JP2012168009A - 放射線画像検出装置及びその製造方法 - Google Patents
放射線画像検出装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012168009A JP2012168009A JP2011028972A JP2011028972A JP2012168009A JP 2012168009 A JP2012168009 A JP 2012168009A JP 2011028972 A JP2011028972 A JP 2011028972A JP 2011028972 A JP2011028972 A JP 2011028972A JP 2012168009 A JP2012168009 A JP 2012168009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image detection
- scintillators
- photodetector
- scintillator
- detection apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 109
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 29
- -1 thallium activated cesium iodide Chemical class 0.000 description 27
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 19
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 18
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 5
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000004872 soft tissue Anatomy 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 3
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002749 Bacterial cellulose Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 150000001601 aromatic carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005016 bacterial cellulose Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000001054 cortical effect Effects 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 2h-acridin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(=O)CC=CC3=NC2=C1 IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 2h-triazolo[4,5-c]pyridazine Chemical compound N1=NC=CC2=C1N=NN2 CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 5H-dibenzo[b,f]azepine Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2NC2=CC=CC=C21 LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000660 7-membered heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000002837 Acetobacter xylinum Nutrition 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241001136169 Komagataeibacter xylinus Species 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004646 arylidenes Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 210000001724 microfibril Anatomy 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- WKMKTIVRRLOHAJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);thallium(1+) Chemical compound [O-2].[Tl+].[Tl+] WKMKTIVRRLOHAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910003438 thallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L thallium sulfate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]S([O-])(=O)=O YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940119523 thallium sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000374 thallium(I) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- DASUJKKKKGHFBF-UHFFFAOYSA-L thallium(i) carbonate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]C([O-])=O DASUJKKKKGHFBF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O triazolopyrimidine Chemical compound BrC1=CC=CC(C=2N=C3N=CN[N+]3=C(NCC=3C=CN=CC=3)C=2)=C1 YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 210000001835 viscera Anatomy 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/242—Stacked detectors, e.g. for depth information
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20185—Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20187—Position of the scintillator with respect to the photodiode, e.g. photodiode surrounding the crystal, the crystal surrounding the photodiode, shape or size of the scintillator
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
- G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
【解決手段】X線画像検出装置1は、照射されたX線を光に変換する2つのシンチレータ10,20と、2つのシンチレータ10,20の間に配置され、2つのシンチレータ10,20により変換された光を電気信号として検出する光検出器40とを備え、2つのシンチレータ10,20のうち少なくともX線の入射側に配置されたシンチレータの光検出器40近傍における付活剤濃度DHが、当該シンチレータ内の光検出器40側とは反対側での付活剤濃度DLよりも相対的に高い。
【選択図】図7
Description
また、特許文献2では、蛍光物質の母体に付活剤を添加することで発光量を高めている。特許文献2には、光検出器とシンチレータとを有し、シンチレータに光検出器とは反対側からX線が入射するX線画像検出装置において、シンチレータのX線入射側の領域における付活剤濃度を高くすることが記載されている。
付活剤濃度増大により、主発光領域でかつ光検出器に近い部分の結晶性が乱れ、これによってMTFが悪化してしまう。特に、シンチレータの蒸着初期の領域で付活剤濃度を高くすると、シンチレータの結晶成長への悪影響が大きく、結晶性が乱れて柱状結晶間で光が拡散するため、MTFが悪化してしまう。
照射された放射線を光に変換する2つのシンチレータと、
前記2つのシンチレータの間に配置され、前記2つのシンチレータにより変換された光を電気信号として検出する光検出器とを備えた放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータのうち少なくとも放射線の入射側に配置されたシンチレータの前記光検出器近傍における付活剤濃度が、当該シンチレータ内の前記光検出器側とは反対側での付活剤濃度よりも相対的に高い。
照射された放射線を光に変換する2つのシンチレータと、
前記2つのシンチレータの間に配置され、前記2つのシンチレータにより変換された光を電気信号として検出する光検出器とを備えた放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータのうち少なくとも一方の前記光検出器近傍における付活剤濃度が、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化する。
基板上に、前記光検出器を形成する工程と、
前記光検出器から前記基板を剥離する工程と、を備える。
なお、既に述べた構成と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略又は簡略化する。
図1は、間接変換方式のX線画像検出装置1の概略構成を模式的に示す側断面図である。X線画像検出装置1は、照射されたX線(図1の白抜き矢印)を光に変換する第1シンチレータ10及び第2シンチレータ20と、これらの第1、第2シンチレータ10,20によって変換された光を電気信号として検出する光検出器としてのセンサ部40と、第1、第2シンチレータ10,20を被覆する保護膜30と、第2シンチレータ20のX線入射側とは反対側に設けられる図示しない制御モジュールとを備えている。
図1に示した例では、X線入射面11Aから遠い第2シンチレータ20の厚みを第1シンチレータ10の厚みよりも大きくすることによって第2シンチレータ20の発光量増大を図っているが、第1、第2シンチレータの厚みは適宜決めることができる。
図2は、センサ部40の構成を模式的に示す側断面図である。図3は、二次元配列された素子を示す平面図である。
センサ部40は、a−Si等で形成されたPD(Photodiode)41と、a−Si等で形成された薄膜スイッチング素子であるTFT(Thin Film Transistor)42とを備えている。
TFT42は、PD41と平面的に隣接する位置に、PD41と同一面上あるいは略同一面上に配置されている。TFT42の厚み方向両側には、光を反射する反射層42A,42Aが設けられている。反射層42Aが設けられていることにより、TFT42のスイッチングノイズの発生を抑制できる。
各PD41には、図3に示すように、TFT42、ゲート線43、及びデータ線44がそれぞれ設けられている。各ゲート線43及び各データ線44は、接続端子45まで延設され、この接続端子45に接続された異方性導電膜等のフレキシブル配線46を介して制御モジュールの回路基板に接続されている。その回路基板に実装された制御部からゲート線43を通じて送られる制御信号により、各TFT42のオンオフが行単位で切り替えられ、TFT42がオン状態にあるPD41の電荷が、データ線44を介して回路基板の信号処理部に画像信号として読み出される。PD41の電荷が行単位で順に読み出されることにより、二次元画像が検出される。
センサ部40を基板から剥離する方法については、特開2000-133809号公報、特開2003-66858号公報、特開2003-45890号公報などの記載が参考となる。
ここで、基板を剥離する以外に、化学的溶解法又は研磨法によって基板を薄くする、あるいは除去することによっても、基板剥離と同様の効果が得られる。
平坦化層を形成する樹脂としては、ポリイミドやパリレン等を使用することができ、製膜性が良好なポリイミドが好ましい。
接着層を形成する接着剤としてはシンチレータ10,20から発せられるシンチレーション光に対して光学的に透明なものが好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、UV硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、両面接着シート、などが挙げられるが、画像の鮮鋭度を低下させないという観点からは、センサ部40の画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成しうるという点で、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。
また、平坦化層、接着層等の樹脂層の厚みは、感度、画質の観点からは50μm以下であることが好ましく、5μm〜30μmの範囲であることがより好ましい。
〔3−1.支持体〕
支持体11は、X線の透過率が高くかつ光を反射するAl等の材料で板状に形成されている。支持体11としては、Al製の板に限らず、カーボン板、CFRP(carbon fiber reinforced plastic)、ガラス板、石英基板、サファイア基板などから適宜選ぶことができ、支持体表面にシンチレータを形成させうる限りにおいて特にこれらに限定されない。ただし、支持体11が光の反射部材を兼ねる場合には、Alなどの軽金属を支持体の材料として用いるとよい。
支持体21も支持体11と同様の材料で形成することができる。支持体21は、X線が照射される支持体11側とは反対側に配置されるため、X線透過率が低い材料で形成されていてもよい。
第1、第2シンチレータ10,20は、CsIを母体に付活剤としてTlを添加することによって形成されている。Tl付活により、発光量を高めることができる。
本例の第1、第2シンチレータ10,20は、蛍光物質を柱状に成長させた柱状結晶の群で形成されており、CsI:Tl(タリウム付活ヨウ化セシウム)を材料に用いて形成されている。その他、第1、第2シンチレータ10,20の材料にNaI:Tl(タリウム付活ヨウ化ナトリウム)、CsI:Na(ナトリウム付活ヨウ化セシウム)等を用いることも可能である。発光スペクトルがa−Siフォトダイオードの分光感度の極大値(550nm付近)と適合する点で、CsI:Tlを材料に用いることが好ましい。
なお、第1、第2シンチレータ10,20は柱状結晶を含んでいなくてもよく、例えばGOS(Gd2O2S:Tb(テルビウム付活酸硫化ガドリニウム))を支持体に塗布することなどによって形成されていてもよい。
上述のように、センサ部40が基板から剥離されたものであることと、PD41及びTFT42が平面的に隣接するように配置されていることにより、第1、第2シンチレータ10,20間は極めて近接している。第1、第2シンチレータ10,20の互いに対向する表面間の距離は、40μm以下であることが好ましく、より好ましくは30μm以下である。このように第1、第2シンチレータ10,20間の距離を短くすることで、MTFを良化させることができる。
図4は、第1シンチレータ10の結晶構造を模式的に示す側断面図である。シンチレータ10は、柱状結晶12Aの群で形成された柱状部12と、柱状結晶12Aの基端に形成された非柱状結晶13Aを含む非柱状部13とを有する。なお、非柱状部13は、後述するように光の反射特性を有するとともに、支持体11への密着性向上、柱状結晶12Aの結晶性向上に寄与するが、この非柱状部13は形成されていなくてもよい。非柱状部13がなくても、Al製などの支持体11によってセンサ部40に向けて光を反射させることが可能である。
柱状部12は、多数の柱状結晶12Aの集合体であり、図4に示した例では、各柱状結晶12Aは支持体11に対してほぼ垂直に起立する。本例の柱状結晶12Aは、先端側がすぼまった形状とされている。柱状結晶12Aの先端部は研磨されていてもよい。センサ部40の1つの画素(PD41)に対して、複数の柱状結晶12Aの先端部が対向する。
非柱状部13は、図4に示すように、略球形あるいは不定形の非柱状結晶13Aを含んで構成されている。なお、非柱状部13は、アモルファス(非晶質)の部分を含むことがある。
非柱状結晶13Aの形状は、結晶間に空隙が維持され易く、反射効率を高くできる観点から、略球状であることが好ましい。すなわち、非柱状部13は、球状に近い結晶(略球状結晶である非柱状結晶13A)の集合体で構成されることが好ましい。
また、非柱状部13の厚みは、支持体11との密着性と光の反射機能とが得られる最小の厚みで足りる。
ここで、非柱状結晶13Aの径が小さい方が略球形の結晶形状が維持され易いので好ましいが、非柱状結晶13Aの径が小さすぎると空隙率が0に近づき、非柱状部13が光の反射層としての役目を有しなくなるので、非柱状結晶13Aの径は0.5μm以上であることが好ましい。また、径が大きすぎると、非柱状部13の平坦性及び表面積が低下し、支持体11との密着性が低下するとともに、結晶同士が結合して空隙率が低下し反射効果が減少するので、非柱状部13の結晶径は7.0μm以下であることが好ましい。
また、結晶性が良い柱状部12で発光し、センサ部40とは反対側に進行した光を非柱状部13によって反射し、センサ部40に入射させることが可能となるので、センサ部への入射光量が増加し、利用可能な発光量を高めることが可能となる。非柱状結晶13Aの径、厚み、空隙率などは、光の反射特性、支持体11との密着性などを考慮して決められる。
第2シンチレータ20において非柱状部を設けることにより、支持体21と第2シンチレータ20との密着性が向上するので、制御モジュールからの熱の伝搬に際しても第2シンチレータ20が支持体から剥離しにくくできる。
上述のシンチレータ10,20は、支持体11表面に気相堆積法により形成されることが好ましい。ここでは、CsI:Tlを用いた態様を例に挙げて説明する。
気相堆積法の概要としては、真空度0.01〜10Paの環境下、母体であるCsIと付活剤であるTlとをそれぞれ抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、支持体11の温度を室温(20℃)〜300℃としてCsI:Tlを支持体上に堆積させる。
また、真空度や支持体温度、蒸着レート等を変更することによって、シンチレータ20の結晶の形状や結晶径、空隙率などを制御することができる。
また、各シンチレータとセンサ部40との貼り合わせ方法には特に制限はなく、両者が光学的に結合されればよい。両者を貼り合わせる方法としては、両者を直接対向させて密着させる方法と、樹脂層を介して密着させる方法とのいずれをとってもよい。
図7(B)は、第1、第2シンチレータ10,20の付活剤濃度の分布を示す。第1、第2シンチレータ10,20の付活剤濃度分布は、X線入射側から、低濃度DL、高濃度DH、低濃度DLの順に変化する。
図7(B)に示した破線は、センサ部40を示す。センサ部40の両側の第1、第2シンチレータ10,20はそれぞれ、センサ部40近傍に、付活剤濃度が当該シンチレータ内のセンサ部40側とは反対側での付活剤濃度よりも相対的に高い高付活剤濃度領域R1,R2を有する。図7の例では、高付活剤濃度領域が第1、第2シンチレータ10,20のそれぞれに設けられているが、少なくともX線入射側に配置された第1シンチレータ10において高付活剤濃度領域R1が設けられていればよい。X線入射側に配置された第1シンチレータ10の方が、第2シンチレータ20よりもX線吸収量が大であり発光量が高いため、第1シンチレータ10の付活剤濃度を高くすることが重要である。なお、高付活剤濃度領域R1,R2の厚みは適宜決められる。
また、センサ部40近傍の付活剤濃度が高い限り、付活剤濃度の具体的分布は限定されず、図7(B)の第1シンチレータ10の付活剤濃度分布において、付活剤濃度が勾配を持たずに不連続に変化していてもよい。あるいは、付活剤濃度が段階的にあるいは直線的な勾配を有して結晶高さ方向において変化していてもよい。この場合でも、例えば、付活剤濃度半値DMよりも付活剤濃度が高い領域を高付活剤濃度領域として把握できる。
以上説明したX線画像検出装置1によれば、次のような作用及び効果が得られる。
センサ部40を挟んで両側に配置された第1、第2シンチレータ10,20において、センサ部40近傍の付活剤濃度を高くしたことにより(高付活剤濃度領域R1,R2)、X線入射面11Aから離れた側にある第2シンチレータ20のセンサ部40近接部分の発光量の増加及び発光の拡がり抑制とが実現する。このため、X線入射側でかつセンサ部40側からシンチレータにX線が照射される構成においてシンチレータのX線入射側の主発光領域における付活剤濃度を高くすること(図14)に対して、発光量を更に高めることが可能となる。これにより、センサ部40に入射する利用可能な発光量が増加するので、検出感度を向上させることができる。加えて、X線入射面11Aから遠い第2シンチレータ20における発光分布の急峻度が向上することから、図14の場合に比較してMTFを更に良化させることができる。これにより、検出画像の鮮鋭度を向上させることができる。
仮に、支持体11,21側での付活剤濃度が高ければ、蒸着初期の結晶性の乱れが、その後に成長する高付活剤濃度領域R1,R2の結晶性に深刻な影響を与える。結晶性が乱れた部分では光の拡散、吸収が生じ、これがMTFの悪化に繋がってしまう。これに対し、本構成では、支持体11,21側の付活剤濃度が低く、柱状結晶12A先端側(高付活剤濃度領域R1,R2)の付活剤濃度が高い。そのため、結晶性を維持して結晶成長させることができるので、柱状結晶12Aの高さ方向のほぼ全体において光ガイド効果を維持できる。これによってMTFの悪化を抑制できる。
以下、図1に示したX線画像検出装置1とは異なる構成のX線画像検出装置2〜4(図8、図10、及び図11)について説明する。これらX線画像検出装置2〜4は、前述したX線画像検出装置1の詳細構成と同様の構成を具備することが可能であって、これにより、X線画像検出装置1について述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。また、X線画像検出装置2〜4には、後述する各種のセンサ部や各種デバイス材料を採用することが可能である。
X線画像検出装置2の第2シンチレータ25は、蒸着基板としての支持体21(図1)には蒸着されておらず、センサ部40に蒸着されている。すなわち、センサ部40が基板から剥離される前に、センサ部40上に柱状結晶12Aを成長させることにより、第2シンチレータ25が形成されている。
なお、第2シンチレータ25においてセンサ部40と柱状部12との間に、前述した非柱状部13(図4)が形成されていてもよい。
図9は、図8のX線画像検出装置2において図7よりも好ましい付活剤濃度分布を示す。図9に示すように、第2シンチレータ25は、センサ部40近傍に、付活剤濃度が繰り返しパルス状に増減するパルス状付活領域RPを有する。パルス状付活領域RPでは、付活剤濃度が高濃度DH、低濃度DLに1回以上繰り返し変化している。パルス状付活領域RPにおいてセンサ部40に最も近接する位置の付活剤濃度は、低濃度DLであることが好ましい。
繰り返しパルスは、図8に示した態様以外に、パルスの高低値のうち少なくとも一方が漸減、漸増するものであってよい。あるいは、三角波、鋸波状等の波形であってもよい。
なお、シンチレータの端部(ここでは柱状結晶12Aの先端部)において付活剤濃度を低くする部分の厚みは、上述した貼り合わせ時や外部から荷重を受けた際の負荷に応じた強度を確保でき、かつ耐吸湿性を保持できる程度の厚みで薄く形成されていることが好ましい。付活剤濃度を低くする部分の厚みは、50μm以下が好ましい。このように厚みが薄ければ、当該部分における光の減衰及び散乱等を無視しうる。また、当該部分の厚みが5μm以上であることが強度を確保する上で好ましい。
また、図1、図8のそれぞれのX線画像検出装置1,2を比べると、センサ部40に近い主発光領域での発光量を如何に大きくするという観点からは、図1のように結晶性の良い柱状結晶12A先端部がセンサ部40に対向する構成が有利である。特に図1のように、X線入射面11Aから遠い第2シンチレータ20におけるセンサ部40近傍の位置が、柱状結晶12A先端部となるように、支持体11に第2シンチレータ20を形成する構成とした方が、X線入射面11Aから遠いことによるX線入射量の不足を補えるので、光変換の性能上(発光量増大を図る意味で)好ましい。
図10のX線画像検出装置3についても、図7の付活剤濃度分布を適用できるが、図7の高付活剤濃度領域R1に換えて、図9のパルス状付活領域RPのようにパルス状に付活剤濃度が変化する領域を第1シンチレータ15のセンサ部40近傍に設けることが好ましい。
図10のX線画像検出装置3についての構成、及びその製造方法は、図8のX線画像検出装置2の説明において、第1シンチレータと第2シンチレータとを入れ替えることによって説明できる。
また、図8、図10のそれぞれのX線画像検出装置2,3を比べると、図10では第1シンチレータ10が直接蒸着であって、第1シンチレータ10におけるセンサ部40近傍の付活剤濃度の高い部分の結晶性が悪いのに対し、図8では第1シンチレータ10の結晶性の良い柱状結晶先端部における付活剤濃度が高いため、MTFを良化できるという点で図10の構成が有利である。
図12は、図2に示したセンサ部40に置換可能な他のセンサ部45を示す。センサ部45は、1つの画素について1つのTFT452と、TFT452を挟んで厚み方向両側に配置された2つのPD451,451とを備え、これらPD451とTFT452とが積層されて構成されている。このようにPD451とTFT452とが積層されているため、センサ部45を挟んで両側に配置される第1、第2シンチレータ間の距離を短くできる。これら第1、第2シンチレータ10,20間の距離は、前述したように40μm以下である。
また、PD451,451はそれぞれ、TFT451側に光反射層451Aを有しており、これによってTFT451のスイッチングノイズを低減できる。
光電変換素子461及びTFT462に用いられる有機材料によるX線吸収が殆どないため、光電変換素子461及びTFT462を透過して第2シンチレータに到達するX線量を多くできる。ここで、シンチレータに緑光を発光するCsI:Tlが用いられかつ、光電変換素子461のOPCがキナクリドンであって、TFTの透明有機材料が例えば特開2009−212389号公報に記載されている化学式1のフタロシアニン化合物や化学式2のナフタロシアニン化合物などである場合には、図13のように光反射層を設けなくてもTFTのスイッチングノイズが生じ難い。光反射層を設けない場合には、第1シンチレータ側に配置された光電変換素子461から第2シンチレータ側へ光が漏れる場合があるが、漏れた光の殆どは、同一画素に対応する第2シンチレータ側の光電変換素子461に入射するので問題ない。
ところで、2つのシンチレータを用いてエネルギーサブトラクション撮影用パネルを構成することも可能である。この場合には、第1、第2のシンチレータは、放射線Xに対する感度(K吸収端及び発光波長)が互いに異なる蛍光材料で構成されている。具体的には、第1シンチレータは、被写体を透過した放射線のうち低エネルギーの放射線が現す軟部組織の低圧画像を撮影するため、放射線吸収率μが高エネルギー部分にK吸収端を持たない、すなわち高エネルギー部分で吸収率μが不連続的に増加することのない蛍光材料で構成されている。また、第2シンチレータは、被写体を透過した放射線のうち高エネルギーの放射線が現す硬部組織の高圧画像を撮影するため、高エネルギー部分の放射線吸収率μが第1シンチレータに用いる蛍光材料よりも高くなっている蛍光材料で構成されている。
なお、「軟部組織」とは、筋肉、内臓等を含み、皮質骨及び/又は海綿骨等の骨組織以外の組織を意味する。また、「硬部組織」とは、硬組織とも呼ばれ、皮質骨及び/又は海綿骨等の骨組織を意味する。
ただし、高画質が得られるという観点から、上述の中でも柱状構造となる母体材料がCsIやCsBrを選択することが好ましい。特に、低圧画像は軟部組織の微細な部分を十分に表現できるような高画質が求められるため、第1シンチレータが柱状構造となる蛍光材料で構成することがより好ましい。具体的に、第1シンチレータを柱状構造とすると、第1シンチレータで変換された光は柱状構造の中を当該柱状構造の境界で反射しつつ進むことができ、光散乱が少なくなる。したがって、PD41の光の受光量が多くなり、もって高画質の低圧画像を得ることができるようになる。
d)S:Ag、CaWO4:Pb、La2OBr:Tb、ZnS:Ag、CsI:Na以外の、ブロードでないシャープ(発光波長の狭い)な波長の光を発光するものが好ましい。このようなシャープな波長の光を発光する蛍光材料としては、例えば緑発光のGd2O2S:Tb、La2O2S:Tb、青発光のBaFX:Eu(ただし、Xは、Br、Cl等のハロゲン元素)が挙げられる。この中でも、特に、第1、第2シンチレータに用いる蛍光材料の組み合わせは、青発光のBaFX:Euと緑発光のGd2O2S:Tbの組み合わせが好ましい。
〔8−1.有機光電変換(OPC;Organic photoelectric conversion)材料〕
上述したPD41(図2)に、例えば特開2009−32854号公報に記載されたOPC(有機光電変換)材料を用いることができる。このOPC材料により形成された膜(以下、OPC膜という)をPD41の光導電層として使用できる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、シンチレータから発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータによる発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009−32854号公報の記載が参考となる。
上述したTFTTFT42には、無機材料が使われることが多いが、例えば特開2009−212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタ(FET)構造である。このFET構造は、最下層に基板を配置し、その上面の一部にゲート電極を設け、更に該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。更に絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部にソース電極とドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。
半導体活性層は、p型有機半導体材料を用いてなる。このp型有機半導体材料は実質的に無色透明である。有機半導体薄膜の膜厚は、例えば触針式膜厚計により測定できる。膜厚の異なる薄膜を複数作製して吸収スペクトルを測定し、検量線から膜厚30nmあたりの最大吸光度に換算してもよい。
以下に、有機薄膜トランジスタにおける半導体活性層以外の素子構成材料について説明する。これらの各材料は、いずれも可視光又は赤外光の透過率が60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることが更に好ましい。
上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009−212389号公報の記載が参考となる。
上述したTFTTFT42には、例えば特開2010−186860号公報に記載された非晶質酸化物を使用することができる。ここで、特開2010−186860号に記載された電界効果型トランジスタが有する非晶質酸化物含有の活性層について示す。この活性層は、電子又はホールの移動する電界効果型トランジスタのチャネル層として機能する。
活性層に用いられる非晶質酸化物半導体としては、好ましくはIn、Sn、Zn、又はCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、In、Sn、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物、更に好ましくは、In、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物である。
上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010−186860号公報の記載が参考となる。
フレキシブルでかつ低熱膨張、高強度といった、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバー等を放射線画像検出装置に用いることも考えられる。
(1)アラミド
上述した支持体11や、制御モジュールの回路基板などとして、フレキシブル材料であるアラミドによって形成されたフィルム(あるいはシート、基板)を使用することができる。アラミド材料は、ガラス転移温度315℃という高い耐熱性、ヤング率が10GPaという高い剛性、熱膨張率が−3〜5ppm/℃という高い寸法安定性を有する。このため、アラミド製のフィルムを用いると、一般的な樹脂フィルムを用いる場合と比べて、半導体層やシンチレータの高品質の成膜が容易に行える。また、アラミド材料の高耐熱性により、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化できる。更に、ハンダのリフロー工程を含むICの自動実装にも対応できる。また更に、ITO(indium tin oxide)やガス・バリア膜、ガラス基板と熱膨張係数が近いために、製造後の反りが少ない。そして,割れにくい。ここで、ハロゲンを含まないハロゲンフリー(JPCA−ES01−2003の規定に適合)なアラミド材料を用いることが環境負荷低減の点で好ましい。
アラミドフィルムは、ガラス基板やPET基板と積層されてもよいし、デバイスの筐体に貼り付けられてもよい。
光の波長に対して十分に小さなコンポーネントは光散乱を生じないことから、ナノファイバーによって補強されたフレキシブルなプラスチック材料などを上述した支持体11や、制御モジュールの回路基板などに好適に使用することができる。ナノファイバーの中でも、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束が幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有するバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料(バイオナノファイバーということがある)を好適に使用できる。
上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008−34556号公報の記載が参考となる。
また、X線画像検出装置1は、医療用のX線撮影装置のほか、例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線(α線、β線、γ線)の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。
以上、説明したように、本明細書には、
照射された放射線を光に変換する2つのシンチレータと、
前記2つのシンチレータの間に配置され、前記2つのシンチレータにより変換された光を電気信号として検出する光検出器とを備えた放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータのうち少なくとも放射線の入射側に配置されたシンチレータの前記光検出器近傍における付活剤濃度が、当該シンチレータ内の前記光検出器側とは反対側での付活剤濃度よりも相対的に高い、放射線画像検出装置が開示されている。
前記2つのシンチレータの間に配置され、前記2つのシンチレータにより変換された光を電気信号として検出する光検出器とを備えた放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータのうち少なくとも一方の前記光検出器近傍における付活剤濃度が、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化する、放射線画像検出装置が開示されている。
前記光検出器は、基板上に形成され、当該基板から剥離されたものである、ことが好ましい。
前記2つのシンチレータの対向する表面間の距離が40μm以下である、ことが好ましい。
前記光検出器が、受光により導電性を呈する光導電層と、当該導電層から電荷を取り出すための薄膜スイッチング素子とが積層あるいは平面的に配置されてなるものである、ことが好ましい。
前記光導電層及び薄膜スイッチング素子の少なくとも一方は、有機材料により形成されている、ことが好ましい。
前記第1、第2シンチレータはそれぞれ、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、ことが好ましい。
前記第1、第2シンチレータの少なくとも一方は、前記柱状部の前記光検出器側とは反対側に形成された非柱状部を有する、ことが好ましい。
前記蛍光物質の母体はCsIであり、付活剤はTlである、ことが好ましい。
上述の放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記光検出器を形成する光検出器形成工程と、
前記光検出器から前記基板を剥離する基板剥離工程と、を備える、放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。
前記第1、第2シンチレータのそれぞれを別々の支持体上に形成し、
前記第1、第2シンチレータの一方と前記光検出器とを貼り合わせた後、前記光検出器から前記基板を剥離し、前記光検出器と前記第1、第2シンチレータの他方とを貼り合わせる、ことが好ましい。
基板上に、前記光検出器、及び前記第1、第2シンチレータの一方をこの順に形成し、
前記一方のシンチレータの前記光検出器側とは反対側に支持部材を貼り合わせた後に、前記光検出器から前記基板を剥離し、
前記光検出器と前記第1、第2シンチレータの他方とを貼り合わせる、ことが好ましい。
基板上に、前記光検出器、及び前記第1、第2シンチレータの一方をこの順で形成し、
前記一方のシンチレータの前記光検出器側とは反対側に支持部材を貼り合わせた後に、前記光検出器から前記基板を剥離し、
前記光検出器上に前記第1、第2シンチレータの他方を形成する、ことが好ましい。
10 第1シンチレータ
11 支持体
12 柱状部
12A 柱状結晶
13 非柱状部
13A 非柱状結晶
15 第1シンチレータ
20 第2シンチレータ
25 第2シンチレータ
30 保護膜
40 センサ部
41 PD(光導電層)
42 TFT(薄膜スイッチング素子)
42A 反射層
43 ゲート線
44 データ線
45 接続端子
45 センサ部
46 フレキシブル配線
47 樹脂製の膜
48 接着層
100A X線入射面
451A 光反射層
461 光電変換素子
462 TFT
DH 高濃度
DL 低濃度
DM 付活剤濃度半値
P1,P2 部分
P2 部分
R1,R2 高付活剤濃度領域
RP パルス状付活領域
S 主発光領域
Claims (14)
- 照射された放射線を光に変換する2つのシンチレータと、
前記2つのシンチレータの間に配置され、前記2つのシンチレータにより変換された光を電気信号として検出する光検出器とを備えた放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータのうち少なくとも放射線の入射側に配置されたシンチレータの前記光検出器近傍における付活剤濃度が、当該シンチレータ内の前記光検出器側とは反対側での付活剤濃度よりも相対的に高い、放射線画像検出装置。 - 照射された放射線を光に変換する2つのシンチレータと、
前記2つのシンチレータの間に配置され、前記2つのシンチレータにより変換された光を電気信号として検出する光検出器とを備えた放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータのうち少なくとも一方の前記光検出器近傍における付活剤濃度が、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化する、放射線画像検出装置。 - 請求項1又は2に記載の放射線画像検出装置であって、
前記光検出器は、基板上に形成され、当該基板から剥離されたものである、放射線画像検出装置。 - 請求項3に記載の放射線画像検出装置であって、
前記2つのシンチレータの対向する表面間の距離が40μm以下である、放射線画像検出装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記光検出器が、受光により導電性を呈する光導電層と、当該導電層から電荷を取り出すための薄膜スイッチング素子とが積層あるいは平面的に配置されてなるものである、放射線画像検出装置。 - 請求項5に記載の放射線画像検出装置であって、
前記光導電層及び薄膜スイッチング素子の少なくとも一方は、有機材料により形成されている、放射線画像検出装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1、第2シンチレータはそれぞれ、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、放射線画像検出装置。 - 請求項7に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1、第2シンチレータの少なくとも一方は、前記柱状部の前記光検出器側とは反対側に形成された非柱状部を有する、放射線画像検出装置。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記蛍光物質の母体はCsIであり、付活剤はTlである、放射線画像検出装置。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記光検出器を形成する工程と、
前記光検出器から前記基板を剥離する工程と、を備える、放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項10に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記光検出器を基板上に形成し、前記第1、第2シンチレータの一方と前記光検出器とを貼り合わせた後に、前記光検出器から前記基板を剥離する、放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項10に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記第1、第2シンチレータのそれぞれを別々の支持体上に形成し、
前記第1、第2シンチレータの一方と前記光検出器とを貼り合わせた後、前記光検出器から前記基板を剥離し、前記光検出器と前記第1、第2シンチレータの他方とを貼り合わせる、放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項10に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
基板上に、前記光検出器、及び前記第1、第2シンチレータの一方をこの順に形成し、
前記一方のシンチレータの前記光検出器側とは反対側に支持部材を貼り合わせた後に、前記光検出器から前記基板を剥離し、
前記光検出器と前記第1、第2シンチレータの他方とを貼り合わせる、放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項10に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
基板上に、前記光検出器、及び前記第1、第2シンチレータの一方をこの順で形成し、
前記一方のシンチレータの前記光検出器側とは反対側に支持部材を貼り合わせた後に、前記光検出器から前記基板を剥離し、
前記光検出器上に前記第1、第2シンチレータの他方を形成する、放射線画像検出装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011028972A JP5604326B2 (ja) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | 放射線画像検出装置及びその製造方法 |
US13/372,301 US8525121B2 (en) | 2011-02-14 | 2012-02-13 | Radiological image detection apparatus and method of manufacturing the same |
CN201210033042.6A CN102670221B (zh) | 2011-02-14 | 2012-02-14 | 放射图像检测设备及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011028972A JP5604326B2 (ja) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | 放射線画像検出装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012168009A true JP2012168009A (ja) | 2012-09-06 |
JP5604326B2 JP5604326B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=46636178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011028972A Active JP5604326B2 (ja) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | 放射線画像検出装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8525121B2 (ja) |
JP (1) | JP5604326B2 (ja) |
CN (1) | CN102670221B (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015049127A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置 |
JP2015049123A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置 |
JP6072232B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-02-01 | 東芝電子管デバイス株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法並びに放射線検出器およびその製造方法 |
JP2017078635A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 東芝電子管デバイス株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法 |
JP2019035703A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社東芝 | 放射線検出器、および放射線検出装置 |
JP2019158751A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
WO2019239785A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社日立製作所 | 放射線モニタ |
WO2020045229A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置 |
JP2020529607A (ja) * | 2017-08-03 | 2020-10-08 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・フォー・ザ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | 非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像 |
US11504079B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-11-22 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hybrid active matrix flat panel detector system and method |
WO2023085531A3 (ko) * | 2021-06-30 | 2023-07-06 | 주식회사 에이투테크 | 엑스선을 이용한 컬러 영상 획득 장치 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9012857B2 (en) * | 2012-05-07 | 2015-04-21 | Koninklijke Philips N.V. | Multi-layer horizontal computed tomography (CT) detector array with at least one thin photosensor array layer disposed between at least two scintillator array layers |
JP6107001B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | シンチレータ及び放射線検出装置 |
US20140374608A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same |
JP6514206B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2019-05-15 | アグファ・ナームローゼ・フェンノートシャップAgfa Nv | 軽量x−線シールドをもつ放射線透過撮影用フラットパネル検出器およびその製法 |
US10712454B2 (en) * | 2014-07-25 | 2020-07-14 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier |
JP6671839B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2020-03-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び撮像システム |
EP3226038B1 (en) * | 2016-03-28 | 2020-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation imaging system |
JP2018004590A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 東芝電子管デバイス株式会社 | シンチレータ、シンチレータパネル、放射線検出器、およびシンチレータの製造方法 |
CN110582708A (zh) * | 2017-05-01 | 2019-12-17 | 皇家飞利浦有限公司 | 多层辐射探测器 |
US11000701B2 (en) * | 2017-08-01 | 2021-05-11 | Varex Imaging Corporation | Dual-layer detector for soft tissue motion tracking |
JP6862324B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-04-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
JP2019152595A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置 |
CN112020328A (zh) * | 2018-04-26 | 2020-12-01 | 瓦里安医疗***公司 | 成像设备 |
CN113167914B (zh) * | 2018-11-22 | 2024-05-07 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 |
EP3835829A1 (en) * | 2019-12-09 | 2021-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | X-ray detector |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0727865A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線検出器 |
JP2005172511A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム |
JP2007163467A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
WO2010050358A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出装置及びそれらの製造方法 |
JP2011017683A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7745798B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-06-29 | Fujifilm Corporation | Dual-phosphor flat panel radiation detector |
US7569832B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-08-04 | Carestream Health, Inc. | Dual-screen digital radiographic imaging detector array |
WO2008126757A1 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | シンチレータパネル |
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028972A patent/JP5604326B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-13 US US13/372,301 patent/US8525121B2/en active Active
- 2012-02-14 CN CN201210033042.6A patent/CN102670221B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0727865A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線検出器 |
JP2005172511A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム |
JP2007163467A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
WO2010050358A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出装置及びそれらの製造方法 |
JP2011017683A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器及びその製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6072232B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-02-01 | 東芝電子管デバイス株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法並びに放射線検出器およびその製造方法 |
JP2015049123A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置 |
JP2015049127A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置 |
JP2017078635A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 東芝電子管デバイス株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法 |
US11504079B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-11-22 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hybrid active matrix flat panel detector system and method |
US11460590B2 (en) | 2017-08-03 | 2022-10-04 | The Research Foundation For The State University Of New York | Dual-screen digital radiography with asymmetric reflective screens |
US12025757B2 (en) | 2017-08-03 | 2024-07-02 | The Research Foundation For The State University Of New York | Dual-screen digital radiography with asymmetric reflective screens |
JP2020529607A (ja) * | 2017-08-03 | 2020-10-08 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・フォー・ザ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | 非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像 |
JP2019035703A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社東芝 | 放射線検出器、および放射線検出装置 |
JP2019158751A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
JP7160572B2 (ja) | 2018-06-15 | 2022-10-25 | 株式会社日立製作所 | 放射線モニタ |
US11231507B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-25 | Hitachi, Ltd. | Radiation monitor |
JP2019219170A (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-26 | 株式会社日立製作所 | 放射線モニタ |
WO2019239785A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社日立製作所 | 放射線モニタ |
WO2020045229A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置 |
WO2023085531A3 (ko) * | 2021-06-30 | 2023-07-06 | 주식회사 에이투테크 | 엑스선을 이용한 컬러 영상 획득 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5604326B2 (ja) | 2014-10-08 |
CN102670221B (zh) | 2016-08-10 |
CN102670221A (zh) | 2012-09-19 |
US8525121B2 (en) | 2013-09-03 |
US20120205544A1 (en) | 2012-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5604326B2 (ja) | 放射線画像検出装置及びその製造方法 | |
JP5557769B2 (ja) | 放射線画像検出装置及びその製造方法 | |
JP5557773B2 (ja) | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ並びに放射線撮影装置 | |
JP5703044B2 (ja) | 放射線画像検出装置及びその製造方法 | |
JP5677136B2 (ja) | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ | |
JP5460572B2 (ja) | 放射線画像検出装置及びその製造方法 | |
JP5422581B2 (ja) | 放射線画像検出装置及びその製造方法 | |
JP5604323B2 (ja) | 放射線画像検出装置 | |
JP5325872B2 (ja) | 放射線画像検出装置及びその製造方法 | |
JP5538205B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法、並びに放射線画像検出装置 | |
JP2013015347A (ja) | 放射線画像検出装置 | |
US8872115B2 (en) | Radiological image conversion panel, method of manufacturing the same, and radiological image detection apparatus | |
US8558183B2 (en) | Radiological image conversion panel, manufacturing method thereof and radiological image detection apparatus | |
JP2012159305A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像検出装置 | |
JP2012233780A (ja) | 放射線画像変換パネル、放射線画像検出装置及び放射線撮影装置 | |
JP5286437B2 (ja) | 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法 | |
WO2012090528A1 (ja) | シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出装置 | |
JP2013088308A (ja) | 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法、並びに放射線撮影装置 | |
JP2012173127A (ja) | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法並びに放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20121005 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140729 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5604326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |