JP2012151357A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012151357A JP2012151357A JP2011010003A JP2011010003A JP2012151357A JP 2012151357 A JP2012151357 A JP 2012151357A JP 2011010003 A JP2011010003 A JP 2011010003A JP 2011010003 A JP2011010003 A JP 2011010003A JP 2012151357 A JP2012151357 A JP 2012151357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dopant
- dielectric
- capacitor
- ferroelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 61
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 228
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 85
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 129
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 954
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 139
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 70
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 59
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 50
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 50
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 45
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004491 TaAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004465 TaAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010052 TiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 1
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZEADQZDBXGRSM-UHFFFAOYSA-N bismuth lanthanum Chemical compound [La].[Bi] RZEADQZDBXGRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置は、下部電極41と、強誘電体膜36と、上部電極35とから形成されるキャパシタ42を有する。強誘電体膜36は、PZTから形成され、膜厚方向の中央部分のTiの含有量が他の領域の比べて多くなっている。Tiの分布は、膜厚方向の中央から上下の電極35,41に向けて減少するような分布である。さらに、Srなどのドーパント元素の含有量が、下部電極41との界面で最も多く、上部電極35に向けて減少する分布を有する。
【選択図】図2
Description
化に伴って反転電荷量の立ち上がりは速くなるが、飽和反転電荷量(最大電荷量)が小さかった。また、従来の強誘電体メモリでは、電荷分布の偏りを変化させるために必要な抗電圧を低下させ難かった。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない。
第1実施形態による半導体装置及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。本実施形態による半導体装置は、メモリセルの構造がプレーナ型であることを特徴とする。
まず、n型又はp型のシリコン(半導体)シリコン基板1の表面を熱酸化することにより素子分離絶縁膜2を形成し、この素子分離絶縁膜2でトランジスタの活性領域を画定する。このような素子分離構造は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)と呼ばれる。素子分離領域には、STI(Shallow Trench Isolation)を用いても良い。
さらに、シリコン基板1の全面に、例えば、スパッタリング法によりコバルト膜等の高融点金属膜を形成する。この後、高融点金属膜を加熱してシリコンと反応させる。これにより、ソース/ドレイン拡散層11におけるシリコン基板1上にコバルトシリサイド層等の高融点金属シリサイド層が形成され、各ソース/ドレイン拡散層11が低抵抗化する。この後、素子分離絶縁膜2の上などに未反応のまま残っている高融点金属膜を例えばウエットエッチングにより除去する。これにより、ソース/ドレイン拡散層11上に、例えばコバルトシリサイドで形成されるソース/ドレイン電極12Aが形成される。また、ゲート電極6の上部に、例えばコバルトシリサイドからなるシリサイド層12Bが形成される。
さらに、酸化防止絶縁膜13の上に、第1層間絶縁膜14として酸化シリコン(SiO2)膜をTEOS(tetra ethoxy silane)ガスを使用するプラズマCVD法により、約1000nmの厚さに形成する。この後、第1層間絶縁膜14を例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)法で研磨し、その上面を平坦化する。この研磨により、シリコン基板1の表面から第1層間絶縁膜14の表面までの膜厚が例えば785nmになる。
まず、第1層間絶縁膜14及び導電性プラグ16の全面に、第2層間絶縁膜19を形成する。第2層間絶縁膜19は、後の強誘電体キャパシタを形成する工程において、酸化性ガスを用いた酸素雰囲気中でアニールしたときに導電性プラグ16が酸化することを防ぐために成膜される。この実施形態では、第2層間絶縁膜19として、最初にシリコン窒化酸化膜19Aを例えばプラズマCVD法を用いて形成する。シリコン窒化酸化膜19Aの膜厚は、例えば100nmとする。さらに、シリコン窒化酸化膜19Aの全面に、シリコン酸化膜19Bを例えばプラズマTEOSガスを用いたCVD法により形成する。シリコン酸化膜19Bの膜厚は、例えば130nmとする。酸化防止膜として機能する第2層間絶縁膜19は、シリコン窒化酸化膜19Aとシリコン酸化膜19Bの積層膜に限定されない。第2層間絶縁膜19は、例えば、シリコン窒化膜や酸化アルミニウム膜を用いて形成しても良い。
最初に、第1導電膜25の全面に、第1のドーパント層26(下部ドーパント層)を形成する。第1のドーパント層26は、第1のドーパント元素(下部ドーパント元素)として、La、Sr、Ca、Ru、Ir、Nb、Biなどを1種類又は複数種類含んで形成されている。
)O3、(Pb,La,Ca)(Zr,Nb,Ti)O3、(Pb,La,Ca,Bi)(Zr,Ti)O3、(Pb,La,Ca,Bi)(Zr,Nb,Ti)O3、(Pb,La,Ca,Sr)(Zr,Ir,Ti)O3などが用いられる
第1の誘電体膜27としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT;PbZrxTi1−xO3)膜(0≦x≦1)が用いられる。又は、Ca、Sr、Laが少なくともに一つ元素添加されたチタン酸ジルコン酸鉛や、ビスマス層状結晶構造を持つ(Bi,Sr)TiO3、(Bi,La)4Ti3O12膜を用いても良い。
誘電体膜27,29の成膜方法は、スパッタリング法に限定されない。例えば、MOC
VD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition、有機金属化学気相成長)法、ゾル・ゲル法、有機金属分解(MOD、Metal-Organic Decomposition)法、化学溶液堆積(CSD、Chemical Solution Deposition)法、CVD法、等により、アモルファス状の誘電体膜27,29を形成しても良い。これらの方法で第1の誘電体膜27を例えば30nmの厚さに形成し、第2のドーパント層28を形成した後、第2の誘電体膜29を例えば30nmの膜厚に形成する。
また、第1のドーパント層26のLa,Sr,Ru,Ir,Nb,Bi,Caなどの第1のドーパント元素が、熱処理によって第1の誘電体膜27中に拡散すると共に、第1の誘電体膜27と第1導電膜25との界面が良好になる。
また、第1導電膜25が酸化膜である場合には、熱処理の際に第1の導電膜25中から酸素が放出される。第1導電膜25から放出される酸素は、第1の誘電体膜27における酸素欠損を補償する。その結果、結晶性の良好な第1誘電体膜27が得られる。さらに、第1の誘電体膜27と第1導電膜25の界面がフラットに形成される。
最初に、誘電体膜30の全面に、アモルファス誘電体膜31を例えばスパッタリング法により、1nm〜30nm(例えば10nm)の膜厚に形成する。
最初に、フォトレジスト膜34Aをマスクとして、保護膜34、第2導電膜33、及び導電性酸化膜32をエッチングする。これにより、導電性酸化膜32と第2導電膜33とを有するキャパシタの上部電極35が形成される。エッチング後は、フォトレジスト膜34Aをアッシングなどにより剥離する。続いて、例えば、ドライエッチングにより保護膜34を除去する。
酸化アルミニウム膜64の成膜条件は、成膜室を内圧1PaのArガス雰囲気とし、スパッタパワーは2.0kWとする。RFマグネトロンスパッタリングを40sec〜100sec行い、膜厚20〜50nmが酸化アルミニウム膜64を形成する。
第1保護膜38の全面に、不図示のフォトレジスト膜を例えばスピンコート法により形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜を下部電極の平面形状にパターニングする。
に生じる蒸し焼きを防げる。酸素を含有する雰囲気としては、酸素のみの雰囲気、アルゴン及び酸素を含有する雰囲気、並びに、窒素及び酸素を含有する雰囲気等が挙げられる。
まず、第2保護膜45の全面に、第3層間絶縁膜48を例えばTEOSガスを用いたプラズマCVD法により形成する。第3層間絶縁膜48としては、例えばシリコン酸化膜を形成する。第3層間絶縁膜48の膜厚は、例えば1400nm程度とする。この後、第3層間絶縁膜48の表面を例えばCMP法を用いて平坦化する。
り行う。
最初に、各コンタクトホール51A,51Bに導電性プラグ54A,54Bを形成すると共に、各スルーホール52に導電性プラグ55を形成する。導電性プラグ54A,54B,55の形成方法は、前記と同様である。この後、導電性プラグ53,54A,54Bをプラズマ洗浄する。プラズマ洗浄に用いるガスは、例えばArガスとする。これにより、導電性プラグ54A,54B,55の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。
の欠陥が少なくなるので、キャパシタ42のリーク電流も小さくなる。
り、反転電荷量の立ち上がりを速くなった。
これらの結果から、キャパシタ42をより低電圧に動作させるためには、第2のドーパント層28の膜厚を3nm以下にすることが望ましい。また、シリコン基板1の面内分布を均一に成膜する観点からは、第2のドーパント層28の膜厚は0.1nm以上であることが好ましい。
本発明の第2の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第1の実施の形態と重複する説明
は省略する。
本発明の第3の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1、第2の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第1、第2の実施の形態と重複する説明は省略する。
7のPZT膜内に第1のドーパント層26のドーパント元素が拡散する。続いて、第2の誘電体膜29としてPZT膜を形成し、その上に導電性酸化膜32を形成する。その後、積層膜をパターニングすることにより、上部電極35と、強誘電体膜36と、下部電極41とを有するキャパシタ42Dが形成される。
キャパシタ42Dは、La、Sr、Ruが下部電極41と強誘電体膜36の界面に最も多く、膜厚方向の上側に向かうに従って徐々に減衰するので、強誘電体膜36と下部電極41の界面が改善され、キャパシタ42Dの耐疲労特性が向上した。強誘電体膜36と下部電極41の界面が改善されたので、キャパシタ42Dの耐インプリント特性が向上した。
本発明の第4の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1から第3の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第1から第3の実施の形態と重複する説明は省略する。
本発明の第5の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1から第4の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第1から第4の実施の形
態と重複する説明は省略する。
また、第2の誘電体膜29を形成した後で、熱処理をせずに、アモルファス誘電体膜31及び第3のドーパント層26Aを形成しても良い。第3のドーパント層26Aを形成した後の熱処理において、第2のドーパント層28のTiが誘電体膜27,29中に拡散する。
本発明の第6の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1から第5の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第1から第5の実施の形態と重複する説明は省略する。
PZT膜を形成する。この積層膜に対して熱処理することにより、第1の誘電体膜27のPZT膜内に第1のドーパント元素が拡散する。さらに、第1、第2の誘電体膜27,29のPZT膜内に第2のドーパント元素が拡散する。
また、第2の誘電体膜29を形成した後で、熱処理をせずに、アモルファス誘電体膜31及び第3のドーパント層26Aを形成しても良い。熱処理は、第2の誘電体膜29を形成した後と第3のドーパント層26Aを形成した後の2回実施しても良いし、第3のドーパント層26Aを形成した後の1回のみでも良い。
本発明の第7の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。本実施形態による半導体装置は、メモリセルの構造がスタック型であることを特徴とする。第1から第6の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第1から第6の実施の形態と重複する説明は省略する。
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、第2層間絶縁膜104に導電性プラグ16に達
するコンタクトホール105を形成する。
まず、第2層間絶縁膜104全面に、下地膜115を形成する。下地膜115は、最初にTi膜を例えばスパッタリング法により100〜300nmの膜厚に形成する。ここでは、Ti膜の膜厚を100nm程度とする。次に、例えばRTA法により、窒素雰囲気中にて熱処理を行う。熱処理温度は、例えば650℃とする。熱処理時間は、例えば60secとする。この熱処理により、Ti膜からTiN膜が形成され、下地膜115となる。下地膜115によって、導電性プラグ106の凹部110が埋められる。
第1の誘電体膜127として、PZTをMOCVD法により形成する際には、Pb、Zr、Tiの各液体原料を気化することにより原料ガスを生成し、かかる原料ガスを用いてPZT膜を形成する。
第1の誘電体膜27をMOCVD法により形成する際の条件は、以下の通りとする。即ち、成膜室内の圧力は、例えば665Paとする。基板温度は、例えば410℃とする。成膜時間は、例えば210secとする。
の誘電体膜127、第2のドーパント層128、第2の誘電体膜129の積層膜を熱処理して誘電体膜127,129を結晶化する。より具体的には、不活性ガス(例えばアルゴン)と酸素ガスとを含む混合ガスの雰囲気中にて、誘電体膜127,129を熱処理する。熱処理時間は、例えば90secとする。O2ガスの流量を20sccm〜70sccmにすると、誘電体膜50の結晶性が向上する。ここでは、酸素ガスの流量を、例えば25sccmとする。また、熱処理温度は、例えば600℃とする。この熱処理は、誘電体膜127,129を結晶化すると共に、第1、第2のドーパント層126,128のドーパント元素が誘電体膜127,129中に拡散する。第1のドーパント層126の第1のドーパント元素が第1の誘電体膜127中に拡散する。第2のドーパント層128のTiは、誘電体膜127,128のそれぞれに拡散する。
最初に、誘電体膜130の全面に、アモルファス誘電体膜131を例えばスパッタリング法により形成する。アモルファス誘電体膜131の膜厚は、例えば1nm〜30nm(例えば10nm)とする。
次に、第2保護膜136の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜137を形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜137をキャパシタの平面形状にパターニングする。
最初に、フォトレジスト膜137をマスクとして、第2保護膜136をエッチングする。さらに、エッチングされた第2保護膜136をマスクとして、第1保護膜135をエッチングする。このようにエッチングされた保護膜135,136によって、ハードマスクが形成される。
メージを回復させ、キャパシタ144の電気的特性を向上するためのものである。熱処理条件は、例えば500℃〜700℃とする。熱処理時間は、例えば30分〜120分とする。
続いて、第1保護膜145の上を覆うように、第2保護膜146としてステップカバレッジが良好な酸化アルミニウム膜を第1の実施の形態の第2保護膜45と同様に形成する。この後、シリコン基板1は、オゾンを含む雰囲気中と、酸素を含む雰囲気中のそれぞれで熱処理される。
最初に、第2保護膜146の全面に、第3層間絶縁膜151としてシリコン酸化膜を例えばプラズマTEOSCVD法により1.5μmの膜厚に形成する。その後、第3層間絶縁膜151の表面を例えばCMP法により平坦化する。
さらに、第3保護膜152の全面に、第4層間絶縁膜153として、例えばシリコン酸化膜をプラズマTEOSCVD法により800nm〜1μmの膜厚に形成する。この後、例えばCMP法により、第4層間絶縁膜153の表面を平坦化する。
さらに、コンタクトホール155に導電性プラグ157を形成すると共に、コンタクトホール156に導電性プラグ158を形成する。導電性プラグ157,158の形成方法は、導電性プラグ16の形成方法と同様である。その後、シリコン基板1をプラズマ洗浄する。プラズマ洗浄に用いるガスは、例えばArガスとする。これにより、導電性プラグ157、158の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。
また、キャパシタ144の構成は、第2から第6の実施の形態のいずれかであっても良い。この場合の半導体装置の製造方法、作用及び効果は、第2から第6の実施の形態と同様である。
(付記1) 基板の上方に形成された下部電極と、前記基板の上方に形成された上部電極と、前記上部電極と前記下部電極の間に形成され、チタン元素を含有し、前記チタン元素の含有量が膜厚方向の中央部分から前記上部電極及び前記下部電極に向けて減少する強誘電体膜と、を含むことを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記強誘電体膜は、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を第1のドーパント元素として含み、前記強誘電体膜中の前記第1のドーパント元素の含有量は、前記下部電極と前記上部電極の少なくとも一方と前記強誘電体膜との界面から、前記強誘電体膜の膜厚方向の中央部分に向けて減少していることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3) 基板の上方に形成された下部電極と、前記基板の上方に形成された上部電極と、La、Sr、Ca、Nb、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素の含有量が前記上部電極との界面から前記下部電極に向けて減少する強誘電体と、を含むことを特徴とする半導体装置。
(付記4) 基板の上方に形成された下部電極と、前記基板の上方に形成された上部電極と、前記上部電極と前記下部電極の間に形成され、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種の元素の含有量が前記下部電極との界面から前記上部電極に向けて減少する強誘電体と、を含むことを特徴とする半導体装置。
(付記5) 基板の上方に形成された下部電極と、前記基板の上方に形成された上部電極と、前記上部電極と前記下部電極の間に形成され、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種の元素の含有量が、前記下部電極との界面、及び前記上部電極との界面のそれぞれから膜厚方向の中央部分に向けて減少する強誘電体膜と、を含むことを特徴とする半導体装置。
(付記6) 基板の上方に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の上方に、
第1の誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜の上に、ドーパント元素としてチタン元素を含有するドーパント層を形成する工程と、前記チタン元素を含有するドーパント層の上に、第2の誘電体膜を形成する工程と、熱処理によってドーパント元素を前記第1の誘電体膜中及び前記第2の誘電体膜中に拡散させ、ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程と、前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させた誘電体膜の上方に、第2の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記7) 前記チタン元素を含有するドーパント層は、1nmから3nmの膜厚に形成することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8) ドーパント元素を前記第1の誘電体膜中及び前記第2の誘電体膜中に拡散させた後、前記第2の誘電体膜の上にアモルファス誘電体膜を形成する工程を有し、前記アモルファス誘電体膜の上に前記第2の誘電体膜を形成した後、熱処理で前記アモルファス誘電体膜を結晶化させることを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9) 前記第1の導電膜の上に、下部ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を有する下部ドーパント層を形成する工程を含み、前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程は、前記下部ドーパント元素を前記第1の誘電体膜中に拡散させることを含むことを特徴とする付記6乃至付記8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記第2の誘電体膜の上に、上部ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru及びBiから選択された少なくとも1種類の元素を有する上部ドーパント層を形成する工程を含み、前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程は、前記上部ドーパント元素を前記第2の誘電体膜中に拡散させることを含むことを特徴とする付記6乃至付記9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11) 基板の上方に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の上に、ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を有する下部ドーパント層を形成する工程と、前記下部ドーパント層の上に、誘電体膜を形成する工程と、熱処理によって前記下部ドーパント層のドーパント元素を前記誘電体膜中に拡散させ、ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程と、前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させた誘電体膜の上方に、第2の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12) 前記下部ドーパント層は、0.1nmから3nmの膜厚に形成することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13) 基板の上方に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の上方に、誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜の上に、ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を有する上部ドーパント層を形成する工程と、熱処理によって前記上部ドーパント層のドーパント元素を前記誘電体膜中に拡散させ、ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程と、前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させた誘電体膜の上方に、第2の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記14) 基板の上方に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の上方に、第1の誘電体膜としてアモルファス誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜を熱処理によって結晶化する工程と、結晶化させた前記第1の誘電体膜の上に、第2の誘電体膜としてアモルファス誘電体膜を形成する工程と、前記第2の誘電体膜の上に、ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を有する上部ドーパント層を形成する工程と、熱処理によって前記第2の誘電体膜を結晶化すると共に、前記上部ドーパント層のドーパント元素を前記誘電体膜中に拡散させ、ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程と、前記第2の誘電体膜の上方に、第2の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記15) 前記上部ドーパント層は、0.1nmから3nmの膜厚に形成することを特徴とする付記10、付記13び付記14に記載の半導体装置の製造方法。
(付記16) 前記ドーパント元素を含む誘電体膜の総膜厚を30nm以上100nm以下に形成することを特徴とする付記6乃至付記15のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
25,119 第1導電膜
26,126 第1のドーパント層(下部ドーパント層)
26A 第3のドーパント層(上部ドーパント層)
27,127 第1の誘電体膜
28,128 第2のドーパント層
29,129 第2の誘電体膜
33 第2導電膜
35,141 上部電極
36,142 強誘電体膜
41,143 下部電極
42,42A,42B,42C,42D,42E,42F,42G,42G,42H,42I,42J,42K,144 キャパシタ
Claims (5)
- 基板の上方に形成された下部電極と、
前記基板の上方に形成された上部電極と、
前記上部電極と前記下部電極の間に形成され、チタン元素を含有し、前記チタン元素の含有量が膜厚方向の中央部分から前記上部電極及び前記下部電極に向けて減少する強誘電体膜と、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記強誘電体膜は、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を第1のドーパント元素として含み、前記強誘電体膜中の前記第1のドーパント元素の含有量は、前記下部電極と前記上部電極の少なくとも一方と前記強誘電体膜との界面から、前記強誘電体膜の膜厚方向の中央部分に向けて減少していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板の上方に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜の上方に、第1の誘電体膜を形成する工程と、
前記第1の誘電体膜の上に、ドーパント元素としてチタン元素を含有するドーパント層を形成する工程と、
前記チタン元素を含有するドーパント層の上に、第2の誘電体膜を形成する工程と、
熱処理によってドーパント元素を前記第1の誘電体膜中及び前記第2の誘電体膜中に拡散させ、ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程と、
前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させた誘電体膜の上方に、第2の導電膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の導電膜の上に、下部ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ir、Ru、Biから選択された少なくとも1種類の元素を有する下部ドーパント層を形成する工程を含み、
前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程は、前記下部ドーパント元素を前記第1の誘電体膜中に拡散させることを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の誘電体膜の上に、上部ドーパント元素として、La、Sr、Ca、Nb、Ru及びBiから選択された少なくとも1種類の元素を有する上部ドーパント層を形成する工程を含み、
前記ドーパント元素の含有量を膜厚方向で変化させる工程は、前記上部ドーパント元素を前記第2の誘電体膜中に拡散させることを含むことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011010003A JP5655585B2 (ja) | 2011-01-20 | 2011-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011010003A JP5655585B2 (ja) | 2011-01-20 | 2011-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012151357A true JP2012151357A (ja) | 2012-08-09 |
JP5655585B2 JP5655585B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=46793318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011010003A Expired - Fee Related JP5655585B2 (ja) | 2011-01-20 | 2011-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5655585B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2708993A2 (en) | 2012-09-13 | 2014-03-19 | Wacom Co., Ltd. | Position indicator of electromagnetic induction system and electronic ink cartridge |
EP2713243A2 (en) | 2012-09-26 | 2014-04-02 | Wacom Co., Ltd. | Position pointer and electronic ink cartridge |
JP2014127614A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Fujitsu Ltd | 強誘電体メモリの製造方法及び強誘電体メモリ |
CN112133700A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 无锡拍字节科技有限公司 | 铁电存储器件及其形成方法 |
US20220351768A1 (en) * | 2017-05-09 | 2022-11-03 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric devices and ferroelectric memory cells |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142657A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Fujitsu Ltd | 強誘電体キャパシタおよび半導体装置 |
JP2004207628A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2006060174A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 容量素子およびそれを用いた半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2009004679A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2011
- 2011-01-20 JP JP2011010003A patent/JP5655585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142657A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Fujitsu Ltd | 強誘電体キャパシタおよび半導体装置 |
JP2004207628A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2006060174A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 容量素子およびそれを用いた半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2009004679A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2708993A2 (en) | 2012-09-13 | 2014-03-19 | Wacom Co., Ltd. | Position indicator of electromagnetic induction system and electronic ink cartridge |
EP2713243A2 (en) | 2012-09-26 | 2014-04-02 | Wacom Co., Ltd. | Position pointer and electronic ink cartridge |
JP2014127614A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Fujitsu Ltd | 強誘電体メモリの製造方法及び強誘電体メモリ |
US20220351768A1 (en) * | 2017-05-09 | 2022-11-03 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric devices and ferroelectric memory cells |
CN112133700A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 无锡拍字节科技有限公司 | 铁电存储器件及其形成方法 |
JP2022536770A (ja) * | 2019-06-24 | 2022-08-18 | ウーシー ペタバイト テクノロジ カンパニー リミテッド | 強誘電体メモリデバイス及びその形成方法 |
JP7340881B2 (ja) | 2019-06-24 | 2023-09-08 | 无錫舜銘存儲科技有限公司 | 強誘電体メモリデバイス及びその形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5655585B2 (ja) | 2015-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100989086B1 (ko) | 반도체 장치와 그 제조 방법 | |
JP5668303B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US8236643B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device including ferroelectric capacitor | |
US8067817B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5140972B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20090127603A1 (en) | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof | |
JPWO2007116442A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5125510B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008226995A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US8664011B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device | |
US20130130407A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2007266429A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5655585B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20150084160A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5347381B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4983172B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005217044A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5994466B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2009105223A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011223031A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008192914A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5200581B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008091482A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5104850B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009105228A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5655585 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |