JP2012013572A - 放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画質が向上する放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】堆積用基板100上に、非柱状結晶領域102と非柱状結晶領域102と連続する柱状結晶領域104とを備えたシンチレータ層36を堆積する堆積工程と、シンチレータ層36から放出された光を電気信号に変換する光検出基板30を、シンチレータ層36の柱状結晶領域104に貼り付ける第1貼付工程と、非柱状結晶領域102を堆積用基板100に沿って切断して、堆積用基板100と共に非柱状結晶領域102の一部又は全部を除去する除去工程と、を有する。
【選択図】図5
【解決手段】堆積用基板100上に、非柱状結晶領域102と非柱状結晶領域102と連続する柱状結晶領域104とを備えたシンチレータ層36を堆積する堆積工程と、シンチレータ層36から放出された光を電気信号に変換する光検出基板30を、シンチレータ層36の柱状結晶領域104に貼り付ける第1貼付工程と、非柱状結晶領域102を堆積用基板100に沿って切断して、堆積用基板100と共に非柱状結晶領域102の一部又は全部を除去する除去工程と、を有する。
【選択図】図5
Description
本発明は、放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置に関する。
近年、放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器は、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。
放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)などのシンチレータ層で光に変換し、変換した光を半導体層で電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。
この間接変換方式の放射線検出器の製造方法には、堆積用の支持体上に複数の柱状結晶体を備えたシンチレータ層を蒸着して堆積する堆積工程を行った後、当該シンチレータ層に、光を電荷に変換する光検出基板を貼り付ける貼付工程を有する製造方法がある(特許文献1参照)。
上記のような製造方法において、堆積工程の蒸着初期では、柱状結晶体ではない非柱状結晶体で構成された非柱状結晶領域が支持体上に形成されるのが一般的であるが、この非柱状結晶領域は成長状態が不均一であるため、放射線検出器から得られる画像の画質が劣化してしまう。
ここで、特許文献2,3には、シンチレータ層を堆積方向に沿って切断する方法が開示されている。
また、特許文献4,5には、シンチレータ層に光検出基板を貼り付けた後に、堆積用の支持体を除去する方法が開示されている。
しかしながら、特許文献2,3では、シンチレータ層を堆積方向に沿って切断しているので、シンチレータ層に非柱状結晶領域は残ったままとなり、当該非柱状結晶領域に起因して、放射線検出器から得られる画像の画質が劣化してしまう。
また、特許文献4,5においても同様に、堆積用の支持体を除去するだけなので、シンチレータ層に非柱状結晶領域は残ったままとなり、当該非柱状結晶領域に起因して、放射線検出器から得られる画像の画質が劣化してしまう。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、画質が向上する放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
本発明の第1態様に係る放射線検出器の製造方法は、支持体上に、非柱状結晶領域と前記非柱状結晶領域と連続する柱状結晶領域とを備えたシンチレータ層を堆積する堆積工程と、前記シンチレータ層から放出された光を電気信号に変換する光検出基板を、前記シンチレータ層の前記柱状結晶領域に貼り付ける第1貼付工程と、前記非柱状結晶領域を前記支持体に沿って切断して、前記支持体と共に前記非柱状結晶領域の一部又は全部を除去する除去工程と、を有する。
この方法によれば、除去工程において非柱状結晶領域が支持体に沿って切断されるため、成長状態が不均一な非柱状結晶領域の一部又は全部が、支持体と共に除去されることになる。この結果、光検出基板上のシンチレータ層には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域が完全に存在しないか、或いは存在するがその厚みが薄くなり、放射線検出器の画質が向上する。
また、除去工程において支持体が除去されるので、支持体の熱膨張で放射線検出器が反るということがない。
また、非柱状結晶領域を全部除去した場合、光検出基板上のシンチレータ層には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域が完全に存在しなくなるので、放射線検出器の画質をより向上することが可能である。
また、除去工程において支持体が除去されるので、支持体の熱膨張で放射線検出器が反るということがない。
また、非柱状結晶領域を全部除去した場合、光検出基板上のシンチレータ層には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域が完全に存在しなくなるので、放射線検出器の画質をより向上することが可能である。
本発明の第2態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記除去工程では、前記柱状結晶領域の中を前記支持体に沿って切断し、前記柱状結晶領域は、複数本の柱状結晶体で構成され、切断された前記非柱状結晶領域の切断面は、つながれている。
この方法によれば、光検出基板上のシンチレータ層には非柱状結晶領域のうち柱状結晶領域と連続する部分が残ることになり、非柱状結晶領域を全部除去する場合に比べて、複数本の柱状結晶体が崩壊又は損傷することを抑制することができる。
本発明の第3態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記除去工程では、前記非柱状結晶領域を前記光検出基板と平行に切断する。
この方法によれば、シンチレータ層の切断面を光検出基板と平行にすることができ、光検出基板がシンチレータ層から受ける光の受光量を均一化できる。また、シンチレータ層と光検出基板を密着させることができるので、シンチレータ層で発光した光のボケ(広がり)を抑えて光を光検出基板に到達させることができるので、より画質が向上する。
本発明の第4態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記除去工程では、前記非柱状結晶領域をレーザーにより切断する。
この方法によれば、シンチレータ層の切断面を平らにすることができる。
本発明の第5態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記シンチレータ層は、耐水性のある材料で構成され、前記除去工程では、前記非柱状結晶領域を高水圧により切断する。
このように、シンチレータ層が耐水性のある材料で構成されていれば、第4態様のレーザーの代わりに高水圧により非柱状結晶領域を切断することができる。
本発明の第6態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記除去工程の後、前記光検出基板上にある前記シンチレータ層の切断面に、支持体を貼り付ける第2貼付工程、を有する。
この方法によれば、シンチレータ層を補強することができる。この方法は、非柱状結晶領域を全て除去するように切断した場合に特に有効である。
本発明の第7態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記第2貼付工程では、前記支持体として前記シンチレータ層から放出された光を電気信号に変換する光検出基板を貼り付ける。
この方法によれば、シンチレータ層の両面に光検出基板を貼り付けることになり、両基板とも画像撮影用に用いて放射線検出器の感度を向上させたり、一方を自動露出制御用X線検出器(AEC検出器)に用いたりすることができる。
本発明の第8態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記第2貼付工程で貼り付ける前記支持体は、前記第1貼付工程で貼り付けた前記光検出基板の熱膨張率と略同一の熱膨張率を有する。
この方法によれば、温度変化があっても光検出基板と支持体との熱膨張量の差が無くなる或いは小さくなるので、放射線検出器の反りを無くす或いは抑制することができる。
本発明の第9態様に係る放射線検出器の製造方法は、前記第2貼付工程で貼り付ける前記支持体は、可撓性を有する。
この方法によれば、仮にシンチレータ層の切断面の平坦性が悪くても、第2貼付工程で当該切断面に支持体を貼り付けることができる。
本発明の第10態様に係る放射線画像撮影装置は、筐体と、上記いずれかの放射線検出器の製造方法によって製造され、前記シンチレータ層と前記光検出基板のうち、前記シンチレータ層の切断面側を放射線の照射面となるように前記筐体に内蔵された放射線検出器と、を備える。
この構成によれば、放射線は筐体を通過した後、シンチレータ層の成長状態が不均一な非柱状結晶領域を介して柱状結晶領域に照射されることになり、放射線検出器の画質を劣化させる虞があるが、除去工程により非柱状結晶領域の一部又は全部が除去されているため、画質は劣化しない。
本発明の第11態様に係る放射線画像撮影装置は、筐体と、上記いずれかの放射線検出器の製造方法によって製造され、前記シンチレータ層と前記光検出基板のうち、前記光検出基板側を放射線の照射面となるように前記筐体に内蔵された放射線検出器と、を備える。
この構成によれば、放射線は筐体を通過した後、シンチレータ層の成長状態が不均一な非柱状結晶領域を介さず柱状結晶領域に照射されることになるので、第11態様の構成に比べて、非柱状結晶領域が放射線検出器の画質に与える影響を抑制できる。また、仮にシンチレータ層の切断面の平坦性が悪くても、当該切断面にて放射線が散乱することを抑制できる。
本発明によれば、画質が向上する放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置を提供することができる。
(第1実施形態)
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材(構成要素)には同じ符号を付して適宜説明を省略する。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材(構成要素)には同じ符号を付して適宜説明を省略する。
−放射線画像撮影装置の全体構成−
まず、本発明の第1実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。
まず、本発明の第1実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。
本発明の第1実施形態に係る電子カセッテは、可搬性を有し、被写体を透過した放射線源からの放射線を検出し、その検出した放射線により表わされる放射線画像の画像情報を生成し、その生成した画像情報を記憶可能な放射線画像撮影装置であり、具体的には以下に示すように構成されている。なお、電子カセッテは、生成した画像情報を記憶しない構成であっても良い。
図1は、放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。
電子カセッテ10は、放射線画像の撮影時において、放射線Xを発生させる放射線源としての放射線発生部12と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生部12と電子カセッテ10との間は、被写体としての患者14が位置するための撮影位置とされており、放射線画像の撮影が指示されると、放射線発生部12は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Xを射出する。放射線発生部12から射出された放射線Xは、撮影位置に位置している患者14を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ10に照射される。
図2は、電子カセッテ10の内部構造を示す概略斜視図である。
電子カセッテ10は、放射線Xを透過させる材料から成り、所定の厚みを有する平板状の筐体16を備えている。そして、この筐体16の内部に、放射線Xが照射される筐体16の照射面18側から、患者14を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、及び当該放射線検出器20を制御する制御基板22が順に設けられている。
図3は、電子カセッテ10の回路図を示す図である。
放射線検出器20は、上部電極と半導体層と下部電極を備え、光を受けて電荷を蓄積するセンサ部24と、センサ部24に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチ26と、を含んで構成される画素28が2次元状に多数設けられたTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板30(以下、TFT基板という)を備えている
また、TFT基板30には、前述したTFTスイッチ26をON/OFFするための複数の走査配線32と、センサ部24に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線34と、が互いに交差して設けられている。
本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20では、TFT基板30の表面にシンチレータ層36が貼り付けられている。
シンチレータ層36は、照射されたX線などの放射線Xを光に変換する。センサ部24は、シンチレータ層36から照射された光を受けて電荷を蓄積する。
そして、各信号配線34には、信号配線34に接続された何れかのTFTスイッチ26がONされることによりセンサ部24に蓄積された電荷量に応じて放射線画像を示す電気信号(画像信号)が流れるようになっている。
また、放射線検出器20の信号配線34方向の一端側には、結線用のコネクタ38が複数個並んで設けられ、走査配線32方向の一端側には、コネクタ40が複数個並んで設けられている。そして、各信号配線34はコネクタ38に接続され、各走査配線32はコネクタ40に接続されている。
これらコネクタ38には、フレキシブルケーブル42の一端が電気的に接続されている。また、コネクタ40には、フレキシブルケーブル44の一端が電気的に接続されている。
そして、これらフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44は、制御基板22に結合されている。
そして、これらフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44は、制御基板22に結合されている。
この制御基板22には、放射線検出器20による撮影動作の制御、及び各信号配線34に流れる電気信号に対する信号処理の制御を行う制御部46が設けられ、制御部46は、信号検出回路48と、スキャン信号制御回路50と、を備えている。
信号検出回路48には、複数個のコネクタ52が設けられており、これらのコネクタ52に、上述したフレキシブルケーブル42の他端が電気的に接続されている。信号検出回路48は、信号配線34毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。この構成により、信号検出回路48は、各信号配線34より入力される電気信号を増幅回路により増幅して検出することで、画像を構成する各画素28の情報として、各センサ部24に蓄積された電荷量を検出する。
一方、スキャン信号制御回路50には、複数個のコネクタ54が設けられており、これらのコネクタ54に、上述したフレキシブルケーブル44の他端が電気的に接続されており、スキャン信号制御回路50が各走査配線32にTFTスイッチ26をON/OFFするための制御信号を出力可能とされている。
このような構成において放射線画像の撮影を行う場合、放射線検出器20には患者14を透過した放射線Xが照射される。照射された放射線Xはシンチレータ層36で光に変換され、センサ部24に照射される。センサ部24は、シンチレータ層36から照射された光を受けて電荷を蓄積する。
画像読出時には、スキャン信号制御回路50から放射線検出器20のTFTスイッチ26のゲート電極に走査配線32を介して順次ON信号(+10〜20V)が印加される。これにより、放射線検出器20のTFTスイッチ26が順次ONされることによりセンサ部24に蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線34に流れ出す。信号検出回路48は、放射線検出器20の信号配線34に流れ出した電気信号に基づいて各センサ部24に蓄積された電荷量を、画像を構成する各画素28の情報として検出する。これにより、放射線検出器20に照射された放射線により示される画像を示す画像情報を得る。
−電子カセッテ10の断面構成−
次に、電子カセッテ10の構成についてより具体的に説明する。図4は、電子カセッテ10の断面構成を示した断面図である。
次に、電子カセッテ10の構成についてより具体的に説明する。図4は、電子カセッテ10の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、電子カセッテ10は、その筐体16内部に、放射線Xが照射される照射面18の逆側から順に、上述の制御基板22と本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20を内蔵している。
制御基板22は、筐体16内部の底面上に支持脚22Aを介して載置されており、上述のフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44を介して、放射線検出器20と連結されている。
なお、以下、実施形態で「上」とは、制御基板22側から放射線検出器20側の方向であり、「下」とは放射線検出器20側から制御基板22側の方向を指すものとする。
制御基板22は、筐体16内部の底面上に支持脚22Aを介して載置されており、上述のフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44を介して、放射線検出器20と連結されている。
なお、以下、実施形態で「上」とは、制御基板22側から放射線検出器20側の方向であり、「下」とは放射線検出器20側から制御基板22側の方向を指すものとする。
本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20は、矩形平板状とされ、上述のように患者14を透過した放射線Xにより現される放射線画像を検出するものであり、TFT基板30と、シンチレータ層36とから構成されている。
TFT基板30は、制御基板22上に載置されており、上述のTFTスイッチ26とセンサ部24とが不図示の基板上に形成されて構成されたものである。
TFT基板30の基板材料としては、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料の他、飽和ポリエステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)系樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、架橋フマル酸ジエステル系樹脂、ポリカーボネート(PC)系樹脂、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂、ポリスルフォン(PSF,PSU)樹脂、ポリアリレート(PAR)樹脂、アリルジグリコールカーボネート、環状ポリオレフィン(COP,COC)樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド(PI)樹脂、ポリアミドイミド(PAI)樹脂、マレイミド−オレフィン樹脂、ポリアミド(Pa)樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂フィルム、ポリベンズアゾール系樹脂、エピスルフィド化合物、液晶ポリマー(LCP)、シアネート系樹脂、芳香族エーテル系樹脂などの有機材料などが挙げられる。その他にも酸化ケイ素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子・無機酸化物ナノ粒子・無機窒化物ナノ粒子などとの複合プラスチック材料、金属系・無機系のナノファイバー及び/又はマイクロファイバーとの複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク・ガラスファイバー・ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料や無機層(例えばSiO2, Al2O3, SiOxNy)と上述した材料からなる有機層を交互に積層することで、少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属積層材料、アルミニウム基板、あるいは表面に酸化処理(例えば、陽極酸化処理)を施すことで表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板を使用することもできる。前記有機材料の場合、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。
TFT基板30の基板材料としては、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料の他、飽和ポリエステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)系樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、架橋フマル酸ジエステル系樹脂、ポリカーボネート(PC)系樹脂、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂、ポリスルフォン(PSF,PSU)樹脂、ポリアリレート(PAR)樹脂、アリルジグリコールカーボネート、環状ポリオレフィン(COP,COC)樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド(PI)樹脂、ポリアミドイミド(PAI)樹脂、マレイミド−オレフィン樹脂、ポリアミド(Pa)樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂フィルム、ポリベンズアゾール系樹脂、エピスルフィド化合物、液晶ポリマー(LCP)、シアネート系樹脂、芳香族エーテル系樹脂などの有機材料などが挙げられる。その他にも酸化ケイ素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子・無機酸化物ナノ粒子・無機窒化物ナノ粒子などとの複合プラスチック材料、金属系・無機系のナノファイバー及び/又はマイクロファイバーとの複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク・ガラスファイバー・ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料や無機層(例えばSiO2, Al2O3, SiOxNy)と上述した材料からなる有機層を交互に積層することで、少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属積層材料、アルミニウム基板、あるいは表面に酸化処理(例えば、陽極酸化処理)を施すことで表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板を使用することもできる。前記有機材料の場合、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。
また、TFT基板30の基板材料としては、バイオナノファイバも用いることができる。バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄くTFT基板30を形成できる。
また、無色透明のアラミドフィルムを用いることもできる。このアラミドフィルムは、315℃までの耐熱性があり、ガラス基板と熱膨張率が近いために製造後の反りが少なく、かつ割れにくいという有利な特徴を持つ。
また、無色透明のアラミドフィルムを用いることもできる。このアラミドフィルムは、315℃までの耐熱性があり、ガラス基板と熱膨張率が近いために製造後の反りが少なく、かつ割れにくいという有利な特徴を持つ。
このTFT基板30の上面には、上述のシンチレータ層36が貼り付けられている。シンチレータ層36は、複数の柱状結晶体を含んだ構造とされており、柱状結晶体同士の間には隙間が形成されている。
シンチレータ層36の材料としては、例えば、CsI:Tl、CsI:Na(ナトリウム賦活ヨウ化セシウム)、ZnS:Cu及びCsBr等が挙げられる。
シンチレータ層36の材料としては、例えば、CsI:Tl、CsI:Na(ナトリウム賦活ヨウ化セシウム)、ZnS:Cu及びCsBr等が挙げられる。
このシンチレータ層36の上面側には、隙間を介して筐体16の照射面18が配置されており、この照射面18から、放射線Xが表面照射される。すなわち、放射線検出器20のシンチレータ層36が接着された表側から照射される。
−放射線検出器20の製造方法−
次に、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の製造方法を説明する。
次に、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の製造方法を説明する。
図5は、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の製造工程を示した図であって、(A)は基板用意工程を示す図であり、(B)は堆積工程を示す図であり、(C)は貼付工程を示す図であり、(D)は除去工程を示す図であり、(E)は本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20を示す図である。
1.基板用意工程
まず、図5(A)に示すように、堆積用基板100を用意する。
この堆積用基板100の材料は、特に限定されないが、例えば熱伝導性が高く、コストが安いという点でアルミニウムを用いることができる。
堆積用基板100の厚みは、特に後述する堆積工程において、ハンドリング性の向上、シンチレータ層36の重みによる反り防止、及び輻射熱による変形防止等の観点から厚い方が好ましい。
まず、図5(A)に示すように、堆積用基板100を用意する。
この堆積用基板100の材料は、特に限定されないが、例えば熱伝導性が高く、コストが安いという点でアルミニウムを用いることができる。
堆積用基板100の厚みは、特に後述する堆積工程において、ハンドリング性の向上、シンチレータ層36の重みによる反り防止、及び輻射熱による変形防止等の観点から厚い方が好ましい。
2.堆積工程
次に、図5(B)に示すように、堆積用基板100上に気相堆積法により、シンチレータ層36を堆積する、堆積工程を行う。
具体的に、CsI:Tlを用いた態様を例に挙げて説明する。
気相堆積法は常法により行うことができる。即ち、真空度0.01〜10Paの環境下、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、堆積用基板100の温度(蒸着温度)を室温(20℃)〜300℃としてCsI:Tlを堆積用基板100上に蒸着し堆積させればよい。
気相堆積法により堆積用基板100上にCsI:Tlの結晶相を形成する際、当初は不定形或いは略球状結晶の直径の比較的小さな結晶の集合体で構成される非柱状結晶領域102が形成される。気相堆積法の実施に際しては、真空度及び堆積用基板100温度の少なくとも一方の条件を変更することで、非柱状結晶領域102の形成後に連続して気相堆積法を行うことにより、非柱状結晶領域102と連続した複数本の柱状結晶体で構成される柱状結晶領域104を成長させることができる。
即ち、非柱状結晶領域102を形成した後、真空度を上げる、堆積用基板100温度を高くする等の手段のうち少なくとも一方を行うことで、効率よく均一な柱状結晶体を成長させることができる。
次に、図5(B)に示すように、堆積用基板100上に気相堆積法により、シンチレータ層36を堆積する、堆積工程を行う。
具体的に、CsI:Tlを用いた態様を例に挙げて説明する。
気相堆積法は常法により行うことができる。即ち、真空度0.01〜10Paの環境下、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、堆積用基板100の温度(蒸着温度)を室温(20℃)〜300℃としてCsI:Tlを堆積用基板100上に蒸着し堆積させればよい。
気相堆積法により堆積用基板100上にCsI:Tlの結晶相を形成する際、当初は不定形或いは略球状結晶の直径の比較的小さな結晶の集合体で構成される非柱状結晶領域102が形成される。気相堆積法の実施に際しては、真空度及び堆積用基板100温度の少なくとも一方の条件を変更することで、非柱状結晶領域102の形成後に連続して気相堆積法を行うことにより、非柱状結晶領域102と連続した複数本の柱状結晶体で構成される柱状結晶領域104を成長させることができる。
即ち、非柱状結晶領域102を形成した後、真空度を上げる、堆積用基板100温度を高くする等の手段のうち少なくとも一方を行うことで、効率よく均一な柱状結晶体を成長させることができる。
3.貼付工程
次に、図5(C)に示すように、シンチレータ層36の柱状結晶領域104の堆積方向端面に、不図示の接着剤を用いて上述のTFT基板30を貼り付ける、貼付工程を行う。
次に、図5(C)に示すように、シンチレータ層36の柱状結晶領域104の堆積方向端面に、不図示の接着剤を用いて上述のTFT基板30を貼り付ける、貼付工程を行う。
4.除去工程
次に、図5(D)に示すように、非柱状結晶領域102を堆積用基板100に沿って切断して、当該堆積用基板100と共に非柱状結晶領域102の全部を除去する、除去工程を行う。
具体的には、レーザーLAをシンチレータ層36の側面の非柱状結晶領域102と柱状結晶領域104の境界付近から照射して切断する。また、シンチレータ層36の切断面P1をTFT基板30と平行にするため、TFT基板30と平行に切断する。
次に、図5(D)に示すように、非柱状結晶領域102を堆積用基板100に沿って切断して、当該堆積用基板100と共に非柱状結晶領域102の全部を除去する、除去工程を行う。
具体的には、レーザーLAをシンチレータ層36の側面の非柱状結晶領域102と柱状結晶領域104の境界付近から照射して切断する。また、シンチレータ層36の切断面P1をTFT基板30と平行にするため、TFT基板30と平行に切断する。
5.放射線検出器20の取得
以上の工程を経ることにより、図5(E)及び図4に示すような、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20を取得することができる。
以上の工程を経ることにより、図5(E)及び図4に示すような、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20を取得することができる。
−作用−
本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の製造方法によれば、図5(D)に示す除去工程において非柱状結晶領域102が堆積用基板100に沿って切断され、成長状態が不均一な非柱状結晶領域102の全部が、堆積用基板100と共に除去されることになる。この結果、TFT基板30上のシンチレータ層36には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域102が完全に存在しなくなり、放射線検出器20の画質が向上する。
また、除去工程において堆積用基板100が除去されるので、堆積用基板100の熱膨張で放射線検出器が反るということがない。
また、製造後において、堆積用基板100があると、放射線検出器20の重みが多くなる点、堆積用基板100が照射される放射線Xをより吸収して放射線検出器20の感度が低下する点等の問題があったが、除去工程において堆積用基板100が除去されるので、これらの点を考慮することなく、製造時のハンドリング性の向上、シンチレータ層36の重みによる反り防止、及び輻射熱による変形防止等の観点から堆積用基板100の材料や厚みを広く選択できるようになる。
本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の製造方法によれば、図5(D)に示す除去工程において非柱状結晶領域102が堆積用基板100に沿って切断され、成長状態が不均一な非柱状結晶領域102の全部が、堆積用基板100と共に除去されることになる。この結果、TFT基板30上のシンチレータ層36には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域102が完全に存在しなくなり、放射線検出器20の画質が向上する。
また、除去工程において堆積用基板100が除去されるので、堆積用基板100の熱膨張で放射線検出器が反るということがない。
また、製造後において、堆積用基板100があると、放射線検出器20の重みが多くなる点、堆積用基板100が照射される放射線Xをより吸収して放射線検出器20の感度が低下する点等の問題があったが、除去工程において堆積用基板100が除去されるので、これらの点を考慮することなく、製造時のハンドリング性の向上、シンチレータ層36の重みによる反り防止、及び輻射熱による変形防止等の観点から堆積用基板100の材料や厚みを広く選択できるようになる。
また、除去工程では、非柱状結晶領域102をレーザーLAにより切断するため、レーザーLAにより行わない場合に比べて、シンチレータ層36の切断面P1を平らにすることができる。
また、除去工程では、非柱状結晶領域102をTFT基板30と平行に切断するため、シンチレータ層36の切断面P1をTFT基板30と平行にすることができ、TFT基板30がシンチレータ層36から受ける光の受光量を均一化できる。また、シンチレータ層36とTFT基板30を密着させることができるので、シンチレータ層36で発光した光のボケ(広がり)を抑えて光をTFT基板30に到達させることができるので、より画質が向上する。
そして、このような放射線検出器20を、シンチレータ層36とTFT基板30のうち、シンチレータ層36の切断面P1側を放射線Xの照射面となるように電子カセッテ10の筐体16に内蔵することにより、図4に示す本発明の第1実施形態に係る放射線画像撮影装置(電子カセッテ10)を得る。
図4に示す構成によれば、放射線Xは筐体16を通過した後、シンチレータ層36の成長状態が不均一な非柱状結晶領域102を介して柱状結晶領域104に照射されることになり、放射線検出器20の画質を劣化させる虞があるが、除去工程により非柱状結晶領域102の全部が除去されているため、画質は劣化しない。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200の製造方法を説明する。
次に、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200の製造方法を説明する。
−放射線検出器200の製造方法−
図6は、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200の製造工程を示した図であって、(A)は基板用意工程を示す図であり、(B)は堆積工程を示す図であり、(C)は第1貼付工程を示す図であり、(D)は除去工程を示す図であり、(E)は第2貼付工程を示す図である。
図6は、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200の製造工程を示した図であって、(A)は基板用意工程を示す図であり、(B)は堆積工程を示す図であり、(C)は第1貼付工程を示す図であり、(D)は除去工程を示す図であり、(E)は第2貼付工程を示す図である。
1.基板用意工程
まず、図6(A)に示すように、堆積用基板100を用意する。
まず、図6(A)に示すように、堆積用基板100を用意する。
2.堆積工程
次に、図6(B)に示すように、堆積用基板100上に気相堆積法により、非柱状結晶領域102と当該非柱状結晶領域102と連続する柱状結晶領域104とを備えたシンチレータ層36を堆積する、堆積工程を行う。堆積方法は、第1実施形態で説明した方法と同様である。
次に、図6(B)に示すように、堆積用基板100上に気相堆積法により、非柱状結晶領域102と当該非柱状結晶領域102と連続する柱状結晶領域104とを備えたシンチレータ層36を堆積する、堆積工程を行う。堆積方法は、第1実施形態で説明した方法と同様である。
3.第1貼付工程
次に、図6(C)に示すように、シンチレータ層36の柱状結晶領域104の堆積方向端面に、不図示の接着剤を用いて上述のTFT基板30を貼り付ける、第1貼付工程を行う。
次に、図6(C)に示すように、シンチレータ層36の柱状結晶領域104の堆積方向端面に、不図示の接着剤を用いて上述のTFT基板30を貼り付ける、第1貼付工程を行う。
4.除去工程
次に、図6(D)に示すように、非柱状結晶領域102の中を堆積用基板100に沿って切断して、当該堆積用基板100と共に非柱状結晶領域102の一部を除去する、除去工程を行う。
具体的には、レーザーLAを非柱状結晶領域102の側面から照射して、非柱状結晶領域102の一部をTFT基板30と平行に切断する。なお、非柱状結晶領域102の切断面P2は、不定形或いは略球状結晶の直径の比較的小さな結晶の集合体でつながれている。
次に、図6(D)に示すように、非柱状結晶領域102の中を堆積用基板100に沿って切断して、当該堆積用基板100と共に非柱状結晶領域102の一部を除去する、除去工程を行う。
具体的には、レーザーLAを非柱状結晶領域102の側面から照射して、非柱状結晶領域102の一部をTFT基板30と平行に切断する。なお、非柱状結晶領域102の切断面P2は、不定形或いは略球状結晶の直径の比較的小さな結晶の集合体でつながれている。
5.第2貼付工程
除去工程の後、図6(E)に示すように、TFT基板30上にあるシンチレータ層36の非柱状結晶領域102の切断面P2に、シンチレータ層36の補強或いは保護を担う支持体202を貼り付ける第2貼付工程、を行う。
この支持体202の材料としては、放射線Xが透過するものであれば特に限定されず、例えばTFT基板30の材料と同様のものを用いることができる。好適には、高剛性、X線透過が高い、均質で材質ムラがない、耐熱性がある、熱膨張率がガラスに近い、耐薬品性がある、及び導電性があるという点でカーボンを用いることができる。また、カーボンよりも熱伝導性が高く、コストが安いという点でアルミニウムを用いることもできる。また、バイオナノファイバ、アラミドフィルムを用いることもできる。
なお、後述する裏面照射の場合には、支持体202の材料は、放射線Xが透過するものでなくともよい。
除去工程の後、図6(E)に示すように、TFT基板30上にあるシンチレータ層36の非柱状結晶領域102の切断面P2に、シンチレータ層36の補強或いは保護を担う支持体202を貼り付ける第2貼付工程、を行う。
この支持体202の材料としては、放射線Xが透過するものであれば特に限定されず、例えばTFT基板30の材料と同様のものを用いることができる。好適には、高剛性、X線透過が高い、均質で材質ムラがない、耐熱性がある、熱膨張率がガラスに近い、耐薬品性がある、及び導電性があるという点でカーボンを用いることができる。また、カーボンよりも熱伝導性が高く、コストが安いという点でアルミニウムを用いることもできる。また、バイオナノファイバ、アラミドフィルムを用いることもできる。
なお、後述する裏面照射の場合には、支持体202の材料は、放射線Xが透過するものでなくともよい。
また、支持体202の材料は、TFT基板30の熱膨張率と略同一(熱膨張率の差異が数PPM/℃、例えば5PPM/℃以内)の熱膨張率を有したものを用いることが好ましい。理由としては、温度変化があってもTFT基板30と支持体202との熱膨張量の差が無くなる或いは小さくなるので、放射線検出器の反りを無くす或いは抑制することができるからである。
また、支持体202の厚みは、薄い方が好ましい。理由としては、支持体202の重みを低減して放射線検出器20を軽量化し、かつ放射線Xの吸収を低減することができるからである。
また、支持体202は、可撓性を有していることが好ましい。理由としては、仮にシンチレータ層36の切断面P2の平坦性が悪くても、第2貼付工程で当該切断面P2に支持体202を貼り付けることができるからである。
また、支持体202の厚みは、薄い方が好ましい。理由としては、支持体202の重みを低減して放射線検出器20を軽量化し、かつ放射線Xの吸収を低減することができるからである。
また、支持体202は、可撓性を有していることが好ましい。理由としては、仮にシンチレータ層36の切断面P2の平坦性が悪くても、第2貼付工程で当該切断面P2に支持体202を貼り付けることができるからである。
6.放射線検出器200の取得
以上の工程を経ることにより、図6(E)に示すような、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200を取得することができる。
以上の工程を経ることにより、図6(E)に示すような、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200を取得することができる。
−作用−
本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200の製造方法によれば、図6(D)に示す除去工程において非柱状結晶領域102の中が堆積用基板100に沿って切断されるため、成長状態が不均一な非柱状結晶領域102の一部が、堆積用基板100と共に除去されることになる。この結果、TFT基板30上のシンチレータ層36には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域102の厚みが薄くなり、放射線検出器200の画質が向上する。
また、除去工程において堆積用基板100が除去されるので、堆積用基板100の熱膨張で放射線検出器200が反るということがない。
また、TFT基板30上のシンチレータ層36には非柱状結晶領域102のうち柱状結晶領域104と連続する部分が残ることになり、非柱状結晶領域102を全部除去する第1実施形態の場合に比べて、複数本の柱状結晶体が崩壊又は損傷することを抑制することができる。
なお、非柱状結晶領域102の一部が残るので、第1実施形態に比べれば画質は劣ることになるが、シンチレータ層36が堆積されていない側のTFT基板30の面から放射線Xが照射される、所謂裏面照射の場合には、画質劣化の影響は小さくなる。
本発明の第2実施形態に係る放射線検出器200の製造方法によれば、図6(D)に示す除去工程において非柱状結晶領域102の中が堆積用基板100に沿って切断されるため、成長状態が不均一な非柱状結晶領域102の一部が、堆積用基板100と共に除去されることになる。この結果、TFT基板30上のシンチレータ層36には画質劣化の原因となる非柱状結晶領域102の厚みが薄くなり、放射線検出器200の画質が向上する。
また、除去工程において堆積用基板100が除去されるので、堆積用基板100の熱膨張で放射線検出器200が反るということがない。
また、TFT基板30上のシンチレータ層36には非柱状結晶領域102のうち柱状結晶領域104と連続する部分が残ることになり、非柱状結晶領域102を全部除去する第1実施形態の場合に比べて、複数本の柱状結晶体が崩壊又は損傷することを抑制することができる。
なお、非柱状結晶領域102の一部が残るので、第1実施形態に比べれば画質は劣ることになるが、シンチレータ層36が堆積されていない側のTFT基板30の面から放射線Xが照射される、所謂裏面照射の場合には、画質劣化の影響は小さくなる。
また、除去工程の後、TFT基板30上にあるシンチレータ層36の切断面P2に、支持体202を貼り付ける第2貼付工程、を有するため、シンチレータ層36を補強することができる。
そして、このような放射線検出器200を、シンチレータ層36とTFT基板30のうち、シンチレータ層36の切断面P1側を放射線Xの照射面となるように電子カセッテ10の筐体16に図4に示す放射線検出器20の代わりとして内蔵することにより、本発明の第2実施形態に係る放射線画像撮影装置を得る。
この構成によれば、放射線Xは筐体16を通過した後、シンチレータ層36の成長状態が不均一な非柱状結晶領域102を介して柱状結晶領域104に照射されることになり、放射線検出器20の画質を劣化させる虞があるが、除去工程により非柱状結晶領域102の一部が除去されているため、画質の劣化が抑制される。
(変形例)
なお、本発明を特定の第1,第2実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。
なお、本発明を特定の第1,第2実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。
例えば、第1実施形態では、筐体16の内部には、放射線Xが照射される筐体16の照射面18側から、患者14を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、及び制御基板22が順に設けられている場合を説明したが、放射線Xが照射される照射面18側から順に、患者14を透過することに伴って生ずる放射線Xの散乱線を除去するグリッド、放射線検出器20、及び放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板が収容されていてもよい。
また、第1実施形態では、筐体16の形状が矩形平板状である場合を説明したが、特に限定されるものではなく、例えば正面視が正方形や円形になるようにしてもよい。
また、第1実施形態では、制御基板22を1つで形成した場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、制御基板22が機能毎に複数に分かれていてもよい。さらに、制御基板22を、放射線検出器20と垂直方向(筐体16の厚み方向)に並んで配置する場合を説明したが、放射線検出器20と水平方向に並んで配置するようにしてもよい。
また、第2実施形態の第2貼付工程において、支持体202がアルミニウムから構成されていない場合、支持体202の面上にアルミニウムの反射板を貼り付け、当該反射板に、シンチレータ層36を貼り付けてもよい。この場合、反射板がない場合に比べ、シンチレータ層36から照射された光をより多くTFT基板30が受光することができる。
また、第2実施形態では除去工程の後、TFT基板30上にあるシンチレータ層36の切断面P2に、支持体202を貼り付ける第2貼付工程を説明したが、この工程は、第1実施形態にも適用でき、また第1実施形態に適用した場合に特に有効となる。理由としては、第1実施形態のように非柱状結晶領域102を全て除去するように切断した場合には、複数の柱状結晶体の一端部同士が連結されなくなりシンチレータ層36がバランスを崩して損傷し易くなるが、複数の柱状結晶体の一端部に上記支持体202を貼り付けることにより、シンチレータ層36のバランスが安定し、シンチレータ層36が損傷或いは崩壊することを防止することができる。
また、第1,第2実施形態の除去工程では、非柱状結晶領域102をレーザーLAにより切断する場合を説明したが、高水圧により切断するようにしてもよい。この場合、シンチレータ層36は、耐水性のある材料で構成されていることが好ましい。
また、第2実施形態の第2貼付工程では、支持体202としてシンチレータ層36から放出された光を電気信号に変換するTFT基板(TFT基板30と同様な構成の基板)を貼り付けるようにしてもよい。この方法によれば、シンチレータ層36の両面にTFT基板を貼り付けることになり、両基板とも画像撮影用に用いて放射線検出器200の感度を向上させたり、一方を自動露出制御用X線検出器(AEC検出器)に用いたりすることができる。
また、第1,第2実施形態では、放射線検出器20,200を、シンチレータ層36とTFT基板30のうち、シンチレータ層36の切断面P1,P2側を放射線Xの照射面となるように電子カセッテ10の筐体16に内蔵する場合、即ち放射線Xが表面照射される場合を説明したが、放射線検出器20,200を、シンチレータ層36とTFT基板30のうち、シンチレータ層36のTFT基板30側を放射線Xの照射面となるように電子カセッテ10の筐体16に内蔵する場合、即ち放射線Xが裏面照射されるようにしてもよい(図7参照)。
この構成によれば、放射線Xは筐体16を通過した後、シンチレータ層36の成長状態が不均一な非柱状結晶領域102を介さず柱状結晶領域104に照射されることになるので、表面照射の構成に比べて、非柱状結晶領域102が放射線検出器20,200の画質に与える影響を抑制できる。また、仮にシンチレータ層36の切断面P1,P2の平坦性が悪くても、当該切断面P1,P2にて放射線Xが散乱することを抑制できる。
この構成によれば、放射線Xは筐体16を通過した後、シンチレータ層36の成長状態が不均一な非柱状結晶領域102を介さず柱状結晶領域104に照射されることになるので、表面照射の構成に比べて、非柱状結晶領域102が放射線検出器20,200の画質に与える影響を抑制できる。また、仮にシンチレータ層36の切断面P1,P2の平坦性が悪くても、当該切断面P1,P2にて放射線Xが散乱することを抑制できる。
また、第2実施形態では、第2貼付工程を有する場合を説明したが、この第2貼付工程は無くてもよい。
10 電子カセッテ(放射線画像撮影装置)
16 筐体
20 放射線検出器
30 TFT基板(光検出基板)
36 シンチレータ層
100 堆積用基板(支持体)
102 非柱状結晶領域
104 柱状結晶領域
200 放射線検出器
202 支持体
LA レーザー
P1 切断面
P2 切断面
X 放射線
16 筐体
20 放射線検出器
30 TFT基板(光検出基板)
36 シンチレータ層
100 堆積用基板(支持体)
102 非柱状結晶領域
104 柱状結晶領域
200 放射線検出器
202 支持体
LA レーザー
P1 切断面
P2 切断面
X 放射線
Claims (11)
- 支持体上に、非柱状結晶領域と前記非柱状結晶領域と連続する柱状結晶領域とを備えたシンチレータ層を堆積する堆積工程と、
前記シンチレータ層から放出された光を電気信号に変換する光検出基板を、前記シンチレータ層の前記柱状結晶領域に貼り付ける第1貼付工程と、
前記非柱状結晶領域を前記支持体に沿って切断して、前記支持体と共に前記非柱状結晶領域の一部又は全部を除去する除去工程と、
を有する放射線検出器の製造方法。 - 前記除去工程では、前記柱状結晶領域の中を前記支持体に沿って切断し、
前記柱状結晶領域は、複数本の柱状結晶体で構成され、
切断された前記非柱状結晶領域の切断面は、つながれている、
請求項1に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記除去工程では、前記非柱状結晶領域を前記光検出基板と平行に切断する、
請求項1又は請求項2に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記除去工程では、前記非柱状結晶領域をレーザーにより切断する、
請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記シンチレータ層は、耐水性のある材料で構成され、
前記除去工程では、前記非柱状結晶領域を高水圧により切断する、
請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記除去工程の後、前記光検出基板上にある前記シンチレータ層の切断面に、支持体を貼り付ける第2貼付工程、
を有する請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記第2貼付工程では、前記支持体として前記シンチレータ層から放出された光を電気信号に変換する光検出基板を貼り付ける、
請求項6に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記第2貼付工程で貼り付ける前記支持体は、前記第1貼付工程で貼り付けた前記光検出基板の熱膨張率と略同一の熱膨張率を有する、
請求項6又は請求項7に記載の放射線検出器の製造方法。 - 前記第2貼付工程で貼り付ける前記支持体は、可撓性を有する、
請求項6〜請求項8の何れか1項に記載の放射線検出器の製造方法。 - 筐体と、
請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の放射線検出器の製造方法によって製造され、 前記シンチレータ層と前記光検出基板のうち、前記シンチレータ層の切断面側を放射線の照射面となるように前記筐体に内蔵された放射線検出器と、
を備える放射線画像撮影装置。 - 筐体と、
請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の放射線検出器の製造方法によって製造され、 前記シンチレータ層と前記光検出基板のうち、前記光検出基板側を放射線の照射面となるように前記筐体に内蔵された放射線検出器と、
を備える放射線画像撮影装置。
Priority Applications (1)
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JP2010151207A JP2012013572A (ja) | 2010-07-01 | 2010-07-01 | 放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2010
- 2010-07-01 JP JP2010151207A patent/JP2012013572A/ja active Pending
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