JP2012054482A - Semiconductor manufacturing device management system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の一種である半導体基板の処理特性を管理する技術に関し、制御パラメータのトレンドチャートを利用したデータ管理技術に関する。 The present invention relates to a technique for managing processing characteristics of a semiconductor substrate, which is a kind of substrate, and to a data management technique using a trend chart of control parameters.
基板処理システムの一種である半導体製造装置管理システムは、基板の一種である半導体基板の成膜特性に関する温度、ガス流量、圧力値、ＲＦ電源（ＲＦ：Radio Frequency）の出力値などの制御パラメータの値と、経過時間を周期的に取得し、トレンドチャートを表示する機能を有する。トレンドチャートは、プロセス技術者等のユーザが制御パラメータの値と経過時間の関係、または制御パラメータ間の依存関係を把握することに利用される。一般に半導体製造装置管理システムは、成膜中のサンプリングデータをリアルタイムに表示する機能と、ＨＤＤ（Hard disk drive）等の記憶装置に保存されたサンプリングデータファイルを読み込み、表示する機能とを少なくとも有している。またこのような半導体製造装置管理システムは、サンプリング周期を変更する機能や、トレンドチャートの縦軸、横軸の解像度を変更する機能を有している。 A semiconductor manufacturing apparatus management system, which is a kind of substrate processing system, has control parameters such as temperature, gas flow rate, pressure value, and output value of RF power supply (RF: Radio Frequency) related to film formation characteristics of a semiconductor substrate, which is a kind of substrate. It has a function of periodically acquiring values and elapsed time and displaying a trend chart. The trend chart is used for a user such as a process engineer to grasp the relationship between the value of the control parameter and the elapsed time, or the dependency between the control parameters. Generally, a semiconductor manufacturing apparatus management system has at least a function for displaying sampling data during film formation in real time and a function for reading and displaying a sampling data file stored in a storage device such as an HDD (Hard disk drive). ing. Such a semiconductor manufacturing apparatus management system has a function of changing the sampling period and a function of changing the resolution of the vertical and horizontal axes of the trend chart.
ユーザは、トレンドチャートにより成膜プロセスにおいてオーバーシュート、アンダーシュート、ハンチングなどの現象が発生しているかを目視で確認し、処理特性（成膜特性）を検証する。 The user visually checks whether or not a phenomenon such as overshoot, undershoot, or hunting has occurred in the film forming process using the trend chart, and verifies the processing characteristics (film forming characteristics).
また、関連のある技術として、以下の文献が開示されている。 Further, the following documents are disclosed as related techniques.
図１０に、従来の半導体製造装置管理システムによるトレンドチャートの表示例を示し、従来の解析手順を説明する。図１０の例は、縦軸に温度、横軸上段に経過時間、横軸下段にサンプリング時刻を示している。ユーザは上下に突出している位置を目視で把握し、マウスなどのポインティングデバイスにより突出位置を指示することにより、その位置の値（図１０の例では温度値）、経過時間、サンプリング時刻を表示させ、その他の値を手作業により用紙等に記録する。 FIG. 10 shows a display example of a trend chart by a conventional semiconductor manufacturing apparatus management system, and a conventional analysis procedure will be described. In the example of FIG. 10, the vertical axis indicates temperature, the horizontal axis indicates the elapsed time, and the horizontal axis indicates the sampling time. The user visually grasps the position protruding vertically, and designates the protruding position using a pointing device such as a mouse, thereby displaying the position value (temperature value in the example of FIG. 10), elapsed time, and sampling time. The other values are recorded manually on a sheet or the like.
ユーザは、この作業を上下の突出位置全てに対し実行し、その全データを整理、検証することにより、オーバーシュートの最大値、アンダーシュートの最大値、また、オーバーシュートやアンダーシュートが発生している区間の時間、ハンチングが継続している時間、その区間の平均値などを算出する。突出位置が数十から数百に及ぶ揚合、その作業時間は多大なものとなる。また、現象が発生している区間が数十分以上と長い場合、ユーザはトレンドチャートの表示解像度を一旦高くして突出位置を指示し、その他の値を記録し、再度トレンドチャートの解像度を低くし、突出位置を見つけ、再度、解像度を高くし突出位置を指示する必要がある。よって、多くの作業時間が必要となる。 The user performs this operation for all the upper and lower protruding positions, and by organizing and verifying all the data, the maximum overshoot value, maximum undershoot value, and overshoot and undershoot are generated. The time of a certain section, the time that hunting continues, the average value of the section, etc. are calculated. Assembling the projecting positions from several tens to several hundreds, the work time is enormous. Also, if the interval where the phenomenon occurs is long, more than several tens of minutes, the user once increases the trend chart display resolution to indicate the protruding position, records other values, and then lowers the trend chart resolution again. Then, it is necessary to find the protruding position, and increase the resolution again to indicate the protruding position. Therefore, a lot of work time is required.
半導体製造装置の据付時など短時間で現象を分析、試行する必要がある場合、上述の作業が負担となる。また、近年、セキュリティ強化のため、半導体製造システムに関するデータの持ち出しが厳しく制限されており、データを持ち出し、他のパーソナルコンピュータ等を用いて解析することが困難な状況にある。 When it is necessary to analyze and try a phenomenon in a short time, such as when a semiconductor manufacturing apparatus is installed, the above-described work becomes a burden. In recent years, taking out data relating to a semiconductor manufacturing system has been severely restricted for security enhancement, and it is difficult to take out data and analyze it using another personal computer or the like.
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、サンプリングデータの突出位置を解析し、その突出値や時刻をトレンドチャートおよびリストに表示し、また、最初の突出と最終の突出の間の間隔時間や最大値、最小値、平均値などの統計情報を表示することにより、プロセス技術者等のユーザによるデータ解析を支援する半導体製造装置管理システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and analyzes the protruding position of sampling data, displays the protruding value and time in a trend chart and a list, and the first protrusion and the final protrusion. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus management system that supports data analysis by a user such as a process engineer by displaying statistical information such as interval time, maximum value, minimum value, and average value.
本発明の一態様に係る半導体製造装置管理システムは、半導体の成膜プロセスを管理する半導体製造装置管理システムであって、制御パラメータのトレンドチャートデータの突出位置を抽出する解析手段と、抽出すべき突出度合いの判定条件を設定する設定手段と、前記判定条件に一致する突出データ等を保存する保存手段とを備えることを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus management system according to an aspect of the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus management system that manages a semiconductor film formation process, and an analysis unit that extracts a protruding position of trend chart data of a control parameter; It comprises a setting means for setting a judgment condition for the degree of protrusion, and a storage means for saving protrusion data or the like that matches the judgment condition.
トレンドチャートを目視し、突出位置を指示し、値を控え、手作業で解析する従来作業に比べ、制御パラメータを解析する作業時間を短縮することができる。 Compared with the conventional work in which the trend chart is visually observed, the protruding position is indicated, the value is saved, and the analysis is performed manually, the work time for analyzing the control parameter can be shortened.
以下、本実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings.
まず、基板処理システムの概要について説明する。図１は、本実施の形態の基板処理システムの一例を示す基本構成図である。図１に示すように、基板処理システム１は、複数台の装置２の情報を一元管理することの可能な群管理装置３（半導体製造装置管理システム）が、複数台の装置２のデータを蓄積し、これら（つまり、複数台の装置２と群管理装置３）がネットワークで接続された構成となっている。さらに、複数台の装置２のデータを表示することができる複数台のＧＵＩ端末４（つまり、装置２のデータを表示可能な端末）と群管理装置３とがネットワークで接続された構成となっている。 First, an outline of the substrate processing system will be described. FIG. 1 is a basic configuration diagram showing an example of a substrate processing system according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, in the substrate processing system 1, a group management apparatus 3 (semiconductor manufacturing apparatus management system) capable of centrally managing information of a plurality of apparatuses 2 accumulates data of the plurality of apparatuses 2. However, these devices (that is, a plurality of devices 2 and the group management device 3) are connected via a network. Further, a plurality of GUI terminals 4 (that is, terminals that can display data of the apparatus 2) that can display data of the plurality of apparatuses 2 and the group management apparatus 3 are connected via a network. Yes.
装置２は、本実施の形態では半導体製造装置等の基板処理装置（詳細は後述）とし、群管理装置３、ＧＵＩ端末４は、少なくともＣＰＵ（Central Processing Unit）、揮発性／不揮発性の記憶装置を有するコンピュータシステムとする。 In this embodiment, the apparatus 2 is a substrate processing apparatus (details will be described later) such as a semiconductor manufacturing apparatus. The group management apparatus 3 and the GUI terminal 4 are at least a CPU (Central Processing Unit), a volatile / nonvolatile storage device. A computer system having
装置２より群管理装置３に送られてくるデータ（装置データ）には、装置２が持つ装置自体の状態、ウエハの情報、温度情報、ガス流量情報、圧力情報、及び各種センサ情報などがあり、これらの情報はそれぞれグループにより分類され、そのグループ内において詳細なデータを持っている。例えば、温度情報であれば、温度の設定値、モニタ値、カスケードモニタ値、プロファイルモニタ値、ヒータパワーモニタ値などが温度情報グループとして定義される。 The data (device data) sent from the device 2 to the group management device 3 includes the status of the device itself, wafer information, temperature information, gas flow rate information, pressure information, and various sensor information. These pieces of information are classified by groups and have detailed data in the groups. For example, in the case of temperature information, a temperature setting value, a monitor value, a cascade monitor value, a profile monitor value, a heater power monitor value, and the like are defined as a temperature information group.
続いて、上記温度情報グループにおける突出の判定について、図２を参照しつつ説明する。図２は、トレンドチャートデータの突出度合いについて、判定値として５℃、判定時間として３０秒を例にした図であり、また山型に突出している場合の例である。この例では、山の頂点を境にして前側の時間または後側の時間を判定時間とする。山の頂点から、山の頂点の判定時間前（本例では山の頂点から３０秒前）までの間、値が減少傾向にある場合、山の頂点の値とその判定時間前の値との差を偏差とする。また、山の頂点から、山の頂点の判定時間後（本例では山の頂点から３０秒後）までの間、値が減少傾向にある場合、山の頂点の値とその判定時間後の値との差を偏差とする。どちらかの偏差が判定値以上の場合、本実施の形態では突出しているものとする。 Next, the protrusion determination in the temperature information group will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram illustrating an example in which the degree of protrusion of the trend chart data is 5 ° C. as the determination value and 30 seconds as the determination time, and is an example of protruding in a mountain shape. In this example, the time on the front side or the time on the rear side with respect to the peak of the mountain is set as the determination time. If the value tends to decrease from the peak of the mountain to the peak of the peak (in this example, 30 seconds before the peak), the value of the peak of the peak and the value before the peak The difference is the deviation. Also, if the value tends to decrease from the peak of the mountain to the peak of the peak after the determination time (30 seconds after the peak in this example), the value of the peak of the peak and the value after the determination time The difference is taken as the deviation. If either deviation is greater than or equal to the determination value, it is assumed that the deviation protrudes in the present embodiment.
図２（Ａ）では、山の頂点と判定時間前とでは、その偏差が５であり、よって判定値以上であるため、この山の頂点は突出していると判定される。図２（Ｂ）の例では、山の頂点と判定時間後とでは、その偏差が５であり、よって判定値以上であるため、この山の頂点は突出していると判定される。図２（Ｃ）の例では、山の頂点と判定時間前とでは偏差が４であり、よって偏差が判定値未満である。また山の頂点から判定時間後方向において、判定時間後まで減少傾向に無いため、偏差とは認められず、当該山の頂点は突出していないと判定される。 In FIG. 2A, since the deviation is 5 between the peak of the mountain and before the determination time, and is greater than or equal to the determination value, it is determined that the peak of the mountain is protruding. In the example of FIG. 2B, the deviation is 5 between the peak of the mountain and after the determination time, and is thus greater than or equal to the determination value, so that it is determined that the peak of the peak protrudes. In the example of FIG. 2C, the deviation is 4 between the peak of the mountain and the determination time before, and thus the deviation is less than the determination value. Further, since there is no tendency to decrease from the peak of the mountain to the point after the determination time, it is not recognized as a deviation, and it is determined that the peak of the mountain does not protrude.
図３は、群管理装置３の特徴を捉えた図であって、群管理装置３内部に備えられたトレンドチャート制御部の構成を示している。このトレンドチャート制御部１０は、表示手段１１、条件設定手段１２、解析手段１３、保存手段１４、サンプリングデータバッファ２１とを有する。またトレンドチャート制御部１０は、表示装置１５(ＣＲＴ、液晶ディスプレイなど)、入力装置１６(マウス、キーボード、タッチパネルなど)、および保存手段１４により出力される突出データファイルを記憶する突出データファイル記憶部２２（ＨＤＤ等）を有する。本実施の形態では、表示手段１１、条件設定手段１２、解析手段１３、保存手段１４は、群管理装置３の記憶装置に予め導入されているソフトウェア（トレンドチャート解析プログラム）を、群管理装置３のＣＰＵが実行することで実現される。 FIG. 3 is a diagram that captures the characteristics of the group management apparatus 3 and shows the configuration of the trend chart control unit provided in the group management apparatus 3. The trend chart control unit 10 includes a display unit 11, a condition setting unit 12, an analysis unit 13, a storage unit 14, and a sampling data buffer 21. The trend chart control unit 10 also includes a protruding data file storage unit that stores a protruding data file output from the display device 15 (CRT, liquid crystal display, etc.), an input device 16 (mouse, keyboard, touch panel, etc.), and storage means 14. 22 (HDD or the like). In the present embodiment, the display unit 11, the condition setting unit 12, the analysis unit 13, and the storage unit 14 are software (trend chart analysis program) that has been introduced in advance in the storage device of the group management device 3. This is implemented by executing the CPU.
サンプリングデータバッファ２１は、サンプリングデータを保持している。サンプリングデータは、サンプリング開始時刻、サンプリング終了時刻、サンプリング周期、各制御パラメータの値等を、一意のデータ番号毎に対応付けて保持する。 The sampling data buffer 21 holds sampling data. Sampling data holds a sampling start time, a sampling end time, a sampling period, a value of each control parameter, and the like in association with each unique data number.
表示手段１１は、サンプリングデータバッファ２１からサンプリングデータを読み込み、縦軸に値、横軸に経過時間とサンプリング時刻で示されるトレンドチャートを表示するように表示装置１５へ各種データを出力し、また、ユーザが入力装置１６から指示する表示更新関連の操作を受け取る。 The display means 11 reads the sampling data from the sampling data buffer 21, outputs various data to the display device 15 so as to display a trend chart indicated by values on the vertical axis and elapsed time and sampling time on the horizontal axis, A display update related operation instructed by the user from the input device 16 is received.
図４は、本実施の形態のトレンドチャート制御部１０によって表示される画面例である。トレンドチャート制御部１０は、トレンドチャート１５Ａ、判定条件設定エリア１５Ｂ、突出データ表示エリア１５Ｃを表示する。 FIG. 4 is an example of a screen displayed by the trend chart control unit 10 of the present embodiment. The trend chart control unit 10 displays a trend chart 15A, a determination condition setting area 15B, and a protruding data display area 15C.
ユーザはトレンドチャート１５Ａ上で開始バー３１と終了バー３２を設定し、突出度合の評価区間を特定する。 The user sets the start bar 31 and the end bar 32 on the trend chart 15A, and specifies the evaluation section of the protrusion degree.
またユーザは、突出と判定する判定条件として判定値と判定時間を判定条件設定エリア１５Ｂに設定する。条件設定手段１２は開始バー３１の設定、終了バー３２の設定、判定条件の設定を入力装置１６から受け付け、解析用の条件情報を作成し、解析手段１３へ出力する。 Further, the user sets a determination value and a determination time in the determination condition setting area 15B as the determination conditions for determining the protrusion. The condition setting unit 12 receives the setting of the start bar 31, the setting of the end bar 32, and the setting of the determination condition from the input device 16, creates condition information for analysis, and outputs it to the analysis unit 13.
解析手段１３は条件設定手段１２から条件情報を受け付けると、サンプリングデータバッファ２１から評価区間範囲内のサンプリングデータを読み込み、条件情報により突出データを導き出し、突出データのサンプリング時刻、値、突出データ間の間隔時間等を、一次記憶装置（メモリ）内の領域に用意される突出値抽出領域ヘセットし、評価区間の開始時刻、終了時刻およびその抽出時間、最初の突出データから最終の突出データまでの突出間隔時間、評価区間内の最大値、最小値、平均値、最大上突出値、最大下突出値を導き出し、その更新情報を表示手段１１へ出力する。 When the analysis unit 13 receives the condition information from the condition setting unit 12, the analysis unit 13 reads the sampling data in the evaluation section range from the sampling data buffer 21, derives the protruding data from the condition information, and calculates the sampling time, the value, and the protruding data between the protruding data. Set the interval time etc. to the protrusion value extraction area prepared in the area in the primary storage device (memory), start time and end time of the evaluation section and its extraction time, protrusion from the first protrusion data to the final protrusion data The interval time, the maximum value, the minimum value, the average value, the maximum upper protrusion value, and the maximum lower protrusion value in the evaluation section are derived, and the update information is output to the display means 11.
表示手段１１は、解析手段１３から更新情報を受け付けると、画面のトレンドチャート１５Ａ上の突出データ位置へ値を表示し、突出データ表示エリア１５Ｃを更新する。保存手段１４は、突出データの保存操作を入力装置１６から受け付けると、解析手段１３へ突出データを問い合わせ、取得した突出データを突出データファイル記憶部２２へ保存する。ファイルへ保存することにより、複数回における突出解析データを表示することができ、比較することができる。ここで保存される突出データは、少なくともサンプリング時刻、値、突出データ間の間隔時間、判定値、判定時間であるが、突出データ表示エリア１５Ｃに更新される全てのデータが保存されてもよい。 When the display unit 11 receives the update information from the analysis unit 13, the display unit 11 displays a value at the protruding data position on the trend chart 15A on the screen, and updates the protruding data display area 15C. When the storage unit 14 receives the protrusion data storage operation from the input device 16, the storage unit 14 inquires the analysis unit 13 about the protrusion data, and stores the acquired protrusion data in the protrusion data file storage unit 22. By saving to a file, protrusion analysis data at multiple times can be displayed and compared. The protruding data stored here is at least a sampling time, a value, an interval time between protruding data, a determination value, and a determination time. However, all data updated in the protruding data display area 15C may be stored.
次にフローチャートを用いて、本実施の形態に係る群管理装置３の機能及び動作について説明する。まず、図５のフローチャートを用いて、条件設定手段１２および表示手段１１の機能と動作を示す。 Next, functions and operations of the group management apparatus 3 according to the present embodiment will be described using a flowchart. First, the function and operation of the condition setting unit 12 and the display unit 11 will be described using the flowchart of FIG.
条件設定手段１２は、判定条件設定エリア１５Ｂを介して入力装置１６からの入力を受け付ける。その後、条件設定手段１２は、開始バー３１が設定されたと判断すると（Ｓ１、ＹＥＳ）、その開始バー３１の位置を表示手段１１へ通知し、表示手段１１は開始位置のサンプリングデータの番号を取得する（Ｓ２）。また、条件設定手段１２は、終了バー３２が設定されたと判断すると（Ｓ３、ＹＥＳ）、表示手段１１へ通知し、表示手段１１は終了位置のサンプリングデータの番号を取得する（Ｓ４）。また、条件設定手段１２は、判定条件が設定されたと判断すると（Ｓ５、ＹＥＳ）、判定値と判定時間を取得し（Ｓ６、Ｓ７）、判定時間をサンプリング周期（サンプリング時のデータ取得周期）で除算し、判定データ数を導き出す（Ｓ８）。尚、開始バー３１が設定されない場合（Ｓ１、Ｎｏ）、処理はステップＳ３へ進み、終了バー３２が設定されない場合（Ｓ３、Ｎｏ）、処理はステップＳ５へ進む。また判定条件が設定されない場合（Ｓ５、Ｎｏ）、処理はＳ９へ進む。尚、ステップＳ１からＳ８の処理は、所定のトリガ（例えばユーザが所定ボタンを押下する）が発生するまで繰り返しループしてもよい。 The condition setting unit 12 receives an input from the input device 16 via the determination condition setting area 15B. Thereafter, when the condition setting means 12 determines that the start bar 31 has been set (S1, YES), the condition setting means 12 notifies the display means 11 of the position of the start bar 31, and the display means 11 acquires the sampling data number of the start position. (S2). When the condition setting means 12 determines that the end bar 32 has been set (S3, YES), the condition setting means 12 notifies the display means 11 and the display means 11 acquires the number of sampling data at the end position (S4). If the condition setting unit 12 determines that the determination condition is set (S5, YES), the condition setting unit 12 acquires the determination value and the determination time (S6, S7), and sets the determination time in the sampling period (data acquisition period during sampling). Divide and derive the number of determination data (S8). If the start bar 31 is not set (S1, No), the process proceeds to step S3. If the end bar 32 is not set (S3, No), the process proceeds to step S5. If the determination condition is not set (S5, No), the process proceeds to S9. Note that the processing of steps S1 to S8 may be repeated until a predetermined trigger (for example, the user presses a predetermined button) is generated.
条件設定手段１２は、開始位置のサンプリングデータ番号を示す開始データ番号、終了位置のサンプリングデータ番号を示す終了データ番号、判定データ数を解析手段１３へ送信し、解析手段１３へ解析処理を要求する。解析手段１３は解析処理要求を受け付けると解析処理を実行し（Ｓ９）、実行後、表示手段へ更新情報を通知する。表示手段１１は更新情報を受け付けると、画面のトレンドチャート１５Ａ上の突出データ位置へ値を表示し、突出データ表示エリア１５Ｃを更新する（Ｓ１０）。 The condition setting unit 12 transmits the start data number indicating the sampling data number of the start position, the end data number indicating the sampling data number of the end position, and the number of determination data to the analysis unit 13 and requests the analysis unit 13 to perform analysis processing. . When the analysis unit 13 receives the analysis process request, the analysis unit 13 executes the analysis process (S9), and notifies the display unit of the update information after the execution. When receiving the update information, the display unit 11 displays the value at the protruding data position on the trend chart 15A on the screen and updates the protruding data display area 15C (S10).
解析手段１３の機能としては、開始データから終了データまでの各データの前後のデータをチェックし、上突出データか下突出データかを判別する。解析手段１３は、上突出データと判断すると上突出判定処理を呼び出す。また解析手段１３は、下突出データと判断すると下突出判定処理を呼び出す。全データをチェック後、平均値と突出間隔を導き出す。 As a function of the analysis means 13, the data before and after each data from the start data to the end data are checked to determine whether the data is upward protruding data or downward protruding data. If the analysis means 13 determines that the data is the upward protrusion data, the analysis means 13 calls the upward protrusion determination process. If the analysis means 13 determines that the data is downward protrusion data, it calls a downward protrusion determination process. After checking all data, the average value and protrusion interval are derived.
図６のフローチャートを用いて、ステップＳ９で行われる解析手段１３の動作を説明する。 The operation of the analysis unit 13 performed in step S9 will be described using the flowchart of FIG.
解析手段１３は、処理要求を受け付けると、変数ｌａを０に初期化し、変数ｉへ開始データ番号をセットする（Ｓ２１）。解析手段１３は、サンプリングデータバッファ２１からｉ番のデータを取得する（Ｓ２２）。次に解析手段１３は、変数ｌａと０を比較し（Ｓ２３）、変数ｌａが０の場合（Ｓ２３、ＹＥＳ）、変数「最大値」へｉ番のデータの値、変数「最小値」へｉ番のデータの値、変数「総和」へｉ番のデータの値をセットする（Ｓ２４）。変数ｌａが０でない場合（Ｓ２３、ＮＯ）、解析手段１３は、変数「総和」へｉ番のデータの値を加算し（Ｓ２５）、ｉ番のデータの値と変数「最大値」の値とを比較する（Ｓ２６）。 Upon receiving the processing request, the analysis unit 13 initializes the variable la to 0 and sets the start data number to the variable i (S21). The analysis unit 13 acquires i-th data from the sampling data buffer 21 (S22). Next, the analysis unit 13 compares the variable la with 0 (S23), and if the variable la is 0 (S23, YES), the variable “maximum value” is changed to the value of the i-th data, and the variable “minimum value” is changed to i. The value of the i-th data is set to the value of the No. data and the variable “sum” (S24). When the variable la is not 0 (S23, NO), the analysis unit 13 adds the value of the i-th data to the variable “sum” (S25), and sets the value of the i-th data and the value of the variable “maximum value”. Are compared (S26).
ｉ番のデータの値より変数「最大値」の値が大きい場合（Ｓ２６、ＹＥＳ）、解析手段１３は、変数「最大値」へｉ番のデータの値をセットする（Ｓ２７）。ｉ番のデータの値が変数「最大値」の値以下の場合（Ｓ２６、ＮＯ）、解析手段１３は、ｉ番のデータの値と変数「最小値」の値を比較する（Ｓ２８）。ｉ番のデータの値が変数「最小値」の値より小さい場合（Ｓ２８、ＹＥＳ）、解析手段１３は、変数「最小値」へｉ番のデータの値をセットする（Ｓ２９）。一方、ｉ番のデータの値が変数「最小値」の値以上である場合（Ｓ２８、ＮＯ）、処理はステップＳ３０へ進む。 When the value of the variable “maximum value” is larger than the value of the i-th data (S26, YES), the analysis means 13 sets the value of the i-th data to the variable “maximum value” (S27). When the value of the i-th data is less than or equal to the value of the variable “maximum value” (S26, NO), the analysis means 13 compares the value of the i-th data with the value of the variable “minimum value” (S28). If the value of the i-th data is smaller than the value of the variable “minimum value” (S28, YES), the analysis means 13 sets the value of the i-th data to the variable “minimum value” (S29). On the other hand, when the value of the i-th data is not less than the value of the variable “minimum value” (S28, NO), the process proceeds to step S30.
次に解析手段１３は、ｉ番のデータの値とｉ−１番のデータの値を比較する（Ｓ３０）。ｉ番のデータの値がｉ−１番のデータの値より大きい場合（Ｓ３０、ＹＥＳ）、解析手段１３は、ｉ番のデータの値とｉ＋１番のデータの値とを比較する（Ｓ３１）。ｉ番のデータの値がｉ＋１番のデータの値より大きい場合（Ｓ３１、ＹＥＳ）、解析手段１３は、上突出判定処理を実行する（Ｓ３２）。 Next, the analyzing means 13 compares the value of the i-th data with the value of the i-1th data (S30). When the value of the i-th data is larger than the value of the i-th data (S30, YES), the analysis unit 13 compares the value of the i-th data with the value of the i + 1-th data (S31). When the value of the i-th data is larger than the value of the i + 1-th data (S31, YES), the analysis unit 13 executes an upward protrusion determination process (S32).
一方、ｉ番のデータの値がｉ−１番のデータの値以下の場合（Ｓ３０、ＮＯ）、解析手段１３は、次にｉ番のデータの値とｉ−１番のデータの値を比較する（Ｓ３３）。ｉ番のデータの値がｉ−１番のデータの値より小さい場合（Ｓ３３、ＹＥＳ）、解析手段１３は、ｉ番のデータの値とｉ＋１番のデータの値を比較する（Ｓ３４）。ｉ番のデータの値がｉ＋１番のデータの値より小さい揚合（Ｓ３４、ＹＥＳ）、解析手段１３は、下突出判定処理を実行する（Ｓ３５）。 On the other hand, when the value of the i-th data is equal to or less than the value of the i-th data (S30, NO), the analysis unit 13 next compares the value of the i-th data with the value of the i-1 data. (S33). If the value of the i-th data is smaller than the value of the i-th data (S33, YES), the analysis means 13 compares the value of the i-th data with the value of the i + 1-th data (S34). When the value of the i-th data is smaller than the value of the i + 1-th data (S34, YES), the analysis unit 13 executes a downward protrusion determination process (S35).
尚、ステップＳ３１、Ｓ３３、Ｓ３４の判定がいずれも否定（ＮＯ）である場合、処理はステップＳ３６に進む。 If all the determinations in steps S31, S33, and S34 are negative (NO), the process proceeds to step S36.
上突出判定処理または下突出判定処理が実行された後、解析手段１３は、変数ｉの値と終了データ番号とを比較する（Ｓ３６）。変数ｉの値が終了データ番号より小さい揚合（Ｓ３６、ＹＥＳ）、解析手段１３は、変数ｌａに１を加算し、変数ｉに１を加算する（Ｓ３７）。その後、処理はステップＳ２２のサンプリングデータバッファ２１からｉ番のデータを取得する処理に戻り、上述の処理が繰り返し実行される。 After the upward protrusion determination process or the downward protrusion determination process is executed, the analysis unit 13 compares the value of the variable i with the end data number (S36). When the value of the variable i is smaller than the end data number (S36, YES), the analysis means 13 adds 1 to the variable la and adds 1 to the variable i (S37). Thereafter, the process returns to the process of acquiring the i-th data from the sampling data buffer 21 in step S22, and the above-described process is repeatedly executed.
変数ｉの値が終了データ番号以上の揚合（Ｓ３６、ＮＯ）、解析手段１３は、変数「総和」をｌａ＋１で除算して平均値を算出し（Ｓ３８）、最後に突出が発生した時刻（最終突出時刻）から最初に突出が発生した時刻（最初突出時刻）を減じて突出間隔を算出する（Ｓ３９）。尚、変数「総和」の値、変数「最終突出時刻」の値、および変数「最初突出時刻」の値は、上突出判定処理または下突出判定処理内で導き出される。 When the value of the variable i is greater than or equal to the end data number (S36, NO), the analysis means 13 divides the variable “sum” by la + 1 to calculate the average value (S38), and finally the time when the protrusion occurred ( The time at which the first protrusion occurs (first protrusion time) is subtracted from the last protrusion time) to calculate the protrusion interval (S39). Note that the value of the variable “sum”, the value of the variable “final protrusion time”, and the value of the variable “first protrusion time” are derived in the upward protrusion determination process or the downward protrusion determination process.
次に、ステップＳ３２の上突出判定処理について説明する。上突出判定処理の機能として、解析手段１３は、山の頂点と識別されたｉ番のデータから判定データ数前まで、値が減少傾向にあるかを判定し、減少傾向にある揚合、その偏差が判定値以上であるかを判定する。判定値以上の場合、解析手段１３は、突出データと認定し、突出値抽出リストへ突出データの各値を追加し、変数「最初突出時刻」、変数「最終突出時刻」、変数「最大上突出値」を更新する。 Next, the upward protrusion determination process in step S32 will be described. As a function of the upward protrusion determination process, the analysis means 13 determines whether the value is decreasing from the i-th data identified as the peak of the mountain to the number of determination data, It is determined whether the deviation is equal to or greater than a determination value. If the determination value is greater than or equal to the determination value, the analysis unit 13 recognizes the data as protrusion data, adds each value of the protrusion data to the protrusion value extraction list, and sets the variable “first protrusion time”, variable “final protrusion time”, and variable “maximum upward protrusion”. Update Value.
図７のフローチャートを用いて、解析手段１３の上突出判定処理の動作について説明する。上突出判定処理が呼び出されると、解析手段１３は、変数ｌｂを０に初期化し、変数「偏差」を０に初期化する（Ｓ５１）。 The operation of the upper protrusion determination process of the analysis unit 13 will be described using the flowchart of FIG. When the upward protrusion determination process is called, the analysis unit 13 initializes the variable lb to 0 and initializes the variable “deviation” to 0 (S51).
次に解析手段１３は、変数ｌｂの値と、ステップＳ８で算出された判定データ数とを比較する（Ｓ５２）。変数ｌｂの値が判定データ数より小さい場合（Ｓ５２、ＹＥＳ）、解析手段１３は変数ｊへｉ−ｌｂの算出値をセットする（Ｓ５３）。 Next, the analysis unit 13 compares the value of the variable lb with the number of determination data calculated in step S8 (S52). When the value of the variable lb is smaller than the number of determination data (S52, YES), the analysis unit 13 sets the calculated value of i-lb to the variable j (S53).
解析手段１３は、変数ｊ−１の算出値と開始データ番号を比較する（Ｓ５４）。変数ｊ−１の算出値が開始データ番号以上の場合（Ｓ５４、ＹＥＳ）、解析手段１３は、ｊ番のデータの値とｊ−１番のデータの値とを比較する（Ｓ５５）。ｊ番のデータの値がｊ−１番のデータの値より大きい場合（Ｓ５５、ＹＥＳ）、解析手段１３は、ｊ番のデータの値とｊ−１番のデータの値との差を変数「偏差」に加算し（Ｓ５６）、変数「偏差」の値と判定値とを比較する（Ｓ５７）。 The analysis unit 13 compares the calculated value of the variable j-1 with the start data number (S54). When the calculated value of the variable j-1 is equal to or greater than the start data number (S54, YES), the analysis unit 13 compares the value of the jth data with the value of the j-1 data (S55). When the value of the jth data is larger than the value of the j-1 data (S55, YES), the analysis unit 13 sets the difference between the value of the jth data and the value of the j-1 data as a variable “ The value is added to “deviation” (S56), and the value of the variable “deviation” is compared with the judgment value (S57).
変数「偏差」の値が判定値以上の場合（Ｓ５７、ＹＥＳ）、解析手段１３は、突出データと認定する（Ｓ６７へ）。一方、変数「偏差」の値が判定値より小さい場合（Ｓ５７、ＮＯ）、解析手段１３は変数ｌｂに１を加算し、再度変数ｌｂの値と判定データ数の値の比較処理を実行する（Ｓ５２へ戻る）。 When the value of the variable “deviation” is equal to or larger than the determination value (S57, YES), the analysis unit 13 recognizes the protrusion data (to S67). On the other hand, when the value of the variable “deviation” is smaller than the determination value (S57, NO), the analyzing unit 13 adds 1 to the variable lb, and again executes the comparison process of the value of the variable lb and the value of the determination data number ( Return to S52).
また、変数ｌｂの値が判定データ数以上の場合や（Ｓ５２、ＮＯ）、ｊ−１番が開始データ番号より小さい場合（Ｓ５４、ＮＯ）、ｊ番の値がｊ−１番の値以下である場合（Ｓ５５、ＮＯ）、解析手段１３は、変数ｌｂおよび変数「偏差」をそれぞれ０に初期化し（Ｓ５９）、変数ｌｂの値と判定データ数を比較する（Ｓ６０）。 In addition, when the value of the variable lb is greater than or equal to the number of determination data (S52, NO), or when j-1 is smaller than the start data number (S54, NO), the value of j is less than the value of j-1. In some cases (S55, NO), the analysis means 13 initializes the variable lb and the variable “deviation” to 0 (S59), and compares the value of the variable lb with the number of determination data (S60).
変数ｌｂの値が判定データ数より小さい場合（Ｓ６０、ＹＥＳ）、解析手段１３は変数ｊへｉ＋ｌｂの算出値をセットし（Ｓ６１）、変数ｊ＋１の算出値と終了データ番号とを比較する（Ｓ６２）。変数ｊ＋１の算出値が終了データ番号以下の場合（Ｓ６２、ＹＥＳ）、解析手段１３は、ｊ番のデータの値とｊ＋１番のデータの値を比較する（Ｓ６３）。ｊ番のデータの値がｊ＋１番のデータの値より大きい場合（Ｓ６３、ＹＥＳ）、解析手段１３は、ｊ番のデータの値とｊ＋１番のデータの値の差を変数「偏差」へ加算する（Ｓ６４）。次に解析手段１３は、変数「偏差」の値と判定値を比較し（Ｓ６５）、変数「偏差」の値が判定値以上の場合（Ｓ６５、ＹＥＳ）、解析手段１３は、突出データと認定する（Ｓ６７へ）。一方、変数「偏差」の値が判定値より小さい場合（Ｓ６５、ＮＯ）、解析手段１３は、変数ｌｂへ１を加算し（Ｓ６６）、処理はステップＳ６０に戻る。 When the value of the variable lb is smaller than the number of determination data (S60, YES), the analysis unit 13 sets the calculated value of i + lb to the variable j (S61), and compares the calculated value of the variable j + 1 with the end data number (S62). ). When the calculated value of the variable j + 1 is equal to or smaller than the end data number (S62, YES), the analysis unit 13 compares the value of the jth data with the value of the j + 1th data (S63). When the value of the jth data is larger than the value of the j + 1th data (S63, YES), the analysis unit 13 adds the difference between the value of the jth data and the value of the j + 1th data to the variable “deviation”. (S64). Next, the analysis unit 13 compares the value of the variable “deviation” with the determination value (S65), and if the value of the variable “deviation” is equal to or greater than the determination value (S65, YES), the analysis unit 13 recognizes the protruding data. (To S67). On the other hand, when the value of the variable “deviation” is smaller than the determination value (S65, NO), the analysis unit 13 adds 1 to the variable lb (S66), and the process returns to step S60.
尚、ステップＳ６０、Ｓ６２、Ｓ６３の判定結果が否定（ＮＯ）となる場合、上突出判定処理は終了する。 If the determination results in steps S60, S62, and S63 are negative (NO), the upward protrusion determination process ends.
解析手段１３は、突出データと認定した揚合、当該突出データと既に突出値抽出リストに格納済みの突出データとの聞隔時間を算出し、突出値抽出リストヘデータのサンプリング時刻、間隔時間、制御パラメータの値等を追加する（Ｓ６７）。解析手段１３は、変数「最初突出時刻」がセット済みか判定し（Ｓ６８）、セットされていない場合（Ｓ６８、ＮＯ）、変数「最初突出時刻」へｉ番のデータのサンプリング時刻をセットする（Ｓ７０）。一方セット済みの場合（Ｓ６８、ＹＥＳ）、解析手段１３は変数「最終突出時刻」へｉ番のデータのサンプリング時刻をセットする（Ｓ６９）。解析手段１３は、ｉ番のデータの値と変数「最大上突出値」の値を比較し（Ｓ７１）、ｉ番の値が変数「最大上突出値」の値より大きい揚合（Ｓ７１、ＹＥＳ）、変数「最大上突出値」へｉ番の値をセットする（Ｓ７２）。一方、ｉ番の値が変数「最大上突出値」の値以下である揚合（Ｓ７１、ＮＯ）、上突出判定処理は終了する。 The analysis means 13 calculates the interval between the product identified as the protrusion data, the protrusion data and the protrusion data already stored in the protrusion value extraction list, and the sampling time, interval time of the data in the protrusion value extraction list, A control parameter value or the like is added (S67). The analysis unit 13 determines whether or not the variable “first protrusion time” has been set (S68), and if not set (S68, NO), sets the sampling time of the i-th data to the variable “first protrusion time” (S68). S70). On the other hand, if it has been set (S68, YES), the analysis means 13 sets the sampling time of the i-th data to the variable “final protrusion time” (S69). The analysis means 13 compares the value of the i-th data with the value of the variable “maximum upper protrusion value” (S71), and the i-th value is greater than the value of the variable “maximum upper protrusion value” (S71, YES). ), The i-th value is set to the variable “maximum upper protrusion value” (S72). On the other hand, when the value of i is equal to or less than the value of the variable “maximum upward protrusion value” (S71, NO), the upward protrusion determination process ends.
下突出判定処理の機能としては、谷の頂点と識別されたｉ番のデータから判定データ数前まで、値が増加傾向にあるかを判定し、増加傾向にある揚合、その偏差が判定値以上であるかを判定する。判定値以上の場合、突出データと認定し、突出値抽出リストへ突出データの各値を追加し、変数「最初突出時刻」、変数「最終突出時刻」、変数「最大下突出値」を更新する。 As a function of the downward protrusion determination process, it is determined whether the value is increasing from the i-th data identified as the peak of the valley to the number of determination data, and the increase and the deviation thereof are the determination value. It is determined whether it is above. If it is equal to or greater than the judgment value, it is recognized as protrusion data, each value of protrusion data is added to the protrusion value extraction list, and the variable “first protrusion time”, variable “final protrusion time”, and variable “maximum lower protrusion value” are updated. .
下突出判定処理の動作は、上突出判定処理の動作と比べ、山と谷が異なるが同様の動作である。 The operation of the downward protrusion determination process is similar to the operation of the upward protrusion determination process, although the peaks and valleys are different.
以上説明したように、群管理装置３は、半導体の成膜特性に関わる温度、ガス流量、圧力値、ＲＦ電源出力値などの制御パラメータの値をトレンドチャートで表示する機能を有するが、そのトレンドチャート上で評価範囲と判定条件が設定されることにより、突出データを解析し、抽出することができる。これは、トレンドチャートを目視し、突出位置を指示し、値を控え、手作業で解析することに比べ、作業時間を大幅に短縮する効果がある。また、サンプリングデータを半導体製造システム外へ持ち出す必要がないため、機密情報の漏洩防止に役立つ。 As described above, the group management device 3 has a function of displaying control parameter values such as temperature, gas flow rate, pressure value, RF power supply output value and the like related to the film formation characteristics of the semiconductor in a trend chart. By setting the evaluation range and determination conditions on the chart, the protrusion data can be analyzed and extracted. This has the effect of significantly shortening the work time compared to visually analyzing the trend chart, indicating the protruding position, refraining from the value, and analyzing manually. Further, since it is not necessary to take sampling data out of the semiconductor manufacturing system, it is useful for preventing leakage of confidential information.
次に、本実施の形態の装置２について説明する。装置２は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する基板処理装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図８は、本発明に適用される処理装置の側面透視図として示されている。また、図９は図８に示す処理装置の平面透視図である。 Next, the apparatus 2 of this Embodiment is demonstrated. As an example, the apparatus 2 is configured as a substrate processing apparatus that performs processing steps in a method of manufacturing a semiconductor device (IC). In the following description, a case where a vertical apparatus (hereinafter simply referred to as a processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to the substrate as the substrate processing apparatus will be described. FIG. 8 is a side perspective view of a processing apparatus applied to the present invention. FIG. 9 is a perspective plan view of the processing apparatus shown in FIG.
図８及び図９に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器、以下ポッドという。）１１０が使用されている処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁の正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４ｂがそれぞれ建て付けられている。 As shown in FIGS. 8 and 9, a processing apparatus 100 in which a hoop (substrate container, hereinafter referred to as a pod) 110 is used as a wafer carrier that stores a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like. A housing 111 is provided. A front maintenance port 103 as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall of the casing 111, and front maintenance doors 104 and 104b for opening and closing the front maintenance port 103 are respectively built. It is attached.
筐体１１１の正面壁には、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。また、ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつ、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。 A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall of the housing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 111. The pod loading / unloading port 112 has a front shutter (substrate housing). The container loading / unloading opening / closing mechanism 113 is opened and closed. In addition, a load port (substrate container delivery table) 114 is installed on the front front side of the pod loading / unloading port 112, and the load port 114 is configured so that the pod 110 is placed and aligned. The pod 110 is loaded onto the load port 114 by an in-process transfer device (not shown) and unloaded from the load port 114.
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。 A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. The rotary pod shelf 105 stores a plurality of pods 110. It is configured. That is, the rotary pod shelf 105 includes a support column 116 that is erected vertically and intermittently rotates in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate containers) that are radially supported by the support column 116 at each of the four upper and lower positions. The plurality of shelf plates 117 are configured to hold the plurality of pods 110 in a state where the plurality of pods 110 are respectively placed.
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。 A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111, and the pod transfer device 118 moves up and down while holding the pod 110. The pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism are configured. The pod transfer device 118 includes a pod elevator 118a and a pod transfer mechanism 118b. The pod 110 is transported between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121.
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には、一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。 A sub-housing 119 is constructed across the rear end of the lower portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 for loading / unloading the wafer 200 into / from the sub-casing 119 are arranged on the front wall 119a of the sub-casing 119 in two vertical stages. A pair of pod openers 121 and 121 are installed at the upper and lower wafer loading / unloading openings 120 and 120, respectively.
ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。 The pod opener 121 includes mounting bases 122 and 122 on which the pod 110 is placed, and cap attaching / detaching mechanisms (lid attaching / detaching mechanisms) 123 and 123 that attach and detach caps (lids) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.
サブ筐体１１９は、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。 The sub casing 119 constitutes a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from the installation space of the pod transfer device 118 and the rotary pod shelf 105. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124, and the wafer transfer mechanism 125 rotates the wafer 200 in the horizontal direction or can move the wafer 200 in the horizontal direction. A substrate transfer device) 125a and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device lifting mechanism) 125b for moving the wafer transfer device 125a up and down. By the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the tweezer (substrate holder) 125c of the wafer transfer device 125a is used as a placement portion for the wafer 200 with respect to the boat (substrate holder) 217. The wafer 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged).
図９に示されているように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するように、供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。 As shown in FIG. 9, a clean atmosphere 133 that is a cleaned atmosphere or an inert gas is supplied to the right end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125b side. In addition, a clean unit 134 composed of a supply fan and a dustproof filter is installed, and a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134 is provided. A notch aligning device 135 is installed.
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。 The clean air 133 blown out from the clean unit 134 is circulated through the notch aligning device 135 and the wafer transfer device 125a and then sucked in by a duct (not shown) to be exhausted to the outside of the casing 111 or clean. The unit 134 is circulated to the primary side (supply side) which is the suction side, and is again blown into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.
移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。 In the rear region of the transfer chamber 124, a casing (hereinafter referred to as a pressure-resistant casing) 140 having a confidential performance capable of maintaining a pressure lower than atmospheric pressure (hereinafter referred to as negative pressure) is installed. A load lock chamber 141 which is a load lock type standby chamber having a capacity capable of accommodating the boat 217 is formed by the pressure-resistant housing 140.
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が開設されており、ウエハ搬入搬出開口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁には、ロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５とがそれぞれ接続されている。 A wafer loading / unloading opening (substrate loading / unloading opening) 142 is formed in the front wall 140a of the pressure-resistant housing 140, and the wafer loading / unloading opening 142 is opened and closed by a gate valve (substrate loading / unloading opening / closing mechanism) 143. It has become. A gas supply pipe 144 for supplying nitrogen gas to the load lock chamber 141 and an exhaust pipe 145 for exhausting the load lock chamber 141 to a negative pressure are connected to the pair of side walls of the pressure-resistant housing 140, respectively. ing.
ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー１４９が取り付けられている。 A processing furnace 202 is provided above the load lock chamber 141. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port gate valve (furnace port opening / closing mechanism) 147. A furnace port gate valve cover 149 that accommodates the furnace port gate valve 147 when the lower end portion of the processing furnace 202 is opened is attached to the upper end portion of the front wall 140 a of the pressure-resistant housing 140.
耐圧筐体１４０にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。 The pressure-resistant housing 140 is provided with a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) for lifting and lowering the boat 217. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on an arm 128 serving as a connector connected to the boat elevator 115, and the seal cap 219 supports the boat 217 vertically and closes the lower end of the processing furnace 202. It is configured as possible.
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。 The boat 217 includes a plurality of holding members so that a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 are horizontally held in a state where their centers are aligned in the vertical direction. It is configured.
次に、図８及び図９に示す処理装置の動作について説明する。図８及び図９に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。 Next, the operation of the processing apparatus shown in FIGS. 8 and 9 will be described. As shown in FIGS. 8 and 9, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113, and the pod 110 above the load port 114 is connected to the pod transfer device. 118 is carried into the housing 111 from the pod loading / unloading port 112.
搬入されたポッド１１０は、回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。 The loaded pod 110 is automatically transported and delivered by the pod transport device 118 to the designated shelf 117 of the rotary pod shelf 105, temporarily stored, and then one pod from the shelf 117. It is transported to the opener 121 and transferred to the mounting table 122, or directly transferred to the pod opener 121 and transferred to the mounting table 122. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and the transfer chamber 124 is filled with clean air 133. For example, the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, so that the oxygen concentration is set to 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration inside the casing 111 (atmosphere).
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。 The pod 110 mounted on the mounting table 122 has its opening-side end face pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 on the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. The wafer loading / unloading port of the pod 110 is opened. Further, when the wafer loading / unloading opening 142 of the load lock chamber 141 whose interior is previously set at atmospheric pressure is opened by the operation of the gate valve 143, the wafer 200 is removed from the pod 110 by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a. After being picked up through the loading / unloading port and aligned with the notch aligner 135, the wafer is loaded into the load lock chamber 141 through the wafer loading / unloading opening 142, transferred to the boat 217, and loaded (wafer charging). The wafer transfer device 125 a that has delivered the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 110 into the boat 217.
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。 During the loading operation of the wafer into the boat 217 by the wafer transfer device 125 in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 has a rotary pod shelf 105 or load port 114. The other pod 110 is transported by the pod transport device 118, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 proceeds simultaneously.
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７装填されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。 When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the wafer loading / unloading opening 142 is closed by the gate valve 143, and the load lock chamber 141 is evacuated from the exhaust pipe 145 to be decompressed.
ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー１４９の内部に搬入されて収容される。 When the load lock chamber 141 is reduced to the same pressure as that in the processing furnace 202, the lower end portion of the processing furnace 202 is opened by the furnace port gate valve 147. At this time, the furnace port gate valve 147 is carried into and stored in the furnace port gate valve cover 149.
続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５の昇降台１６１によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。 Subsequently, the seal cap 219 is raised by the elevator 161 of the boat elevator 115, and the boat 217 supported by the seal cap 219 is loaded into the processing furnace 202.
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。そして、処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４０内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。 After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the boat 217 is pulled out by the boat elevator 115, and the gate valve 143 is opened after the pressure inside the load lock chamber 140 is restored to atmospheric pressure. After that, the wafer 200 and the pod 110 are discharged to the outside of the casing 111 by the reverse procedure described above except for the wafer alignment process in the notch alignment device 135.
尚、本実施の形態では、群管理装置３の入力装置１６がユーザからの入力を受け付け、また群管理装置３の表示装置１５がトレンドチャート等の画面表示を行うものとしたが、入力装置、表示装置をＧＵＩ端末４とする実装であってもよい。 In the present embodiment, the input device 16 of the group management device 3 receives input from the user, and the display device 15 of the group management device 3 performs screen display such as a trend chart. An implementation in which the display device is a GUI terminal 4 may be used.
また、基板処理装置を制御するコントローラに本実施の形態のトレンドチャート制御部の機能を備えても良い。 In addition, the controller that controls the substrate processing apparatus may be provided with the function of the trend chart control unit of the present embodiment.
また、基板処理装置と同じフロア(クリーンルーム)に群管理装置３を配置する必要はなく、ＬＡＮ接続された事務所等、装置２の設置されている場所以外の外部に群管理装置３が配置されてもよい。また、群管理装置において、格納部(データベース)や制御部と操作部や表示部を一体にする必要は無く、それぞれを別体にして、クリーンルーム上に配置されたデータベース内のデータを事務所に配置された操作部によって遠隔操作できるような構成であっても良い。 Moreover, it is not necessary to arrange the group management apparatus 3 on the same floor (clean room) as the substrate processing apparatus, and the group management apparatus 3 is arranged outside the place where the apparatus 2 is installed, such as a LAN-connected office. May be. In the group management device, it is not necessary to integrate the storage unit (database), control unit, operation unit, and display unit, and separate the data in the database placed on the clean room to the office. It may be configured such that it can be remotely operated by an arranged operation unit.
また、基板処理装置として、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。また、成膜処理には、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。更に、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理でも構わない。 Further, as a substrate processing apparatus, not only a semiconductor manufacturing apparatus but also an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD apparatus can be applied. The film formation process includes, for example, a process for forming a CVD (Chemical Vapor Deposition), a PVD (Physical Vapor Deposition), an oxide film and a nitride film, a process for forming a film containing a metal, and the like. Further, annealing treatment, oxidation treatment, nitriding treatment, diffusion treatment or the like may be performed.
以上、本実施の形態において好ましい半導体製造装置管理システムは、半導体基板の処理特性を管理する半導体製造装置管理システムであって、制御パラメータのトレンドチャートデータの突出位置を抽出する解析手段と、抽出すべき突出度合いの判定条件を設定する設定手段と、前記判定条件に一致する突出データ等を保存する保存手段とを備えることを特徴とする。 As described above, a preferred semiconductor manufacturing apparatus management system in the present embodiment is a semiconductor manufacturing apparatus management system that manages the processing characteristics of a semiconductor substrate, and includes an analysis unit that extracts a protruding position of trend chart data of a control parameter, and an extraction unit. It is characterized by comprising setting means for setting a determination condition for the degree of power protrusion, and storage means for storing protrusion data or the like that matches the determination condition.
また、本実施の形態において好ましい半導体製造装置管理システムは、半導体基板の処理特性を管理する半導体製造装置管理システムであって、判定条件を取得する判定手段と、前記判定条件に基づき、トレンドチャート上の制御パラメータの突出位置を抽出する解析手段と、抽出された突出位置に関するデータを保存する保存手段とを備えることを特徴とする。 Further, a preferred semiconductor manufacturing apparatus management system in the present embodiment is a semiconductor manufacturing apparatus management system that manages the processing characteristics of a semiconductor substrate, and includes a determination unit that acquires a determination condition, and a trend chart based on the determination condition. And a storage means for storing data relating to the extracted protrusion position.
また、本実施の形態において好ましい半導体製造装置管理方法は、半導体基板の処理特性を管理する半導体製造装置管理方法であって、判定条件を取得し、前記判定条件に基づき、トレンドチャート上の制御パラメータの突出位置を抽出し、抽出された突出位置に関するデータを保存する。 Further, a preferred semiconductor manufacturing apparatus management method in the present embodiment is a semiconductor manufacturing apparatus management method for managing the processing characteristics of a semiconductor substrate. The determination condition is acquired, and a control parameter on a trend chart is acquired based on the determination condition. Is extracted, and data relating to the extracted protrusion position is stored.
１ 基板処理システム、２ 装置、３ 群管理装置、４ ＧＵＩ端末、１０ トレンドチャート制御部、１１ 表示手段、１２ 条件設定手段、１３ 解析手段、１４ 保存手段、１５ 表示装置、１６ 入力装置、２１ サンプリングデータバッファ、２２ 突出データファイル記憶部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system, 2 apparatus, 3 group management apparatus, 4 GUI terminal, 10 Trend chart control part, 11 Display means, 12 Condition setting means, 13 Analysis means, 14 Storage means, 15 Display apparatus, 16 Input apparatus, 21 Sampling Data buffer, 22 protruding data file storage unit.
Claims (1)
制御パラメータのトレンドチャートデータの突出位置を抽出する解析手段と、
抽出すべき突出度合いの判定条件を設定する設定手段と、
前記判定条件に一致する突出データ等を保存する保存手段と
を備えることを特徴とする半導体製造装置管理システム。 A semiconductor manufacturing equipment management system for managing processing characteristics of a substrate,
Analysis means for extracting the protruding position of the trend chart data of the control parameter;
Setting means for setting criteria for determining the degree of protrusion to be extracted;
A semiconductor manufacturing apparatus management system comprising: storage means for storing protrusion data or the like that matches the determination condition.
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-
2010
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