JP2012051024A - Electromagnetic casting apparatus of silicon ingot - Google Patents

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Hiroshi Koya
浩 小屋
Yasuo Takemura
泰夫 竹村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic casting apparatus of silicon ingots, capable of recognizing a state that bending of an ingot occurs in an early stage.SOLUTION: In the electromagnetic casting apparatus, silicon raw material 11 is charged into a square cylinder-like bottomless cooling crucible 7 arranged in a chamber 1, and molten silicon 12 melted by the electromagnetic induction heating is solidified while being pulled down from the crucible 7 to perform the continuous casting of a quadrangular prism-like ingot 3. Monitoring windows 15 are formed in the side wall of the chamber 1 oppositely to two side faces 3a, 3b parallel to each other out of four side faces 3a-3d of the ingot 3. A radiation thermometer 16 is disposed outside each monitoring window 15. A reflecting mirror 19 for reflecting an infrared ray to be radiated from the two side faces 3c, 3d not opposite to the monitoring windows 15 toward the monitoring window 15 is provided in the chamber 1. The radiation thermometer 16 directly detects the infrared ray radiated from the side faces 3a, 3b opposite to the monitoring windows 15, and detects the infrared ray radiated from the side faces 3c, 3d not opposite to the monitoring windows 15 and reflected by the reflecting mirror 19.

Description

本発明は、太陽電池用基板の素材であるシリコンインゴットを連続鋳造するための電磁鋳造装置に関する。   The present invention relates to an electromagnetic casting apparatus for continuously casting a silicon ingot that is a material of a substrate for a solar cell.

太陽電池の基板には、多結晶のシリコンウェーハを用いるのが主流である。その多結晶シリコンウェーハは、一方向性凝固のシリコンインゴットを素材とし、このインゴットをスライスして製造される。従って、太陽電池の普及を図るには、シリコンウェーハの品質を確保するとともに、コストを低減する必要があるため、その前段階で、シリコンインゴットを高品質で安価に製造することが要求される。この要求に対応できる方法として、例えば、特許文献1に開示されるように、電磁誘導を利用した連続鋳造方法(以下、「電磁鋳造法」ともいう)が実用化されている。   The mainstream of the solar cell substrate is a polycrystalline silicon wafer. The polycrystalline silicon wafer is manufactured by slicing a unidirectionally solidified silicon ingot. Therefore, in order to promote the spread of solar cells, it is necessary to secure the quality of the silicon wafer and reduce the cost. Therefore, it is required to manufacture the silicon ingot at a high quality and at a low cost in the previous stage. As a method that can meet this requirement, for example, as disclosed in Patent Document 1, a continuous casting method using electromagnetic induction (hereinafter also referred to as “electromagnetic casting method”) has been put into practical use.

図3は、電磁鋳造法で用いられる従来の代表的な電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図であり、同図(a)は要部の縦断面図、同図(b)は同図(a)のB−B断面図である。同図(a)に示すように、電磁鋳造装置はチャンバー1を備える。チャンバー1は、内部を外気から隔離し鋳造に適した不活性ガス雰囲気に維持する二重壁構造の水冷容器である。チャンバー1の上壁には、原料供給ホッパー2が連結されている。チャンバー1は、上部に不活性ガス導入口5が設けられ、下部の側壁に図示しない排気口が設けられている。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration of a typical representative electromagnetic casting apparatus used in the electromagnetic casting method. FIG. 3 (a) is a longitudinal sectional view of the main part, and FIG. 3 (b) is the same drawing. It is BB sectional drawing of (a). As shown in FIG. 1A, the electromagnetic casting apparatus includes a chamber 1. The chamber 1 is a water-cooled container having a double wall structure in which the inside is isolated from the outside air and maintained in an inert gas atmosphere suitable for casting. A raw material supply hopper 2 is connected to the upper wall of the chamber 1. The chamber 1 is provided with an inert gas inlet 5 in the upper part and an exhaust port (not shown) in the lower side wall.

チャンバー1内には、無底冷却ルツボ7、誘導コイル8およびアフターヒーター9が配置されている。冷却ルツボ7は、溶解容器としてのみならず、鋳型としても機能し、熱伝導性および導電性に優れた金属(例えば、銅)製の四角筒体であり、チャンバー1内に吊り下げられている。この冷却ルツボ7は、上部と下部を残して縦方向に図示しないスリットが複数形成され、このスリットにより周方向で複数の短冊状の素片に分割されており、内部を流通する冷却水によって強制冷却される。   In the chamber 1, a bottomless cooling crucible 7, an induction coil 8, and an after heater 9 are disposed. The cooling crucible 7 functions not only as a melting container but also as a mold, and is a rectangular cylinder made of metal (for example, copper) having excellent thermal conductivity and conductivity, and is suspended in the chamber 1. . The cooling crucible 7 is formed with a plurality of slits (not shown) in the vertical direction, leaving the upper and lower portions, and is divided into a plurality of strip-shaped pieces in the circumferential direction by the slits, and is forced by cooling water flowing through the inside. To be cooled.

誘導コイル8は、冷却ルツボ7を囲繞するように、冷却ルツボ7と同芯に周設され、図示しない電源装置に接続されている。アフターヒーター9は、冷却ルツボ7の下方に冷却ルツボ7と同芯に複数連設され、冷却ルツボ7から引き下げられるシリコンインゴット3を加熱し、その軸方向に適切な温度勾配を与えながら徐冷する。インゴット3は、チャンバー1の底壁を貫通して下降する支持台14によって支えられながら引き下げられる。   The induction coil 8 is provided around the cooling crucible 7 so as to surround the cooling crucible 7 and is connected to a power supply device (not shown). A plurality of after-heaters 9 are provided concentrically with the cooling crucible 7 below the cooling crucible 7, heat the silicon ingot 3 pulled down from the cooling crucible 7, and gradually cool it while providing an appropriate temperature gradient in the axial direction. . The ingot 3 is pulled down while being supported by a support 14 that descends through the bottom wall of the chamber 1.

また、チャンバー1内には、原料供給ホッパー2の下方に原料導入管10が配設されている。粒状や塊状のシリコン原料11が原料供給ホッパー2から原料導入管10に供給され、原料導入管10を通じて冷却ルツボ7内に投入される。   In the chamber 1, a raw material introduction pipe 10 is disposed below the raw material supply hopper 2. Granular or lump silicon raw material 11 is supplied from the raw material supply hopper 2 to the raw material introduction pipe 10 and is introduced into the cooling crucible 7 through the raw material introduction pipe 10.

冷却ルツボ7の真上には、プラズマトーチ13が昇降可能に設けられている。プラズマトーチ13は、図示しないプラズマ電源装置の一方の極に接続され、他方の極は、インゴット3側に接続されている。このプラズマトーチ13は、下降により冷却ルツボ7の上部に挿入される。   A plasma torch 13 is provided directly above the cooling crucible 7 so as to be movable up and down. The plasma torch 13 is connected to one pole of a plasma power supply device (not shown), and the other pole is connected to the ingot 3 side. The plasma torch 13 is inserted into the upper part of the cooling crucible 7 by lowering.

このような電磁鋳造装置を用いた電磁鋳造法では、冷却ルツボ7にシリコン原料11を投入し、誘導コイル8に交流電流を印加するとともに、冷却ルツボ7の上部に挿入したプラズマトーチ13に通電を行う。このとき、冷却ルツボ7を構成する短冊状の各素片が互いに電気的に分割されていることから、誘導コイル8による電磁誘導に伴って各素片内で渦電流が発生し、冷却ルツボ7の内壁側の渦電流が冷却ルツボ7内に磁界を発生させる。これにより、冷却ルツボ7内のシリコン原料11は電磁誘導加熱されて溶解し、溶融シリコン12が形成される。また、プラズマトーチ13と溶融シリコン12との間にプラズマアークが発生し、プラズマアーク加熱によっても、シリコン原料11が加熱されて溶解し、電磁誘導加熱の負担を軽減して効率良く溶融シリコン12が形成される。   In the electromagnetic casting method using such an electromagnetic casting apparatus, the silicon raw material 11 is charged into the cooling crucible 7, an alternating current is applied to the induction coil 8, and the plasma torch 13 inserted at the top of the cooling crucible 7 is energized. Do. At this time, since the strip-shaped pieces constituting the cooling crucible 7 are electrically divided from each other, an eddy current is generated in each piece due to electromagnetic induction by the induction coil 8, and the cooling crucible 7 The eddy current on the inner wall side generates a magnetic field in the cooling crucible 7. As a result, the silicon raw material 11 in the cooling crucible 7 is melted by electromagnetic induction heating to form molten silicon 12. Further, a plasma arc is generated between the plasma torch 13 and the molten silicon 12, and the silicon raw material 11 is also heated and melted by the plasma arc heating, and the burden of electromagnetic induction heating is reduced, so that the molten silicon 12 is efficiently formed. It is formed.

溶融シリコン12は、冷却ルツボ7の内壁の渦電流に伴って生じる磁界と、溶融シリコン12の表面に発生する電流との相互作用により、溶融シリコン12の表面の内側法線方向に力(ピンチ力)を受けるため、冷却ルツボ7と非接触の状態に保持される。冷却ルツボ7内でシリコン原料11を溶解させながら、溶融シリコン12を支える支持台14を徐々に下降させると、誘導コイル8の下端から遠ざかるにつれて誘導磁界が小さくなることから、発熱量およびピンチ力が減少し、さらに冷却ルツボ7からの冷却により、溶融シリコン12は外周部から凝固が進行する。そして、支持台14の下降に伴ってシリコン原料11を冷却ルツボ7内に逐次投入し、溶解および凝固を継続することにより、溶融シリコン12が一方向に凝固し、四角柱状のインゴット3を連続鋳造することができる。   The molten silicon 12 has a force (pinch force) in the inner normal direction of the surface of the molten silicon 12 due to the interaction between the magnetic field generated along with the eddy current on the inner wall of the cooling crucible 7 and the current generated on the surface of the molten silicon 12. ) Is held in a non-contact state with the cooling crucible 7. When the support 14 that supports the molten silicon 12 is gradually lowered while the silicon raw material 11 is dissolved in the cooling crucible 7, the induction magnetic field decreases as the distance from the lower end of the induction coil 8 decreases. Further, the molten silicon 12 is solidified from the outer peripheral portion by cooling from the cooling crucible 7. Then, the silicon raw material 11 is sequentially introduced into the cooling crucible 7 as the support base 14 is lowered, and by continuing melting and solidification, the molten silicon 12 solidifies in one direction, and the rectangular columnar ingot 3 is continuously cast. can do.

このような電磁鋳造装置によれば、溶融シリコン12と冷却ルツボ7との接触が軽減されるため、その接触に伴う冷却ルツボ7からの不純物汚染が防止され、高品質のインゴット3を得ることができる。しかも、連続鋳造であることから、安価にインゴット3を製造することが可能になる。   According to such an electromagnetic casting apparatus, contact between the molten silicon 12 and the cooling crucible 7 is reduced, so that impurity contamination from the cooling crucible 7 due to the contact is prevented, and a high-quality ingot 3 can be obtained. it can. And since it is continuous casting, it becomes possible to manufacture the ingot 3 at low cost.

国際公開WO02/053496号パンフレットInternational Publication WO02 / 053496 Pamphlet

電磁鋳造法では、インゴット3の鋳肌の温度を冷却ルツボ7の直下で監視し、その鋳肌温度の変動に応じて、誘導コイル8に印加する電流を調整している。このため、上述した従来の電磁鋳造装置では、前記図3(a)に示すように、チャンバー1の側壁に透明なガラス板が嵌め込まれた監視窓15を設置し、この監視窓15の外部に放射温度計16が配設される。監視窓15は、アフターヒーター9の上端と冷却ルツボ7の下端との間に相当する高さ位置に設けられ、インゴット3の一側面に対向して配置される。放射温度計16は、冷却ルツボ7の直下におけるインゴット3の一側面から放射される赤外線(前記図3中の点線矢印参照)を直接検出し、これにより、その一側面の鋳肌温度を測定し、インゴット3の鋳肌の温度変動を監視する。   In the electromagnetic casting method, the temperature of the casting surface of the ingot 3 is monitored directly below the cooling crucible 7, and the current applied to the induction coil 8 is adjusted according to the fluctuation of the casting surface temperature. For this reason, in the conventional electromagnetic casting apparatus described above, as shown in FIG. 3A, a monitoring window 15 in which a transparent glass plate is fitted is installed on the side wall of the chamber 1, and outside this monitoring window 15. A radiation thermometer 16 is provided. The monitoring window 15 is provided at a height position corresponding to the upper end of the after heater 9 and the lower end of the cooling crucible 7, and is disposed to face one side surface of the ingot 3. The radiation thermometer 16 directly detects infrared rays (see the dotted arrow in FIG. 3) emitted from one side surface of the ingot 3 immediately below the cooling crucible 7, thereby measuring the casting surface temperature on the one side surface. The temperature variation of the casting surface of the ingot 3 is monitored.

ここで、アフターヒーター9の上端と冷却ルツボ7の下端との間には、不用意な放熱を防止するために、断熱材17が差し込まれて充填されている。この断熱材17には、前記図3(b)に示すように、インゴット3の一側面の中心部に対向する部分に貫通口18aが形成されている。その貫通口18aを通じ、インゴット3の一側面の中心部から放射される赤外線が出射され、鋳肌温度を測定することが可能になる。   Here, a heat insulating material 17 is inserted and filled between the upper end of the after heater 9 and the lower end of the cooling crucible 7 in order to prevent inadvertent heat dissipation. As shown in FIG. 3B, the heat insulating material 17 has a through-hole 18 a formed in a portion facing the central portion of one side surface of the ingot 3. Through the through hole 18a, infrared rays emitted from the central portion of one side surface of the ingot 3 are emitted, and the casting surface temperature can be measured.

従来の電磁鋳造装置は、前記図3に示すように、インゴット3を間に挟むチャンバー1の両側壁に、上記の監視窓15がそれぞれ設置されるとともに、各監視窓15の外部に放射温度計16が配設されており、これにより、インゴット3の四側面3a〜3dのうちの互いに平行な二側面3a、3bで鋳肌温度を測定している。   As shown in FIG. 3, the conventional electromagnetic casting apparatus is provided with the monitoring windows 15 on both side walls of the chamber 1 with the ingot 3 interposed therebetween, and a radiation thermometer outside each monitoring window 15. 16 is arrange | positioned and, thereby, the casting surface temperature is measured on the two side surfaces 3a and 3b parallel to each other among the four side surfaces 3a to 3d of the ingot 3.

また、電磁鋳造法では、インゴット3の結晶品質を確保するため、冷却ルツボ7から引き出されたインゴット3は、アフターヒーター9内に送り込まれ、四側面3a〜3dの温度を個別に制御されながら徐冷される。その際、アフターヒーター9内には熱電対が配設されていて、この熱電対による計測温度と上記の放射温度計による鋳肌温度とに基づいてアフターヒーター9への電力が調整される。   In the electromagnetic casting method, in order to ensure the crystal quality of the ingot 3, the ingot 3 drawn out from the cooling crucible 7 is fed into the after heater 9 and gradually controlled while the temperatures of the four side surfaces 3a to 3d are individually controlled. It is cooled. At that time, a thermocouple is disposed in the after heater 9, and the power to the after heater 9 is adjusted based on the temperature measured by the thermocouple and the casting surface temperature by the radiation thermometer.

ところで、連続鋳造中、実際のインゴット3は、アフターヒーター9に送り込まれる直前、すなわち冷却ルツボ7の直下において、鋳肌の温度が四側面3a〜3dで均一にならず、側面間で温度差が生じる場合がある。   By the way, during continuous casting, the actual ingot 3 does not have a uniform casting surface temperature at the four side surfaces 3a to 3d immediately before being fed into the after heater 9, that is, immediately below the cooling crucible 7, and there is a temperature difference between the side surfaces. May occur.

しかし、従来の電磁鋳造装置では、冷却ルツボ7の直下におけるインゴット3の鋳肌温度を四側面3a〜3dのうちの二側面3a、3bで監視し、残りの二側面3c、3dでは監視していないので、インゴット3の側面間で鋳肌の温度差が生じても、その温度差を正確に把握できない。そのため、アフターヒーター9によるインゴット3の四側面3a〜3dごとの徐冷制御を精緻に行うことができず、インゴット3の横断面内で結晶の均一性を十分に確保できないことがある。   However, in the conventional electromagnetic casting apparatus, the casting surface temperature of the ingot 3 immediately below the cooling crucible 7 is monitored on the two side surfaces 3a and 3b of the four side surfaces 3a to 3d, and is monitored on the remaining two side surfaces 3c and 3d. Therefore, even if a temperature difference of the casting surface occurs between the side surfaces of the ingot 3, the temperature difference cannot be accurately grasped. Therefore, the slow cooling control for each of the four side surfaces 3 a to 3 d of the ingot 3 by the after heater 9 cannot be performed precisely, and the crystal uniformity may not be sufficiently ensured in the cross section of the ingot 3.

また、インゴット3の側面間で鋳肌の著しい温度差が生じた場合、その温度差に起因して冷却に伴う寸法変化量が異なるため、そのまま連続鋳造を継続すると、製造されたインゴット3は大きく曲がったものとなる。曲がりが大きいインゴット3は、製品として使用できる部分が少なく、歩留りが極端に低下する。しかし、従来の電磁鋳造装置では、上述の通りに、インゴット3の側面間で鋳肌の温度差を正確に把握できないため、連続鋳造中に、インゴット3の曲がりが発生し得る状態であっても、その状態を認識することが困難であり、操業を中止するなどの適切な措置を取ることができない。   In addition, when a significant temperature difference of the casting surface occurs between the side surfaces of the ingot 3, since the amount of dimensional change due to cooling differs due to the temperature difference, if the continuous casting is continued as it is, the manufactured ingot 3 becomes large. It will be bent. The ingot 3 with a large bend has few parts that can be used as a product, and the yield is extremely reduced. However, in the conventional electromagnetic casting apparatus, as described above, since the temperature difference of the casting skin between the side surfaces of the ingot 3 cannot be accurately grasped, even if the ingot 3 can be bent during continuous casting. , It is difficult to recognize the state, and appropriate measures such as discontinuing operation cannot be taken.

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、電磁鋳造法によりシリコンインゴットを連続鋳造する際に、インゴットの曲がりが発生し得る状態を早期に認識することができ、さらにインゴットの横断面内で結晶の均一性を十分に確保することができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and can continuously recognize a state where bending of an ingot can occur when continuously casting a silicon ingot by an electromagnetic casting method. An object of the present invention is to provide a silicon ingot electromagnetic casting apparatus capable of sufficiently ensuring crystal uniformity in a plane.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、下記の(a)および(b)に示す知見を得た。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have obtained the findings shown in the following (a) and (b).

(a)冷却ルツボの直下において、インゴットの側面間で鋳肌の温度差を正確に把握するには、インゴットの四側面全ての鋳肌温度を測定するのが有効である。しかし、その施策として、チャンバーの側壁に、インゴットの四側面のそれぞれに対向して監視窓を設け、各監視窓の外部に放射温度計を配設することは、装置の構造上の制約から困難である。   (A) In order to accurately grasp the temperature difference of the casting surface between the side surfaces of the ingot immediately under the cooling crucible, it is effective to measure the casting surface temperature of all four side surfaces of the ingot. However, as a measure, it is difficult to provide monitoring windows on the side walls of the chamber so as to face each of the four sides of the ingot and to arrange a radiation thermometer outside each monitoring window due to structural limitations of the device. It is.

(b)装置構造に制約されることなく、インゴットの四側面全ての鋳肌温度を測定するには、前記図3に示す従来の電磁鋳造装置のように、チャンバーの側壁に、インゴットの四側面のうちの互いに平行な二側面に対向して監視窓を設け、各監視窓の外部に放射温度計を配設する構成を採用し、その上で、監視窓に対向しないインゴットの二側面から放射される赤外線については、反射鏡により監視窓に向けて反射させるのが有効である。   (B) In order to measure the casting surface temperature of all four sides of the ingot without being restricted by the device structure, the four sides of the ingot are placed on the side wall of the chamber as in the conventional electromagnetic casting device shown in FIG. A monitoring window is provided facing two parallel side surfaces of each of them, and a radiation thermometer is arranged outside each monitoring window. It is effective to reflect the infrared rays that are reflected toward the monitoring window by a reflecting mirror.

本発明は、上記(a)および(b)の知見に基づいて完成させたものであり、その要旨は、下記に示すシリコンインゴットの電磁鋳造装置にある。すなわち、チャンバー内に配置した導電性を有する四角筒状の無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させて四角柱状のシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバーの側壁に、無底冷却ルツボの直下におけるシリコンインゴットの四側面のうちの互いに平行な二側面に対向して監視窓が設けられ、各監視窓の外部に放射温度計が配設され、チャンバー内に、監視窓に対向しないシリコンインゴットの二側面から放射される赤外線を監視窓に向けて反射させる反射鏡が設けられており、放射温度計は、監視窓に対向するシリコンインゴットの側面から放射された赤外線を直接検出し、監視窓に対向しないシリコンインゴットの側面から放射され反射鏡で反射した赤外線を検出することを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造装置である。   The present invention has been completed on the basis of the above findings (a) and (b), and the gist thereof resides in an electromagnetic casting apparatus for a silicon ingot shown below. That is, a silicon raw material is charged into a conductive rectangular tubular bottomless cooling crucible disposed in the chamber, and the silicon raw material is melted by electromagnetic induction heating from an induction coil surrounding the bottomless cooling crucible. In an electromagnetic casting apparatus that continuously solidifies a rectangular columnar silicon ingot by pulling it down from the bottomless cooling crucible, two parallel sides of the four sides of the silicon ingot directly below the bottomless cooling crucible are formed on the side wall of the chamber. Monitoring windows are provided facing each other, radiation thermometers are arranged outside each monitoring window, and infrared rays radiated from the two sides of the silicon ingot not facing the monitoring window are reflected in the chamber toward the monitoring window. The radiation thermometer is a red radiated from the side of the silicon ingot facing the monitoring window. Detecting a line directly, an electromagnetic casting apparatus of the silicon ingot and detecting the infrared rays reflected by the radial reflecting mirror from a side surface of the silicon ingot not facing the monitor window.

上記の電磁鋳造装置は、前記無底冷却ルツボの下方に前記シリコンインゴットを囲繞してアフターヒーターが配設され、このアフターヒーターの上端と前記無底冷却ルツボの下端との間に断熱材が充填されており、この断熱材に、前記シリコンインゴットの各側面から放射される赤外線をそれぞれ出射させる貫通口が形成されている構成とすることができる。この電磁鋳造装置の場合、前記貫通口は、前記シリコンインゴットの各側面の中心部および両側部にそれぞれ対向して形成されていることが好ましい。   In the above electromagnetic casting apparatus, an after heater is disposed below the bottomless cooling crucible so as to surround the silicon ingot, and a heat insulating material is filled between the upper end of the after heater and the bottom end of the bottomless cooling crucible. In this heat insulating material, through-holes for emitting infrared rays emitted from the respective side surfaces of the silicon ingot can be formed. In the case of this electromagnetic casting apparatus, it is preferable that the through hole is formed so as to be opposed to the center and both sides of each side surface of the silicon ingot.

本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造装置によれば、電磁鋳造法によりシリコンインゴットを連続鋳造する際、冷却ルツボの直下でインゴットの四側面のそれぞれから放射される赤外線を放射温度計によって検出し、四側面全ての鋳肌温度を測定することが可能になるため、インゴットの側面間で鋳肌の温度差が著しく、インゴットの曲がりが発生し得る状態である場合、その状態を早期に認識することができ、歩留りの極端な低下を引き起こす前に適切な措置を取ることができる。さらに、測定されたインゴットの四側面全ての鋳肌温度に基づいて、アフターヒーターによるインゴットの四側面ごとの徐冷制御を精緻に行うことが可能となり、その結果として、インゴットの横断面内で結晶の均一性を十分に確保することができる。   According to the electromagnetic casting apparatus for a silicon ingot of the present invention, when a silicon ingot is continuously cast by an electromagnetic casting method, infrared radiation emitted from each of the four side surfaces of the ingot is detected by a radiation thermometer immediately below the cooling crucible. Since it is possible to measure the casting surface temperature of all side surfaces, if the temperature difference of the casting surface between the side surfaces of the ingot is significant and the bending of the ingot can occur, the state can be recognized early. And take appropriate action before causing an extreme drop in yield. Furthermore, based on the measured casting surface temperatures of all four sides of the ingot, it becomes possible to precisely control the slow cooling for each of the four sides of the ingot by using an after heater. Can be sufficiently ensured.

本発明の電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図であり、同図(a)は要部の縦断面図、同図(b)は同図(a)のA−A断面図である。It is a figure which shows typically the structure of the electromagnetic casting apparatus of this invention, The figure (a) is a longitudinal cross-sectional view of the principal part, The figure (b) is AA sectional drawing of the figure (a). 本発明の電磁鋳造装置の変形例を示す図であり、前記図1(a)のA−A断面に相当する図である。It is a figure which shows the modification of the electromagnetic casting apparatus of this invention, and is a figure equivalent to the AA cross section of the said Fig.1 (a). 電磁鋳造法で用いられる従来の代表的な電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図であり、同図(a)は要部の縦断面図、同図(b)は同図(a)のB−B断面図である。It is a figure which shows typically the structure of the conventional typical electromagnetic casting apparatus used with an electromagnetic casting method, The same figure (a) is a longitudinal cross-sectional view of the principal part, The same figure (b) is the same figure (a). It is BB sectional drawing.

以下に、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造装置について、その実施形態を詳述する。   Below, the embodiment is described in full detail about the electromagnetic casting apparatus of the silicon ingot of this invention.

図1は、本発明の電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図であり、同図(a)は要部の縦断面図、同図(b)は同図(a)のA−A断面図である。同図に示す本発明の電磁鋳造装置は、前記図3に示す電磁鋳造装置の構成を基本とし、それと同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は適宜省略する。   1A and 1B are diagrams schematically showing a configuration of an electromagnetic casting apparatus according to the present invention, in which FIG. 1A is a longitudinal sectional view of an essential part, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. The electromagnetic casting apparatus of the present invention shown in the figure is based on the configuration of the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. 3, and the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted as appropriate.

図1(a)に示すように、本発明の電磁鋳造装置は、インゴット3を間に挟むチャンバー1の両側壁に、透明なガラス板が嵌め込まれた監視窓15がそれぞれ設置されるとともに、各監視窓15の外部に放射温度計16が配設されている。監視窓15は、アフターヒーター9の上端と冷却ルツボ7の下端との間に相当する高さ位置に設けられ、インゴット3の四側面3a〜3dのうちの互いに平行な二側面3a、3bにそれぞれ対向して配置される。   As shown in FIG. 1 (a), the electromagnetic casting apparatus of the present invention is provided with monitoring windows 15 fitted with transparent glass plates on both side walls of the chamber 1 sandwiching the ingot 3 therebetween, A radiation thermometer 16 is disposed outside the monitoring window 15. The monitoring window 15 is provided at a corresponding height position between the upper end of the after heater 9 and the lower end of the cooling crucible 7, and is arranged on each of two parallel side surfaces 3 a and 3 b of the four side surfaces 3 a to 3 d of the ingot 3. Opposed to each other.

アフターヒーター9の上端と冷却ルツボ7の下端との間には、断熱材17が差し込まれて充填されている。この断熱材17には、図1(b)に示すように、インゴット3の各側面3a〜3dから放射される赤外線(図1中の点線矢印参照)を断熱材17の外側に出射させるために、貫通口18a、18bが形成されている。図1(b)では、インゴット3の各側面3a〜3dの中心部に対向する部分に貫通口18aが形成され、さらに各側面3a〜3dの両側部に対向する部分にも貫通口18bが形成された例を示している。   Between the upper end of the after heater 9 and the lower end of the cooling crucible 7, a heat insulating material 17 is inserted and filled. As shown in FIG. 1 (b), the heat insulating material 17 is configured to emit infrared rays (see dotted arrows in FIG. 1) emitted from the side surfaces 3 a to 3 d of the ingot 3 to the outside of the heat insulating material 17. Through holes 18a and 18b are formed. In FIG.1 (b), the through-hole 18a is formed in the part facing the center part of each side surface 3a-3d of the ingot 3, and also the through-hole 18b is formed also in the part facing each side part of each side surface 3a-3d. An example is shown.

また、チャンバー1内には、監視窓15に対向しないインゴット3の二側面3c、3dに対し、各々からの赤外線を出射させる断熱材17の貫通口18a、18bの外側に、反射鏡19が設けられている。各反射鏡19は、監視窓15に対向しないインゴット3の二側面3c、3dから放射される赤外線を監視窓15に向けて反射させる。   In the chamber 1, a reflecting mirror 19 is provided outside the through holes 18 a and 18 b of the heat insulating material 17 that emits infrared rays from the two side surfaces 3 c and 3 d of the ingot 3 that do not face the monitoring window 15. It has been. Each reflecting mirror 19 reflects the infrared rays radiated from the two side surfaces 3 c and 3 d of the ingot 3 not facing the monitoring window 15 toward the monitoring window 15.

このような構成の電磁鋳造装置では、監視窓15に対向するインゴット3の側面3a、3bから放射された赤外線は、貫通口18a、18bを通じて出射し、そのまま放射温度計16によって検出することができ、これにより、その側面3a、3bの鋳肌温度を測定することが可能になる。さらに、監視窓15に対向しないインゴット3の側面3c、3dから放射された赤外線は、貫通口18a、18bを通じて出射した後、反射鏡19により監視窓15に向けて反射し、放射温度計16によって検出することができ、これにより、その側面3c、3dの鋳肌温度を測定することが可能になる。   In the electromagnetic casting apparatus having such a configuration, infrared rays radiated from the side surfaces 3a and 3b of the ingot 3 facing the monitoring window 15 are emitted through the through holes 18a and 18b and can be detected by the radiation thermometer 16 as they are. This makes it possible to measure the casting surface temperature of the side surfaces 3a and 3b. Further, infrared rays emitted from the side surfaces 3 c and 3 d of the ingot 3 not facing the monitoring window 15 are emitted through the through-holes 18 a and 18 b, reflected by the reflecting mirror 19 toward the monitoring window 15, and then emitted by the radiation thermometer 16. Thus, it becomes possible to measure the casting surface temperature of the side surfaces 3c and 3d.

その際、各赤外線の検出は、監視窓15を水平方向に拡大し、赤外線ごとに放射温度計16を個別に配設して行うことができる。放射温度計16を水平方向に移動させる構成にすれば、各赤外線を検出する放射温度計16を共用することもできる。   In this case, each infrared ray can be detected by enlarging the monitoring window 15 in the horizontal direction and individually arranging a radiation thermometer 16 for each infrared ray. If the radiation thermometer 16 is configured to move in the horizontal direction, the radiation thermometer 16 that detects each infrared ray can be shared.

このように、本発明の電磁鋳造装置によれば、シリコンインゴットを連続鋳造する際に、監視窓に対向するインゴット側面から放射された赤外線は、直接、放射温度計によって検出することができ、さらに監視窓に対向しないインゴット側面から放射された赤外線は、反射鏡により監視窓に向けて反射させた後に、放射温度計によって検出することができるため、冷却ルツボの直下において、インゴットの四側面全ての鋳肌温度を測定することが可能になる。このため、インゴットの側面間で鋳肌の温度差が生じた場合であっても、その温度差を正確に把握することができる。これにより、インゴットの側面間で鋳肌の温度差が著しく、インゴットの曲がりが発生し得る状態である場合、その状態を早期に認識することが可能となり、歩留りの極端な低下を引き起こす前に操業を中止するなどの適切な措置を取ることができる。   Thus, according to the electromagnetic casting apparatus of the present invention, when continuously casting a silicon ingot, the infrared radiation emitted from the side of the ingot facing the monitoring window can be directly detected by the radiation thermometer, Infrared radiation radiated from the side of the ingot not facing the monitoring window can be detected by a radiation thermometer after being reflected by the reflector toward the monitoring window, so that all four sides of the ingot are directly under the cooling crucible. It becomes possible to measure the casting surface temperature. For this reason, even if it is a case where the temperature difference of a casting surface arises between the side surfaces of an ingot, the temperature difference can be grasped | ascertained correctly. As a result, when the temperature difference of the casting surface between the side surfaces of the ingot is significant and the ingot can be bent, it is possible to recognize the state at an early stage and operate before causing an extreme decrease in yield. Appropriate measures can be taken, such as canceling.

また、アフターヒーターによるインゴットの徐冷制御は、冷却ルツボの直下におけるインゴットの鋳肌温度と、アフターヒーター内の熱電対による計測温度とに基づいて行われるが、その際に、測定されたインゴットの四側面全ての鋳肌温度に基づくため、インゴットの四側面ごとに精緻な徐冷制御を行うことが可能となり、その結果として、インゴットの横断面内で結晶の均一性を十分に確保することができる。   In addition, the slow cooling control of the ingot by the after heater is performed based on the casting surface temperature of the ingot directly under the cooling crucible and the temperature measured by the thermocouple in the after heater. At that time, the measured ingot is measured. Because it is based on the casting surface temperature of all four sides, it is possible to perform precise slow cooling control for each of the four sides of the ingot, and as a result, sufficient crystal uniformity can be ensured within the cross section of the ingot. it can.

特に、前記図1に示す電磁鋳造装置では、インゴットの各側面の鋳肌温度を中央部および両側部の3箇所ずつで測定していることから、測定精度が向上する。ただし、下記の図2に示すように、構成を変形しても構わない。   In particular, in the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. 1, since the casting surface temperature of each side surface of the ingot is measured at each of the central portion and the three side portions, the measurement accuracy is improved. However, the configuration may be modified as shown in FIG. 2 below.

図2は、本発明の電磁鋳造装置の変形例を示す図であり、前記図1(a)のA−A断面に相当する図である。同図に示すように、アフターヒーターの上端と冷却ルツボの下端との間に充填された断熱材17には、インゴット3の各側面3a〜3dの中心部に対向する部分のみに貫通口18aが形成されても構わない。冷却ルツボの直下において、インゴット3の四側面3a〜3d全ての鋳肌温度を測定できることに変わりはないからである。   FIG. 2 is a view showing a modification of the electromagnetic casting apparatus of the present invention, and is a view corresponding to the AA cross section of FIG. As shown in the figure, in the heat insulating material 17 filled between the upper end of the after heater and the lower end of the cooling crucible, a through-hole 18a is formed only in a portion facing the center of each of the side surfaces 3a to 3d of the ingot 3. It may be formed. This is because it is still possible to measure the casting surface temperature of all the four side surfaces 3a to 3d of the ingot 3 immediately below the cooling crucible.

本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造装置によれば、電磁鋳造法による連続鋳造の際、冷却ルツボの直下でインゴットの四側面全ての鋳肌温度を測定することが可能になるため、インゴット側面間の鋳肌の温度差に起因してインゴットの曲がりが発生し得る状態である場合、その状態を早期に認識することができ、歩留りの極端な低下を引き起こす前に適切な措置を取ることができる。さらに、測定されたインゴットの四側面全ての鋳肌温度に基づいて、アフターヒーターによるインゴットの四側面ごとの徐冷制御を精緻に行うことが可能となり、その結果として、インゴットの横断面内で結晶の均一性を十分に確保することができる。したがって、本発明の電磁鋳造装置は、高品質のインゴットを歩留りの低下がなく製造できる点で有用である。   According to the electromagnetic casting apparatus of the silicon ingot of the present invention, it becomes possible to measure the casting surface temperature of all four sides of the ingot immediately under the cooling crucible during continuous casting by the electromagnetic casting method. When the ingot can bend due to the temperature difference of the casting surface, the state can be recognized at an early stage, and appropriate measures can be taken before causing an extreme decrease in yield. Furthermore, based on the measured casting surface temperatures of all four sides of the ingot, it becomes possible to precisely control the slow cooling for each of the four sides of the ingot by using an after heater. Can be sufficiently ensured. Therefore, the electromagnetic casting apparatus of the present invention is useful in that a high quality ingot can be manufactured without a decrease in yield.

1:チャンバー、 2:原料供給ホッパー、 3:シリコンインゴット、
3a〜3d:インゴットの側面、 5:不活性ガス導入口、
7:無底冷却ルツボ、 8:誘導コイル、 9:アフターヒーター、
10:原料導入管、 11:シリコン原料、 12:溶融シリコン、
13:プラズマトーチ、 14:支持台、 15:監視窓、
16:放射温度計、 17:断熱材、 18a、18b:貫通口、
19:反射鏡
1: chamber, 2: raw material supply hopper, 3: silicon ingot,
3a to 3d: side surface of the ingot, 5: inert gas inlet,
7: bottomless cooling crucible, 8: induction coil, 9: after heater,
10: Raw material introduction pipe, 11: Silicon raw material, 12: Molten silicon,
13: Plasma torch, 14: Support base, 15: Monitoring window,
16: Radiation thermometer, 17: Heat insulating material, 18a, 18b: Through-hole,
19: Reflector

Claims (3)

チャンバー内に配置した導電性を有する四角筒状の無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させて四角柱状のシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、
チャンバーの側壁に、無底冷却ルツボの直下におけるシリコンインゴットの四側面のうちの互いに平行な二側面に対向して監視窓が設けられ、各監視窓の外部に放射温度計が配設され、チャンバー内に、監視窓に対向しないシリコンインゴットの二側面から放射される赤外線を監視窓に向けて反射させる反射鏡が設けられており、
放射温度計は、監視窓に対向するシリコンインゴットの側面から放射された赤外線を直接検出し、監視窓に対向しないシリコンインゴットの側面から放射され反射鏡で反射した赤外線を検出することを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造装置。
A silicon raw material is charged into a conductive rectangular tubular bottomless cooling crucible disposed in the chamber, and the silicon raw material is melted by electromagnetic induction heating from an induction coil surrounding the bottomless cooling crucible. In an electromagnetic casting apparatus that continuously solidifies a rectangular columnar silicon ingot by pulling it down from the bottom cooling crucible,
A monitoring window is provided on the side wall of the chamber so as to face two side surfaces parallel to each other among the four side surfaces of the silicon ingot immediately below the bottomless cooling crucible, and a radiation thermometer is disposed outside each monitoring window. Inside, there is provided a reflecting mirror that reflects the infrared rays emitted from the two side surfaces of the silicon ingot not facing the monitoring window toward the monitoring window,
The radiation thermometer directly detects infrared rays emitted from the side surface of the silicon ingot facing the monitoring window, and detects infrared rays emitted from the side surface of the silicon ingot not facing the monitoring window and reflected by the reflecting mirror. Silicon ingot electromagnetic casting equipment.
前記無底冷却ルツボの下方に前記シリコンインゴットを囲繞してアフターヒーターが配設され、このアフターヒーターの上端と前記無底冷却ルツボの下端との間に断熱材が充填されており、
この断熱材に、前記シリコンインゴットの各側面から放射される赤外線をそれぞれ出射させる貫通口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴットの電磁鋳造装置。
An after heater is disposed surrounding the silicon ingot below the bottomless cooling crucible, and a heat insulating material is filled between the upper end of the after heater and the lower end of the bottomless cooling crucible,
2. The silicon ingot electromagnetic casting apparatus according to claim 1, wherein the heat insulating material is formed with through holes through which infrared rays emitted from the respective side surfaces of the silicon ingot are respectively emitted.
前記貫通口は、前記シリコンインゴットの各側面の中心部および両側部にそれぞれ対向して形成されていることを特徴とする請求項2に記載のシリコンインゴットの電磁鋳造装置。   3. The electromagnetic casting apparatus for a silicon ingot according to claim 2, wherein the through hole is formed so as to be opposed to a central portion and both side portions of each side surface of the silicon ingot.
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