JP2012090252A - 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス - Google Patents
圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012090252A JP2012090252A JP2011053848A JP2011053848A JP2012090252A JP 2012090252 A JP2012090252 A JP 2012090252A JP 2011053848 A JP2011053848 A JP 2011053848A JP 2011053848 A JP2011053848 A JP 2011053848A JP 2012090252 A JP2012090252 A JP 2012090252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- crystal
- manufacturing
- piezoelectric device
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 35
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 35
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 141
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 27
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N Iodine aqueous Chemical compound [K+].I[I-]I DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003681 vanadium Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 圧電デバイスを製造する製造方法は、ベースウエハはガラス又は圧電材からなりベースウエハの第1面とその第1面の反対側の第2面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程(S121)と、耐蝕膜上にフォトレジストを形成し露光した後に貫通孔に対応する耐蝕膜を金属エッチングする金属エッチング工程と(S121、S122)、金属エッチング工程後にガラス又は圧電材をエッチング液につけてベースウエハの第1面と第2面とからウェットエッチングしガラス又は圧電材が貫通する手前までエッチングするウェットエッチング工程(S123)と、第2面に耐蝕膜が形成された状態で第2面側から研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程(S124)と、を備える。
【選択図】 図6
Description
第8観点の圧電デバイスは、第1面がサンドブラストにより粗面化される。
<第1水晶振動子100の全体構成>
第1水晶振動子100の全体構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は第1水晶振動子100の分解斜視図で、図2は図1のA−A断面図である。なお、図1では接続電極124a、124b全体が見えるように、封止材である低融点ガラスLGが透明に描かれている。
図3は、第1水晶振動子100の製造を示したフローチャートである。図3において、水晶振動片10の製造ステップS10と、リッド部11の製造ステップS11と、ベース部12の製造ステップS12とは並行して製造することができる。また、図4は水晶ウエハ10Wの平面図で、図5はリッドウエハ11Wの平面図である。図6はベース部12の製造ステップS12を示した説明図で、図7はベースウエハ12Wの平面図である。図6において、右側は左側のフローチャートの各ステップに対応する図1のA−A断面におけるベースウエハ12Wの部分断面図である。
ステップS101において、図4に示されたように、均一の水晶ウエハ10Wにエッチングにより複数の水晶振動片10の外形が形成される。ここで、各水晶振動片10は連結部104により水晶ウエハ10Wに連接されている。
ステップS111において、図5に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ11Wにリッド凹部111が数百から数千個形成される。リッドウエハ11Wには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部111が形成され、リッド凹部111の周囲には第1端面M1が形成される。
<第1水晶振動子100’の全体構成>
第1水晶振動子100’の全体構成について、図8を参照しながら説明する。図8は、図1のA−A断面に対応する第1水晶振動子100’の断面図である。
第1水晶振動子100’の製造方法は、第1実施形態の図3及び図6で説明された製造方法とほぼ同じであるので、図6における異なるステップのみについて詳しく説明する。図9は、ベース部12’の製造ステップS12’の詳細を示した部分説明図である。すなわち、図9はステップS121〜S123までは図6同じであるので、ステップS124’〜 S126’について詳しく説明する。
<第2水晶振動子200の全体構成>
第2水晶振動子200の全体構成について、図10及び図11を参照しながら説明する。図10は第2実施形態の第2水晶振動子200の分解斜視図で、図11は図10のB−B断面図である。図10では、リッド部21と水晶フレーム20との間、及び水晶フレーム20とベース部22との間に形成された低融点ガラスLGが省略されて描かれている。
まず、水晶フレーム20の製造ステップT20について、図12及び図13を参照しながら説明する。図12は水晶フレーム20の製造ステップT20を示した説明図で、図13は水晶ウエハ20Wの平面図である。なお、図12において右側が左側のステップに対応する図10のB−B断面における水晶ウエハ20Wの部分断面図である。
また、第1実施形態及び第2実施形態において低融点ガラスLGによりベースウエハとリッドウエハとが接合されているが、低融点ガラスLGの代わりにポリイミド樹脂を用いられてもよい。ポリイミド樹脂が用いられる場合においては、スクリーン印刷でもよいし、感光性のポリイミド樹脂を全面に塗布した後に露光することもできる。
さらに、第1実施形態及び第2実施形態ではATカット型の圧電振動片を一例として説明したが、基部の一端から伸びた一対の振動腕を有する音叉型の圧電振動片にも適用できる。
また、第1実施形態及び第2実施形態では水晶振動片が使用されたが、水晶以外にタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を利用することができる。さらに圧電デバイスとして、発振回路を組み込んだICなどをパッケージ内に配置させた圧電発振器にも本発明は適用できる。
11、21 … リッド部、 11W … リッドウエハ
12、12’、22 … ベース部、 12W、22W … ベースウエハ
13 … 導電性接着剤
100、100’、200 水晶振動子
101 … 水晶片、 201 … 水晶振動部
102a、102b、202a、202b … 励振電極
103a、103b、203a、203b … 引出電極
209 … 連結部
111、211 … リッド凹部
121、221 … ベース凹部
122a、122b、222a〜222d、204a〜204d … キャスタレーション
123a、123b、223a〜223d、205a〜205d … 側面電極
223M、205M … 接続パッド
124a、124b、124a’、124b’ … 接続電極
125a、125b、225a、225b … 外部電極
126a、126b、226、206 … 突起部
127A、227A … 第1領域
127B、227B … 第2領域
207A … 第3領域
207B … 第4領域
BH1、BH2、CH … 貫通孔
CT … キャビティ
GB … 凸部
LG … 低融点ガラス
PR … フォトレジスト
TM … 耐蝕膜
Claims (8)
- ベース部とそのベース部の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片と前記ベース部とを有する圧電デバイスを製造する製造方法において、
前記ベースウエハはガラス又は圧電材からなり、前記ベースウエハの第1面とその第1面の反対側の第2面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、
前記耐蝕膜上にフォトレジストを形成し露光した後、前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜を金属エッチングする金属エッチング工程と、
前記金属エッチング工程後に、前記ガラス又は圧電材をエッチング液につけて前記ベースウエハの前記第1面と前記第2面とからウェットエッチングし、前記ガラス又は圧電材が貫通する手前までエッチングするウェットエッチング工程と、
前記第2面に耐蝕膜が形成された状態で、前記第2面側から研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程と、
を備える圧電デバイスを製造する製造方法。 - 前記サンドブラスト工程では、前記第1面に耐蝕膜が形成された状態で、前記第1面側から研磨剤を吹き付ける請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記サンドブラスト工程後、前記耐蝕膜を除去する除去工程と、
前記除去工程後に、前記第2面に実装用の外部電極と前記貫通孔に側面電極とを形成する工程と、
を備える請求項1又は請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記ベース部は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は前記ベース部の向かい合う角に形成される丸孔である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記ベース部は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は前記ベース部の向かい合う辺に形成される辺に沿った長孔である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
- リッド部とベース部とで形成されるキャビティ内に配置された圧電振動片を有する圧電デバイスであって、
前記ベース部は、一対の外部電極が形成される第1面とその第1面の反対側の第2面と、前記第1接合面から前記第1面と第2面とを結ぶ側面を介して前記外部電極と接続する一対の接続電極と、を備え、
前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面の断面は、前記第1面から中央までの第1領域と前記第2面から前記中央への第2領域と前記中央で前記第1領域及び第2領域から外側に突き出ている突出領域とからなる圧電デバイス。 - 前記第2面がサンドブラストにより粗面化される請求項6に記載の圧電デバイス。
- 前記第1面がサンドブラストにより粗面化される請求項7に記載の圧電デバイス。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011053848A JP2012090252A (ja) | 2010-09-22 | 2011-03-11 | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
CN2011102646202A CN102412801A (zh) | 2010-09-22 | 2011-09-05 | 压电装置的制造方法及压电装置 |
TW100132935A TW201222908A (en) | 2010-09-22 | 2011-09-14 | Manufacturing method of piezoelectric device and piezoelectric device |
US13/238,770 US20120068579A1 (en) | 2010-09-22 | 2011-09-21 | Method for Manufacturing a Piezoelectric Device and the Same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010212089 | 2010-09-22 | ||
JP2010212089 | 2010-09-22 | ||
JP2011053848A JP2012090252A (ja) | 2010-09-22 | 2011-03-11 | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012090252A true JP2012090252A (ja) | 2012-05-10 |
JP2012090252A5 JP2012090252A5 (ja) | 2014-04-17 |
Family
ID=45817119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011053848A Pending JP2012090252A (ja) | 2010-09-22 | 2011-03-11 | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120068579A1 (ja) |
JP (1) | JP2012090252A (ja) |
CN (1) | CN102412801A (ja) |
TW (1) | TW201222908A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5384406B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-01-08 | 日本電波工業株式会社 | 音叉型水晶振動片の製造方法、水晶デバイス |
JP5588784B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-09-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
JP2013192027A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
JP2016039516A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
WO2017141996A1 (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子の製造方法及び圧電素子 |
CN115955209B (zh) * | 2022-12-05 | 2024-03-19 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种晶体谐振器及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033632A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動子の製造方法 |
JP2007129325A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子、発振器、電波時計、電子機器、圧電振動子用ウエハ体及び圧電振動子の製造方法 |
JP2007129327A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子及びこれを備える発振器、電波時計並びに電子機器 |
JP2008283243A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nec Tokin Corp | 圧電振動子および圧電振動ジャイロ |
JP2010206322A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Daishinku Corp | パッケージ部材および該パッケージ部材の製造方法および該パッケージ部材を用いた圧電振動デバイス |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58146117A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Kinseki Kk | 圧電振動子の製造方法 |
JP2001267875A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子及びその製造方法 |
CN1196175C (zh) * | 2000-05-25 | 2005-04-06 | 凸版印刷株式会社 | 转印掩模的制造方法 |
JP2006238266A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、及び圧電振動子 |
JP2007258917A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス |
CN101068107A (zh) * | 2006-05-01 | 2007-11-07 | 爱普生拓优科梦株式会社 | 压电振子及其制造方法 |
JP2009060478A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片の製造方法及び音叉型圧電振動片 |
-
2011
- 2011-03-11 JP JP2011053848A patent/JP2012090252A/ja active Pending
- 2011-09-05 CN CN2011102646202A patent/CN102412801A/zh active Pending
- 2011-09-14 TW TW100132935A patent/TW201222908A/zh unknown
- 2011-09-21 US US13/238,770 patent/US20120068579A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033632A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動子の製造方法 |
JP2007129325A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子、発振器、電波時計、電子機器、圧電振動子用ウエハ体及び圧電振動子の製造方法 |
JP2007129327A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子及びこれを備える発振器、電波時計並びに電子機器 |
JP2008283243A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nec Tokin Corp | 圧電振動子および圧電振動ジャイロ |
JP2010206322A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Daishinku Corp | パッケージ部材および該パッケージ部材の製造方法および該パッケージ部材を用いた圧電振動デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102412801A (zh) | 2012-04-11 |
US20120068579A1 (en) | 2012-03-22 |
TW201222908A (en) | 2012-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5239748B2 (ja) | 水晶振動片 | |
JP4885206B2 (ja) | 音叉型圧電振動片および圧電デバイス | |
JP5595196B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP4714770B2 (ja) | 音叉型圧電振動片及び音叉型圧電振動片の製造方法 | |
JP2012090252A (ja) | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス | |
JP2012065305A (ja) | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス | |
JP2012074837A (ja) | 圧電デバイス | |
JP5134045B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP5773418B2 (ja) | 圧電振動片、圧電振動片を有する圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP2012199606A (ja) | 水晶振動片及び水晶デバイス | |
JP2012085253A (ja) | 表面実装型の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 | |
JP2011087272A (ja) | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス | |
JP6322400B2 (ja) | 圧電振動片、圧電振動片の製造方法及び圧電振動子 | |
US20130063001A1 (en) | Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device | |
JP5139766B2 (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP2008131527A (ja) | 音叉型圧電振動片および圧電デバイス | |
JP5384406B2 (ja) | 音叉型水晶振動片の製造方法、水晶デバイス | |
JP5054146B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP5272651B2 (ja) | 振動片の製造方法 | |
JP5148659B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2012257180A (ja) | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス | |
JP2009152988A (ja) | 圧電振動片、圧電デバイス及びそれらの製造方法 | |
JP2013110658A (ja) | 圧電振動片、及び圧電デバイス | |
JP2013192027A (ja) | 圧電デバイス | |
JP5588784B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140303 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150119 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150706 |