JP2012088578A - 液晶パネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】開口領域を区画する遮光膜23を有する駆動素子基板20と、この駆動素子基板20と離間して対向配置された対向基板11と、駆動素子基板20および対向基板11の間隙に配設された液晶層12と、遮光膜23上に形成された柱状スペーサ30と、を備え、柱状スペーサ30は、駆動素子基板20および対向基板11の間隙を規定する第1スペーサ部26と、遮光膜23表面に形成され、かつ、少なくとも一部が第1スペーサ部26の内部に埋設される第2スペーサ部27と、を有する。
【選択図】 図1
Description
図1(A)に示すように、駆動素子基板20は、表面上に駆動素子(図示せず)を配置したガラス基板21と、ガラス基板21の上層に成膜された第1絶縁膜22と、第1絶縁膜22の表面側に形成された遮光膜23と、第1絶縁膜22の上層に成膜された第2絶縁膜24と、第2絶縁膜24の上層に形成された透明導電膜25と、を備えている。第2絶縁膜24および透明導電膜25には、遮光膜23まで達する貫通孔が形成されており、露出した遮光膜23にはスペーサ30の中軸スペーサ26が形成されており、この中軸スペーサ26の少なくとも一部が埋設されるように柱状スペーサ27が形成されている。この柱状スペーサ27は、駆動素子基板20と対向基板11との対向間隔を規定する。
本実施例は、スペーサを構成する中軸スペーサを遮光膜と同じ材料により形成した例である。言い換えると、スペーサの中軸スペーサと遮光膜とを一体的に形成した例である。図1(B)に示すように、本実施例では、駆動素子基板20は、表面上に駆動素子(図示せず)を配置したガラス基板21と、ガラス基板21の上層に成膜された第1絶縁膜22と、第1絶縁膜22の表面側に形成された遮光膜33と、第1絶縁膜22の上層に成膜された第2絶縁膜24と、第2絶縁膜24の上層に形成された透明導電膜25とを備えている。遮光膜23まで達する貫通孔が形成されており、露出した遮光膜33には、スペーサ30aの中軸スペーサ33aが遮光膜33と一体に形成されており、この中軸スペーサ33aの少なくとも一部が埋設されるように柱状スペーサ27が形成されている。
本実施例は、スペーサの中軸スペーサを、駆動素子基板を構成する導電膜と同じ材料により形成した例である。図1(C)に示すように、本実施例では、駆動素子基板20は、表面上に駆動素子(図示せず)を配置したガラス基板21と、ガラス基板21の上層に成膜された第1絶縁膜22と、第1絶縁膜22の表面側に形成された遮光膜23と、第1絶縁膜22の上層に成膜された第2絶縁膜24と、第2絶縁膜24の上層に形成された導電膜35とを備えている。導電膜35上には、スペーサ30bの中軸スペーサ35aが導電膜35と一体に形成されており、この中軸スペーサ35aの少なくとも一部が埋設されるように柱状スペーサ27が形成されている。
ここで、図1(A)に示した液晶パネル10における駆動素子基板20の製造方法を、図2を参照して説明する。
図3(A)は本発明の一実施形態に係る実施例1の液晶パネルに適用される駆動素子基板の具体的な構成を示す要部の断面図、図3(B)は要部の平面図である。尚、これらの各膜は、CVD法又はPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相堆積)法を用いて成膜され、及び上述したエッチング加工等が適宜用いられている。また、以下の説明においては、PVD法による成膜処理のみを指摘し、特に指定しない膜はCVD法による成膜処理である。
図5(A)は本発明の一実施形態に係る実施例2の液晶パネルに適用される駆動素子基板の具体的な構成を示す要部の断面図、図5(B)は要部の平面図である。尚、これらの各膜は、CVD法又はPVD法を用いて成膜され、及び上述したエッチング加工等が適宜用いられている。また、以下の説明においては、PVD法による成膜処理のみを指摘し、特に指定しない膜はCVD法による成膜処理である。
図7は本発明の一実施形態に係る実施例3の液晶パネルに適用される駆動素子基板の具体的な構成を示す要部の断面図である。尚、これらの各膜は、CVD(化学気相堆積)法又はPVD(物理気相堆積)法を用いて成膜され、及び上述したエッチング加工等が適宜用いられている。また、以下の説明においては、PVD法による成膜処理のみを指摘し、特に指定しない膜はCVD法による成膜処理である。
11 対向基板
12 液晶層
20 駆動素子基板
21 ガラス基板
22 第1絶縁膜
23,33 遮光膜
24 第2絶縁膜
25 透明導電膜
26,33a,35a 中軸スペーサ(第2スペーサ部)
27 柱状スペーサ(第1スペーサ部)
30,30a,30b スペーサ
35 導電膜
Claims (8)
- 開口領域を区画する遮光膜を有する第1基板と、
前記第1基板と離間して対向配置された第2基板と、
前記第1基板および前記第2基板の間隙に配設された液晶層と、
前記遮光膜上に形成されたスペーサと、を備え、
前記スペーサは、
前記第1基板および前記第2基板の間隙を規定する第1スペーサ部と、
前記遮光膜表面に形成され、かつ、少なくとも一部が前記第1スペーサ部の内部に埋設される第2スペーサ部と、
を有する液晶パネル。 - 前記第1基板は、前記遮光膜を中間層に有する積層膜により構成され、
前記第2スペーサ部は、前記遮光膜と一体に形成されている
請求項1に記載の液晶パネル。 - 開口領域を区画する遮光膜を有する第1基板と、
前記第1基板と離間して対向配置された第2基板と、
前記第1基板および前記第2基板の間隙に配設された液晶層と、
前記遮光膜の上方に形成されたスペーサと、を備え、
前記スペーサは、
前記第1基板および前記第2基板の間隙を規定する第1スペーサ部と、
前記第1基板表面に形成され、少なくとも一部が前記第1スペーサ部の内部に埋設される第2スペーサ部と、
を有する液晶パネル。 - 前記第2スペーサ部は、前記第1スペーサ部よりも硬度の高い金属又は硬質樹脂から構成されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶パネル。
- 遮光膜を中間層に有する積層膜からなる第1基板の表面を選択的に除去し、該遮光膜を露出させる工程と、
前記露出させた遮光膜上に第1成膜材料層を埋設する工程と、
前記第1成膜材料層を含む前記第1基板上に第2成膜材料層を形成する工程と、
前記第2成膜材料層における前記第1成膜材料層上の領域を除く領域を選択的に除去して第2スペーサ部を形成する工程と、
前記第2スペーサ部の少なくとも一部が埋設されるように前記第1スペーサ部を形成する工程と、
前記第1スペーサ部および前記第2スペーサ部が形成された第1基板と対向して第2基板を配置する工程と、
前記第1基板および第2基板の間隙に液晶層を配設する工程と、
を有する液晶パネルの製造方法。 - 前記第1基板は、前記遮光膜を中間層に有する積層膜により構成され、
前記第2スペーサ部は、前記遮光膜と一体に形成されている
請求項5に記載の液晶パネルの製造方法。 - 第1基板は、前記遮光膜を中間層に有する積層膜により構成され、
前記第1基板における前記遮光膜の上方に第2スペーサ部を形成する工程と、
前記第2スペーサ部の少なくとも一部が埋設されるように前記第1スペーサ部を形成する工程と、
前記第1スペーサ部および前記第2スペーサ部が形成された第1基板と対向して第2基板を配置する工程と、
前記第1基板および第2基板の間隙に液晶層を配設する工程と、
を有する液晶パネルの製造方法。 - 前記第2スペーサ部は、前記第1スペーサ部よりも硬度の高い金属又は硬質樹脂から構成されている請求項5〜7のいずれか1項に記載の液晶パネルの製造方法。
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