JP2012114400A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 69
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 120
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 120
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 218
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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Abstract
【解決手段】厚み方向に貫通するスルーホールTHを備えた基板10を用意する工程と、基板10の下面に保護フィルム20を配置する工程と、スルーホールTH内に樹脂部30を充填する工程と、保護フィルム20を除去する工程と、基板10の下面にシード層40を形成する工程と、スルーホールTH内から樹脂部30を除去する工程と、シード層40をめっき給電経路に利用する電解めっきによりスルーホールTH内に金属めっき層を充填して貫通電極50を得る工程とを含む。
【選択図】図4
Description
図3〜図7は第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図8は第1実施形態の配線基板に半導体チップが実装された様子を示す断面図である。
図10〜図12は第2実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第2実施形態の特徴は、シリコンウェハに熱酸化又はCVDで絶縁層を形成するのではなく、スルーホールに充填された樹脂部を内壁面にリング状に残して側壁絶縁部とすることにある。第2実施形態では、第1実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
前述した第1実施形態の製造方法では、シリコンウェハ10のスルーホールTHの全体に電解銅めっきを施して貫通電極50を得ている。貫通電極50(電解銅めっき層)はスルーホールTHの側面(シリコン酸化層)に単に接触しているだけなので、スルーホールTHの側面と貫通電極50の密着性が十分ではない。
Claims (12)
- 厚み方向に貫通するスルーホールを備えた基板を用意する工程と、
前記基板の下面に保護フィルムを配置する工程と、
前記スルーホール内に樹脂部を充填する工程と、
前記保護フィルムを除去する工程と、
前記基板の下面にシード層を形成する工程と、
前記スルーホール内から樹脂部を除去する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより前記スルーホール内に金属めっき層を充填して貫通電極を得る工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記基板はシリコンウェハであり、
前記スルーホールを備えた基板を用意する工程は、前記シリコンウェハの両面及び前記スルーホールの内面に絶縁層を形成することを含むことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記貫通電極を得る工程の後に、
前記シード層を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記樹脂部は、アクリル樹脂、フェノール樹脂、又はレジストからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記シード層を除去する工程の後に、
前記基板の両面側に前記貫通電極に接続されるn層(nは1以上の整数)の配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。 - 前記基板はシリコンウェハであり、
前記シード層を形成する工程の後に、
前記スルーホール内の内壁面に前記樹脂部を残すように、前記樹脂部に貫通孔を形成することにより側壁絶縁部を得る工程をさらに有し、
前記貫通電極を得る工程の後に、
前記シード層を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記シード層を除去する工程の後に、
前記シリコンウェハの両面側に前記貫通電極の上に開口部が設けられた絶縁パターン層をそれぞれ形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。 - 前記基板は、ガラス基板又はセラミックス基板であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記基板の下面に保護フィルムを配置する工程において、
前記保護フィルムが前記基板の前記スルーホールに押し込まれて該スルーホールの下部に充填部が部分的に形成され、
前記保護フィルムを除去する工程において、
前記基板の前記スルーホールの下部側面が露出し、
前記基板の下面にシード層を形成する工程において、
前記スルーホールの前記下部側面に前記シード層が形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記保護フィルムを除去する工程の後に、前記樹脂部の下部を部分的に除去することにより、前記基板の前記スルーホールの下部側面を露出させる工程をさらに有し、
前記基板の下面にシード層を形成する工程において、
前記スルーホールの前記下部側面に前記シード層が形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記シード層において、前記スルーホールの前記下部側面に接触する層は、スパッタ法、蒸着法、又はCVD法によって形成される金属層、無電解金属めっき層、又は導電性ペーストから形成されることを特徴とする請求項9又は10に記載の配線基板の製造方法。
- 前記金属層は、チタン層又はクロム層であることを特徴とする請求項11に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011117724A JP5608605B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-05-26 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010248328 | 2010-11-05 | ||
JP2010248328 | 2010-11-05 | ||
JP2011117724A JP5608605B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-05-26 | 配線基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012114400A true JP2012114400A (ja) | 2012-06-14 |
JP2012114400A5 JP2012114400A5 (ja) | 2014-04-10 |
JP5608605B2 JP5608605B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=46498251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011117724A Expired - Fee Related JP5608605B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-05-26 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5608605B2 (ja) |
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US11217530B2 (en) | 2012-11-05 | 2022-01-04 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Line structure and a method for producing the same |
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JP2019054290A (ja) * | 2018-12-25 | 2019-04-04 | 凸版印刷株式会社 | インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法 |
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KR102442256B1 (ko) | 2020-11-05 | 2022-09-08 | 성균관대학교산학협력단 | 보이드가 없는 실리콘 관통전극의 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5608605B2 (ja) | 2014-10-15 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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