JP2011508341A - 高速なプラットフォーム・ハイバーネーションおよびレジュームのためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本稿で言及される「論理」は回路、ソフトウェア、マイクロコードまたはそれらの組み合わせにおいて実装できる。
Claims (20)
- プロセッサ・コアと;
より小さな不揮発性メモリと;
前記プロセッサ・コアが使うためのオペレーティング・システム、プログラムおよびデータを保持するためのより大きな不揮発性メモリと;
前記プロセッサ・コアのためのシステム・メモリとして作用する揮発性メモリと;
電力管理の少なくとも一部の側面を制御する電力管理論理とを有する装置であって、
電力状態変更コマンドに応答して、システム・コンテキストが前記より小さな不揮発性メモリに記憶され、続いて前記揮発性メモリが電力を失い、レジューム・コマンドに応答して、前記揮発性メモリが電力を受け、前記より小さな不揮発性メモリから前記システム・コンテキストの少なくとも一部分を受け取る、装置。 - 前記電力管理論理が、実際にはシステム・コンテキストが前記より小さな不揮発性メモリに記憶され、続いて前記揮発性メモリが電力を失うときに、前記オペレーティング・システムが揮発性メモリへのサスペンド動作を認識するよう動作する、請求項1記載の装置。
- 前記システム・コンテキストの前記揮発性メモリから前記より小さな不揮発性メモリへの転送を制御する組み込みプロセッサをさらに有する、請求項1記載の装置。
- 前記システム・コンテキストを前記より小さな不揮発性メモリに記憶することが完了する前に前記プロセッサ・コアが電源オフされる、請求項1記載の装置。
- 電力状態変更コマンドに応答して、前記システムは最初に、前記システム・コンテキストが前記揮発性メモリに記憶される揮発性メモリへのサスペンド動作を実行し、ある時間内に活動がなければ前記システム・コンテキストが前記より小さな不揮発性メモリに記憶され、当該装置のほとんどすべてのコンポーネントが電源オフされる、請求項1記載の装置。
- 前記システム・コンテキストを前記より小さな不揮発性メモリに記憶することが完了する前に前記プロセッサ・コアが電源オフされる、請求項5記載の装置。
- プロセッサの非コア・セクションをさらに有する、請求項1記載の装置であって、前記組み込みプロセッサは、前記システム・コンテキストを前記揮発性メモリから前記より小さな不揮発性メモリへ、前記非コア部を通じて転送する、装置。
- 前記電力管理論理の少なくとも一部分が前記プロセッサに含まれる、請求項7記載の装置。
- BIOSをさらに有する請求項1記載の装置であって、前記電力状態変更コマンドに応答して、前記BIOSが、前記システム・コンテキストの前記揮発性メモリから前記より小さな不揮発性メモリへの転送を引き起こし、該転送に続いて、前記BIOSが、揮発性メモリへのサスペンド状態からハイバーネーション状態へのスリープ型レジスタの変化を引き起こす、装置。
- BIOSをさらに有する請求項9記載の装置であって、前記BIOSは前記スリープ型レジスタのビットに変化を引き起こす、装置。
- 前記電力管理論理がスリープ型レジスタを含み、前記電力状態変更コマンドに応答して、前記スリープ型レジスタは最初に揮発性メモリへのサスペンド動作を表すビットを有しているが前記システム・コンテキストが前記より小さな不揮発性メモリに記憶されたのちに前記スリープ型レジスタはハイバーネーション動作を表すビットを有するよう変更される、請求項1記載の装置。
- 不揮発性メモリ・コントローラを含む組み込みプロセッサと;
電力管理の少なくとも一部の側面を制御する電力管理論理とを有する装置であって、
電力状態変更コマンドに応答して、前記電力管理論理は、他のコンポーネントが電源オフされたあとでも前記組み込みプロセッサが前記不揮発性メモリ・コントローラを通じてシステム・コンテキストが不揮発性メモリに記憶されるようにすることを含むプロセスを開始する、装置。 - 請求項12記載の装置であって:
プロセッサ・コアと;
前記プロセッサ・コアのためのシステム・メモリとして作用する揮発性メモリと;
前記不揮発性メモリと;
前記プロセッサ・コアが使うためのオペレーティング・システム、プログラムおよびデータを保持するための追加的な、より大きな不揮発性メモリとを有し、
前記他のコンポーネントは、前記プロセッサ・コアおよび前記より大きな不揮発性メモリを含む、装置。 - BIOSをさらに有する請求項13記載の装置であって、前記電力状態変更コマンドに応答して、前記BIOSが、前記システム・コンテキストの前記揮発性メモリから前記より小さな不揮発性メモリへの転送を引き起こし、該転送に続いて、前記BIOSが、揮発性メモリへのサスペンド状態からハイバーネーション状態へのスリープ型レジスタの変化を引き起こす、装置。
- プロセッサの非コア・セクションをさらに有する、請求項13記載の装置であって、前記組み込みプロセッサは、前記システム・コンテキストを前記揮発性メモリから前記より小さな不揮発性メモリへ、前記非コア部を通じて転送する、装置。
- 電力状態変更コマンドに応答して、前記システムは最初に、前記システム・コンテキストが前記揮発性メモリに記憶される揮発性メモリへのサスペンド動作を実行し、ある時間内に活動がなければ前記システム・コンテキストが前記より小さな不揮発性メモリに記憶され、当該装置のほとんどすべてのコンポーネントが電源オフされる、請求項12記載の装置。
- 電力状態変更コマンドを受け取る段階と;
実際にはシステム・コンテキストが不揮発性メモリに記憶され、続いて揮発性メモリが電力を失うときに、オペレーティング・システムが前記揮発性メモリへのサスペンド動作を認識するよう動作する段階とを有する方法であって、前記不揮発性メモリは、オペレーティング・システムを記憶するために使われる別の不揮発性メモリより小さな容量をもつ、方法。 - 前記システム・コンテキストの記憶が完了する前にプロセッサ・コアの電源をオフにする段階をさらに有する、請求項17記載の方法。
- 前記電力状態変更コマンドに応答して、最初に、前記システム・コンテキストが前記揮発性メモリに記憶される揮発性メモリへのサスペンド動作を実行し、ある時間内に活動がなければ前記システム・コンテキストを前記より小さな不揮発性メモリに記憶する、請求項17記載の方法。
- レジューム・コマンドに応答して、前記揮発性メモリが電力を受け取り、前記システム・コンテキストの少なくとも一部分を前記より小さな不揮発性メモリから受け取る、請求項17記載の方法。
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