JP5325151B2 - 水晶デバイス、及びその製造方法 - Google Patents
水晶デバイス、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5325151B2 JP5325151B2 JP2010080195A JP2010080195A JP5325151B2 JP 5325151 B2 JP5325151 B2 JP 5325151B2 JP 2010080195 A JP2010080195 A JP 2010080195A JP 2010080195 A JP2010080195 A JP 2010080195A JP 5325151 B2 JP5325151 B2 JP 5325151B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- crystal
- lid
- quartz
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 96
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 239
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 154
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 36
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GQWNECFJGBQMBO-UHFFFAOYSA-N Molindone hydrochloride Chemical compound Cl.O=C1C=2C(CC)=C(C)NC=2CCC1CN1CCOCC1 GQWNECFJGBQMBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0595—Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0428—Modification of the thickness of an element of an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0478—Resonance frequency in a process for mass production
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0485—Resonance frequency during the manufacture of a cantilever
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
<水晶振動子90aの全体構成>
第1実施形態では、厚みすべり振動する水晶片の一例として表面実装(SMD)型のATカット水晶フレーム10を有する水晶振動子90aについて説明する。図1に示される水晶振動子90aは、ウエハに形成される数百から数千の水晶振動子90aの1個を示した分解斜視図である。また図2は図1のA−A断面図を示している。なお、図2に示された1個の水晶振動子90aは周波数調整工程が終了した後の断面図である。
図3は、水晶振動子90aの製造に係わるフローチャートである。
ステップS11は、ベースウエハ200を形成する工程である。ベースウエハ200は水晶材料で均一平板に形成される。
ステップS111では公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術などとにより複数のベース貫通穴BHが形成される。
ステップS112では、同様にしてベースウエハ200に凹部21が形成される。なお、ATカット水晶振動部11が枠部12より薄い逆メサ型であれば、このステップS112は必ずしも必要でない。
ステップS121では、ATカット水晶ウエハ100に複数のU字型の間隙部13が形成される。
ステップS122では、複数のATカット水晶フレーム10の角部に水晶貫通穴CHが形成される。ここでも、間隙部13及び水晶貫通穴CHは公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術などとにより形成される。
ステップS123では、ATカット水晶ウエハ100に、スパッタ法などの手法でATカット水晶フレーム10に励振電極15及び引出電極16が同時に形成される。この場合のATカット水晶フレーム10の励振電極15は、周波数調整段階で逆スパッタにより励振電極15の厚みを薄くする処理を想定しているため、想定する周波数調整を行うことができる十分な厚みをもつ励振電極15を形成しておく。このため第1リッドウエハ300側の励振電極15が厚く形成される。
ステップS131では、第1リッド30aが複数形成された第1リッドウエハ300に公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術などとにより複数の開口部31が形成される。ここで、開口部31はATカット水晶フレーム10の励振電極15に相当する大きさに形成されている。
ステップS132では、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより第1リッドウエハ300に凹部32が形成される。なお、ATカット水晶振動部11が枠部12より薄い逆メサ型であれば、このステップS132は必ずしも必要でない。
ステップS11〜S14は、並行して作業が行われてもよい。
ステップS15では、第1接合工程が行われる。すなわち、ステップS11、ステップS12及びステップS13で形成されたベースウエハ200、ATカット水晶ウエハ100及び第1リッドウエハ300の順に重ね合わせて接合される。重ね合わせはオリエンテーションフラットOFを基準として行われ、精密な位置合せが行われる。また、第1接合工程の正確な位置あわせにより、ベースウエハ200のベース貫通穴BHと、ATカット水晶ウエハ100の水晶貫通穴CHとは、連続する貫通穴を形成することができる。ここで、いずれのウエハも水晶材料で形成しているためシロキサン結合で接合される。
第2実施形態で製造される水晶振動子90bにおいて、第2リッドウエハ400bは均一平板で構成され、第1実施形態で説明された第2リッドウエハ400aと同じ形状であり材質が異なっている。第2リッドウエハ400bは、パイレックス(登録商標)ガラス、ホウ珪酸ガラス及びソーダガラスなどを材料としており、これらはナトリウムイオンなどの金属イオンを含有するガラス部材である。以下は、第1実施形態と異なる点について説明し、同様の構成について同じ符号を用いる。
第3実施形態で製造される水晶振動子90cにおいて、第2リッドウエハ400cは第1実施形態で説明された第2リッドウエハ400aと同じ形状である。第2リッドウエハ400cは均一平板で構成され、材質は限定することなく金属膜の形成が可能な材質であればよいため、水晶材料、ガラス部材、セラミックなどを用いることができる。
第4実施形態で製造される水晶振動子90dは、第1実施形態ないし第3実施形態で示されたATカット水晶フレーム10でなく音叉型水晶振動フレーム50を使用している。図11に示される水晶振動子90dは、ウエハに形成される何百から何千の水晶振動子90dの1個を示した分解斜視図である。また図12は図11のB−B断面図を示している。第4実施形態の水晶振動子90dは、ベース20、音叉型水晶振動フレーム50、第1リッド30b、第2リッド40aで構成されている。
11 … ATカット水晶振動部
12、52 … 枠部
13 … 間隙部
14、55 … 接続部
15、57 … 励振電極
16、58 … 引出電極
17、22 … 貫通部
20 … ベース
21、32 … 凹部
24 … 外部電極
30a、30b … 第1リッド
31 … 開口部
33 … 接合領域
35 … 調整金属膜
40a、40b、40c … 第2リッド
45 … 第1接合金属膜
50 … 音叉型水晶振動フレーム
51 … 音叉型水晶振動部
53 … 振動腕
54 … 溝部
56 … 錘電極
65 … 第2接合金属膜
90a、90b、90c、90d … 水晶振動子
100 … ATカット水晶ウエハ
200 … ベースウエハ
300 … 第1リッドウエハ
400a、400b、400c … 第2リッドウエハ
A、B … 分割線
BH … ベース貫通穴
CH … 水晶貫通穴
CL … カットライン
OF … オリエンテーションフラット
Claims (9)
- 水晶振動片を有する水晶デバイスの製造方法において、
前記水晶振動片の表裏面に形成される電極と、前記水晶振動片を囲むようにして形成された枠体とを含む水晶フレームを複数有する水晶ウエハを用意する工程と、
前記枠体の一方の面に接合するベースを複数有するベースウエハを用意する工程と、
前記枠体の他方の面に接合し、接合した際に前記電極に重なる位置に形成された開口部を含む第1リッドを複数有する第1リッドウエハを用意する工程と、
前記第1リッドウエハと同じ大きさのウエハであり、前記第1リッドウエハに接合し前記開口部を封止する第2リッドウエハを用意する工程と、
前記水晶ウエハ、前記ベースウエハおよび前記第1リッドウエハを接合する第1接合工程と、
前記第1接合工程後に前記水晶振動片の振動周波数を測定し、この測定結果に基づいて前記開口部を介して前記電極の厚みを調整する調整工程と、
前記調整工程後に、前記第2リッドウエハを前記第1リッドウエハに接合する第2接合工程と、
前記水晶ウエハ、前記ベースウエハ、前記第1リッドウエハおよび前記第2リッドウエハが接合した状態で、個々の前記水晶デバイスに分割する工程と、を備え、
前記調整工程は、前記電極にスパッタにより調整金属膜を付加して前記振動周波数を下げ、
前記第2接合工程は、前記第2リッドウエハ側の前記第1リッドウエハに付加した調整金属膜を使って前記第2リッドウエハを前記第1リッドウエハに接合する水晶デバイスの製造方法。 - 前記水晶ウエハには前記枠体の外側に相当する位置に複数の水晶貫通穴が形成されており、
前記ベースウエハには前記水晶貫通穴と一致する位置に複数のベース貫通穴が形成されており、
前記第1接合工程と前記調整工程との間に、前記水晶貫通穴、前記ベースウエハおよび前記ベース貫通穴に導通金属膜を付けて外部電極を形成する外部電極形成工程を備える請求項1に記載の水晶デバイスの製造方法。 - 前記水晶振動片は、前記電極が表裏面に形成され厚みすべり振動モードの厚みすべり水晶振動片を含み、
前記開口部は前記電極の形状と同じ形状を有する請求項1又は請求項2に記載の水晶デバイスの製造方法。 - 前記水晶振動片は、先端に前記電極が形成された一対の振動腕を有する音叉型水晶振動片を含み、
前記開口部は前記先端に形成された電極の面積と同じ面積を有する請求項1又は請求項2に記載の水晶デバイスの製造方法。 - 表裏面に電極が形成された水晶振動片および該水晶振動片を囲む枠体を含む水晶フレームと、
一方の面に前記枠体の一面を固定するベース容器と、
水晶材料により形成され、一方の面に前記枠体の他面を固定し、前記水晶振動片を覆う覆い部、及び前記水晶振動片の他面に形成される前記電極の全体に全体が重なるように形成された開口部を有する第1リッドと、
前記覆い部と前記開口部とを合わせた大きさで、前記覆い部上の全面の調整金属膜と接合するとともに前記開口部を封止する第2リッドと、を備え、
前記覆い部上の調整金属膜と前記電極とが導通していない水晶デバイス。
- 前記第2リッドは、前記第1リッドと接合する面に前記開口部を囲むように形成された第1接合金属膜を有し、
前記覆い部上に形成された調整金属膜と前記第1接合金属膜とが接合する請求項5に記載の水晶デバイス。 - 前記第2リッドは金属イオンを含むガラス板からなり、
前記覆い部上に形成された調整金属膜と前記ガラス板とが接合する請求項5に記載の水晶デバイス。 - 前記水晶振動片は、前記電極が表裏面に形成され厚みすべり振動モードの厚みすべり水晶振動片を含み、
前記開口部は前記電極の面積とほぼ同じ面積を有する請求項5から請求項7のいずれか一項に記載の水晶デバイス。 - 前記水晶振動片は、先端に前記電極が形成された一対の振動腕を有する音叉型水晶振動片を含み、
前記開口部は前記先端に形成された電極の面積とほぼ同じ面積を有する請求項5から請求項7のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010080195A JP5325151B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 水晶デバイス、及びその製造方法 |
US13/075,121 US8319404B2 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-29 | Surface-mountable quartz-crystal devices and methods for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010080195A JP5325151B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 水晶デバイス、及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011216940A JP2011216940A (ja) | 2011-10-27 |
JP2011216940A5 JP2011216940A5 (ja) | 2012-03-08 |
JP5325151B2 true JP5325151B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=44708792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010080195A Expired - Fee Related JP5325151B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 水晶デバイス、及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8319404B2 (ja) |
JP (1) | JP5325151B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012060628A (ja) * | 2010-08-07 | 2012-03-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP5588784B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-09-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
JP2013012977A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP2014110369A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Seiko Epson Corp | ベース基板、振動子、発振器、センサー、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
US9887687B2 (en) * | 2015-01-28 | 2018-02-06 | Analog Devices Global | Method of trimming a component and a component trimmed by such a method |
US10466194B2 (en) * | 2015-02-13 | 2019-11-05 | Drexel University | Piezoelectric biochips having fluidic channels |
CN105634436A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-06-01 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种具有圆形晶片结构的石英晶体谐振器及其制作方法 |
CN116248068B (zh) * | 2022-09-28 | 2024-03-08 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种超高频at切石英晶片及制造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH655423GA3 (ja) * | 1984-02-15 | 1986-04-30 | ||
JPS62109415A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子の周波数調整方法 |
JPH06224677A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子の周波数調整方法 |
JPH08293753A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電振動子およびその製造方法 |
JP3543310B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2004-07-14 | 株式会社大真空 | 表面実装型圧電フィルタおよびその製造方法 |
JPH10284971A (ja) | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動子とその製造方法 |
JP3937627B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2007-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | 水晶振動子及びその製造方法 |
JP3911943B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子及び圧電振動子の周波数調整方法 |
JP2001267875A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子及びその製造方法 |
US6787970B2 (en) * | 2003-01-29 | 2004-09-07 | Intel Corporation | Tuning of packaged film bulk acoustic resonator filters |
JP2006157369A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子パッケージの製造方法 |
KR100909817B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2009-07-28 | 쿄세라 코포레이션 | 압전 부품 및 그 제조 방법 |
JP2006311393A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子の製造方法 |
JP2007258918A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス |
JP2007274104A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
WO2008102900A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | パッケージ型圧電振動子及びパッケージ型圧電振動子の製造方法 |
JP2010041550A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスとその製造方法 |
JP5134045B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2013-01-30 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2012060628A (ja) * | 2010-08-07 | 2012-03-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP5595196B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-09-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
JP5731880B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2015-06-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP5595218B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-09-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法 |
JP2012156978A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-08-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Atカットの水晶振動片、水晶デバイス及び水晶振動片の製造方法 |
JP5657400B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2015-01-21 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
-
2010
- 2010-03-31 JP JP2010080195A patent/JP5325151B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-29 US US13/075,121 patent/US8319404B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110241491A1 (en) | 2011-10-06 |
JP2011216940A (ja) | 2011-10-27 |
US8319404B2 (en) | 2012-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5325151B2 (ja) | 水晶デバイス、及びその製造方法 | |
JP4008258B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JP6017189B2 (ja) | 圧電振動片及び圧電デバイス | |
US8702891B2 (en) | Method for manufacturing glass-sealed package, apparatus for manufacturing glass-sealed package, and oscillator | |
US8269568B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator, and oscillator | |
WO2010079803A1 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP3989663B2 (ja) | 圧電振動子と圧電振動子の製造方法 | |
JP3887137B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
US8742651B2 (en) | Piezoelectric vibrating pieces and piezoelectric devices comprising same, and methods for manufacturing same | |
US10523173B2 (en) | Quartz crystal resonator and method for manufacturing the same, and quartz crystal resonator unit and method for manufacturing the same | |
JP2009165006A (ja) | 圧電振動片、圧電デバイス及び音叉型圧電振動子の周波数調整方法 | |
JP2009164775A (ja) | 圧電フレーム及び圧電デバイス | |
JP2013172368A (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP2004254238A (ja) | 圧電デバイスとその製造方法ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 | |
JP5090836B2 (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
US8624470B2 (en) | Piezoelectric devices including electrode-less vibrating portions | |
JP2013229645A (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
CN112970195B (zh) | 振子和振子的制造方法 | |
JP7307397B2 (ja) | 振動素子、振動子及び振動素子の製造方法 | |
WO2023286327A1 (ja) | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 | |
JP5128381B2 (ja) | 圧電デバイスとその製造方法 | |
JP4907728B2 (ja) | 圧電デバイスの周波数調整方法 | |
JP2012195918A (ja) | 圧電デバイス | |
JP2014192802A (ja) | 圧電振動片、圧電振動片の製造方法、及び圧電デバイス | |
WO2019059247A1 (ja) | 圧電振動素子の製造方法及び圧電振動子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120124 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130719 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |