JP2012059769A - Film for semiconductor device and semiconductor device - Google Patents
Film for semiconductor device and semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012059769A JP2012059769A JP2010199028A JP2010199028A JP2012059769A JP 2012059769 A JP2012059769 A JP 2012059769A JP 2010199028 A JP2010199028 A JP 2010199028A JP 2010199028 A JP2010199028 A JP 2010199028A JP 2012059769 A JP2012059769 A JP 2012059769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dicing
- adhesive
- semiconductor device
- adhesive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 284
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 187
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 18
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 79
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 68
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 49
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 31
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 22
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 22
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 18
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 16
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 11
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 11
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 11
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 7
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BWSQKOKULIALEW-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[4-fluoro-3-(trifluoromethyl)phenyl]-3-[2-(piperidin-3-ylamino)pyrimidin-4-yl]imidazol-4-yl]acetonitrile Chemical compound FC1=C(C=C(C=C1)C=1N(C(=CN=1)CC#N)C1=NC(=NC=C1)NC1CNCCC1)C(F)(F)F BWSQKOKULIALEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 3
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C(OC(=O)C=C)C=CC2=C1 YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- LIZLYZVAYZQVPG-UHFFFAOYSA-N (3-bromo-2-fluorophenyl)methanol Chemical compound OCC1=CC=CC(Br)=C1F LIZLYZVAYZQVPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSQSKFCQCCTXCD-UHFFFAOYSA-N 1,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C(CC)=CC=C2CC DSQSKFCQCCTXCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-isocyanatopropan-2-yl)-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C(C)(C)N=C=O)=C1 ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-1,5-bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2,4-dimethylpentan-3-one Chemical compound C=1C=C(OCCO)C=CC=1CC(C)(O)C(=O)C(O)(C)CC1=CC=C(OCCO)C=C1 LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC=C WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 4-nitrobenzoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-bis(4-methoxyphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(O)C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetophenone Chemical compound COCC(=O)C1=CC=CC=C1 YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)N=C=O JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCOC(=O)C=C CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSZCJJRQCFZXCI-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCOC(=O)C=C JSZCJJRQCFZXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O Chemical compound OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJVBXWVJBJIKCU-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(2-hydroxyethoxy)phosphoryl] prop-2-enoate Chemical compound OCCOP(O)(=O)OC(=O)C=C KJVBXWVJBJIKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JPIYZTWMUGTEHX-UHFFFAOYSA-N auramine O free base Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=N)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 JPIYZTWMUGTEHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CGXDIDXEMHMPIX-UHFFFAOYSA-N bis(3-methylphenyl)methanone Chemical class CC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 CGXDIDXEMHMPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OC1CCCCC1 GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009820 dry lamination Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- FWQHNLCNFPYBCA-UHFFFAOYSA-N fluoran Chemical compound C12=CC=CC=C2OC2=CC=CC=C2C11OC(=O)C2=CC=CC=C21 FWQHNLCNFPYBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NZFHJBSDSXDUAO-UHFFFAOYSA-N o-tritylhydroxylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(ON)C1=CC=CC=C1 NZFHJBSDSXDUAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002972 p-tolylamino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CCCS(O)(=O)=O AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置用フィルム、及び、当該半導体装置用フィルムを用いて製造された半導体装置に関する。 The present invention relates to a film for a semiconductor device and a semiconductor device manufactured using the film for a semiconductor device.
従来、半導体装置の製造過程に於いてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。 Conventionally, silver paste is used for fixing a semiconductor chip to a lead frame or an electrode member in a manufacturing process of a semiconductor device. The fixing process is performed by applying a paste adhesive on a die pad or the like of the lead frame, mounting a semiconductor chip on the lead adhesive, and curing the paste adhesive layer.
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。 However, paste adhesives have large variations in coating amount, coating shape, etc. due to their viscosity behavior and deterioration. As a result, the thickness of the paste-like adhesive formed is not uniform, and the reliability of the fixing strength related to the semiconductor chip is poor. That is, when the application amount of the paste adhesive is insufficient, the bonding strength between the semiconductor chip and the electrode member is lowered, and the semiconductor chip is peeled off in the subsequent wire bonding process. On the other hand, when the application amount of the paste adhesive is too large, the paste adhesive is cast onto the semiconductor chip, resulting in poor characteristics, and the yield and reliability are lowered. Such a problem in the adhering process becomes particularly remarkable as the semiconductor chip becomes larger. Therefore, it is necessary to frequently control the amount of paste adhesive applied, which hinders workability and productivity.
このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルム、ダイシングシート付き接着フィルムが提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In this paste adhesive application step, there is a method in which the paste adhesive is separately applied to a lead frame or a formed chip. However, in this method, it is difficult to make the paste adhesive layer uniform, and a special apparatus and a long time are required for applying the paste adhesive. For this reason, a dicing film and an adhesive film with a dicing sheet for adhering and holding a semiconductor wafer in a dicing process and also providing an adhesive layer for chip fixation necessary for the mounting process have been proposed (for example, see Patent Document 1). ).
このダイシングシート付き接着フィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。 This adhesive film with a dicing sheet is formed by providing an adhesive layer on a supporting substrate so that the adhesive layer can be peeled off, and is formed by dicing a semiconductor wafer while being held by the adhesive layer and then stretching the supporting substrate. The chip is peeled off together with the adhesive layer, and the chips are individually collected and fixed to an adherend such as a lead frame through the adhesive layer.
従来、ダイシングシート付き接着フィルムは、製造工程上の制約から、ダイシングフィルムと接着フィルムをそれぞれ個別に作製した上で、両者を貼り合わせて作製している。このため、各々フィルム作製工程において弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド(気泡)等が発生するのを防止する観点から、ロールによる搬送の際に各フィルムに引張張力を加えながらその作製が行われる。 Conventionally, an adhesive film with a dicing sheet has been manufactured by individually bonding a dicing film and an adhesive film, due to restrictions in the manufacturing process. For this reason, from the viewpoint of preventing the occurrence of slack, winding deviation, positional deviation, voids (bubbles), etc. in each film production process, the production is performed while applying tensile tension to each film during conveyance by a roll. .
この種のダイシングシート付き接着フィルムは、高温・高湿の環境下に置かれたり、荷重が加えられた状態で長期間保存されると硬化する場合がある。その結果、接着剤層の流動性や、半導体ウェハに対する保持力の低下、ダイシング後の剥離性の低下を招来する。このため、ダイシングシート付き接着フィルムは−30〜−10℃の冷凍、又は−5〜10℃の冷蔵状態で保存しながら輸送されることが多く、これによりフィルム特性の長期間の保存を可能にしている。 This type of adhesive film with a dicing sheet may be cured when placed in a high-temperature and high-humidity environment or stored for a long time under a load. As a result, the fluidity of the adhesive layer, the holding power against the semiconductor wafer, and the peelability after dicing are reduced. For this reason, the adhesive film with a dicing sheet is often transported while being stored in a frozen state at -30 to -10 ° C or a refrigerated state at -5 to 10 ° C, thereby enabling long-term storage of film characteristics. ing.
上述したダイシングシート付き接着フィルムとしては、半導体ウェハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性考慮して、貼り付ける半導体ウェハの形状(例えば、円形状)に予め加工しておく、プリカット加工が施されたものが存在する。 The adhesive film with a dicing sheet described above is processed in advance into the shape of a semiconductor wafer to be attached (for example, a circular shape) in consideration of workability such as attachment to a semiconductor wafer and attachment to a ring frame during dicing. There are those that have been pre-cut.
このようなダイシングシート付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルムに、円形状に打ち抜かれた接着フィルムを貼り合わせた後、リングフレームに対応した円形状にダイシングフィルムを打ち抜いて製造される。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に、ダイシングフィルムの外周部にリングフレームを貼り付けて、ダイシングシート付き接着フィルムを固定することができるようになる。 Such an adhesive film with a dicing sheet is obtained by laminating an adhesive film punched in a circular shape on a dicing film in which an adhesive layer is laminated on a substrate, and then dicing the dicing film into a circular shape corresponding to the ring frame. Manufactured by punching. Thereby, when dicing a semiconductor wafer, a ring frame can be affixed to the outer peripheral part of a dicing film, and an adhesive film with a dicing sheet can be fixed here now.
プリカット加工されたダイシングシート付き接着フィルムは、長尺のカバーフィルムに所定の間隔をおいて貼り付けられた後、ロール状に巻回され、半導体装置製造用フィルムとして輸送や保管が行われる。 The adhesive film with a dicing sheet that has been pre-cut is attached to a long cover film at a predetermined interval, and then wound into a roll, and is transported and stored as a film for manufacturing a semiconductor device.
しかしながら、上述した半導体装置用フィルムの場合、ダイシングシート付き接着フィルムが積層されている部分の厚みは、積層されていない部分の厚みよりも厚くなる。そのため、特に、巻き数が大きくなったり、巻取り時の張力が高くなった場合、1のダイシングシート付き接着フィルムに、他のダイシングシート付き接着フィルムのエッジが押し当てられて巻き跡が転写され、接着フィルムの平滑性が損なわれる場合があった。このような転写痕は、特に、接着フィルムが比較的柔らかい樹脂で形成される場合、接着フィルムの厚みが厚い場合、及び、半導体装置用フィルムの巻き数が多い場合等に顕著に発生する。そして、このような転写痕を有し、平滑性に欠陥のある接着フィルムが半導体ウェハに貼り付けられると、半導体ウェハと接着フィルムとの間にボイド(気泡)が発生することとなる。このようなボイドは、半導体ウェハ加工時に不具合を生じさせることとなり、製造される半導体装置の歩留りを低下させるおそれがある。 However, in the case of the film for a semiconductor device described above, the thickness of the portion where the adhesive film with a dicing sheet is laminated is thicker than the thickness of the portion where it is not laminated. Therefore, especially when the number of windings is increased or the tension at the time of winding is increased, the edge of another adhesive film with a dicing sheet is pressed against the adhesive film with another dicing sheet, and the trace is transferred. The smoothness of the adhesive film may be impaired. Such transfer marks are particularly prominent when the adhesive film is formed of a relatively soft resin, when the adhesive film is thick, and when the number of windings of the film for a semiconductor device is large. When an adhesive film having such transfer marks and having a smoothness defect is attached to a semiconductor wafer, voids (bubbles) are generated between the semiconductor wafer and the adhesive film. Such voids cause problems during the processing of semiconductor wafers, and may reduce the yield of manufactured semiconductor devices.
そこで、上記転写痕の発生を抑制するために、半導体装置用フィルムの巻取り圧を弱くする方法が考えられる。しかしながら、この方法では巻きズレが生じ、例えば、テープマウンターへのセットが困難となる等、実使用時に支障をきたすおそれがある。 Therefore, in order to suppress the generation of the transfer mark, a method of reducing the winding pressure of the film for a semiconductor device can be considered. However, in this method, winding deviation occurs, and there is a possibility that troubles may occur during actual use, for example, it becomes difficult to set the tape mounter.
また、上記転写痕の発生を抑制するために、接着フィルムの裏面側に緩衝基材を設けることが考えられる。しかしながら、接着フィルムと緩衝基材との間には、残留応力が残存することとなり、これにより前述の低温状態での輸送や長時間の保管後において、接着フィルムと緩衝基材の界面で両者の剥離を生じるという問題がある。 Moreover, in order to suppress generation | occurrence | production of the said transfer trace, it is possible to provide a buffer base material in the back surface side of an adhesive film. However, residual stress remains between the adhesive film and the buffer base material, so that both of them at the interface between the adhesive film and the buffer base material after transportation in the low temperature state and storage for a long time described above. There is a problem of causing peeling.
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイシングフィルム上に接着フィルムが積層されたダイシングシート付き接着フィルムが所定の間隔をおいてカバーフィルムに積層された半導体装置用フィルムをロール状に巻き取った際に、転写痕が接着フィルムに発生することを抑制することが可能な半導体装置用フィルムを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is a semiconductor device in which an adhesive film with a dicing sheet in which an adhesive film is laminated on a dicing film is laminated on a cover film at a predetermined interval. An object of the present invention is to provide a film for a semiconductor device capable of suppressing generation of a transfer mark on an adhesive film when the film is rolled up.
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置用フィルムについて検討した。その結果、半導体装置用フィルムを構成するカバーフィルムの厚みとダイシングフィルムの厚みを制御することにより、転写痕が接着フィルムに発生することを抑制することが可能なことを見出して、本発明を完成させるに至った。 The inventors of the present application have studied a film for a semiconductor device in order to solve the conventional problems. As a result, it was found that by controlling the thickness of the cover film and the thickness of the dicing film constituting the film for semiconductor devices, it was possible to suppress the generation of transfer marks on the adhesive film, and the present invention was completed. I came to let you.
すなわち、本発明に係る半導体装置用フィルムは、ダイシングフィルム上に接着フィルムが積層されたダイシングシート付き接着フィルムが所定の間隔をおいてカバーフィルムに積層された半導体装置用フィルムであって、前記カバーフィルムの厚みをTaとし、前記ダイシングフィルムの厚みをTbとしたとき、Ta/Tbが0.07〜2.5の範囲内であることを特徴とする。 That is, the film for a semiconductor device according to the present invention is a film for a semiconductor device in which an adhesive film with a dicing sheet in which an adhesive film is laminated on a dicing film is laminated on a cover film at a predetermined interval, When the thickness of the film is Ta and the thickness of the dicing film is Tb, Ta / Tb is in the range of 0.07 to 2.5.
前記Ta/Tbは、例えば、カバーフィルムの厚みTaを一定とすると、値が小さいほど、ダイシングフィルム厚くなる。前記構成によれば、前記Ta/Tbが0.07以上であるため、ダイシングフィルムが積層されている部分と、積層されていない部分との段差は一定以下である。従って、転写痕の発生を抑制することができる。また、前記Ta/Tbが0.07以上であり、カバーフィルムに比してダイシングフィルムの厚みが厚いため、カバーフィルムの厚みにより応力を吸収することができ、転写痕の発生を抑制することができる。また、前記Ta/Tbが0.07以上であり、カバーフィルムに比してダイシングフィルムの厚みが厚いため、半導体ウェハへの貼り合わせの際に、ダイシングフィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムとカバーフィルムとを好適に剥離する(ベロ出しする)ことができる。また、前記Ta/Tbは、例えば、ダイシングフィルムの厚みTbを一定とすると、値が小さいほど、カバーフィルムの厚みは薄くなる。前記Ta/Tbが2.5以下であるため、カバーフィルムの厚さは一定以下である。従って、ダイシングフィルムが積層されている部分と、積層されていない部分との段差への追従性が良好である。また、前記Ta/Tbが2.5以下であり、カバーフィルムの厚さは一定以下であるため、ダイシングシート付き接着フィルムをカバーフィルムにラミネートする際の圧力を均一とすることができ、気泡の混入を防止することができる。このように、前記構成によれば、ダイシングフィルム上に接着フィルム及びカバーフィルムが順次積層された半導体装置用フィルムをロール状に巻き取った際に、転写痕が接着フィルムに発生することを抑制することが可能となる。 For example, if the thickness Ta of the cover film is constant, the Ta / Tb becomes thicker as the value is smaller. According to the said structure, since said Ta / Tb is 0.07 or more, the level | step difference of the part where the dicing film is laminated | stacked and the part which is not laminated | stacked is below fixed. Therefore, generation of transfer marks can be suppressed. Moreover, since the Ta / Tb is 0.07 or more and the thickness of the dicing film is thicker than that of the cover film, stress can be absorbed by the thickness of the cover film, and generation of transfer marks can be suppressed. it can. Further, since the Ta / Tb is 0.07 or more and the thickness of the dicing film is thicker than that of the cover film, the adhesive film with the dicing sheet and the cover film having the dicing film are bonded to the semiconductor wafer. Can be suitably peeled off. For example, when the thickness Tb of the dicing film is constant, the Ta / Tb becomes thinner as the value is smaller. Since the Ta / Tb is 2.5 or less, the thickness of the cover film is a certain value or less. Therefore, the followability to the level difference between the portion where the dicing film is laminated and the portion where the dicing film is not laminated is good. Further, since the Ta / Tb is 2.5 or less and the thickness of the cover film is not more than a certain value, the pressure when laminating the adhesive film with a dicing sheet on the cover film can be made uniform. Mixing can be prevented. Thus, according to the said structure, when winding the film for semiconductor devices in which the adhesive film and the cover film were laminated | stacked sequentially on the dicing film in roll shape, it suppresses that a transfer trace generate | occur | produces in an adhesive film. It becomes possible.
前記構成においては、温度23±2℃、剥離速度300mm/minの条件下でのT型剥離試験における、前記接着フィルムと前記カバーフィルムの間の剥離力F1は0.025〜0.075N/100mmの範囲内であり、前記接着フィルムと前記ダイシングフィルムの間の剥離力F2は0.08〜10N/100mmの範囲内であり、前記F1と前記F2はF1<F2の関係を満たすことが好ましい。 In the above configuration, the peel force F 1 between the adhesive film and the cover film in a T-type peel test under conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a peel speed of 300 mm / min is 0.025 to 0.075 N / Within the range of 100 mm, the peeling force F 2 between the adhesive film and the dicing film is within the range of 0.08 to 10 N / 100 mm, and the relationship between F 1 and F 2 is F 1 <F 2 . It is preferable to satisfy.
半導体装置用フィルムは、弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド(気泡)等の発生防止の観点から、ダイシングフィルムや接着フィルム、カバーフィルムに引張張力を加えながら製造される。その結果、半導体装置用フィルムは、それを構成するフィルムの何れかに引張残留歪みが存在した状態で製造される。この引張残留歪みは、例えば、−30〜−10℃の冷凍、又は−5〜10℃の低温状態で輸送したり長時間保管した場合に、各フィルムで収縮を引き起こす。更に、各フィルムは物性が相違することから収縮の程度も相違する。例えば、ダイシングフィルムは各フィルムの中で最も収縮の程度が大きく、カバーフィルムは最も収縮の程度が小さい。その結果、ダイシングフィルムと接着フィルムの間で界面剥離を生じさせたり、カバーフィルムのフィルム浮き現象を引き起こす。 A film for a semiconductor device is produced while applying tensile tension to a dicing film, an adhesive film, or a cover film from the viewpoint of preventing the occurrence of loosening, winding deviation, positional deviation, voids (bubbles), and the like. As a result, the film for a semiconductor device is manufactured in a state in which a tensile residual strain is present in any of the films constituting the film. This tensile residual strain causes shrinkage in each film, for example, when frozen at −30 to −10 ° C. or transported at a low temperature of −5 to 10 ° C. or stored for a long time. Furthermore, since each film has different physical properties, the degree of shrinkage also differs. For example, the dicing film has the largest degree of shrinkage among the films, and the cover film has the smallest degree of shrinkage. As a result, interfacial peeling occurs between the dicing film and the adhesive film, or a film floating phenomenon of the cover film is caused.
前記構成は、接着フィルムとカバーフィルムの間の剥離力F1を0.025〜0.075N/100mmの範囲とし、かつ、接着フィルムとダイシングフィルムの間の剥離力F2を0.08〜10N/100mmの範囲内とした上で、F1<F2の関係を満たす構成とするものである。前述の通り、各フィルムにおける収縮はダイシングフィルムが最も大きいことから、接着フィルムとカバーフィルムの間の剥離力F1よりも、接着フィルムとダイシングフィルムの間の剥離力F2を大きくすることで、最も収縮率の大きいダイシングフィルムの収縮を抑制し、ダイシングフィルムと接着フィルムの間の界面剥離や、カバーフィルムのフィルム浮き現象を防止するものである。更に、接着フィルムの一部又は全部がカバーフィルムに転写することも防止できる。 The arrangement, the peel force F 1 between the adhesive film and the cover film in the range of 0.025~0.075N / 100mm, and a release force F 2 between the adhesive film and the dicing film 0.08~10N / 100 mm and satisfying the relationship of F 1 <F 2 . As described above, since the dicing film has the largest shrinkage in each film, the peeling force F 2 between the adhesive film and the dicing film is made larger than the peeling force F 1 between the adhesive film and the cover film. It suppresses the shrinkage of the dicing film having the largest shrinkage rate, and prevents interface peeling between the dicing film and the adhesive film and the film floating phenomenon of the cover film. Furthermore, it is possible to prevent a part or all of the adhesive film from being transferred to the cover film.
前記構成において、前記カバーフィルムの厚みTaは、10〜100μmであることが好ましい。 The said structure WHEREIN: It is preferable that thickness Ta of the said cover film is 10-100 micrometers.
前記構成において、前記ダイシングフィルムの厚みTbは、25〜180μmであることが好ましい。 The said structure WHEREIN: It is preferable that thickness Tb of the said dicing film is 25-180 micrometers.
また、本発明に係る半導体装置は、前記に記載の半導体装置用フィルムを用いて製造されたものである。 A semiconductor device according to the present invention is manufactured using the film for a semiconductor device described above.
本実施の形態に係る半導体装置用フィルムについて以下に説明する。
図1(a)は、本実施形態に係る半導体装置用フィルムの概略を示す平面図であり、図1(b)は、その部分断面図である。半導体装置用フィルム10は、ダイシングシート付き接着フィルム1が所定の間隔をおいてカバーフィルム2に積層された構成を有している。ダイシング・ダイボンドフィルム1は、ダイシングフィルム11上に接着フィルム12が積層されており、更にダイシングフィルム11は基材13上に粘着剤層14が積層された構造である。
The film for a semiconductor device according to the present embodiment will be described below.
Fig.1 (a) is a top view which shows the outline of the film for semiconductor devices which concerns on this embodiment, FIG.1 (b) is the fragmentary sectional view. The
図2は、図1(a)及び図1(b)に示した半導体装置用フィルムをロール状に巻回した状態での部分断面図である。図2に示すように、ロール状に巻回された半導体装置用フィルム10には、ダイシングシート付き接着フィルム1が積層されている部分と、積層されていない部分18とに段差19が存在する。また、カバーフィルム2上の複数のダイシングシート付き接着フィルム1は、互いに横方向にずれながら積層されている。そのため、1のダイシングシート付き接着フィルム1に、他のダイシングシート付き接着フィルム1のエッジが押し当てられている。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the semiconductor device film shown in FIGS. 1A and 1B wound in a roll shape. As shown in FIG. 2, in the
半導体装置用フィルム10では、カバーフィルム2の厚みをTaとし、ダイシングフィルム11の厚みをTbとしたとき、Ta/Tbが0.07〜2.5である。前記Ta/Tbは、0.1〜2であることが好ましく、0.3〜1.5であることがより好ましい。前記Ta/Tbは、例えば、カバーフィルム22の厚みTaを一定とすると、値が小さいほど、ダイシングフィルム11厚くなる。半導体装置用フィルム10によれば、前記Ta/Tbが0.07以上であるため、ダイシングフィルム11が積層されている部分、すなわち、ダイシングシート付き接着フィルム1が積層されている部分と、積層されていない部分18との段差19は一定以下である。従って、ダイシングシート付き接着フィルム1を構成する接着フィルム12に転写痕が発生することを抑制することができる。また、前記Ta/Tbが0.07以上であり、カバーフィルム2に比してダイシングフィルム11の厚みが厚いため、カバーフィルム2の厚みにより応力を吸収することができ、転写痕の発生を抑制することができる。また、前記Ta/Tbが0.07以上であり、カバーフィルムに比してダイシングフィルムの厚みが厚いため、半導体ウェハへの貼り合わせの際に、ダイシングフィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムとカバーフィルムとを好適に剥離する(ベロ出しする)ことができる。また、前記Ta/Tbは、例えば、ダイシングフィルム11の厚みTbを一定とすると、値が小さいほど、カバーフィルム2の厚みは薄くなる。また、前記Ta/Tbが2.5以下であるため、カバーフィルム2の厚さは一定以下である。従って、ダイシングフィルム11が積層されている部分と、積層されていない部分との段差への追従性が良好である。また、前記Ta/Tbが2.5以下であり、カバーフィルム2の厚さは一定以下であるため、ダイシングシート付き接着フィルム1をカバーフィルム2にラミネートする際の圧力を均一とすることができ、気泡の混入を防止することができる。このように、半導体装置用フィルム10によれば、ロール状に巻き取った際に、転写痕が接着フィルム12に発生することを抑制することが可能となる。
In the
接着フィルム12とカバーフィルム2の間の剥離力F1は、接着フィルム12とダイシングフィルム11の間の剥離力F2よりも小さい。半導体装置用フィルム10は、その製造過程において、弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド(気泡)等の発生防止の観点から、ダイシングフィルム11、接着フィルム12及びカバーフィルム2に対し引張張力を加えながら積層し製造される。そのため、各フィルムには引張残留歪みが存在する。この引張残留歪みは、例えば、−30〜−10℃の冷凍、又は−5〜10℃の低温状態で輸送したり長時間保管した場合に各フィルムでそれぞれ収縮を引き起こす。例えば、ダイシングフィルムは最も収縮の程度が大きく、カバーフィルムは最も収縮の程度が小さい。ここで、本実施の形態に係る半導体装置用フィルムは、前記剥離力F1及びF2をF1<F2の関係にすることで、各フィルムでの収縮の差異に起因したフィルム間の界面剥離やカバーフィルム2のフィルム浮き現象を防止することができる。更に、接着フィルム12の一部又は全部がカバーフィルム2に転写することも防止できる。
The peeling force F 1 between the
接着フィルム12とカバーフィルム2の間の剥離力F1は0.025〜0.075N/100mmの範囲内が好ましく、0.03〜0.06N/100mmの範囲内がより好ましく、0.035〜0.05N/100mmの範囲内が特に好ましい。剥離力F1が0.025N/100mm未満であると、例えば−30〜−10℃の冷凍、又は−5〜10℃の低温状態で輸送したり長時間保管した場合に、接着フィルム12及びカバーフィルム2が各々異なる収縮率で収縮し、これによりカバーフィルム2のフィルム浮き現象が生じる場合がある。また、半導体装置用フィルム10等の搬送中に、シワや巻きズレ、異物の混入を発生させる場合がある。更に、半導体ウェハのマウントの際に接着フィルム12と半導体ウェハとの間でボイド(気泡)を発生させる場合がある。その一方、剥離力F1が0.075N/100mmより大きいと、接着フィルム12とカバーフィルム2の密着性が強すぎるので、カバーフィルム2の剥離やその収縮の際に、接着フィルム12を構成する接着剤(詳細については後述する。)が一部又は全面に転写する場合がある。尚、前記剥離力F1の値は、接着フィルム12が熱硬化型である場合は、熱硬化前の接着フィルム12とカバーフィルム2の間の剥離力を意味する。
The peel force F 1 between the
また、接着フィルム12とダイシングフィルム11の間の剥離力F2は0.08〜10N/100mmの範囲内が好ましく、0.1〜6N/100mmの範囲内がより好ましく、0.15〜0.4N/100mmの範囲内が特に好ましい。剥離力F2が0.08N/100mm以上であると、例えば−30〜−10℃の冷凍、又は−5〜10℃の低温状態で輸送したり長時間保管した場合に、ダイシングフィルム11及び接着フィルム12が各々異なる収縮率で収縮し、これによりダイシングフィルム11と接着フィルム12の間で界面剥離を生じることを防止することができる。また、半導体装置用フィルム10等の搬送中に、シワや巻きズレ、異物の混入、ボイドが発生することを防止することができる。更に、半導体ウェハをダイシングする際にチップ飛びやチッピングが発生することを防止することができる。その一方、剥離力F2が10N/100mm以下であると、半導体チップのピックアップの際に、接着フィルム12と粘着剤層14との間での剥離性が好適となり、半導体チップのピックアップを良好とすることができる。また、接着剤付き半導体チップに粘着剤層14を構成する粘着剤(詳細については後述する。)に糊付着することを防止することができる。尚、前記剥離力F2の数値範囲は、ダイシングフィルム11に於ける粘着剤層が紫外線硬化型であり、かつ、予め紫外線照射により一定程度硬化された場合も包含している。また、紫外線照射による粘着剤層の硬化は、接着フィルム12と貼り合わせる前であってもよく、貼り合わせた後であってもよい。
Further, the peeling force F 2 between the
また、カバーフィルム2とダイシングフィルム11(粘着剤層14)の間の剥離力F3は0.025 〜5N/100mmの範囲内が好ましく、0.05〜1N/100mmの範囲内がより好ましく、0.1〜0.5N/100mmの範囲内が特に好ましい。剥離力F3が0.025N/100mm以上であると、例えば−30〜−10℃の冷凍、又は−5〜10℃の低温状態で輸送したり長時間保管した場合に、ダイシングフィルム11及びカバーフィルム2が各々異なる収縮率で収縮し、これによりカバーフィルム2のフィルム浮き現象が生じることを防止できる。また、半導体装置用フィルム10等の搬送中に、シワや巻きズレ、異物の混入の発生を防止できる。一方、剥離力F3が5N/100mm以下であるため、ダイシングフィルム11とカバーフィルム2の密着性が強くなるのを抑制でき、カバーフィルムを剥がす工程でベロだしすることができないことを防止することができる。
Further, the peeling force F 3 is preferably in the range of 0.025 through 5n / 100 mm between the
前記剥離力F1〜F3の値は、温度23±2℃、剥離速度300mm/min、チャック間距離100mmの条件下で行ったT型剥離試験(JISK6854−3)における測定値である。また、引張試験機としては、商品名「オートグラフAGS−H」((株)島津製作所製)を用いた。 The values of the peeling forces F 1 to F 3 are measured values in a T-type peeling test (JIS K6854-3) performed under the conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C., a peeling speed of 300 mm / min, and a distance between chucks of 100 mm. As a tensile tester, a trade name “Autograph AGS-H” (manufactured by Shimadzu Corporation) was used.
ダイシングフィルム11における基材13は、ダイシングフィルム11だけでなく半導体装置用フィルム10の強度母体となるものである。基材13としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属(箔)、紙等が挙げられる。尚、粘着剤層14が紫外線硬化型の場合、基材13としては前記に例示したもののうち紫外線透過性を有するものが好ましい。
The
また基材13の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材13を熱収縮させることにより粘着剤層14と接着フィルム12との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
Moreover, as a material of the
基材13の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤(例えば、後述する粘着物質)によるコーティング処理を施すことができる。
The surface of the
基材13は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材13には、帯電防止能を付与する為、基材13上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30〜500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材13は単層あるいは2種以上の複層でもよい。
As the
基材13の厚さは、フィルムの搬送性を確保し、ボンディング工程での支持基材の拡張時においても基材の裂け・破れ・塑性変形が発生を防止するために、10〜170μmが好ましく、より好ましくは、50〜150μmであり、さらに好ましくは、100〜130μmである。
The thickness of the
粘着剤層14の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of the
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。 Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量%以下が好ましい。 The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量%以下が好ましい。 Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、更に好ましくは40万〜300万程度である。 The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、更には0.1〜5重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。 In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifier and anti-aging agent, other than the said component as needed to an adhesive.
粘着剤層14は紫外線硬化型粘着剤により形成することができる。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、粘着剤層14の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分のみを紫外線照射することにより他の部分との粘着力の差を設けることができる。
The pressure-
前記粘着剤層14を紫外線硬化させた後の23℃における引張弾性率は1〜170MPaの範囲内が好ましく、5〜100MPaの範囲内がより好ましい。前記引張弾性率を1MPa以上にすることにより、良好なピックアップ性を維持することができる。その一方、引張弾性率を170MPa以下にすることにより、ダイシングの際のチップ飛びの発生を防止することができる。尚、前記紫外線の照射は、例えば30〜1000mJ/cm2の紫外線照射積算光量で行われることが好ましい。紫外線照射積算光量が30mJ/cm2以上にすることにより、粘着剤層14を不足なく硬化させることができ、接着フィルム12との過度な密着を防止できる。その結果、半導体チップのピックアップの際に、良好なピックアップ性を示すことができる。また、ピックアップ後に接着フィルム12に粘着剤層14の粘着剤が付着(いわゆる糊残り)するのを防止できる。その一方、紫外線照射積算光量を1000mJ/cm2以下にすることにより、粘着剤層14の粘着力の極度の低下を防止し、これにより接着フィルム12との間で剥離が生じて、マウントされた半導体ウェハの脱落が生じるのを防止する。また、半導体ウェハのダイシングの際に、形成された半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。
The tensile modulus at 23 ° C. after the pressure-
前記粘着剤層の引張弾性率の値は、次の測定方法によるものである。即ち、粘着剤層14を長さ30.0mm、幅10.0mm、断面積0.1〜0.5mm2のサンプルを切り出す。このサンプルに対し、測定温度23℃、チャック間距離20mm、引張速度50mm/minでMD方向に引張試験を行い、当該サンプルが伸長したことによるその変化量(mm)を測定した。これにより、得られたS−S(Strain-Strength)曲線において、その初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線が100%の伸びに相当するときの引張強度を断面積で除し、得られた値を粘着剤層の引張弾性率としている。
The value of the tensile elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is determined by the following measurement method. That is, a sample having a length of 30.0 mm, a width of 10.0 mm, and a cross-sectional area of 0.1 to 0.5 mm 2 is cut out from the pressure-
ここで、接着フィルム12は、半導体ウェハの平面視における形状に応じて、その貼り付け部分にのみ形成した構成である。従って、接着フィルム12の形状に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層14を硬化させることにより、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分の粘着力を容易に低下させることができる。粘着力の低下した前記部分に接着フィルム12が貼付けられる為、粘着剤層14の前記部分と接着フィルム12との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有している。
Here, the
前述の通り、前記粘着剤層14が未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分は接着フィルム12と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、チップ状半導体ウェハ(半導体チップ等)を基板等の被着体に固着する為の接着フィルム12を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。半導体ウェハの貼り付け部分にのみ接着フィルム12が積層される場合は、接着フィルム12が積層されていない領域において、ウェハリングが固定される。
As described above, the portion where the pressure-
紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。 As the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, those having an ultraviolet curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive include an additive-type ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive in which an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive or the rubber-based pressure-sensitive adhesive. An agent can be illustrated.
配合する紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100〜30000程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5〜500重量部、好ましくは40〜150重量部程度である。 Examples of the UV curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the ultraviolet curable oligomer component include urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene oligomers, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable. The blending amount of the ultraviolet curable monomer component and oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。 In addition to the additive-type UV-curable pressure-sensitive adhesive described above, the UV-curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, main chain, or main chain terminal as a base polymer. Intrinsic ultraviolet curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic UV curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular weight components, or do not contain many, so they are stable without the oligomer components moving through the adhesive over time. It is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。 As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。 The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into an ultraviolet curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。 Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特にアクリル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0〜10重量部の範囲である。 As the intrinsic ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the ultraviolet curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The UV-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α’−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノン−1,1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05〜20重量部程度である。 The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl Black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 1; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.
前記紫外線硬化型の粘着剤層14中には、必要に応じて、紫外線照射により着色する化合物を含有させることもできる。紫外線照射により、着色する化合物を粘着剤層14に含ませることによって、紫外線照射された部分のみを着色することができる。これにより、粘着剤層14に紫外線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、半導体ウェハ貼り付け部分を認識し易く、半導体ウェハの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。
The ultraviolet curable pressure-
紫外線照射により着色する化合物は、紫外線照射前には無色又は淡色であるが、紫外線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には3−[N−(p−トリルアミノ)]−7−アニリノフルオラン、3−[N−(p−トリル)−N−メチルアミノ]−7−アニリノフルオラン、3−[N−(p−トリル)−N−エチルアミノ]−7−アニリノフルオラン、3−ジエチルアミノ−6−メチル−7−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、4,4’,4”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、4,4’,4”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。 A compound that is colored by ultraviolet irradiation is a compound that is colorless or light-colored before ultraviolet irradiation, but becomes colored by ultraviolet irradiation. Preferable specific examples of such compounds include leuco dyes. As the leuco dye, conventional triphenylmethane, fluoran, phenothiazine, auramine, and spiropyran dyes are preferably used. Specifically, 3- [N- (p-tolylamino)]-7-anilinofluorane, 3- [N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluorane, 3- [ N- (p-tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluorane, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "-trisdimethyl Examples include aminotriphenylmethanol, 4,4 ′, 4 ″ -trisdimethylaminotriphenylmethane, and the like.
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。 Developers preferably used together with these leuco dyes include conventionally used initial polymers of phenol formalin resins, aromatic carboxylic acid derivatives, electron acceptors such as activated clay, and further change the color tone. In some cases, various known color formers can be used in combination.
この様な紫外線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に紫外線硬化型粘着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層14中に10重量%以下、好ましくは0.01〜10重量%、更に好ましくは0.5〜5重量%であるのが望ましい。該化合物の割合が10重量%を超えると、粘着剤層14に照射される紫外線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層14における半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分の硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を0.01重量%以上とするのが好ましい。
Such a compound colored by ultraviolet irradiation may be once dissolved in an organic solvent or the like and then contained in the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive, or may be finely powdered and contained in the pressure sensitive adhesive. The use ratio of this compound is 10% by weight or less in the pressure-
また、粘着剤層14を紫外線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材13の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層14を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分を形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明の半導体装置用フィルム10を製造可能である。
Further, when the pressure-
尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層14の表面よりなんらかの方法で酸素(空気)を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層14の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。
In the case where curing inhibition occurs due to oxygen during ultraviolet irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the ultraviolet curable pressure-
粘着剤層14の厚さは、チップ切断面の欠け防止や接着フィルムの固定保持の両立性の点より、1〜50μmが好ましく、より好ましくは、2〜30μmであり、さらに好ましくは、5〜25μmである。
The thickness of the pressure-
また、基材13の厚さと粘着剤層14の厚さの合計、すなわち、ダイシングフィルム11の厚みTbは、搬送性、チップ切断面の欠け防止や接着フィルムの固定保持の観点、ピックアップ性の観点から25〜180μmが好ましく、より好ましくは、50〜150μmであり、さらに好ましくは、100〜130μmである。
The total thickness of the
接着フィルム12は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用してもよく、熱可塑性樹脂を単独で使用してもよい。
The
接着フィルム12の硬化前の23℃における引張貯蔵弾性率は50〜5000MPaの範囲内が好ましく、300〜4000MPaの範囲内がより好ましく、500〜3000
MPaの範囲内がさらに好ましい。引張貯蔵弾性率を50MPa以上にすることにより、半導体ウェハのダイシングの際に、ダイシング刃との摩擦により熱溶融した接着剤が半導体チップに付着し、これによりピックアップ不良の原因となるのを防止できる。その一方、引張貯蔵弾性率を5000MPa以下にすることにより、マウントされる半導体ウェハやダイボンドする基板等との密着性を良好できる。
The tensile storage modulus at 23 ° C. before curing of the
More preferably within the range of MPa. By setting the tensile storage modulus to 50 MPa or more, when dicing a semiconductor wafer, it is possible to prevent the adhesive that has been thermally melted by friction with the dicing blade from adhering to the semiconductor chip, thereby causing a pickup failure. . On the other hand, by setting the tensile storage elastic modulus to 5000 MPa or less, the adhesion to a mounted semiconductor wafer, a die-bonded substrate, or the like can be improved.
前記引張貯蔵弾性率の値は、次の測定方法によるものである。即ち、離型処理を施した剥離ライナー上に接着剤組成物の溶液を塗布して乾燥し、厚さ100μmの接着フィルム12を形成する。この接着フィルム12を粘弾性測定装置(レオメトリックス社製:形式:RSA−II)を用いて、接着フィルム12の硬化前の23℃における引張貯蔵弾性率を測定する。より詳細には、サンプルサイズを長さ30.0×幅5.0×厚さ0.1mmとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし、−30℃〜280℃の温度域で周波数10.0Hz、歪み0.025%、昇温速度10℃/分の条件下で測定する。
The value of the tensile storage modulus is determined by the following measurement method. That is, the adhesive composition solution is applied onto a release liner that has been subjected to a mold release treatment and dried to form an
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体装置の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。 Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Examples thereof include plastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor device is particularly preferable.
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4〜18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。 The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples include polymers as components. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, and 2-ethylhexyl. Group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, or dodecyl group.
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル若しくは(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。 In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。 Examples of the thermosetting resin include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor chips is preferable. Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型,ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type. , Biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., bifunctional epoxy resin or polyfunctional epoxy resin, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate Type or glycidylamine type epoxy resin is used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。 Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5〜2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは0.8〜1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。 The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
尚、本実施の形態に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着フィルム12が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体チップの信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分100重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が10〜200重量部である。
In the present embodiment, the
本実施の形態に係る接着フィルム12は、予めある程度架橋をさせておくために、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。
Since the
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体100重量部に対し、通常0.05〜7重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。 A conventionally well-known thing can be employ | adopted as said crosslinking agent. In particular, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive force is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it include other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with such a polyisocyanate compound as needed.
また、接着フィルム12には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鈴、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリ力が好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は0.01〜80μmの範囲内であることが好ましい。
Moreover, an inorganic filler can be suitably mix | blended with the
前記無機充填剤の配合量は、有機成分100重量部に対し0〜80重量部に設定することが好ましく、0〜70重量部に設定することがより好ましい。 The blending amount of the inorganic filler is preferably set to 0 to 80 parts by weight and more preferably set to 0 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic component.
尚、接着フィルム12には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。
The
接着フィルム12の厚さは特に限定されないが、例えば、5〜100μm程度、好ましくは5〜70μm程度である。
Although the thickness of the
半導体装置用フィルム10には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材13、粘着剤層14又は接着フィルム12に帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材13への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質(導電フィラー)としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記接着フィルム12は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
The
接着フィルム12は、カバーフィルム2により保護されている。カバーフィルム2は、実用に供するまで接着フィルム12を保護する保護材としての機能を有している。カバーフィルム2はダイシングシート付き接着フィルムの接着フィルム12上に半導体ウェハを貼着する際に剥がされる。カバーフィルム2としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
The
カバーフィルム2の厚さTaは、作業性、搬送性の観点から10〜100μmが好ましく、より好ましくは、15〜75μmであり、さらに好ましくは、25〜50μmである。
The thickness Ta of the
次に、本実施の形態に係る半導体装置用フィルム10の製造方法について、以下に説明する。
本実施の形態に係る半導体装置用フィルム10の製造方法は、基材13上に粘着剤層14を形成してダイシングフィルム11を作製する工程と、基材セパレータ22上に接着フィルム12を形成する工程と、接着フィルム12を、貼り付ける半導体ウェハの形状に合わせて打ち抜く工程と、ダイシングフィルム11の粘着剤層14と接着フィルム12を貼り合わせ面として積層させる工程と、リングフレームに対応した円形状にダイシングフィルム11を打ち抜く工程と、接着フィルム12上の基材セパレータ22を剥離することによりダイシングシート付き接着フィルム1を作製する工程と、カバーフィルム2上に、所定の間隔をおいてダイシングシート付き接着フィルム1を貼り合わせる工程とを含む。
Next, the manufacturing method of the
In the method for manufacturing the
ダイシングフィルム11の作製工程は、例えば、次の通りにして行われる。先ず、基材13は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
The manufacturing process of the dicing
次に、基材13上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ(必要に応じて加熱架橋させて)、粘着剤層14を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば乾燥温度80〜150℃、乾燥時間0.5〜5分間の範囲内で行われる。また、第1セパレータ21上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層14を形成してもよい。その後、基材13上に粘着剤層14を第1セパレータ21と共に貼り合わせる。これにより、第1セパレータ21で粘着剤層14が保護されたダイシングフィルム11が作製される(図3(a)参照)。作製されたダイシングフィルム11は、ロール状に巻回された長尺の形態を有していてもよい。この場合、ダイシングフィルム11に弛みや巻ズレ、位置ズレが生じない様に、その長手方向や幅方向に引張張力を加えながら巻回するのが好ましい。但し、引張張力を加えることにより、ダイシングフィルム11は引張残留歪みが残存した状態でロール状に巻回される。尚、ダイシングフィルム11の巻き取りの際に、前記引張張力が加わることによりダイシングフィルム11が延伸される場合があるが、巻き取りは延伸操作を目的とするものではない。
Next, after a pressure-sensitive adhesive composition solution is applied onto the
粘着剤層14として、紫外線硬化型粘着剤からなり、かつ、予め紫外線硬化されたものを採用する場合は、次の通りにして形成する。即ち、基材13上に紫外線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ(必要に応じて加熱架橋させて)、粘着剤層を形成する。塗布方法、塗布条件、及び乾燥条件は前記と同様に行うことができる。また、第1セパレータ21上に紫外線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層を形成してもよい。その後、基材13上に粘着剤層を転写する。更に、粘着剤層に所定条件下で紫外線を照射する。紫外線の照射条件としては特に限定されないが、通常は積算光量が50〜800mJ/cm2となる範囲内が好ましく、100〜500mJ/cm2となる範囲内がより好ましい。積算光量を前記数値範囲内に調節することで、接着フィルム12とダイシングフィルム11の間の剥離力F2を0.08〜10N/100mmの範囲内に制御することができる。紫外線の照射が30mJ/cm2未満であると、粘着剤層14の硬化が不十分になり、接着フィルム12との剥離力が大きくなり過ぎる場合がある。その結果、ダイボンドフィルムとの密着性が増大し、ピックアップ性の低下を招来する。またピックアップ後、接着フィルムに糊残りが発生する場合がある。その一方、積算光量が1000mJ/cm2を超えると、接着フィルム12との剥離力が小さくなり過ぎる場合がある。その結果、粘着剤層14と接着フィルム12の間で界面剥離を生じる場合がある。その結果、半導体ウェハのダイシングの際に、チップ飛びが発生する場合がある。また、基材13に対し熱的ダメージを与える場合がある。更に、粘着剤層14の硬化が過度に進行して引張弾性率が大きくなりすぎ、エキスパンド性が低下する。尚、紫外線の照射は、後述の接着フィルム12との貼り合わせ工程後に行ってもよい。この場合、紫外線照射は基材13側から行うのが好ましい。
When the pressure-
接着フィルム12の作製工程は次の通りにして行われる。即ち、接着フィルム12を形成するための接着剤組成物溶液を基材セパレータ22上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成する。その後、塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着フィルム12を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば乾燥温度70〜160℃、乾燥時間1〜5分間の範囲内で行われる。また、第2セパレータ23上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着フィルム12を形成してもよい。その後、基材セパレータ22上に接着フィルム12を第2セパレータ23と共に貼り合わせる。これにより、基材セパレータ22上に接着フィルム12及び第2セパレータ23が順次積層された積層フィルムが作製される(図3(b)参照)。この積層フィルムは、ロール状に巻回された長尺の形態を有していてもよい。この場合、接着フィルム12に弛みや巻ズレ、位置ズレが生じない様に、その長手方向や幅方向に引張張力を加えながら巻回するのが好ましい。
The production process of the
次に、接着フィルム12を、貼り付ける半導体ウェハの形状に合わせて打ち抜き、ダイシングフィルム11に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート付き接着フィルム1が得られる。即ち、ダイシングフィルム11から第1セパレータ21を剥離すると共に、打ち抜かれた接着フィルム12から第2セパレータ23を剥離し、接着フィルム12と粘着剤層14とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる(図3(c)参照)。このとき、ダイシングフィルム11又は接着フィルム12の少なくとも何れか一方に対し、周縁部に引張張力を加えながら圧着を行う。また、ダイシングフィルム11がロール状に巻回された長尺のものである場合、ダイシングフィルム11に対しては、その長手方向において極力引張張力を加えずに搬送するのが好ましい。フィルムの引張残留歪みを抑制するためである。但し、ダイシングフィルム11に弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド(気泡)等の発生を防止する観点からは、10〜25Nの範囲内で引張張力を加えてもよい。当該範囲内であれば、ダイシングフィルム11に引張残留歪みが残存していても、ダイシングフィルム11と接着フィルム12の間の界面剥離が発生するのを防止することができる。
Next, the
また、ダイシングフィルム11と接着フィルム12の貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されないが、通常は30〜80℃が好ましく、30〜60℃がより好ましく、30〜50℃が特に好ましい。また、線圧は特に限定されないが、通常は0.1〜20kgf/cmが好ましく、1〜10kgf/cmがより好ましい。有機成分のガラス転移温度が−20〜50℃の範囲内である接着フィルム12に対し、ラミネート温度及び/又は線圧を、それぞれ前記数値範囲内に調整して、ダイシングフィルム11と貼り合わせることで、接着フィルム12とダイシングフィルム11の間の剥離力F2を0.08〜10N/100mmの範囲内に制御することができる。ここで、例えばラミネート温度を前記範囲内で高くすることにより、ダイシングフィルム11と接着フィルム12との間の剥離力F2を大きくすることができる。また、線圧を前記範囲内で大きくすることによっても、剥離力F2を大きくすることができる。
The dicing
次に、接着フィルム12上の基材セパレータ22を剥離し、引張り張力を加えながらカバーフィルム2を貼り合せる。続いて、所定の間隔をおいてリングフレームに対応した円形状にダイシングフィルム11を打ち抜く。これにより、プリカットされたダイシングシート付き接着フィルム1が所定の間隔をおいてカバーフィルム2に積層された半導体装置用フィルム10が作製される。
Next, the base material separator 22 on the
ダイシングシート付き接着フィルム1における接着フィルム12のカバーフィルム2への貼り合わせは、圧着により行うことが好ましい。このとき、ラミネート温度は特に限定されないが、通常は20〜80℃が好ましく、20〜60℃がより好ましく、20〜50℃が特に好ましい。また、線圧は特に限定されないが、通常は0.1〜20kgf/cmが好ましく、0.2〜10kgf/cmがより好ましい。有機成分のガラス転移温度が−20〜50℃の範囲内である接着フィルム12に対し、ラミネート温度及び/又は線圧を、それぞれ前記数値範囲内に調整して、カバーフィルム2と貼り合わせることで、接着フィルム12とカバーフィルム2の間の剥離力F1を0.025〜0.075N/100mmの範囲内に制御することができる。ここで、例えばラミネート温度を前記範囲内で高くすることにより、ダイシングシート付き接着フィルム1とカバーフィルム2との間の剥離力F1を大きくすることができる。また、線圧を前記範囲内で大きくすることによっても、剥離力F1を大きくすることができる。また、カバーフィルム2に対しては、その長手方向において引張張力を極力加えずに搬送するのが好ましい。カバーフィルム2の引張残留歪みを抑制するためである。但し、カバーフィルム2に弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド(気泡)等の発生を防止する観点からは、10〜25Nの範囲内で引張張力を加えてもよい。当該範囲内であれば、カバーフィルム2に引張残留歪みが残存していても、ダイシングシート付き接着フィルム1に対するカバーフィルム2のフィルム浮き現象が発生するのを防止することができる。
The bonding of the
尚、ダイシングフィルム11の粘着剤層14上に貼り合わされる第1セパレータ21、接着フィルム12の基材セパレータ22、及びその接着フィルム12上に貼り合わされる第2セパレータ23としては特に限定されず、従来公知の離型処理されたフィルムを用いることができる。第1セパレータ21及び第2セパレータ23は、それぞれ保護材としての機能を有している。また、基材セパレータ22は、接着フィルム12をダイシングフィルム11の粘着剤層14上に転写する際の基材としての機能を有している。これらの各フィルムを構成する材料としては特に限定されず、従来公知のものを採用することができる。具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が挙げられる。
The
本発明の接着フィルムは、ダイボンドフィルムや、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとして用いることができる。フリップチップ型半導体裏面用フィルムとは、被着体(例えば、リードフレームや回路基板等の各種基板)上にフリップチップ接続された半導体素子(例えば、半導体チップ)の裏面に形成するために用いられるものである。 The adhesive film of the present invention can be used as a die bond film or a flip chip type semiconductor back film. The flip chip type semiconductor back film is used for forming on the back surface of a semiconductor element (for example, a semiconductor chip) flip-chip connected to an adherend (for example, various substrates such as a lead frame and a circuit board). Is.
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this example are not intended to limit the gist of the present invention only to those unless otherwise limited. The term “parts” means parts by weight.
(実施例1)
<ダイシングフィルムの作製>
冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2−エチルヘキシル(以下、「2EHA」という。)88.8部、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル(以下、「HEA」という。)11.2部、過酸化ベンゾイル0.2部及びトルエン65部を入れ、窒素気流中で61℃にて6時間重合処理をし、重量平均分子量85万のアクリル系ポリマーAを得た。2EHAとHEAとのモル比は、100mol対20molとした。なお、重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値とした。
Example 1
<Production of dicing film>
In a reaction vessel equipped with a cooling pipe, a nitrogen introduction pipe, a thermometer, and a stirring device, 88.8 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as “2EHA”), 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter referred to as “HEA”). 11.2 parts, 0.2 part of benzoyl peroxide and 65 parts of toluene were added and polymerized in a nitrogen stream at 61 ° C. for 6 hours to obtain an acrylic polymer A having a weight average molecular weight of 850,000. It was. The molar ratio of 2EHA to HEA was 100 mol to 20 mol. In addition, the weight average molecular weight was measured by GPC (gel permeation chromatography), and was a value calculated by polystyrene conversion.
このアクリル系ポリマーAに2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(以下、「MOI」という。)12部(HEAに対し80mol%)を加え、空気気流中で50℃にて48時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーA’を得た。 To this acrylic polymer A, 12 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter referred to as “MOI”) (80 mol% with respect to HEA) was added, and an addition reaction treatment was performed at 50 ° C. for 48 hours in an air stream. An acrylic polymer A ′ was obtained.
次に、アクリル系ポリマーA’100部に対し、イソシアネート系架橋剤(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン(株)製)8部、及び光重合開始剤(商品名「イルガキュア651」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製)5部を加えて、粘着剤溶液を作製した。 Next, with respect to 100 parts of the acrylic polymer A ′, 8 parts of an isocyanate-based crosslinking agent (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, Ciba 5 parts (made by Specialty Chemicals) was added to prepare an adhesive solution.
前記で調製した粘着剤溶液を、PET剥離ライナー(第1セパレータ)のシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱架橋して、厚さ10μmの粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層の表面に、厚さ100μmのポリオレフィンフィルム(基材)を貼り合せた。その後、50℃にて24時間保存をした。 The pressure-sensitive adhesive solution prepared above was applied on the surface of the PET release liner (first separator) that had been subjected to the silicone treatment, and heat-crosslinked at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. Next, a polyolefin film (base material) having a thickness of 100 μm was bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Thereafter, it was stored at 50 ° C. for 24 hours.
更に、前記PET剥離ライナーを剥離し、粘着剤層の半導体ウェハ貼り付け部分(直径200mmの円形状)に相当する部分(直径220mmの円形状)にのみ紫外線を直接照射した。これにより、本実施例に係るダイシングフィルムを作製した。尚、照射条件は下記の通りである。また、後述の方法により粘着剤層の引張弾性率を測定したところ、引張弾性率は19.7MPaであった。 Further, the PET release liner was peeled off, and ultraviolet rays were directly irradiated only on the portion (circular shape with a diameter of 220 mm) corresponding to the adhesive layer of the semiconductor wafer (circular shape with a diameter of 200 mm). This produced the dicing film concerning a present Example. The irradiation conditions are as follows. Further, when the tensile elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer was measured by a method described later, the tensile elastic modulus was 19.7 MPa.
<紫外線の照射条件>
紫外線(UV)照射装置:高圧水銀灯
紫外線照射積算光量:500mJ/cm2
出力:120W
照射強度:200mW/cm2
<Ultraviolet irradiation conditions>
Ultraviolet (UV) irradiation apparatus: high pressure mercury lamp UV irradiation integrated light quantity: 500 mJ / cm 2
Output: 120W
Irradiation intensity: 200 mW / cm 2
<接着フィルムの作製>
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、商品名;パラクロンW−197CM、Tg:18℃)100部に対して、イソシアネート系架橋剤(日本ポリウレタン(株)製、商品名;コロネートHX)2部、エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート1004)50部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、商品名:ミレックスXLC−3L)10部、無機充填剤として球状シリカ(アドマテックス(株)製、商品名;SO−25R、平均粒径0.5μm)30部をメチルエチルケトンに溶解して、濃度18.0重量%となる様に調製した。尚、後述の方法により熱硬化前の接着フィルムの引張弾性率を測定すると、531MPaであった。
<Preparation of adhesive film>
Acrylic acid ester-based polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., trade name; Paraclone W-197CM, Tg: 18 ° C.) 100 parts by weight based on an isocyanate-based crosslinking agent (Nippon Polyurethane) Co., Ltd., trade name:
この接着剤組成物の溶液を、離型処理フィルム(基材セパレータ)上にファウンテンコーターで塗布して塗布層を形成し、この塗布層に対し150℃、10m/sの熱風を2分間、直接噴射して乾燥させた。これにより、離型処理フィルム上に厚さ25μmの接着フィルムを作製した。なお、離型処理フィルム(基材セパレータ)として、ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ50μm)にシリコーン離型処理したものを用いた。 This adhesive composition solution is applied onto a release-treated film (base separator) with a fountain coater to form a coating layer, and hot air at 150 ° C. and 10 m / s is directly applied to the coating layer for 2 minutes. Sprayed and dried. Thus, an adhesive film having a thickness of 25 μm was produced on the release treatment film. As the release treatment film (base separator), a polyethylene terephthalate film (thickness 50 μm) subjected to silicone release treatment was used.
<ダイシングシート付き接着フィルムの作製>
次に、前記接着フィルムを直径230mmの円形状に切り出し、前記ダイシングフィルムの粘着剤層と円形状に切り出した接着フィルムとを貼り合わせた。貼り合わせはニップロールを用い、貼り合わせ条件はラミネート温度50℃、線圧3kgf/cmにて貼り合わせ、更に、接着フィルム上の基材セパレータを剥離して離型処理フィルム(カバーフィルム)として、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)を貼り合せた。このとき、カバーフィルムに対し、位置ズレ、ボイド(気泡)等が発生するのを防止するため、ダンサーロールを用いて17Nの引張張力をMD方向に加えながら、ラミネート温度はかけずに、線圧2kgf/cmで貼り合せ、ダイシングシート付き接着フィルムを作製した。
<Production of adhesive film with dicing sheet>
Next, the adhesive film was cut into a circular shape having a diameter of 230 mm, and the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film and the adhesive film cut into a circular shape were bonded together. A nip roll is used for the bonding, and the bonding conditions are a lamination temperature of 50 ° C. and a linear pressure of 3 kgf / cm. Further, the base separator on the adhesive film is peeled off to form a release treatment film (cover film). A release-treated polyethylene terephthalate film (thickness: 38 μm) was bonded. At this time, in order to prevent misalignment, voids (bubbles), etc. on the cover film, a linear pressure is applied without applying a lamination temperature while applying a tensile tension of 17 N in the MD direction using a dancer roll. Bonding was performed at 2 kgf / cm to prepare an adhesive film with a dicing sheet.
<半導体装置用フィルムの作製>
更に、接着フィルムが中心となるように直径270mmの円形状にダイシングフィルムを打ち抜くことにより、10mmの間隔をあけて200枚のダイシングシート付き接着フィルムが貼り合わされた本実施例に係る半導体装置用フィルムを得た。
<Preparation of film for semiconductor device>
Furthermore, the film for a semiconductor device according to the present example in which 200 dicing sheet-attached adhesive films were bonded to each other by punching the dicing film into a circular shape having a diameter of 270 mm so that the adhesive film is at the center. Got.
(実施例2)
<ダイシングフィルムの作製>
本実施例に係るダイシングフィルムは、前記実施例1と同様のものを使用した。
(Example 2)
<Production of dicing film>
The dicing film according to this example was the same as that used in Example 1.
<接着フィルムの作製>
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、商品名;パラクロンW−197C、Tg:18℃)100部に対して、イソシアネート系架橋剤(日本ポリウレタン(株)製、商品名;コロネートHX)4部、エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート1004)30部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、商品名:ミレックスXLC−3L)15部、無機充填剤として球状シリカ(アドマテックス(株)製、商品名;SO−25R、平均粒径0.5μm)60部をメチルエチルケトンに溶解して、濃度18.0重量%となる様に調製した。尚、後述の方法により熱硬化前の接着フィルムの引張弾性率を測定すると、224MPaであった。
<Preparation of adhesive film>
Acrylic acid ester-based polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., trade name: Paraclone W-197C, Tg: 18 ° C.) 100 parts by weight based on an isocyanate-based crosslinking agent (Nippon Polyurethane) Co., Ltd., trade name: Coronate HX 4 parts, epoxy resin (JER Co., Ltd., Epicoat 1004) 30 parts, phenol resin (Mitsui Chemicals, trade name: Millex XLC-3L) 15 parts, As an inorganic filler, 60 parts of spherical silica (manufactured by Admatex Co., Ltd., trade name: SO-25R, average particle size 0.5 μm) was dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a concentration of 18.0% by weight. In addition, it was 224 MPa when the tensile elasticity modulus of the adhesive film before thermosetting was measured by the method mentioned later.
<半導体装置用フィルムの作製>
本実施例2に係る半導体装置用フィルムは、前記接着フィルムを用いる以外は、本実施例1と同様にしてシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)を貼り合せることにより、半導体装置用フィルムを作製した。
<Preparation of film for semiconductor device>
The film for a semiconductor device according to Example 2 was obtained by bonding a polyethylene terephthalate film (thickness 38 μm) subjected to silicone release treatment in the same manner as Example 1 except that the adhesive film was used. A film was prepared.
(実施例3)
<ダイシングフィルムの作製>
本実施例に係るダイシングフィルムは、乾燥後の粘着剤層の厚さを5μm、使用するポリオレフィンフィルム(基材)の厚さを40μmとし、ダイシングフィルムの総厚を45μmとしたこと以外は、前記実施例1と同様にして本実施例に係るダイシングフィルムを作製した。
Example 3
<Production of dicing film>
The dicing film according to this example is the above except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying is 5 μm, the thickness of the polyolefin film (base material) to be used is 40 μm, and the total thickness of the dicing film is 45 μm. A dicing film according to this example was produced in the same manner as in Example 1.
<接着フィルムの作製>
本実施例に係る接着フィルムは、前記実施例1と同様のものを使用した。
<Preparation of adhesive film>
The same adhesive film as in Example 1 was used as the adhesive film according to this example.
<半導体装置用フィルムの作製>
本実施例3にわる半導体装置用フィルムは、前記ダイシングフィルムを用いる以外は、本実施例1と同様にしてシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μm)を貼り合せることにより、半導体装置用フィルムを作製した。
<Preparation of film for semiconductor device>
A film for a semiconductor device according to Example 3 was obtained by laminating a polyethylene terephthalate film (thickness: 100 μm) subjected to silicone release treatment in the same manner as in Example 1 except that the dicing film was used. A film was prepared.
(実施例4)
<ダイシングフィルムの作製>
本実施例に係るダイシングフィルムは、乾燥後の粘着剤層の厚さを10μm、使用するポリオレフィンフィルム(基材)の厚さを150μmとし、ダイシングフィルムの総厚を160μmとしたこと以外は、前記実施例1と同様にして本実施例に係るダイシングフィルムを作製した。
Example 4
<Production of dicing film>
The dicing film according to this example is the above except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying is 10 μm, the thickness of the polyolefin film (base material) to be used is 150 μm, and the total thickness of the dicing film is 160 μm. A dicing film according to this example was produced in the same manner as in Example 1.
<接着フィルムの作製>
本実施例に係る接着フィルムは、前記実施例1と同様のものを使用した。
<Preparation of adhesive film>
The same adhesive film as in Example 1 was used as the adhesive film according to this example.
<半導体装置用フィルムの作製>
本実施例4に係る半導体装置用フィルムは、前記ダイシングフィルムを用いる以外は、本実施例1と同様にしてシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ12μm)を貼り合せることにより、半導体装置用フィルムを作製した。
<Preparation of film for semiconductor device>
The film for a semiconductor device according to Example 4 was obtained by laminating a polyethylene terephthalate film (thickness: 12 μm) subjected to silicone release treatment in the same manner as in Example 1 except that the dicing film was used. A film was prepared.
(実施例5)
<ダイシングフィルムの作製>
本実施例に係るダイシングフィルムは、乾燥後の粘着剤層の厚さを5μm、使用するポリオレフィンフィルム(基材)の厚さを75μmとし、ダイシングフィルムの総厚を80μmとしたこと以外は、前記実施例1と同様にして本実施例に係るダイシングフィルムを作製した。
(Example 5)
<Production of dicing film>
The dicing film according to this example is the above except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying is 5 μm, the thickness of the polyolefin film (base material) to be used is 75 μm, and the total thickness of the dicing film is 80 μm. A dicing film according to this example was produced in the same manner as in Example 1.
<接着フィルムの作製>
本実施例に係る接着フィルムは、前記実施例1と同様のものを使用した。
<Preparation of adhesive film>
The same adhesive film as in Example 1 was used as the adhesive film according to this example.
<半導体装置用フィルムの作製>
本実施例5に係る半導体装置用フィルムは、前記ダイシングフィルムを用い、ラミネート温度を50℃、線圧5kg/cmにした以外は、本実施例1と同様にしてシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ75μm)を貼り合せることにより、半導体装置製造用フィルムを作製した。
<Preparation of film for semiconductor device>
The film for a semiconductor device according to Example 5 was a polyethylene terephthalate that was subjected to silicone release treatment in the same manner as in Example 1 except that the dicing film was used, the lamination temperature was 50 ° C., and the linear pressure was 5 kg / cm. A film for manufacturing a semiconductor device was produced by laminating a film (thickness: 75 μm).
(比較例1)
<ダイシングフィルムの作製>
本比較例に係るダイシングフィルムは、乾燥後の粘着剤層の厚さを50μm、使用するポリオレフィンフィルム(基材)の厚さを150μmとし、ダイシングフィルムの総厚を200μmとしたこと以外は、前記実施例1と同様にして本比較例に係るダイシングフィルムを作製した。
(Comparative Example 1)
<Production of dicing film>
The dicing film according to this comparative example is the above except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying is 50 μm, the thickness of the polyolefin film (base material) to be used is 150 μm, and the total thickness of the dicing film is 200 μm. A dicing film according to this comparative example was produced in the same manner as in Example 1.
<半導体装置用フィルムの作製>
本比較例1に係る半導体装置用フィルムは、前記ダイシングフィルムを用い、ラミネート温度を60℃、線圧5kg/cmにした以外は、本実施例1と同様にしてシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ12μm)を貼り合せることにより、半導体装置用フィルムを作製した。
<Preparation of film for semiconductor device>
The film for a semiconductor device according to Comparative Example 1 uses the dicing film, polyethylene terephthalate subjected to silicone release treatment in the same manner as in Example 1 except that the laminating temperature is set to 60 ° C. and the linear pressure is set to 5 kg / cm. A film for a semiconductor device was produced by laminating a film (thickness: 12 μm).
(比較例2)
<ダイシングフィルムの作製>
本比較例に係るダイシングフィルムは、乾燥後の粘着剤層の厚さを15μm、使用するポリオレフィンフィルム(基材)の厚さを40μmとし、ダイシングフィルムの総厚を55μmとしたこと以外は、前記実施例1と同様にして本比較例に係るダイシングフィルムを作製した。
(Comparative Example 2)
<Production of dicing film>
The dicing film according to this comparative example was the above except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 15 μm, the thickness of the polyolefin film (base material) to be used was 40 μm, and the total thickness of the dicing film was 55 μm. A dicing film according to this comparative example was produced in the same manner as in Example 1.
<半導体装置用フィルムの作製>
本比較例2に係る半導体装置用フィルムは、前記ダイシングフィルムを用いる以外は、本実施例1と同様にしてシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ150μm)を貼り合せることにより、半導体装置用フィルムを作製した。
<Preparation of film for semiconductor device>
The film for a semiconductor device according to Comparative Example 2 is a semiconductor device obtained by laminating a polyethylene terephthalate film (thickness 150 μm) subjected to silicone release treatment in the same manner as in Example 1 except that the dicing film is used. A film was prepared.
(剥離力の測定)
各実施例及び比較例で得られた半導体装置用フィルムにおける接着フィルムとカバーフィルムの間の剥離力、ダイシングフィルムと接着フィルムの間の剥離力、及び、カバーフィルムとダイシングフィルム(粘着剤層)の間の剥離力の測定は、温度23±2℃、相対湿度55±5%Rh、剥離速度300mm/minの条件下で、T型剥離試験(JIS K6854−3)により行った。また、引張試験機としては、商品名「オートグラフAGS−H」((株)島津製作所製)を用いた。
(Measurement of peel force)
The peel force between the adhesive film and the cover film, the peel force between the dicing film and the adhesive film, and the cover film and the dicing film (adhesive layer) in the film for a semiconductor device obtained in each example and comparative example. The peeling force was measured by a T-type peeling test (JIS K6854-3) under the conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C., a relative humidity of 55 ± 5% Rh, and a peeling speed of 300 mm / min. As a tensile tester, a trade name “Autograph AGS-H” (manufactured by Shimadzu Corporation) was used.
(粘着剤層の引張弾性率)
粘着剤層の引張弾性率の値は、次の測定方法によるものである。即ち、粘着剤層14を長さ30.0mm、幅10.0mm、断面積0.1〜0.5mm2のサンプルを切り出す。このサンプルに対し、測定温度23℃、チャック間距離20mm、引張速度50mm/minでMD方向に引張試験を行い、当該サンプルが伸長したことによるその変化量(mm)を測定した。これにより、得られたS−S(Strain-Strength)曲線において、その初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線が100%の伸びに相当するときの引張強度を断面積で除し、得られた値を粘着剤層の引張弾性率とした。
(Tensile modulus of adhesive layer)
The value of the tensile elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is determined by the following measurement method. That is, a sample having a length of 30.0 mm, a width of 10.0 mm, and a cross-sectional area of 0.1 to 0.5 mm 2 is cut out from the pressure-
(熱硬化前の接着フィルムの引張弾性率)
実施例及び比較例における接着剤組成物を、離型処理を施した剥離ライナ上に100μmとなるように塗布し、ダイシングフィルムを得た。この接着フィルムについて、粘弾性測定装置(レオメトリックス社製:形式:RSA−II)を用いて、23℃における引張弾性率を測定した。より詳細には、サンプルサイズを長さ30mm×幅5mm×厚さ0.1mmとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−30〜280℃の温度域で周波数10.0Hz、歪み0.025%、昇温速度10℃/minの条件下で測定した。
(Tensile modulus of adhesive film before thermosetting)
The adhesive compositions in Examples and Comparative Examples were applied on a release liner subjected to a release treatment so as to have a thickness of 100 μm to obtain a dicing film. About this adhesive film, the tensile elasticity modulus in 23 degreeC was measured using the viscoelasticity measuring apparatus (Rheometrics company_made: type | formula: RSA-II). More specifically, the sample size is 30 mm long × 5 mm wide × 0.1 mm thick, the measurement sample is set in a film tension measuring jig, and the frequency is 10.0 Hz and the strain is 0 in the temperature range of −30 to 280 ° C. The measurement was performed under the conditions of 0.025% and a heating rate of 10 ° C./min.
(界面剥離及びフィルム浮きの有無)
各実施例及び比較例で得られた半導体装置用フィルムにおけるフィルム浮きの確認は、次の通りにして行った。即ち、各半導体装置用フィルムを、温度−30±2℃の冷凍庫で120時間放置した。更に、温度23±2℃、相対湿度55±5%Rhの環境下で24時間放置した。その後、半導体装置用フィルムにおける各フィルム間の界面剥離及びフィルム浮きの有無を確認した。評価基準は、目視で界面剥離やフィルム浮きが観察されなかった場合を○とし、観察された場合を×とした。
(Existence of interface peeling and film floating)
Confirmation of film floating in the films for semiconductor devices obtained in the respective Examples and Comparative Examples was performed as follows. That is, each film for a semiconductor device was left in a freezer at a temperature of −30 ± 2 ° C. for 120 hours. Further, it was left for 24 hours in an environment of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a relative humidity of 55 ± 5% Rh. Then, the presence or absence of the interface peeling between each film and the film floating in the film for semiconductor devices was confirmed. As the evaluation criteria, a case where no interfacial peeling or film lifting was visually observed was evaluated as ◯, and a case where it was observed was evaluated as ×.
(マウント後のボイドの有無)
各実施例及び比較例で得られた半導体装置用フィルムのボイドの有無は、次の通りにして確認した。即ち、各半導体装置用フィルムからカバーフィルムをそれぞれ剥離し、接着フィルム上に半導体ウェハのマウントを行った。半導体ウェハとしては大きさが8インチ、厚さ75μmのものを使用した。半導体ウェハのマウント条件は、下記の通りとした。
(Presence / absence of void after mounting)
The presence or absence of voids in the film for a semiconductor device obtained in each example and comparative example was confirmed as follows. That is, the cover film was peeled off from each semiconductor device film, and the semiconductor wafer was mounted on the adhesive film. A semiconductor wafer having a size of 8 inches and a thickness of 75 μm was used. The mounting conditions of the semiconductor wafer were as follows.
<貼り合わせ条件>
貼り付け装置:ACC(株)製、商品名;RM−300
貼り付け速度計:50mm/sec 貼り付け圧力:0.2MPa
貼り付け温度:50℃
<Bonding conditions>
Pasting device: ACC Co., Ltd., trade name: RM-300
Pasting speed meter: 50 mm / sec Pasting pressure: 0.2 MPa
Pasting temperature: 50 ° C
続いて、ダイシングシート付き接着フィルムと半導体ウェハとの貼り合わせ面のボイド(気泡)の有無を、顕微鏡により確認した。結果を下記表1に示す。 Subsequently, the presence or absence of voids (bubbles) on the bonding surface of the adhesive film with a dicing sheet and the semiconductor wafer was confirmed with a microscope. The results are shown in Table 1 below.
(ピックアップの評価)
各半導体装置用フィルムからカバーフィルムをそれぞれ剥離し、接着フィルム上に半導体ウェハのマウントを行った。半導体ウェハとしては大きさが8インチ、厚さ75μmのものを使用した。半導体ウェハのマウント条件は、前記と同様にした。
(Evaluation of pickup)
The cover film was peeled off from each film for a semiconductor device, and a semiconductor wafer was mounted on the adhesive film. A semiconductor wafer having a size of 8 inches and a thickness of 75 μm was used. The semiconductor wafer mounting conditions were the same as described above.
次に、下記の条件に従って半導体ウェハのダイシングを行い、30個の半導体チップを形成した。更に、半導体チップを接着フィルムと共にピックアップした。ピックアップは30個の半導体チップ(縦10mm×横10mm)に対し行い、破損なく半導体チップのピックアップが成功した場合をカウントして成功率を算出した。結果を下記表1に示す。なお、比較例1では、マウンターでの貼り合わせの際に、カバーフィルムと接着フィルムとが剥がれずに搬送エラー(ベロ出しできない)が数回発生した。ピックアップ条件は下記の通りである。 Next, the semiconductor wafer was diced according to the following conditions to form 30 semiconductor chips. Furthermore, the semiconductor chip was picked up together with the adhesive film. The pick-up was performed on 30 semiconductor chips (10 mm long × 10 mm wide), and the success rate was calculated by counting the cases where the semiconductor chip was successfully picked up without breakage. The results are shown in Table 1 below. In Comparative Example 1, the cover film and the adhesive film were not peeled off during the pasting with the mounter, and a transport error (cannot be printed) occurred several times. The pickup conditions are as follows.
<ダイシング条件>
ダイシング方法:ステップカット
ダイシング装置:DISCO DFD6361(商品名、株式会社ディスコ製)
ダイシング速度:30mm/sec
ダイシングブレード:Z1;ディスコ社製「NBC−ZH203O−SE27HCD」
Z2;ディスコ社製「NBC−ZH103O−SE27HCB」
ダイシングブレード回転数:Z1;40,000rpm, Z2;45,000rpm
ダイシングテープ切り込み深さ:20μm
ウェハチップサイズ:10mm×10mm
<Dicing conditions>
Dicing method: Step cut Dicing device: DISCO DFD6361 (trade name, manufactured by DISCO Corporation)
Dicing speed: 30mm / sec
Dicing blade: Z1; “NBC-ZH203O-SE27HCD” manufactured by Disco Corporation
Z2: “NBC-ZH103O-SE27HCB” manufactured by Disco Corporation
Dicing blade rotation speed: Z1; 40,000 rpm, Z2; 45,000 rpm
Dicing tape cutting depth: 20μm
Wafer chip size: 10mm x 10mm
<ピックアップ条件>
ピックアップ装置:商品名「SPA―300」新川社製
ニードル数:9本
突き上げ量 :300μm
突き上げ速度:10mm/秒
引き落とし量:3mm
<Pickup conditions>
Pickup device: Trade name “SPA-300” manufactured by Shinkawa Co., Ltd. Number of needles: 9 Push-up amount: 300 μm
Push-up speed: 10 mm / sec.
<一ヶ月冷蔵保存後の巻き跡転写によるボイド有無評価>
各実施例、及び、比較例で得られた半導体装置用フィルムを、巻き取り張力を2kgとしてロール状に巻き取った。そして、この状態で、温度5℃の冷蔵庫内に一ヶ月間放置した。その後、室温に戻してからロールを解き、100枚目のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、半導体ウェハのマウントを行い、目視にてボイドの有無を確認した。半導体ウェハとしては大きさが8インチ、厚さ75μmのものを使用した。なお、貼り合わせ条件は、上記のマウント後のボイド評価と同様とした。結果を表1に示す。
<Evaluation of the presence or absence of voids by coil transfer after refrigerated storage for one month>
The film for a semiconductor device obtained in each Example and Comparative Example was wound into a roll shape with a winding tension of 2 kg. In this state, it was left in a refrigerator at a temperature of 5 ° C. for one month. Then, after returning to room temperature, the roll was unwound, the semiconductor wafer was mounted using the 100th dicing die-bonding film, and the presence or absence of the void was confirmed visually. A semiconductor wafer having a size of 8 inches and a thickness of 75 μm was used. The bonding conditions were the same as those for the void evaluation after mounting. The results are shown in Table 1.
尚、表1中の剥離力F1はダイシングシート付き接着フィルムとカバーフィルムとの間の剥離力を表し、剥離力F2はダイシングフィルムと接着フィルムとの間の剥離力を表し、剥離力F3はカバーフィルムとダイシングフィルム(粘着剤層)の間の剥離力を表す。 In Table 1, the peel force F 1 represents the peel force between the adhesive film with the dicing sheet and the cover film, the peel force F 2 represents the peel force between the dicing film and the adhesive film, and the peel force F. 3 represents the peeling force between the cover film and the dicing film (adhesive layer).
(結果)
表1から明らかな通り、実施例1〜5の半導体装置用フィルムであると、半導体ウェハのマウント直後において、ボイドは確認されなかった。また、巻回して一ヶ月冷蔵保存した場合、巻き跡転写によるボイドは確認されなかった。また、マウンタ装置による半導体ウェハへの貼り合わせの際に、ダイシングシート付き接着フィルムとカバーフィルムとを好適に剥離する(ベロ出しする)ことができた。これに対し、比較例1の半導体装置用フィルムでは、半導体ウェハのマウント直後において、ボイドが確認された。また、巻回して一ヶ月冷蔵保存した場合、巻き跡転写によるボイドが確認された。また、カバーフィルムのフィルム浮きの現象も確認された。また、半導体ウェハのマウントの際、半導体装置用フィルムからカバーフィルムが剥離せず搬送エラーが数回発生した。また、半導体ウェハのダイシングの際にチップ飛びやチッピングが発生した。また、比較例2の半導体装置用フィルムでは、ピックアップ性は良好であったが、半導体ウェハのマウント直後において、ボイドが確認された。また、巻回して一ヶ月冷蔵保存した場合、巻き跡転写によるボイドが確認された。また、カバーフィルムのフィルム浮きの現象も確認された。
(result)
As is apparent from Table 1, no void was found in the films for semiconductor devices of Examples 1 to 5 immediately after mounting the semiconductor wafer. In addition, when the sample was wound and stored refrigerated for one month, no voids due to the trace transfer were confirmed. Moreover, the adhesive film with a dicing sheet and the cover film were able to be suitably peeled off (bonded out) during bonding to the semiconductor wafer by the mounter device. On the other hand, in the film for a semiconductor device of Comparative Example 1, voids were confirmed immediately after mounting the semiconductor wafer. In addition, when the sample was wound and stored refrigerated for one month, voids due to transfer of traces were confirmed. Moreover, the phenomenon of the film lift of the cover film was also confirmed. Further, when the semiconductor wafer was mounted, the cover film was not peeled off from the film for a semiconductor device and a transport error occurred several times. Further, chip skipping and chipping occurred during dicing of the semiconductor wafer. Further, in the film for a semiconductor device of Comparative Example 2, the pick-up property was good, but voids were confirmed immediately after mounting the semiconductor wafer. In addition, when the sample was wound and stored refrigerated for one month, voids due to transfer of traces were confirmed. Moreover, the phenomenon of the film lift of the cover film was also confirmed.
1 ダイシングシート付き接着フィルム
2 カバーフィルム
10 半導体装置用フィルム
11 ダイシングフィルム
12 接着フィルム
13 基材
14 粘着剤層
21 第1セパレータ
22 基材セパレータ
23 第2セパレータ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010199028A JP4991921B2 (en) | 2010-09-06 | 2010-09-06 | Film for semiconductor device and semiconductor device |
KR1020117027458A KR101190467B1 (en) | 2010-09-06 | 2011-08-29 | Film for semiconductor device and semiconductor device |
PCT/JP2011/069473 WO2012032959A1 (en) | 2010-09-06 | 2011-08-29 | Film for semiconductor device and semiconductor device |
CN201180042794.2A CN103081068B (en) | 2010-09-06 | 2011-08-29 | Film for semiconductor apparatus and semiconductor device |
TW100131753A TWI458005B (en) | 2010-09-06 | 2011-09-02 | Film for semiconductor device and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010199028A JP4991921B2 (en) | 2010-09-06 | 2010-09-06 | Film for semiconductor device and semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012059769A true JP2012059769A (en) | 2012-03-22 |
JP4991921B2 JP4991921B2 (en) | 2012-08-08 |
Family
ID=45810561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010199028A Active JP4991921B2 (en) | 2010-09-06 | 2010-09-06 | Film for semiconductor device and semiconductor device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4991921B2 (en) |
KR (1) | KR101190467B1 (en) |
CN (1) | CN103081068B (en) |
TW (1) | TWI458005B (en) |
WO (1) | WO2012032959A1 (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014216488A (en) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 日東電工株式会社 | Adhesive film, dicing/die bonding film, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
WO2015076236A1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 積水化学工業株式会社 | Adhesive film for semiconductor bonding |
JP2016111155A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016111157A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016111156A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016111158A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016115943A (en) * | 2014-03-24 | 2016-06-23 | リンテック株式会社 | Protective film formation film |
JP2017118119A (en) * | 2017-01-19 | 2017-06-29 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet used in manufacturing semiconductor device, dicing tape-integrated adhesive sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2017163147A (en) * | 2012-12-10 | 2017-09-14 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet integrating dicing tape, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
JP2017183705A (en) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | Dicing die bonding film, and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018019022A (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 日東電工株式会社 | Dicing tape integrated semiconductor rear face film and method of manufacturing semiconductor device |
CN106514014B (en) * | 2017-01-17 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | The laser repair method and its laser repair system of a kind of substrate |
JP7256618B2 (en) * | 2018-08-29 | 2023-04-12 | タツタ電線株式会社 | Electromagnetic wave shielding film with transfer film, method for producing electromagnetic wave shielding film with transfer film, and method for producing shield printed wiring board |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009099191A1 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
JP2009212511A (en) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Dicing sheet function-provided film for semiconductor, and semiconductor device |
JP2009239138A (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4300393B2 (en) * | 2002-07-04 | 2009-07-22 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive sheet, semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4275522B2 (en) * | 2003-12-26 | 2009-06-10 | 日東電工株式会社 | Dicing die bond film |
JP2006028400A (en) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive sheet equipped with cushioning cover film, semiconductor device, and method for producing the device |
JP2008021858A (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Adhesive film for dicing/die bonding |
JP5032231B2 (en) * | 2007-07-23 | 2012-09-26 | リンテック株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
-
2010
- 2010-09-06 JP JP2010199028A patent/JP4991921B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-29 CN CN201180042794.2A patent/CN103081068B/en active Active
- 2011-08-29 KR KR1020117027458A patent/KR101190467B1/en active IP Right Grant
- 2011-08-29 WO PCT/JP2011/069473 patent/WO2012032959A1/en active Application Filing
- 2011-09-02 TW TW100131753A patent/TWI458005B/en active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009099191A1 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
JP2009212511A (en) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Dicing sheet function-provided film for semiconductor, and semiconductor device |
JP2009239138A (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017163147A (en) * | 2012-12-10 | 2017-09-14 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet integrating dicing tape, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
JP2014216488A (en) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 日東電工株式会社 | Adhesive film, dicing/die bonding film, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
WO2015076236A1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 積水化学工業株式会社 | Adhesive film for semiconductor bonding |
JP5799180B1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-10-21 | 積水化学工業株式会社 | Adhesive film for semiconductor bonding |
US10510578B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-12-17 | Lintec Corporation | Protective film forming film, protective film forming sheet and work product manufacturing method |
JP2019021945A (en) * | 2014-03-24 | 2019-02-07 | リンテック株式会社 | Protective film formation film |
JP2019021946A (en) * | 2014-03-24 | 2019-02-07 | リンテック株式会社 | Protective film formation film |
JP2016115943A (en) * | 2014-03-24 | 2016-06-23 | リンテック株式会社 | Protective film formation film |
JP2016111155A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016111158A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016111156A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2016111157A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 古河電気工業株式会社 | Tape for wafer processing |
JP2017183705A (en) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | Dicing die bonding film, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2017118119A (en) * | 2017-01-19 | 2017-06-29 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet used in manufacturing semiconductor device, dicing tape-integrated adhesive sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101190467B1 (en) | 2012-10-11 |
TWI458005B (en) | 2014-10-21 |
WO2012032959A1 (en) | 2012-03-15 |
TW201218264A (en) | 2012-05-01 |
KR20120034619A (en) | 2012-04-12 |
CN103081068A (en) | 2013-05-01 |
CN103081068B (en) | 2016-08-03 |
JP4991921B2 (en) | 2012-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4991921B2 (en) | Film for semiconductor device and semiconductor device | |
JP5143196B2 (en) | Film for semiconductor devices | |
JP4602450B2 (en) | Film for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4976532B2 (en) | Film for semiconductor devices | |
JP4976531B2 (en) | Film for semiconductor devices | |
JP4553400B2 (en) | Dicing die bond film | |
JP4801127B2 (en) | Manufacturing method of dicing die-bonding film | |
JP4717085B2 (en) | Dicing die bond film | |
JP5322609B2 (en) | Film roll for semiconductor device manufacturing | |
JP2012069586A (en) | Dicing die-bonding film, manufacturing method of dicing die-bonding film, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2011187571A (en) | Dicing die-bonding film | |
JP2008218571A (en) | Dicing die bond film | |
JP2012222002A (en) | Dicing die-bonding film and semiconductor device manufacturing method | |
JP2013038408A (en) | Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film | |
JP6073263B2 (en) | Die bond film with dicing sheet and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2014082498A (en) | Manufacturing method of dicing die-bonding film | |
JP2012186361A (en) | Dicing/die-bonding film and semiconductor element | |
JP5656741B2 (en) | Manufacturing method of dicing die-bonding film | |
JP4568376B2 (en) | Dicing die bond film | |
JP2012186360A (en) | Dicing/die-bonding film and semiconductor element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20111228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120424 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4991921 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |