JP2012009967A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 陽極接合を行うことなく、第１板と第２板との接合力の強い圧電デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電デバイス（１００Ａ）は電圧の印加により振動する圧電振動片（１０）と、圧電振動片が収納されるキャビティ（ＣＴ）を形成するようにキャビティの外周に形成される第１接合面（Ｍ１）を有する第１板（１１Ａ）及びキャビティの外周に形成される第２接合面（Ｍ２）を有し前記第１板と接合する第２板（１２Ａ）とを備える。第１接合面と第２接合面との間には、第１金属膜（ｓ１）、この第１金属膜と異なる金属の第２金属膜（ｒ１）、第１金属膜（ｓ２）、ガラスからなるガラス層（ｇ１）、第１金属膜（ｓ３）、第２金属膜（ｒ２）及び第１金属膜（ｓ４）とが形成される。
【選択図】 図２

Description

本発明は、厚みすべり振動モードを有するＡＴカット型の圧電振動片又は一対の振動腕を有する音叉型の圧電振動片をキャビティ内に有する圧電デバイス及びその製造方法に関する。

表面実装用の圧電デバイスは、シーム溶接等の封止ではなく、経済性に優れる接着材を使って樹脂封止されることがある。特に、セラミックを使わず圧電材料又はガラス材料を使ったパッケージでは接着材を使った封止又は陽極接合による封止が行われる。

特許文献１は、水晶からなる蓋体と水晶からなるパッケージベースとが陽極接合により封止された圧電デバイスを開示している。この圧電デバイスは、水晶のパッケージベースにクロム層が形成され、その上に硬質ガラスまたはソーダライムガラスが形成され、その上にクロム層が形成され、その上に水晶からなる蓋体が形成される。クロム層は陽極接合のために形成されている。

特開２００１−１７７３７３号公報

しかしながら、上記構成の圧電デバイスでは、ガラスとクロム層との陽極接合は、蓋体とパッケージベースとの接合面の表面粗さ（表面状態）が鏡面状態であることが求められる。このため、接合面に凸凹があったりすると陽極接合の接合力が弱まってしまうことがある。また、陽極接合に使用されるガラスは硬質ガラスまたはソーダライムガラスなどの金属イオンを含むガラスでなければならない。

本発明は、陽極接合を行うことなく、第１板と第２板との接合力の強い圧電デバイスを提供することを目的とする。

第１観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と、圧電振動片が収納されるキャビティを形成するようにキャビティの外周に形成される第１接合面を有する第１板及びキャビティの外周に形成される第２接合面を有し前記第１板と接合する第２板とを備える。第１接合面と第２接合面との間には、第１金属膜、この第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、第１金属膜、ガラスからなるガラス層、第１金属膜、第２金属膜及び第１金属膜が順に形成される。

第２観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と、圧電振動片が収納されるキャビティを形成するようにキャビティの外周に形成される第１接合面を有する第１板及びキャビティの外周に形成される第２接合面を有し前記第１板と接合する第２板とを備える。第１接合面と第２接合面との間には、第１金属膜、ガラスからなるガラス層、第１金属膜、第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、第１金属膜、ガラスからなるガラス層及び第１金属膜が順に形成される。

第３観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片とその圧電振動片を囲むように形成された枠体とを有する圧電振動板と、圧電振動片が収納されるキャビティを形成するようにキャビティの外周に形成される第１接合面を有し枠体と接合する第１板及びキャビティの外周に形成される第２接合面を有し枠体と接合する第２板とを備える。第１接合面と枠体との間には、第１金属膜、この第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、第１金属膜、ガラスからなるガラス層、第１金属膜、第２金属膜及び第１金属膜が順に形成される。

第４観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片とその圧電振動片を囲むように形成された枠体とを有する圧電振動板と、圧電振動片が収納されるキャビティを形成するようにキャビティの外周に形成される第１接合面を有し枠体と接合する第１板及びキャビティの外周に形成される第２接合面を有し枠体と接合する第２板とを備える。第１接合面と枠体との間には、第１金属膜、ガラスからなるガラス層、第１金属膜、第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、第１金属膜、ガラスからなるガラス層及び第１金属膜が順に形成される。

第５観点の圧電デバイスにおいて、第１金属膜はクロム、ニッケル、タングステン又はそれらの合金の一つからなり、第２金属膜は、金又は銀からなる。

第６観点の圧電デバイスにおいて、ガラス層は液状のガラスペーストからなり、バナジウムを含んでいる。

本発明は、陽極接合を行うことなく、第１板と第２板との接合力の強い圧電デバイスが得られる。

第１水晶振動子１００Ａの斜視図である。 （ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図で、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとを接合する前の状態である。 （ｂ）は、図１のＡ−Ａ断面図で、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとを接合した後の状態である。 第１水晶振動子１００Ａの製造を示したフローチャートである。 リッドウエハ１１Ｗ又はベースウエハ１２Ｗの平面図である。 リッド部１１Ａの製造を示した説明図である。 ベース部１２Ａの製造を示した説明図である。 （ａ）は、リッド部１１Ｂとベース部１２Ｂとを接合する前の状態である。 （ｂ）は、リッド部１１Ｂとベース部１２Ｂとを接合した後の状態である。 リッド部１１Ｂの製造を示した説明図である。 ベース部１２Ｂの製造を示した説明図である。 ベース部１２Ｂの製造を示した説明図である。 第３水晶振動子１００Ｃの斜視図である。 （ａ）は、リッド部１１Ｃと、水晶フレーム２０と、ベース部１２Ｃとを接合する前の状態である。 （ｂ）は、リッド部１１Ｃと、水晶フレーム２０と、ベース部１２Ｃとを接合した後の状態である。 （ａ）は、水晶フレーム２０側から見たベース部１２Ｃの平面図である。 （ｂ）は、リッド部１１Ｃ側から見た水晶フレーム２０の平面図である。 （ｃ）は、ベース部１２Ｃ側から見た水晶フレーム２０の平面図である。 第３水晶振動子１００Ｃの製造を示したフローチャートである。 リッドウエハ３１Ｗ又はベースウエハ３２Ｗの平面図である。 水晶フレーム２０の製造を示した説明図である。 水晶ウエハ２０Ｗの平面図である。

以下、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下の各実施形態において、圧電振動片としてＡＴカットの水晶振動片が使われている。ここで、ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、以降の各実施形態ではＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＸ’軸、Ｙ’軸及びＺ’軸として用いる。また本明細書の説明としてＹ’軸方向の高低を、＋方向を高く−方向を低いと表現する。

（第１実施形態）
＜第１水晶振動子１００Ａの全体構成＞
第１水晶振動子１００Ａの全体構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。
図１は、第１水晶振動子１００Ａの分解斜視図である。図２（ａ）はリッド部１１Ａとベース部１２Ａとが接合される前の第１水晶振動子１００Ａの断面図である。図２（ｂ）はリッド部１１Ａとベース部１２Ａとが接合された後の第１水晶振動子１００Ａの断面図である。

図１に示されたように、第１水晶振動子１００Ａは、リッド側凹部１１１を有するリッド部１１Ａと、ベース側凹部１２１を有するベース部１２Ａと、ベース側凹部１２１内に載置される水晶振動片１０とを備える。

ここで、水晶振動片１０は水晶片１０１により構成され、その水晶片１０１の中央付近の両主面に一対の励振電極１０２ａ、１０２ｂが対向して配置されている。水晶振動片１０は導電性接着剤１３によりベース部１２Ａに接着されている（図２を参照）。また、励振電極１０２ａは、引出電極１０９ａ、導電性接着剤１３及び接続電極１２３を介してベース部１２Ａのスルーホール１４ａに形成された接続電極１４１に接続される。また、図２に示されたように励振電極１０２ｂは、引出電極１０９ｂ、導電性接着剤１３及び接続電極１２３を介してベース部１２Ａのスルーホール１４ｂに形成された接続電極１４１に接続される。

さらに、スルーホール１４ａ、１４ｂの接続電極１４１はベース部１２Ａの底面に形成された一対の外部電極１５にそれぞれ接続されている。そして、一対の外部電極１５が外部電源（図示しない）の両極にそれぞれ接続されると、水晶振動片１０の両主面が逆方向に動く厚みすべり振動する。両主面の厚さに応じて水晶振動片１０は数ＭＨｚ〜数百ＭＨｚで振動する。また、ベース部１２Ａに形成されたスルーホール１４ａ、１４が充填材１４２により充填されてキャビティＣＴ内を窒素ガスや真空などで気密的に封止する。

図１及び図２に示されたように、リッド部１１Ａは水晶などの圧電体又はガラスなどで形成されたリッド１１０Ａ、封止ガラス膜及び複数の金属層を備える。またリッド１１０Ａは、リッド側凹部１１１とこのリッド側凹部１１１の外周に幅ＷＩの第１端面Ｍ１を有するリッド側突起部１１２とを備える。リッド側突起部１１２の第１端面Ｍ１にはクロム（Ｃｒ）層ｓ１、金（Ａｕ）層ｒ１及びクロム層ｓ２が順に形成され、クロム層ｓ２には封止ガラス膜ｇ１が形成されている。ここで、クロム層ｓ１、ｓ２の厚さは例えば０．０５μｍ〜０．１μｍであり、金層ｒ１の厚さは例えば０．２μｍ〜２μｍであり、封止ガラス膜ｇ１の厚さは例えば１０μｍ〜１５μｍである。

封止ガラス膜ｇ１は３５０℃〜４００℃で溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスである。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、焼成されることで他の部材と接着する。バナジウム系ガラスの融点は圧電体又はガラスなどで形成されたリッド部１１Ａの融点より低く、また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性・耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できるので、セラミックス、ガラス、半導体、金属などの熱膨張係数が異なる様々な材料と接着しやすい。

ベース部１２Ａは、水晶などの圧電体又はガラスなどで形成されたベース１２０Ａ及び複数の金属層を備える。ベース１２０Ａは、ベース側凹部１２１と、このベース側凹部１２１の外周に幅ＷＩの第２端面Ｍ２を有するベース側突起部１２２とを備える。ベース側突起部１２２の第２端面Ｍ２にはクロム層ｓ４、金層ｒ２及びクロム層ｓ３が順に形成されている。ここで、クロム層ｓ３、ｓ４はクロム層ｓ１、ｓ２と同じ形状で、金層ｒ２は金層ｒ１と同じ形状となっている。

リッド部１１Ａとベース部１２Ａとが窒素ガス中又は真空中で３５０〜４００℃に加熱され押圧されることで、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとは封止ガラス膜ｇ１により接合する（図２（ｂ）を参照）。つまり、リッド部１１Ａに形成された封止ガラス膜ｇ１がベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に形成されたクロム層ｓ３に接合される。したがって、リッド部１１Ａの第１端面Ｍ１とベース部１２Ａの第２端面Ｍ２との間には、クロム層ｓ１、金層ｒ１、クロム層ｓ２、封止ガラス膜ｇ１、クロム層ｓ３、金層ｒ２及びクロム層ｓ４がその順番で配置される。このため、リッド側凹部１１１とベース側凹部１２１とは水晶振動片１０が収納されたキャビティＣＴを形成することができ、キャビティＣＴ内を窒素ガスや真空などで気密的に封止することができる。

クロム（Ｃｒ）は水晶又はガラスと密着性が高いが、クロム（Ｃｒ）は空気中で酸化などによって腐食される場合が多い。これに対応して、金（Ａｕ）は化学的に非常に高い耐腐食性を有している。このため、図２（ｂ）に示されたようにクロム層同士（ｓ１及びｓ２、ｓ３及びｓ４）の間に金層ｒ１、ｒ２が形成されると、金層がクロム層の腐食を防止することができる。また、クロムの代わりに、タングステン、ニッケル又はチタン又はこれらの合金を使用してもよいし、金（Ａｕ）の代わりに銀（Ａｇ）を使用してもよい。

さらに、接着材である封止ガラスｇ１はクロム（Ｃｒ）との密着性が高く、耐水性・耐湿性に優れる。封止ガラスｇ１は空気中の水分がキャビティ内に進入したりキャビティ内の真空度を悪化させたりすることが防止できる。リッド部１１Ａとベース部１２Ａとが直接封止ガラスｇ１で接着されるよりも、クロム（Ｃｒ）を介した方がリッド部１１Ａとベース部１２Ａとの密着性が高まる。

第１実施形態において、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとを接合する前に封止ガラス膜ｇ１はリッド部１１Ａのクロム層ｓ２に形成されているが、ベース部１２Ａのクロム層ｓ３に形成されてもよい。

＜第１水晶振動子１００Ａの製造方法＞
図３は、第１水晶振動子１００Ａの製造を示したフローチャートである。図３において、リッド部１１Ａの製造ステップＳ１１と、ベース部１２Ａの製造ステップＳ１２と、水晶振動片１０の製造ステップＳ１３とは別々に並行して行うことができる。図４は、第１実施形態のベースウエハ１２Ｗの平面図である。リッドウエハ１１Ｗは図４に示されたベースウエハ１２Ｗとほぼ同じ形状であるが、リッド１１０Ａの第１端面Ｍ１に封止ガラス膜ｇ１がさらに形成され、リッド側凹部１１１の底面に接続電極１２３及びスルーホール１４が形成されている点が異なっている。

図５のフローチャートはリッド部１１Ａの製造ステップＳ１１の詳細を示す。第１水晶振動子１００Ａの製造においてリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとを接合した後に第１水晶振動子１００Ａを単位として切断するので、図５では切断する前の状態を示している。また、図５のフローチャートの右図は、それぞれのステップにおける図４のリッドウエハ１１Ｗの一部を示している。図５の右図ではリッド側凹部１１１が上向きに示されている。

ステップＳ１１１において、図５（ａ）に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ１１Ｗ（図４を参照）に、リッド側凹部１１１が数百から数千個形成される。リッドウエハ１１Ｗには、エッチング又は機械加工によりリッド側凹部１１１が形成され、リッド側凹部１１１の周囲には第１端面Ｍ１が形成される。

ステップＳ１１２において、図５（ｂ）に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によってリッドウエハ１１Ｗ（図４を参照）全面にクロム層（図１のｓ１に対応）、金層（図１のｒ１に対応）及びクロム層（図１のｓ２に対応）が順に形成される。

ステップＳ１１３において、最も外側のクロム層（図１のｓ２に対応）全面に例えばノボラック樹脂によるポジフォトレジストなどのフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれたクロム層ｓ１、金層ｒ１及びクロム層ｓ２（図１を参照）のパターンがリッドウエハ１１Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出したクロム−金−クロムの金属層がエッチングされる。これにより、図５（ｃ）に示されたようにリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１にクロム層ｓ１、金層ｒ１及びクロム層ｓ２が順に形成される。

ステップＳ１１４において、図５（ｄ）に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に封止ガラス膜ｇ１が形成される。ここで、スクリーンとしてナイロン、テトロン、ステンレスなどの織物が使用される。

図６のフローチャートはベース部１２Ａの製造ステップＳ１２の詳細を示す。図６ではベースウエハ１２Ｗを切断する前の状態を示している。また、図６のフローチャートの右図は、それぞれのステップにおける図４のベースウエハ１２Ｗの一部を示している。

ステップＳ１２１において、図６（ａ）に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ１２Ｗに、ベース側凹部１２１及びベース側凹部１２１の底面からベースウエハ１２Ｗの底面まで貫通したスルーホール１４が数百から数千個形成される（図４を参照）。ベースウエハ１２Ｗには、エッチング又は機械加工によりベース側凹部１２１が形成され、ベース側凹部１２１の周囲には第２端面Ｍ２が形成される。

ステップＳ１２２において、図６（ｂ）に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によってベースウエハ１２Ｗ両面の全面にクロム層及び金層が順に形成される。スルーホール１４内にもクロム層及び金層が形成される。

ステップＳ１２３において、最も外側の金層全面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた第２端面Ｍ２、接続電極１２３、１４１及び外部電極１５のパターンがベースウエハ１２Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した金層及びクロム層がエッチングされる。これにより、図６（ｃ）に示されたようにベースウエハ１２Ｗの第２端面Ｍ２にクロム層ｓ４及び金層ｒ２が順に形成され、ベース側凹部１２１に接続電極１２３（図４を参照）が形成され、スルーホール１４に接続電極１４１が形成され、ベースウエハ１２Ｗの底面に外部電極１５が形成される。

ステップＳ１２４では、スパッタリングまたは真空蒸着時にマスク（図示しない）を用いて、ベースウエハ１２Ｗの第２断面Ｍ２のみにクロム層ｓ３が形成される（図６（ｄ）を参照）。そのため、第２断面Ｍ２のみ金属膜が３層になり、その他の個所は金属層が２層である。

図３に戻り、ステップＳ１３では水晶振動片１０（図１を参照）が形成される。まず、スパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ（不図示）の両面にクロム（Ｃｒ）層を下地としてその表面に金（Ａｕ）層が形成される。その後、水晶片１０１の両面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた水晶振動片１０の外形パターンを水晶ウエハの両面に露光される。次にクロム層、金層及び水晶ウエハがエッチングされ、水晶振動片１０の外形が形成される。そして再び、水晶ウエハの両面にクロム層と金（Ａｕ）層とが形成され、励振電極等の電極パターンが露光される。クロム層及び金層がエッチングされ、水晶ウエハに励振電極１０２及び接続金属１０９が形成される。その後、水晶ウエハから水晶振動片１０が個々に切り出される。

ステップＳ１４において、ステップＳ１３で製造された圧電振動片１０が導電性接着剤１３でベース側凹部１２１内に固定される。このとき、圧電振動片１０の接続電極１０９とベース側凹部１２１の底面に形成された接続電極１２３との位置が合うように圧電振動片１０がベース側凹部１２１内に載置される（図２を参照）。

ステップＳ１５において、封止ガラス膜ｇ１が３５０℃〜４００℃程度に加熱されリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが押圧され、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが接合される。図４に示されたようにリッドウエハ１１Ｗ及びベースウエハ１２Ｗはそれらの周縁部の一部にオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。したがって、オリエンテーションフラットＯＦを基準として、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが精密な重ね合わせされ、その後リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗと接合される。

ステップＳ１６において、金スズ（Ａｕ-Ｓｎ）合金、金ゲルマニウム（Ａｕ-Ｇｅ）もしくは金シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）合金、又は金ペースト及び銀ペーストから焼成して作成した充填材１４２（図２を参照）がスルーホール１４に充填される。そして、真空中もしくは不活性ガス中のリフロー炉に保持し封止する。これにより、キャビティＣＴ内が真空になった又は不活性ガスで満たされた複数の第１水晶振動子１００Ａが得られる。

ステップＳ１７において、接合されたリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとから第１水晶振動子１００Ａが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図４に示された一点鎖線のカットラインＣＬに沿って第１水晶振動子１００Ａを単位として個片化する。これにより、数百から数千の正確な周波数に調整された第１水晶振動子１００Ａが製造される。

（第２実施形態）
＜第２水晶振動子１００Ｂの全体構成＞
図７（ａ）はリッド部１１Ｂとベース部１２Ｂとが接合される前の第２水晶振動子１００Ｂの断面図で、図７（ｂ）はリッド部１１Ｂとベース部１２Ｂとが接合された後の第２水晶振動子１００Ｂの断面図である。なお、第１実施形態と同じ構成要件に対しては同じ符号を付して説明する。

図７（ａ）に示されたように、第２実施形態の第２水晶振動子１００Ｂは、圧電振動片１０と、圧電振動片１０を収納したベース部１２Ｂと、ベース部１２Ｂに接合されるリッド部１１Ｂとを備える。

また、リッド部１１Ｂは水晶などの圧電体又はガラスなどで形成されたリッド１１０Ａ、複数の金属層及び封止ガラス膜を備える。また、リッド側突起部１１２の第１端面Ｍ１にはクロム（Ｃｒ）層ｓ１及び封止ガラス膜ｇ２が順に形成されている。ここで、クロム層ｓ１の厚さは例えば０．０５μｍ〜０．１μｍであり、封止ガラス膜ｇ２の厚さは例えば１０μｍ〜１５μｍである。

ベース部１２Ａは、水晶などの圧電体又はガラスなどで形成されたベース１２０Ａ、複数の金属層及び封止ガラス膜を備える。また、ベース側突起部１２２の第２端面Ｍ２にはクロム層ｓ４、封止ガラス膜ｇ３、クロム層ｓ３、金（Ａｕ）層ｒ３及びクロム層ｓ２が順に形成されている。ここで、クロム層ｓ２、ｓ３及びｓ４はクロム層ｓ１と同じ形状で、封止ガラス膜ｇ３は封止ガラス膜ｇ２と同じ形状である。金層ｒ３の厚さは例えば０．３μｍ〜２μｍである。

リッド部１１Ｂとベース部１２Ｂとが窒素ガス中又は真空中で３５０〜４００℃に加熱され押圧されることで、リッド部１１Ｂに形成された封止ガラス膜ｇ２がベース部１２Ｂの第２端面Ｍ２に形成されたクロム層ｓ２に接合される（図７（ｂ）を参照）。したがって、第１端面Ｍ１及び第２端面Ｍ２は、クロム層ｓ１、封止ガラス膜ｇ２、クロム層ｓ２、金層ｒ３、クロム層ｓ３、封止ガラス膜ｇ３及びクロム層ｓ４で封止される。このため、リッド側凹部１１１とベース側凹部１２１とは水晶振動片１０が収納されたキャビティＣＴを形成することができ、キャビティＣＴ内を窒素ガスや真空などで気密的に封止することができる。

ここで、クロム（Ｃｒ）は空気中で酸化などによって腐食される場合が多い。これに対応して、バナジウム系ガラスである封止ガラス膜ｇ２又は封止ガラス膜ｇ３は化学的に高い耐腐食性を有している。このため、図７（ｂ）に示されたようにクロム層同士（ｓ１及びｓ２、ｓ３及びｓ４）の間に封止ガラス膜ｇ２、ｇ３が形成されると、封止ガラスがクロム層の腐食を防止することができる。また、クロムの代わりに、タングステン、ニッケル又はチタン又はこれらの合金を使用してもよい。

＜第２水晶振動子１００Ｂの製造方法＞
第２水晶振動子１００Ｂの製造方法は、図３に示された第１実施形態の製造方法のフローチャートと比べると、リッド部及びベース部の形成ステップＳ１１、Ｓ１２のみが異なる。したがって、以下は図３のステップＳ１２及びＳ１３に対応されるステップＴ１２、Ｔ１３のみについて説明する。

図８のフローチャートはリッド部１１Ｂの製造ステップＴ１１の詳細を示す。図８ではリッドウエハ１１Ｗ及びベースウエハ１２Ｗを切断する前の状態を示している。また、図８のフローチャートの右図は、それぞれのステップにおける図４のリッドウエハ１１Ｗの一部を示している。なお、図８の右図ではリッド側凹部１１１が上向きになっている。

ステップＴ１１１において、図８（ａ）に示されたように、均一の水晶平板のリッドウエハ１１Ｗ（図４を参照）に、リッド側凹部１１１が数百から数千個形成される。リッドウエハ１１Ｗの材質が水晶又はガラスであれば、エッチング又は機械加工によりリッド側凹部１１１が形成され、リッド側凹部１１１の周囲には第１端面Ｍ１が形成される。

ステップＴ１１２において、図８（ｂ）に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によってリッドウエハ１１Ｗ（図４を参照）全面にクロム層（図７のｓ１に対応）が形成される。
ステップＴ１１３において、図８（ｃ）に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に封止ガラス膜ｇ２が形成される。

ステップＴ１１４において、ベースウエハ１２Ｗ全面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれたクロム層ｓ１（図７を参照）のパターンがリッドウエハ１１Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出したクロム層ｓ１がエッチングされる。これにより、図８（ｄ）に示されたようにリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１にクロム層ｓ１及び封止ガラス膜ｇ２が順に形成される。

図９Ａ及び図９Ｂのフローチャートはベース部１２Ｂの製造ステップＴ１２の詳細を示し、リッドウエハ１１Ｗ及びベースウエハ１２Ｗを切断する前の状態を示している。図９Ａ及び図９Ｂのフローチャートの右図は、それぞれのステップにおける図４のベースウエハ１２Ｗの一部を示している。

ステップＴ１２１において、図９Ａ（ａ）に示されたように、均一の水晶平板のベースウエハ１２Ｗ（図４を参照）に、ベース側凹部１２１及びベース側凹部１２１の底面からベースウエハ１２Ｗの底面まで貫通したスルーホール１４が数百から数千個形成される。ベースウエハ１２Ｗの材質が水晶又はガラスであれば、エッチング又は機械加工によりベース側凹部１２１が形成され、ベース側凹部１２１の周囲には第２端面Ｍ２が形成される。

ステップＴ１２２において、図９Ａ（ｂ）に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によってベースウエハ１２Ｗ（図４を参照）の片面（第２端面Ｍ２側）の全面にクロム層（図７のｓ４に対応）が形成される。
ステップＴ１２３において、図９Ａ（ｃ）に示されたように、スクリーン印刷でベースウエハ１２Ｗの第２端面Ｍ２に封止ガラス膜ｇ３が形成される。

ステップＴ１２４において、クロム層（図７のｓ４に対応）全面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、図９Ａ（ｄ）に示されたように、フォトマスクに描かれたクロム層ｓ４（図７を参照）のパターンがベースウエハ１２Ｗに露光される。

ステップＴ１２５において、図９Ｂ（ｅ）に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によってベースウエハ１２Ｗ（図４を参照）の両面の全面にクロム層（図７のｓ３に対応）及び金層（図７のｒ３に対応）が順に形成される。なお、スルーホール１４内にもクロム層及び金層が形成される。

ステップＴ１２６において、最も外側の金層全面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた第２端面Ｍ２、接続電極１２３、１４１及び外部電極１５のパターンがベースウエハ１２Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した金層及びクロム層がエッチングされる。これにより、図９Ｂ（ｆ）に示されたようにベースウエハ１２Ｗの第２端面Ｍ２にクロム層ｓ４、封止ガラス膜ｇ３、クロム層ｓ３及び金層ｒ３が順に形成され、ベース側凹部１２１に接続電極１２３（図４を参照）が形成され、スルーホール１４に接続電極１４１が形成され、ベースウエハ１２Ｗの底面に外部電極１５が形成される。

ステップＴ１２７において、スパッタリングまたは真空蒸着時にマスク（図示しない）を用いて、ベースウエハ１２Ｗの第２断面Ｍ２のみにクロム層ｓ２が形成される。これにより、図９Ｂ（ｇ）に示されたように、ベースウエハ１２Ｗの第２断面Ｍ２にクロム層ｓ４、封止ガラス膜ｇ３、クロム層ｓ３、金層ｒ３及びフロム層ｓ２が順に形成される。

（第３実施形態）
＜第３水晶振動子１００Ｃの全体構成＞
図１０は、第３実施形態の第３水晶振動子１００Ｃの分解斜視図である。図１１は第３水晶振動子１００ＣのＢ−Ｂ断面図であり、図１１（ａ）はリッド部１１Ｃと水晶フレーム２０とベース部１２Ｃとを接合する前の状態で、図１１（ｂ）はリッド部１１Ｃと水晶フレーム２０とベース部１２Ｃとを接合した後の状態である。図１２（ａ）は水晶フレーム２０側から見たベース部１２Ｃの平面図で、図１２（ｂ）はリッド部１１Ｃ側から見た水晶フレーム２０の平面図で、図１２（ｃ）はベース部１２Ｃ側から見た水晶フレーム２０の平面図である。図１２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、封止ガラス膜ｇ５，ｇ６、ｇ７（図１０及び図１１を参照）を省略して描かれている。

図１０及び図１１に示されたように、第３水晶振動子１００Ｃはリッド部１１Ｃ、ベース部１２Ｃ及びそれらに挟まれた水晶フレーム２０から構成される。リッド部１１Ｃはウエットエッチングにより形成されたリッド側凹部３１１を水晶フレーム２０側の片面に有している。ベース部１２Ｃは、ウエットエッチングにより形成されたベース側凹部３２１を水晶フレーム２０側の片面に有している。したがって、窒素ガス中又は真空中でリッド部１１Ｃとベース部１２Ｃとが水晶フレーム２０の両面に接合されると、図１１（ｂ）に示されたようにリッド側凹部３１１及びベース側凹部３２１により窒素ガス又は真空で封止されたキャビティＣＴが形成される。

リッド部１１Ｃは、圧電体又はガラスなどで形成されたリッド１１０Ｃを備える。またリッド１１０Ｃは、リッド側凹部３１１と、このリッド側凹部３１１の外周に幅ＷＩの第１端面Ｍ３を有するリッド側突起部３１２とを備える。また、リッド側突起部３１２の第１端面Ｍ３にはクロム（Ｃｒ）層ｓ５、金（Ａｕ）層ｒ４及びクロム層ｓ６が順に形成され、クロム層ｓ６には封止ガラス膜ｇ４が形成されている。ここで、クロム層ｓ５、ｓ６の厚さは例えば０．０５μｍ〜０．１μｍであり、金層ｒ４の厚さは例えば０．３μｍ〜２μｍであり、封止ガラス膜ｇ４の厚さは例えば１０μｍ〜１５μｍである。

ベース部１２Ｃは、水晶などの圧電体又はガラスなどで形成されたベース１２０Ｃを備える。またベース１２０Ｃは、ベース側凹部３２１と、このベース側凹部３２１の外周に幅ＷＩの第２端面Ｍ４を有するベース側突起部３２２とを備える。また、ベース側突起部３２２の第２端面Ｍ４にはクロム（Ｃｒ）層ｓ１２、金（Ａｕ）層ｒ７及びクロム層ｓ１１が順に形成され、クロム層ｓ１１の上には封止ガラス膜ｇ５が形成されている。ここで、クロム層ｓ１２、金層ｒ７、クロム層ｓ１１及び封止ガラス膜ｇ５の形状はリッド部１１Ｃに形成されたクロム層ｓ５、金層ｒ４、クロム層ｓ６及び封止ガラス膜ｇ４と同じである。さらに、ベース１２０Ｃの下面（実装面側）に外部電極１５が形成され、ベース１２０Ｃの角部にはキャスタレーション１２５が形成されている。対角線に位置する一対のキャスタレーション１２５の側面には接続電極１２７が形成されている。接続電極１２７は、ベース１２０Ｃと水晶フレーム２０とが接合した際に外部電極１５と水晶フレーム２０の励振電極１０２とを電気的に接続する。また、図１２（ａ）に示されたとおり第２端面Ｍ４上の金属膜（ｓ１１、ｒ７及びｓ１２）はキャスタレーション１２５と離れて形成されている。金属膜（ｓ１１、ｒ７及びｓ１２）によって極性が異なる一対の接続電極１２７がショートすることを防止するためである。

水晶フレーム２０はＡＴカットされた水晶材料で形成され、リッド部１１Ｃ側の表面Ｍｅとベース部１２Ｃ側の裏面Ｍｉとを有している。水晶フレーム２０は水晶振動部２１と、水晶振動部２１を囲む枠部２２とで構成されている。また、水晶振動部２１と枠部２２との間には、上下を貫通するＵ字型の間隙部２３が形成され、間隙部２３が形成されていない部分が水晶振動部２１と枠部２２との接続部２４となっている。水晶振動部２１の表面Ｍｅと裏面Ｍｉとには励振電極１０２が形成され、枠部２２の両面には励振電極１０２と導電された引出電極１０９が形成されている。さらに、水晶フレーム２０の角部には、水晶貫通穴ＣＨ（図１６を参照）を形成した際のキャスタレーション１０５が形成されている。対角線に位置する一対のキャスタレーション１０５の側面には、ベース部１２Ｃのキャスタレーション１２５と水晶フレーム２０の引出電極１０９とが電気的に接続するように接続電極１０７が形成されている。

また、枠部２２の表面Ｍｅにはクロム層ｓ８、金層ｒ５及びクロム層ｓ７が順に形成され、クロム層ｓ７上には封止ガラス膜ｇ６が形成されている。また、図１２（ｂ）に示されたとおりに金属膜（ｓ７、ｒ５及びｓ８）が−Ｚ’側（図１２（ｂ）の左側）に形成されたキャスタレーション１０５と離れて形成される。水晶フレーム２０の表面Ｍｅの金属膜（ｓ７、ｒ５及びｓ８）によって極性が異なる一対の接続電極１０７がショートすることを防止するためである。

さらに、枠部２２の裏面Ｍｉにはクロム層ｓ９、金層ｒ６及びクロム層ｓ１０が順に形成され、クロム層ｓ１０には封止ガラス膜ｇ７が形成されている。図１２（ｃ）に示されたとおりに金属膜（ｓ９、ｒ６及びｓ１０）が＋Ｚ’側
（図１２（ｃ）の右側）に形成されたキャスタレーション１０５と離れて形成される。また、水晶フレーム２０の裏面Ｍｉの金属膜によって極性が異なる一対の接続電極１０７がショートすることを防止するためである。

図１１（ｂ）に示されたように−Ｚ’側の外部電極１５が接続電極１２７、１０７を介して水晶フレーム２０の裏面Ｍｉに形成された引出電極１０９と接続され、＋Ｚ’側の外部電極１５が接続電極１２７、１０７を介して水晶フレーム２０の表面Ｍｅに形成された引出電極１０９と接続される。ここで、−Ｚ’側の外部電極１５は封止ガラス膜ｇ４、ｇ６によって水晶フレーム２０の表面Ｍｅに形成された引出電極１０９と遮断され、封止ガラス膜ｇ５、ｇ７によって＋Ｚ’側の外部電極１５と遮断される。同様に、＋Ｚ’側の外部電極１５は封止ガラス膜ｇ４、ｇ６によって−Ｚ’側の外部電極１５と遮断され、封止ガラス膜ｇ５、ｇ７によって裏面Ｍｉに形成された引出電極１０９と遮断される。

したがって、外部電極１５に交番電圧（正負を交番する電位）を印加した時に、水晶フレーム２０は、励振電極１０２に交番電圧が印加されることによって厚みすべり振動する。また、第３実施形態において水晶フレーム２０は水晶振動部２１の外周に間隙部２３を形成しているが、間隙部２３が形成しなくてもよい。また、水晶振動部２１はメサ型または逆メサ型でもよい。

封止ガラス膜ｇ４〜ｇ７が３５０〜４００℃に加熱されリッド部１１Ｃとベース部１２Ｃとが水晶フレーム２０に押圧されると、リッド部１１Ｃと、水晶フレーム２０と、ベース部１２Ｃとが接合される。つまり、リッド部１１Ｃに形成された封止ガラス膜ｇ４が水晶フレーム２０の表面Ｍｅに形成された封止ガラス膜ｇ６が一体となり、ベース部１２Ｃに形成された封止ガラス膜ｇ５が水晶フレーム２０の裏面Ｍｉに形成された封止ガラス膜ｇ７と一体となる。これにより、リッド側凹部３１１と、枠部２２と、ベース側凹部３２１とは水晶振動部２１が収納されたキャビティＣＴを形成する。

ここで、クロム（Ｃｒ）は空気中で酸化などによって腐食される場合が多い。これに対応して、金（Ａｕ）は化学的に非常に高い耐腐食性を有している。このため、図１１（ｂ）に示されたようにクロム層同士（ｓ５及びｓ６、ｓ７及びｓ８、ｓ９及びｓ１０、ｓ１１及びｓ１２）の間に金層ｒ４〜ｒ７が形成されると、金層がクロム層の腐食を防止することができる。また、クロムの代わりに、タングステン、ニッケル又はチタン又はこれらの合金を使用してもよいし、金（Ａｕ）の代わりに銀（Ａｇ）を使用してもよい。

また、接着材である封止ガラスは耐水性・耐湿性に優れるので、空気中の水分がキャビティ内に進入したりキャビティ内の真空度を悪化させたりすることが防止できる。

また、第３実施形態ではリッド部１１Ｃと水晶フレーム２０と、及び水晶フレーム２０とベース部１２Ｃとが封止ガラス膜により接合されているが、リッド部１１Ｃと水晶フレーム２０とがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）により接合され水晶フレーム２０とベース部１２Ｃとが封止ガラス膜により接合されてもよい。同様に、リッド部１１Ｃと水晶フレーム２０とが封止ガラス膜により接合され、水晶フレーム２０とベース部１２Ｃとがシロキサン結合により接合されてもよい。

＜第３水晶振動子１００Ｃの製造方法＞
図１３は、第３水晶振動子１００Ｃの製造を示したフローチャートである。図１３において、リッド部１１Ｃの製造ステップＰ１１と、ベース部１２Ｃの製造ステップＰ１２と、水晶フレーム２０の製造ステップＰ１３とは別々に並行して行うことができる。また図１４は、第３実施形態のベースウエハ３２Ｗの平面図である。リッドウエハ３１Ｗは点線で示したベース貫通穴ＢＨが無い点でベースウエハ３２Ｗと異なる。

リッド部１１Ｃの製造ステップＰ１１は、第１実施形態で説明されたリッド部１１Ａの製造ステップＳ１１と同じである。
ベース部１２Ｃの製造ステップＰ１２は、第１実施形態で説明されたリッド部１１Ａの製造ステップＳ１１とほぼ同じである。但し、エッチングでベースウエハ３２Ｗにベース側凹部３２１を形成する同時に、図１４に示されたように各ベース部１２Ｃの角部にベースウエハ３２Ｗを貫通したベース貫通穴ＢＨが形成される。ベース貫通穴ＢＨが４分割されると１つのキャスタレーション１２５（図１０を参照）になる。また、金属膜（ｓ１１、ｒ７、ｓ１２）はフォトレジストを使ってエッチングすることで、図１２（ａ）に示された形状が形成される。

図１５のフローチャートは水晶フレーム２０の製造ステップＰ１３の詳細を示す。図１６は、第３実施形態の水晶ウエハ２０Ｗの平面図である。なお、第３水晶振動子１００Ｃの製造においてリッドウエハ３１Ｗと、水晶フレーム２０と、ベースウエハ３２Ｗとを接合した後に第３水晶振動子１００Ｃを単位として切断するので、図１５では切断する前の状態を示している。また、図１５のフローチャートの右図は、それぞれのステップにおける図１６の水晶ウエハ２０Ｗの一部を示している。なお、図１５の右図は水晶フレーム２０の表面Ｍｅを上向きとし、各水晶フレーム２０対しては図１０のＢ−Ｂ断面図に対応される。

ステップＰ１３１において、図１５（ａ）に示されたように、均一の水晶平板の水晶ウエハ２０Ｗ（図１６を参照）に、エッチングにより複数の水晶フレーム２０の外形が形成される。すなわち、水晶振動部２１と、枠部２２と、間隙部２３とが形成され、各水晶フレーム２０の四隅に図１６に示されたように水晶ウエハ２０Ｗを貫通するように水晶貫通穴ＣＨが形成される。水晶貫通穴ＣＨが４分割されると１つのキャスタレーション１０５（図１０を参照）になる。また、図１５（ａ）は２つの水晶フレーム２０を含んでいる水晶ウエハ２０Ｗで、一点鎖線が２つの水晶フレーム２０の限界である。以降の図１５（ｂ）〜（ｄ）でも同様である。

ステップＰ１３２において、図１５（ｂ）に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ２０Ｗの両面の全面にクロム層（図１０のｓ８、ｓ９及び励振電極１０２の下地に対応）、金層（図１０のｒ５、ｒ６及び励振電極１０２の金層に対応）及びクロム層（図１０のｓ７、ｓ１０に対応）が順に形成される。

ステップＰ１３３において、最も外側のクロム層（図１０のｓ７、ｓ１０に対応）全面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれたクロム層ｓ７及びｓ１０（図１０を参照）のパターンが水晶ウエハ２０Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した最外層であるクロム層（図１０のｓ７、ｓ１０に対応）のみがエッチングされる。これにより、図１５（ｃ）に示されたように、枠部２２の表面Ｍｅにクロム層ｓ７−金層ｒ５−クロム層ｓ８が順に形成され、表面Ｍｉにクロム層ｓ９−金層ｒ６−クロム層ｓ１０が順に形成される。

ステップＰ１３４において、再びフォトレジストを使ってエッチングすることで、図１６に示されたように水晶ウエハ２０Ｗの表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉに図１５（ｄ）に示されたように励振電極１０２及び引出電極１０９が形成される。
ステップＰ１３５において、スクリーン印刷で水晶ウエハ２０Ｗにおける枠部２２の両面に封止ガラス膜ｇ６、ｇ７が形成される。

図１３に戻り、ステップＰ１４において、封止ガラス膜ｇ４〜ｇ７が３５０℃〜４００℃程度に加熱されリッドウエハ３１Ｗと、水晶ウエハ２０Ｗと、ベースウエハ３２Ｗとが押圧されることで、リッドウエハ３１Ｗと、水晶ウエハ２０Ｗと、ベースウエハ３２Ｗとが接合される。

ステップＳ１５において、スパッタリングまたは真空蒸着によってベースウエハ３２Ｗの底面全面、ベース貫通穴ＢＨ及び水晶貫通穴ＣＨに０．０５μｍ〜０．１μｍのクロム（Ｃｒ）層を下地としてその表面に０．５μｍ〜２．０μｍの金（Ａｕ）層が形成される。

ステップＳ１６において、ベースウエハ３２Ｗの底面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた外部電極１５の外形パターンをベースウエハ３２Ｗの底面に露光される。次にフォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、ベースウエハ３２Ｗの底面に外部電極１５が形成され、ベース貫通穴ＢＨ及び水晶貫通穴ＣＨに接続電極１２７、１０７が形成される。

ステップＳ１７において、接合されたリッドウエハ３１Ｗとベースウエハ３２Ｗとを第３水晶振動子１００Ｃを単位として切断する工程が行われる。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図１４及び図１６に示された一点鎖線のカットラインＣＬに沿って第３水晶振動子１００Ｃを単位として個片化する。これにより、数百から数千の正確な周波数に調整された第３水晶振動子１００Ｃが製造される。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。たとえば、本発明は、圧電振動子以外にも、発振回路を組み込んだＩＣなどをキャビティ内に収容した圧電発振器にも適用できる。また、本明細書ではＡＴカット型の圧電振動片を一例として説明したが、一対の振動腕を有する音叉型の圧電振動片にも適用できる。

１０ … 水晶振動片
１１Ａ〜１１Ｃ … リッド部
１１Ｗ、３１Ｗ … リッドウエハ、 １２Ｗ、３２Ｗ … ベースウエハ、 ２０Ｗ … 水晶ウエハ
１２Ａ〜１２Ｃ … ベース部
１３ … 導電性接着剤
１４ … スルーホール
１５ … 外部電極
２０ … 水晶フレーム
１００Ａ〜１００Ｃ … 水晶振動子
１０１ … 水晶片、 １０２ … 励振電極
１１０Ａ、１１０Ｃ … リッド
１１１、３１１ … リッド側凹部、 １１２、３１２ … リッド側突起部
１２０Ａ、１２０Ｃ … ベース
１２１、３２１ … ベース側凹部、 １２２、３２２ … ベース側突起部
１４１、１０７、１２７ … 接続電極
ＢＨ、ＣＨ … 貫通穴
ＣＬ … カットライン
ＣＴ … キャビティ
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４ … 端面
ｇ１〜ｇ７ … 封止ガラス膜
ｒ１〜ｒ７ … 金層
ｓ１〜ｓ１２ … クロム層

Claims (6)

1. 電圧の印加により振動する圧電振動片と、
   前記圧電振動片が収納されるキャビティを形成するように、前記キャビティの外周に形成される第１接合面を有する第１板及び前記キャビティの外周に形成される第２接合面を有し前記第１板と接合する第２板と、を備え、
   前記第１接合面と前記第２接合面との間に、第１金属膜、この第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、前記第１金属膜、ガラス層、前記第１金属膜、前記第２金属膜及び前記第１金属膜が順に形成される圧電デバイス。
2. 電圧の印加により振動する圧電振動片と、
   前記圧電振動片が収納されるキャビティを形成するように、前記キャビティの外周に形成される第１接合面を有する第１板及び前記キャビティの外周に形成される第２接合面を有し前記第１板と接合する第２板と、を備え、
   前記第１接合面と前記第２接合面との間に、第１金属膜、ガラス層、前記第１金属膜、前記第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、前記第１金属膜、前記ガラス層及び前記第１金属膜が順に形成される圧電デバイス。
3. 電圧の印加により振動する圧電振動片とその圧電振動片を囲むように形成された枠体とを有する圧電振動板と、
   前記圧電振動片が収納されるキャビティを形成するように、前記キャビティの外周に形成される第１接合面を有し前記枠体と接合する第１板及び前記キャビティの外周に形成される第２接合面を有し前記枠体と接合する第２板と、を備え、
   前記第１接合面と前記枠体との間に、第１金属膜、この第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、前記第１金属膜、ガラス層、前記第１金属膜、前記第２金属膜及び前記第１金属膜が順に形成される圧電デバイス。
4. 電圧の印加により振動する圧電振動片とその圧電振動片を囲むように形成された枠体とを有する圧電振動板と、
   前記圧電振動片が収納されるキャビティを形成するように、前記キャビティの外周に形成される第１接合面を有し前記枠体と接合する第１板及び前記キャビティの外周に形成される第２接合面を有し前記枠体と接合する第２板と、を備え、
   前記第１接合面と前記枠体との間に、第１金属膜、ガラス層、前記第１金属膜、前記第１金属膜と異なる金属の第２金属膜、前記第１金属膜、前記ガラス層及び前記第１金属膜が順に形成される圧電デバイス。
5. 前記第１金属膜は、クロム、ニッケル、タングステン又はそれらの合金の一つからなり、
   前記第２金属膜は、金又は銀からなる請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
6. 前記ガラス層は、バナジウムを含んでいる請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の圧電デバイス。