JP2012137437A - ガスサンプリング装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス流れ中に配置されたプローブ管12の先側部位14で、先端部R1の横断面をくさび形状に形成し、くさび形状の先端に先端開口24aを配置すると共に、該先端開口をガス流れに対して対面するように配置し、先端部R1を含むプローブ管12の先端側領域R2で、プローブ管12の母材表面に耐摩耗性及び耐腐食性を有する被覆層を形成してなる。ガス流れをくさび形状を形成する傾斜面に沿う流れを形成させることで、腐食性ガスによる腐食と煤塵による摩耗を防止する。
【選択図】図1
Description
また、特許文献1に開示されたガスサンプリング装置300は、遮蔽板306の内側で、開口310a及び310bから入り込む粉塵が次第に堆積し、一定時間経過後に先端開口304への排ガスgの取り込みが困難になるという問題がある。そのため、ボイラの運転を停止し、定期的にプローブ管302を取り出し、溜まった粉塵を除去する必要があった。また、先端開口304がガス流れに向けて開口していないため、煤塵濃度を計測することが出来ないという問題がある。
また、第1のガス通路22がガス流れに対し下流側に偏心して配置されているので、プローブ管12の管壁の減肉が相当進行しても、第1のガス通路22とガス流れ領域とが連通するまでの時間を伸ばすことが出来る。
また、ステライトを円筒体40に肉盛溶接しているので、生成ガス環境下でも円筒体40へのステライトの固着強度を長期に亘って高く維持できる。
12,202,302 プローブ管
14 先側部位
16 後側部位
18,210、310a、310b 開口
20,212 管台
22,204 第1のガス通路
24,208 第2のガス通路
24a、208a、304 先端開口
26,214 フランジ
28,216,306 遮蔽板
30 ボルト
32 サンプリング管
40 母材
42 被覆層
42a、42b 傾斜面
44 段差
46 開先
100 IGCCプラント
102 ガス化炉
104 熱回収部
106 配管
108 サイクロン
110 フィルタ装置
112 湿式ガス精製装置
114 ガスタービン
116,122 発電機
118 排熱回収ボイラ
120 蒸気タービン
124 煙突
206 突出部
218 基台
308 邪魔板
A、B、C サンプリングポイント
G 排ガス
R1 先端部
R2 先端側領域
c 石炭
g 生成ガス
o ガス化剤
w1、w2 溶接部
Claims (7)
- サンプリングするガスが流れる配管内に先端開口が位置するように配置されたプローブ管を備え、プローブ管が前記配管に固定されるガスサンプリング装置において、
前記先端開口が配置されたプローブ管の先端部の横断面をくさび形状に形成し、該くさび形状の先端に先端開口を配置すると共に、該先端開口をガス流れに対して対面するように配置し、
該先端部を含むプローブ管の先端側領域で、プローブ管の母材表面に耐摩耗性及び耐腐食性を有する材料からなる被覆層を形成してなることを特徴とするガスサンプリング装置。 - プローブ管の前記先端部の領域が、該先端部領域外のプローブ管表面で発生したガスの乱れ、偏流が前記先端開口に到達しない範囲に設定されていることを特徴とする請求項1に記載のガスサンプリング装置。
- プローブ管内でプローブ管の軸方向に設けられたガス通路が、ガス流れの下流側に偏心して配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスサンプリング装置。
- プローブ管の母材がオーステナイト系ステンレス鋼で構成され、前記被覆層がクロム及びタングステンを主成分とするコバルト基合金又は自溶性合金で構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載のガスサンプリング装置。
- 請求項1〜4のいずれかの項に記載のガスサンプリング装置を製造する方法において、
前記プローブ管の先側領域を形成する中実筒状体の先端部で、ガス流れに対して背面側に位置する領域にくさび形状の横断面を成形する第1工程と、
該先端部を含む中実筒状体の先端側領域で、前処理された被覆面に耐食性材料からなる溶融した被覆材を被覆し被覆層を形成する第2工程と、
第2工程後、中実筒状体の内部に軸方向に第1のガス通路を穿設すると共に、第1のガス通路に連通し前記くさび形状の先端に開口する第2のガス通路を穿設する第3工程と、
第3工程後、中実筒状体の後端に、プローブ管の後側領域を形成する配管を固着する第4工程と、からなることを特徴とするガスサンプリング装置の製造方法。 - 前記中実筒状体がオーステナイト系ステンレス鋼で構成され、前記被覆材がクロム及びタングステンを主成分とするコバルト基合金であり、前記第2工程で該コバルト基合金を中実筒状体に肉盛溶接することを特徴とする請求項5に記載のガスサンプリング装置の製造方法。
- 前記中実筒状体がオーステナイト系ステンレス鋼で構成され、前記被覆材が自溶性合金であり、前記第2工程で該自溶性合金を中実筒状体に溶射することを特徴とする請求項5に記載のガスサンプリング装置の製造方法。
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