JP2012006040A - Pulse laser machining method - Google Patents
Pulse laser machining method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012006040A JP2012006040A JP2010143894A JP2010143894A JP2012006040A JP 2012006040 A JP2012006040 A JP 2012006040A JP 2010143894 A JP2010143894 A JP 2010143894A JP 2010143894 A JP2010143894 A JP 2010143894A JP 2012006040 A JP2012006040 A JP 2012006040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse laser
- scanning
- pulse
- workpiece
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
Description
本発明は、レーザビームを使用したレーザ加工方法に係り、詳しくは高分子材料表面の微細加工およびその高速化を容易にするパルスレーザ加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing method using a laser beam, and more particularly to a pulse laser processing method that facilitates fine processing of the surface of a polymer material and speeding up of the processing.
近年、例えば液晶パネルのようなフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）は、その大型化に伴い例えばμｍオーダーあるいはそれ以下の高精度の微細加工が大面積の領域に施された部材を必要としてきている。そして、従来の機械加工では作製が難しい、シート作成用大型ロール金型、止まり溝や深いマイクロレンズ等の微細形状をもつ金型、難削材等の微細加工について種々に検討されている。 In recent years, flat panel displays (FPDs) such as liquid crystal panels, for example, require members having high-precision microfabrication on a large area, for example, on the order of μm or less, with an increase in size. Various studies have been made on a large roll mold for sheet production, a mold having a fine shape such as a blind groove and a deep microlens, and micromachining of difficult-to-cut materials, which are difficult to produce by conventional machining.
一方、パルス幅がピコ秒（ｐｓ）オーダー以下になる超短パルスレーザを用いたアブレーション加工により、例えば金属表面に１μｍ以下の微細パターンを容易に形成できることがよく知られている。そして、これまで、この超短パルスレーザ加工により、樹脂を含む高分子材、半導体材、ガラス材、金属材等からなる被加工物の表面を加工する技術について種々の方法が提示されている（例えば、特許文献１参照）。 On the other hand, it is well known that, for example, a fine pattern of 1 μm or less can be easily formed on a metal surface by ablation processing using an ultrashort pulse laser having a pulse width of picosecond (ps) order or less. And so far, various methods have been proposed for techniques for processing the surface of a workpiece made of a polymer material containing a resin, a semiconductor material, a glass material, a metal material, etc. by this ultrashort pulse laser processing ( For example, see Patent Document 1).
ここで、特許文献１に示されているレーザ加工において大面積の領域を微細加工する場合には、ステージに保持した被加工物をＸ−Ｙ方向の２次元方向に広い範囲に移動走査する必要がある。しかし、この場合の微細加工の速度はステージ移動の速度に律速されるためにその高速化が難しくなる。なお、この遅いステージ移動に同期させるために、レーザ発振器から出射するパルスレーザビーム（以下、パルス光ともいう）に対して高速シャッタリングが施されてパルス周波数（以下、繰り返し周波数ともいう）が低く変調される。 Here, when a large area is to be finely processed in the laser processing disclosed in Patent Document 1, it is necessary to move and scan the workpiece held on the stage over a wide range in the two-dimensional direction in the XY direction. There is. However, since the speed of fine processing in this case is limited by the speed of stage movement, it is difficult to increase the speed. In order to synchronize with this slow stage movement, the pulse laser beam (hereinafter also referred to as pulsed light) emitted from the laser oscillator is subjected to high-speed shuttering to reduce the pulse frequency (hereinafter also referred to as repetition frequency). Modulated.
また、レーザ加工においてレーザビームを例えばガルバノメータ・スキャナのようなビーム走査手段によりＸ−Ｙ方向に２次元走査して所要領域を微細加工する技術がある（例えば、特許文献２参照）。しかし、現状技術にあっては、この場合のパルス光の２次元走査は、その照射スポットの位置決め精度が１０μｍ以上になり、パルスレーザビームを用いたアブレーションによる微細加工への適用が難しい状況にある。 In laser processing, there is a technique in which a laser beam is two-dimensionally scanned in the XY direction by a beam scanning unit such as a galvanometer scanner to finely process a required region (see, for example, Patent Document 2). However, in the present state of the art, the two-dimensional scanning of pulsed light in this case has a positioning accuracy of the irradiation spot of 10 μm or more, and it is difficult to apply to fine processing by ablation using a pulsed laser beam. .
また、パルスレーザビームを用いた高分子材料の微細加工においては、一つの加工形状にレーザ光を連続照射するベクトルスキャン制御を行うと、加工ワーク内に発熱や蓄熱が生ずる。このため、ガラス転移温度（Ｔｇ点）の低い高分子材料では、溶融状態が発生し、加工形状の品質や精度に問題が生じる。 Further, in the microfabrication of a polymer material using a pulsed laser beam, if vector scan control is performed in which a laser beam is continuously irradiated onto one machining shape, heat generation or heat storage occurs in the workpiece. For this reason, in a polymer material having a low glass transition temperature (Tg point), a molten state is generated, causing a problem in the quality and accuracy of the processed shape.
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、パルスレーザビームを用いた高分子材料の加工において、ラスタスキャン制御することにより、高分子材料表面の安定した微細加工とその高速化を可能にするパルスレーザ加工方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and in the processing of a polymer material using a pulse laser beam, stable fine processing of the surface of the polymer material and its speed increase are possible by controlling the raster scan. An object of the present invention is to provide a pulse laser processing method.
本発明の一態様のパルスレーザ加工方法は、高分子材料の被加工物の加工方法であって、基準クロック発振回路によりクロック信号を発生し、前記クロック信号に同期したパルスレーザビームをレーザ発振器より出射し、前記クロック信号に同期してパルスピッカーにより前記パルスレーザビームの通過と遮断を切り替え、前記クロック信号に同期してレーザ・スキャナーにより前記パルスレーザビームを前記被加工物表面に１次元方向に走査し、前記１次元方向に前記パルスレーザビームを走査した後に、前記１次元方向に直交する方向に前記被加工物を移動して、更に前記クロック信号に同期して前記レーザ・スキャナーにより通過と遮断を切り替えて前記パルスレーザビームを前記被加工物表面に前記１次元方向に走査することを特徴とする。 A pulse laser processing method of one embodiment of the present invention is a processing method of a workpiece made of a polymer material, wherein a clock signal is generated by a reference clock oscillation circuit, and a pulse laser beam synchronized with the clock signal is generated from a laser oscillator. The pulse laser beam is switched between passing and blocking by a pulse picker in synchronization with the clock signal, and the pulse laser beam is applied to the workpiece surface in a one-dimensional direction by a laser scanner in synchronization with the clock signal. After scanning and scanning the pulse laser beam in the one-dimensional direction, the workpiece is moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction, and further passed by the laser scanner in synchronization with the clock signal. The pulse laser beam is scanned in the one-dimensional direction on the surface of the workpiece by switching the interruption. To.
上記態様において、前記レーザ・スキャナーからの走査位置信号に基づき、走査毎の加工原点位置を補正することが望ましい。 In the above aspect, it is desirable to correct the processing origin position for each scanning based on the scanning position signal from the laser scanner.
上記態様において、前記走査毎の加工原点位置の補正は、前記走査位置信号に基づき、前記パルスピッカーにおける前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することによることが望ましい。 In the above aspect, it is preferable that the correction of the processing origin position for each scan is performed by controlling passage and blocking of the pulse laser beam in the pulse picker based on the scan position signal.
上記態様において、前記レーザ・スキャナーの走査位置信号に基づいて、前記１次元方向に直交する方向の前記被加工物の移動制御がされることが望ましい。 In the above aspect, it is desirable that movement control of the workpiece in a direction orthogonal to the one-dimensional direction is performed based on a scanning position signal of the laser scanner.
上記態様において、前記パルスレーザビームを整形することが望ましい。 In the above aspect, it is desirable to shape the pulse laser beam.
上記態様において、前記レーザビームスキャナによる前記パルスレーザビームの前記１次元方向の走査と、前記走査に続く前記１次元方向に直交する方向の被加工物の移動を交互に繰り返すことで、前記被加工物を加工することが望ましい。 In the above aspect, the processing by alternately repeating scanning in the one-dimensional direction of the pulse laser beam by the laser beam scanner and movement of the workpiece in a direction orthogonal to the one-dimensional direction following the scanning. It is desirable to process the object.
上記態様において、前記レーザ・スキャナーの走査と前記ステージの移動により前記被加工物の表面の同一箇所を複数回加工することが望ましい。 In the above aspect, it is preferable that the same portion of the surface of the workpiece is processed a plurality of times by scanning the laser scanner and moving the stage.
上記態様において、前記被加工物の表面の加工は前記パルスレーザビームによるアブレーションによることが望ましい。 In the above aspect, the processing of the surface of the workpiece is preferably performed by ablation with the pulse laser beam.
上記態様において、前記レーザ・スキャナーはガルバノメータ・スキャナにより構成され、前記パルスピッカーは音響光学素子（ＡＯＭ）あるいは電気光学素子（ＥＯＭ）により構成されていることが望ましい。 In the above aspect, it is preferable that the laser scanner is constituted by a galvanometer scanner, and the pulse picker is constituted by an acousto-optic element (AOM) or an electro-optic element (EOM).
上記態様において、前記被加工物がステージ上に載置され、前記ステージの移動により、前記１次元方向に直交する方向に前記被加工物を移動することが望ましい。 In the above aspect, it is preferable that the workpiece is placed on a stage, and the workpiece is moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction by moving the stage.
上記態様において、前記被加工物が金属ロールに巻き取られたフィルムであり、前記金属ロールの回転により、前記１次元方向に直交する方向に前記被加工物を移動することが望ましい。 In the above aspect, it is preferable that the workpiece is a film wound around a metal roll, and the workpiece is moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction by the rotation of the metal roll.
上記態様において、前記被加工物が熱可塑性樹脂であることが望ましい。 In the above aspect, it is desirable that the workpiece is a thermoplastic resin.
本発明によれば、パルスレーザビームを用いた高分子材料の加工において、ラスタスキャン制御することにより、高分子材料表面の安定した微細加工とその高速化を可能にするパルスレーザ加工方法を提供するが可能になる。 According to the present invention, there is provided a pulse laser processing method that enables stable fine processing of a polymer material surface and high-speed processing thereof by performing raster scan control in processing of a polymer material using a pulse laser beam. Is possible.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
本実施形態のパルスレーザ加工方法は、高分子材料の被加工物の加工方法であって、基準クロック発振回路によりクロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームをレーザ発振器より出射し、クロック信号に同期してパルスピッカーによりパルスレーザビームの通過と遮断を切り替え、クロック信号に同期してレーザ・スキャナーによりパルスレーザビームを被加工物表面に１次元方向に走査し、上記１次元方向に前記パルスレーザビームを走査した後に、上記１次元方向に直交する方向に被加工物を移動して、更に前記クロック信号に同期してレーザ・スキャナーにより通過と遮断を切り替えてパルスレーザビームを被加工物表面に上記１次元方向に走査する。 The pulse laser processing method of this embodiment is a processing method of a workpiece of a polymer material, which generates a clock signal by a reference clock oscillation circuit, emits a pulse laser beam synchronized with the clock signal from a laser oscillator, The pulse picker switches between passing and blocking of the pulse laser beam in synchronization with the clock signal, and the pulse laser beam is scanned in one-dimensional direction on the workpiece surface by the laser scanner in synchronization with the clock signal. After scanning the pulse laser beam, the workpiece is moved in a direction perpendicular to the one-dimensional direction, and the pulse laser beam is processed by switching between passing and blocking by a laser scanner in synchronization with the clock signal. The object surface is scanned in the one-dimensional direction.
上記構成により、同一のクロック信号に同期して、パルスレーザビームの出射、パルスレーザビームの走査、パルスレーザビームの通過と遮断を制御することが可能となる。すなわち、パルスレーザ加工装置におけるレーザ系と走査系との同期が、容易かつ高精度にとれる。また、走査系にレーザ・スキャナーを用いることで加工の高速化が図れる。したがって、パルスレーザビームを用いた加工において、その照射スポットの位置決め精度を向上させることが可能である。 With the above configuration, it is possible to control the emission of the pulse laser beam, the scanning of the pulse laser beam, and the passage and blocking of the pulse laser beam in synchronization with the same clock signal. That is, the laser system and the scanning system in the pulse laser processing apparatus can be easily and accurately synchronized. Also, the processing speed can be increased by using a laser scanner in the scanning system. Therefore, it is possible to improve the positioning accuracy of the irradiation spot in processing using a pulse laser beam.
また、ガラス転移温度（Ｔｇ点）が金属等に比べ、低く熱に対する耐性の低い高分子材料であっても、ラスタスキャン制御によるアブレーション加工により、熱の影響を最小化した非熱加工が実現できる。よって、被加工物である高分子材料表面の安定した微細加工とその高速化を可能にするパルスレーザ加工装置が実現される。 In addition, even if the glass transition temperature (Tg point) is lower than that of metals or the like and is a polymer material that is less resistant to heat, non-thermal processing with minimal heat effects can be realized by ablation processing by raster scan control. . Therefore, a pulse laser processing apparatus is realized that enables stable fine processing of the surface of the polymer material, which is a workpiece, and speeding up the processing.
図１１は、ベクトルスキャン制御による金属材料の加工形状を示す。図１２は、ラスタスキャン制御による金属材料の加工形状を示す。ここで、金属材料はＣｕである。 FIG. 11 shows a processed shape of a metal material by vector scan control. FIG. 12 shows a processed shape of a metal material by raster scan control. Here, the metal material is Cu.
図１１、図１２ともに一つの加工パターンは１００μｍ角の凹部である。図１１に示すように、ベクトルスキャン制御により、パターンを一つ一つ加工した場合には、蓄熱の影響によりパターンの外縁の凹凸が激しくなる。一方、ラスタスキャン制御により、被加工物上を、一次元的にパルスレーザビームをオンオフして照射することで、蓄熱の影響が最小化されパターンの外縁が極めて滑らかに加工ができることになる。 11 and 12, one processing pattern is a 100 μm square recess. As shown in FIG. 11, when the patterns are processed one by one by the vector scan control, the unevenness of the outer edge of the pattern becomes intense due to the effect of heat storage. On the other hand, by irradiating the workpiece with the pulse laser beam on and off one-dimensionally by raster scan control, the influence of heat storage is minimized and the outer edge of the pattern can be processed extremely smoothly.
このように、ガラス転移温度（Ｔｇ点）が高い金属においてすら、ラスタスキャン制御による加工が極めて有効であることがわかる。 Thus, it can be seen that even a metal having a high glass transition temperature (Tg point) is extremely effective in processing by raster scan control.
また、ベクトルスキャン制御では、一つ一つのパターン毎に加工するため、パルスレーザビームの加減速に要する時間が長くなる。これに対しラスタスキャン制御によれば、一次元的なパルスレーザビームの走査により加工するため、パルスレーザビームの加減速に要する時間が極めて短くなり、生産性を大幅に向上できる。 Further, in vector scan control, since each pattern is processed, the time required for acceleration / deceleration of the pulse laser beam becomes longer. On the other hand, according to the raster scan control, since processing is performed by one-dimensional pulse laser beam scanning, the time required for acceleration / deceleration of the pulse laser beam is extremely shortened, and productivity can be greatly improved.
本実施の形態で被加工物となる高分子材料は、例えば、熱可塑性樹脂であり、より具体的には、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）、ＣＯＣ（環状オレフィン・コポリマー）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等が挙げられる。 The polymer material to be processed in the present embodiment is, for example, a thermoplastic resin, and more specifically, PI (polyimide), PEEK (polyether ether ketone), PMMA (polymethyl methacrylate), Examples include COC (cyclic olefin copolymer), PET (polyethylene terephthalate), and PC (polycarbonate).
図１は、本実施の形態のパルスレーザ加工方法で用いられる。パルスレーザ加工装置の一例を示す概略構成図である。図１に示すように、本実施形態のパルスレーザ加工装置１０は、その主要な構成として、レーザ発振器であるパルスレーザ発振装置１１、ビーム遮蔽装置１２、ビーム整形装置１３、ビーム走査装置（レーザ・スキャナー）１４、Ｘ−Ｙステージ移動装置１５および加工制御部１６を備えている。ここで、Ｘ−Ｙステージ移動装置１５上に被加工物である例えば高分子材料のワークＷが載置される。 FIG. 1 is used in the pulse laser processing method of the present embodiment. It is a schematic block diagram which shows an example of a pulse laser processing apparatus. As shown in FIG. 1, a pulse laser processing apparatus 10 according to the present embodiment includes, as main components, a pulse laser oscillation apparatus 11, a beam shielding apparatus 12, a beam shaping apparatus 13, and a beam scanning apparatus (laser A scanner 14, an XY stage moving device 15, and a processing control unit 16. Here, a workpiece W made of, for example, a polymer material, which is a workpiece, is placed on the XY stage moving device 15.
また、パルスレーザ加工装置１０には、クロック信号を発生する基準クロック発振回路（図示せず）が備えられている。この基準クロック発振回路は、例えば、加工制御部１６に設けられている。 Further, the pulse laser processing apparatus 10 is provided with a reference clock oscillation circuit (not shown) that generates a clock signal. This reference clock oscillation circuit is provided in, for example, the processing control unit 16.
パルスレーザ発振装置１１は、超短パルスであるｐｓレーザビームあるいはフェムト秒（ｆｓ）レーザビームを発振するものが好適である。ここで、レーザ波長は被加工物の光吸収率、光反射率等を考慮して選択される。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波（波長：５３２ｎｍ）が好適である。 The pulse laser oscillator 11 preferably oscillates a ps laser beam or a femtosecond (fs) laser beam which is an ultrashort pulse. Here, the laser wavelength is selected in consideration of the light absorptivity, light reflectance, etc. of the workpiece. For example, a second harmonic (wavelength: 532 nm) of an Nd: YAG laser is suitable.
パルスレーザビームのパルス幅は、高分子材料に対する熱的な影響を最小化するために、１５ｐｓ以下であることが好ましく、１０ｐｓ以下であることがより望ましい。 The pulse width of the pulse laser beam is preferably 15 ps or less, and more preferably 10 ps or less, in order to minimize the thermal influence on the polymer material.
このＹＡＧレーザでは、いわゆるＱスイッチにより所定のパルス周波数のパルス光が活性媒質であるＹＡＧロッドから生成される。そして、その基本波の波長１０６４ｎｍのパルス光は、例えばＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）やＬｉＢ３Ｏ５（ＬＢＯ）、ＢＢＯ（β−ＢａＢ２Ｏ４）等の波長変換結晶を通過して例えばＰ偏光の第２高調波に波長変換される。また、パルス周波数は例えば５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ程度に設定される。 In this YAG laser, pulse light having a predetermined pulse frequency is generated from a YAG rod which is an active medium by a so-called Q switch. Then, the pulse light of the fundamental wave having a wavelength of 1064 nm passes through a wavelength conversion crystal such as KTiOPO 4 (KTP), LiB 3 O 5 (LBO), BBO (β-BaB 2 O 4 ), for example, and is, for example, P-polarized light. The wavelength is converted to the second harmonic. The pulse frequency is set to about 50 kHz to 500 kHz, for example.
上記ＹＡＧレーザ発振器において、基本波を生成するための活性媒質として、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の他にＮｄ：ＹＬＦ結晶、Ｎｄ：ＹＶＯ４結晶、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶等を使用することができる。また、基本波の第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＹＡＧレーザ発振器であってもよい。但し、この場合、レーザビームの空気中での吸収減衰を低減させるためにその光路を減圧にすることが必要になる。 In the YAG laser oscillator, an Nd: YLF crystal, Nd: YVO 4 crystal, Yb: YAG crystal, or the like can be used as an active medium for generating a fundamental wave in addition to the Nd: YAG crystal. Alternatively, a YAG laser oscillator of the third harmonic (wavelength: 355 nm) of the fundamental wave may be used. In this case, however, it is necessary to reduce the pressure of the optical path in order to reduce the absorption attenuation of the laser beam in the air.
ビーム遮蔽装置１２は、パルスレーザ発振装置１１とビーム走査装置１４との間の光路に設けられる。ビーム遮蔽装置１２は、いわゆるパルスピッカーを備えている。そして、基準クロック発振回路で発生されるクロック信号に同期したパルスピッカー駆動信号によりパルスレーザ発振装置１１から一定の周波数で出射するパルスレーザビームを遮断／通過させて所要のパルスレーザビームを抽出する。これにより、その詳細は後述するようにパルスレーザビームのパルス周波数変調がなされる。 The beam shielding device 12 is provided in the optical path between the pulse laser oscillation device 11 and the beam scanning device 14. The beam shielding device 12 includes a so-called pulse picker. Then, a pulse laser beam emitted from the pulse laser oscillator 11 at a constant frequency is blocked / passed by a pulse picker driving signal synchronized with a clock signal generated by the reference clock oscillation circuit, and a required pulse laser beam is extracted. As a result, the pulse frequency of the pulse laser beam is modulated as will be described in detail later.
このビーム遮蔽装置１２におけるパルスレーザビームの高速シャッタリングのために、図２で説明するような音響光学素子（ＡＯＭ）が好適に使用される。例えば圧電素子と音響素子を備える超音波発振部１７と音波吸収部１８との間で超音波１９が生成されるようになっている。ここで、パルスピッカー制御装置１２ａからパルスピッカー駆動信号３２が超音波発生制御部２０に与えられる。そして、この超音波発生制御部２０が超音波発振のＯＮ／ＯＦＦを制御し、上記圧電素子を駆動する所定のパルス電圧を超音波発振部１７に与える。 For high-speed shuttering of the pulse laser beam in the beam shielding device 12, an acousto-optic element (AOM) as described with reference to FIG. 2 is preferably used. For example, an ultrasonic wave 19 is generated between an ultrasonic wave oscillating unit 17 including a piezoelectric element and an acoustic element and a sound wave absorbing unit 18. Here, the pulse picker driving signal 32 is given to the ultrasonic wave generation control unit 20 from the pulse picker control device 12a. The ultrasonic wave generation control unit 20 controls ON / OFF of the ultrasonic oscillation, and gives a predetermined pulse voltage for driving the piezoelectric element to the ultrasonic oscillation unit 17.
このようなビーム遮蔽装置１２により、パルスレーザ発振装置１１から出射したパルスレーザビームＰＬ１は、上記パルスピッカー駆動信号３２に基づく超音波発振のＯＮ状態において超音波１９のフォノンエネルギーを受け、そのフォトン周波数（ω）が（ω＋Ω）に増加し波長変調が生じる。そして、このＯＮ状態においてパルスレーザビームＰＬ１は回折散乱されシャッタリングされる。このようにして、パルスレーザビームＰＬ１はパルス周波数変調を受けて図１に示すようにパルスレーザビームＰＬ２になってビーム整形装置１３に入射するようになる。 Such beam shielding device 12, a pulse laser beam PL 1 emitted from the pulse laser oscillator 11 receives the phonon energy of the ultrasonic 19 in the ON state of the ultrasound oscillation based on the pulse picker drive signal 32, the photon The frequency (ω) increases to (ω + Ω) and wavelength modulation occurs. Then, the pulse laser beam PL 1 in this ON state is shuttering is diffraction scattering. In this way, the pulse laser beam PL 1 is subjected to pulse frequency modulation and becomes a pulse laser beam PL 2 as shown in FIG. 1 and enters the beam shaping device 13.
このビーム遮蔽装置１２には、その他に、例えば電気信号のＯＮ／ＯＦＦに従いビームを素通／回折散乱させるラマン回折型の電気光学素子（ＥＯＭ）等を使用することができる。 In addition to this, for example, a Raman diffraction type electro-optic element (EOM) that allows the beam to pass through / diffuse and scatter according to ON / OFF of an electric signal can be used for the beam shielding device 12.
ビーム整形装置１３は、入射したパルスレーザビームＰＬ２のビーム径を一定の倍率で拡大するビームエキスパンダを有する。このビームエキスパンダは周知の例えば２つの光学レンズがビームの光路上に配置されて構成される。ここで、このビームエキスパンダを通ったパルスレーザビームＰＬ２は平行光にコリメートされる。 Beam shaping device 13 includes a beam expander for expanding the beam diameter of the pulsed laser beam PL 2 which is incident at a certain magnification. This beam expander is configured by, for example, two well-known optical lenses arranged on the beam optical path. Here, pulsed laser beam PL 2 passing through the beam expander is collimated into parallel light.
また、ビーム断面の光強度分布を均一にし、断面形状を円形にする光学素子が備えられていてもよい。このような光学素子としては、例えば２つの非球面ホモジナイザ等が使用できる。平凸シリンドリカルを互いに直交するように光路上に配置されて構成される。 Further, an optical element may be provided that makes the light intensity distribution of the beam cross section uniform and makes the cross section circular. As such an optical element, for example, two aspherical homogenizers can be used. The plano-convex cylindrical are arranged on the optical path so as to be orthogonal to each other.
また、ビームを円偏光にする光学素子が備えられていてもよい。例えば、ＹＡＧレーザの第２高調波が直線偏光のＰ偏光の場合、例えば１／４波長板を介して円偏光になるようにする。 Further, an optical element that makes the beam circularly polarized light may be provided. For example, when the second harmonic of the YAG laser is linearly polarized P-polarized light, it is made circularly polarized through, for example, a quarter-wave plate.
また、ビーム断面の光強度分布を例えばガウス分布等の所要の分布にする光学素子、ビーム成形用アパーチャー等を光路上に配置してもよい。上記のようなビーム整形装置１３により所要の形状に整形されたパルスレーザビームＰＬ３はビーム走査装置１４に入射するようになっている。 Further, an optical element, a beam shaping aperture, or the like that makes the light intensity distribution of the beam cross section a required distribution such as a Gaussian distribution may be disposed on the optical path. The pulse laser beam PL 3 shaped into a required shape by the beam shaping device 13 as described above is incident on the beam scanning device 14.
ビーム走査装置１４は、パルスレーザビームＰＬ３を１次元方向（Ｘ軸方向）のみに一定の速度で１次元走査する構造になっている。このような１次元ビーム走査を行う好適なビーム走査装置１４としては、例えば１軸スキャン・ミラーを備えたガルバノメータ・スキャナが挙げられる。 Beam scanning device 14 is adapted a pulsed laser beam PL 3 in structure to one-dimensional scanning at a constant speed only in one-dimensional direction (X axis direction). As a suitable beam scanning device 14 for performing such one-dimensional beam scanning, for example, a galvanometer scanner provided with a uniaxial scanning mirror can be cited.
このガルバノメータ・スキャナからなるビーム走査装置１４の基本構成について図３および図４を参照して説明する。ガルバノメータ・スキャナは、１軸スキャン・ミラー２１、このスキャン・ミラー２１の固定の振れ角範囲の回転振動（首振り）に従い全反射するパルスレーザビームＰＬ３を、図３の矢印の角度で走査するガルバノメータ２２を有している。ここで、ガルバノメータ２２は、例えば走査角センサ２４からのフィードバックによるサーボ制御モータのようなスキャン・ミラー回転の駆動機構を備えており、スキャナ制御部２３からの駆動信号により駆動制御されるようになっている。 A basic configuration of the beam scanning device 14 including the galvanometer scanner will be described with reference to FIGS. The galvanometer scanner scans the pulse laser beam PL 3 that is totally reflected in accordance with the rotational vibration (swing) of the single-axis scanning mirror 21 and the fixed deflection angle range of the scanning mirror 21 at the angle of the arrow in FIG. A galvanometer 22 is provided. Here, the galvanometer 22 is provided with a scanning mirror rotation driving mechanism such as a servo control motor based on feedback from the scanning angle sensor 24, for example, and is driven and controlled by a driving signal from the scanner control unit 23. ing.
このビーム走査装置１４には、走査角センサ２４が備えられ、ガルバノメータ・スキャナの場合には、その１軸スキャン・ミラー２１の回転位置をロータリエンコーダ等によって検出する構造になっている。そして、走査角センサ２４は、検出した走査角検出信号をスキャナ制御部２３に送り、ガルバノメータ２２の駆動制御用として使用し、更に走査角信号３４として加工制御部１６に送信する。 The beam scanning device 14 includes a scanning angle sensor 24. In the case of a galvanometer scanner, the beam scanning device 14 is configured to detect the rotational position of the uniaxial scanning mirror 21 by a rotary encoder or the like. Then, the scanning angle sensor 24 sends the detected scanning angle detection signal to the scanner control unit 23, uses it for driving control of the galvanometer 22, and further transmits it as a scanning angle signal 34 to the processing control unit 16.
そして、上記１軸スキャン・ミラー２１で反射したパルスレーザビームＰＬ３は、ｆθレンズ２５を通り、１次元方向に一定の走査速度Ｖで並行して走査される像高Ｈ＝ｆθのパルスレーザビームＰＬ４になる。そして、後述するように、このパルスレーザビームＰＬ４がＸ−Ｙステージ移動装置１５のステージ上に保持されているワークＷの表面を微細加工する照射パルス光として投射される。 Then, the pulse laser beam PL 3 reflected by the uniaxial scanning mirror 21 passes through the fθ lens 25 and is scanned in parallel in the one-dimensional direction at a constant scanning speed V, and the pulse laser beam with an image height H = fθ. It becomes PL 4 . As will be described later, the pulse laser beam PL 4 is projected as irradiation pulse light that finely processes the surface of the workpiece W held on the stage of the XY stage moving device 15.
このビーム走査装置１４としては、その他に、例えばポリゴンミラー、その回転制御部、ｆθレンズ等を備えたポリゴン・スキャナ、ピエゾ素子で１軸スキャン・ミラーを回転振動させるピエゾ・スキャナ、いわゆるレゾナントスキャナ等、種々のものを適宜に使用することができる。 Other examples of the beam scanning device 14 include a polygon mirror, a rotation control unit thereof, a polygon scanner provided with an fθ lens, a piezo scanner that rotates a single-axis scan mirror with a piezo element, a so-called resonant scanner, and the like. Various types can be used as appropriate.
上記いずれのレーザ・スキャナーにあっても、そのスキャン・ミラーの固定の振れ角範囲の始点から終点の間において一定の走査速度Ｖが確保できるように制御することが重要になる。すなわち、図４に示すように、パルスレーザビームＰＬ４のワークＷの表面での走査フィールド位置において、上記スキャン・ミラーの走査角範囲の走査開始位置から走査終了位置に対応する位置範囲での加速期間、安定域、減速期間における安定域内で走査速度が略Ｖ値に安定するように制御する。 In any of the above laser scanners, it is important to perform control so that a constant scanning speed V can be secured between the start point and end point of the fixed deflection angle range of the scan mirror. That is, as shown in FIG. 4, in the scanning field position of the pulse laser beam PL 4 on the surface of the workpiece W, acceleration is performed in a position range corresponding to the scanning end position from the scanning start position in the scanning angle range of the scanning mirror. Control is performed so that the scanning speed is stabilized at a substantially V value within the stable range in the period, stable range, and deceleration period.
Ｘ−Ｙステージ移動装置１５は、Ｘ−Ｙ方向に自在に移動できるＸ−Ｙステージ、その駆動機構部、Ｘ−Ｙステージの位置を計測する例えばレーザ干渉計を有した位置センサ等を備えている。ここで、Ｘ−Ｙステージは、２次元の広範囲たとえば１ｍ程度のＸ方向およびＹ方向の距離範囲で、連続移動あるいはステップ移動できるようになっている。そして、その位置決め精度および移動誤差はサブミクロンになるように高精度に構成されている。 The XY stage moving device 15 includes an XY stage that can move freely in the XY direction, a drive mechanism section thereof, and a position sensor having a laser interferometer that measures the position of the XY stage. Yes. Here, the XY stage can be moved continuously or stepped in a two-dimensional wide range, for example, a distance range of about 1 m in the X direction and the Y direction. The positioning accuracy and movement error are configured with high accuracy so as to be submicron.
加工制御部１６は、パルスレーザ発振装置１１、ビーム遮蔽装置１２、パルスピッカー制御装置１２ａ、ビーム走査装置１４、Ｘ−Ｙステージ走査装置１５等の装置の制御用信号を統合し制御する統合制御部等を備える。これ等の装置（装置内制御部）および統合制御部は、半導体集積回路からなるマイクロコンピュータ（ＭＣＵ）、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、半導体メモリ等で構成され、１台のパーソナルコンピュータに内蔵することができる。 The processing control unit 16 integrates and controls control signals for devices such as the pulse laser oscillation device 11, the beam shielding device 12, the pulse picker control device 12a, the beam scanning device 14, the XY stage scanning device 15, and the like. Etc. These devices (in-device control unit) and the integrated control unit are composed of a microcomputer (MCU), a microprocessor (MPU), a digital signal processor (DSP), a semiconductor memory, and the like, which are composed of a semiconductor integrated circuit. Can be built into a personal computer.
上記統合制御部は、加工制御部１６の端末入力部（例えばパソコンのキーボード）から入力したデータを加工し、各装置（装置内制御部）に指令するように構成されている。この入力データとしては、例えばパルスレーザビームの繰り返し周波数、その照射エネルギー、形状、寸法、パルスピッカー動作パターン、スキャナ動作速度、Ｘ−ＹステージのＸ−Ｙ軸方向の移動パターン等がある。また、パルスレーザ加工装置１０を構成する各装置の駆動開始および停止を指示するようになっている。そして、加工制御部１６はその端末出力部を通して種々のデータを出力するようになっている。 The integrated control unit is configured to process data input from a terminal input unit (for example, a keyboard of a personal computer) of the processing control unit 16 and instruct each device (in-device control unit). Examples of the input data include a repetition frequency of the pulse laser beam, its irradiation energy, shape, dimensions, pulse picker operation pattern, scanner operation speed, movement pattern of the XY stage in the XY axis direction, and the like. In addition, it is instructed to start and stop driving of each device constituting the pulse laser processing apparatus 10. And the process control part 16 outputs various data through the terminal output part.
上述したパルスピッカー動作パターン、Ｘ−ＹステージのＸ−Ｙ軸方向の移動パターンは、３次元の加工形状の設定、上記パルスレーザビームの照射エネルギー、形状、寸法等によって被加工物材について加工される体積情報から、３次元ビットマップに展開して得られる加工レイア毎の２次元加工データにより決定される。そして、図４に示した加工原点からの絶対位置として決定される。 The above-mentioned pulse picker operation pattern and the movement pattern of the XY stage in the XY axis direction are processed on the workpiece by setting the three-dimensional processing shape, the irradiation energy, shape, dimensions, etc. of the pulse laser beam. From the volume information to be determined, it is determined by the two-dimensional machining data for each machining layer obtained by developing it into a three-dimensional bitmap. Then, the absolute position from the processing origin shown in FIG. 4 is determined.
上記加工制御部１６は、基準クロック発振回路において、パルスレーザビームの繰り返し周波数入力データに基づきパルスレーザ発振装置１１に与える発振器クロック（クロック信号）３０を生成する。そして、パルスレーザ発振装置１１は、その発振器クロック３０によりパルスレーザビームを生成する。すなわち、クロック信号に同期したパルスレーザビームが出射される。 In the reference clock oscillation circuit, the processing control unit 16 generates an oscillator clock (clock signal) 30 to be supplied to the pulse laser oscillation device 11 based on the repetition frequency input data of the pulse laser beam. Then, the pulse laser oscillator 11 generates a pulse laser beam by the oscillator clock 30. That is, a pulse laser beam synchronized with the clock signal is emitted.
加工開始指示が行われると、内蔵するシャッターを開にすることでパルスレーザビームＰＬ１を出射する。このようにして、パルスレーザビームＰＬ１が出射される際にはファーストパルスは存在せず、安定出力エネルギーが維持される。 When a machining start instruction is issued, it emits a pulsed laser beam PL 1 by the shutter built into the open. In this way, the first pulse is not present when the pulsed laser beam PL 1 is emitted, stable output energy is maintained.
また、加工制御部１６は、上述した２次元加工データから加工パターン信号３１を生成する。そして、パルスピッカー制御装置１２ａは、この加工パターン信号３１に従い、発振器クロック３０によりパルスレーザビームＰＬ１との同期を確保したパルスピッカー駆動信号３２を、ビーム遮断装置１２に供給する。このようして、クロック信号に同期して、パルスピッカーが、パルスレーザビームの通過と遮断を切り替える。 Moreover, the process control part 16 produces | generates the process pattern signal 31 from the two-dimensional process data mentioned above. The pulse picker controller 12a supplies in accordance with the processing pattern signal 31, a pulse picker drive signal 32 which ensures synchronization of the pulse laser beam PL 1 by the oscillator clock 30, a beam blocking device 12. In this way, in synchronization with the clock signal, the pulse picker switches between passing and blocking of the pulse laser beam.
また、加工制御部１６は、ビーム走査装置１４の走査開始時に発振器クロック３０との同期を確保した走査指令信号３３を生成する。そして、ビーム走査装置１４のスキャナ制御部２３が上記走査指令信号３３を受けてガルバノメータ２２の駆動制御を行う。このようにして、クロック信号に同期して、レーザ・スキャナーがパルスレーザビームを１次元方向のみに走査する。 Further, the processing control unit 16 generates a scanning command signal 33 that ensures synchronization with the oscillator clock 30 when the beam scanning device 14 starts scanning. Then, the scanner controller 23 of the beam scanning device 14 receives the scanning command signal 33 and controls the driving of the galvanometer 22. In this way, the laser scanner scans the pulse laser beam only in the one-dimensional direction in synchronization with the clock signal.
更に、加工制御部１６は、ビーム走査装置１４からの走査位置信号である走査角信号３４に基づいてＸ−Ｙステージ移動装置１５の移動タイミングを判定し、上記２次元加工データと上記移動タイミングによりステージ移動信号３５を生成する。この場合の走査角信号３４は、図４で説明した加工が終了する加工終端位置あるいはスキャナ走査が終了する走査終了位置を走査角センサ２４で検出した走査角検出信号からのものである。そして、Ｘ−Ｙステージ移動装置１５は上記ステージ移動信号３５に指示されて動作する。 Further, the processing control unit 16 determines the movement timing of the XY stage moving device 15 based on the scanning angle signal 34 which is a scanning position signal from the beam scanning device 14, and uses the two-dimensional processing data and the movement timing. A stage movement signal 35 is generated. The scanning angle signal 34 in this case is a scanning angle detection signal obtained by detecting the processing end position at which the processing described with reference to FIG. 4 ends or the scanning end position at which the scanner scanning ends by the scanning angle sensor 24. Then, the XY stage moving device 15 operates as instructed by the stage moving signal 35.
このように、Ｘ−Ｙステージは、レーザ・スキャナーの走査位置信号に基づいて、例えば、レーザ・スキャナーの走査方向とは直交する方向の移動制御がされる。これによって、次の走査への時間が短縮され、レーザビーム加工の更なる高速性が実現される。 Thus, the XY stage is controlled to move in a direction orthogonal to the scanning direction of the laser scanner, for example, based on the scanning position signal of the laser scanner. As a result, the time to the next scanning is shortened, and further high speed of laser beam processing is realized.
そして、本実施の形態において、レーザ・スキャナーからの走査位置信号に基づき、走査毎の加工原点位置を補正する補正機構を有することが望ましい。この補正機構を有することにより、各走査毎のレーザ・スキャナーの加速期間（図４参照）における走査速度ばらつきが補償され、さらに高精度な加工が可能となるからである。 In this embodiment, it is desirable to have a correction mechanism for correcting the processing origin position for each scan based on the scan position signal from the laser scanner. This is because by having this correction mechanism, the scanning speed variation in the acceleration period (see FIG. 4) of the laser scanner for each scan is compensated, and processing with higher accuracy becomes possible.
なお、図１において、加工制御部１６がビーム整形装置１３も制御する構成になっていてもよい。この場合は、特に、ビーム整形装置１３においてビーム径を自動制御したりビーム断面の光強度分布を自動調整したりする場合に有効になる。 In FIG. 1, the processing control unit 16 may also control the beam shaping device 13. This case is particularly effective when the beam shaping device 13 automatically controls the beam diameter or automatically adjusts the light intensity distribution of the beam cross section.
次に、パルスレーザ加工装置１０の主要な動作について説明する。ワークＷのレーザ加工動作においては、パルスレーザ発振装置１１はその内蔵する制御部によりレーザ発振のほとんどが制御され自律して動作している。もっとも、上述した発振器クロック３０によりパルス発振のタイミング等の制御がなされる。これについて図５を参照して説明する。 Next, main operations of the pulse laser processing apparatus 10 will be described. In the laser processing operation of the workpiece W, the pulse laser oscillation device 11 operates autonomously with most of the laser oscillation controlled by a built-in control unit. However, the pulse oscillation timing and the like are controlled by the oscillator clock 30 described above. This will be described with reference to FIG.
レーザ・スキャナーの例として図３に示したガルバノメータ・スキャナの１軸スキャン・ミラー２１は、走査起動信号により図４で説明したような走査開始位置（走査原点）で走査起動する。この時、ビーム走査装置１４は、図５（ａ）に示すように発振器クロック３０の例えば立ち上がり（立ち下りでもよい）に同期した走査指令信号３３により指示を受け、そのスキャナ制御部２３がガルバノメータ２２の駆動制御を行う。ここで、走査指令信号３３は、ＸＹ２−１００プロトコルに対応することで、例えば１００ｋＨｚ（Ｔｓ＝１０μｓｅｃ）での絶対走査角指令に従う。 As an example of the laser scanner, the uniaxial scanning mirror 21 of the galvanometer scanner shown in FIG. 3 starts scanning at the scanning start position (scanning origin) as described in FIG. At this time, as shown in FIG. 5A, the beam scanning device 14 receives an instruction from a scanning command signal 33 synchronized with, for example, rising (or falling) of the oscillator clock 30, and the scanner control unit 23 receives the galvanometer 22. The drive control is performed. Here, the scan command signal 33 corresponds to the XY2-100 protocol, and follows an absolute scan angle command at 100 kHz (Ts = 10 μsec), for example.
なお、図５（ａ）は、パルスレーザの発振周波数を５００ｋＨｚ（Ｔｐ＝２μｓｅｃ）、パルスレーザビームのビーム径を１６μｍ、走査速度Ｖを４０００ｍｍ／ｓｅｃとした場合の、走査起動時の発振器クロック３０の立ち上がりに同期した走査指令信号３３の例を示している。このような動作が、パルスレーザビームの走査毎に行われる。 FIG. 5A shows an oscillator clock 30 at the start of scanning when the oscillation frequency of the pulse laser is 500 kHz (Tp = 2 μsec), the beam diameter of the pulse laser beam is 16 μm, and the scanning speed V is 4000 mm / sec. The example of the scanning command signal 33 synchronized with the rising edge of is shown. Such an operation is performed every time the pulse laser beam is scanned.
ここで、図４の加速期間では、スキャナ速度が早期に安定した走査速度Ｖになるように、走査指令信号３３によりスキャナ制御部２３はガルバノメータ２２の駆動制御を行う。この時、最適条件での１軸スキャン・ミラー２１の走査角繰り返し再現性は、安定領域では１０μｒａｄ／ｐ−ｐ程度が経験的に得られることが確認されている。この値は、焦点距離が１００ｍｍのｆθレンズとした場合、１μｍ／ｐ−ｐの走査位置再現性になる。 Here, during the acceleration period of FIG. 4, the scanner controller 23 controls the drive of the galvanometer 22 by the scanning command signal 33 so that the scanner speed becomes a stable scanning speed V at an early stage. At this time, it has been confirmed that the reproducibility of the scanning angle of the uniaxial scanning mirror 21 under the optimum conditions can be obtained empirically about 10 μrad / pp in the stable region. This value becomes a scanning position reproducibility of 1 μm / pp when an fθ lens having a focal length of 100 mm is used.
しかし、上記加速期間の繰り返し安定性は、長期走査において１０倍程度まで悪化するため、加工開始位置において走査ごとに変動が生じる。そこで、補正機構によって、レーザ・スキャナーからの走査位置信号に基づき、走査毎の加工原点位置を補正する。 However, since the repetition stability of the acceleration period deteriorates to about 10 times in the long-term scanning, the processing start position varies for each scanning. Therefore, the processing origin position for each scanning is corrected by the correction mechanism based on the scanning position signal from the laser scanner.
例えば、加速期間終了後、充分な安定域（例えば、経験的には加速期間が１ｍｓｅｃ〜１．５ｍｓｅｃで、焦点距離が１００ｍｍのｆθレンズとした場合、その走査角範囲は約２．３度〜３．４度である）に達した後、図５（ｂ）に示すように予め設定されている同期角（θｓｙ）を検出信号として走査角センサ２４により検出する時、走査指令信号（θｏ：走査開始位置からの走査角）との差分を位相差（θｉ）とし、この位相差により走査指令信号３３に対する加工原点までの距離を補正する。 For example, after the acceleration period is finished, when the fθ lens has a sufficiently stable range (for example, empirically the acceleration period is 1 msec to 1.5 msec and the focal length is 100 mm, the scanning angle range is about 2.3 degrees to When the scan angle sensor 24 detects a preset synchronization angle (θsy) as a detection signal as shown in FIG. 5B, the scan command signal (θo: A difference from the scanning start position) is defined as a phase difference (θi), and the distance to the processing origin with respect to the scanning command signal 33 is corrected based on this phase difference.
上記加工原点までの距離補正値は、加工時の第１回目走査（ｉ＝１）を基準補正値として記憶し、以後のｉ＝ｎとなる第ｎ回目の走査開始位置からの走査の都度、位相差（θｎ）と位相差（θ１）の差分を第ｎ回目走査の第１回目走査に対する走査指令信号に対する加工原点までの距離補正値として、第１回目走査時と第ｎ回目走査時の加工原点位置を一致させる。 The distance correction value to the machining origin stores the first scan (i = 1) at the time of machining as a reference correction value, and each time scanning from the nth scan start position where i = n is performed, The difference between the phase difference (θn) and the phase difference (θ1) is used as a distance correction value to the processing origin for the scan command signal for the first scan of the n-th scan, and the processing during the first scan and the n-th scan Match the origin position.
図６に示した加工パターン信号３１は、加工原点からの距離データを含め３次元ビットマップから与えられている。このため、走査毎に加工原点位置が一致すると、加工パターン信号３１の加工開始位置も一致し、パルスピッカー駆動信号３２も所望のタイミングで生成される。 The machining pattern signal 31 shown in FIG. 6 is given from a three-dimensional bitmap including distance data from the machining origin. For this reason, when the processing origin position matches for each scan, the processing start position of the processing pattern signal 31 also matches, and the pulse picker drive signal 32 is also generated at a desired timing.
ビーム走査装置１４が図３に説明したガルバノメータ・スキャナからなる場合、スキャナクロック信号がスキャナ制御部２３からの駆動信号としてサーボ制御モータを駆動させる。しかし、ビーム走査装置１４もその自律した動作によりその位相ズレが生じることがある。そこで、上記スキャン動作の繰り返し毎に発生する走査位置信号となる同期角検出信号により、発振パルス光の通過／遮断とビームのスキャン動作との同期化、すなわちタイミングを合わせることで、極めて安定したレーザ加工が可能になる。 When the beam scanning device 14 is composed of the galvanometer scanner described in FIG. 3, the scanner clock signal drives the servo control motor as a drive signal from the scanner control unit 23. However, the beam scanning device 14 may also be out of phase due to its autonomous operation. Therefore, the synchronization angle detection signal that becomes the scanning position signal generated every time the scanning operation is repeated synchronizes the passage / blocking of the oscillation pulse light with the scanning operation of the beam, that is, the timing is adjusted, so that the laser is extremely stable. Processing becomes possible.
走査毎の加工原点位置の補正は、走査位置信号に基づき、パルスピッカーにおけるパルスレーザビームの通過と遮断を制御することによることが望ましい。具体的には、例えば、補正機構が、走査位置信号に基づき、パルスピッカーにおけるパルスレーザビームの通過と遮断を制御する。すなわち、上記スキャン・ミラーの回転位置の同期位置（角）検出の走査位置信号から検出した位相差に基づき、ビーム遮蔽装置１２におけるパルスピッカーの駆動信号のタイミングを指定する。これによって、パルスレーザビームの走査毎の加工原点位置を補正する。 The correction of the processing origin position for each scanning is preferably performed by controlling the passage and blocking of the pulse laser beam in the pulse picker based on the scanning position signal. Specifically, for example, the correction mechanism controls the passage and blocking of the pulse laser beam in the pulse picker based on the scanning position signal. That is, the timing of the pulse picker driving signal in the beam shielding device 12 is designated based on the phase difference detected from the scanning position signal for detecting the synchronous position (angle) of the rotational position of the scanning mirror. Thereby, the processing origin position for each scan of the pulse laser beam is corrected.
あるいは、例えば、補正機構が、走査位置信号から検出した位相差から得られる距離補正値を、走査開始位置からの走査角にθｏに対するレーザ・スキャナーへの走査指令信号以降の走査指令信号に与えることで、パルスレーザビームの走査毎の加工原点位置を補正する。 Alternatively, for example, the correction mechanism gives a distance correction value obtained from the phase difference detected from the scanning position signal to the scanning command signal after the scanning command signal to the laser scanner for θo at the scanning angle from the scanning start position. Thus, the processing origin position for each scan of the pulse laser beam is corrected.
パルスピッカー動作により発振パルス光はパルス周波数変調され所要の変調パルス光が生成される。これについて図６を参照して説明する。 By the pulse picker operation, the oscillation pulse light is subjected to pulse frequency modulation, and the required modulated pulse light is generated. This will be described with reference to FIG.
図６に示すように、周波数Ｔｐの発振器クロック３０からのｔ１遅延の発振パルス光は、パルスピッカー駆動信号３２により遮断／通過の動作がなされる。例えば、そのパルスピッカー駆動信号３２は、加工パターン信号３１を発振器クロック３０の立ち上がりによりサンプリングし、発振器クロック３０の一クロックの立ち上がりからｔ２時間遅延して立ち上がり、所要数クロック後の他クロックの立ち上がりからｔ３時間遅延して立ち下がるパターン信号になる。そして、このパルスピッカー駆動信号によりビーム遮蔽装置１２のパルスピッカー動作がその遅延時間ｔ４およびｔ５に従って生じ、その動作の間の発振パルス光が変調パルス光として抽出される。ここで、上記遅延時間ｔ２、ｔ３、ｔ４およびｔ５はビーム遮蔽装置１２に合わせて設定される。 As shown in FIG. 6, the t1 delayed oscillation pulse light from the oscillator clock 30 having the frequency Tp is cut off / passed by the pulse picker drive signal 32. For example, the pulse picker driving signal 32 samples the machining pattern signal 31 at the rising edge of the oscillator clock 30, rises with a delay of t2 from the rising edge of one clock of the oscillator clock 30, and starts from the rising edge of the other clock after a required number of clocks. The pattern signal falls after a delay of t3. Then, the pulse picker driving signal causes a pulse picker operation of the beam shielding device 12 according to the delay times t4 and t5, and the oscillation pulse light during the operation is extracted as modulated pulse light. Here, the delay times t2, t3, t4 and t5 are set according to the beam shielding device 12.
なお、ビーム遮蔽装置１２が図２に説明したような音響光学素子（ＡＯＭ）を使用する場合、上記パルスピッカー駆動信号３２の反転パターン信号が、超音波発生制御部２０における発振のＯＮ／ＯＦＦを制御するドライバ信号となる。そして、この反転パターンのドライバ信号により所要の発振パルス光が抽出されることになる。 When the beam shielding device 12 uses an acousto-optic device (AOM) as illustrated in FIG. 2, the inverted pattern signal of the pulse picker driving signal 32 turns on / off oscillation in the ultrasonic wave generation control unit 20. It becomes the driver signal to control. Then, the required oscillation pulse light is extracted by the driver signal having the inverted pattern.
また、上述したようにビーム走査装置１４からの走査位置信号、例えばそのスキャン・ミラーの回転位置における加工終端位置の走査位置信号が、Ｘ−Ｙステージ移動装置１５の移動タイミングを指示する。ビーム走査装置１４の１次元走査方向をＸ軸方向とすると、上記移動タイミングにより、Ｙ軸方向の所定幅のステップ移動あるいは連続移動がなされる。あるいは、Ｘ−ＹステージのＸ軸方向の所定距離の連続移動あるいはステップ移動が行われる。このようにして、Ｘ−Ｙステージの予め決められている移動パターンの移動制御が行われる。 Further, as described above, the scanning position signal from the beam scanning device 14, for example, the scanning position signal at the processing end position at the rotational position of the scanning mirror, indicates the movement timing of the XY stage moving device 15. Assuming that the one-dimensional scanning direction of the beam scanning device 14 is the X-axis direction, step movement or continuous movement of a predetermined width in the Y-axis direction is performed according to the movement timing. Alternatively, continuous movement or step movement of a predetermined distance in the X-axis direction of the XY stage is performed. In this way, movement control of a predetermined movement pattern of the XY stage is performed.
例えば、図７に示すようなパルスピッカー動作パターンにより生成された変調パルス光は、各パルス光がビーム整形装置１３において所要の形状に整形される。そして、上記ビーム走査装置１４によるＸ軸方向の走査とＸ−Ｙステージ移動装置１５によるワークＷ位置のＹ軸方向の移動によって、ワークＷの所要位置に照射パルス光が投射され、ワークＷ表面の高精度の微細加工がなされる。図７のパルスピッカー動作パターンにおける各パルスピッカー動作の時間幅および各動作の時間間隔はそれぞれ異なるようになっていてもよい。 For example, in the modulated pulse light generated by the pulse picker operation pattern as shown in FIG. 7, each pulse light is shaped into a required shape by the beam shaping device 13. Then, by the scanning in the X-axis direction by the beam scanning device 14 and the movement of the workpiece W position in the Y-axis direction by the XY stage moving device 15, the irradiation pulse light is projected to the required position of the workpiece W, and the surface of the workpiece W is High-precision fine processing is performed. The time width of each pulse picker operation and the time interval of each operation in the pulse picker operation pattern of FIG. 7 may be different from each other.
次に、パルスレーザ加工装置１０を用いた、パルスレーザ加工方法について説明する。このパルスレーザ加工方法は、例えば、ステージに被加工物を載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工物表面に、クロック信号に同期して通過と遮断を切り替えて前記パルスレーザビームを１次元方向に走査し、１次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、１次元方向に直交する方向にステージを移動して、更にクロック信号に同期して通過と遮断を切り替えてパルスレーザビームを１次元方向に走査する。 Next, a pulse laser processing method using the pulse laser processing apparatus 10 will be described. In this pulse laser processing method, for example, a workpiece is mounted on a stage, a clock signal is generated, a pulse laser beam synchronized with the clock signal is emitted, and the workpiece surface is synchronized with the clock signal. The pulse laser beam is scanned in a one-dimensional direction by switching between and off, and after the pulse laser beam is scanned in a one-dimensional direction, the stage is moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction and further synchronized with a clock signal. The pulse laser beam is scanned in a one-dimensional direction by switching between passing and blocking.
パルスレーザ加工方法の、具体的な例について図８と図９を参照して説明する。図８は、図７に示したパルスピッカー動作パターンの各動作の時間幅と時間間隔を一定にしてその照射パルス光をワークＷに投射し、そのスポット径の１／２ずつビーム走査装置１４によりＸ軸方向に走査した照射スポットを模式的に示している。 A specific example of the pulse laser processing method will be described with reference to FIGS. FIG. 8 shows that the irradiation pulse light is projected onto the work W with the time width and time interval of each operation of the pulse picker operation pattern shown in FIG. An irradiation spot scanned in the X-axis direction is schematically shown.
ここで、６つの照射スポットが形成されＸ軸方向の走査距離はＸｐである。そして、ビーム走査装置１４によるＸ軸方向に走査によりワークＷ上のＸ１の離間位置から同様な照射スポットが繰り返して形成される。この照射スポットは所要数になるように自在に決められる。なお、図ではスポット光が真円に示されているが、これはビーム断面形状により楕円等の別の形状に変わるものである。また、これ等のスポット径は例えば１０μｍ〜６０μｍ程度になる。 Here, six irradiation spots are formed, and the scanning distance in the X-axis direction is Xp. Then, similar irradiation spots are repeatedly formed from the X1 separation position on the workpiece W by scanning in the X-axis direction by the beam scanning device 14. The number of irradiation spots is freely determined so as to be a required number. In the figure, the spot light is shown as a perfect circle, but this changes into another shape such as an ellipse depending on the beam cross-sectional shape. Moreover, these spot diameters are, for example, about 10 μm to 60 μm.
そして、図示しないがビーム走査装置１４の使用可能な走査範囲（走査フィールド）である始点から終点を超えると、必要に応じて上述したようにＸ−ＹステージがＸ軸方向に所定距離で移動する。そして、同様に、隣の走査フィールドに照射スポットが形成される。ここで、隣接する走査フィールド間が零になり連続するようになってもよい。 Then, although not shown, when the end point is exceeded from the start point which is a usable scanning range (scanning field) of the beam scanning device 14, the XY stage moves by a predetermined distance in the X-axis direction as described above as necessary. . Similarly, an irradiation spot is formed in the adjacent scanning field. Here, the adjacent scanning fields may be zero and continuous.
次に、図９に示すように、図８に説明した上記Ｘ軸方向の照射パルス光の投射の第１走査が終了すると、図８に示したＸ軸方向の照射スポットの初めの位置においてＸ−ＹステージがＹ軸方向に例えばスポット光径の１／２の距離だけステップ移動する。そして、図８で説明したのと同じ走査を繰り返すことで第２、第３および第４走査をしてそれぞれ照射スポットを形成する。このようにして、Ｙ軸方向の４つの照射スポットが形成されてその距離がＹｐとなる。この照射スポットは所要数になるように自在に決められる。 Next, as shown in FIG. 9, when the first scan of the irradiation pulse light in the X-axis direction described in FIG. 8 is completed, X is irradiated at the first position of the irradiation spot in the X-axis direction shown in FIG. -The Y stage moves stepwise in the Y-axis direction by a distance of, for example, a half of the spot light diameter. Then, the second, third and fourth scans are performed by repeating the same scan as described with reference to FIG. 8 to form irradiation spots. In this way, four irradiation spots in the Y-axis direction are formed and the distance is Yp. The number of irradiation spots is freely determined so as to be a required number.
なお、上記第１走査〜第４走査がビーム走査装置１４におけるスキャン・ミラーの回転位置の始点から終点の範囲で行える場合には、その一方向あるいは双方向のラスタスキャンが有効に使用される。 In the case where the first to fourth scans can be performed in the range from the start point to the end point of the rotation position of the scan mirror in the beam scanning device 14, the one-way or two-way raster scan is effectively used.
そして、パルスピッカー動作のない状態下で、ワークＷを保持したＸ−ＹステージをＹ軸方向に移動距離Ｙ１だけ移動させる。この移動距離Ｙ１の移動位置から同様にして第５走査〜第８走査をして照射スポットを形成する。更に、Ｘ−ＹステージをＹ軸方向に移動距離Ｙ２だけ移動させ、移動距離Ｙ２の移動位置から同様にして第９走査〜第１２走査をして照射スポット形成を行う。 Then, the XY stage holding the workpiece W is moved in the Y-axis direction by the movement distance Y1 in a state where there is no pulse picker operation. Similarly, from the moving position of the moving distance Y1, the fifth to eighth scans are performed to form an irradiation spot. Further, the XY stage is moved by the movement distance Y2 in the Y-axis direction, and the ninth to twelfth scans are similarly performed from the movement position of the movement distance Y2 to form an irradiation spot.
上述した照射パルス光の投射においては、例えば、照射スポットはその径の１／２がＸ方向およびＹ方向で重ね合わされる。ここで、レーザ・スキャナーのＸ軸方向の走査およびＸ−ＹステージのＹ軸方向のステップ移動を調節してその重ね合わせの程度を変えることができる。この場合、照射パルス光のビーム断面の光強度分布を考慮して重ね合わせの程度が設定される。 In the irradiation pulse light projection described above, for example, the irradiation spot has a half of its diameter superimposed in the X and Y directions. Here, the degree of superposition can be changed by adjusting the scanning of the laser scanner in the X-axis direction and the step movement of the XY stage in the Y-axis direction. In this case, the degree of superposition is set in consideration of the light intensity distribution of the beam cross section of the irradiation pulse light.
上記照射パルス光の投射において、各照射パルス光のワークＷ表面での照射スポットでアブレーションによる加工がなされる。そして、図９に示した第１走査〜第１２走査による照射パルス光の投射を所定回数繰り返すことにより、例えば金属板からなるワークＷ表面のポケット加工が行える。 In the irradiation pulse light projection, processing by ablation is performed at the irradiation spot of each irradiation pulse light on the surface of the workpiece W. And the pocket processing of the surface of the workpiece | work W which consists of metal plates, for example can be performed by repeating projection of the irradiation pulse light by the 1st scan-the 12th scan shown in FIG. 9 predetermined times.
図１０はその例を模式的に示したものであり、（ａ）がその平面図であり（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。図１０に示すように図９で説明した照射パルス光の投射の領域に対応して複数の凹部２６が形成される。ここで、これ等の凹部の寸法は、照射スポット数の他に、照射スポット径、ビーム断面の光強度分布等により決まる。また、上記照射パルス光の投射の繰り返す所定回数は、ワークＷの材質（特のその光吸収率と光反射率）、その加工形状、パルス光の波長、パルス幅、パルス光の強度等により適宜に設定される。 FIG. 10 schematically shows such an example, where (a) is a plan view thereof and (b) is a cross-sectional view taken along line AA of (a). As shown in FIG. 10, a plurality of recesses 26 are formed corresponding to the projection region of the irradiation pulse light explained in FIG. Here, the dimensions of these recesses are determined not only by the number of irradiation spots but also by the irradiation spot diameter, the light intensity distribution of the beam section, and the like. The predetermined number of repetitions of irradiation pulse light projection is appropriately determined depending on the material of the workpiece W (specifically, its light absorption rate and light reflectivity), its processing shape, pulse light wavelength, pulse width, pulse light intensity, and the like. Set to
上述した照射パルス光の投射は、パルスピッカー動作パターンを自在に生成することにより、あるいは照射パルス光の投射の繰り返しの所定回数を制御することにより、ワークＷ表面を微細な任意形状に加工することができる。 The irradiation pulse light projection described above is performed by freely generating a pulse picker operation pattern or by controlling a predetermined number of repetitions of irradiation pulse light projection to process the surface of the workpiece W into a fine arbitrary shape. Can do.
次に、上記実施形態の変形例について説明する。この変形例では、ワークＷのレーザ加工の高速化を更に容易にするパルスレーザ加工装置について説明する。例えば、図１に示したパルスレーザ発振装置１１、ビーム遮蔽装置１２、ビーム整形装置１３およびビーム走査装置１４からなる、パルスレーザビーム発生源およびビーム光学系を複数備え、この複数から照射パルス光をＸ−Ｙステージ移動装置１５に保持した１つのワークＷ表面に制御して投射する構造のパルスレーザ加工装置であってもよい。このようなレーザ加工装置では、加工制御部１６は、パルスレーザ加工装置１０で説明したように、全てのパルスレーザビーム発生源およびビーム光学系を一括して制御するようになる。 Next, a modification of the above embodiment will be described. In this modification, a pulse laser processing apparatus that further facilitates speeding up the laser processing of the workpiece W will be described. For example, a plurality of pulse laser beam generation sources and beam optical systems including the pulse laser oscillation device 11, the beam shielding device 12, the beam shaping device 13, and the beam scanning device 14 shown in FIG. It may be a pulse laser processing apparatus having a structure in which it is controlled and projected onto the surface of one workpiece W held by the XY stage moving device 15. In such a laser processing apparatus, as described in the pulse laser processing apparatus 10, the processing control unit 16 collectively controls all pulse laser beam generation sources and beam optical systems.
あるいは、ビーム走査装置１４からのパルスレーザビームＰＬ４を複数の光スプリッタにより複数の光路に分岐させ、１つのワークＷ表面の異なる領域に照射パルス光を投射する構造のパルスレーザ加工装置であってもよい。このような加工装置では、パルスレーザ発振装置１１から出射する発振パルス光の光強度は上記分岐する光路の数に合わせて増加させる必要がある。 Alternatively, it is a pulse laser processing apparatus having a structure in which the pulse laser beam PL 4 from the beam scanning device 14 is branched into a plurality of optical paths by a plurality of optical splitters, and the irradiation pulse light is projected to different regions on the surface of one workpiece W. Also good. In such a processing apparatus, it is necessary to increase the light intensity of the oscillating pulse light emitted from the pulse laser oscillator 11 in accordance with the number of the branched optical paths.
あるいは、ビーム走査装置１４とＸ−Ｙステージ移動装置１５との間の光路に回折光学素子（ＤＯＥ）を介挿させた構造のパルスレーザ加工装置であってもよい。この場合、上記回折光学素子（ＤＯＥ）は電気信号により制御できるようになっており、ワークＷ表面の異なる領域にパルスレーザビームＰＬ４が投射できるようになっている。 Alternatively, a pulse laser processing apparatus having a structure in which a diffractive optical element (DOE) is inserted in the optical path between the beam scanning device 14 and the XY stage moving device 15 may be used. In this case, the diffractive optical element (DOE) can be controlled by an electric signal, and the pulsed laser beam PL 4 can be projected onto different regions on the surface of the workpiece W.
あるいは、上述したパルスレーザ発振装置１１、ビーム遮蔽装置１２、ビーム走査装置１４、Ｘ−Ｙステージ移動装置１５等で説明した各制御部が、加工制御部１６内に統合された構造のパルスレーザ加工装置になってもよい。 Alternatively, each of the control units described in the above-described pulse laser oscillation device 11, beam shielding device 12, beam scanning device 14, XY stage moving device 15, and the like is integrated in the processing control unit 16. It may be a device.
あるいは、ビーム遮蔽装置１２のようなパルスピッカーの替わりに、Ｘ−Ｙステージが移動する間だけビームを遮断する機構を用いる構造のパルスレーザ加工装置にしてもよい。 Alternatively, instead of the pulse picker such as the beam shielding device 12, a pulse laser processing device having a structure that uses a mechanism that blocks the beam only while the XY stage moves may be used.
本実施形態のパルスレーザ加工装置では、ワークＷへの照射パルス光の投射は、１次元走査のレーザ・スキャナーによるＸ軸方向の走査とＸ−ＹステージによるＹ軸方向の移動により被加工物の２次元面が加工される。また、パルスピッカー動作パターンにより被加工物の表面に投射される照射パルス光が自在に制御される。 In the pulse laser processing apparatus of the present embodiment, the irradiation pulse light is projected onto the workpiece W by scanning in the X axis direction by a one-dimensional scanning laser scanner and moving in the Y axis direction by an XY stage. A two-dimensional surface is processed. Moreover, the irradiation pulse light projected on the surface of the workpiece is freely controlled by the pulse picker operation pattern.
そして、パルスレーザ加工において、基準クロック発振回路で生成される同一のクロック信号に同期して、パルスレーザビームの出射、パルスレーザビームの走査、パルスレーザビームの通過と遮断を制御する。このため、被加工物の表面に投射した照射スポットの位置決め精度が大きく向上する。 In the pulse laser processing, the emission of the pulse laser beam, the scanning of the pulse laser beam, and the passage and blocking of the pulse laser beam are controlled in synchronization with the same clock signal generated by the reference clock oscillation circuit. For this reason, the positioning accuracy of the irradiation spot projected on the surface of the workpiece is greatly improved.
また、例えば、レーザ・スキャナーからの走査位置信号に基づき、走査毎の加工原点位置を補正する補正機構を備えることで、さらに、照射スポットの位置決め精度が向上する。 Further, for example, by providing a correction mechanism that corrects the processing origin position for each scanning based on the scanning position signal from the laser scanner, the irradiation spot positioning accuracy is further improved.
また、例えば、ワークを載置するステージが、レーザ・スキャナーの走査位置信号に基づいて、１次元方向に直交する方向の移動制御がされることで、高速化および安定した動作が容易になる。 In addition, for example, the stage on which the workpiece is placed is controlled to move in a direction orthogonal to the one-dimensional direction based on the scanning position signal of the laser scanner, thereby facilitating high speed and stable operation.
そして、例えば、ｐｓレーザビームあるいはｆｓレーザビーム等の超短パルスレーザによるアブレーションが容易になり、非熱加工を実現することで、高分子材料である被加工物の熱変形を小さく制御することが可能になる。したがって、加工時において加工物へのパルスレーザ照射による熱影響の低減が可能となる。よって、安定した微細形状の加工が容易になる。 For example, ablation with an ultrashort pulse laser such as a ps laser beam or an fs laser beam is facilitated, and non-thermal processing can be realized, so that thermal deformation of a workpiece that is a polymer material can be controlled to be small. It becomes possible. Therefore, it is possible to reduce the thermal effect of the pulse laser irradiation on the workpiece during machining. Therefore, stable fine shape processing becomes easy.
このようにして、パルスレーザビームを用いた加工において、その照射スポットの位置決め精度を向上させ、大型の被加工物表面の安定した微細加工とその高速化を可能にするパルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法が実現される。 In this way, in the processing using the pulse laser beam, the pulse laser processing apparatus and the pulse laser which improve the positioning accuracy of the irradiation spot and enable stable fine processing of the surface of a large workpiece and its speed increase. A processing method is realized.
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものではない。当業者にあっては、具体的な実施形態において本発明に技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, embodiment mentioned above does not limit this invention. Those skilled in the art can make various modifications and changes to the present invention without departing from the technical idea and the technical scope in specific embodiments.
例えば、ビーム走査装置１４からの走査位置信号に基づく制御において、その信号は上述した１軸スキャン・ミラーの回転位置と異なる回転位置の検出からのものであってもよい。あるいは、上記回転位置以外に回転駆動機構からの信号であっても構わない。 For example, in the control based on the scanning position signal from the beam scanning device 14, the signal may be from detection of a rotational position different from the rotational position of the single-axis scan mirror described above. Alternatively, it may be a signal from a rotational drive mechanism other than the rotational position.
そして、Ｘ−Ｙステージ移動装置１５は、そのＸ−Ｙステージに換えて回転軸にロールを保持するような構造になっていても構わない。 The XY stage moving device 15 may be configured to hold the roll on the rotating shaft in place of the XY stage.
更に、パルスレーザ発振装置１１としては、ＹＡＧレーザの他に、被加工物材により適宜に選択した単一波長帯レーザあるいは複数波長帯レーザを出射するものを使用することができる。 Further, as the pulse laser oscillation device 11, in addition to the YAG laser, a device that emits a single wavelength band laser or a plurality of wavelength band lasers appropriately selected according to the workpiece material can be used.
さらに、実施の形態においては、被加工物がステージ上に載置され、ステージの移動により、パルスレーザビームの走査方向である１次元方向に直交する方向に被加工物を移動する方法を例に説明した。しかし、被加工物が金属ロールに巻き取られたフィルムであり、金属ロールの回転により、１次元方向に直交する方向に被加工物を移動する方法であってもかまわない。 Furthermore, in the embodiment, an example is a method in which a workpiece is placed on a stage, and the workpiece is moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction that is the scanning direction of the pulse laser beam by moving the stage. explained. However, the workpiece may be a film wound around a metal roll, and the workpiece may be moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction by the rotation of the metal roll.
以下、本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
（実施例１）
実施の形態のパルスレーザ加工方法により、ＰＥＥＫのフィルムを加工した。加工パターンは、幅約５０μｍの溝である。図１３は本実施例の加工形状を示す。ＳＥＭおよびレーザマイクロスコープによる加工形状の観察結果を示す。図のように熱の影響が抑えられ、極めて良好な加工形状が得られた。
Example 1
A PEEK film was processed by the pulse laser processing method of the embodiment. The processing pattern is a groove having a width of about 50 μm. FIG. 13 shows the machining shape of this example. The observation result of the processing shape by SEM and a laser microscope is shown. As shown in the figure, the influence of heat was suppressed, and an extremely good processed shape was obtained.
（実施例２）
実施の形態のパルスレーザ加工方法により、ＰＥＥＫのフィルムを加工した。加工パターンは、約５０μｍ角の傾斜を側面に有する凹部である。図１４は本実施例の加工形状を示す。ＳＥＭおよびレーザマイクロスコープによる加工形状の観察結果を示す。図のように熱の影響が抑えられ、極めて良好な加工形状が得られた。
(Example 2)
A PEEK film was processed by the pulse laser processing method of the embodiment. The processing pattern is a recess having a side surface with an inclination of about 50 μm square. FIG. 14 shows the processing shape of the present embodiment. The observation result of the processing shape by SEM and a laser microscope is shown. As shown in the figure, the influence of heat was suppressed, and an extremely good processed shape was obtained.
（実施例３）
実施の形態のパルスレーザ加工方法により、ＰＭＭＡのフィルムを加工した。加工パターンは、１ｍｍ角の凹部の間に形成される幅約５０μｍ長さ約６０ｍｍの傾斜を有する溝である。図１５は本実施例の加工形状を示す。ＳＥＭおよびレーザマイクロスコープによる加工形状の観察結果を示す。図のように熱の影響が抑えられ、極めて良好な加工形状が得られた。
(Example 3)
A PMMA film was processed by the pulse laser processing method of the embodiment. The processing pattern is a groove having an inclination of about 50 μm in width and about 60 mm in length formed between recesses of 1 mm square. FIG. 15 shows the processing shape of the present embodiment. The observation result of the processing shape by SEM and a laser microscope is shown. As shown in the figure, the influence of heat was suppressed, and an extremely good processed shape was obtained.
以上の実施例により本発明の効果が確認された。 The effects of the present invention were confirmed by the above examples.
１０ パルスレーザ加工装置
１１ パルスレーザ発振装置
１２ ビーム遮蔽装置
１２ａ パルスピッカー制御装置
１３ ビーム整形装置
１４ ビーム走査装置
１５ Ｘ−Ｙステージ移動装置
１６ 加工制御部
１７ 超音波発振部
１８ 音波吸収部
１９ 超音波
２０ 超音波発生制御部
２１ １軸スキャン・ミラー
２２ ガルバノメータ
２３ スキャナ制御部
２４ 走査角センサ
２５ ｆθレンズ
２６ 凹部
ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＰＬ４ パルスレーザビーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Pulse laser processing apparatus 11 Pulse laser oscillation apparatus 12 Beam shielding apparatus 12a Pulse picker control apparatus 13 Beam shaping apparatus 14 Beam scanning apparatus 15 XY stage moving apparatus 16 Processing control part 17 Ultrasonic oscillation part 18 Sound wave absorption part 19 Ultrasonic wave 20 ultrasonic wave generation controller 21 one axis scan mirror 22 galvanometer 23 scanner controller 24 scanning angle sensor 25 f [theta] lens 26 recess PL 1, PL 2, PL 3 , PL 4 pulsed laser beam
Claims (12)
基準クロック発振回路によりクロック信号を発生し、
前記クロック信号に同期したパルスレーザビームをレーザ発振器より出射し、
前記クロック信号に同期してパルスピッカーにより前記パルスレーザビームの通過と遮断を切り替え、
前記クロック信号に同期してレーザ・スキャナーにより前記パルスレーザビームを前記被加工物表面に１次元方向に走査し、
前記１次元方向に前記パルスレーザビームを走査した後に、前記１次元方向に直交する方向に前記被加工物を移動して、更に前記クロック信号に同期して前記レーザ・スキャナーにより通過と遮断を切り替えて前記パルスレーザビームを前記被加工物表面に前記１次元方向に走査することを特徴とするパルスレーザ加工方法。 A method for processing a workpiece of a polymer material,
Generate a clock signal by the reference clock oscillation circuit,
A pulsed laser beam synchronized with the clock signal is emitted from a laser oscillator,
In synchronization with the clock signal, the pulse picker switches between passing and blocking of the pulse laser beam,
The pulse laser beam is scanned in a one-dimensional direction on the workpiece surface by a laser scanner in synchronization with the clock signal,
After scanning the pulse laser beam in the one-dimensional direction, the workpiece is moved in a direction orthogonal to the one-dimensional direction, and further, passing and blocking are switched by the laser scanner in synchronization with the clock signal. A pulse laser beam scanning method in which the pulse laser beam is scanned on the surface of the workpiece in the one-dimensional direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010143894A JP5632662B2 (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Pulsed laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010143894A JP5632662B2 (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Pulsed laser processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012006040A true JP2012006040A (en) | 2012-01-12 |
| JP5632662B2 JP5632662B2 (en) | 2014-11-26 |
Family
ID=45537218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010143894A Active JP5632662B2 (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Pulsed laser processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5632662B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8871540B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-10-28 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
| US8895345B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-11-25 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Dicing methods |
| US9050683B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-06-09 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
| US9283639B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-03-15 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
| KR20160150015A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-28 | 가부시기가이샤 디스코 | Laser machining apparatus and method for forming through hole |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000321528A (en) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Canon Inc | Mask projection simultaneous scanning aligner |
| JP2002090682A (en) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Galvanometer, position-correcting method for the galvanometer, laser beam machining apparatus using the galvanometer, and laser beam machining method using the galvanometer |
| JP2003080386A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-18 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | Laser machining device |
| JP2004230438A (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sunx Ltd | Laser beam machining apparatus |
| JP2007507358A (en) * | 2003-09-30 | 2007-03-29 | 松下電器産業株式会社 | Mold for optical parts |
| WO2008053915A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Nabtesco Corporation | Scanner optical system, laser processing device, and scanner optical device |
-
2010
- 2010-06-24 JP JP2010143894A patent/JP5632662B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000321528A (en) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Canon Inc | Mask projection simultaneous scanning aligner |
| JP2002090682A (en) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Galvanometer, position-correcting method for the galvanometer, laser beam machining apparatus using the galvanometer, and laser beam machining method using the galvanometer |
| JP2003080386A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-18 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | Laser machining device |
| JP2004230438A (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sunx Ltd | Laser beam machining apparatus |
| JP2007507358A (en) * | 2003-09-30 | 2007-03-29 | 松下電器産業株式会社 | Mold for optical parts |
| WO2008053915A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Nabtesco Corporation | Scanner optical system, laser processing device, and scanner optical device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8895345B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-11-25 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Dicing methods |
| US8871540B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-10-28 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
| US9050683B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-06-09 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
| US9283639B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-03-15 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
| KR20160150015A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-28 | 가부시기가이샤 디스코 | Laser machining apparatus and method for forming through hole |
| CN106256475A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-28 | 株式会社迪思科 | Laser processing device and the forming method of through hole |
| JP2017006936A (en) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | Laser processing device and formation method of via hole |
| TWI676517B (en) * | 2015-06-18 | 2019-11-11 | 日商迪思科股份有限公司 | Laser processing device and method for forming through holes |
| KR102419487B1 (en) * | 2015-06-18 | 2022-07-08 | 가부시기가이샤 디스코 | Laser machining apparatus and method for forming through hole |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5632662B2 (en) | 2014-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4612733B2 (en) | Pulse laser processing equipment | |
| JP5431561B2 (en) | Pulse laser processing apparatus and pulse laser processing method | |
| JP5148717B2 (en) | Pulse laser processing apparatus and pulse laser processing method | |
| JP6022038B2 (en) | Workpiece processing method and processing apparatus using laser beam | |
| JP5452247B2 (en) | Laser dicing equipment | |
| US9108268B2 (en) | Laser processing apparatus | |
| JP5865671B2 (en) | Pulse laser processing equipment | |
| JP5634765B2 (en) | Pulse laser machining method and pulse laser machining data creation method | |
| KR20150126603A (en) | Coordination of beam angle and workpiece movement for taper control | |
| JP5632662B2 (en) | Pulsed laser processing method | |
| JP5498852B2 (en) | Pulse laser processing apparatus, shading correction apparatus, and pulse laser processing method | |
| JP2008126283A (en) | Manufacturing method of microstructure and exposure method | |
| JPH11170072A (en) | Method and device for laser beam machining and for forming circuit of nonconductive transparent substrate | |
| JP5901265B2 (en) | Pulse laser processing apparatus and pulse laser processing method | |
| EP3954492A1 (en) | Laser machining device, laser machining system, rotator unit device, laser machining method, and probe card production method | |
| JP2013121605A (en) | Pulse laser machining apparatus and pulse laser machining method | |
| JP5909351B2 (en) | Pulse laser processing apparatus and pulse laser processing method | |
| JP2006049635A (en) | Method and apparatus for laser irradiation and method for laser annealing | |
| US20230150190A1 (en) | Method and apparatus for lithography-based generative manufacturing of a three-dimensional component | |
| JP2016030292A (en) | Method for scribing interior of transparent material, and laser dicing device | |
| JP3524855B2 (en) | Laser irradiation apparatus and laser processing method | |
| JP2007030033A (en) | Method of marking transparent material, and device using the same method | |
| JP2004167545A (en) | Multi-axes laser beam machining apparatus and machining method | |
| JP2004317861A (en) | Laser processing system and laser processing method | |
| JP2022060850A (en) | Laser processing device and laser processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130410 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140414 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141010 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5632662 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |