductive particle is dispensed to the said dispenser. And forming the anisotropic conductive paste layer, laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the anisotropic conductive paste layer, and the anisotropic conductive paste. Forming a cured product layer by heating the layer, and when the maximum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer is T1, the upper surface of the first connection target member There is provided a method for manufacturing a connection structure, wherein the anisotropic conductive paste is applied from the dispenser with a distance (μm) between the dispenser and the tip of the dispenser being less than T1.
本発明に係る接続構造体の製造方法ある特定の局面では、上記異方性導電ペースト層の平均厚み（μｍ）をＴとしたときに、上記異方性導電ペースト層の最大厚み（μｍ）が１Ｔを超え、２Ｔ以下になるように、かつ上記異方性導電ペースト層の最小厚み（μｍ）が０．８Ｔ以上、１Ｔ未満になるように、上記異方性導電ペーストが上記ディスペンサーから塗布される。 In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, when the average thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer is T, the maximum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer is The anisotropic conductive paste is applied from the dispenser so that it exceeds 1T and becomes 2T or less, and the minimum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer is 0.8T or more and less than 1T. The
本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上記異方性導電ペースト層の表面形状をかえるために、形状規制部材を用いて、上記異方性導電ペースト層の上面上に上記形状規制部材を接触させながら、上記異方性導電ペースト層の上面上を上記形状規制部材を通過させる工程がさらに備えられる。この場合に、上記異方性導電ペースト層の平均厚みＴ（μｍ）、最大厚みＴ１（μｍ）及び最小厚みＴ２（μｍ）は、上記形状規制部材が通過される前の上記異方性導電ペースト層の平均厚みである。 In another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in order to change the surface shape of the anisotropic conductive paste layer, a shape regulating member is used to change the surface of the anisotropic conductive paste layer. A step of passing the shape regulating member over the upper surface of the anisotropic conductive paste layer while contacting the shape regulating member. In this case, the average thickness T (μm), the maximum thickness T1 (μm), and the minimum thickness T2 (μm) of the anisotropic conductive paste layer are the anisotropic conductive paste before the shape regulating member is passed through. The average thickness of the layer.
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記ディスペンサーと上記形状規制部材とが接続されている塗布装置を用いることが好ましい。また、上記ディスペンサーと上記形状規制部材とを連動して移動させることが好ましい。 In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, it is preferable to use a coating apparatus in which the dispenser and the shape regulating member are connected. Moreover, it is preferable that the dispenser and the shape regulating member are moved in conjunction with each other.
本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分を含む異方性導電ペーストを用いるか、又は熱硬化性成分と光硬化性成分とを含む異方性導電ペーストを用いて、上記異方性導電ペースト層に熱を付与又は光を照射することにより硬化を進行させて、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を形成する工程がさらに備えられ、上記Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の上面に、上記第２の接続対象部材を積層し、上記Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する。 In another specific aspect of the method for producing a connection structure according to the present invention, an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component is used as the anisotropic conductive paste, or a thermosetting component and a photocuring property are used. Using the anisotropic conductive paste containing the component, the anisotropic conductive paste layer is heated or irradiated with light to cure and form a B-staged anisotropic conductive paste layer A step of laminating the second connection target member on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer, and heating the B-staged anisotropic conductive paste layer. This is cured to form a cured product layer.
本発明に係る接続構造体の製造方法の別の特定の局面では、上記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分と光硬化性成分とを含む異方性導電ペーストを用いて、上記異方性導電ペースト層に光を照射することにより硬化を進行させて、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を形成し、上記Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する。 In another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the anisotropic conductive paste including a thermosetting component and a photocurable component is used as the anisotropic conductive paste, and the anisotropic anisotropic paste is used. Curing proceeds by irradiating the conductive conductive paste layer with light to form a B-staged anisotropic conductive paste layer, and the B-staged anisotropic conductive paste layer is heated to perform main curing. To form a cured product layer.
また、本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材上に、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布するために用いられる塗布装置であって、上記第１の接続対象部材上に、上記異方性導電ペーストを塗布するためのディスペンサーと、上記第１の接続対象部材上に塗布された異方性導電ペーストの表面形状をかえるための形状規制部材とを備える、塗布装置が提供される。 Further, according to a wide aspect of the present invention, there is provided a coating apparatus used for coating an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles on a first connection target member, A dispenser for applying the anisotropic conductive paste on the first connection target member, and a shape regulating member for changing the surface shape of the anisotropic conductive paste applied on the first connection target member An applicator is provided.
本発明に係る塗布装置では、上記ディスペンサーと上記形状規制部材とが接続されていることが好ましい。また、上記ディスペンサーと上記形状規制部材とが連動して移動するように構成されていることが好ましい。 In the coating apparatus which concerns on this invention, it is preferable that the said dispenser and the said shape control member are connected. The dispenser and the shape regulating member are preferably configured to move in conjunction with each other.
本発明に係る塗布装置のある特定の局面では、第１の接続対象部材上に、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布し、該異方性導電ペーストに光を照射するために用いられる塗布装置であって、光照射装置が備えられる。 In a specific aspect of the coating apparatus according to the present invention, an anisotropic conductive paste including a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles is applied onto the first connection target member, and the anisotropic It is a coating device used for irradiating light to the conductive paste, and is provided with a light irradiation device.
本発明に係る接続構造体の製造方法では、電極を上面に有する第１の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成した後、該異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第２の接続対象部材を積層し、次に上記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成するので、更に塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の上記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、上記異方性導電ペーストを塗布するので、第１，第２の接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、電極間の導通信頼性を高めることができる。 In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the anisotropic conductive paste layer is applied from the dispenser while moving the dispenser onto the first connection target member having the electrode on the upper surface. Then, a second connection target member having an electrode on the lower surface is laminated on the anisotropic conductive paste layer, and then the anisotropic conductive paste layer is heated and fully cured to obtain a cured product. Since the layer is formed, the outer edge of the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the coating direction with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the coating direction. Since the anisotropic conductive paste is applied so that the portion has a raised shape, the displacement between the electrodes of the first and second connection target members can be suppressed, and the conduction reliability between the electrodes can be improved. it can.
また、本発明に係る接続構造体の製造方法では、電極を上面に有する第１の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成した後、該異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第２の接続対象部材を積層し、次に上記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成するので、更に上記異方性導電ペースト層の最大厚み（μｍ）をＴ１としたときに、上記第１の接続対象部材の上面と上記ディスペンサーの先端との距離（μｍ）をＴ１未満にして、上記異方性導電ペーストを上記ディスペンサーから塗布するので、第１，第２の接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、電極間の導通信頼性を高めることができる。 Moreover, in the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the anisotropic conductive paste is applied from the dispenser while moving the dispenser onto the first connection target member having the electrode on the upper surface. After forming the paste layer, a second connection target member having an electrode on the lower surface is laminated on the anisotropic conductive paste layer, and then the anisotropic conductive paste layer is heated and fully cured, Since the cured product layer is formed, when the maximum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer is T1, the distance (μm) between the upper surface of the first connection target member and the tip of the dispenser is Since the anisotropic conductive paste is applied from the dispenser below T1, the displacement between the electrodes of the first and second connection target members can be suppressed, and the conduction reliability between the electrodes can be improved.
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
図１に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。図２に、図１に示す接続構造体を平面図で示す。図１では、図２に示す接続構造体におけるＩ−Ｉ線に沿う断面図が示されている。 In FIG. 1, the connection structure obtained by the manufacturing method of the connection structure which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing. FIG. 2 is a plan view showing the connection structure shown in FIG. FIG. 1 shows a cross-sectional view taken along line II in the connection structure shown in FIG.
図１，２に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を接続している硬化物層３とを備える。硬化物層３は、第１，第２の接続対象部材２，４を接続している接続部である。硬化物層３は、熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。上記異方性導電ペーストは、複数の導電性粒子５を含む。
The
第１の接続対象部材２は上面２ａに、複数の第１の電極２ｂを有する。第２の接続対象部材４は下面４ａに、複数の第２の電極４ｂを有する。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。
The first
図１，２に示す接続構造体１は、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分と導電性粒子５とに加えて、光硬化性成分をさらに含む異方性導電ペーストを用いた場合の接続構造体１の製造方法を具体的に説明する。
The
図３（ａ）に示すように、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の上面２ａに、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電ペーストを塗布して、第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電ペースト層３Ａを形成する。ここでは、第１の接続対象部材２の上面２ａに、上記異方性導電ペーストを直線状に塗布している。異方性導電ペースト層３Ａは、塗布直後の異方性導電ペースト層である。このとき、電極２ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
As shown in FIG. 3A, the first
図４（ａ）及び図５（ａ）に、異方性導電ペーストを塗布する際の状態を正面断面図及び側面図で示す。異方性導電ペースト層３Ａを形成するために、図５（ａ）に示す塗布装置１１が好適に用いられる。図４（ａ）では、ディスペンサー１２の移動方向、並びに異方性導電ペーストの塗布方向は、奥側から手前側に向かう方向である。図５（ａ）では、ディスペンサー１２の移動方向、並びに異方性導電ペーストの塗布方向は、右側から左側に向かう方向である。
FIG. 4A and FIG. 5A show a state when applying the anisotropic conductive paste in a front sectional view and a side view. In order to form the anisotropic
塗布装置１１は、第１の接続対象部材２上に、熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電ペーストを塗布するために用いられる。塗布装置１１は、ディスペンサー１２と、該ディスペンサー１２に接続されている光照射装置１３と、該ディスペンサー１２に接続されている形状規制部材１４とを備える。ディスペンサー１２は、異方性導電ペーストを内部に充填するためのシリンジ１２ａと、該シリンジ１２ａの外周面を把持している把持部１２ｂとを備える。光照射装置１３は、光照射装置本体１３ａと、光照射部１３ｂとを備える。
The
ディスペンサー１１は、第１の接続対象部材２上に、上記異方性導電ペーストを塗布するためのディスペンサーである。光照射装置１３は、第１の接続対象部材２上に、上記異方性導電ペーストを塗布して、該異方性導電ペーストに光を照射するための光照射装置である。形状規制部材１４は、第１の接続対象部材２上に塗布された異方性導電ペーストの表面形状をかえるための形状規制部材である。
The
図４（ａ）及び図５（ａ）に示すように、異方性導電ペーストを塗布する際には、塗布装置１１を矢印Ａの方向に移動させながら、第１の接続対象部材２の上面２ａに、ディスペンサー１２のシリンジ１２ａから異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層３Ａを形成する。
As shown in FIGS. 4A and 5A, when applying the anisotropic conductive paste, the upper surface of the first
異方性導電ペースト層３Ａを形成する際には、異方性導電ペースト層３Ａの最大厚み（μｍ）をＴ１としたときに、第１の接続対象部材２の上面２ａとディスペンサー１２の先端１２ｃとの距離（μｍ）をＴ１未満にして、上記異方性導電ペーストをディスペンサー１２から塗布することが好ましい。すなわち、第１の接続対象部材２の上面２ａとディスペンサー１２の先端１２ｃとの距離（μｍ）を、異方性導電ペースト層３Ａの最大厚みＴ１（μｍ）未満にすることが好ましい。異方性導電ペーストは、ディスペンサー１２の先端１２ｃから吐出される。上記距離（μｍ）を最大厚みＴ１（μｍ）未満にすることによって、例えば、上記異方性導電ペーストを押し込むようにして塗布できる。このようにして、第１の接続対象部材２の上面２ａに上記異方性導電ペーストをディスペンサー１２から塗布することによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれを抑制できる。
When the anisotropic
第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれをより一層抑制する観点からは、第１の接続対象部材２の上面２ａとディスペンサー１２の先端１２ｃとの距離（μｍ）は、より好ましくは０．９９Ｔ１以下、更に好ましくは０．９５Ｔ１以下、好ましくは０．６Ｔ１以上、より好ましくは０．７Ｔ１以上、更に好ましくは０．８Ｔ１以上である。
From the viewpoint of further suppressing the displacement between the first and
また、異方性導電ペースト層３Ａを形成する際には、図４（ａ）に示すように、塗布方向（図２に示すＳ方向）と直交する方向における異方性導電ペースト層３Ａの中央部３ｘに対して、塗布方向と直交する方向における異方性導電ペースト層３Ａの中央部３ｘの外側の縁部３ｙが盛り上がった形状Ｆになるように、上記異方性導電ペーストを塗布することが好ましい。第１の接続対象部材２上に塗布された塗布直後の異方性導電ペースト層３Ａは、塗布方向（図２に示すＳ方向）と直交する方向における異方性導電ペースト層３Ａの中央部３ｘに対して、塗布方向と直交する方向における異方性導電ペースト層３Ａの中央部３ｘの外側の縁部３ｙが盛り上がった形状Ｆを有することが好ましい。異方性導電ペースト層３Ａがこのような形状Ｆを有するように、第１の接続対象部材２の上面２ａに上記異方性導電ペーストをディスペンサー１２から塗布することによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれを抑制できる。
When forming the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ａの最大厚み（μｍ）をＴ１としたときに、第１の接続対象部材２の上面２ａとディスペンサー１２の先端１２ｃとの距離（μｍ）をＴ１未満にして、上記異方性導電ペーストをディスペンサー１２から塗布することにより、異方性導電ペースト層３Ａが上記形状Ｆを有するようにすることが容易である。なお、異方性導電ペースト層３Ａの中央部３ｘの上面３ａは塗布方向と直交する方向に、縁部３ｙの上面３ａに対して凹状である。異方性導電ペースト層３Ａの縁部３ｙの上面３ａは塗布方向と直交する方向に、中央部３ｘの上面３ａに対して凸状である。
When the maximum thickness (μm) of the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ａの平均厚み（μｍ）をＴとしたときに、異方性導電ペースト層３Ａの最大厚みＴ１（μｍ）が１Ｔを超え、２Ｔ以下になるように、かつ異方性導電ペースト層３Ａの最小厚みＴ２（μｍ）が０．８Ｔ以上、１Ｔ未満になるように、上記異方性導電ペーストをディスペンサー１２から塗布することが好ましい。このような好ましい最大厚みＴ１及び最小厚みＴ２を満足することによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれをより一層抑制できる。
When the average thickness (μm) of the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａの最大厚みＴ１（μｍ）と最小厚みＴ２（μｍ）との厚み差は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下、更に好ましくは１８μｍ以下である。このような好ましい厚み差に制御することによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれをより一層抑制できる。
The thickness difference between the maximum thickness T1 (μm) and the minimum thickness T2 (μm) of the
図８に、図４（ａ）に示す異方性導電ペースト層３Ａの塗布形状の変形例を模式図に示す。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a modification of the application shape of the anisotropic
図８に示す塗布直後（Ｂステージ化前）の異方性導電ペースト層５１Ａを形成する際には、例えば、図４（ａ）の異方性導電ペースト層３Ａを形成する場合と比較して、上記異方性導電ペーストをより一層押し込むようにして塗布する。この結果、中央部５１ｘに対して、縁部５１ｙがより一層盛り上がる。なお、異方性導電ペースト層５１Ａの中央部５１ｘの上面５１ａは塗布方向と直交する方向に平坦であり、直線状である。縁部５１ｙの上面５１ａは塗布方向と直交する方向に凸状である。
When forming the anisotropic
次に、異方性導電ペースト層３Ａの表面形状をかえるために、形状規制部材１４を用いて、塗布後の異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａ上に形状規制部材１４を接触させながら、異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａ上を形状規制部材１４を通過させる。これによって、図３（ｂ）、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、異方性導電ペースト層３Ａの表面形状をかえて、異方性導電ペースト層３Ｂを形成する。ここでは、形状規制部材１４の先端１４ａは、平坦であり、直線状である。異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａに、形状規制部材１４の先端１４ａを接触させている。従って、形状規制部材１４により、異方性導電ペースト層３Ｂの上面３ａの凸部又は凹部が小さくなり、異方性導電ペースト層３Ｂの上面３ａが平坦化されている。言い換えれば、異方性導電ペースト層３Ｂの上面３ａの凸部又は凹部を小さくし、異方性導電ペースト層３Ｂの上面３ａを平坦化するために、形状規制部材１４が用いられている。このように、形状規制部材１４により異方性導電ペースト層３Ａの表面形状をかえることによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれをより一層抑制できる。特に、形状規制部材１４により異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａの凸部又は凹部を小さくしたり、異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａを平坦化したりすることによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれをより一層抑制できる。
Next, in order to change the surface shape of the anisotropic
形状規制部材１４により表面形状がかえられた異方性導電ペースト層３Ｂの上面３ａの最大厚みと最小厚みとの厚み差は、好ましくは３μｍ未満、より好ましくは２．５μｍ以下、更に好ましくは２．０μｍ以下である。このような好ましい厚み差に制御することによって、第１，第２の接続対象部材２，４の第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれをより一層抑制できる。
The thickness difference between the maximum thickness and the minimum thickness of the
塗布装置１１では、把持部１２ｂと形状規制部材１４とが接続されている。従って、ディスペンサー１２と形状規制部材１４とを連動して移動させることができ、更にディスペンサー１２と形状規制部材１４とを同じ速度で移動させることができる。さらに、ディスペンサー１２と形状規制部材１４との距離を小さくすることができ、すなわち、ディスペンサー１２の吐出部と、形状規制部材１４との距離を小さくすることができる。この結果、ディスペンサー１２により塗布された異方性導電ペースト層３Ａの表面形状を速やかに形状規制部材１４によりかえることができる。なお、シリンジ１２ａと形状規制部材１４とが直接接続されていてもよい。
In the
また、異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａの表面形状と異方性導電ペースト層３Ａの外周側面の表面形状とをかえるために、図９に示すように、先端４１ａの縁部に突出した凸部４１ｂを有する形状規制部材４１を用いてもよい。凸部４１ｂは、形状規制部材４１の移動方向と直交する方向の両側の縁部に設けられている。形状規制部材４１は、凸部４１ｂを除く先端４１ａ部分は、平坦であり、直線状である。形状規制部材４１の使用により、凸部４１ｂを除く先端４１ａ部分により、異方性導電ペースト層３Ａの上面３ａの表面形状をかえて、更に凸部４１ｂの内周側面により、異方性導電ペースト層３Ａの外周側面の形状をかえて、表面形状がかえられた異方性導電ペースト３Ｂを形成できる。
Further, in order to change the surface shape of the
なお、接続構造体を得るために、形状規制部材を用いて、異方性導電ペースト層の表面形状をかえる工程は必ずしも行われなくてもよい。なお、上記表面形状をかえる工程が行われる場合には、上記異方性導電ペースト層の平均厚みＴ（μｍ）は、上記形状規制部材が通過される前の上記異方性導電ペースト層の平均厚みである。 In addition, in order to obtain a connection structure, the process of changing the surface shape of an anisotropic conductive paste layer using a shape control member does not necessarily need to be performed. In addition, when the process of changing the said surface shape is performed, the average thickness T (micrometer) of the said anisotropic conductive paste layer is the average of the said anisotropic conductive paste layer before the said shape control member passes. It is thickness.
次に、表面形状がかえられた異方性導電ペースト層３Ｂに光を照射することにより、異方性導電ペースト層３Ｂの硬化を進行させる。異方性導電ペースト層３Ｂの硬化を進行させて、異方性導電ペースト層３ＢをＢステージ化する。図３（ｃ）及び図６（ａ）に示すように、異方性導電ペースト層３ＢのＢステージ化により、第１の接続対象部材２の上面２ａに、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｃを形成する。なお、形状規制部材１４により異方性導電ペースト層３Ａの表面形状をかえない場合には、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することにより、異方性導電ペースト層３Ａの硬化を進行させて、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｃを形成する。
Next, the anisotropic
図６（ａ）に示すように、光を照射する際には、ディスペンサー１２に接続された光照射装置１３の光照射部１３ｂから、矢印Ｂで示すように異方性導電ペースト層３Ｂに光を照射する。ここでは、異方性導電ペーストを塗布しながら、ディスペンサー１２に接続された光照射装置１３の光照射部１３ｂから、矢印Ｂで示すように異方性導電ペースト層３Ｂに光を照射している。このように、異方性導電ペーストを塗布しながら、光を照射することが好ましい。
As shown in FIG. 6A, when irradiating light, light is applied to the anisotropic
第１の接続対象部材２の上面２ａに、異方性導電ペーストを配置しながら、異方性導電ペースト層３Ａ又は異方性導電ペースト層３Ｂに光を照射することが好ましい。さらに、第１の接続対象部材２の上面２ａへの異方性導電ペーストの塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂに光を照射することも好ましい。塗布と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電ペースト層の流動をより一層抑制できる。このため、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性、及び電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。光の照射までの時間を高精度に制御する観点からは、ディスペンサー１２と光照射装置１３とを移動させることが好ましく、ディスペンサー１２と光照射装置１３とを連動して移動させることが好ましく、ディスペンサー１２と光照射装置１３とを同じ速度で移動させることが好ましい。このように、ディスペンサー１２と光照射装置１３とを移動させながら、異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂに光を照射することが好ましい。第１の接続対象部材２の上面２ａに上記異方性導電ペーストを塗布してから光を照射するまでの時間は、０秒以上、好ましくは３秒以下、より好ましくは２秒以下である。ただし、塗布装置１１を移動させずに、台３１を矢印Ａの逆方向に移動させてもよい。
It is preferable to irradiate the anisotropic
塗布装置１１では、把持部１２ｂと光照射装置本体１３ａとが接続されていることによって、ディスペンサー１２と光照射装置１３とが接続されている。従って、ディスペンサー１２と光照射装置１３とを連動して移動させることができ、更にディスペンサー１２と光照射装置１３とを同じ速度で移動させることができる。さらに、ディスペンサー１２と光照射装置１３との距離を小さくすることができ、すなわち、ディスペンサー１２の吐出部と、光照射部１３ｂとの距離を小さくすることができる。この結果、ディスペンサー１２により塗布された異方性導電ペースト層３Ａに速やかに光を照射することができる。なお、シリンジ１２ａと光照射装置本体１３ａとが直接接続されていてもよい。
In the
異方性導電ペースト層３Ａ又は異方性導電ペースト層３Ｂに光を照射するために、図７（ａ）に示すように、ディスペンサー１２と、該ディスペンサー１２に接続されていない光照射装置２１とを用いてもよい。光照射装置２１は、光照射装置１３と同様に、光照射装置本体２１ａと、光照射部２１ｂとを備える。光照射装置２１は、光照射装置１３よりも、広い領域に光を照射することができるように構成されている。
In order to irradiate the anisotropic
ディスペンサー１２と、該ディスペンサー１２に接続されていない光照射装置２１とを用いる場合には、例えば、図７（ａ）に示すように、第１の接続対象部材２の上方に光照射装置２１を配置する。次に、第１の接続対象部材２と光照射装置２１との間においてディスペンサー１２を矢印Ａの方向に移動させながら、第１の接続対象部材２の上面２ａに、シリンジ１２ａから異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層３Ａを形成する。また、必要に応じて、異方性導電ペースト層３Ａの表面形状をかえて、表面形状がかえられた異方性導電ペースト層３Ｂを形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、異方性導電ペーストの塗布が終了した後、第１の接続対象部材２の上方に配置された光照射装置２１の光照射部２１ｂから、矢印Ｂで示すように異方性導電ペースト層３Ａ又は異方性導電ペースト層３Ｂに光を照射する。光の照射は、例えば異方性導電ペーストの塗布と同時又は塗布の直後に行われる。
When using the
光照射装置２１は、塗布の際に、第１の接続対象部材２の上方に配置されていることが好ましい。この場合には、塗布の後に、光を速やかに照射できる。塗布の後に、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂの全領域に一括して光を照射することが好ましい。この場合には、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂをより一層均一にＢステージ化することができる。
The
図５（ａ）又は図７（ａ）に示す塗布装置１１及び光照射装置２１の使用により、第１の接続対象部材２の上面２ａへの異方性導電ペーストの塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電ペースト層３Ａ又は異方性導電ペースト層３Ｂに光を容易に照射できる。
By using the
光の照射により異方性導電ペースト層３Ａ，３ＢをＢステージ化させて、硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは０．１〜１００ｍＷ／ｃｍ２程度である。また、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ２以上、より好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ２以上、好ましくは１００００ｍＪ／ｃｍ２以下、より好ましくは２０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
The light irradiation intensity for causing the anisotropic
光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ、及びＬＥＤランプ等が挙げられる。 The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, a metal halide lamp, and an LED lamp.
なお、光の照射により異方性導電ペースト層３Ａ，３ＢをＢステージ化せずに、熱の付与により異方性導電ペースト層３Ａ，３ＢをＢステージ化してもよい。異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂに熱を付与することにより硬化を進行させて、異方性導電ペースト層３Ａ，３ＢをＢステージ化する場合には、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂを適度にＢステージ化させるための加熱温度は好ましくは８０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。光の照射ではなく熱の付与により異方性導電ペースト層３Ａ，３ＢをＢステージ化した場合でも、上述したようにディスペンサー１２から特定の塗布形態で上記異方性導電ペーストを塗布しれていれば、第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれを抑制できる。
Note that the anisotropic
次に、図３（ｄ）に示すように、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｃの上面３ａに、第２の接続対象部材４を降下させて、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の上面２ａの第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の下面４ａの第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。なお、第２の接続対象部材４の積層の後に、異方性導電ペースト層３Ａ又は異方性導電ペースト層３ＢをＢステージ化させるために光を照射してもよく、熱を付与してもよい。但し、第２の接続対象部材４の積層の後に、異方性導電ペースト層３Ａ又は異方性導電ペースト層３ＢをＢステージ化させるために熱を付与又は光を照射することが好ましい。
Next, as shown in FIG. 3 (d), the second
さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｃを加熱して本硬化させ、硬化物層３を形成する。ただし、第２の接続対象部材４の積層の前に、異方性導電ペースト層３Ｃを加熱してもよい。但し、第２の接続対象部材４の積層の後に、異方性導電ペースト層３Ｃを加熱して本硬化させることが好ましい。
Further, when the second
熱の付与により異方性導電ペースト層３Ｃを硬化させるために、異方性導電ペースト層３Ｃを充分に硬化させるための加熱温度は好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。
In order to cure the anisotropic
なお、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂに熱を付与又は光を照射せずに、異方性導電ペースト層３Ａ，３ＢをＢステージ化しない場合には、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂの上面３ａに第２の接続対象部材４を積層し、異方性導電ペースト層３Ａ，３Ｂを加熱して、本硬化させればよい。
In the case where anisotropic
異方性導電ペースト層３Ｃを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。
It is preferable to apply pressure when curing the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ｃを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層３を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。このようにして、図１に示す接続構造体１を得ることができる。本実施形態では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電ペーストを短時間で硬化させることができる。
By curing the anisotropic
また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりＢステージ化した後に、本硬化させることで、第１の接続対象部材上に配置された異方性ペースト層に含まれている導電性粒子が、硬化段階で大きく流動し難くなる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。具体的には、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置することができ、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されるのを抑制できる。このため、接続構造体における電極間の導通信頼性を高めることができる。 In addition, when the connection structure is manufactured, the anisotropic conductive paste is B-staged by applying heat or irradiating light, and then is cured to provide anisotropy disposed on the first connection target member. The conductive particles contained in the paste layer are difficult to flow greatly in the curing stage. Accordingly, the conductive particles are easily arranged in a predetermined region. Specifically, conductive particles can be arranged between upper and lower electrodes to be connected, and adjacent electrodes that should not be connected are electrically connected via a plurality of conductive particles. Can be suppressed. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between the electrodes in a connection structure can be improved.
また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりＢステージ化する場合には、Ｂステージ化される前の異方性導電ペースト層の表面形状の影響により、第１，第２の電極の位置ずれが生じやすい傾向がある。例えば、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層では、Ｂステージ化により粘度がある程度上昇しているため、例えば、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の上面に大きな凸部又は凹部があると、得られる接続構造体において、第１，第２の接続対象部材における電極間の位置ずれが生じやすい傾向がある。 In addition, when the anisotropic conductive paste is made into a B stage by applying heat or irradiating with light at the time of producing the connection structure, the influence of the surface shape of the anisotropic conductive paste layer before the B stage is made. Therefore, the first and second electrodes tend to be misaligned. For example, in the B-staged anisotropic conductive paste layer, the viscosity has increased to some extent due to the B-stage. For example, there is a large protrusion or recess on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer. If it exists, in the connection structure obtained, there exists a tendency for the position shift between the electrodes in the 1st, 2nd connection object member to arise easily.
これに対して、上述したようにディスペンサー１２から特定の塗布形態で上記異方性導電ペーストを塗布することによって、Ｂステージ化をしたとしても、第１，第２の接続対象部材における電極間の位置ずれを効果的に抑制できる。さらに、上記形状規制部材によって異方性導電ペースト層の表面形状をかえることによって、第１，第２の接続対象部材における電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制できる。
On the other hand, as described above, even if the anisotropic conductive paste is applied in a specific application form from the
一方で、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりＢステージ化しなかった場合には、Ｂステージ化前の異方性導電ペースト層の粘度が低すぎて、得られる接続構造体において、第１，第２の接続対象部材における電極間の位置ずれが生じやすい傾向がある。 On the other hand, the viscosity of the anisotropic conductive paste layer before the B-stage is too low when the anisotropic conductive paste is not B-staged by applying heat or irradiating the light at the time of producing the connection structure. Thus, in the obtained connection structure, there is a tendency that displacement between the electrodes in the first and second connection target members is likely to occur.
これに対して、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりＢステージ化することにより、第１，第２の接続対象部材における電極間の位置ずれを効果的に抑制できる。 On the other hand, when the connection structure is produced, the anisotropic conductive paste is made into a B-stage by applying heat or irradiating light, so that the positional deviation between the electrodes in the first and second connection target members is reduced. It can be effectively suppressed.
本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。なかでも、本発明に係る接続構造体の製造方法は、ＣＯＧ用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材として、半導体チップとガラス基板とを用いることが好ましい。 The connection structure manufacturing method according to the present invention includes, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), It can be used for connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), or the like. Especially, the manufacturing method of the connection structure concerning the present invention is suitable for COG use. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, it is preferable to use a semiconductor chip and a glass substrate as the first connection target member and the second connection target member.
ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電ペーストの導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＣＯＧ用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が１０〜２０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、電極間の位置ずれを抑制でき、かつ導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。 In COG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with the conductive particles of the anisotropic conductive paste. For example, in the case of COG use, the distance between adjacent electrodes of a semiconductor chip and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 10 to 20 μm, and fine wiring is often formed. Even if fine wiring is formed, the manufacturing method of the connection structure according to the present invention can suppress misalignment between the electrodes and can accurately arrange the conductive particles between the electrodes. And the glass substrate can be connected with high accuracy, and the conduction reliability can be improved.
上記異方性導電ペーストは、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む。該熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含有することが好ましい。また、上記異方性導電ペーストは、熱硬化性成分に加えて、光硬化性成分をさらに含むことが好ましい。該光硬化性成分は、光硬化性化合物と光硬化開始剤とを含むことが好ましい。上記異方性導電ペーストは、硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物をさらに含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であることが好ましい。上記光硬化性化合物は（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。 The anisotropic conductive paste includes a thermosetting component and conductive particles. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. The anisotropic conductive paste preferably further includes a photocurable component in addition to the thermosetting component. The photocurable component preferably contains a photocurable compound and a photocuring initiator. The anisotropic conductive paste preferably contains a thermosetting compound as a curable compound and further contains a photocurable compound. The thermosetting compound is preferably a compound having an epoxy group or a thiirane group. The photocurable compound is preferably a compound having a (meth) acryloyl group.
以下、上記異方性導電ペーストに含まれる各成分、及び含まれることが好ましい各成分の詳細を説明する。 Hereinafter, each component contained in the anisotropic conductive paste and details of each component preferably contained will be described.
［熱硬化性化合物］
上記熱硬化性化合物は熱硬化性を有する。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting compound]
The thermosetting compound has thermosetting properties. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記異方性導電ペーストの硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましく、チイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことがより好ましい。エポキシ基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する熱硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。異方性導電ペーストの硬化性を高める観点からは、上記熱硬化性化合物１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記熱硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であってもよい。 From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive paste or further improving the conduction reliability in the connection structure, the thermosetting compound is a thermosetting compound having an epoxy group or a thiirane group. It is preferable that a thermosetting compound having a thiirane group is included. The thermosetting compound having an epoxy group is an epoxy compound. The thermosetting compound having a thiirane group is an episulfide compound. From the viewpoint of enhancing the curability of the anisotropic conductive paste, the content of the compound having an epoxy group or thiirane group is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight in 100% by weight of the thermosetting compound. % Or more and 100% by weight or less. The total amount of the thermosetting compound may be a compound having the epoxy group or thiirane group.
上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。 Since the episulfide compound has a thiirane group instead of an epoxy group, it can be quickly cured at a low temperature. That is, the episulfide compound having a thiirane group can be cured at a lower temperature derived from the thiirane group as compared with the epoxy compound having an epoxy group.
上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。 The thermosetting compound having an epoxy group or thiirane group preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, tetracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, tetraphen ring, pyrene ring, pentacene ring, picene ring, and perylene ring. Especially, it is preferable that the said aromatic ring is a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a benzene ring or a naphthalene ring. A naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.
［光硬化性化合物］
光の照射によって硬化するように、上記異方性導電ペーストは、光硬化性化合物を含むことが好ましい。光の照射により光硬化性化合物を半硬化（Ｂステージ化）させ、異方性導電ペーストの流動性を低下させることができる。
[Photocurable compound]
The anisotropic conductive paste preferably contains a photocurable compound so as to be cured by irradiation with light. The photocurable compound can be semi-cured (B-staged) by irradiation with light to reduce the fluidity of the anisotropic conductive paste.
上記光硬化性化合物としては特に限定されず、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物及び環状エーテル基を有する光硬化性化合物等が挙げられる。 The photocurable compound is not particularly limited, and examples thereof include a photocurable compound having a (meth) acryloyl group and a photocurable compound having a cyclic ether group.
上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物であることが好ましい。（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物の使用により、接続構造体の導通信頼性をより一層高めることができる。得られる接続構造体の導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。 The photocurable compound is preferably a photocurable compound having a (meth) acryloyl group. By using the photocurable compound having a (meth) acryloyl group, the conduction reliability of the connection structure can be further enhanced. From the viewpoint of effectively increasing the conduction reliability of the resulting connection structure, the photocurable compound preferably has one or two (meth) acryloyl groups.
上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物が挙げられる。 The photocurable compound having the (meth) acryloyl group has no epoxy group and thiirane group, and has a (meth) acryloyl group, and has an epoxy group or thiirane group, and ( The photocurable compound which has a (meth) acryloyl group is mentioned.
上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。 As a photocurable compound having the above (meth) acryloyl group, an ester compound obtained by reacting a compound having (meth) acrylic acid and a hydroxyl group, an epoxy obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound. (Meth) acrylate or urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with isocyanate is preferably used. The “(meth) acryloyl group” refers to an acryloyl group and a methacryloyl group. The “(meth) acryl” refers to acryl and methacryl. The “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate.
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも用いることができる。 The ester compound obtained by making the said (meth) acrylic acid and the compound which has a hydroxyl group react is not specifically limited. As the ester compound, any of a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or higher functional ester compound can be used.
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られた光硬化性化合物であることが好ましい。このような光硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。 The photocurable compound having the epoxy group or thiirane group and having a (meth) acryloyl group is a part of the epoxy group or part of thiirane of the compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups. It is preferable that it is a photocurable compound obtained by converting a group into a (meth) acryloyl group. Such a photocurable compound is a partially (meth) acrylated epoxy compound or a partially (meth) acrylated episulfide compound.
光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。 The photocurable compound is preferably a reaction product of a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups and (meth) acrylic acid. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups with (meth) acrylic acid in the presence of a basic catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy group or thiirane group is converted (converted) to a (meth) acryloyl group. The conversion is more preferably 30% or more, preferably 80% or less, more preferably 70% or less. Most preferably, 40% or more and 60% or less of the epoxy group or thiirane group is converted to a (meth) acryloyl group.
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。 Examples of the partially (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. Is mentioned.
光硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。 Even if it uses the modified phenoxy resin which converted some epoxy groups or some thiirane groups of the phenoxy resin which has two or more epoxy groups or two or more thiirane groups into a (meth) acryloyl group as a photocurable compound. Good. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group or thiirane group and a (meth) acryloyl group may be used.
また、上記光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。 Further, the photocurable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, and the like.
光硬化性化合物を用いる場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜７０：３０で含むことがより好ましく、１０：９０〜５０：５０で含むことが更に好ましい。上記異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜５０：５０で含むことが特に好ましい。 When using a photocurable compound, the compounding ratio of a photocurable compound and a thermosetting compound is suitably adjusted according to the kind of a photocurable compound and a thermosetting compound. The anisotropic conductive paste preferably contains a photocurable compound and a thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 90:10, more preferably 5:95 to 70:30, More preferably, it is included at 10:90 to 50:50. The anisotropic conductive paste particularly preferably contains a photocurable compound and a thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 50:50.
（熱硬化剤）
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent)
The said thermosetting agent is not specifically limited. A conventionally known thermosetting agent can be used as the thermosetting agent. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydrides. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
異方性導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化させることができるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、異方性導電ペーストの保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 Since the anisotropic conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent. Moreover, since the storage stability of anisotropic conductive paste can be improved, a latent hardener is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。 The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパン トリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール テトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトール ヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストを充分に熱硬化させることができる。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound in the curable compound is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, and preferably 40 parts by weight or less. The amount is preferably 30 parts by weight or less, more preferably 20 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste can be sufficiently thermoset.
（光硬化開始剤）
上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
(Photocuring initiator)
The photocuring initiator is not particularly limited. A conventionally known photocuring initiator can be used as the photocuring initiator. As for the said photocuring initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤、ベンゾフェノン光硬化開始剤、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。 The photocuring initiator is not particularly limited, and examples thereof include acetophenone photocuring initiator, benzophenone photocuring initiator, thioxanthone, ketal photocuring initiator, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate. .
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。 Specific examples of the acetophenone photocuring initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, methoxy Examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal photocuring initiator include benzyldimethyl ketal.
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記光硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストを適度に光硬化させることができる。異方性導電ペーストに光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電ペーストの流動を抑制できる。 The content of the photocuring initiator is not particularly limited. The content of the photocuring initiator with respect to 100 parts by weight of the photocurable compound in the curable compound is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.2 parts by weight or more, preferably 2 It is 1 part by weight or less, more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocuring initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste can be appropriately photocured. The anisotropic conductive paste can be prevented from flowing by irradiating the anisotropic conductive paste with light to form a B stage.
（導電性粒子）
上記異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。この場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。
(Conductive particles)
The conductive particles contained in the anisotropic conductive paste electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. The conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with an insulating layer. In this case, the insulating layer between the conductive layer and the electrode is excluded when the connection target member is connected. Examples of the conductive particles include conductive particles obtained by coating the surfaces of organic particles, inorganic particles, organic-inorganic hybrid particles, or metal particles with a metal layer, and metal particles that are substantially composed of only metal. It is done. The metal layer is not particularly limited. Examples of the metal layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, and a metal layer containing tin.
電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に設けられた導電層とを有することが好ましい。 From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles preferably include resin particles and a conductive layer provided on the surface of the resin particles.
導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。 The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, still more preferably 15 μm or less, and particularly preferably 10 μm or less.
導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The “average particle diameter” of the conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電ペースト１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。 The content of the conductive particles is not particularly limited. The content of the conductive particles in 100% by weight of the anisotropic conductive paste is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, still more preferably 1% by weight or more, preferably 40% by weight. % Or less, more preferably 30% by weight or less, still more preferably 19% by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented.
（他の成分）
上記異方性導電ペーストは、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電ペーストの硬化物の潜熱膨張を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
(Other ingredients)
The anisotropic conductive paste preferably contains a filler. By using the filler, latent heat expansion of the cured product of the anisotropic conductive paste can be suppressed. Specific examples of the filler include silica, aluminum nitride, and alumina. As for a filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記異方性導電ペーストは、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The anisotropic conductive paste preferably further contains a curing accelerator. By using a curing accelerator, the curing rate can be further increased. As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。 Specific examples of the curing accelerator include imidazole curing accelerators and amine curing accelerators. Of these, imidazole curing accelerators are preferred. In addition, an imidazole hardening accelerator or an amine hardening accelerator can be used also as an imidazole hardening agent or an amine hardening agent.
上記異方性導電ペーストは、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電ペーストの粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。 The anisotropic conductive paste may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the anisotropic conductive paste can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran, and diethyl ether.
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。 In the examples and comparative examples, the following materials were used.
（実施例１）
（１）異方性導電ペーストの調製
レゾルシノールジグリシジルエーテル７０重量％と、下記式（１Ｂ）で表される構造を有するエピスルフィド化合物３０重量％とを含むエピスルフィド化合物含有混合物を用意した。
Example 1
(1) Preparation of anisotropic conductive paste An episulfide compound-containing mixture containing 70% by weight of resorcinol diglycidyl ether and 30% by weight of an episulfide compound having a structure represented by the following formula (1B) was prepared.
上記エピスルフィド化合物含有混合物１５重量部と、熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）３重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）８重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ」）０．２重量部と、硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾール１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ２０重量部及び平均粒子径０．５μｍのアルミナ２０重量部とを配合し、さらに平均粒子径３μｍの導電性粒子を配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。
15 parts by weight of the above-described episulfide compound-containing mixture, 3 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) as a thermosetting agent, and an epoxy acrylate (“EBECRYL 3702” manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.) as a photocurable compound ”) 8 parts by weight, 0.2 part by weight of an acylphosphine oxide compound (“ DAROCUR TPO ”manufactured by Ciba Japan) as a photopolymerization initiator, and 2-ethyl-4-
なお、用いた上記導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。 The conductive particles used are conductive particles having a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of divinylbenzene resin particles and a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer. is there.
得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、導電性粒子の含有量が１０重量％である異方性導電ペーストを得た。 The obtained blend was filtered using a nylon filter paper (pore diameter: 10 μm) to obtain an anisotropic conductive paste having a conductive particle content of 10% by weight.
（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＩＴＯ電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍ、電極面積１５００μｍ２の銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。
(2) Production of Connection Structure A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern with L / S of 15 μm / 15 μm formed on the upper surface was prepared. A semiconductor chip was prepared in which a copper electrode pattern having an L / S of 15 μm / 15 μm and an electrode area of 1500 μm 2 was formed on the lower surface.
また、図４（ａ），（ｂ）及び図５（ａ）に示す塗布装置を用意した。該塗布装置は、ディスペンサーと、該ディスペンサーに接続された形状規制部材と、該ディスペンサーに接続された光照射装置である紫外線照射ランプとを備える。 Moreover, the coating device shown to Fig.4 (a), (b) and FIG. 5 (a) was prepared. The coating apparatus includes a dispenser, a shape regulating member connected to the dispenser, and an ultraviolet irradiation lamp that is a light irradiation device connected to the dispenser.
塗布装置を移動させながら、上記透明ガラス基板（第１の接続対象部材）の上面と上記ディスペンサーの先端との距離を下記の表１に示すように設定して、上記透明ガラス基板上に得られた異方性導電ペーストを塗布し、平均厚みＴ（μｍ）、最大厚みＴ１（μｍ）及び最小厚みＴ２（μｍ）を下記の表１に示すように設定して、異方性導電ペースト層を形成した。 While moving the coating device, the distance between the upper surface of the transparent glass substrate (first connection target member) and the tip of the dispenser is set as shown in Table 1 below, and the resultant is obtained on the transparent glass substrate. The anisotropic conductive paste layer was applied, the average thickness T (μm), the maximum thickness T1 (μm), and the minimum thickness T2 (μm) were set as shown in Table 1 below. Formed.
なお、実施例１及び後述する実施例２〜１０では、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の上記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、上記異方性導電ペーストが塗布されていた。 In Example 1 and Examples 2 to 10 to be described later, the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction. The anisotropic conductive paste was applied so that the outer edge of the central portion was raised.
その後、塗布装置を移動させながら、上記形状規制部材を用いて、上記異方性導電ペースト層の上面上に上記形状規制部材を接触させながら、上記異方性導電ペースト層の上面上を上記形状規制部材を通過させ、異方性導電ペースト層の上面を平坦化して、下記の表１に示す最大厚みと最小厚みとの差を有するように表面形状がかえられた異方性導電ペースト層を形成した。 Thereafter, the shape control member is used to move the coating device while the shape control member is brought into contact with the top surface of the anisotropic conductive paste layer while the shape control member is brought into contact with the shape on the top surface of the anisotropic conductive paste layer. An anisotropic conductive paste layer whose surface shape is changed so as to have a difference between the maximum thickness and the minimum thickness shown in Table 1 below by passing the regulating member and flattening the upper surface of the anisotropic conductive paste layer Formed.
次に、表面形状がかえられた異方性導電ペースト層に、紫外線照射ランプを用いて紫外線を照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ２となるように照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。次に、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。 Next, the anisotropic conductive paste layer whose surface shape has been changed is irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet irradiation lamp so that the irradiation energy becomes 100 mJ / cm 2, and the anisotropic conductive paste layer is half-coated by photopolymerization. Cured and B-staged. Next, the semiconductor chip was stacked on the B-staged anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 3 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. Completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.
（実施例２〜８）
接続構造体を作製する際に、上記透明ガラス基板の上面と上記ディスペンサーの先端との距離を下記の表１に示すように設定し、さらに異方性導電ペーストの吐出速度及び吐出量を調整して平均厚みＴ（μｍ）、最大厚みＴ１（μｍ）及び最小厚みＴ２（μｍ）を下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
(Examples 2 to 8)
When producing the connection structure, the distance between the upper surface of the transparent glass substrate and the tip of the dispenser is set as shown in Table 1 below, and the discharge speed and discharge amount of the anisotropic conductive paste are adjusted. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the average thickness T (μm), the maximum thickness T1 (μm), and the minimum thickness T2 (μm) were set as shown in Table 1 below.
（実施例９）
上記異方性導電ペースト層に対する上記形状規制部材の先端の接触圧をかえて、表面形状がかえられた異方性導電ペースト層の最大厚みと最小厚みとの差を下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
Example 9
Table 1 below shows the difference between the maximum thickness and the minimum thickness of the anisotropic conductive paste layer whose surface shape is changed by changing the contact pressure at the tip of the shape regulating member to the anisotropic conductive paste layer. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that it was set to.
（実施例１０）
上記形状規制部材を用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
(Example 10)
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the shape regulating member was not used.
（比較例１）
接続構造体を作製する際に、上記透明ガラス基板の上面と上記ディスペンサーの先端との距離を下記の表１に示すように設定し、さらに異方性導電ペーストの吐出速度及び吐出量を調製して平均厚みＴ（μｍ）、最大厚みＴ１（μｍ）及び最小厚みＴ２（μｍ）を下記の表１に示すように設定し、かつ上記異方性導電ペースト層に対する上記形状規制部材の先端の接触圧をかえて、表面形状がかえられた異方性導電ペースト層の最大厚みと最小厚みとの差を下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
(Comparative Example 1)
When producing the connection structure, the distance between the upper surface of the transparent glass substrate and the tip of the dispenser is set as shown in Table 1 below, and the discharge speed and discharge amount of the anisotropic conductive paste are further adjusted. The average thickness T (μm), the maximum thickness T1 (μm), and the minimum thickness T2 (μm) are set as shown in Table 1 below, and the tip of the shape regulating member contacts the anisotropic conductive paste layer. In the same manner as in Example 1, except that the difference between the maximum thickness and the minimum thickness of the anisotropic conductive paste layer whose surface shape was changed by changing the pressure was set as shown in Table 1 below. Got the body.
なお、比較例１では、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の上記中央部の外側の縁部が凹んだ形状になるように、上記異方性導電ペーストが塗布されていた。 In Comparative Example 1, the outer edge of the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction. The anisotropic conductive paste was applied so that the part had a concave shape.
（比較例２）
上記形状規制部材を用いなかったこと以外は比較例１と同様にして、接続構造体を得た。
(Comparative Example 2)
A connection structure was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the shape regulating member was not used.
（評価）
（１）ボイドの有無
実施例及び比較例における接続構造体をそれぞれ１００個用意した。得られた接続構造体において、異方性導電ペースト層により形成された硬化物層にボイドが生じているか否かを、透明ガラス基板の下面側から目視により観察した。ボイドの有無を下記の判定基準で判定した。ボイドがあると、接続構造体における導通信頼性が低くなる。
(Evaluation)
(1) Presence / absence of voids 100 connection structures in Examples and Comparative Examples were prepared. In the obtained connection structure, whether or not voids were generated in the cured product layer formed of the anisotropic conductive paste layer was visually observed from the lower surface side of the transparent glass substrate. The presence or absence of voids was determined according to the following criteria. When there is a void, the conduction reliability in the connection structure is lowered.
［ボイドの有無の判定基準］
○○：１００個の接続構造体中全てで、ボイド無し
○：１００個の接続構造体中、最大長さが１０μｍ以下であるボイドがある接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
△：１００個の接続構造体中、最大長さが１０μｍを超え、３０μｍ以下であるボイドがある接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
×：１００個の接続構造体中、最大長さが３０μｍを超える接続構造体が存在する
[Criteria for the presence or absence of voids]
○○: No void in all 100 connection structures ○: Although there are connection structures with voids having a maximum length of 10 μm or less in 100 connection structures, all connection structures are Usable △: Among 100 connection structures, there are connection structures with voids whose maximum length exceeds 10 μm and 30 μm or less, but all connection structures can be used ×: 100 connection structures There is a connection structure with a maximum length exceeding 30 μm in the body.
（２）第１，第２の接続対象部材の位置ずれの有無
実施例及び比較例における接続構造体をそれぞれ１００個用意した。得られた接続構造体において、透明ガラス基板の電極と半導体チップの電極との間に位置ずれが生じているか否かを評価した。位置ずれを下記の基準で判定した。
(2) Presence / absence of displacement of first and second connection target members 100 connection structures in each of the examples and comparative examples were prepared. In the obtained connection structure, it was evaluated whether or not misalignment occurred between the electrode of the transparent glass substrate and the electrode of the semiconductor chip. The positional deviation was determined according to the following criteria.
［位置ずれの判定基準］
○○：１００個の接続構造体中全てで、電極間の位置ずれがないか、又は電極間のずれ幅が２μｍ以下
○：１００個の接続構造体中、電極間のずれ幅が２μｍを超え、５μｍ以下である接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
△：１００個の接続構造体中、電極間のずれ幅が５μｍを超え、１０μｍ以下である接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
×：１００個の接続構造体中、電極間のずれ幅１０μｍを超える接続構造体が存在する
[Criteria for misalignment]
○○: There is no displacement between electrodes in all 100 connection structures, or the displacement width between electrodes is 2 μm or less. ○: The displacement width between electrodes exceeds 2 μm in 100 connection structures. All connection structures can be used even though there is a connection structure that is 5 μm or less. Δ: Among 100 connection structures, there is a connection structure in which the displacement width between electrodes exceeds 5 μm and is 10 μm or less. However, all connection structures can be used. X: Among 100 connection structures, there is a connection structure exceeding a displacement width of 10 μm between electrodes.
（３）導通信頼性（上下の電極間の導通試験）
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続抵抗の平均値が３Ω以下である場合を「○」、接続抵抗の平均値が３Ωを超える場合を「×」と判定した。
(3) Conduction reliability (conductivity test between upper and lower electrodes)
The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. The average value of the connection resistance at 100 locations was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The case where the average value of the connection resistance was 3Ω or less was judged as “◯”, and the case where the average value of the connection resistance exceeded 3Ω was judged as “X”.
結果を下記の表１に示す。 The results are shown in Table 1 below.
１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…上面
２ｂ…第１の電極
３…硬化物層
３ａ…上面
３ｘ…中央部
３ｙ…縁部
３Ａ…異方性導電ペースト層
３Ｂ…表面形状がかえられた異方性導電ペースト層
３Ｃ…Ｂステージ化された異方性導電ペースト層
４…第２の接続対象部材
４ａ…下面
４ｂ…第２の電極
５…導電性粒子
１１…塗布装置
１２…ディスペンサー
１２ａ…シリンジ
１２ｂ…把持部
１２ｃ…先端
１３…光照射装置
１３ａ…光照射装置本体
１３ｂ…光照射部
１４…形状規制部材
１４ａ…先端
２１…光照射装置
２１ａ…光照射装置本体
２１ｂ…光照射部
３１…台
４１…形状規制部材
４１ａ…先端
４１ｂ…凸部
５１Ａ…異方性導電ペースト層
５１ａ…上面
５１ｘ…中央部
５１ｙ…縁部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第２の接続対象部材を積層する工程と、
前記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する工程とを備え、
塗布方向と直交する方向における前記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における前記異方性導電ペースト層の前記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、前記異方性導電ペーストを塗布する、接続構造体の製造方法。 An anisotropic conductive paste layer is applied by applying an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles from the dispenser while moving the dispenser onto a first connection target member having an electrode on the upper surface. Forming a step;
Laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the anisotropic conductive paste layer;
The anisotropic conductive paste layer is heated to be fully cured to form a cured product layer,
The outer edge of the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction is raised with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction. Thus, the manufacturing method of a connection structure which apply | coats the said anisotropic conductive paste.
前記異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第２の接続対象部材を積層する工程と、
前記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する工程とを備え、
前記異方性導電ペースト層の最大厚み（μｍ）をＴ１としたときに、前記第１の接続対象部材の上面と前記ディスペンサーの先端との距離（μｍ）をＴ１未満にして、前記異方性導電ペーストを前記ディスペンサーから塗布する、接続構造体の製造方法。 An anisotropic conductive paste layer is applied by applying an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles from the dispenser while moving the dispenser onto a first connection target member having an electrode on the upper surface. Forming a step;
Laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the anisotropic conductive paste layer;
The anisotropic conductive paste layer is heated to be fully cured to form a cured product layer,
When the maximum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer is T1, the anisotropy is set such that the distance (μm) between the upper surface of the first connection target member and the tip of the dispenser is less than T1. A method for producing a connection structure, wherein a conductive paste is applied from the dispenser.
前記異方性導電ペースト層に熱を付与又は光を照射することにより硬化を進行させて、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を形成する工程をさらに備え、
前記Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の上面に、前記第２の接続対象部材を積層し、
前記Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。 As the anisotropic conductive paste, using an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component, or using an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and a photocurable component,
The anisotropic conductive paste layer further includes a step of forming a B-staged anisotropic conductive paste layer by applying heat or irradiating light to advance curing,
Laminating the second connection target member on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer,
The method for manufacturing a connection structure according to any one of claims 1 to 6, wherein the B-staged anisotropic conductive paste layer is heated and fully cured to form a cured product layer.
前記異方性導電ペースト層に光を照射することにより硬化を進行させて、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を形成し、
前記Ｂステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する、請求項７に記載の接続構造体の製造方法。 As the anisotropic conductive paste, using an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and a photocurable component,
Curing proceeds by irradiating the anisotropic conductive paste layer with light to form a B-staged anisotropic conductive paste layer,
The method for manufacturing a connection structure according to claim 7, wherein the B-staged anisotropic conductive paste layer is heated and fully cured to form a cured product layer.
前記第１の接続対象部材上に、前記異方性導電ペーストを塗布するためのディスペンサーと、
前記第１の接続対象部材上に塗布された異方性導電ペーストの表面形状をかえるための形状規制部材とを備える、塗布装置。 A coating apparatus used for coating an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles on a first connection target member,
A dispenser for applying the anisotropic conductive paste on the first connection target member;
An application device comprising: a shape regulating member for changing a surface shape of the anisotropic conductive paste applied on the first connection target member.
光照射装置をさらに備える、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の塗布装置。 Application used for applying an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles on the first connection target member, and irradiating the anisotropic conductive paste with light. A device,
The coating device according to any one of claims 9 to 11, further comprising a light irradiation device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011039619A JP2012178401A (en) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Method for manufacturing connection structure and coating application device |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9450161B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-09-20 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a light-emitting device by sintering conductive pastes |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011039619A patent/JP2012178401A/en not_active Withdrawn
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