JP2012169569A - Manufacturing method of photoelectric conversion device - Google Patents

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Yukari Hashimoto
由佳理 橋本
Norihiko Matsushima
徳彦 松島
Takeshi Uesugi
剛志 上杉
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion device which reduces a residual light absorption layer in a lower electrode and has high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A manufacturing method of a photoelectric conversion device has: a process where a lower substrate 2 is formed on a substrate 1; and a process where a light absorption layer 3 including a compound semiconductor is formed on the lower electrode 2. Further, the manufacturing method of the photoelectric conversion device according to an embodiment includes: a process where a radiation part 8 is formed by radiating laser light to a part of the light absorption layer 3; and a process where a removal part is formed by removing the radiation part 8 by mechanical processing and patterning is performed on the light absorption layer 3.

Description

本発明は光電変換装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a photoelectric conversion device.

太陽光発電等に使用される光電変換装置は、様々な種類のものがあるが、ＣＩＳ系（銅インジウムセレナイド系）に代表されるカルコパイライト系光電変換装置は比較的低コストで太陽電池モジュールの大面積化が容易なことから、研究開発が進められている。   There are various types of photoelectric conversion devices used for photovoltaic power generation and the like, but chalcopyrite photoelectric conversion devices represented by CIS (copper indium selenide) are relatively low cost solar cell modules. R & D is being promoted because it is easy to increase the area.

このカルコパイライト系光電変換装置は、ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）など下部電極が形成されている。そしてこの下部電極上には、二セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）等のカルコゲン化合物半導体層（カルコパイライト系の半導体層）よりなる光吸収層と、硫化カドミウム等の混晶化合物半導体よりなるバッファ層とを備えている。さらに、バッファ層上には、錫を含んだ酸化インジウム（ＩＴＯ）などの透明導電膜よりなる上部電極と、上部電極上に銀ペーストなどからなる集電電極とを備えている。   In this chalcopyrite photoelectric conversion device, a lower electrode such as molybdenum (Mo) is formed on a glass substrate. On the lower electrode, a light absorption layer made of a chalcogen compound semiconductor layer (chalcopyrite semiconductor layer) such as copper indium gallium diselenide (CIGS), and a buffer layer made of a mixed crystal compound semiconductor such as cadmium sulfide. And. Furthermore, an upper electrode made of a transparent conductive film such as indium oxide (ITO) containing tin is provided on the buffer layer, and a current collecting electrode made of silver paste or the like is provided on the upper electrode.

このカルコパイライト系光電変換装置では、所定の出力電圧を得るために、下部電極、光吸収層、バッファ層および上部電極などの一部を除去してパターニングすることにより、複数の光電変換セルに分割している。そして、複数の光電変換セルは、一方の光電変換セルの下部電極と、一方の光電変換セルに隣り合う他方の光電変換セルの上部電極とを接続されている。これにより、複数の光電変換セルは、基板上で電気的に接続されて集積化される。このような集積化において、下部電極はレーザでパターニングされる。また光吸収層、バッファ層および上部電極は、メカニカルスクライブによる機械加工でパターニングされる。   This chalcopyrite photoelectric conversion device is divided into multiple photoelectric conversion cells by removing and patterning part of the lower electrode, light absorption layer, buffer layer, and upper electrode in order to obtain a predetermined output voltage. is doing. The plurality of photoelectric conversion cells are connected to the lower electrode of one photoelectric conversion cell and the upper electrode of the other photoelectric conversion cell adjacent to one photoelectric conversion cell. Thereby, the plurality of photoelectric conversion cells are electrically connected and integrated on the substrate. In such integration, the lower electrode is patterned with a laser. The light absorption layer, the buffer layer, and the upper electrode are patterned by machining by mechanical scribe.

特開２００２−３７３９９５号公報JP 2002-37395 A

しかしながら、上述したメカニカルスクライブ法では、光吸収層を下部電極から除去しきれず、下部電極上に光吸収層が残存する場合があった。このような場合、上部電極と接続される下部電極上に光吸収層が残存していると、この残存部分で接触抵抗が高くなり、光電変換効率が低下する可能性があった。   However, in the mechanical scribing method described above, the light absorption layer cannot be completely removed from the lower electrode, and the light absorption layer may remain on the lower electrode. In such a case, if the light absorption layer remains on the lower electrode connected to the upper electrode, the contact resistance is increased at the remaining portion, which may reduce the photoelectric conversion efficiency.

本発明の１つの課題は、下部電極における光吸収層の残存を低減し、高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供することである。   One object of the present invention is to provide a photoelectric conversion device that reduces the remaining of the light absorption layer in the lower electrode and has high photoelectric conversion efficiency.

本発明の一の実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に化合物半導体を含む光吸収層を形成する工程とを有する。さらに、本実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、前記光吸収層の一部に、レーザを照射してなる照射部を形成する工程と、前記照射部を機械加工で除去して除去部を形成し、前記光吸収層をパターニングする工程とを備えている。   The manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one Embodiment of this invention has the process of forming a lower electrode on a board | substrate, and the process of forming the light absorption layer containing a compound semiconductor on the said lower electrode. Furthermore, the method for manufacturing a photoelectric conversion device according to the present embodiment includes a step of forming an irradiation part formed by irradiating a laser on a part of the light absorption layer, and removing the irradiation part by machining. And patterning the light absorption layer.

本発明の一の実施形態に係る光電変換装置の製造方法によれば、光吸収層の一部にレー
ザを照射することにより、光吸収層のレーザが照射された部位（照射部）が変質する。このようにレーザで変質された光吸収層は、機械加工で除去しやすくなるため、光吸収層の除去部において下部電極上における光吸収層の残存を低減することができる。その結果、本実施形態では、光電変換効率を高めることができる。 According to the method for manufacturing a photoelectric conversion device according to one embodiment of the present invention, a portion (irradiation portion) irradiated with the laser of the light absorption layer is altered by irradiating a part of the light absorption layer with the laser. . Since the light absorption layer altered by the laser is easily removed by machining, it is possible to reduce the remaining light absorption layer on the lower electrode in the removal portion of the light absorption layer. As a result, in this embodiment, the photoelectric conversion efficiency can be increased.

本発明の実施形態によって製造された光電変換装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the photoelectric conversion apparatus manufactured by embodiment of this invention. 図１の光電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus of FIG. （ａ）〜（ｇ）は、本発明の一の実施形態に係る光電変換装置の製造方法における工程を示す断面図である。(A)-(g) is sectional drawing which shows the process in the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. （ａ）〜（ｇ）は、本発明の他の実施形態に係る光電変換装置の製造方法における工程を示す断面図である。(A)-(g) is sectional drawing which shows the process in the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus which concerns on other embodiment of this invention. （ａ）〜（ｈ）は、本発明の他の実施形態に係る光電変換装置の製造方法における工程を示す断面図である。(A)-(h) is sectional drawing which shows the process in the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus which concerns on other embodiment of this invention. （ａ）〜（ｇ）は、本発明の他の実施形態に係る光電変換装置の製造方法における工程を示す断面図である。(A)-(g) is sectional drawing which shows the process in the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus which concerns on other embodiment of this invention. （ａ）〜（ｈ）は、本発明の他の実施形態に係る光電変換装置の製造方法における工程を示す断面図である。(A)-(h) is sectional drawing which shows the process in the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus which concerns on other embodiment of this invention. （ａ）は、図３（ｃ）における下部電極２および照射部８近傍の部分拡大図であり、（ｂ）は図８（ａ）の基板１をＸＹ平面で平面透視したものである。FIG. 3A is a partially enlarged view of the vicinity of the lower electrode 2 and the irradiation unit 8 in FIG. 3C, and FIG. 3B is a plan view of the substrate 1 in FIG.

本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面には、光電変換セル１０の配列方向（例えば、図１の図面視左右方向）をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付しているものがある。まず、本発明の実施形態に係る製造方法で製造される光電変換装置の実施形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that some drawings have right-handed XYZ coordinates with the X axis as the arrangement direction of the photoelectric conversion cells 10 (for example, the horizontal direction in the drawing in FIG. 1). First, an embodiment of a photoelectric conversion device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described.

＜光電変換装置＞
光電変換装置２０は、図１に示すように、光電変換セル１０が複数並べて形成されている。光電変換セル１０は、基板１と、下部電極２と、光吸収層３と、バッファ層４と、上部電極５と、集電電極６と、接続導体７とを備えている。 <Photoelectric conversion device>
As shown in FIG. 1, the photoelectric conversion device 20 is formed by arranging a plurality of photoelectric conversion cells 10. The photoelectric conversion cell 10 includes a substrate 1, a lower electrode 2, a light absorption layer 3, a buffer layer 4, an upper electrode 5, a current collecting electrode 6, and a connection conductor 7.

光電変換装置２０は、複数の光電変換セル１０が電気的に接続されている。具体的に、隣り合う複数の光電変換セル１０同士は、一方の光電変換セル１０の上部電極５と、一方の光電変換セルに隣り合う他方の光電変換セル１０の下部電極２とが電気的に接続されている。なお、図１において、光電変換セル１０ａの上部電極５は、接続導体７を介して光電変換セル１０ｂの下部電極２と電気的に接続されている。これにより、隣接する光電変換セル１０同士は、図１中のＸ方向に沿って直列接続され、基板１上で集積化されている。   In the photoelectric conversion device 20, a plurality of photoelectric conversion cells 10 are electrically connected. Specifically, the plurality of adjacent photoelectric conversion cells 10 are electrically connected to the upper electrode 5 of one photoelectric conversion cell 10 and the lower electrode 2 of the other photoelectric conversion cell 10 adjacent to one photoelectric conversion cell. It is connected. In FIG. 1, the upper electrode 5 of the photoelectric conversion cell 10 a is electrically connected to the lower electrode 2 of the photoelectric conversion cell 10 b through the connection conductor 7. Thereby, the adjacent photoelectric conversion cells 10 are connected in series along the X direction in FIG. 1 and are integrated on the substrate 1.

光電変換セル１０では、下部電極２および上部電極５で挟まれた光吸収層３およびバッファ層４により、光電変換が行なわれる。次に、光電変換セル１０の各部材について説明する。   In the photoelectric conversion cell 10, photoelectric conversion is performed by the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 sandwiched between the lower electrode 2 and the upper electrode 5. Next, each member of the photoelectric conversion cell 10 will be described.

基板１は、光吸収層３等を支持するためのものである。このような基板１としては、例えば厚さ１〜３ｍｍ程度のソーダライムガラス（ＳＬＧ）が挙げられる。   The substrate 1 is for supporting the light absorption layer 3 and the like. An example of such a substrate 1 is soda lime glass (SLG) having a thickness of about 1 to 3 mm.

下部電極２は、一方向（図１および図２中のＸ方向）に互いに間隔をあけて基板１の一主面上に複数配置されている。本実施形態では、図２において、上記間隔に対応する分離溝Ｐ１によって互いに離間した３つの下部電極２が設けられている。なお、下部電極２の
個数については、図１および図２に示したものに限られない。このような下部電極２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であってもよい。また、これらの金属を積層してなる構造体であってもよい。この下部電極２は、例えば、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等で厚さ０．２〜１μｍ程度に形成される。 A plurality of lower electrodes 2 are arranged on one main surface of the substrate 1 with a space therebetween in one direction (the X direction in FIGS. 1 and 2). In the present embodiment, in FIG. 2, three lower electrodes 2 are provided that are separated from each other by a separation groove P <b> 1 corresponding to the interval. The number of lower electrodes 2 is not limited to that shown in FIGS. Such a lower electrode 2 may be a thin film containing a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), titanium (Ti), tantalum (Ta) or gold (Au) or an alloy thereof. Moreover, the structure formed by laminating | stacking these metals may be sufficient. The lower electrode 2 is formed to a thickness of about 0.2 to 1 μm on the substrate 1 by sputtering or vapor deposition, for example.

光吸収層３は、下部電極２上に配置されている。光吸収層３は化合物半導体を含んでいる。このような化合物半導体としては、例えば、カルコゲン化合物半導体が挙げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ）を含むものである。カルコゲン化合物半導体としては、例えば、Ｉ-III-VI化合物半導体がある。I-III-VI化合物半導体とは、Ｉ-Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII-Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物半導体であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。I-III-VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ２）又は薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層３が含む化合物半導体は、上記したＩ-III-VI化合物半導体だけでなく、例えば、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、硫黄（Ｓ）を含む、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４に代表されるＣＺＴＳ系のものであってもよい。ＣＺＴＳ系化合物半導体は、I-III-VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層３は、例えばｐ型の導電形を有し、厚さが１〜３μｍ程度である。 The light absorption layer 3 is disposed on the lower electrode 2. The light absorption layer 3 contains a compound semiconductor. An example of such a compound semiconductor is a chalcogen compound semiconductor. A chalcogen compound semiconductor contains sulfur (S), selenium (Se) or tellurium (Te) which are chalcogen elements. An example of the chalcogen compound semiconductor is an I-III-VI compound semiconductor. An I-III-VI compound semiconductor is composed of a group IB element (also referred to as a group 11 element), a group III-B element (also referred to as a group 13 element), and a group VI-B element (also referred to as a group 16 element). It is a compound semiconductor, has a chalcopyrite structure, and is called a chalcopyrite compound semiconductor (also called a CIS compound semiconductor). Examples of the I-III-VI compound semiconductor include copper indium diselenide (CuInSe 2 ), copper indium diselenide / gallium (Cu (In, Ga) Se 2 ), diselen selenide / copper indium / gallium (gallium ( Cu (In, Ga) (Se, S) 2 ), copper indium gallium disulfide (Cu (In, Ga) S 2 ), or a thin film of selenium disulfide, copper indium gallium indium gallium as a surface layer. There are multi-element compound semiconductor thin films such as copper indium selenide and gallium. The compound semiconductor included in the light absorption layer 3 is not limited to the above-described I-III-VI compound semiconductor, but includes, for example, Cu (Cu), zinc (Zn), tin (Sn), and sulfur (S). 2 CZTS-based materials represented by ZnSnS 4 may be used. Since the CZTS compound semiconductor does not use rare metal unlike the I-III-VI compound semiconductor, it is easy to secure the material. The light absorbing layer 3 has, for example, a p-type conductivity type and a thickness of about 1 to 3 μm.

光吸収層３は、スパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、光吸収層３は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。上述のような塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層３に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極２の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。この塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが用いられることで、光電変換装置２０の製造にかかるコストが低減され得る。   The light absorption layer 3 is formed by a vacuum process such as sputtering or vapor deposition. The light absorbing layer 3 is also formed by a process called a coating method or a printing method. In the coating method or the printing method as described above, for example, a complex solution of elements mainly contained in the light absorption layer 3 is applied on the lower electrode 2, and then drying and heat treatment are performed. By using a process called this coating method or printing method, the cost for manufacturing the photoelectric conversion device 20 can be reduced.

バッファ層４は、光吸収層３の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられており、光吸収層３の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。なお導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。また、光吸収層３の導電型がｎ型であり、バッファ層４の導電型がｐ型であってもよい。ここでは、バッファ層４と光吸収層３との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル１０では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層３とバッファ層４とにおいて光電変換が生じ得る。   The buffer layer 4 is provided on the main surface (also referred to as one main surface) on the + Z side of the light absorption layer 3 and has a second conductivity type (here, n) different from the first conductivity type of the light absorption layer 3. Mainly including a semiconductor having a conductive type). A semiconductor having a different conductivity type is a semiconductor having a different conductive carrier. Moreover, the conductivity type of the light absorption layer 3 may be n-type, and the conductivity type of the buffer layer 4 may be p-type. Here, a heterojunction region is formed between the buffer layer 4 and the light absorption layer 3. For this reason, in the photoelectric conversion cell 10, photoelectric conversion can occur in the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 that form the heterojunction region.

バッファ層４は、化合物半導体を主に含む。バッファ層４に含まれる化合物半導体としては、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。そして、バッファ層４が１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層４は、例えば、ケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等によって形成され得る。 The buffer layer 4 mainly contains a compound semiconductor. Examples of the compound semiconductor included in the buffer layer 4 include cadmium sulfide (CdS), indium sulfide (In 2 S 3 ), zinc sulfide (ZnS), zinc oxide (ZnO), indium selenide (In 2 Se 3 ), In (OH, S), (Zn, In) (Se, OH), (Zn, Mg) O, and the like can be given. If the buffer layer 4 has a resistivity of 1 Ω · cm or more, the generation of leakage current can be reduced. The buffer layer 4 can be formed by, for example, a chemical bath deposition (CBD) method or the like.

また、バッファ層４は、光吸収層３の一主面の法線方向（＋Ｚ方向）に厚さを有する。この厚さは、例えば、１０ｎｍ以上で且つ２００ｎｍ以下に設定される。バッファ層４の
厚さが１００ｎｍ以上で且つ２００ｎｍ以下であれば、バッファ層４の上に上部電極５がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層４においてダメージが生じ難くなる。 The buffer layer 4 has a thickness in the normal direction (+ Z direction) of one main surface of the light absorption layer 3. This thickness is set to, for example, 10 nm or more and 200 nm or less. If the thickness of the buffer layer 4 is 100 nm or more and 200 nm or less, the buffer layer 4 is less likely to be damaged when the upper electrode 5 is formed on the buffer layer 4 by sputtering or the like.

上部電極５は、バッファ層４の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられており、例えば、ｎ型の導電型を有する透明の導電層（透明導電層とも言う）である。この上部電極５は、光吸収層３において生じた電荷を取り出す電極（取出電極とも言う）として働く。上部電極５は、バッファ層４よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。上部電極５には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよいし、窓層と透明導電層とが含まれてもよい。   The upper electrode 5 is provided on the main surface (also referred to as one main surface) on the + Z side of the buffer layer 4, and is, for example, a transparent conductive layer (also referred to as a transparent conductive layer) having an n-type conductivity type. is there. The upper electrode 5 functions as an electrode (also referred to as an extraction electrode) that extracts charges generated in the light absorption layer 3. The upper electrode 5 mainly includes a material having a lower resistivity than the buffer layer 4. The upper electrode 5 may include what is called a window layer, or may include a window layer and a transparent conductive layer.

上部電極５は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）、および酸化錫（ＳｎＯ２）等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウム、およびフッ素のうちの何れか１つの元素等が含まれたものである。 The upper electrode 5 mainly includes a material having a wide forbidden band, transparent, and low resistance. As such a material, for example, a metal oxide semiconductor such as zinc oxide (ZnO), a compound of zinc oxide, indium oxide containing tin (ITO), and tin oxide (SnO 2 ) can be employed. The zinc oxide compound contains any one element of aluminum, boron, gallium, indium, and fluorine.

上部電極５は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって形成され得る。上部電極５の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上で且つ３．０μｍ以下である。ここで、上部電極５が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極５を介して光吸収層３から電荷が良好に取り出され得る。   The upper electrode 5 can be formed by sputtering, vapor deposition, chemical vapor deposition (CVD), or the like. The thickness of the upper electrode 5 is, for example, 0.05 μm or more and 3.0 μm or less. Here, if the upper electrode 5 has a resistivity of less than 1 Ω · cm and a sheet resistance of 50 Ω / □ or less, charges can be satisfactorily extracted from the light absorption layer 3 through the upper electrode 5. .

バッファ層４および上部電極５が、光吸収層３が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質（光透過性とも言う）を有していれば、光吸収層３における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、上部電極５の厚さが０．０５μｍ以上で且つ０．５μｍ以下であれば、上部電極５における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。更に、上部電極５の絶対屈折率とバッファ層４の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極５とバッファ層４との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。   If the buffer layer 4 and the upper electrode 5 have a property (also referred to as light transmittance) that allows light to easily pass through the wavelength band of light that can be absorbed by the light absorption layer 3, A decrease in light absorption efficiency can be reduced. In addition, when the thickness of the upper electrode 5 is 0.05 μm or more and 0.5 μm or less, the light transmittance in the upper electrode 5 can be enhanced, and at the same time, the current generated by the photoelectric conversion can be transmitted well. Furthermore, if the absolute refractive index of the upper electrode 5 and the absolute refractive index of the buffer layer 4 are substantially the same, the loss of incident light caused by light reflection at the interface between the upper electrode 5 and the buffer layer 4 is reduced. obtain.

集電電極６は、上部電極５の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられている線状の電極部（線状電極部とも言う）である。そして、例えば光電変換セル１０ａの上部電極５によって集められた電荷は、集電電極６によって更に集められ、接続導体７を介して光電変換セル１０ｂに伝達され得る。   The collector electrode 6 is a linear electrode portion (also referred to as a linear electrode portion) provided on the main surface (also referred to as one main surface) on the + Z side of the upper electrode 5. For example, the charges collected by the upper electrode 5 of the photoelectric conversion cell 10 a can be further collected by the current collecting electrode 6 and transmitted to the photoelectric conversion cell 10 b through the connection conductor 7.

この集電電極６が設けられることで、上部電極５における導電性が補われるため、上部電極５の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、上部電極５における光透過性の向上とが両立し得る。なお、集電電極６が、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換装置２０における変換効率が向上し得る。なお、集電電極６に含まれる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であってもよい。   By providing the current collecting electrode 6, the conductivity of the upper electrode 5 is supplemented, so that the upper electrode 5 can be thinned. As a result, it is possible to ensure both the charge extraction efficiency and the improvement of light transmittance in the upper electrode 5. In addition, if the current collection electrode 6 mainly contains the metal which was excellent in electroconductivity, such as silver, the conversion efficiency in the photoelectric conversion apparatus 20 can improve. In addition, as a metal contained in the current collection electrode 6, copper, aluminum, nickel, etc. may be sufficient, for example.

また、集電電極６の幅は、５０μｍ以上で且つ４００μｍ以下であれば、隣接する光電変換セル１０の間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層３１への光の入射量の低下が低減され得る。１つの光電変換セル１０に複数の集電電極６が設けられる場合、該複数の集電電極６の間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であればよい。   Moreover, if the width | variety of the current collection electrode 6 is 50 micrometers or more and 400 micrometers or less, the fall of the incident amount of the light to the light absorption layer 31 will be ensured, ensuring the favorable electrical conduction between the adjacent photoelectric conversion cells 10. FIG. Can be reduced. When a plurality of collector electrodes 6 are provided in one photoelectric conversion cell 10, the interval between the plurality of collector electrodes 6 may be about 2.5 mm, for example.

なお、集電電極６の表面が、光吸収層３が吸収し得る波長領域の光を反射する性質を有していれば、光電変換装置２０がモジュール化された際に、集電電極６の表面で反射した光が、モジュール内で再び反射して光吸収層３に入射し得る。これにより、光電変換装置
２０における変換効率が向上し得る。このような表面が形成されるためには、例えば、透光性の樹脂に光反射率の高い銀等の金属粒子が添加されたペーストが上部電極５の一主面上に塗布され、その後の乾燥によって該ペーストが固化されることで集電電極６が形成されればよい。また、例えば、アルミニウム等の光反射率の高い金属が集電電極６の表面に蒸着されてもよい。 In addition, if the surface of the current collecting electrode 6 has a property of reflecting light in a wavelength region that can be absorbed by the light absorption layer 3, when the photoelectric conversion device 20 is modularized, The light reflected from the surface can be reflected again in the module and enter the light absorption layer 3. Thereby, the conversion efficiency in the photoelectric conversion apparatus 20 can be improved. In order to form such a surface, for example, a paste in which metal particles such as silver having a high light reflectance are added to a translucent resin is applied on one main surface of the upper electrode 5, and thereafter The current collecting electrode 6 may be formed by solidifying the paste by drying. Further, for example, a metal having high light reflectance such as aluminum may be deposited on the surface of the collecting electrode 6.

接続導体７は、光吸収層３およびバッファ層４を除去してなる分離溝Ｐ２内に配置されている。この接続導体７は、集電電極６と電気的に接続しており、分離溝Ｐ２を通って隣の光電変換セル１０から延伸されている下部電極２に接続するような垂下部を有している。これにより、接続導体７は、図１において、光電変換セル１０ａの上部電極５と、光電変換セル１０ｂの下部電極２とを電気的に接続できる。なお、図１では、上部電極５に電気的に接続された光電変換セル１０ａの集電電極６と光電変換セル１０ｂの下部電極５とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続導体７は、例えば、分離溝Ｐ２に配置されるバッファ層４および上部電極５の少なくとも一方を介して光電変換セル１０ａの上部電極５と光電変換セル１０ｂの下部電極２とを電気的に接続する形態であってもよい。   The connection conductor 7 is disposed in a separation groove P2 formed by removing the light absorption layer 3 and the buffer layer 4. The connection conductor 7 is electrically connected to the current collecting electrode 6 and has a hanging portion that connects to the lower electrode 2 extending from the adjacent photoelectric conversion cell 10 through the separation groove P2. Yes. Thereby, the connection conductor 7 can electrically connect the upper electrode 5 of the photoelectric conversion cell 10a and the lower electrode 2 of the photoelectric conversion cell 10b in FIG. In FIG. 1, the current collecting electrode 6 of the photoelectric conversion cell 10a electrically connected to the upper electrode 5 and the lower electrode 5 of the photoelectric conversion cell 10b are directly connected, but this is not restrictive. . The connection conductor 7 electrically connects, for example, the upper electrode 5 of the photoelectric conversion cell 10a and the lower electrode 2 of the photoelectric conversion cell 10b via at least one of the buffer layer 4 and the upper electrode 5 arranged in the separation groove P2. It may be a form to do.

接続導体７は、集電電極６と同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続導体７は、集電電極６の形成と同時に行なってもよい。それゆえ、接続導体７は、集電電極６の一部であってもよい。   The connection conductor 7 may be made of the same material and method as the current collecting electrode 6. Therefore, the connection conductor 7 may be performed simultaneously with the formation of the current collecting electrode 6. Therefore, the connection conductor 7 may be a part of the current collecting electrode 6.

＜光電変換装置の製造方法＞
（実施形態１）
次に、光電変換装置の製造方法の一実施形態について図３を用いて説明する。 <Method for Manufacturing Photoelectric Conversion Device>
(Embodiment 1)
Next, an embodiment of a method for manufacturing a photoelectric conversion device will be described with reference to FIG.

まず、ソーダライムガラス等で形成された基板１を用意する。基板１の大きさは、例えば５０ｃｍ×１００ｃｍ程度、厚さ５ｍｍ程度である。   First, a substrate 1 made of soda lime glass or the like is prepared. The size of the substrate 1 is, for example, about 50 cm × 100 cm and a thickness of about 5 mm.

次に、基板１を洗浄した後、図３（ａ）に示すように、基板１の一主面にＭｏ層等をスパッタリング法などで成膜する。次いで、この下部電極２にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザを照射して、幅１０〜１００μｍ程度の分割溝Ｐ１を形成することにより、Ｍｏ層をパターニングして複数の短冊状の下部電極２を形成する。このパターニング後のＭｏ層の幅は３〜１５ｍｍ程度である。   Next, after cleaning the substrate 1, as shown in FIG. 3A, a Mo layer or the like is formed on one main surface of the substrate 1 by sputtering or the like. Next, the lower electrode 2 is irradiated with a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser to form a dividing groove P1 having a width of about 10 to 100 μm, whereby the Mo layer is patterned to form a plurality of strip-shaped lower electrodes 2. Form. The width of the Mo layer after patterning is about 3 to 15 mm.

次に、図３（ｂ）に示すように、下部電極２上に光吸収層３をスパッタリング法、蒸着法、印刷法などを用いて成膜する。以下では、具体例として、二セレン化銅インジウムガリウム（以下、ＣＩＧＳとする）のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３を形成する場合について述べる。例えば、スパッタリング法で光吸収層３を形成する場合は、まず、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットを用いて金属薄膜を成膜し、その金属薄膜上に、さらにＩｎターゲットを用いてＩｎ薄膜を成膜して前駆体が形成される。一方で、印刷法で光吸収層３を形成する場合は、例えば、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａを含有したペーストを基板１上にスクリーン印刷法等を用いて塗布し、１００〜１５０℃程度の温度で乾燥を行うことにより、前駆体が形成される。   Next, as shown in FIG. 3B, the light absorption layer 3 is formed on the lower electrode 2 by using a sputtering method, a vapor deposition method, a printing method, or the like. Below, the case where the light absorption layer 3 containing the I-III-VI group compound of copper indium gallium selenide (henceforth CIGS) is formed as a specific example is described. For example, when the light absorption layer 3 is formed by the sputtering method, a metal thin film is first formed using a Cu—Ga alloy target, and an In thin film is further formed on the metal thin film using an In target. Thus, a precursor is formed. On the other hand, when the light absorption layer 3 is formed by a printing method, for example, a paste containing Cu, In, and Ga is applied on the substrate 1 using a screen printing method or the like, and at a temperature of about 100 to 150 ° C. By performing drying, a precursor is formed.

次いで、上述した前駆体をカルコゲン元素（セレン）を含む雰囲気下で焼成することにより、結晶化が促進され、光吸収層３となる。以下の焼成工程の説明では、カルコゲン元素としてセレンを用いた例で示しているが、セレンに代えて硫黄またはテルルを利用してもよい。   Next, the precursor described above is fired in an atmosphere containing a chalcogen element (selenium), whereby crystallization is promoted and the light absorption layer 3 is obtained. In the following description of the firing step, an example is shown in which selenium is used as the chalcogen element, but sulfur or tellurium may be used instead of selenium.

まず、前駆体の膜を備えた基板１を焼成炉内に配置する。そして、焼成炉内を減圧する
とともに、基板１を４００〜６００℃程度まで昇温し、昇温後の温度を維持しながら焼成炉内にＨ２Ｓｅガス等を導入する。その後、この状態で前駆体の膜を６０〜９０分程度焼成することで光吸収層３が形成される。 First, the substrate 1 provided with the precursor film is placed in a firing furnace. Then, while pressure inside the firing furnace, heated substrate 1 to about 400 to 600 ° C., introducing H 2 Se gas or the like into the calcining furnace while maintaining the temperature after Atsushi Nobori. Then, the light absorption layer 3 is formed by baking the film | membrane of a precursor for about 60 to 90 minutes in this state.

次に、図３（ｃ）に示すように、光吸収層３の接続導体７と隣の光電変換セル１０から延伸されている下部電極２とが接続される部分である分離溝Ｐ２が設けられる部分、例えば下部電極２に形成した分割溝Ｐ１の端部から２０〜１００μｍ程度離間した位置にレーザを照射する。なお、光吸収層３のレーザが照射された部位を照射部８とする。   Next, as illustrated in FIG. 3C, a separation groove P <b> 2 that is a portion where the connection conductor 7 of the light absorption layer 3 and the lower electrode 2 extending from the adjacent photoelectric conversion cell 10 are connected is provided. A laser is irradiated to a part, for example, a position separated by about 20 to 100 μm from the end of the dividing groove P1 formed in the lower electrode 2. The portion of the light absorption layer 3 irradiated with the laser is referred to as an irradiation unit 8.

この照射部８は、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ、ＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｒｉｏｎ、第二高周波）のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４（イットリウム・バナデイト）レーザで形成される。具体的に、例えば、ＹＡＧレーザを使用した場合、出力３〜８Ｗ程度で照射部８の幅が５０〜２００μｍ程度になるようにレーザのスポット径を調整し、レーザ光を走査するか、基板１を所定方向に移動させることにより、所定の位置に照射部８が形成される。なお、このレーザの出力およびレーザ光の走査速度などの条件は、分離溝Ｐ２を形成するパターニング工程において、下部電極２上における光吸収層３の残存を低減できるように、その状態を観察しながら決定すればよい。また、レーザの照射は、光吸収層３のパターニング工程で形成する分離溝Ｐ２の幅を考慮して複数回照射してもよい。また、本実施形態では、全ての照射部８が下部電極２上に残存しているが、照射部８の＋Ｚ方向における上面の一部がレーザで除去されていてもよい。 The irradiation unit 8 is formed of, for example, a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser, a SHG (second harmonic generator, second high frequency) YAG laser, or a YVO 4 (yttrium vanadate) laser. Specifically, for example, when a YAG laser is used, the laser spot diameter is adjusted so that the width of the irradiation unit 8 is about 50 to 200 μm at an output of about 3 to 8 W, and scanning with laser light or the substrate 1 is performed. Is moved in a predetermined direction to form the irradiation unit 8 at a predetermined position. The conditions such as the laser output and the scanning speed of the laser light are observed while observing the conditions so that the remaining of the light absorption layer 3 on the lower electrode 2 can be reduced in the patterning step for forming the separation groove P2. Just decide. Further, laser irradiation may be performed a plurality of times in consideration of the width of the separation groove P2 formed in the patterning process of the light absorption layer 3. Moreover, in this embodiment, all the irradiation parts 8 remain on the lower electrode 2, but a part of the upper surface in the + Z direction of the irradiation parts 8 may be removed by a laser.

次に、図３（ｄ）に示すように、金属針、金属刃等を用いたメカニカルスクライブ法等のような機械加工により、照射部８を機械的に除去して、分離溝Ｐ２を形成する。なお、この分離溝Ｐ２は、光吸収層３が部分的に除去されてなる除去部であるといえる。この分離溝Ｐ２を形成することにより、光吸収層３がパターニングされる。   Next, as shown in FIG. 3D, the irradiation portion 8 is mechanically removed by machining such as a mechanical scribing method using a metal needle, a metal blade, or the like to form a separation groove P2. . In addition, it can be said that this separation groove P2 is a removal part by which the light absorption layer 3 is partially removed. By forming the separation groove P2, the light absorption layer 3 is patterned.

分離溝Ｐ２の幅は、光電変換装置２０の大きさ等によって適宜設定されるが、例えば、５０〜５００μｍ程度であればよい。なお、分離溝Ｐ２の大きさは、照射部８の大きさに応じて金属針等の先端部の大きさを変更することにより、調整できる。また、メカニカルスクライブ法で分離溝Ｐ２を形成する場合は、先端部が４０〜５０μｍ程度の幅を有する金属針等を用いて、ピッチをずらしながら連続して数回にわたりスクライブしてもよい。また、メカニカルスクライブ法では、２本以上の金属針を当接または近接した状態で固定し、１回〜数回スクライブして形成してもよい。   The width of the separation groove P <b> 2 is appropriately set depending on the size of the photoelectric conversion device 20, but may be, for example, about 50 to 500 μm. The size of the separation groove P2 can be adjusted by changing the size of the tip of a metal needle or the like according to the size of the irradiation unit 8. When the separation groove P2 is formed by the mechanical scribing method, the tip may be scribed several times continuously while shifting the pitch using a metal needle or the like having a width of about 40 to 50 μm. Further, in the mechanical scribing method, two or more metal needles may be fixed in contact or in close proximity and scribed once to several times.

以上のように、本実施形態では、光吸収層３の分離溝Ｐ２（除去部）を設ける部分に、予めレーザを照射して照射部８を形成している。この照射部８では、レーザの熱により、光吸収層３が変質している。すなわり、光吸収層３の照射部８は、レーザの熱によって溶融することにより、レーザの照射前に比べて脆くなる。そのため、下部電極２とレーザが照射された光吸収層３（照射部８）との接合強度が弱まっている。これにより、光吸収層３をパターニングする工程において、光吸収層３の照射部８を機械加工で除去して除去部を形成しても、下部電極２上に光吸収層３が残存しにくくなる。すなわち、本実施形態では、機械加工で除去される部位にレーザを照射することにより、光吸収層３が除去されやすくなる。その結果、本実施形態では、隣り合う光電変換セル１０同士の接続部における抵抗成分の増加を低減させることが可能となる。すなわち、本実施形態では、分離溝Ｐ２内において、接続導体７との接合面となる下部電極２上における光吸収層３が残存しにくくなるため、残存する光吸収層３による抵抗成分の増加を低減できる。なお、レーザの出力を上げてレーザの照射のみでＰ２を形成すると、下部電極２の表面をレーザで除去する可能性が高くなるため、下部電極２の抵抗値が高まる可能性がある。これに対し、本実施形態では、少なくとも下部電極２の表面上に光吸収層３の照射部８が残存するようにして
いるため、下部電極２の表面をレーザで除去しないようにすることができる。 As described above, in the present embodiment, the irradiation portion 8 is formed by previously irradiating the laser on the portion where the separation groove P2 (removal portion) of the light absorption layer 3 is provided. In this irradiation part 8, the light absorption layer 3 has deteriorated by the heat of the laser. In other words, the irradiation portion 8 of the light absorption layer 3 is melted by the heat of the laser and becomes weaker than before the laser irradiation. Therefore, the bonding strength between the lower electrode 2 and the light absorption layer 3 (irradiation unit 8) irradiated with the laser is weakened. Thereby, in the process of patterning the light absorption layer 3, even if the irradiation part 8 of the light absorption layer 3 is removed by machining to form a removal part, the light absorption layer 3 hardly remains on the lower electrode 2. . That is, in the present embodiment, the light absorption layer 3 is easily removed by irradiating the part to be removed by machining with a laser. As a result, in the present embodiment, it is possible to reduce an increase in resistance component at a connection portion between adjacent photoelectric conversion cells 10. That is, in the present embodiment, the light absorption layer 3 on the lower electrode 2 that becomes a joint surface with the connection conductor 7 is less likely to remain in the separation groove P <b> 2, so that the resistance component is increased due to the remaining light absorption layer 3. Can be reduced. Note that if the laser output is increased and P2 is formed only by laser irradiation, there is a high possibility that the surface of the lower electrode 2 is removed by the laser, so that the resistance value of the lower electrode 2 may be increased. On the other hand, in this embodiment, since the irradiation part 8 of the light absorption layer 3 remains on at least the surface of the lower electrode 2, the surface of the lower electrode 2 can be prevented from being removed by a laser. .

次いで、図３（ｅ）に示すように、光吸収層３上および分離溝Ｐ２に露出する下部電極２上に溶液成長法（ＣＢＤ法）などでＣｄＳを成膜し、バッファ層４を形成する。このバッファ層４は、１０〜２００ｎｍ程度に成膜される。次に、バッファ層４上にスパッタリング法などでＩＴＯを成膜して上部電極５を形成する。この上部電極５は、０．０５〜０．５μｍ程度に成膜される。   Next, as shown in FIG. 3E, a CdS film is formed on the light absorption layer 3 and the lower electrode 2 exposed in the separation groove P2 by a solution growth method (CBD method) or the like to form the buffer layer 4. . The buffer layer 4 is formed to a thickness of about 10 to 200 nm. Next, ITO is formed on the buffer layer 4 by sputtering or the like to form the upper electrode 5. The upper electrode 5 is formed to a thickness of about 0.05 to 0.5 μm.

次に、図３（ｆ）に示すように、上部電極５上および分離溝Ｐ２内に銀ペーストなどを印刷することにより、集電電極６および接続導体７を形成する。   Next, as shown in FIG. 3F, the current collecting electrode 6 and the connecting conductor 7 are formed by printing silver paste or the like on the upper electrode 5 and in the separation groove P2.

次いで、図３（ｇ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μ程度離間した位置において、バッファ層４および上部電極５をメカニカルスクライビング法で部分的に除去することにより、分離溝Ｐ３を形成する。以上の工程により、複数の光電変換セル１０Ａが直列接続された光電変換装置２０Ａを製造できる。この分離溝Ｐ３の幅は、一例では２０〜１００μｍ程度である。なお、上述した分離溝Ｐ１乃至Ｐ３は、図３において、Ｙ方向に延伸するように形成される。   Next, as shown in FIG. 3G, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 are partially removed by a mechanical scribing method at a position separated by about 10 to 100 μm from the end of the separation groove P2, thereby separating the separation groove. P3 is formed. Through the above steps, a photoelectric conversion device 20A in which a plurality of photoelectric conversion cells 10A are connected in series can be manufactured. The width of the separation groove P3 is, for example, about 20 to 100 μm. The separation grooves P1 to P3 described above are formed so as to extend in the Y direction in FIG.

（実施形態２）
次に、光電変換装置の製造方法の他の実施形態について図４を用いて説明する。なお、本実施形態において、光吸収層３を形成するまでの工程は、上述した実施形態１と同様である。それゆえ、光吸収層３を下部電極２上に積層するまでの工程を示した図４（ａ）、（ｂ）については説明を省略する。 (Embodiment 2)
Next, another embodiment of a method for manufacturing a photoelectric conversion device will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the steps until the light absorption layer 3 is formed are the same as those in the first embodiment. Therefore, the description of FIGS. 4A and 4B showing the steps until the light absorption layer 3 is stacked on the lower electrode 2 will be omitted.

光吸収層３を形成する工程の後に、図４（ｃ）に示すように、光吸収層３上に溶液成長法（ＣＢＤ法）などでＣｄＳを成膜し、バッファ層４を形成する。次いで、バッファ層４上にスパッタリング法などでＩＴＯを成膜して上部電極５を形成する。   After the step of forming the light absorption layer 3, as shown in FIG. 4C, a CdS film is formed on the light absorption layer 3 by a solution growth method (CBD method) or the like to form the buffer layer 4. Next, ITO is formed on the buffer layer 4 by sputtering or the like to form the upper electrode 5.

次に、図４（ｄ）に示すように、上部電極５上の分離溝Ｐ２が設けられる部分、例えば下部電極２に形成した分割溝Ｐ１の端部から２０〜１００μｍ程度離間した位置に、レーザを照射し、照射部８を形成する。次いで、図４（ｅ）に示すように、照射部８を形成した光吸収層３とともにバッファ層４および上部電極５を、金属針または金属刃を用いたメカニカルスクライブ法等の機械加工で除去して、分離溝Ｐ２を形成する。これにより、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５がパターニングされる。   Next, as shown in FIG. 4D, the laser is placed at a position about 20 to 100 μm away from the portion where the separation groove P2 is provided on the upper electrode 5, for example, the end of the division groove P1 formed in the lower electrode 2. Is irradiated to form the irradiation portion 8. Next, as shown in FIG. 4E, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 together with the light absorbing layer 3 on which the irradiation unit 8 is formed are removed by machining such as a mechanical scribing method using a metal needle or a metal blade. Thus, the separation groove P2 is formed. Thereby, the light absorption layer 3, the buffer layer 4, and the upper electrode 5 are patterned.

次に、図４（ｆ）に示すように、上部電極５上および分離溝Ｐ２内に銀ペーストなどを印刷することにより、集電電極６および接続導体７を形成する。次いで、図４（ｇ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μ程度離間した位置に、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５をメカニカルスクライビング法で部分的に除去して分離溝Ｐ３を形成する。以上の工程により、複数の光電変換セル１０Ａが直列接続された光電変換装置２０Ａを製造できる。   Next, as shown in FIG. 4F, the collector electrode 6 and the connection conductor 7 are formed by printing silver paste or the like on the upper electrode 5 and in the separation groove P2. Next, as shown in FIG. 4 (g), the light absorption layer 3, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 are partially removed by a mechanical scribing method at a position separated by about 10 to 100 μm from the end of the separation groove P2. Thus, the separation groove P3 is formed. Through the above steps, a photoelectric conversion device 20A in which a plurality of photoelectric conversion cells 10A are connected in series can be manufactured.

このように、本実施形態では、下部電極２上に光吸収層３、バッファ層４および上部電極５を順次形成した後、レーザを照射して照射部８を形成している。次いで、本実施形態では、光吸収層３の照射部８、バッファ層４および上部電極５を機械加工で除去し、除去部となる分離溝Ｐ２を形成して光吸収層３をパターニングしている。これにより、本実施形態では、分離溝Ｐ２内において、接続導体７との接合面となる下部電極２上における光吸収層３の残存を低減するとともに、バッファ層４の残存も低減することができる。それゆえ、本実施形態では、下部電極２と接続導体７とを直に接合することができるため、抵抗成分をより低減することができる。すなわち、本実施形態であれば、光吸収層３および
バッファ層４の残存による抵抗成分の増大をより低減することができる。 As described above, in this embodiment, the light absorption layer 3, the buffer layer 4, and the upper electrode 5 are sequentially formed on the lower electrode 2, and then the irradiation unit 8 is formed by irradiating the laser. Next, in the present embodiment, the irradiation part 8, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 of the light absorption layer 3 are removed by machining, and the light absorption layer 3 is patterned by forming a separation groove P2 serving as a removal part. . As a result, in the present embodiment, the remaining of the light absorption layer 3 on the lower electrode 2 serving as the joint surface with the connection conductor 7 can be reduced and the remaining of the buffer layer 4 can also be reduced in the separation groove P2. . Therefore, in this embodiment, since the lower electrode 2 and the connection conductor 7 can be directly joined, the resistance component can be further reduced. That is, according to the present embodiment, an increase in resistance component due to the remaining of the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 can be further reduced.

（実施形態３）
次に、光電変換装置の製造方法の他の実施形態について図５を用いて説明する。なお、本実施形態において、光吸収層３に照射部８を形成するまでの工程は、上述した実施形態１と同様である。それゆえ、光吸収層３に照射部８を形成するまでの工程を示した図５（ａ）〜（ｃ）については説明を省略する。 (Embodiment 3)
Next, another embodiment of a method for manufacturing a photoelectric conversion device will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the process until the irradiation unit 8 is formed in the light absorption layer 3 is the same as that in the first embodiment. Therefore, description of FIG. 5A to FIG. 5C showing the steps until the irradiation unit 8 is formed in the light absorption layer 3 will be omitted.

光吸収層３に照射部８を形成する工程の後に、図５（ｄ）に示すように、光吸収層３上に溶液成長法（ＣＢＤ法）などでＣｄＳを成膜し、バッファ層４を形成する。次に、図５（ｅ）に示すように、照射部８および該照射部８上に配置されたバッファ層の一部を金属針または金属刃を用いたメカニカルスクライブ法等の機械加工で除去して、分離溝Ｐ２を形成する。これにより、光吸収層３およびバッファ層４がパターニングされる。次いで、図５（ｆ）に示すように、バッファ層４上と分離溝Ｐ２にスパッタリング法などでＩＴＯを成膜して上部電極５を形成する。   After the step of forming the irradiation part 8 in the light absorption layer 3, as shown in FIG. 5D, CdS is formed on the light absorption layer 3 by a solution growth method (CBD method), and the buffer layer 4 is formed. Form. Next, as shown in FIG. 5 (e), the irradiation unit 8 and a part of the buffer layer disposed on the irradiation unit 8 are removed by machining such as a mechanical scribing method using a metal needle or a metal blade. Thus, the separation groove P2 is formed. Thereby, the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 are patterned. Next, as shown in FIG. 5F, an upper electrode 5 is formed by depositing ITO on the buffer layer 4 and the separation groove P2 by sputtering or the like.

次に、図５（ｇ）に示すように、上部電極５上および分離溝Ｐ２内に銀ペーストなどを印刷することにより、集電電極６および接続導体７を形成する。次いで、図５（ｈ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μ程度離間した位置に、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５をメカニカルスクライビング法で部分的に除去して分離溝Ｐ３を形成する。以上の工程により、複数の光電変換セル１０Ｃが直列接続された光電変換装置２０Ｃを製造できる。   Next, as shown in FIG. 5G, the collector electrode 6 and the connection conductor 7 are formed by printing silver paste or the like on the upper electrode 5 and in the separation groove P2. Next, as shown in FIG. 5 (h), the light absorption layer 3, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 are partially removed by a mechanical scribing method at a position separated from the end of the separation groove P2 by about 10 to 100 μm. Thus, the separation groove P3 is formed. Through the above steps, a photoelectric conversion device 20C in which a plurality of photoelectric conversion cells 10C are connected in series can be manufactured.

このように、本実施形態では、光吸収層３に照射部８を形成した後に、該照射部８上を含む光吸収層３上にバッファ層４を形成している。次いで、本実施形態では、バッファ層４の照射部８上に形成された部分を照射部８とともに除去し、除去部となる分離溝Ｐ２を形成して光吸収層３およびバッファ層４をパターニングしている。これにより、本実施形態では、分離溝Ｐ２に露出する下部電極２上における光吸収層３およびバッファ層４の残存を低減させつつ、分離溝Ｐ２内に上部電極５を配置することができる。それゆえ、本実施形態では、下部電極２と上部電極５との接触面積を大きくすることができるため、光電変換セル１０Ｃ同士の接合部における抵抗成分を低減することができる。さらに、本実施形態では、光吸収層３に対して直接レーザを照射することができるため、レーザの出力を過度に大きくしなくてもよい。それゆえ、本実施形態では、レーザ照射を効率良く行なうことができる。   Thus, in this embodiment, after forming the irradiation part 8 in the light absorption layer 3, the buffer layer 4 is formed on the light absorption layer 3 including the irradiation part 8 on. Next, in the present embodiment, the portion formed on the irradiation portion 8 of the buffer layer 4 is removed together with the irradiation portion 8, and a separation groove P2 serving as a removal portion is formed to pattern the light absorption layer 3 and the buffer layer 4. ing. Thereby, in this embodiment, the upper electrode 5 can be arrange | positioned in the separation groove | channel P2, reducing the residual of the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 on the lower electrode 2 exposed to the separation groove | channel P2. Therefore, in this embodiment, since the contact area of the lower electrode 2 and the upper electrode 5 can be increased, the resistance component at the junction between the photoelectric conversion cells 10C can be reduced. Furthermore, in this embodiment, since the laser can be directly applied to the light absorption layer 3, the output of the laser need not be excessively increased. Therefore, in this embodiment, laser irradiation can be performed efficiently.

（実施形態４）
次に、光電変換装置の製造方法の他の実施形態について図６を用いて説明する。なお、本実施形態において、光吸収層３に照射部８を形成するまでの工程は、上述した実施形態１と同様である。それゆえ、光吸収層３に照射部８を形成するまでの工程を示した図６（ａ）〜（ｃ）については説明を省略する。 (Embodiment 4)
Next, another embodiment of a method for manufacturing a photoelectric conversion device will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the process until the irradiation unit 8 is formed in the light absorption layer 3 is the same as that in the first embodiment. Therefore, the description of FIGS. 6A to 6C showing the steps until the irradiation portion 8 is formed in the light absorption layer 3 will be omitted.

光吸収層３に照射部８を形成する工程の後に、図６（ｄ）に示すように、光吸収層３上に溶液成長法（ＣＢＤ法）などでＣｄＳを成膜し、バッファ層４を形成する。次いで、バッファ層４上にスパッタリング法などでＩＴＯを成膜して上部電極５を形成する。   After the step of forming the irradiation part 8 in the light absorption layer 3, as shown in FIG. 6D, CdS is formed on the light absorption layer 3 by a solution growth method (CBD method), and the buffer layer 4 is formed. Form. Next, ITO is formed on the buffer layer 4 by sputtering or the like to form the upper electrode 5.

次に、図６（ｅ）に示すように、照射部８、照射部８上のバッファ層４および該バッファ層４上の上部電極５を、金属針および金属刃を用いたメカニカルスクライブ法等の機械加工で除去して、分離溝Ｐ２を形成する。これにより、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５がパターニングされる。次いで、図６（ｆ）に示すように、上部電極５上および分離溝Ｐ２内に銀ペーストなどを印刷することにより、集電電極６および接続導体７を
形成する。次いで、図６（ｇ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μ程度離間した位置に、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５をメカニカルスクライビング法で部分的に除去して分離溝Ｐ３を形成する。以上の工程により、複数の光電変換セル１０Ｄが直列接続された光電変換装置２０Ｄを製造できる。 Next, as shown in FIG. 6 (e), the irradiation unit 8, the buffer layer 4 on the irradiation unit 8, and the upper electrode 5 on the buffer layer 4 are formed by a mechanical scribing method using a metal needle and a metal blade. The separation groove P2 is formed by removing by machining. Thereby, the light absorption layer 3, the buffer layer 4, and the upper electrode 5 are patterned. Next, as shown in FIG. 6F, the current collecting electrode 6 and the connecting conductor 7 are formed by printing silver paste or the like on the upper electrode 5 and in the separation groove P2. Next, as shown in FIG. 6 (g), the light absorbing layer 3, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 are partially removed by a mechanical scribing method at a position separated by about 10 to 100 μm from the end of the separation groove P2. Thus, the separation groove P3 is formed. Through the above steps, a photoelectric conversion device 20D in which a plurality of photoelectric conversion cells 10D are connected in series can be manufactured.

このように、本実施形態では、光吸収層３に照射部８を形成した後、バッファ層４および上部電極５を順次形成している。次いで、本実施形態では、光吸収層３の照射部８、該照射部８上のバッファ層４および該バッファ層４上の上部電極５を機械加工で除去し、除去部となる分離溝Ｐ２を形成している。この分離溝Ｐ２を形成することにより、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５がパターニングされる。これにより、本実施形態では、分離溝Ｐ２内において、接続導体７との接合面となる下部電極２上における光吸収層３の残存を低減するとともに、バッファ層４の残存も低減することができる。それゆえ、本実施形態では、下部電極２と接続導体７とを直に接合することができるため、抵抗成分をより低減することができる。さらに、本実施形態では、光吸収層３に対して直接レーザを照射することができるため、レーザの出力を過度に大きくしなくてもよい。   Thus, in this embodiment, after forming the irradiation part 8 in the light absorption layer 3, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 are formed in order. Next, in this embodiment, the irradiation part 8 of the light absorption layer 3, the buffer layer 4 on the irradiation part 8, and the upper electrode 5 on the buffer layer 4 are removed by machining, and the separation groove P2 serving as a removal part is formed. Forming. By forming the separation groove P2, the light absorption layer 3, the buffer layer 4, and the upper electrode 5 are patterned. As a result, in the present embodiment, the remaining of the light absorption layer 3 on the lower electrode 2 serving as the joint surface with the connection conductor 7 can be reduced and the remaining of the buffer layer 4 can also be reduced in the separation groove P2. . Therefore, in this embodiment, since the lower electrode 2 and the connection conductor 7 can be directly joined, the resistance component can be further reduced. Furthermore, in this embodiment, since the laser can be directly applied to the light absorption layer 3, the output of the laser need not be excessively increased.

（実施形態５）
次に、光電変換装置の製造方法の他の実施形態について図７を用いて説明する。なお、本実施形態において、光吸収層３を形成するまでの工程は、上述した実施形態１と同様である。それゆえ、下部電極２上に光吸収層３を形成するまでの工程を示した図７（ａ）、（ｂ）については説明を省略する。 (Embodiment 5)
Next, another embodiment of a method for manufacturing a photoelectric conversion device will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the steps until the light absorption layer 3 is formed are the same as those in the first embodiment. Therefore, description of FIGS. 7A and 7B showing the steps until the light absorption layer 3 is formed on the lower electrode 2 will be omitted.

光吸収層３を形成する工程の後に、図７（ｃ）に示すように、溶液成長法（ＣＢＤ法）などでＣｄＳを成膜し、バッファ層４を形成する。次に、図７（ｄ）に示すように、バッファ層４上からレーザを照射し、バッファ層４の一部を介して光吸収層の一部に照射部８を形成する。次いで、図７（ｅ）に示すように、照射部８および該照射部８上のバッファ層４を金属針および金属刃を用いたメカニカルスクライブ法等の機械加工で除去して、分離溝Ｐ２を形成する。これにより、光吸収層３およびバッファ層４がパターニングされる。   After the step of forming the light absorption layer 3, as shown in FIG. 7C, CdS is formed by a solution growth method (CBD method) or the like to form the buffer layer 4. Next, as shown in FIG. 7D, a laser is irradiated from above the buffer layer 4 to form an irradiation portion 8 in a part of the light absorption layer through a part of the buffer layer 4. Next, as shown in FIG. 7 (e), the irradiation portion 8 and the buffer layer 4 on the irradiation portion 8 are removed by machining such as a mechanical scribing method using a metal needle and a metal blade, so that the separation groove P2 is formed. Form. Thereby, the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 are patterned.

次に、図７（ｆ）に示すように、バッファ層４上と分離溝Ｐ２にスパッタリング法などでＩＴＯを成膜して上部電極５を形成する。次いで、図７（ｇ）に示すように、上部電極５上および分離溝Ｐ２内に銀ペーストなどを印刷することにより、集電電極６および接続導体７を形成する。   Next, as shown in FIG. 7F, an upper electrode 5 is formed by depositing ITO on the buffer layer 4 and the separation groove P2 by sputtering or the like. Next, as shown in FIG. 7G, the current collecting electrode 6 and the connecting conductor 7 are formed by printing silver paste or the like on the upper electrode 5 and in the separation groove P2.

次に、図７（ｈ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μ程度離間した位置に、光吸収層３、バッファ層４および上部電極５をメカニカルスクライビング法で部分的に除去して分離溝Ｐ３を形成する。以上の工程により、複数の光電変換セル１０Ｅが直列接続された光電変換装置２０Ｅを製造できる。   Next, as shown in FIG. 7 (h), the light absorption layer 3, the buffer layer 4 and the upper electrode 5 are partially removed by a mechanical scribing method at a position separated from the end of the separation groove P2 by about 10 to 100 μm. Thus, the separation groove P3 is formed. Through the above steps, a photoelectric conversion device 20E in which a plurality of photoelectric conversion cells 10E are connected in series can be manufactured.

このように、本実施形態では、光吸収層３上にバッファ層４を形成した後、バッファ層の一部を介して光吸収層３の一部に照射部８を形成している。次いで、本実施形態では、バッファ層４の一部とともに照射部８を除去して除去部となる分離溝Ｐ２を形成した後、バッファ層４上および分離溝Ｐ２上に上部電極５を形成している。これにより、本実施形態では、分離溝Ｐ２に露出する下部電極２上における光吸収層３およびバッファ層４の残存を低減させつつ、分離溝Ｐ２内に上部電極５を配置することができる。それゆえ、本実施形態では、下部電極２と上部電極５との接触面積を大きくすることができるため、光電変換セル１０Ｅ同士の接合部における抵抗成分を低減することができる。   Thus, in this embodiment, after forming the buffer layer 4 on the light absorption layer 3, the irradiation part 8 is formed in a part of the light absorption layer 3 through a part of buffer layer. Next, in this embodiment, after removing the irradiation part 8 together with a part of the buffer layer 4 to form the separation groove P2 to be a removal part, the upper electrode 5 is formed on the buffer layer 4 and the separation groove P2. Yes. Thereby, in this embodiment, the upper electrode 5 can be arrange | positioned in the separation groove | channel P2, reducing the residual of the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 on the lower electrode 2 exposed to the separation groove | channel P2. Therefore, in this embodiment, since the contact area between the lower electrode 2 and the upper electrode 5 can be increased, the resistance component at the junction between the photoelectric conversion cells 10E can be reduced.

なお、上述の実施形態１乃至実施形態５においては、光吸収層３に照射部８を形成する
工程において、レーザを走査して、照射部８下に位置する下部電極２の表面に、レーザの照射によって走査方向に沿った凹部２ａを形成してもよい。この下部電極２の凹部２ａについて図８を用いて説明する。図８（ａ）は、光電変換装置２０Ａの製造工程において、光吸収層３に照射部８を形成した図３（ｃ）における下部電極２および照射部８近傍を部分的に拡大したものである。図８（ｂ）は、図８（ａ）の基板１をＸＹ平面で平面透視したものである。そのため、図８（ｂ）では、図８（ａ）に描かれている照射部８が省略されている。これにより、本実施形態では、下部電極の凹部２ａにより、分離溝Ｐ２内に位置する接続導体７と下部電極２との接触面積を増加させることができる。それゆえ、本実施形態では、下部電極２と接続導体７との接合強度を向上させることができるため、光電変換装置２０Ａの信頼性を高めることができる。 In the first to fifth embodiments described above, in the step of forming the irradiation part 8 in the light absorption layer 3, the laser is scanned, and the surface of the lower electrode 2 located under the irradiation part 8 is scanned with the laser. You may form the recessed part 2a along a scanning direction by irradiation. The recess 2a of the lower electrode 2 will be described with reference to FIG. FIG. 8A is a partially enlarged view of the vicinity of the lower electrode 2 and the irradiation unit 8 in FIG. 3C in which the irradiation unit 8 is formed in the light absorption layer 3 in the manufacturing process of the photoelectric conversion device 20A. . FIG. 8B is a plan view of the substrate 1 of FIG. 8A in the XY plane. Therefore, in FIG.8 (b), the irradiation part 8 drawn by Fig.8 (a) is abbreviate | omitted. Thereby, in this embodiment, the contact area of the connection conductor 7 located in the separation groove P2 and the lower electrode 2 can be increased by the recess 2a of the lower electrode. Therefore, in this embodiment, since the joining strength between the lower electrode 2 and the connection conductor 7 can be improved, the reliability of the photoelectric conversion device 20A can be increased.

このような凹部２ａは、例えば、実施形態１乃至実施形態５において照射部８を形成する際のレーザの出力よりも高い出力でレーザを照射すればよい。また、この凹部２ａは、実施形態１乃至実施形態５において照射部８を形成する際のレーザの走査速度よりも遅い速度でレーザを走査し、照射時間を長くしても形成できる。また、上記では、下部電極２の凹部２ａを光電変換装置２０Ａに設けた例で説明したが、他の実施形態に係る光電変換装置の下部電極２に凹部２ａを形成してもよい。   Such a recess 2 a may be irradiated with a laser with an output higher than the output of the laser when the irradiation unit 8 is formed in the first to fifth embodiments, for example. In addition, the concave portion 2a can be formed even if the laser is scanned at a speed slower than the laser scanning speed when forming the irradiation portion 8 in the first to fifth embodiments, and the irradiation time is lengthened. In the above description, the recess 2a of the lower electrode 2 is provided in the photoelectric conversion device 20A. However, the recess 2a may be formed in the lower electrode 2 of the photoelectric conversion device according to another embodiment.

なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１：基板
２：下部電極
２ａ：凹部
３：光吸収層
４：バッファ層
５：上部電極
６：集電電極
７：接続導体
８：照射部
１０、１０ａ、１０ｂ、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ：光電変換セル
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ：光電変換装置
Ｐ１、Ｐ３：分離溝
Ｐ２：分離溝（除去部） 1: Substrate 2: Lower electrode 2a: Recessed portion 3: Light absorption layer 4: Buffer layer 5: Upper electrode 6: Current collecting electrode 7: Connection conductor 8: Irradiation part 10, 10a, 10b, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E: photoelectric conversion cells 20, 20A, 20B, 20C, 20D, 20E: photoelectric conversion device P1, P3: separation groove P2: separation groove (removal part)

Claims (6)

基板上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に化合物半導体を含む光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の一部に、レーザを照射してなる照射部を形成する工程と、
前記照射部を機械加工で除去して除去部を形成し、前記光吸収層をパターニングする工程とを備えた光電変換装置の製造方法。 Forming a lower electrode on the substrate;
Forming a light absorption layer containing a compound semiconductor on the lower electrode;
Forming an irradiation portion formed by irradiating a laser on a part of the light absorption layer;
A process for removing the irradiation part by machining to form a removal part, and patterning the light absorption layer. 前記照射部を形成する工程の前に、
前記光吸収層上にバッファ層および上部電極を順次形成する工程をさらに有し、
前記光吸収層をパターニングする工程は、前記除去部を形成して前記光吸収層とともに前記バッファ層および前記上部電極をパターニングする工程であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。 Before the step of forming the irradiation part,
A step of sequentially forming a buffer layer and an upper electrode on the light absorption layer;
2. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the step of patterning the light absorption layer is a step of forming the removal portion and patterning the buffer layer and the upper electrode together with the light absorption layer. Production method. 前記照射部を形成する工程の後に、
前記光吸収層上および前記照射部上にバッファ層を形成する工程をさらに有し、
前記光吸収層をパターニングする工程は、前記バッファ層の前記照射部上に形成された部分を前記照射部とともに除去して前記除去部を形成し、前記光吸収層とともに前記バッファ層をパターニングする工程であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。 After the step of forming the irradiation part,
Further comprising a step of forming a buffer layer on the light absorption layer and on the irradiation part,
The step of patterning the light absorption layer is a step of removing the portion formed on the irradiation portion of the buffer layer together with the irradiation portion to form the removal portion, and patterning the buffer layer together with the light absorption layer. The method for manufacturing a photoelectric conversion device according to claim 1, wherein: 前記光吸収層上および前記照射部上にバッファ層を形成する工程の後に、
前記バッファ層上に上部電極を形成する工程をさらに有し、
前記バッファ層をパターニングする工程は、前記バッファ層および前記上部電極の前記照射部上に形成された部分を前記照射部とともに除去して、前記光吸収層とともに前記バッファ層および前記上部電極をパターニングする工程であることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置の製造方法。 After the step of forming a buffer layer on the light absorption layer and on the irradiation part,
Forming an upper electrode on the buffer layer;
The step of patterning the buffer layer includes removing the portions of the buffer layer and the upper electrode formed on the irradiated portion together with the irradiated portion, and patterning the buffer layer and the upper electrode together with the light absorbing layer. It is a process, The manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記照射部を形成する工程の前に、
前記光吸収層上にバッファ層を形成する工程をさらに有し、
前記照射部を形成する工程は、前記バッファ層の一部とともに前記光吸収層の一部にレーザを照射してなる前記照射部を形成する工程を含み、
前記光吸収層をパターニングする工程は、前記バッファ層の一部とともに前記照射部を除去して前記除去部を形成し、前記光吸収層とともに前記バッファ層をパターニングする工程であり、
前記バッファ層をパターニングする工程の後に、前記バッファ層上および前記除去部に上部電極を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。 Before the step of forming the irradiation part,
Further comprising forming a buffer layer on the light absorbing layer;
The step of forming the irradiation part includes the step of forming the irradiation part formed by irradiating a part of the light absorption layer together with a part of the buffer layer,
The step of patterning the light absorption layer is a step of removing the irradiation portion together with a part of the buffer layer to form the removal portion, and patterning the buffer layer together with the light absorption layer,
The method for manufacturing a photoelectric conversion device according to claim 1, further comprising a step of forming an upper electrode on the buffer layer and on the removal portion after the step of patterning the buffer layer. 前記照射部を形成する工程において、
前記レーザを走査して、前記照射部下に位置する前記下部電極の表面に、前記レーザの照射によって走査方向に沿った凹部を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
In the step of forming the irradiation part,
The laser beam is scanned to form a recess along the scanning direction by irradiation of the laser on the surface of the lower electrode located under the irradiation unit. The manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of description.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3767686A1 (en) * 2019-07-18 2021-01-20 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method of manufacturing a thin-film photovoltaic product
WO2021010837A1 (en) * 2019-07-18 2021-01-21 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method of manufacturing a thin-film photovoltaic product
CN114127958A (en) * 2019-07-18 2022-03-01 荷兰应用自然科学研究组织Tno Method of manufacturing thin film photovoltaic products
US11749765B2 (en) 2019-07-18 2023-09-05 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method of manufacturing a thin-film photovoltaic product

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