JP2012054559A - 大面積シリコン基板及びその他の基板上の多層iii族窒化物バッファの成長 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本方法は、エッチングした第1エピタキシャル層106a上に第2エピタキシャル層106bを形成することを含む。106a,b層は少なくとも1個のIII族窒化物を含み、106a,b層は一緒になって1個のバッファ106を形成する。本方法は、更に、該バッファ上に装置層108を形成し、且つ該装置層を使用して半導体装置を製造することを包含している。106b層は、実質的に106a領域上にのみ存在する106b領域を包含することが可能である。106b層は、又、106a領域及び該基板を被覆することが可能であり、且つ106b層はエッチングするか又はしない場合がある。該装置層は106b層を形成するために使用するのと同じ操作期間中に形成することが可能である。
【選択図】図1
Description
半導体基板上に第1エピタキシャル層を形成し、
該第1エピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第1エピタキシャル領域を形成し、
該エッチングした第1エピタキシャル層上に第2エピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層の各々は少なくとも一つのIII族窒化物を有しており、該エピタキシャル層は一緒になって1個のバッファを形成し、
該バッファ上に装置層を形成し、
該装置層を使用して半導体装置を製造する、
ことを特徴とする方法が提供される。
該第2エピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第2エピタキシャル領域を形成する、
ことを包含している。
該第2エピタキシャル層を形成する前に、該第1エピタキシャル領域の上及び回りに第1誘電体物質を付着し且つ該第1誘電体物質及び該第1エピタキシャル領域を平坦化し、
該第2エピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第2エピタキシャル領域を形成し、
該第2エピタキシャル領域の上及び回りに第2誘電体物質を付着し且つ該第2誘電体物質及び該第2エピタキシャル領域を平坦化させる、
ことを包含している。
該半導体装置を分離させる、
ことを包含している。
該基板が少なくとも6インチの直径を有するシリコンウエハを有しており、
該少なくとも1個のIII族窒化物が、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)、インジウム窒化アルミニウム(InAlN)、インジウムアルミニウム窒化ガリウム(InAlGaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、及びインジウム窒化ガリウム(InGaN)の内の一つ又はそれ以上を有しており、
該第1エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有しており、
該第2エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有している、
ことを包含している。
半導体基板が設けられており、
該基板上の第1エピタキシャル層であって、複数の分離された第1エピタキシャル領域を有している第1エピタキシャル層が設けられており、
該第1エピタキシャル層上に第2エピタキシャル層が設けられており、
該エピタキシャル層の各々は少なくとも1個のIII族窒化物を有しており、該エピタキシャル層は一緒になって1個のバッファを形成しており、
該バッファ上に装置層が設けられており、
該装置層内又は上に半導体装置が設けられている、
ことを特徴とするシステムが提供される。
該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、
本システムが、更に、該第1エピタキシャル領域を互いに電気的に分離しており且つ該第2エピタキシャル領域を互いに電気的に分離している複数の誘電体領域を有している、
ことを包含している。
分離領域が該装置層及び該バッファの少なくとも一部内に設けられており、該分離領域は該半導体装置を分離する形態とされている、
ことを包含している。
該基板は少なくとも6インチの直径を有するシリコンウエハを有しており、
該少なくとも1個のIII族は、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)、インジウム窒化アルミニウム(InAlN)、インジウムアルミニウム窒化ガリウム(InAlGaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、及びインジウム窒化ガリウム(InGaN)の内の一つ又はそれ以上を有しており、
該第1エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有しており、
該第2エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有している、
ことを包含している。
半導体基板、
該基板上に設けられており複数の分離された第1エピタキシャル領域を有している第1エピタキシャル層、
該第1エピタキシャル層上に設けられている第2エピタキシャル層、
を有しており、該エピタキシャル層の各々が少なくとも1個のIII族窒化物を有しており、該エピタキシャル層が一緒になって少なくとも1個のIII族窒化物半導体装置用のバッファを形成していることを特徴とする装置が提供される。
該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、
本装置が、更に、該第1エピタキシャル領域を互いに電気的に分離し且つ該第2エピタキシャル領域を互いに電気的に分離している複数の誘電体領域を有している、
ことを包含している。
該基板が少なくとも6インチの直径を有しているシリコンウエハを有しており、
該少なくとも1個のIII族窒化物が、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)、インジウム窒化アルミニウム(InAlN)、インジウムアルミニウム窒化ガリウム(InAlGaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、及びインジウム窒化ガリウム(InGaN)の内の一つ又はそれ以上を有しており、
該第1エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有しており、
該第2エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有している、
ことを包含している。
102:基板
104:核形成層
106:バッファ層
108:III族窒化物装置層
110−112:コンタクト
114:ゲート
Claims (20)
- 半導体基板上に第1エピタキシャル層を形成し、
該第1エピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第1エピタキシャル領域を形成し、
該エッチングした第1エピタキシャル層上に第2エピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層の各々は少なくとも一つのIII族窒化物を有しており、該エピタキシャル層は一緒になって1個のバッファを形成し、
該バッファ上に装置層を形成し、
該装置層を使用して半導体装置を製造する、
ことを特徴とする方法。 - 請求項1において、該第2エピタキシャル層を形成する場合に、実質的に該第1エピタキシャル領域上にのみ第2エピタキシャル領域を選択的に形成することを特徴とする方法。
- 請求項1において、該第2エピタキシャル層を形成する場合に、該第1エピタキシャル領域及び該基板を該第2エピタキシャル層で被覆することを特徴とする方法。
- 請求項3において、更に、
該第2エピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第2エピタキシャル領域を形成する、
ことを特徴とする方法。 - 請求項1において、更に、
該第2エピタキシャル層を形成する前に、該第1エピタキシャル領域の上及び回りに第1誘電体物質を付着し且つ該第1誘電体物質及び該第1エピタキシャル領域を平坦化し、
該第2エピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第2エピタキシャル領域を形成し、
該第2エピタキシャル領域の上及び回りに第2誘電体物質を付着し且つ該第2誘電体物質及び該第2エピタキシャル領域を平坦化させる、
ことを特徴とする方法。 - 請求項1において、該装置層を形成する場合に、該第2エピタキシャル層を形成するために使用するのと同じ操作期間中に該装置層を形成する、ことを特徴とする方法。
- 請求項1において、更に、
該半導体装置を分離させる、
ことを特徴とする方法。 - 請求項1において、
該基板が少なくとも6インチの直径を有するシリコンウエハを有しており、
該少なくとも1個のIII族窒化物が、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)、インジウム窒化アルミニウム(InAlN)、インジウムアルミニウム窒化ガリウム(InAlGaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、及びインジウム窒化ガリウム(InGaN)の内の一つ又はそれ以上を有しており、
該第1エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有しており、
該第2エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有している、
ことを特徴とする方法。 - 半導体基板が設けられており、
該基板上の第1エピタキシャル層であって、複数の分離された第1エピタキシャル領域を有している第1エピタキシャル層が設けられており、
該第1エピタキシャル層上に第2エピタキシャル層が設けられており、
該エピタキシャル層の各々は少なくとも1個のIII族窒化物を有しており、該エピタキシャル層は一緒になって1個のバッファを形成しており、
該バッファ上に装置層が設けられており、
該装置層内又は上に半導体装置が設けられている、
ことを特徴とするシステム。 - 請求項9において、該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、該第2エピタキシャル領域が実質的に該第1エピタキシャル領域上にのみ設けられていることを特徴とするシステム。
- 請求項9において、該第2エピタキシャル層が、該第1エピタキシャル領域及び該基板の少なくとも一部を被覆するエピタキシャル物質を有していることを特徴とするシステム。
- 請求項9において、
該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、
本システムが、更に、該第1エピタキシャル領域を互いに電気的に分離しており且つ該第2エピタキシャル領域を互いに電気的に分離している複数の誘電体領域を有している、
ことを特徴とするシステム。 - 請求項9において、更に、
分離領域が該装置層及び該バッファの少なくとも一部内に設けられており、該分離領域は該半導体装置を分離する形態とされている、
ことを特徴とするシステム。 - 請求項9において、
該基板は少なくとも6インチの直径を有するシリコンウエハを有しており、
該少なくとも1個のIII族は、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)、インジウム窒化アルミニウム(InAlN)、インジウムアルミニウム窒化ガリウム(InAlGaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、及びインジウム窒化ガリウム(InGaN)の内の一つ又はそれ以上を有しており、
該第1エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有しており、
該第2エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有している、
ことを特徴とするシステム。 - 半導体基板、
該基板上に設けられており複数の分離された第1エピタキシャル領域を有している第1エピタキシャル層、
該第1エピタキシャル層上に設けられている第2エピタキシャル層、
を有しており、該エピタキシャル層の各々が少なくとも1個のIII族窒化物を有しており、該エピタキシャル層が一緒になって少なくとも1個のIII族窒化物半導体装置用のバッファを形成していることを特徴とする装置。 - 請求項15において、該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、該第2エピタキシャル領域が実質的に該第1エピタキシャル領域上にのみ設けられていることを特徴とする装置。
- 請求項15において、該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、該第2エピタキシャル領域は該第1エピタキシャル領域及び該第1エピタキシャル領域に隣接した該基板の部分を被覆しており、該第2エピタキシャル領域は該基板のその他の部分を被覆するものではないことを特徴とする装置。
- 請求項15において、該第2エピタキシャル層が該第1エピタキシャル領域を被覆しているエピタキシャル物質を有していることを特徴とする装置。
- 請求項15において、
該第2エピタキシャル層が複数の分離された第2エピタキシャル領域を有しており、
本装置が、更に、該第1エピタキシャル領域を互いに電気的に分離し且つ該第2エピタキシャル領域を互いに電気的に分離している複数の誘電体領域を有している、
ことを特徴とする装置。 - 請求項15において、
該基板が少なくとも6インチの直径を有しているシリコンウエハを有しており、
該少なくとも1個のIII族窒化物が、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)、インジウム窒化アルミニウム(InAlN)、インジウムアルミニウム窒化ガリウム(InAlGaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、及びインジウム窒化ガリウム(InGaN)の内の一つ又はそれ以上を有しており、
該第1エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有しており、
該第2エピタキシャル層が1μm乃至3μmの厚さを有している、
ことを特徴とする装置。
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