JP2012027988A - 半導体記憶装置およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 行方向に直列接続された不揮発性のメモリセルのゲートは、列方向にそれぞれワード線で接続される。データ読み出し時に選択ワード線に隣接する第1隣接ワード線に第1の読み出しパス電圧、第1隣接ワード線の選択ワード線とは反対側に隣接する第2隣接ワード線に第1の読み出しパス電圧より高い第2の読み出しパス電圧を、その他の非選択ワード線に第1の読み出しパス電圧より高く第2の読み出しパス電圧より低い第3の読み出しパス電圧を与える。
【選択図】 図5
Description
図1は、第1の実施の形態によるNAND型フラッシュメモリの機能ブロック図である。メモリセルアレイ1には、複数のメモリセルがアレイ状に配置されている。ロウデコーダ2は、メモリセルアレイ1に設けられたワード線および選択ゲート線を選択駆動するために設けられている。カラムデコーダ3は、メモリセルアレイ1に設けられたビット線を選択するために設けられている。
図11は、第2の実施の形態によるNAND型フラッシュメモリの、各ワード線160〜1665に印加するVcgとVreadのパターンを示す図である。なお、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同様の構成については同一符号を付し、その説明を省略する。
Claims (4)
- 行方向に複数個直列接続された不揮発性のメモリセルと、直列に接続された前記メモリセルの両端をそれぞれビット線及びソース線に接続する複数の選択ゲートトランジスタとを有するセルユニットと、
複数の前記メモリセルの制御ゲートを前記行方向と直交する列方向にそれぞれ接続する複数のワード線と、
前記選択ゲートトランジスタのゲートを前記列方向にそれぞれ接続する複数の選択ゲート線と、
外部から供給された電源電圧を昇圧して前記ワード線に電圧を与える昇圧部と、
選択ワード線に読み出し電圧が与えるデータ読み出し時に、前記選択ワード線に隣接する第1隣接ワード線に第1の読み出しパス電圧を、前記第1隣接ワード線の選択ワード線とは反対側に隣接する第2隣接ワード線に前記第1の読み出しパス電圧より高い第2の読み出しパス電圧を、その他の非選択ワード線に前記第1の読み出しパス電圧より高く前記第2の読み出しパス電圧より低い第3の読み出しパス電圧を与えるように、前記昇圧部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記制御部は、少なくとも一の前記第1隣接ワード線が前記選択ゲート線と隣接する場合には、この前記第1隣接ワード線に前記第2読み出しパス電圧より低く前記第3読み出し電圧より高い第4の読み出しパス電圧を、他の前記第1隣接ワード線に第1の読み出しパス電圧を与えるように、前記昇圧部を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記制御部は、前記ソース線に接続する前記選択ゲート線と前記選択ワード線との間に前記非選択ワード線がある場合には、この前記選択ゲート線と前記選択ワード線との間にある前記非選択ワード線に、前記第2読み出しパス電圧より低く前記第3読み出し電圧より高い第5の読み出しパス電圧を、他の前記非選択ワード線に第3の読み出しパス電圧を与えるように、前記昇圧部を制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 行方向に複数個直列接続された不揮発性のメモリセルと、直列に接続された前記メモリセルの両端をそれぞれビット線及びソース線に接続する複数の選択ゲートトランジスタとを有するセルユニットと、
複数の前記メモリセルの制御ゲートを前記行方向と直交する列方向にそれぞれ接続する複数のワード線と、
前記選択ゲートトランジスタのゲートを前記列方向にそれぞれ接続する複数の選択ゲート線と、
外部から供給された電源電圧を昇圧して前記ワード線に電圧を与える昇圧部と、を備える半導体記憶装置の制御方法であって、
前記ワード線のうち選択ワード線に読み出し電圧が与えるデータ読み出し時に、前記選択ワード線に隣接する第1隣接ワード線に第1の読み出しパス電圧を与え、
前記第1隣接ワード線の選択ワード線とは反対側に隣接する第2隣接ワード線に前記第1の読み出しパス電圧より高い第2の読み出しパス電圧を与え、
その他の非選択ワード線に前記第1の読み出しパス電圧より高く前記第2の読み出しパス電圧より低い第3の読み出しパス電圧を与えることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
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