JP2012160263A - Lighting device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lighting device capable of illuminating a large range.SOLUTION: The lighting device 1 includes a frame 2 having a pair of openings H, a plurality of semiconductor light emitting devices 3 which are respectively installed in the pair of openings H and irradiate light to the outside of the openings H, a light transmissive substrate 4 which is installed in the frame 2 and covers the pair of openings H, and a reflector 5 which is installed in the light transmissive substrate 4 and is arranged in a region outside of the frame 2 and interposed by the pair of openings H in a cross-sectional view, and reflects light from the semiconductor light emitting device 3 at the outside of the frame 2. Since the lighting device changes the advancing direction of light from the semiconductor light emitting elements 33 at the outside of the frame 2 and can diffuse light extracted to the outside of the frame 2, it can illuminate a large range.

Description

本発明は、半導体発光装置を含む照明装置に関するものである。   The present invention relates to a lighting device including a semiconductor light emitting device.

近年、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)等の半導体発光素子を光源とする半導体発光装置および照明装置の開発が進められている（例えば、特許文献１を参照）。半導体発光装置を有する発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。この半導体発光装置は、指向性が優れているが、例えば住宅用照明分野などにおいては、広範囲を照らす技術が求められている。   In recent years, development of a semiconductor light emitting device and a lighting device using a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED) as a light source has been advanced (for example, see Patent Document 1). A light-emitting device having a semiconductor light-emitting device has attracted attention with respect to power consumption or product life. Although this semiconductor light emitting device has excellent directivity, for example, in the field of residential lighting, a technology for illuminating a wide area is required.

特開２００８−１９２６３８号公報JP 2008-192638 A

本発明は、広範囲を照らすことが可能な照明装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the illuminating device which can illuminate a wide range.

本発明の一実施形態に係る照明装置は、一対の開口部を有するフレームと、前記一対の開口部内のそれぞれに設けられた、前記開口部外に光を照射する複数の半導体発光素子と、前記フレームに設けられた、前記一対の開口部を覆う光透過性基板と、前記光透過性基板に設けられ、前記フレーム外であって且つ断面視して前記一対の開口部によって挟まれる領域に配置された、前記半導体発光素子からの光を前記フレーム外にて反射する反射体と、を備えている。   An illumination device according to an embodiment of the present invention includes a frame having a pair of openings, a plurality of semiconductor light-emitting elements that are provided in each of the pair of openings and irradiate light outside the openings, A light-transmitting substrate provided on the frame that covers the pair of openings and a region provided on the light-transmitting substrate that is outside the frame and is sandwiched between the pair of openings when viewed in cross section. And a reflector that reflects light from the semiconductor light emitting element outside the frame.

本発明によれば、広範囲を照らすことが可能な照明装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the illuminating device which can illuminate a wide range can be provided.

図１は、本実施形態に係る照明装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of the lighting device according to the present embodiment. 図２は、本実施形態に係る照明装置の一部を拡大した平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of the lighting device according to the present embodiment. 図３は、本実施形態に係る照明装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the lighting device according to the present embodiment. 図４は、図３に示す照明装置のフレームを示した断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a frame of the illumination device shown in FIG. 図５は、図３に示す照明装置の一部を拡大した半導体発光装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device in which a part of the illumination device shown in FIG. 3 is enlarged. 図６は、半導体発光装置を構成する半導体発光素子の概観斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view of a semiconductor light emitting element constituting the semiconductor light emitting device. 図７は、図６に示す半導体発光素子の断面図である。7 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 図８は、一変形例に係る照明装置の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a lighting device according to a modification. 図９は、一変形例に係る照明装置の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a lighting device according to a modification. 図１０は、一変形例に係る照明装置の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a lighting device according to a modification. 図１１は、一変形例に係る照明装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a lighting device according to a modification.

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる照明装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。図１は、照明装置を平面視した平面図であって、一対の直線状にそれぞれ半導体発光装置の光源（複数の半導体発光素子）が並んでいる。図２は、図１の照明装置の一部を拡大した平面図である。図３は、図２のＸ−Ｘ’に沿って切断した照明装置の断面図である。図４は、図２のＸ−Ｘ’に沿って切断したフレームの断面図であって、図３から半導体発光装置、光透過性基板および反射体を取り除いた状態を示している。図５は、半導体発光装置の断面図である。図６は、半導体発光装置を構成する半導体発光素子の断面斜視図である。図７は、図６のＹ−Ｙ’に沿って切断した半導体発光素子の断面図である。   Embodiments of a lighting device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention shall not be limited to the following embodiment. FIG. 1 is a plan view of the lighting device in plan view, in which light sources (a plurality of semiconductor light emitting elements) of the semiconductor light emitting device are arranged in a pair of straight lines. FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of the illumination device of FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the lighting device taken along X-X ′ in FIG. 2. FIG. 4 is a cross-sectional view of the frame cut along X-X ′ in FIG. 2, showing a state in which the semiconductor light emitting device, the light transmissive substrate, and the reflector are removed from FIG. 3. FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device. FIG. 6 is a cross-sectional perspective view of a semiconductor light emitting element constituting the semiconductor light emitting device. FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device taken along the line Y-Y ′ of FIG. 6.

＜照明装置の構成＞
照明装置１は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明装置１から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。 <Configuration of lighting device>
The lighting device 1 is directly attached to a room such as a ceiling or a wall, or is used outdoors. And the light emitted from the illuminating device 1 can illuminate indoors or outdoors.

照明装置１は、一対の開口部Ｈを有するフレーム２と、一対の開口部Ｈ内にそれぞれ設けられ、開口部Ｈ外に光を照射する複数の半導体発光素子３３と、フレーム２に設けられ、一対の開口部Ｈを覆う光透過性基板４と、光透過性基板４に設けられ、フレーム外であって且つ断面視して一対の開口部Ｈによって挟まれる領域に配置され、半導体発光素子３３からの光をフレーム２外にて反射する反射体５を備えている。   The lighting device 1 is provided in the frame 2 having a pair of openings H, a plurality of semiconductor light emitting elements 33 that are respectively provided in the pair of openings H and irradiate light outside the openings H, and the frame 2. A light-transmitting substrate 4 that covers the pair of openings H, and is provided on the light-transmitting substrate 4 and disposed outside the frame and in a region sandwiched by the pair of openings H in a cross-sectional view. The reflector 5 that reflects the light from the outside of the frame 2 is provided.

フレーム２は、複数の半導体発光素子３３を有する半導体発光装置３を保持する機能と、半導体発光装置３が有する複数の半導体発光素子３３の発する熱を外部に放散させる機能とを有している。フレーム２は、例えば、アルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチックまたは樹脂等から構成される。フレーム２は、平面視において直方体形状であって、一対の開口部Ｈを有している。そして、一対の開口部Ｈのそれぞれに、複数の半導体発光装置３を実装することができる。   The frame 2 has a function of holding the semiconductor light emitting device 3 having the plurality of semiconductor light emitting elements 33 and a function of dissipating heat generated by the plurality of semiconductor light emitting elements 33 of the semiconductor light emitting device 3 to the outside. The frame 2 is made of, for example, a metal such as aluminum, copper or stainless steel, plastic or resin. The frame 2 has a rectangular parallelepiped shape in plan view, and has a pair of openings H. A plurality of semiconductor light emitting devices 3 can be mounted in each of the pair of openings H.

フレーム２は、半導体発光装置３の発する熱を効率よく外部に放散する。また、フレーム２は、半導体発光装置３の傾斜角度が変化するのを低減することによって、外部に取り出される光の指向性を良好に維持することができる。フレーム２の熱伝導率は、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。   The frame 2 efficiently dissipates heat generated by the semiconductor light emitting device 3 to the outside. Further, the frame 2 can maintain good directivity of the light extracted outside by reducing the change in the tilt angle of the semiconductor light emitting device 3. The thermal conductivity of the frame 2 is set to, for example, 10 W / m · K or more and 500 W / m · K or less.

フレーム２は、開口部Ｈに、半導体発光装置３を螺子またはボルト等の固定部材６を介して固定する螺子孔２１と、半導体発光装置３と当接して支持する当接部２２と、半導体発光装置３を構成するリフレクターの端部が嵌合する嵌合部２３と、半導体発光装置３を構成する駆動部を嵌め込まれる空洞部２４と、光透過性基板４の端部を保持する保持部２５とが設けられている。   The frame 2 has, in the opening H, a screw hole 21 for fixing the semiconductor light emitting device 3 via a fixing member 6 such as a screw or a bolt, a contact portion 22 for contacting and supporting the semiconductor light emitting device 3, and a semiconductor light emitting device. A fitting portion 23 into which an end portion of a reflector constituting the device 3 is fitted, a cavity portion 24 into which a driving portion constituting the semiconductor light emitting device 3 is fitted, and a holding portion 25 for holding an end portion of the light transmissive substrate 4. And are provided.

螺子孔２１は、フレーム２の開口部Ｈの内壁面に設けられている。螺子孔２１は、半導体発光装置３を固定する固定部材を通過させることができる程度の大きさの孔であって、固定部材で締めて半導体発光装置３を固定することができる。当接部２２は、フレーム２の開口部Ｈに設けられ、半導体発光装置３を構成する基板３１の端部が当接して、半導体発光装置３を位置決めすることができる。嵌合部２３は、フレーム２の開口部Ｈの内壁面に設けられている。嵌合部２３は、開口部Ｈにて半導体発光装置３を構成するリフレクター３２の端部を嵌め込むものである。半導体発光装置３は、リフレクター３２の端部を嵌合部２３に嵌め込むことで、リフレクター３２の傾斜角度を位置決めすることができる。空洞部２４は、半導体発光装置３の半導体発光素子３３を駆動する駆動部３４を配置することができる大きさの空洞であって、熱が発生する駆動部３４を配置することができる。保持部２５は、フレーム２の内壁面の縁に沿って設けられており、光透過性基板４の端部を嵌め込むことができる大きさに形成されている。   The screw hole 21 is provided on the inner wall surface of the opening H of the frame 2. The screw hole 21 is a hole having a size that allows a fixing member that fixes the semiconductor light emitting device 3 to pass therethrough, and can be fastened by the fixing member to fix the semiconductor light emitting device 3. The contact portion 22 is provided in the opening H of the frame 2, and the end portion of the substrate 31 constituting the semiconductor light emitting device 3 can be contacted to position the semiconductor light emitting device 3. The fitting portion 23 is provided on the inner wall surface of the opening H of the frame 2. The fitting portion 23 is for fitting the end portion of the reflector 32 constituting the semiconductor light emitting device 3 at the opening H. The semiconductor light emitting device 3 can position the inclination angle of the reflector 32 by fitting the end portion of the reflector 32 into the fitting portion 23. The cavity 24 is a cavity of a size that can arrange the driving unit 34 that drives the semiconductor light emitting element 33 of the semiconductor light emitting device 3, and can be arranged with the driving unit 34 that generates heat. The holding part 25 is provided along the edge of the inner wall surface of the frame 2, and is formed to have a size capable of fitting the end of the light transmissive substrate 4.

フレーム２には、一対の支持体２６が設けられている。支持体２６は、フレーム２の開口縁に接続されており、開口縁からフレーム２の底面の高さ位置まで傾斜するように形成されている。そして、支持体２６の内壁面とフレーム２の側面との間には隙間Ｄが設けられている。   The frame 2 is provided with a pair of supports 26. The support 26 is connected to the opening edge of the frame 2 and is formed so as to be inclined from the opening edge to the height position of the bottom surface of the frame 2. A gap D is provided between the inner wall surface of the support 26 and the side surface of the frame 2.

隙間Ｄは、通気孔としての機能を奏する。隙間Ｄは、半導体発光装置３の半導体発光素子３３が発する熱を外部に向かって放散する。半導体発光素子３３が発光する際には、駆動部３４から半導体発光素子３３に入力される電気エネルギーの一部は光に変換されずに熱に変換されて半導体発光素子３３の温度が上昇する。半導体発光素子３３の温度が上昇することによって、フレーム２内の温度は上昇する。そこで、フレーム２の側面と支持体２６との間に隙間Ｄを設けて、フレーム２内の温度が熱平衡によってフレーム２外の温度に近づくように調整することができ、フレーム２内の温度が上昇するのを抑制することができる。なお、支持体２６の端部には、螺子またはボルト等にて固定する貫通孔２６ａが設けられており、貫通孔２６ａに螺子またはボルト等を通して、支持体２６が外部と接続される。   The gap D functions as a vent hole. The gap D dissipates heat generated by the semiconductor light emitting element 33 of the semiconductor light emitting device 3 toward the outside. When the semiconductor light emitting element 33 emits light, part of the electric energy input from the driving unit 34 to the semiconductor light emitting element 33 is not converted to light but is converted to heat, and the temperature of the semiconductor light emitting element 33 rises. As the temperature of the semiconductor light emitting element 33 rises, the temperature in the frame 2 rises. Therefore, a gap D is provided between the side surface of the frame 2 and the support 26 so that the temperature in the frame 2 can be adjusted so as to approach the temperature outside the frame 2 due to thermal equilibrium, and the temperature in the frame 2 increases. Can be suppressed. A through hole 26a that is fixed by a screw or a bolt is provided at the end of the support 26, and the support 26 is connected to the outside through the screw or the bolt through the through hole 26a.

支持体２６の外表面には、複数の段差が設けられている。支持体２６の外表面に設けられた複数の段差によって、支持体２６の外表面の面積を大きくすることができ、半導体発光装置３の熱を外部に放散させやすくすることができる。   A plurality of steps are provided on the outer surface of the support 26. By the plurality of steps provided on the outer surface of the support 26, the area of the outer surface of the support 26 can be increased, and the heat of the semiconductor light emitting device 3 can be easily dissipated to the outside.

＜半導体発光装置の構成＞
半導体発光装置３は、基板３１と、基板３１に実装される複数の半導体発光素子３３と、半導体発光素子３３の発する光を反射して外部に取り出すリフレクター３２と、半導体発光素子３３を駆動する駆動部３４と、リフレクター３２の出射口側に設けられる光透過性部材３５とを備えている。基板３１は、直方体形状であって、その長手方向寸法がフレーム２の開口部Ｈと略同じ長さを有した長尺の板体である。基板３１は、例えば、樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、あるいはガラス基板、あるいはアルミ基板等の金属板が用いられる。なお、基板３１には、固定部材６を通すための螺子孔が設けられている。 <Configuration of semiconductor light emitting device>
The semiconductor light emitting device 3 includes a substrate 31, a plurality of semiconductor light emitting elements 33 mounted on the substrate 31, a reflector 32 that reflects light emitted from the semiconductor light emitting element 33 and extracts the light to the outside, and a drive that drives the semiconductor light emitting element 33. And a light transmissive member 35 provided on the exit side of the reflector 32. The substrate 31 is a rectangular parallelepiped, and is a long plate having a length in the longitudinal direction substantially the same as the opening H of the frame 2. As the substrate 31, for example, a resin substrate such as a printed wiring board made of resin, or a metal plate such as a glass substrate or an aluminum substrate is used. The board 31 is provided with a screw hole through which the fixing member 6 is passed.

本実施形態において、基板３１には、複数の半導体発光素子３３が等間隔に実装されている。また、基板３１には、駆動部３４が実装されている。半導体発光素子３３と駆動部３４は、基板３１に対して、それぞれ異なる基板３１の主面に設けられている。そして、基板３１に設けられるビア導体を介して駆動部３４と半導体発光素子３３とが電気的に接続される。なお、複数の半導体発光素子３３が配列される間隔は、等間隔に限定されるものではない。   In the present embodiment, a plurality of semiconductor light emitting elements 33 are mounted on the substrate 31 at equal intervals. A drive unit 34 is mounted on the substrate 31. The semiconductor light emitting device 33 and the drive unit 34 are provided on the main surface of the substrate 31 that is different from the substrate 31. Then, the drive unit 34 and the semiconductor light emitting element 33 are electrically connected via via conductors provided on the substrate 31. The intervals at which the plurality of semiconductor light emitting elements 33 are arranged are not limited to equal intervals.

駆動部３４は、半導体発光装置３の半導体発光素子３３と電気的に接続されている。駆動部３４は、外部電源と電気的に接続されており、外部電源から電気が供給される。なお、駆動部３４の設けられる箇所は、半導体発光装置３の半導体発光素子３３と電気的に接続されるのであれば、基板３１に対して半導体発光素子３３と同じ面に設けられる構造であってもよい。   The drive unit 34 is electrically connected to the semiconductor light emitting element 33 of the semiconductor light emitting device 3. The drive unit 34 is electrically connected to an external power source, and electricity is supplied from the external power source. Note that the portion where the drive unit 34 is provided is a structure provided on the same surface as the semiconductor light emitting element 33 with respect to the substrate 31 as long as it is electrically connected to the semiconductor light emitting element 33 of the semiconductor light emitting device 3. Also good.

リフレクター３２は、半導体発光素子３３の側面を取り囲むように設けられている。リフレクター３２は、半導体発光素子３３から出射された光を反射させるものであり、例えば、アルミ二ウム、銅またはステンレス等の熱伝導性の優れた熱の良導体から構成されている。また、リフレクター３２は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター３２の内壁面に、アルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。リフレクター３２は、各半導体発光素子３３を取り囲む態様で配置されている。なお、リフレクター３２の熱伝導率は、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。   The reflector 32 is provided so as to surround the side surface of the semiconductor light emitting element 33. The reflector 32 reflects light emitted from the semiconductor light emitting element 33, and is made of a heat good conductor having excellent thermal conductivity such as aluminum, copper, or stainless steel. Moreover, the reflector 32 may be comprised by vapor-depositing aluminum on the inner wall face of the reflector 32 which consists of polycarbonate resin shape | molded with the metal mold | die. The reflector 32 is disposed so as to surround each semiconductor light emitting element 33. The thermal conductivity of the reflector 32 is set to, for example, 10 W / m · K or more and 500 W / m · K or less.

リフレクター３２は、半導体発光素子３３からリフレクター３２の出射口に向かうにつれて広がって形成されている。リフレクター３２は、いわゆるパラボラ形状の円筒体である。リフレクター３２で囲まれる領域が、リフレクター３２の出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター３２によって半導体発光素子３３の発する光を遮りにくくすることができ、半導体発光素子３３の発する光の照射面を広くすることができる。   The reflector 32 is formed so as to expand from the semiconductor light emitting element 33 toward the exit of the reflector 32. The reflector 32 is a so-called parabolic cylindrical body. Since the region surrounded by the reflector 32 becomes larger toward the exit of the reflector 32, the light emitted from the semiconductor light emitting element 33 can be made difficult to be blocked by the reflector 32, and the irradiation surface of the light emitted from the semiconductor light emitting element 33 can be reduced. Can be wide.

リフレクター３２は、リフレクター３２の出射口の縁から、基板３１に向かって折れ曲がって形成されている。そして、リフレクター３２の端部は、基板３１に向かって折れ曲がった先にあり、その端部をフレーム２の嵌合部２３に嵌め込むことができる。   The reflector 32 is formed by being bent toward the substrate 31 from the edge of the exit port of the reflector 32. And the edge part of the reflector 32 exists in the tip bent toward the board | substrate 31, and can fit the edge part in the fitting part 23 of the flame | frame 2. FIG.

リフレクター３２で囲まれる領域には、光透過性部材３５を設けることができる。本実施形態において、光透過性部材３５は、半導体発光素子３３から発せられる光が透過する樹脂材料を有する。光透過性部材３５は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂等を用いることができる。また、光透過性部材３５の代わりに、ガラスを用いることもできる。光透過性部材３５によって、リフレクター３２と半導体発光素子３３との接着強度を向上させることができる。なお、リフレクター３２で囲まれる領域に、光透過性部材３５を設けない構造であってもよい。   In a region surrounded by the reflector 32, a light transmissive member 35 can be provided. In the present embodiment, the light transmissive member 35 includes a resin material that transmits light emitted from the semiconductor light emitting element 33. For example, an epoxy resin, an acrylic resin, or a silicone resin can be used for the light transmissive member 35. Further, glass can be used instead of the light transmissive member 35. The light transmissive member 35 can improve the adhesive strength between the reflector 32 and the semiconductor light emitting element 33. In addition, the structure which does not provide the light transmissive member 35 in the area | region enclosed by the reflector 32 may be sufficient.

＜半導体発光素子の構成＞
半導体発光素子３３は、実装基板３３１と、実装基板３３１上に設けられる光半導体素子３３２と、光半導体素子３３２を取り囲む枠体３３３と、枠体３３３で囲まれる領域に設けられる封止樹脂３３４と、枠体３３３によって支持され、接着樹脂３３５を介して枠体３３３に接続される波長変換部３３６を備えている。 <Configuration of semiconductor light emitting device>
The semiconductor light emitting element 33 includes a mounting substrate 331, an optical semiconductor element 332 provided on the mounting substrate 331, a frame body 333 surrounding the optical semiconductor element 332, and a sealing resin 334 provided in a region surrounded by the frame body 333. The wavelength converter 336 is supported by the frame body 333 and connected to the frame body 333 via the adhesive resin 335.

半導体発光素子３３は、例えば、発光ダイオードであって、光半導体素子３３２内のｐｎ接合中の電子と正孔が再結合することによって、光半導体素子３３２から外部に向かって光として放出される。なお、光半導体素子３３２は、指向性が優れている。   The semiconductor light emitting element 33 is, for example, a light emitting diode, and is emitted as light from the optical semiconductor element 332 to the outside by recombination of electrons and holes in a pn junction in the optical semiconductor element 332. The optical semiconductor element 332 has excellent directivity.

実装基板３３１には、基板３１上に設けられる。基板３１と実装基板３３１とは、半田または導電性接着剤を介して電気的に導通されるように接合される。実装基板３３１は、例えば、アルミナ、ムライトまたはガラスセラミック等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、実装基板３３１は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。   The mounting substrate 331 is provided on the substrate 31. The substrate 31 and the mounting substrate 331 are joined so as to be electrically connected via solder or a conductive adhesive. The mounting substrate 331 can be made of, for example, a ceramic material such as alumina, mullite, or glass ceramic, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. For the mounting substrate 331, a polymer resin in which metal oxide fine particles are dispersed can be used.

実装基板３３１の表面が拡散面である場合、光半導体素子３３２から発せられる光が、実装基板３３１の表面にて照射されて拡散反射する。そして、光半導体素子３３２が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、光半導体素子３３２から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。   When the surface of the mounting substrate 331 is a diffusion surface, the light emitted from the optical semiconductor element 332 is irradiated on the surface of the mounting substrate 331 and diffusely reflected. Then, light emitted from the optical semiconductor element 332 can be emitted in multiple directions by diffuse reflection, and the light emitted from the optical semiconductor element 332 can be suppressed from being concentrated at a specific location.

ここで、実装基板３３１には、配線導体が設けられており、配線導体を介して基板３１と電気的に接続されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、実装基板３３１に所定パターンで印刷することにより得られる。   Here, the mounting substrate 331 is provided with a wiring conductor, and is electrically connected to the substrate 31 via the wiring conductor. The wiring conductor is made of a conductive material such as tungsten, molybdenum, manganese, or copper. The wiring conductor is obtained, for example, by printing a metal paste obtained by adding an organic solvent to a powder such as tungsten on the mounting substrate 331 in a predetermined pattern.

光半導体素子３３２は、実装基板３３１上であって実装領域Ｒに実装される。具体的には、光半導体素子３３２は、実装基板３３１上に形成される配線導体上に、例えば、半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。   The optical semiconductor element 332 is mounted on the mounting substrate R on the mounting substrate 331. Specifically, the optical semiconductor element 332 is electrically connected to the wiring conductor formed on the mounting substrate 331 via, for example, an adhesive material such as solder or a conductive adhesive, or a bonding wire. .

光半導体素子３３２は、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、光半導体素子３３２の厚みは、例えば３０μｍ以上１０００μｍ以下である。   The optical semiconductor element 332 uses a chemical vapor deposition method such as a metal organic chemical vapor deposition method or a molecular beam epitaxial growth method on a substrate such as sapphire, gallium nitride, aluminum nitride, zinc oxide, silicon carbide, silicon, or zirconium diboride. Thus, the semiconductor layer is grown. The thickness of the optical semiconductor element 332 is, for example, 30 μm or more and 1000 μm or less.

光半導体素子３３２は、第１半導体層と、第１半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２半導体層と、から構成されている。   The optical semiconductor element 332 includes a first semiconductor layer, a light emitting layer formed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer formed on the light emitting layer.

第１半導体層、発光層および第２半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII−Ｖ族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第１半導体層の厚みは、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。発光層の厚みは、例えば、２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。第２半導体層の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、このように構成された光半導体素子３３２では、例えば、３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波長範囲の励起光を発することができる。   The first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are, for example, a group III nitride semiconductor, a group III-V semiconductor such as gallium phosphide or gallium arsenide, or a group III nitride such as gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. A physical semiconductor or the like can be used. Note that the thickness of the first semiconductor layer is, for example, not less than 1 μm and not more than 5 μm. The thickness of the light emitting layer is, for example, 25 nm or more and 150 nm or less. The thickness of the second semiconductor layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 600 nm. In addition, the optical semiconductor element 332 configured as described above can emit excitation light having a wavelength range of 370 nm to 420 nm, for example.

実装基板３３１上には、光半導体素子３３２を取り囲むように枠状の枠体３３３が設けられている。枠体３３３は、実装基板３３１上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体３３３は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体３３３は、多孔質材料からなり、枠体３３３の表面は微細な孔が多数形成される。   A frame-shaped frame 333 is provided on the mounting substrate 331 so as to surround the optical semiconductor element 332. The frame body 333 is connected to the mounting substrate 331 via, for example, solder or an adhesive. The frame 333 is a ceramic material, and is made of a porous material such as aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, or yttrium oxide. The frame 333 is made of a porous material, and a large number of fine holes are formed on the surface of the frame 333.

枠体３３３は、光半導体素子３３２と間を空けて、光半導体素子３３２の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体３３３は、傾斜する内壁面が下端から上端に従い外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体３３３の内壁面が、光半導体素子３３２から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体３３３の内壁面が拡散面である場合には、光半導体素子３３２から発せられる光が、枠体３３３の内壁面にて拡散反射する。そして、光半導体素子３３２から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。   The frame 333 is formed so as to surround the optical semiconductor element 332 with a space from the optical semiconductor element 332. Further, the frame body 333 is formed so that the inclined inner wall surface spreads outward from the lower end according to the upper end. The inner wall surface of the frame 333 functions as a reflection surface for excitation light emitted from the optical semiconductor element 332. When the inner wall surface of the frame 333 is a diffusion surface, the light emitted from the optical semiconductor element 332 is diffusely reflected on the inner wall surface of the frame 333. And it can suppress that the light emitted from the optical semiconductor element 332 concentrates on a specific location.

また、枠体３３３の傾斜する内壁面は、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、光半導体素子３３２の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体３３３の内壁面の傾斜角度は、実装基板３３１の上面に対して例えば５５度以上７０度以下の角度に設定されている。   Further, the inclined inner wall surface of the frame 333 may form, for example, a metal layer made of tungsten, molybdenum, copper, silver, or the like, and a plated metal layer made of nickel, gold, or the like that covers the metal layer. The plated metal layer has a function of reflecting light emitted from the optical semiconductor element 332. The inclination angle of the inner wall surface of the frame 333 is set to an angle of 55 degrees or more and 70 degrees or less with respect to the upper surface of the mounting substrate 331, for example.

枠体３３３で囲まれる領域には、封止樹脂３３４が充填されている。封止樹脂３３４は、光半導体素子３３２を封止するとともに、光半導体素子３３２から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂３３４は、枠体３３３の内方に光半導体素子３３２を収容した状態で、枠体３３３で囲まれる領域であるなお、封止樹脂３３４は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。   A region surrounded by the frame body 333 is filled with a sealing resin 334. The sealing resin 334 has a function of sealing the optical semiconductor element 332 and transmitting light emitted from the optical semiconductor element 332. The sealing resin 334 is a region surrounded by the frame body 333 in a state where the optical semiconductor element 332 is accommodated inside the frame body 333. The sealing resin 334 is, for example, a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin. A translucent insulating resin such as, for example, is used.

波長変換部３３６は、枠体３３３に支持されるとともに、光半導体素子３３２と間を空けて対向するように設けられる。つまり、波長変換部３３６は、光半導体素子３３２を封止する封止樹脂３３４と空隙を介して枠体３３３に設けられる。   The wavelength conversion unit 336 is supported by the frame body 333 and provided to face the optical semiconductor element 332 with a space therebetween. That is, the wavelength conversion unit 336 is provided in the frame body 333 via the sealing resin 334 that seals the optical semiconductor element 332 and the gap.

波長変換部３３６は、接着樹脂３３５を介して枠体３３６に接合されている。接着樹脂３３５は、波長変換部３３６の下面の端部から波長変換部３３６の側面、さらに波長変換部３３６の上面の端部にかけて被着している。   The wavelength conversion unit 336 is joined to the frame body 336 via an adhesive resin 335. The adhesive resin 335 is attached from the end of the lower surface of the wavelength conversion unit 336 to the side surface of the wavelength conversion unit 336 and further to the end of the upper surface of the wavelength conversion unit 336.

接着樹脂３３５は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。また、接着樹脂３３５は、例えば、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を使用することができる。   As the adhesive resin 335, for example, a thermosetting resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cyanate resin, a silicone resin, or a bismaleimide triazine resin can be used. Further, as the adhesive resin 335, for example, a thermoplastic resin such as a polyether ketone resin, a polyethylene terephthalate resin, or a polyphenylene ether resin can be used.

接着樹脂３３５の材料は、枠体３３３の熱膨張率と波長変換部３３６の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着樹脂３３５の材料として、このような材料を選択することで、枠体３３３と波長変換部３３６とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して、両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。   As the material of the adhesive resin 335, a material having a coefficient of thermal expansion that is between the coefficient of thermal expansion of the frame 333 and the coefficient of thermal expansion of the wavelength conversion unit 336 is selected. By selecting such a material as the material of the adhesive resin 335, when the frame body 333 and the wavelength conversion unit 336 are thermally expanded, both of them try to peel off due to the difference in the coefficient of thermal expansion between them. Can be suppressed, and both can be well connected.

接着樹脂３３５が、波長変換部３３６の下面の端部にまで被着することで、接着樹脂３３５が被着する面積を大きくし、枠体３３３と波長変換部３３６とを強固に接続することができる。その結果、枠体３３３と波長変換部３３６の接続強度を向上させることができ、波長変換部３３６の撓みが抑制される。そして、光半導体素子３３２と波長変換部３３６との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。   By adhering the adhesive resin 335 to the end of the lower surface of the wavelength conversion unit 336, the area to which the adhesive resin 335 is applied can be increased, and the frame 333 and the wavelength conversion unit 336 can be firmly connected. it can. As a result, the connection strength between the frame 333 and the wavelength conversion unit 336 can be improved, and bending of the wavelength conversion unit 336 is suppressed. And it can suppress effectively that the optical distance between optical semiconductor element 332 and wavelength conversion part 336 changes.

波長変換部３３６は、半導体発光素子３３から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部３３６には、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成り、その樹脂中に、例えば４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長の蛍光を発する青色蛍光体、例えば５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部３３６中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部３３６の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。   The wavelength conversion unit 336 emits light when excitation light emitted from the semiconductor light emitting element 33 enters the inside and the phosphor contained therein is excited. Here, the wavelength conversion unit 336 is made of, for example, a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or the like, and a blue phosphor that emits fluorescence with a wavelength of, for example, 430 nm to 490 nm in the resin, for example, 500 nm to 560 nm. A green phosphor that emits fluorescence, for example, a yellow phosphor that emits fluorescence of 540 to 600 nm, for example, a red phosphor that emits fluorescence of 590 to 700 nm is contained. The phosphor is contained in the wavelength conversion unit 336 so as to be uniformly dispersed. In addition, the thickness of the wavelength conversion part 336 is set to 0.5 mm or more and 3 mm or less, for example.

また、波長変換部３３６の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部３３６の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が０．１ｍｍ以下のものを含む。波長変換部３３６の厚みを一定にすることにより、波長変換部３３６にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部３３６における輝度むらを抑制することができる。   Further, the thickness of the end portion of the wavelength conversion unit 336 is set to be constant. The thickness of the wavelength conversion part 336 is set to 0.5 mm or more and 3 mm or less, for example. Here, the constant thickness includes a thickness error of 0.1 mm or less. By making the thickness of the wavelength conversion unit 336 constant, the amount of light excited by the wavelength conversion unit 336 can be adjusted to be uniform, and uneven luminance in the wavelength conversion unit 336 can be suppressed. it can.

光透過性基板４は、フレーム２の開口縁に設けられる。フレーム２の開口部Ｈに半導体発光装置３を実装した状態で、光透過性基板４をフレーム２に設けることで、フレーム２内に半導体発光装置３を外部から保護することができる。   The light transmissive substrate 4 is provided at the opening edge of the frame 2. The semiconductor light emitting device 3 can be protected from the outside in the frame 2 by providing the light transmissive substrate 4 on the frame 2 in a state where the semiconductor light emitting device 3 is mounted in the opening H of the frame 2.

光透過性基板４は、半導体発光装置３から発せられる光が透過する材料からなり、例えば樹脂またはガラス等の光透光性の材料から構成される板体である。光透過性基板４は、フレーム２の保持部２５にて保持される。光透過性基板４は保持部２５にて挟持して保持されることで、光透過性基板４が落下するのを防止することができる。   The light transmissive substrate 4 is made of a material through which light emitted from the semiconductor light emitting device 3 is transmitted, and is a plate made of a light transmissive material such as resin or glass. The light transmissive substrate 4 is held by the holding unit 25 of the frame 2. The light transmissive substrate 4 can be prevented from falling by being held and held by the holding portion 25.

反射体５は、光透過性基板４の外表面に設けられる。反射体５は、半導体発光装置３からの光を反射する機能を有している。反射体５は、フレーム２の外であって且つ断面視において一対の開口部Ｈによって挟まれる領域に配置される。また、反射体５は、図２に示すように、平面視してフレーム２の一端から他端にまで連続して設けられている。一対の開口部Ｈ内に設けられた複数の半導体発光素子３３は、一対の開口部Ｈ内のそれぞれにおいて所定の直線状に配置されており、反射体５は、前記所定の直線状に配置されている複数の半導体発光素子３３に沿って設けられている。反射体５をこのように設けることで、反射体５にて反射する光の照射面を大きく２つに分けて、それぞれの照射面の照度を向上させることができ、広範囲を照らすことが可能な照明装置を提供することができる。   The reflector 5 is provided on the outer surface of the light transmissive substrate 4. The reflector 5 has a function of reflecting light from the semiconductor light emitting device 3. The reflector 5 is disposed outside the frame 2 and in a region sandwiched between the pair of openings H in a cross-sectional view. As shown in FIG. 2, the reflector 5 is provided continuously from one end of the frame 2 to the other end in plan view. The plurality of semiconductor light emitting elements 33 provided in the pair of openings H are arranged in a predetermined straight line in each of the pair of openings H, and the reflector 5 is arranged in the predetermined straight line. The plurality of semiconductor light emitting elements 33 are provided. By providing the reflector 5 in this manner, the irradiation surface of the light reflected by the reflector 5 can be roughly divided into two, the illuminance of each irradiation surface can be improved, and a wide range can be illuminated. A lighting device can be provided.

反射体５は、図３に示すように、上下方向の幅が、例えば５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されている。また、反射体５は、図３に示すように、左右方向の幅が、例えば５ｍｍ以上７０ｍｍ以下に設定されている。   As shown in FIG. 3, the reflector 5 is set to have a vertical width of, for example, 5 mm or more and 20 mm or less. Moreover, as shown in FIG. 3, the reflector 5 is set to have a width in the left-right direction of, for example, 5 mm to 70 mm.

反射体５は、例えば、アルミナ、チタニア、ジルコニアまたはイットリア等からなる無機粒子からなる反射材を含有する樹脂、あるいは金属材料からなる。反射体５は、反射材を含有した樹脂を用いた場合であれば、樹脂と反射材との屈折率差に起因して光の反射が生じるため、受けた光を拡散することができる。反射体５を樹脂とすることで、角度によっては半導体発光装置３の光源（すなわち、半導体発光素子３３）を、直接反射体５を介して視認することができ、照らされる領域を大きくすることができる。ここで、無機粒子は、屈折率が１．４以上２．０以下のものが好ましい。なお、反射体５に反射材を含有させずに、反射体５の表面をブラスト加工することによって、反射体５の表面の光反射性を向上させてもよい。   The reflector 5 is made of, for example, a resin containing a reflector made of inorganic particles made of alumina, titania, zirconia, yttria, or the like, or a metal material. If the reflector 5 is made of a resin containing a reflective material, light reflection occurs due to the difference in refractive index between the resin and the reflective material, so that the received light can be diffused. By using the reflector 5 as a resin, depending on the angle, the light source of the semiconductor light emitting device 3 (that is, the semiconductor light emitting element 33) can be viewed directly through the reflector 5, and the illuminated area can be enlarged. it can. Here, the inorganic particles preferably have a refractive index of 1.4 or more and 2.0 or less. In addition, you may improve the light reflectivity of the surface of the reflector 5 by carrying out the blast process of the surface of the reflector 5 without making the reflector 5 contain a reflecting material.

発光ダイオードは、特に、配向分布においてサイドローブの光の強度が小さく配向分布の中央部に集中するため、指向性が優れている。そのため、発光ダイオードを用いた照明を店舗内に使用した場合は、店舗内では照明が光っていることを認識することができるが、店舗外から店舗内を見たときは、発光ダイオードの光は店舗内から店舗外に漏れにくくなるため、店舗内が暗く見えてしまう。   In particular, the light-emitting diode has excellent directivity because the intensity of sidelobe light is small in the orientation distribution and concentrated in the center of the orientation distribution. Therefore, when lighting using light emitting diodes is used in the store, it can be recognized that the lighting is shining in the store, but when looking inside the store from outside the store, the light of the light emitting diode is Since the inside of the store is less likely to leak out of the store, the inside of the store looks dark.

本実施形態によれば、フレーム２の外の光透過性基板に反射体５を設け、フレーム２内からの半導体発光素子３３の光を反射体５にて反射させて、フレーム２の外にて半導体発光素子３３の光の進行方向を変化させるとともに、フレーム２の外部に取り出された光を拡散させることができる。その結果、照明装置１は、店舗外から店舗内を見たときも、店舗を明るくすることができ、広範囲を照らすことができる。なお、照明装置１は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   According to the present embodiment, the reflector 5 is provided on the light transmissive substrate outside the frame 2, and the light of the semiconductor light emitting element 33 from inside the frame 2 is reflected by the reflector 5, so that the outside of the frame 2. The light traveling direction of the semiconductor light emitting element 33 can be changed and the light extracted outside the frame 2 can be diffused. As a result, the lighting device 1 can brighten the store and illuminate a wide area even when looking inside the store from outside the store. In addition, the illuminating device 1 is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

＜変形例＞
以下、本発明の実施形態の変形例について説明する。なお、本発明の実施形態の変形例に係る照明装置１のうち、本発明の実施形態に係る照明装置１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。図８から図１１は、一変形例に係る照明装置１を示す図であって、図８から図１１は図３に相当する。 <Modification>
Hereinafter, modifications of the embodiment of the present invention will be described. Note that, in the illuminating device 1 according to the modification of the embodiment of the present invention, the same portions as those of the illuminating device 1 according to the embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. 8 to 11 are diagrams showing the lighting device 1 according to a modification, and FIGS. 8 to 11 correspond to FIG. 3.

上述した実施形態に係る照明装置１は、一対の半導体発光装置３の傾斜角度をそれぞれ、左右対称になるように設けたが、これに限られない。例えば、図８または図９に示すように、一対の半導体発光装置３のうち、一方の半導体発光装置３の傾斜角度と他方の半導体発光装置３の傾斜角度とを異ならせて設けてもよい。   Although the illuminating device 1 which concerns on embodiment mentioned above provided the inclination angle of a pair of semiconductor light-emitting device 3 so that it might become left-right symmetrical, respectively, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 8 or FIG. 9, among the pair of semiconductor light emitting devices 3, the inclination angle of one semiconductor light emitting device 3 may be different from the inclination angle of the other semiconductor light emitting device 3.

一対の半導体発光装置３の傾斜角度を左右非対称にすることで、反射体５にて反射する光の量を反射体５の両側面にて異ならせることができ、反射体５にて反射した光の照らす領域に相当する照射面を所望する態様にすることができる。その結果、本変形例に係る照明装置を店舗内に用いた場合は、店舗内を照らす光と店舗外を照らす光とを調整することができ、店舗内での光と店舗外から店舗内を見たときの光との両方を向上させることもできる。   By making the inclination angle of the pair of semiconductor light emitting devices 3 asymmetrical, the amount of light reflected by the reflector 5 can be made different on both side surfaces of the reflector 5, and the light reflected by the reflector 5 The irradiation surface corresponding to the region illuminated by can be in a desired mode. As a result, when the lighting device according to this modified example is used in a store, the light that illuminates the inside of the store and the light that illuminates the outside of the store can be adjusted. It can also improve both the light when viewed.

また、上述した実施形態に係る照明装置１は、反射体５の傾斜角度は、光透過性基板４の下面に対して垂直となるように設定したが、これに限られない。例えば、図１０に示すように、反射体５ａの傾斜角度を、光透過性基板４の下面に対して垂直とならないように傾斜させてもよい。なお、反射体５ａの傾斜角度θは、光透過性基板４の下面と直交する平面に対して、例えば１０度以上６０度以下に設定されている。   Moreover, although the illuminating device 1 which concerns on embodiment mentioned above was set so that the inclination-angle of the reflector 5 might become perpendicular | vertical with respect to the lower surface of the transparent substrate 4, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 10, the inclination angle of the reflector 5 a may be inclined so as not to be perpendicular to the lower surface of the light transmissive substrate 4. In addition, the inclination angle θ of the reflector 5a is set to, for example, 10 degrees or more and 60 degrees or less with respect to a plane orthogonal to the lower surface of the light transmissive substrate 4.

反射体５ａの傾斜角度を光透過性基板４の下面に対して傾斜させることで、反射体５ａにて反射する光の量を反射体５ａの両側面にて異ならせることができ、反射体５ａにて反射した光の照らす領域に相当する照射面を所望する態様にすることができる。さらに、上述した実施形態に係る照明装置１は、反射体５の両側面を平坦に形成したが、これに限られない。例えば、図１１に示すように、反射体５ｂの側面に凹部５Ｐを設けてもよい。   By inclining the inclination angle of the reflector 5a with respect to the lower surface of the light-transmitting substrate 4, the amount of light reflected by the reflector 5a can be made different on both side surfaces of the reflector 5a. The irradiation surface corresponding to the region illuminated by the light reflected at can be changed to a desired mode. Furthermore, although the illuminating device 1 which concerns on embodiment mentioned above formed the both sides | surfaces of the reflector 5 flatly, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 11, you may provide the recessed part 5P in the side surface of the reflector 5b.

反射体５ｂの側面に凹部５Ｐを設けることで、反射体５ｂにて反射する光の量を反射体５ｂの両側面にて異ならせることができ、反射体５ｂにて反射した光の照らす領域に相当する照射面を所望する態様にすることができる。   By providing the concave portion 5P on the side surface of the reflector 5b, the amount of light reflected by the reflector 5b can be made different on both side surfaces of the reflector 5b, and the region reflected by the light reflected by the reflector 5b is illuminated. The corresponding irradiation surface can be in a desired mode.

＜照明装置の製造方法＞
図１に示す照明装置の製造方法を説明する。まず、図６に示す半導体発光素子３３を準備する。実装基板３３１および枠体３３３が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。 <Manufacturing method of lighting device>
A method for manufacturing the lighting device shown in FIG. 1 will be described. First, the semiconductor light emitting device 33 shown in FIG. 6 is prepared. When the mounting substrate 331 and the frame 333 are made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the aluminum oxide raw material powder to obtain a mixture.

実装基板３３１は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体３３３は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前の実装基板３３１および枠体３３３が取り出される。   In the mounting substrate 331, the mixture is formed into a sheet-like ceramic green sheet. The frame 333 is filled with the mixture in the mold and dried, and the mounting substrate 331 and the frame 333 before sintering are taken out.

また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した実装基板３３１となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体３３３は、所望の温度で焼結されることにより形成される。   Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. And it prints with the predetermined pattern on the taken out ceramic green sheet used as the mounting substrate 331, laminates and fires a plurality of ceramic green sheets, and cuts into a predetermined shape. The frame 333 is formed by sintering at a desired temperature.

次に、実装基板３３１上の配線パターンに光半導体素子３３２を、半田を介して電気的に接続した後、光半導体素子３３２を取囲むように枠体３３３を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体３３３で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、シリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂３３４を形成する。   Next, after the optical semiconductor element 332 is electrically connected to the wiring pattern on the mounting substrate 331 via solder, the frame 333 is placed on the substrate with an adhesive such as an acrylic resin so as to surround the optical semiconductor element 332. Glue through. The region surrounded by the frame body 333 is filled with, for example, a silicone resin, and the silicone resin is cured, thereby forming the sealing resin 334.

次に、波長変換部３３６を準備する。波長変換部３３６は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えば、ドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部３３６は、未硬化の波長変換部３３６を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることができる。そして、準備した波長変換部３３６を枠体３３３上に、例えば樹脂からなる接着樹脂３３５を介して接着することで、半導体発光素子３３を作製することができる。   Next, the wavelength conversion unit 336 is prepared. The wavelength conversion unit 336 can be manufactured by mixing a phosphor with an uncured resin and using a sheet forming technique such as a doctor blade method, a die coater method, an extrusion method, a spin coating method, or a dip method. it can. For example, the wavelength conversion unit 336 can be obtained by filling the mold with the uncured wavelength conversion unit 336, curing it, and taking it out. And the semiconductor light emitting element 33 is producible by adhere | attaching the prepared wavelength conversion part 336 on the frame 333 via the adhesive resin 335 which consists of resin, for example.

次に、フレーム２を準備する。フレーム２は、例えば、押出成形法によって一体に成形されている。しかしながら必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらをネジ等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。   Next, the frame 2 is prepared. The frame 2 is integrally formed by, for example, an extrusion method. However, it is not always necessary to form by integral molding, and each member may be manufactured separately and fastened with fastening means such as screws, or each member may be bonded and integrated with an adhesive. Good.

さらに、基板３１を準備する。基板３１は、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、基板３１に半導体発光素子３３を、半田を介して電気的に実装するとともに、リフレクター３２を取り付ける。また、基板３１の他主面に駆動部３４を実装し、このようにして、半導体発光装置３を作製することができる。次に、半導体発光装置３をフレーム２内に収容し、固定部材６を介して基板３１をフレーム２に固定する。そして、フレーム２に光透過性基板４を取り付けて、光透過性基板４に反射体５を設けることで、照明装置１を作製することができる。   Further, a substrate 31 is prepared. As the substrate 31, for example, a printed wiring board can be used. Then, the semiconductor light emitting element 33 is electrically mounted on the substrate 31 via solder, and the reflector 32 is attached. Further, the drive unit 34 is mounted on the other main surface of the substrate 31, and thus the semiconductor light emitting device 3 can be manufactured. Next, the semiconductor light emitting device 3 is accommodated in the frame 2, and the substrate 31 is fixed to the frame 2 through the fixing member 6. And the illuminating device 1 can be produced by attaching the light transmissive substrate 4 to the frame 2 and providing the reflector 5 on the light transmissive substrate 4.

１ 照明装置
２ フレーム
２１ 螺子孔
２２ 当接部
２３ 嵌合部
２４ 空洞部
２５ 保持部
２６ 支持体
２６ａ 貫通孔
３ 半導体発光装置
３１ 基板
３２ リフレクター
３３ 半導体発光素子
３３１ 実装基板
３３２ 光半導体素子
３３３ 枠体
３３４ 封止樹脂
３３５ 接着樹脂
３３６ 波長変換部
３４ 駆動部
３５ 封止樹脂
４ 光透過性基板
５ 反射体
６ 固定部材
Ｈ 開口部
Ｄ 隙間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Illuminating device 2 Frame 21 Screw hole 22 Contact part 23 Fitting part 24 Cavity part 25 Holding part 26 Support body 26a Through hole 3 Semiconductor light-emitting device 31 Substrate 32 Reflector 33 Semiconductor light-emitting element 331 Mounting substrate 332 Optical semiconductor element 333 Frame body 334 Sealing resin 335 Adhesive resin 336 Wavelength conversion unit 34 Drive unit 35 Sealing resin 4 Light transmissive substrate 5 Reflector 6 Fixing member H Opening portion D Gap

Claims (4)

一対の開口部を有するフレームと、
前記一対の開口部内のそれぞれに設けられた、前記開口部外に光を照射する複数の半導体発光素子と、
前記フレームに設けられた、前記一対の開口部を覆う光透過性基板と、
前記光透過性基板に設けられ、前記フレーム外であって且つ断面視して前記一対の開口部によって挟まれる領域に配置された、前記半導体発光素子からの光を前記フレーム外にて反射する反射体と、を備えたことを特徴とする照明装置。 A frame having a pair of openings;
A plurality of semiconductor light emitting elements provided in each of the pair of openings and irradiating light outside the openings;
A light-transmitting substrate provided on the frame and covering the pair of openings;
A reflection that is provided on the light-transmitting substrate and is disposed outside the frame and in a region sandwiched by the pair of openings in a cross-sectional view, and reflects light from the semiconductor light-emitting element outside the frame. A lighting device comprising: a body; 請求項１に記載の照明装置であって、
前記一対の開口部内に設けられた複数の半導体発光素子は、前記一対の開口部内のそれぞれにおいて直線状に配置されており、
前記反射体は、前記直線状に配置されている前記複数の半導体発光素子に沿って設けられていることを特徴とする照明装置。 The lighting device according to claim 1,
The plurality of semiconductor light emitting elements provided in the pair of openings are arranged linearly in each of the pair of openings,
The reflector is provided along the plurality of semiconductor light emitting elements arranged in a straight line. 請求項１または請求項２に記載の照明装置であって、
前記反射体の側面には、凹部が設けられていることを特徴とする照明装置。 The lighting device according to claim 1 or 2,
A lighting device, wherein a concave portion is provided on a side surface of the reflector. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の照明装置であって、
前記反射体は、光を反射する反射材を含有した樹脂体であることを特徴とする照明装置。 A lighting device according to any one of claims 1 to 3,
The said reflector is a resin body containing the reflecting material which reflects light, The illuminating device characterized by the above-mentioned.

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