JP2012156384A - 光デバイス、発光デバイス、及び傾斜機能材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一方の面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、(3−メルカプトプロピル)トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含む電極腐食防止剤を有し、他方の面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、ジアルコキシジメチルシランからなるポリシロキサン化合物を含む封止材を有するとともに、一方の面側から他方の面側に向かって前記シロキサン化合物と前記ポリシロキサン化合物との組成比が傾斜的に変化していることを特徴とする傾斜機能材、及びこれを用いた発光デバイスを提供する。
【選択図】図4
Description
本発明に係る光デバイスは、金属電極を有する光デバイスにおいて、前記金属電極が、前記金属電極に接する面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、(3−メルカプトプロピル)トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含む電極腐食防止剤を有し、前記金属電極に接する面と反対の面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、ジアルコキシジメチルシランからなるポリシロキサン化合物を含む封止材を有するとともに、前記金属電極に接する面側から前記反対の面側に向かって前記シロキサン化合物と前記ポリシロキサン化合物との組成比が傾斜的に変化していることを特徴とする傾斜機能材で形成された封止層で覆われていることを特徴とする。
これにより、電極腐食防止剤と封止材による傾斜機能材を形成することができる。
これにより、硬化時間を短縮でき、傾斜機能材の形成工程時間を短縮することができる。
これにより、耐腐食性を保ちつつ、クラック等の発生を防ぐことができる。
図1から図3は、本発明の発光デバイスの一実施形態を形成する工程を示すための概略断面図であり、図4は本発明の発光デバイスの一実施形態を示す概略断面図である。
図1は、基板上に金属電極を形成する工程(金属電極形成工程)と、反射部材を設置する工程(反射部材設置工程)を示す図である。
図5は本発明の発光デバイスの別の実施形態における電極腐食防止剤塗布工程を示す概略断面図である。
図7は本発明の発光デバイスの別の実施形態における電極腐食防止剤塗布工程を示す概略断面図である。
図8に示すように、傾斜機能材によって凹形状内を封止されている発光デバイス1が形成される。図6と同様に、基板3の外部電極を形成する面と反対の面上に一部電極腐食防止剤8が形成されている。これは、発光デバイス1の性能を妨げる要因にはならないため、剥離等により、必ずしも除去する必要はない。
以下、発光デバイスにおける腐食性試験により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の試験例に限定されるものではない。
本発明の電極腐食防止剤を石英ガラス上に塗布し、80℃で5分間放置して脱溶媒させた電極腐食防止剤に、本発明の封止材を1.5mmの厚みとなるように塗布し、150℃で2時間放置した試料と、市販シリコーン樹脂(KER2500;信越シリコーン)を石英ガラス上に1.5mm厚に塗布し、硬化させた試料とを作製した。これらの試料の波長450nmにおける透過率を、石英ガラスをブランク(対照)として測定した。結果を表2に示す。
透過性試験と同様の試料を作製し、波長450nmにおける透過率を測定した。紫外線ロングライフカーボンアークランプを用いて、100時間紫外線を照射した後、再度、波長450nmにおける透過率を測定し、変化率を求めた。結果を表2に示す。
2 反射部材
3 基板
4、5 金属電極
6 光半導体素子
7 ワイヤーボンド
8 電極腐食防止剤
9 封止層
11、12 外部電極
13 貫通電極
14、15 金属電極
16 反射膜
17 シリコーン樹脂
Claims (7)
- 金属電極を有する光デバイスにおいて、
前記金属電極は、前記金属電極に接する面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、(3−メルカプトプロピル)トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含む電極腐食防止剤を有し、前記金属電極に接する面と反対の面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、ジアルコキシジメチルシランからなるポリシロキサン化合物を含む封止材を有するとともに、前記金属電極に接する面側から前記反対の面側に向かって前記シロキサン化合物と前記ポリシロキサン化合物との組成比が傾斜的に変化していることを特徴とする傾斜機能材で形成された封止層で覆われていることを特徴とする光デバイス。 - 前記シロキサン化合物は、テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシラン:(3−メルカプトプロピル)トリエトキシシランをモル比30〜60:30〜60:1で混合した化合物であり、
前記ポリシロキサン化合物は、ジエトキシジメチルシラン:テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシランをモル比78〜156:1:1で混合した化合物であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。 - 基板と、前記基板に実装された光半導体素子と、前記基板上に形成され、前記光半導体素子と電気的に接続する金属電極と、前記光半導体素子及び前記金属電極を覆う封止層と、を備える発光デバイスにおいて、
前記封止層は、前記金属電極に接する面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、(3−メルカプトプロピル)トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含む電極腐食防止剤を有し、前記金属電極に接する面と反対の面側にテトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、ジアルコキシジメチルシランからなるポリシロキサン化合物を含む封止材を有するとともに、前記金属電極に接する面側から前記反対の面側に向かって前記シロキサン化合物と前記ポリシロキサン化合物との組成比が傾斜的に変化している傾斜機能材で形成されていることを特徴とする発光デバイス。 - 前記シロキサン化合物は、テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシラン:(3−メルカプトプロピル)トリエトキシシランをモル比30〜60:30〜60:1で混合した化合物であり、
前記ポリシロキサン化合物は、ジエトキシジメチルシラン:テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシランをモル比78〜156:1:1で混合した化合物であることを特徴とする請求項3に記載の発光デバイス。 - テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、(3−メルカプトプロピル)トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含む電極腐食防止剤を金属電極上に塗布する電極腐食防止剤塗布工程と、
テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、ジアルコキシジメチルシランからなるポリシロキサン化合物を含む封止材を前記電極腐食防止剤上に塗布する封止材塗布工程と、
前記電極腐食防止剤と前記封止材とを同時に硬化させる硬化工程とを備えることを特徴とする傾斜機能材の製造方法。 - 前記硬化工程において、マイクロ波を照射することを特徴とする請求項5に記載の傾斜機能材の製造方法。
- 前記電極腐食防止剤塗布工程において、前記電極腐食防止剤を0.5μm〜6μmの厚さで塗布することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の傾斜機能材の製造方法。
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