JP2012172178A - 合金材料、回路基板、電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微細空間を充填する合金材料であって、Biと、Snと、Agとを含有し、融解点が257℃以上で、凝固点が240℃以下である。
【選択図】図1
Description
Claims (16)
- 微細空間を充填する合金材料であって、Biと、Snと、Agとを含有し、融解点が257℃以上で、凝固点が240℃以下である、合金材料。
- 請求項1に記載された合金材料であって、凝固点が220℃以下である、合金材料。
- 請求項1に記載された合金材料であって、凝固点が210℃以下である、合金材料。
- 微細空間を充填する合金材料であって、92〜98質量%の範囲のBiと、0.5〜7.5質量%の範囲のSnと、0.5〜4質量%の範囲のAgとを含有する、合金材料。
- 請求項4に記載された合金材料であって、95〜98質量%の範囲のBiと、1.0〜2質量%の範囲のSnと、1.9〜2.7質量%の範囲のAgとを含有する、合金材料。
- 請求項4に記載された合金材料であって、93〜95質量%の範囲のBiと、3.0質量%超、4.0質量%以下の範囲のSnと、2.0〜3.0質量%の範囲のAgとを含有する、合金材料。
- 請求項4乃至6の何れかに記載された合金材料であって、更にGaを含み、前記Gaは、前記Bi、前記Sn及び前記Agの総量を100質量部としてその0.01〜4質量%の範囲である、合金材料。
- 請求項7に記載された合金材料であって、前記Gaは、0.01〜0.8質量%の範囲である、合金材料。
- 基板と、電気伝導体とを含む回路基板であって、前記電気伝導体は、請求項1乃至8の何れかに記載された合金材料でなり、前記基板に設けられた微細空間内に充填されている、回路基板。
- 回路基板を含む電子デバイスであって、
前記回路基板は、請求項9に記載されたものでなる、電子デバイス。 - 請求項10に記載された電子デバイスであって、電子素子を含み、前記電子素子は、前記回路基板によって支持されている、電子デバイス。
- 請求項10に記載された電子デバイスであって、前記回路基板は、半導体基板である、電子デバイス。
- 複数枚の基板を積層した電子デバイスであって、
前記基板のそれぞれは、その厚み方向に設けられた電気伝導体を有しており、
前記電気伝導体は、請求項1乃至8の何れかに記載された合金材料でなる、
電子デバイス。 - 請求項10乃至13の何れかに記載された電子デバイスであって、前記電子素子は、発光素子、メモリ、論理IC、デジタル回路素子もしくはアナログ回路素子またはそれらの組み合わせを含む、電子デバイス。
- 構造体に設けられた微細空間の開口部からその内部に液状金属を充填し、凝固させる金属充填方法であって、
前記微細空間に、その開口部から底部に向かうにつれて温度が低下する温度勾配を付け、
前記微細空間内において、前記液状金属を底部から開口部に向かって一方向に凝固させる、
金属充填方法。 - 請求項15に記載された金属充填方法であって、前記液状金属は、請求項1乃至8の何れかに記載された合金材料でなる、金属充填方法。
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