JP2011509461A - データ処理システムの強制アイドル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1周波数及び第1電圧で動作するシステムの制約パラメータが監視される。システムは、制約パラメータの監視に基づき、第2周波数及び第2電圧で動作する間にアイドル状態へと強制される。アイドル状態は、インストラクションが実行されるのを防止する。
【選択図】図2
Description
PI=Gp*Error+Gi Integral*Error (1)
但し、Gpは、サンプリングインターバルにわたって決定されるエラーに対する重み付けファクタに関連したものであり、そしてGiは、積分エラーに対する重み付けファクタに関連したものである。オペレーション1207において、積分電力(PI)が上限スレッシュホールド(+スレッシュホールド)より大きいかどうかの決定がなされる。PIが上限スレッシュホールドより大きい場合には、オペレーション1209において、動作電力点が下げられる。PIが上限スレッシュホールド以下である場合には、オペレーション1208において、PIが下限スレッシュホールドより小さいかどうかの決定がなされる。PIが下限スレッシュホールドより小さい場合には、オペレーション1210において、動作電力点が上げられる。
max_idle=((100−動作比)*周期)/100 (2)
但し、周期は、システムの周波数をfとすれば、システムのクロック周期T=1/fを表す。
max_idle=max_idle−last_idle (3)
period_end=now+Period (4)
但し、“now”が、現在時間であり、“Period”は、クロック周期である。
idle_goal=accumulated_idle
+maximum idle (5)
但し、“accumulated_idle”は、1つ以上の手前の時間(例えば、クロック周期)から累積されるアイドル時間の合計量であり、そして“maximum idle”は、最新のアイドル時間である。
last_idle=accumulated_idle−idle_start (6)
次いで、方法1900は、オペレーション1902へ戻る。
102:バス
103:マイクロプロセッサ
104:キャッシュメモリ
105:揮発性RAM
106:不揮発性メモリ
107:ROM
108:ディスプレイコントローラ
109:I/Oコントローラ
110:I/O装置
111:電力使用量センサ
120:システム
121:サブシステム
122:サブシステム
123:ROM
124:揮発性RAM
125:キャッシュメモリ
126:バス
127:マイクロコントローラ
128:センサ
129:サブシステム
130:不揮発性メモリ
200:システム
201:サブシステムA
202:サブシステムB
203:サブシステムN
204:サブシステムC
205:サブシステムD
206:相互接続部
207:測定装置
208:電力マネージャー
209:電力ルックアップテーブル
Claims (25)
- 第1周波数及び第1電圧で動作するシステムの制約パラメータを監視するステップと、
システムが第2周波数及び前記第1電圧より低い第2電圧で動作する間にシステムをアイドル状態へと強制するステップであって、前記アイドル状態は、インストラクションが実行されるのを防止し、且つ前記強制は、制約パラメータの監視に基づくものであるステップと、
を備えたマシン実施方法。 - 前記第2周波数は、前記第1周波数より低い、請求項1に記載のマシン実施方法。
- システムをアイドル状態へ強制するレートを決定するステップを更に備えた、請求項1に記載のマシン実施方法。
- 制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きいかどうか決定するステップと、
前記第1電圧が最小電圧であるかどうか決定するステップと、
前記第1電圧が最小電圧であり且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムをアイドル状態へ強制するステップと、
を更に備えた請求項1に記載のマシン実施方法。 - システムが最小電圧で動作せず且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムの動作点を下げるステップを更に備えた、請求項4に記載のマシン実施方法。
- 前記制約パラメータは、電力、温度、電流、バッテリ負荷、又はその組合せであり、前記第2周波数は、ゼロより大きく且つ前記第1周波数より低く、そして前記第2電圧は、ゼロより大きく且つ前記第1電圧より低い、請求項1に記載のマシン実施方法。
- 前記第1周波数及び第1電圧で動作するシステムに対するアイドル状態のパーセンテージを制約パラメータに基づいて決定するステップを更に備え、システムの少なくとも一部分に対して前記第2周波数がゼロであり且つ前記第2電圧がゼロである、請求項1に記載のマシン実施方法。
- プロセッサと、
プロセッサに結合されたメモリと、
第1周波数及び第1電圧で動作するシステムの制約パラメータを監視するためにプロセッサに結合された1つ以上のセンサと、
を備え、前記プロセッサは、システムが第2周波数及び前記第1電圧より低い第2電圧で動作する間にシステムをアイドル状態へ強制するように構成され、前記アイドル状態は、インストラクションが実行されるのを防止し、且つ前記プロセッサは、制約パラメータの監視に基づいてシステムをアイドル状態へ強制する、データ処理システム。 - 前記第2周波数は、前記第1周波数より低い、請求項8に記載のデータ処理システム。
- 前記プロセッサは、更に、システムをアイドル状態へ強制するレートを決定するように構成される、請求項8に記載のデータ処理システム。
- 前記プロセッサは、更に、前記制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きいかどうか決定し、前記第1電圧が最小電圧であるかどうか決定し、そして前記第1電圧が最小電圧であり且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムをアイドル状態へ強制するように構成される、請求項8に記載のデータ処理システム。
- 前記プロセッサは、更に、システムが最小電圧で動作せず且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムの動作点を下げるように構成される、請求項11に記載のデータ処理システム。
- 前記プロセッサは、更に、前記第1周波数及び第1電圧で動作するシステムに対するアイドル状態のパーセンテージを制約パラメータに基づいて決定するように構成され、そしてシステムの少なくとも一部分に対して前記第2周波数がゼロであり且つ前記第2電圧がゼロである、請求項8に記載のデータ処理システム。
- 前記メモリは、いつ、どのように、システムをアイドル状態へ強制するかの情報を記憶する、請求項8に記載のデータ処理システム。
- 前記制約パラメータは、電力、温度、電流、バッテリ負荷、又はその組合せであり、前記第2周波数は、ゼロより大きく且つ前記第1周波数より低く、そして前記第2電圧は、ゼロより大きく且つ前記第1電圧より低い、請求項8に記載のデータ処理システム。
- 第1周波数及び第1電圧で動作するシステムの制約パラメータを監視するオペレーションと、
システムが第2周波数及び前記第1電圧より低い第2電圧で動作する間にシステムをアイドル状態へと強制するオペレーションであって、前記アイドル状態は、インストラクションが実行されるのを防止し、且つ前記強制は、制約パラメータの監視に基づくものであるオペレーションと、
をデータ処理システムが遂行するようにさせる実行可能なプログラムインストラクションを記憶するマシン読み取り可能な記憶メディア。 - 前記第2周波数は、前記第1周波数より低い、請求項16に記載のマシン読み取り可能な記憶メディア。
- システムをアイドル状態へ強制するレートを決定するオペレーションをデータ処理システムが遂行するようにさせるインストラクションを更に備えた、請求項16に記載のマシン読み取り可能な記憶メディア。
- 制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きいかどうか決定するオペレーションと、
前記第1電圧が最小電圧であるかどうか決定するオペレーションと、
前記第1電圧が最小電圧であり且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムをアイドル状態へ強制するオペレーションと、
をデータ処理システムが遂行するようにさせるインストラクションを更に備えた、請求項16に記載のマシン読み取り可能な記憶メディア。 - システムが最小電圧で動作せず且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムの動作点を下げるオペレーションをデータ処理システムが遂行するようにさせるインストラクションを更に備えた、請求項19に記載のマシン読み取り可能な記憶メディア。
- 前記第1周波数及び第1電圧で動作するシステムに対するアイドル状態のパーセンテージを制約パラメータに基づいて決定するオペレーションであって、システムの少なくとも一部分に対して前記第2周波数がゼロであり且つ前記第2電圧がゼロであるようなオペレーションをデータ処理システムが遂行するようにさせるインストラクションを更に備えた、請求項16に記載のマシン読み取り可能な記憶メディア。
- 前記制約パラメータは、電力、温度、電流、バッテリ負荷、又はその組合せであり、前記第2周波数は、ゼロより大きく且つ前記第1周波数より低く、そして前記第2電圧は、ゼロより大きく且つ前記第1電圧より低い、請求項16に記載のマシン読み取り可能な記憶メディア。
- 第1周波数及び第1電圧で動作するシステムの制約パラメータを監視する手段と、
システムが第2周波数及び前記第1電圧より低い第2電圧で動作する間にシステムをアイドル状態へと強制する手段であって、前記アイドル状態は、インストラクションが実行されるのを防止し、且つ前記強制は、制約パラメータの監視に基づくものである手段と、
を備えたデータ処理システム。 - 制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きいかどうか決定する手段と、
前記第1電圧が最小電圧であるかどうか決定する手段と、
前記第1電圧が最小電圧であり且つ制約パラメータが制約パラメータスレッシュホールドより大きい場合にシステムをアイドル状態へ強制する手段と、
を更に備えた請求項23に記載のデータ処理システム。 - 前記第1周波数及び第1電圧で動作するシステムに対するアイドル状態のパーセンテージを制約パラメータに基づいて決定する手段を更に備え、前記第2周波数は、ゼロより大きく且つ前記第1周波数より低く、そして前記第2電圧は、ゼロより大きく且つ前記第1電圧より低い、請求項23に記載のデータ処理システム。
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