JP2011503889A - 逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタを製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
− 第一の側、及び第一の側の反対側の第二の側を備えた第一の導電性タイプのウエーハの上で、第二の導電性タイプの第二のレイヤ、及び第二のレイヤにより周囲を取り囲まれた第一の導電性タイプの少なくとも一つの第三のレイヤが、第一の側の上に作り出され、第三のレイヤは、ウエーハより高いドープ濃度を有している。完成されたRC−IGBTにおいて修正されないドープ濃度を有しているウエーハの部分が、第一のレイヤを形成する。
− 導電性の第四のレイヤが、第一の側の上に作り出され、このこの第四レイヤは、第五のレイヤによりウエーハから電気的に絶縁される。前記少なくとも一つの第三のレイヤ、第四のレイヤ及び第五のレイヤは、それらが第二のレイヤの上方に第一の開口を形成するように、作り出される。
− 第二の電気的接点が第二の側の上に作り出され、この第二の電気的接点は、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤと直接電気的に接触する状態にある。
− nタイプのウエーハ13が、第一の側131、及び第一の側131の反対側の第二の側132を有している。ウエーハ13の一部であって、完成された逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタにおいて修正されないドープ濃度を有する部分が、第一のレイヤ2を形成する。pタイプの第二のレイヤ3が、第一の側131の上に作り出される。
− 第二のレイヤ3により周囲を取り囲まれた少なくとも一つのnタイプの第三のレイヤ4が、第一の側131の上に作り出される。第三のレイヤ4は、第一のレイヤ2より高いドープ濃度を有している。
− 導電性の第四のレイヤ5が、第一の側131の上に作り出され、この第四のレイヤは、第一の電気的に絶縁性のレイヤ61の上に配置される。第四のレイヤ5は、典型的に、高濃度にドープされたポリシリコンまたはアルミニウムのような金属から作られる。
− 第一の電気的接点10が、第一の側131の上に作り出され、この第一の電気的接点は、第二のレイヤ3及び第三のレイヤ4と直接電気的に接触する状態にある。典型的に、第一の電気的接点10は、第五のレイヤ6を覆う。
− 少なくとも一つのpタイプの第六のレイヤ7、及び少なくとも一つのnタイプの第七のレイヤ8(第一のレイヤ2より高いドープ濃度を有している)が、ウエーハ13の第二の側132に作り出される。前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤ7,8は、一平面内に交互に配置される。
− 第四及び第五のレイヤ5,6を作り出した後、第九のレイヤ12が、第一の開口16を介して、第一の側131へのイオンのインプランテイションにより、欠陥レイヤとして作り出される。図5から8において、インプランテイションは、S字形の矢印により表されている。少なくとも第四及び第五のレイヤ(5,6)が、第一のマスク14として使用される。
Claims (18)
- 逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1)を製造するための方法であって、
第一の側(131)、及び第一の側(131)の反対側の第二の側(132)を備えた第一の導電性タイプのウエーハ(13)の上で、完成された逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタにおいて修正されないドープ濃度を有しているウエーハの部分(13)が第一のレイヤ(2)を形成し、
第二の導電性タイプの第二のレイヤ(3)、及び第二のレイヤ(3)により周囲を取り囲まれた第一の導電性タイプの少なくとも一つの第三のレイヤ(4)が、第一の側(131)の上に作り出され、
その後で、第五の電気的に絶縁性のレイヤ(6)が第一の側(131)の上に作り出され、この第五のレイヤは、前記少なくとも一つの第三のレイヤ(4)、第二のレイヤ(3)及び第一のレイヤ(2)を部分的に覆い、
導電性の第四のレイヤ(5,5’)が、第一の側(131)の上に作り出され、この第四のレイヤは、第五のレイヤ(6)によりウエーハ(13)から絶縁され、前記少なくとも一つの第三のレイヤ(4)、第四のレイヤ(5,5’)及び第五のレイヤ(6)は、それらが、第二のレイヤ(3)の上方に第一の開口(16)を形成するように作り出され、
第一の電気的接点(10)が、第一の側(131)の上に作り出され、この第一の電気的接点は、第一の開口(16)の中で、第二のレイヤ(3)及び第三のレイヤ(4)と直接的に接触する状態にあり、
第二の導電性タイプの少なくとも一つの第六のレイヤ(7)及び第一の導電性タイプの少なくとも一つの第七のレイヤ(8)が、第二の側(132)の上に作り出され、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤ(7,8)は、一平面内に交互に配置され、
第二の電気的接点(11)が、第二の側の上に作り出され(132)、この第二の電気的接点は、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤ(7,8)と直接電気的に接触する状態にあり、且つ、
第四及び第五のレイヤ(5,5’,6)を作り出した後、欠陥レイヤとして形成される少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)が、少なくとも第四及び第五のレイヤ(5,6)を第一のマスク(14)として用いて、第一の開口(16)を介して、第一の側(131)へのイオンのインプランテイションにより作り出されること、
を特徴とする逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタを製造するための方法。 - 下記特徴を有する請求項1に記載の方法:
前記イオンは、第一の開口(16)の中で、ウエーハ(13)の中に、第一のマスク(14)より下側の深さまで侵入し、
前記イオンは、第一のマスク(14)の下側に、最大で第二のレイヤ(3)の厚さまで、特に、最大で1μmの深さまで、侵入する。 - 下記特徴を有する請求項1に記載の方法:
前記イオンは、第一のマスク(14)により、第一の開口(16)の周囲でウエーハ(13)の中に侵入することが防止される。 - 下記特徴を有する請求項1から3の何れか1項に記載の方法:
前記少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)を作り出すためのイオンは、第一の電気的接点(10)を作り出す前に、打ち込まれる。 - 下記特徴を有する請求項1から3の何れか1項に記載の方法:
前記少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)を作り出すためのイオンは、第一の電気的接点(10)を作り出した後に、打ち込まれ、
第一のマスク(14)は、第一の電気的接点(10)を更に有している。 - 下記特徴を有する請求項4に記載の方法:
第二のマスク(15)が第五のレイヤ(6)の上方に作り出され、この第五のレイヤは、少なくとも第一の開口(16)と重複する第二の開口(17)を有し、且つ、
前記第一のマスク(14)は、この第二のマスク(15)を更に有している。 - 下記特徴を有する請求項5に記載の方法:
第二のマスク(15’)が第一の電気的接点(10)の上方に作り出され、この第二のマスク(15’)は、少なくとも前記第一の開口(16)と重複する第二の開口を有し、且つ、
前記第一のマスク(14)は、この第二のマスク(15’)を更に有している。 - 下記特徴を有する請求項1から7の何れか1項に記載の方法:
インプランテイションのための前記イオンは、水素またはヘリウム・イオンである。 - 下記特徴を有する請求項1から7の何れか1項に記載の方法:
インプランテイションのための前記イオンは、燐または硼素イオンであり、特に、複数の電荷数の荷電イオンである。 - 下記特徴を有する請求項9に記載の方法:
インプランテイションのための前記イオンのドーズ量は、1*1011/cm2より高い。 - 下記特徴を有する請求項9または10に記載の方法:
前記イオンのインプランテイションの後に、アニール工程が実施され、特に、500℃以下の温度で実施され、特に、150℃から450℃までの範囲内の温度で実施される。 - 下記特徴を有する請求項11に記載の方法:
前記少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)は、第二のレイヤ(3)の中に、および/または、第二のレイヤ(3)の下側の第一のレイヤ(2)の中に、作り出される。 - 逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1)であって、
当該逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1)は、
第一のメイン側(21)、及び第一のメイン側(21)と反対側の第二のメイン側(22)を備えた第一の導電性タイプの第一のレイヤ(2)を有し;
第二の導電性タイプの第二のレイヤ(3)を有し、この第二のレイヤは第一のメイン側(21)の上に配置され;
第一の導電性タイプの少なくとも一つの第三のレイヤ(4)を有し、この第三のレイヤは、第一のメイン側(21)の上に配置され、且つ、この少なくとも一つの第三のレイヤ(4)は、第二のレイヤ(3)により周囲を取り囲まれ;
第五の電気的に絶縁性のレイヤ(6)を有し、この第五のレイヤは、第一のメイン側(21)の上に配置され、且つ、前記少なくとも一つの第三のレイヤ(4)を少なくとも部分的に覆い;
導電性の第四のレイヤ(5,5’)を有し、この第四のレイヤは、第一のメイン側(21)の上に配置され、且つ、第五のレイヤ(6)により、前記少なくとも一つの第三のレイヤ(4)、第四のレイヤ(5,5’)及び第一のレイヤ(2)から電気的に絶縁され、ここで、前記少なくとも一つの第三のレイヤ(4)、第四のレイヤ(5,5’)及び第五のレイヤ(6)は、第一の開口(16)が第二のレイヤ(3)の上方に配置されるように形成され;
第一の電気的接点(10)を有し、この第一の電気的接点は、第一のメイン側(21)の上に配置され、且つ、第一の開口(16)の中で、第二のレイヤ(3)及び第三のレイヤ(4)と直接電気的に接触する状態にあり;
第二の導電性タイプの少なくとも一つの第六のレイヤ(7)及び第一の導電性タイプの少なくとも一つの第七のレイヤ(8)を有し、これら第六のレイヤ及び第七のレイヤは第二のメイン側(22)の上に配置され、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤ(7,8)は、一平面内に交互に配置され;
第二の電気的接点(11)を有し、この第二の電気的接点は、第二のメイン側(22)の上に配置され、且つ、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤ(7,8)と直接電気的に接触する状態にあり、
少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)を有し、この第九のレイヤは欠陥レイヤとして形成され、その横方向の広がりは、第二のレイヤ(3)の中で、および/または、第二のレイヤ(3)の下側の第一のレイヤ(2)の中の、第一の開口(16)の境界により規定されるエリアに限定されること、
を特徴とする逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ。 - 下記特徴を有する請求項13に記載の逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1):
前記少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)は、第二のレイヤ(3)と第一のレイヤ(2)の間の接続部の下方で、第一のレイヤ(2)の中に、最大で10μmの深さに配置される。 - 下記特徴を有する請求項13または14に記載の逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1):
第一の導電性タイプの第八のレイヤ(9)が、第一のレイヤ(2)と、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤ(7,8)が配置された平面との間に配置されている。 - 下記特徴を有する請求項13から15の何れか1項に記載の逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1):
前記少なくとも一つの第九のレイヤ(12,12’)は、第一の開口(16)の下側に配置された第一の欠陥領域(121)、及び、第四及び第五のレイヤ(5,6)の下側に配置された少なくとも一つの第二の欠陥領域(122)を有し、
第一の欠陥領域(121)は、第二の欠陥領域(122)よりも深い深さの中に配置され、
第二の欠陥領域(122)は、最大で、第二のレイヤ(3)の厚さに対応する深さに配置され、特に、最大で1μmの深さに配置されている。 - 下記特徴を有する請求項14から16の何れか1項に記載の逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1):
第一の導電性タイプの第十のレイヤ(17)が、第二のレイヤ(3)と第一のレイヤ(2)の間に配置され、且つ、第十のレイヤ(17)は、第二のレイヤ(3)と第一のレイヤ(2)を分離している。 - 請求項14から17の何れか1項に記載の逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(1)を備えたコンバータ。
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