JP2012052848A - 散乱型近接場光プローブ、散乱型近接場光プローブを備えた近接場光学顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プローブの先端部に光源からの光を照射し、プローブの先端部に近接場光を発生させる散乱型近接場光プローブであって、
前記プローブは、該プローブの先端部に、角をなす2辺が交わって形成された鋭角の頂点を有する平板状の金属単結晶を備え、
前記プローブの先端部に、前記光源から前記鋭角の頂点を二等分する軸に対して平行な電界成分を有する光が照射された際に、可視光の長波長領域においても電場増強を示す構成とする。
【選択図】 図2
Description
しかしながら、近年のナノテクノロジーの進歩により、光の回折限界を超える空間分解能で物質の光学特性を評価する重要性が高まっている。
これらのニーズに応えるために、物質表面に局在する近接場光を利用した近接場光学顕微鏡が開発され、光の回折限界を超える空間分解能で物質の光学特性の評価が可能になった。
開口型近接場光プローブを有する近接場光学顕微鏡では、先鋭化した光ファイバー先端に遮光性金属をコーティングして微小開口を設けたものをプローブとして用いる。光ファイバー末端からレーザーを入射すると開口部近傍に近接場光が発生する。
試料−プローブ間に働く原子間力やシェアフォースを利用してプローブを試料に接近させ、開口部近傍に発生した近接場光と試料の相互作用による散乱光や発光を検出する。
微小開口を通して光を試料に照射するため、開口の大きさ程度(〜100nm)の空間分解能が得られるが、励起光として用いることができる光量は弱いため、信号光量が得易い蛍光分析などの測定に向いている。
この際、プローブ先端における金属の表面プラズモン共鳴を誘起することで、プローブ先端において局所的に著しく増強された電場が発生し、散乱光の強度を高めることができる。
そのため、信号光量の得難いラマン分光、非線形分光にも用いることができる。空間分解能はプローブの先端径程度(〜20nm)となる。
散乱型の近接場光学顕微鏡においては、プローブ先端の金属の表面プラズモンを効率よく励起し、プローブ先端部における電場強度を高めることが、感度の高い分光測定を行う上で重要である。
そのためには、励起レーザー光の波長と金属プローブが持つプラズモン共鳴波長を一致させる必要がある。
また、表面プラズモン励起の効率は、非特許文献1で開示されているように金属の材質に大きく依存しており、可視光領域では純金属を利用した場合は銀が最も効率がよく、ついで金の効率がよい。
従来において、近接場光学顕微鏡用の金属プローブを作製する代表的な手段としては、カンチレバーに金属を蒸着またはめっきする方法(特許文献1)や、金属細線を電解研磨することにより作製する方法(非特許文献2)が知られている。
この場合、より長波長の励起光を使用することで蛍光を回避することができる。しかしながら、従来の手法で作製した金属プローブは図3(a)に示すように可視光域に単一のプラズモン共鳴ピークしかもたないため、試料の蛍光を回避することからより長波長の励起光を使用した場合において、電場増強を示さないという問題が生じる。
前記プローブは、該プローブの先端部に、角をなす2辺が交わって形成された鋭角の頂点を有する平板状の金属単結晶を備え、
前記プローブの先端部に、前記鋭角の頂点を二等分する軸に対して平行な電界成分を有する光が光源から照射された際に、可視光の長波長領域においても電場増強を示すことを特徴とする。
また、本発明の近接場光学顕微鏡は、試料測定用のプローブと該プローブの先端部に外部より光を照射する光源とを備え、前記先端部に前記光源より光を照射することで発生する近接場光を用いて測定を行う近接場光学顕微鏡であって、
試料測定用のプローブが、上記した散乱型近接場光プローブによって構成されていることを特徴とする。
本実施形態のプローブは、先端部に光源からの光を照射し、プローブの先端部に近接場光を発生させる散乱型近接場光プローブであって、該プローブの先端部に、角をなす2辺が交わって形成された鋭角の頂点を有する平板状の金属単結晶を備える。
以下に、平板状の金属単結晶の作製例について説明する。
まず、散乱型近接場光プローブの作製に際し、散乱型近接場光プローブに用いる平板状の金属単結晶を用意する。
金属としては金、銀、銅、白金、アルミニウム等が挙げられるが、この中では可視光域にプラズモン共鳴波長をもつ金、銀が好適である。ここでは、平板状の金属単結晶の材料として金が用いられる。
平板状の金単結晶の作製方法は特に限定されるものではないが、代表的な作製例として特開平5−201793号公報やInorganic Chemistry,45,808(2006)に開示されている方法を用いることができる。
特開平5−201793号公報には金錯体溶液から基板表面に金単結晶を析出させる方法が開示されている。
この例は、金のヨウ化物錯体等のハロゲン化物の溶液から基板表面に金単結晶を析出させるものであり、数μmから数mmの大きさの平板状の金単結晶を得ることができる。
この方法によって得られる単結晶は、基板面に対して結晶の(111)面が平行となる平板状の形状となる。
これらの単結晶を基板の上方から見た場合の形状は、若干の割合で不定形のものが存在するものの、正六角形もしくは正三角形となり、多くが正三角形となる。本実施形態の散乱型近接場光プローブとしては正三角形の金単結晶を使用するのが好適である。
図1(a)は結晶の(111)面方向から見た上面図、図1(b)は側面図である。
図示したように、正三角形の頂点部分はその最先端まで結晶の低指数面で囲まれた形状となり、結晶の主面である(111)面に平行な面に沿った頂角は必ず60°と鋭角になる。
また、単結晶であるため、その最先端まで金原子が規則正しく配列している。そのため、先端は曲率半径が小さく、さらに曲率半径のばらつきが小さい。
本実施形態における近接場光学顕微鏡は、試料測定用のプローブとして上記した散乱型近接場光プローブを備え、該プローブの先端部に外部の光源から光を照射することで発生する近接場光を用いて測定を行うように構成されている。
ここでは試料表面側から励起光を入射する反射型の近接場光学顕微鏡を例示しているが、試料裏面から励起光を入射する透過型の配置でも本発明を適用できる。平板状の金単結晶1は頂角を試料表面に対向させる配置でチューニングフォーク2の先端に取り付けられ、散乱型近接場光プローブとして使用される。
平板状の金単結晶1はチューニングフォーク2の代わりにカンチレバーのチップ先端や先鋭化した光ファイバー先端に取り付けることも可能である。
試料表面側に配置した対物レンズ4により、散乱型近接場光プローブ先端に励起レーザー光5を照射すると、プローブ先端に近接場光が発生する。
プローブと試料表面に働くシェアフォースにより距離制御を行いながらプローブを試料表面に近接させる。このとき、プローブ先端で発生した近接場光と試料の相互作用による散乱光や発光が発生する。
これらの検出光6を励起に用いたものと同一の対物レンズ4により集光し、検出器(不図示)で検出する。
試料からの散乱光には励起光と同じ波長のレーリー散乱光の他、ラマン散乱光も発生する。
このとき、プローブ先端、つまり、平板状の金単結晶の先端において表面プラズモンを励起することで結晶端における電場強度を増大させることができ、結晶端直下の局在した領域からのラマン散乱光強度を増強させることができる。これにより、試料の局所的なラマン分光測定が可能になる。
図3(a)は一般的に用いられる円錐形の金プローブ(先端曲率20nm)のFDTD計算結果、図3(b)は本実施形態で用いる正三角形の平板状の金単結晶(一辺1μm,厚さ100nm)プローブのFDTD計算結果である。
励起レーザー光の照射方向はプローブ軸に対し垂直な方向であり、グラフの横軸は入射光の波長、縦軸はプローブ直下5nm位置における電場増強度|E/E0|2を示している。電場増強度がピークとなる波長がプラズモン共鳴波長である。
円錐形の金プローブは500nm付近に単一のプラズモン共鳴ピークしか持たないが、本実施形態のプローブは550〜600nm付近だけでなく、可視光の長波長側の800nm付近にもより大きなプラズモン共鳴ピークを持つことがわかる。つまり、近接場ラマン測定において試料が蛍光を発生する場合、蛍光を回避するために、より長波長の励起光を用いた場合、一般に用いられる円錐形の金プローブでは可視光の長波長側では電場増強を示さない。
これに対し、本実施形態の散乱型近接場光プローブでは可視光の長波長側においてもより大きな電場増強を示す。
ここで、図4に正三角形の平板状の金単結晶(一辺1μm,厚さ100nm)プローブ先端における電場増強度の励起レーザー光の照射角度依存性についてFDTD計算を行った結果を示す。
入射光はX−Z面内でZ軸に対してθの角度で変化させ、入射光の偏光はX−Z面内で入射光と垂直な方向に振動する直線偏光とした。
グラフの横軸は入射光の波長、縦軸はプローブ直下5nm位置における電場増強度|E/E0|2を示している。
これによると、入射光がZ軸に平行な場合(θ=0°)にプローブ先端における電場増強度は最小になり、Z軸に垂直な場合に電場増強度が最大になることがわかった。
つまり、入射光のZ軸方向の電界成分が大きいほど平板状の金単結晶先端で発生する電場増強度が大きいことを示す。また、X−Y面内で励起光の照射方向を変化させた場合、電場増強度に大きな差は見られなかった。
従来の散乱型近接場光プローブが電場増強を示す波長領域だけでなく可視光の長波長領域においても電場増強を示す散乱型近接場光プローブが得られる。
そのため、試料からの蛍光を回避するために、より長波長の励起光を用いた場合でも電場増強を得ることができ、蛍光する試料に対しても近接場ラマン測定が可能になる。
また、結晶端をプローブとして使用するため、先端曲率半径のばらつきが小さく、形状の再現性も良いため、測定の再現性向上も期待できる。
[実施例1]
実施例1として、本発明を適用した平板状の金単結晶の構成例について説明する。
まず、本実施例で使用する平板状の金単結晶を作製した。
図5は、本実施例の平板状の金単結晶の作製に用いられる平板状の金単結晶作製装置の概略図である。
図5に示される石英製の反応容器9に、純水500ml、ヨウ素12gおよびヨウ化カリウム40gを投入し、攪拌溶解させた。
さらに、粉末状の金2gを投入して攪拌溶解させ、金錯体溶液10とした。
基板8としてチタンを蒸着したシリコン基板を用い、金錯体溶液10中に基板8を浸漬させた。
上記反応はドラフト内で行い、基板8上に形成される平板状の金単結晶14が所望の大きさになるように反応時間、ドラフト排気量を調節し、基板8上に数十〜数百μmの大きさの平板状の金単結晶14を得た。
平板状の金単結晶14は水洗後、5分間酸素プラズマ処理をした後、窒素雰囲気下において30分間300℃で熱処理した。
このようにして得た平板状の金単結晶のSEM像を、図1(c)に示す。ここでは一辺が約200mmの大きさの正三角形の平板状の金単結晶が得られた。
図6の図中に示す平板状の金単結晶は一辺が約5μmの正三角形の形状をしている。
この平板状の金単結晶上に1wt%のポリスチレン溶液をスピンコーティングして約100nmの膜厚のポリスチレン薄膜を形成させ、平板状の金単結晶の(111)面上と結晶先端部においてラマン測定を行った。
測定には励起波長780nmのレーザー、100×NA0.9の対物レンズを使用し、露光時間20s、積算回数3回の条件でラマンスペクトルを取得した。
入射光は平板状の金単結晶の(111)面に垂直な方向から入射し、入射光の偏光方向は結晶の頂角を二等分する軸と平行な方向とした。
ポリスチレンは1000cm−1付近にベンゼン骨格振動の強いラマンピークが観測される。
平板状の金単結晶の(111)面上と結晶先端部で1000cm−1におけるラマン強度を比較すると、結晶先端部においてポリスチレンのラマン強度が約7.4倍強くなっていることが示された。
このように、正三角形の平板状の金単結晶を散乱型近接場光プローブとして用いることで、平板状の金単結晶先端において電場増強効果を得ることができることが実証できた。
平板状の金単結晶プローブは顕微鏡下でマイクロマニュピレータを使いて平板状の金単結晶をエポキシによりチューニングフォーク先端に固定することにより作製できる。
実施例2として、一般的に用いられる円錐形の金プローブと、本発明の平板状の金単結晶プローブを用いて色素(Oil Blue N)を添加したポリスチレン薄膜の近接場ラマン測定を行った例について説明する。
まず、514nm励起で近接場ラマン測定を行った。この測定では、添加した色素から蛍光が発生するため、どちらのプローブを用いた場合においてもポリスチレン固有のラマンスペクトルは確認しづらい。
そこで、蛍光を回避するために励起光を780nmに変更した。
一般的に用いられる円錐形金プローブを用いた近接場ラマン測定においては色素からの蛍光を抑えることはできたものの、図3(a)に示すように780nmにおいては電場増強効果がほとんど得られない。そのため、ポリスチレン薄膜からのラマン信号は微弱である。
一方、本発明の平板状の金単結晶プローブを用いた近接場ラマン測定においては、色素からの蛍光を抑え、かつ図3(b)に示すように電場増強効果も得られるため、ポリスチレン薄膜からのラマン信号をS/Nよく検出することが可能となる。
実施例3として、平板状の金単結晶の膜厚が電場増強度に与える影響についてFDTD計算を行った例について説明する。
図7に、結晶を一辺1μmの正三角形とし、膜厚を10nm、20nm、100nmと変えた時の、結晶先端における電場増強度をFDTDにより計算した結果を示す。
グラフの横軸は入射光の波長、縦軸はプローブ直下5nm位置における電場増強度|E/E0|2を示している。
これによると金単結晶の膜厚を薄くしていくと可視光の長波長側800nm付近のプラズモン共鳴ピークが著しく増大することがわかった。
このように、可視光域の長波長側の励起光を用いて高感度な近接場ラマン分光を行う場合は、膜厚が薄い金単結晶を用いることが有利であることが示された。
2:チューニングフォーク
3:試料
4:対物レンズ
5:励起レーザー光
6:検出光(散乱光、発光)
7:ピエゾステージ
8:基板
9:反応容器
10:金錯体溶液
11:溶液温度計測器
12:溶液加熱手段
13:温度調節器
14:平板状金単結晶
Claims (5)
- プローブの先端部に光源からの光を照射し、プローブの先端部に近接場光を発生させる散乱型近接場光プローブであって、
前記プローブは、該プローブの先端部に、角をなす2辺が交わって形成された鋭角の頂点を有する平板状の金属単結晶を備え、
前記プローブの先端部に、前記光源から前記鋭角の頂点を二等分する軸に対して平行な電界成分を有する光が照射された際に、可視光の長波長領域においても電場増強を示すことを特徴とする散乱型近接場光プローブ。 - 前記平板状の金属単結晶は、金の単結晶であることを特徴とする請求項1に記載の散乱型近接場光プローブ。
- 前記金の単結晶は主面が(111)面からなり、該(111)面の方向から見た該金の単結晶の形状が正三角形であることを特徴とする請求項2に記載の散乱型近接場光プローブ。
- 前記金の単結晶は、該金の単結晶厚さの一辺の長さに対する比が10以上100以下であることを特徴とする請求項3に記載の散乱型近接場光プローブ。
- 試料測定用のプローブの先端部に光源からの光を照射することでプローブの先端部に発生する近接場光を用いて測定を行う近接場光学顕微鏡であって、
前記試料測定用のプローブが、請求項1から4のいずれか1項に記載の散乱型近接場光プローブによって構成されていることを特徴とする近接場光学顕微鏡。
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