JP2012023319A - 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】オプティカルブラック部(OB部)近傍画素を含む有効画素領域の暗電流を均一にする。
【解決手段】受光部の上方で、パターニングされた配線層17および遮光膜18上の層間絶縁膜16e上にパッシベーション膜19を形成し、有効画素部2の周辺のオプティカルブラック部3におけるパッシベーション膜19の膜厚を、有効画素部2におけるパッシベーション膜19の膜厚に比べて厚く形成している。これによって、画素の暗電流を低減するために必要なパッシベーション膜19(p−SiN膜)から半導体基板11の表面への適正な水素の供給を、SiN膜質や膜厚を設定することにより得ている。
【選択図】図2
【解決手段】受光部の上方で、パターニングされた配線層17および遮光膜18上の層間絶縁膜16e上にパッシベーション膜19を形成し、有効画素部2の周辺のオプティカルブラック部3におけるパッシベーション膜19の膜厚を、有効画素部2におけるパッシベーション膜19の膜厚に比べて厚く形成している。これによって、画素の暗電流を低減するために必要なパッシベーション膜19(p−SiN膜)から半導体基板11の表面への適正な水素の供給を、SiN膜質や膜厚を設定することにより得ている。
【選択図】図2
Description
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
CCDやCMOSイメージャなどの従来の固体撮像素子において、画質を劣化させる要因となる暗電流の発生を抑制することが重要である。製造過程のプラズマ処理(CVDやドライエッチング)でのチャージアップやUV照射などによるプラズマダメージにより、半導体基板の界面準位が増大することが暗電流の要因の一つになっている。暗電流を低減させる、即ち界面準位を低下させる手法として、メタル配線上に堆積するパッシベーション膜(SiN膜)が後工程の熱処理により水素を脱離し、その水素が半導体基板表面上のダングリングボンドと結合することを利用して、さらに、P−SiN膜質をより水素含有量を多い状態に形成して、ダングリングボンドの結合効率を向上させる。これが特許文献1に開示されている。
図15は、特許文献1に開示されている従来のCMOS型イメージセンサの要部構成例を示す縦断面図である。
図15に示すように、従来のCMOS型イメージセンサ100の各画素部には、その半導体基板101の表面層として、光電変換部としてのフォトダイオード102が形成されている。フォトダイオード102に隣接して、信号電荷がフローティングディヒュージョン部FDに転送するための電荷転送トランジスタの電荷転送部103が設けられている。この電荷転送部103上に、ゲート絶縁膜104を介して引き出し電極であるゲート電極105が設けられている。さらに、このフォトダイオード102毎にフローティングディフュージョン部FDに電荷転送された信号電荷が電圧変換され、この変換電圧に応じて増幅されて各画素部毎の撮像信号として読み出すための読出回路を有している。
このゲート電極105の上方には、この読出回路の回路配線部として、第1絶縁膜106aが形成され、その上に第1配線107aが形成され、その上に第2絶縁膜106bが形成され、その上に第2配線107bが形成され、同様に、その上に、第3絶縁膜106c、第3配線107cがこの順に順次形成されている。
また、これらの配線層107と半導体基板101間(図示せず)、配線層107とゲート電極105間および各配線層107間に、導電性材料からなるコンタクトプラグ(図示せず)が形成されて、配線層107と半導体基板101間、配線層107とゲート電極105間および各配線層107間が電気的に接続されている。
入射光が入射される有効画素領域の外周側にオプティカルブラック部(OB部)が設けられている。このOB部にのみ、第4絶縁層106d上に遮光膜108が配置されており、第4絶縁層106dおよび遮光膜108上に第5絶縁層106eが形成されている。
この第5絶縁層106e上に、プラズマCVD法により、P−SiN膜質をより水素含有量を多い状態にパッシベーション膜109を形成する。その後、熱によるシンター処理を行って、パッシベーション膜109から、各画素を構成するフォトダイオード102の表面に水素を供給してその表面の暗電流を抑制することができる。
さらに、パッシベーション膜109上に、フォトダイオード102毎に配置されたR,G,Bの各色のカラーフィルタ110が形成され、その上に平坦化膜(図示せず)を介して、フォトダイオード102への集光用のマイクロレンズ111が形成されている。
しかしながら、上記従来の固体撮像素子100では、シンター処理時に、半導体基板101全体に多くの水素が供給されるものの、オプティカルブラック部(OB部)の遮光膜108として用いられる配線層のバリアメタルで用いられる水素吸蔵性の高いチタン(Ti)の影響により、オプティカルブラック部近傍有効画素とオプティカルブラック部(OB部)から離れた有効画素センター部で半導体基板101への水素供給量が異なることになってしまう。これによって、界面準位を低下させる効果に差が生じ、有効画素全域で暗電流のばらつきが大きいものとなるという問題を有していた。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、オプティカルブラック部(OB部)近傍画素を含む有効画素領域の暗電流を均一にできる固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、入射光を光電変換して撮像する複数の受光部が2次元状に配設された撮像領域が設けられた固体撮像素子の製造方法において、該受光部の上方で、パターニングされた配線層および遮光膜上の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成し、該撮像領域のうちの有効画素領域の周辺のオプティカルブラック部における該パッシベーション膜の膜厚を、該有効画素領域における該パッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成するパッシベーション膜形成工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法におけるパッシベーション膜形成工程は、前記オプティカルブラック部の遮光膜上の層間絶縁膜に、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより開口部を形成する開口部形成工程と、該層間絶縁膜上にパッシベーション膜を成膜すると共に、該開口部を埋め込むようにパッシベーション膜を成膜するパッシベーション膜成膜工程とを有する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、熱処理により前記パッシベーション膜から水素を脱離させるシンター処理工程を更に有する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における配線層および前記遮光膜はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における開口部形成工程は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面まで達する開口部を前記層間絶縁膜に形成する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における開口部の幅は、前記パッシベーション膜の膜厚の2倍とする。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における開口部形成工程は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面に至るまでの途中深さの開口部を形成する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における開口部の幅は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の幅寸法に対応した寸法とする。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、前記有効画素領域と前記オプティカルブラック部とで前記パッシベーション膜の膜厚を異ならせて、該有効画素領域における中央画素とオプティカルブラック部近傍画素との間で暗電流抑制が均一になる各膜厚の組み合わせで該パッシベーション膜を堆積する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法におけるオプティカルブラック部の周辺に、トランジスタを用いた周辺回路部をさらに有し、該周辺回路の上方のパッシベーション膜を、前記有効画素領域のパッシベーション膜の膜厚と同じ膜厚に形成する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法におけるパッシベーション膜として、プラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜を形成する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法におけるパッシベーション膜成膜工程は、アンモニア(NH3)ガス/SiH4(シランガス)の流量比を0.25〜0.5に設定して前記プラズマSiN膜を成膜する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法におけるパッシベーション膜成膜工程は、アンモニア(NH3)ガスの流量を100〜150sccmに設定し、SiH4(シランガス)の流量を300〜400sccmに設定する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における有効画素領域では前記配線層は2〜5層配線、前記オプティカルブラック部では該配線層の2〜5層配線に加えてその上に前記遮光膜を含む3〜6層配線になっている。
本発明の固体撮像素子は、入射光を光電変換して撮像する複数の受光部が2次元状に配設された撮像領域が設けられた固体撮像素子において、該受光部の上方で、パターニングされた配線層および遮光膜上の層間絶縁膜上にパッシベーション膜が設けられ、該撮像領域のうちの有効画素領域の周辺のオプティカルブラック部における該パッシベーション膜の膜厚が、該有効画素領域における該パッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるパッシベーション膜として、プラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜を形成する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における配線層および前記遮光膜はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面まで達する開口部が前記層間絶縁膜に形成され、該開口部内に前記パッシベーション膜が埋め込まれて該パッシベーション膜の膜厚が厚く形成されている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における開口部の幅は、前記パッシベーション膜の膜厚の2倍とする。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるオプティカルブラック部の遮光膜の表面に至るまでの途中深さの開口部が前記層間絶縁膜に形成され、該開口部内に前記パッシベーション膜が埋め込まれて該パッシベーション膜の膜厚が厚く形成されている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における開口部の幅は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の幅寸法に対応した寸法になっている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるパッシベーション膜として、プラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜が形成されている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子は、CMOS型固体撮像素子またはCCD型固体撮像素子である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるCMOS型固体撮像素子は、複数の画素部のそれぞれに、該画素部毎に光電変換部として前記受光部が設けられ、該受光部に隣接して、該受光部からの信号電荷が電荷電圧変換部に電荷転送するための電荷転送トランジスタと、該受光部毎に該電荷転送トランジスタにより該電荷電圧変換部に電荷転送された信号電荷が電圧変換され、この変換電圧に応じて増幅されて該画素部毎の撮像信号として読み出すための読出回路とを有する。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるCCD型固体撮像素子は、複数の画素部のそれぞれに、該画素部毎に光電変換部として前記受光部が設けられ、該受光部に隣接して、該受光部からの信号電荷を所定方向に電荷転送するための電荷転送部および、この上に、読み出された信号電荷を電荷転送制御するためのゲート電極およびその上の金属遮光膜が配置されている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における有効画素領域では前記配線層は2〜5層配線、前記オプティカルブラック部では該配線層の2〜5層配線に加えてその上に前記遮光膜を含む3〜6層配線になっている。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
本発明においては、入射光を光電変換して撮像する複数の受光部が2次元状に配設された撮像領域が設けられた固体撮像素子の製造方法において、受光部の上方で、パターニングされた配線層および遮光膜上の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成し、撮像領域のうちの有効画素領域の周辺のオプティカルブラック部におけるパッシベーション膜の膜厚を、有効画素領域におけるパッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成するパッシベーション膜形成工程を有している。
これによって、オプティカルブラック部におけるパッシベーション膜の膜厚を、有効画素領域におけるパッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成するので、有効画素領域の暗電流を、有効画素領域センター画素と有効画素領域のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素とで均一にすることが可能となる。
この場合、オプティカルブラック部の遮光膜上の層間絶縁膜に、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより開口部を形成するが、この開口部にパッシベーション膜材料を埋め込んで、オプティカルブラック部のパッシベーション膜の膜厚を厚く構成することが可能となる。これによって、オプティカルブラック部近傍画素に、遮光膜によって吸収されて少なくなる水素量分だけ多く水素を供給することが可能となる。
また、オプティカルブラック部の遮光膜の表面まで達する開口部を層間絶縁膜に形成し、開口部の幅が、パッシベーション膜の膜厚の2倍とする場合(実施形態1)には、パッシベーション膜自体を薄く構成することが可能となって、光透過による光量低下を抑えることが可能となる。
また、オプティカルブラック部の遮光膜の表面に至るまでの途中深さの開口部を形成し、開口部の幅が、オプティカルブラック部の遮光膜の幅寸法に対応した寸法とする場合(実施形態2)には、開口部が浅いため、エッチング時間を短く設定することができて製造工数が抑制される。
また、有効画素領域における中央画素とオプティカルブラック部近傍画素との間で暗電流抑制が均一になる各膜厚の組み合わせで(水素供給能力の組み合わせで)、パッシベーション膜を堆積することにより、有効画素領域の暗電流を、有効画素領域センター画素と有効画素領域のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素とで均一にすることが可能となる。
また、有効画素領域では配線層は2〜5層配線、オプティカルブラック部では配線層の2〜5層配線に加えてその上に前記遮光膜を含む3〜6層配線になっている。配線層および遮光膜はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している。これによって、オプティカルブラック部では遮光膜の分だけ、水素を多く供給すれば、有効画素領域センター画素と有効画素領域のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素とで水素供給を均一にすることが可能となる。
以上により、本発明によれば、オプティカルブラック部におけるパッシベーション膜の膜厚を、有効画素領域におけるパッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成するため、有効画素領域の暗電流を、有効画素領域センター画素と有効画素領域のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素とで均一にすることができる。
以下に、本発明の固体撮像素子の実施形態1、2および、この固体撮像素子の実施形態1または2を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態3について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1における固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す平面図である。
図1は、本発明の実施形態1における固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す平面図である。
図1において、本実施形態1の固体撮像素子1は、その中央部に有効画素領域2が配設され、この有効画素領域2の外周側にオプティカルブラック部3(OB部)が配設されている。これらの有効画素領域2およびオプティカルブラック部3(OB部)により、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部(フォトダイオード)が2次元状でマトリクス状に配設された撮像領域を構成している。さらに、このオプティカルブラック部3(OB部)のさらに外周側には、トランジスタを用いた、各画素からの信号読み出し用のドライバからなる周辺回路部が設けられている。なお、有効画素領域2において、画素5は有効画素領域センターの画素(センター画素)を示し、画素6はオプティカルブラック部近傍画素を示している。
図2は、本発明の実施形態1における固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。
図2において、本実施形態1の固体撮像素子1は、CMOS型イメージセンサであり、その半導体基板11の表面層として、複数の光電変換部としての複数の受光部12がマトリクス状に設けられている。各受光部12に隣接して、信号電荷がフローティングディヒュージョン部FDに転送するための電荷転送トランジスタの電荷転送部13が設けられている。この電荷転送部13上に、ゲート絶縁膜14を介して引き出し電極であるゲート電極15が設けられている。さらに、この受光部12毎にフローティングディフュージョン部FDに電荷転送された信号電荷が電圧変換され、この変換電圧に応じて増幅されて各画素部毎の撮像信号として読み出されるようになっている。
このゲート電極15の上方には、この読出回路の回路配線部として、第1絶縁膜16aが形成され、その上に第1配線17aが形成され、その上に第2絶縁膜16bが形成され、その上に第2配線17bが形成され、同様に、その上に、第3絶縁膜16c、第3配線17cがこの順に順次形成されている。
また、これらの配線層17と半導体基板11間(図示せず)、配線層17とゲート電極15間および各上下の配線層17間に、導電性材料からなるコンタクトプラグ(図示せず)が形成されて、配線層17と半導体基板11間、配線層17とゲート電極15間および各配線層17間が電気的に接続されている。
入射光が入射される有効画素領域2の外周側のオプティカルブラック部3(OB部)にのみ、第4絶縁層16d上に遮光膜18が配置されており、第4絶縁層16dおよび遮光膜18上に第5絶縁層16e(層間絶縁膜)が形成されている。
有効画素領域2では配線層17a〜17cの3層配線、オプティカルブラック部3(OB部)では、配線層17a〜17cの3層配線に加えて遮光膜18を含む4層配線になっている。
この第5絶縁層16e上に、SiH4とアンモニア(NH3)ガスを用いるプラズマCVD法により、有効画素領域2におけるパッシベーション膜19の膜厚が例えば1500〜3000オングストローム程度の窒化シリコン膜(Si3N4膜)、即ち、プラズマSiN膜を形成する。即ち、P−SiN膜質をより水素含有量を多い状態にパッシベーション膜19を形成する。この場合のパッシベーション膜19は、有効画素領域2における膜厚よりも、オプティカルブラック部3(OB部)における膜厚を厚くして、例えば4000〜6000オングストローム程度とすることができる。これは、遮光膜18として用いられる配線層のバリアメタルで用いられる水素吸蔵性の高いチタン(Ti)の影響により、水素がより多く吸収されるため、パッシベーション膜19の膜厚は、オプティカルブラック部3(OB部)で厚くして水素供給量を増やしている。その後の熱によるシンター処理により、パッシベーション膜19から、各画素を構成する受光部12の表面側に水素を供給してその表面のダングリングボンドの結合を促進して暗電流を抑制している。
オプティカルブラック部(OB部)近傍の画素6を含めた有効画素領域2の暗電流を均一化するために、オプティカルブラック部(OB部)上部に開口部19aを設けている。この開口部19内にパッシベーション膜19(プラズマSiN膜)を埋め込むことにより、水素供給量の多いパッシベーション膜19(プラズマSiN膜)を異なる膜厚(厚い膜)にしている。これによって、オプティカルブラック部(OB部)近傍有効画素6への水素供給量が画素センター部の画素5と同等になり、有効画素領域2全域の暗電流を均一に低減することが可能になる。
図3を用いて、パッシベーション膜19(プラズマSiN膜)を埋め込む開口部19aの幅について説明する。パッシベーション膜19の膜厚をtとした場合に、効率よく膜が埋め込めれる開口部19aの幅はパッシベーション膜19の膜厚の2倍になる。要するに水素供給量は、パッシベーション膜19の体積によって決定される。
図4を用いて、配線層17a〜17cおよび遮光膜18の多層構造について説明する。中央層に金属層としてAl層またはAl・Cu層が設けられ、その上下層のバリアメタル層として、Ti層とTiN層の2層構造をそれぞれ有している。即ち、配線層17a〜17cおよび遮光膜18はそれぞれ、下から、Ti層、TiN層、Al・Cu層、Ti層、TiN層の5層構造である。なお、配線層17a〜17cおよび遮光膜18はそれぞれ、下から、Ti層、Al・Cu層、TiN層の3層構造であってもよい。要するに、配線層17a〜17cおよび遮光膜18はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している。
さらに、パッシベーション膜19上に、受光部12毎に配置されたR,G,Bの各色のカラーフィルタ20が形成され、その上に平坦化膜(図示せず)を介して、受光部12への集光用のマイクロレンズ21が形成されている。
ここで、上記構成の固体撮像素子1の製造方法について説明する。
図5は、図1の固体撮像素子1の製造方法における多層配線層および遮光膜の形成工程までの要部縦断面図である。
図5に示すように、半導体基板11に表面側に、有効画素領域を含む撮像領域として、複数の受光部12をマトリクス状に形成する。各受光部12に隣接して、電荷転送トランジスタの電荷転送部13およびフローティングディヒュージョン部FDを形成する。この電荷転送部13上に、ゲート絶縁膜14を介してゲート電極15を形成する。このゲート電極15上方に、第1絶縁膜16a、第1配線17a、第2絶縁膜16b、第2配線17b、第3絶縁膜16c、第3配線17c、第4絶縁膜16d、遮光膜18、第5絶縁膜16eをこの順に形成する。このようにして、半導体基板11上の画素領域に複数の受光部12を形成した後に、遮光膜18を含む多層配線を形成する。配線材料はAlCu膜とTi膜、TiN膜の積層構造としている。ここでは、有効画素領域は3層配線、オプティカルブラック部(OB部)は4層配線とし、4層目の配線は遮光膜18としている。
図6は、図1の固体撮像素子1の製造方法におけるパッシベーション膜19を埋め込むための開口部を形成する工程までの要部縦断面図である。
図6に示すように、オプティカルブラック部3(OB部)の4層目の遮光膜18の上部をフォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより、遮光膜18の表面まで達する開口部19aを形成する。遮光膜18がエッチングストッパーになって開口部19aの深さが正確に均一になる。
図7は、図1の固体撮像素子1の製造方法におけるパッシベーション膜19を形成する工程までの要部縦断面図である。
図7に示すように、配線材料を水分から保護するためパッシベーション膜19を全面に堆積する。この際に後工程の熱処理で多くの水素が供給できるよう、パッシベーション膜19として、SiH4とアンモニア(NH3)ガスを用いるプラズマCVDによるプラズマSiN膜を用いる。アンモニア(NH3)ガス/SiH4(シランガス)の流量比を0.25〜0.5に設定してプラズマSiN膜を成膜する。また、アンモニア(NH3)ガスの流量を100〜150sccmに設定し、SiH4(シランガス)の流量を300〜400sccmに設定する。
パッシベーション膜19(p−SiN膜)から水素を脱離させるために、熱処理を行う。パッシベーション膜19(p−SiN膜)から脱離された水素が画素部の半導体基板11表面のダングリングボンドと結合するが、供給される水素量は、パッシベーション膜19(p−SiN膜)の膜厚差により、画素部全域が同じように制御される。
図8は、図1の固体撮像素子1の製造方法におけるカラーフィルタおよびマイクロレンズ形成工程までの要部縦断面図である。
図8に示すように、画素部にカラーフィルタ20を形成し、その上に平坦化膜を介してマイクロレンズ21を形成する。
要するに、固体撮像素子1の製造方法としては、オプティカルブラック部3の遮光膜18上の層間絶縁膜16eに、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより開口部19aを形成する開口部形成工程と、層間絶縁膜16eおよび開口部19a上にパッシベーション膜19を成膜して、パッシベーション膜19で開口部19a内を埋め込むパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜19から水素を脱離させるシンター処理工程とを有している。この場合の開口部形成工程は、オプティカルブラック部3の遮光膜18の表面まで達する開口部19aを層間絶縁膜16eに形成si,開口部19aの幅は、パッシベーション膜3の膜厚の約2倍程度(例えば1.8〜2.2倍)としている。
以上により、本実施形態1によれば、受光部の上方で、パターニングされた配線層17および遮光膜18上の層間絶縁膜16e上にパッシベーション膜19を形成し、有効画素部2の周辺のオプティカルブラック部3におけるパッシベーション膜19の膜厚を、有効画素部2におけるパッシベーション膜19の膜厚に比べて厚く形成している。
これによって、画素の暗電流を低減するために必要なパッシベーション膜19(p−SiN膜)から半導体基板11の表面への適正な水素の供給を、SiN膜質や膜厚を設定することにより得ることができ、また、オプティカルブラック部3(OB部)の近傍画素6を含む有効画素領域2の全域で暗電流を均一にすることが可能となる。
具体的には、オプティカルブラック部3(OB部)の上部に開口部19aを設けることにより、パッシベーション膜19(p−SiN膜)を、画素部とオプティカルブラック部で異なる膜厚にしている。これによって、オプティカルブラック部近傍有効画素6の水素供給量を増加させることができるため、有効画素全域2の暗電流を中央部と周辺部で均一にすることができる。
(実施形態2)
上記実施形態1では、第5絶縁層16eに形成され、パッシベーション膜19が埋め込まれる開口部19aが遮光膜18の表面側まで達している場合について説明したが、本実施形態2では、第5絶縁層16eに形成された開口部が遮光膜18の表面側に達する途中で浅いが、開口部の幅が広い場合について説明する。これらは、開口部の形状が異なるだけで、水素の供給量に関してはパッシベーション膜の体積に比例する。
上記実施形態1では、第5絶縁層16eに形成され、パッシベーション膜19が埋め込まれる開口部19aが遮光膜18の表面側まで達している場合について説明したが、本実施形態2では、第5絶縁層16eに形成された開口部が遮光膜18の表面側に達する途中で浅いが、開口部の幅が広い場合について説明する。これらは、開口部の形状が異なるだけで、水素の供給量に関してはパッシベーション膜の体積に比例する。
図9は、本発明の実施形態1における固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。なお、図2の構成部材と同一の作用効果を奏する部材には同一の符号を付して説明する。
図9において、本実施形態2の固体撮像素子1Aは、前述したように、有効画素領域2では配線層17a〜17cの3層配線、オプティカルブラック部3(OB部)では、配線層17a〜17cの3層配線に加えて遮光膜18を含む4層配線になっている。
さらに、第5絶縁層16e上に、SiH4とアンモニア(NH3)ガスを用いるプラズマCVD法により、膜厚が4000〜6000オングストローム程度の窒化シリコン膜(Si3N4膜)、即ち、プラズマSiN膜を形成する。即ち、P−SiN膜質をより水素含有量を多い状態にパッシベーション膜19Aを形成する。この場合のパッシベーション膜19Aは、有効画素領域2における膜厚よりも、オプティカルブラック部3(OB部)における膜厚を厚くしている。パッシベーション膜19Aが、上記実施形態1のパッシベーション膜19と異なるのは、第5絶縁層16eに形成された開口部19aが遮光膜18の表面側まで達しているのに対して、その深さが浅く、その代わり開口部19bの幅が広く形成されている点である。開口部19bの深さが浅いと、その分だけエッチング時間が短くなる。この開口部19b内にパッシベーション膜19Aを埋め込んで、パッシベーション膜19Aの膜厚を、オプティカルブラック部3(OB部)で厚くして水素供給量を増やしている。
要するに、固体撮像素子1の製造方法としては、オプティカルブラック部3の遮光膜18上の層間絶縁膜16eに、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより開口部19bを形成する開口部形成工程と、層間絶縁膜16eおよび開口部19b上にパッシベーション膜19Aを成膜して、パッシベーション膜19Aで開口部19b内を埋め込むパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜19Aから水素を脱離させるシンター処理工程とを有している。この場合の開口部形成工程は、オプティカルブラック部3の遮光膜18の表面に至るまでの途中深さの開口部19bを形成している。この開口部19bの幅は、オプティカルブラック部3の遮光膜18の幅寸法(図9の横方向寸法)に対応した寸法になっている。
その後の熱によるシンター処理工程により、パッシベーション膜19Aから、各画素を構成する受光部12の表面側に水素を供給してその表面のダングリングボンドの結合を促進して暗電流を抑制している。要するに水素供給量は、パッシベーション膜19Aの体積によって決定される。
ここで、上記構成の固体撮像素子1Aの製造方法について説明する。
図10は、図9の固体撮像素子1Aの製造方法における多層配線層および遮光膜の形成工程までの要部縦断面図である。
図10に示すように、半導体基板11に表面側に、有効画素領域を含む撮像領域として、複数の受光部12、各受光部12に隣接して、電荷転送トランジスタの電荷転送部13およびフローティングディヒュージョン部FDを形成する。この電荷転送部13上に、ゲート絶縁膜14を介してゲート電極15を形成する。このゲート電極15上方に、第1絶縁膜16a、第1配線17a、第2絶縁膜16b、第2配線17b、第3絶縁膜16c、第3配線17c、第4絶縁膜16d、遮光膜18、第5絶縁膜16eをこの順に形成する。
図11は、図9の固体撮像素子1の製造方法におけるパッシベーション膜19Aを埋め込むための幅広の開口部19bを形成する工程までの要部縦断面図である。
図11に示すように、オプティカルブラック部3(OB部)の4層目の遮光膜18の上部をフォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより、遮光膜18まで達しない浅いが幅広の開口部19bを形成する。
図12は、図9の固体撮像素子1Aの製造方法におけるパッシベーション膜19Aを形成する工程までの要部縦断面図である。
図12に示すように、配線材料を水分から保護するためパッシベーション膜19Aを全面に堆積する。この際に後工程の熱処理で多くの水素が供給できるよう、パッシベーション膜19AとしてプラズマCVDによるプラズマSiN膜を用いる。パッシベーション膜19A(p−SiN膜)から水素を脱離させるために、熱処理を行う。パッシベーション膜19A(p−SiN膜)から脱離された水素が画素部の半導体基板11表面のダングリングボンドと結合するが、供給される水素量は、パッシベーション膜19A(p−SiN膜)の膜厚差により、画素部全域が同じように制御される。
図13は、図9の固体撮像素子1Aの製造方法におけるカラーフィルタおよびマイクロレンズ形成工程までの要部縦断面図である。
図13に示すように、画素部にカラーフィルタ20を形成し、その上に平坦化膜を介してマイクロレンズ21を形成する。
以上により、本実施形態2によれば、上記実施形態1の場合と同じように、画素の暗電流を低減するために必要なパッシベーション膜19A(p−SiN膜)から半導体基板表面への適正な水素の供給を、SiN膜質や膜厚を設定することにより得ることができ、また、オプティカルブラック部3(OB部)の近傍画素6を含む有効画素領域2の全域で暗電流を均一にすることが可能となる。
具体的には、オプティカルブラック部3(OB部)の上部に浅いが幅広の開口部19bを設けることにより、パッシベーション膜19A(p−SiN膜)を、画素部とオプティカルブラック部で異なる膜厚にしている。これによって、オプティカルブラック部近傍有効画素6の水素供給量を増加させることができるため、有効画素全域2の暗電流を中央部と周辺部で均一にすることができる。
なお、上記実施形態1,2では、CMOS型固体撮像素子の場合について説明したが、これに限らず、CCD型固体撮像素子の場合についても本発明のパッシベーション膜19または19Aを適用することもできる。
即ち、CCD固体撮像素子の各画素部には、半導体基板上に、受光素子として入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の受光部が2次元状でマトリクス状に設けられ、各受光部に隣接して受光部からの信号電荷を電荷転送するための電荷転送部および、この上にはゲート絶縁膜を介して、読み出された信号電荷を電荷転送制御するための電荷転送電極としてのゲート電極が配置されている。これらの受光部および電荷転送部からなる画素部間(水平方向の間)には素子分離層としてのストップ層が設けられている。
このゲート電極上には、入射光がゲート電極により反射してノイズが発生するのを防ぐために遮光膜が絶縁層を介して形成されている。また、受光部の上方は遮光膜に開口部が形成されている。
受光部の表面と遮光膜との段差部分を平坦化するための層間絶縁膜が形成されている。この層間絶縁膜上には、熱によるシンター処理で各画素部を構成する受光部の表面の暗電流を抑制するために、プラズマCVD法により、プラズマSiN膜がパッシベーション膜(パッシベーション膜19または19Aを用いる)として形成されている。このプラズマSiN膜上に、受光部毎に配置されたR,G,Bの各色配列(例えばベイヤー配列)のカラーフィルタが形成され、さらに、その上に平坦化膜が形成され、その上に、受光部への集光用のマイクロレンズが形成されている。
要するに、CMOS型固体撮像素子1または1Aは、複数の画素部のそれぞれに、画素部毎に光電変換部として受光部12が設けられ、受光部12に隣接して、受光部12からの信号電荷が電荷電圧変換部(FD)に電荷転送するための電荷転送トランジスタ(図示せず)と、受光部12毎に電荷転送トランジスタにより電荷電圧変換部(FD)に電荷転送された信号電荷が電圧変換され、この変換電圧に応じて増幅されて画素部毎の撮像信号として読み出すための読出回路(図示せず)とを有している。
これに対して、CCD型固体撮像素子1B(図14)は、複数の画素部のそれぞれに、画素部毎に光電変換部として受光部が設けられ、受光部に隣接して、受光部からの信号電荷を所定方向に電荷転送するための電荷転送部(図示せず)および、この上に、読み出された信号電荷を電荷転送制御するためのゲート電極およびその上の遮光膜が配置されている。
なお、上記実施形態1,2では、特に詳細に説明しなかったが、画素の暗電流を低減するために必要なパッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)から半導体基板11の表面への水素の供給は、膜厚をある程度以上に厚くしても暗電流低減効果は一定になって変化しないが、水素供給が多すぎると、データ読み出し回路などを構成するトランジスタのスタビリティを悪化させてしまう。パッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)の膜厚は、光透過が重要であるから薄いほどよいが、平坦化するにはある程度の膜厚が必要になる。したがって、図3にも示したように、パッシベーション膜19(p−SiN膜)の膜厚tの2倍の開口部幅であれば、効率よく平坦化できる。パッシベーション膜19の膜厚は、前述したように有効画素領域2では約2倍の例えば1500〜3000オングストローム程度で、オプティカルブラック部3(OB部)では例えば4000〜6000オングストローム程度であるが、パッシベーション膜19Aの方が、開口部19bの幅が広い分だけ平坦化のためにパッシベーション膜19によりも膜厚が厚くなる。
また、上記実施形態1,2では、特に詳細に説明しなかったが、オプティカルブラック部3(OB部)のさらに外周側には、トランジスタを用いた、各画素からの信号読み出し用のドライバからなる周辺回路部が設けられているが、この周辺回路部の上方にもパッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)が設けられている。この場合のパッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)は、水分を透過させない機能があればよく、シンター処理による水素供給能力が少なくても問題はなく、その膜厚は薄くてもよい。ここでは、周辺回路部の上方にもパッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)の膜厚は、有効画素領域2のパッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)の膜厚と同じ膜厚にしている。
なお、上記実施形態1,2では、有効画素領域2では配線層は3層配線、オプティカルブラック部3では配線層の3層配線に加えてその上に遮光膜18を含む4層配線について説明したが、これに限らず、有効画素領域2では配線層は5層配線、オプティカルブラック部3では配線層の5層配線に加えてその上に遮光膜18を含む6層配線であっても上記実施形態1,2のパッシベーション膜19,19A(p−SiN膜)を適用することができる。要するに、有効画素領域2では配線層は2〜5層配線、オプティカルブラック部3では配線層の2〜5層配線に加えてその上に遮光膜18を含む3〜6層配線になっていてもよく、さらにそれ以上の多層配線であってもよい。この場合、配線層17および遮光膜18はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している。これによって、オプティカルブラック部3では遮光膜18の分だけ、水素を多く供給すればよく、有効画素領域センター画素5と有効画素領域のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素6とで水素供給を均一にすることができて、有効画素領域の暗電流を均一にすることが可能となる。
これらの場合にも同様に、有効画素領域2におけるセンター画素5とオプティカルブラック部近傍画素6との間で暗電流抑制が均一になる各膜厚の組み合わせで(水素供給能力の組み合わせで)、パッシベーション膜19,19Aを堆積することにより、有効画素領域2全域の暗電流を、有効画素領域センター画素5と有効画素領域2のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素6とで均一にすることが可能となる。
(実施形態3)
図14は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態1、2の固体撮像素子1または1Aを撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図14は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態1、2の固体撮像素子1または1Aを撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図14において、本実施形態3の電子情報機器90は、上記実施形態1、2の固体撮像素子1または1Aまたは1Bからの撮像信号に所定の信号処理を施してカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示部93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信部94と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力部95とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示部93と、通信部94と、プリンタなどの画像出力部95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
したがって、本実施形態3によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力部95により良好にプリントアウト(印刷)したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
以上のように、本発明の好ましい実施形態1〜3を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1〜3に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1〜3の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、オプティカルブラック部におけるパッシベーション膜の膜厚を、有効画素領域におけるパッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成するため、有効画素領域の暗電流を、有効画素領域センター画素と有効画素領域のオプティカルブラック部(OB部)近傍画素とで均一にすることができる。
1、1A、1B 固体撮像素子
2 有効画素領域
3 オプティカルブラック部(OB部)
5 センター画素
6 オプティカルブラック部近傍画素
11 半導体基板
12 受光部
13 電荷転送部
14 ゲート絶縁膜
15 ゲート電極
16a 第1絶縁膜
16b 第2絶縁膜
16c 第3絶縁膜
16d 第4絶縁層
16e 第5絶縁層
17 配線層
17a 第1配線
17b 第2配線
17c 第3配線
18 遮光膜
19,19A パッシベーション膜(プラズマSiN膜;p−SiN膜)
19a,19b 開口部
20 カラーフィルタ
21 マイクロレンズ
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示部
94 通信部
95 画像出力部
2 有効画素領域
3 オプティカルブラック部(OB部)
5 センター画素
6 オプティカルブラック部近傍画素
11 半導体基板
12 受光部
13 電荷転送部
14 ゲート絶縁膜
15 ゲート電極
16a 第1絶縁膜
16b 第2絶縁膜
16c 第3絶縁膜
16d 第4絶縁層
16e 第5絶縁層
17 配線層
17a 第1配線
17b 第2配線
17c 第3配線
18 遮光膜
19,19A パッシベーション膜(プラズマSiN膜;p−SiN膜)
19a,19b 開口部
20 カラーフィルタ
21 マイクロレンズ
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示部
94 通信部
95 画像出力部
Claims (27)
- 入射光を光電変換して撮像する複数の受光部が2次元状に配設された撮像領域が設けられた固体撮像素子の製造方法において、
該受光部の上方で、パターニングされた配線層および遮光膜上の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成し、該撮像領域のうちの有効画素領域の周辺のオプティカルブラック部における該パッシベーション膜の膜厚を、該有効画素領域における該パッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成するパッシベーション膜形成工程を有する固体撮像素子の製造方法。 - 前記パッシベーション膜形成工程は、
前記オプティカルブラック部の遮光膜上の層間絶縁膜に、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングまたはウェットエッチングにより開口部を形成する開口部形成工程と、
該層間絶縁膜上にパッシベーション膜を成膜すると共に、該開口部を埋め込むようにパッシベーション膜を成膜するパッシベーション膜成膜工程とを有する請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 熱処理により前記パッシベーション膜から水素を脱離させるシンター処理工程を更に有する請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記配線層および前記遮光膜はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記開口部形成工程は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面まで達する開口部を前記層間絶縁膜に形成する請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記開口部の幅は、前記パッシベーション膜の膜厚の2倍とする請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記開口部形成工程は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面に至るまでの途中深さの開口部を形成する請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記開口部の幅は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の幅寸法に対応した寸法とする請求項7に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記有効画素領域と前記オプティカルブラック部とで前記パッシベーション膜の膜厚を異ならせて、該有効画素領域における中央画素とオプティカルブラック部近傍画素との間で暗電流抑制が均一になる各膜厚の組み合わせで該パッシベーション膜を堆積する請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記オプティカルブラック部の周辺に、トランジスタを用いた周辺回路部をさらに有し、該周辺回路の上方のパッシベーション膜を、前記有効画素領域のパッシベーション膜の膜厚と同じ膜厚に形成する請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記パッシベーション膜として、プラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜を形成する請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記パッシベーション膜成膜工程は、アンモニア(NH3)ガス/SiH4(シランガス)の流量比を0.25〜0.5に設定して前記プラズマSiN膜を成膜する請求項11に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記パッシベーション膜成膜工程は、アンモニア(NH3)ガスの流量を100〜150sccmに設定し、SiH4(シランガス)の流量を300〜400sccmに設定する請求項11に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記有効画素領域では前記配線層は2〜5層配線、前記オプティカルブラック部では該配線層の2〜5層配線に加えてその上に前記遮光膜を含む3〜6層配線になっている請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 入射光を光電変換して撮像する複数の受光部が2次元状に配設された撮像領域が設けられた固体撮像素子において、
該受光部の上方で、パターニングされた配線層および遮光膜上の層間絶縁膜上にパッシベーション膜が設けられ、該撮像領域のうちの有効画素領域の周辺のオプティカルブラック部における該パッシベーション膜の膜厚が、該有効画素領域における該パッシベーション膜の膜厚に比べて厚く形成されている固体撮像素子。 - 前記パッシベーション膜として、プラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜を形成する請求項15に記載の固体撮像素子。
- 前記配線層および前記遮光膜はそれぞれ、中央の金属層の上層および下層として少なくともTi層または/およびTiN層を有している請求項15に記載の固体撮像素子。
- 前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面まで達する開口部が前記層間絶縁膜に形成され、該開口部内に前記パッシベーション膜が埋め込まれて該パッシベーション膜の膜厚が厚く形成されている請求項15に記載の固体撮像素子。
- 前記開口部の幅は、前記パッシベーション膜の膜厚の2倍とする請求項18に記載の固体撮像素子。
- 前記オプティカルブラック部の遮光膜の表面に至るまでの途中深さの開口部が前記層間絶縁膜に形成され、該開口部内に前記パッシベーション膜が埋め込まれて該パッシベーション膜の膜厚が厚く形成されている請求項15に記載の固体撮像素子。
- 前記開口部の幅は、前記オプティカルブラック部の遮光膜の幅寸法に対応した寸法になっている請求項20に記載の固体撮像素子。
- 前記パッシベーション膜として、プラズマCVD法によりプラズマ窒化シリコン膜が形成されている請求項15に記載の固体撮像素子。
- CMOS型固体撮像素子またはCCD型固体撮像素子である請求項15に記載の固体撮像素子。
- 前記CMOS型固体撮像素子は、複数の画素部のそれぞれに、
該画素部毎に光電変換部として前記受光部が設けられ、該受光部に隣接して、該受光部からの信号電荷が電荷電圧変換部に電荷転送するための電荷転送トランジスタと、
該受光部毎に該電荷転送トランジスタにより該電荷電圧変換部に電荷転送された信号電荷が電圧変換され、この変換電圧に応じて増幅されて該画素部毎の撮像信号として読み出すための読出回路とを有する請求項23に記載の固体撮像素子。 - 前記CCD型固体撮像素子は、複数の画素部のそれぞれに、
該画素部毎に光電変換部として前記受光部が設けられ、該受光部に隣接して、該受光部からの信号電荷を所定方向に電荷転送するための電荷転送部および、この上に、読み出された信号電荷を電荷転送制御するためのゲート電極およびその上の金属遮光膜が配置されている請求項23に記載の固体撮像素子。 - 前記有効画素領域では前記配線層は2〜5層配線、前記オプティカルブラック部では該配線層の2〜5層配線に加えてその上に前記遮光膜を含む3〜6層配線になっている請求項15に記載の固体撮像素子。
- 請求項15〜26のいずれかに記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
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