JP2011502817A - マスター型複製方法 - Google Patents
マスター型複製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011502817A JP2011502817A JP2010532264A JP2010532264A JP2011502817A JP 2011502817 A JP2011502817 A JP 2011502817A JP 2010532264 A JP2010532264 A JP 2010532264A JP 2010532264 A JP2010532264 A JP 2010532264A JP 2011502817 A JP2011502817 A JP 2011502817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- silicone
- daughter
- ductile metal
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
Description
a)その表面上に雄パターンを有するマスター型を提供するステップと、
b)雄パターンを有するマスター型を硬化性シリコーンに接触させ硬化させるステップと、
c)その表面上に雌パターンを有する硬化したシリコーン型(第1世代娘型)を取り外すステップと、
d)雌パターン化表面上に、先ず延性金属層を堆積させるステップと、
e)次いで雌パターン化表面上に金属ニッケル層を堆積させるステップと、
f)所望によりステップeの物品を基材に固定するステップと、
g)雌パターン化表面を有する電気めっきニッケル層を、パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で分離することにより、サブマスターを作製するステップとを含む。
a)その表面上に雄パターンを有するマスター型を提供するステップと、
b)マスター型を硬化性シリコーンに接触させ硬化させるステップと、
c)その表面上に雌パターンを有する硬化したシリコーン型(第1世代娘型)を取り外すステップと、
d)その表面上に雌パターンを有する硬化したシリコーン型を硬化性シリコーン及び離型剤に接触させるステップと、
e)その表面上に雄パターンを有する硬化した第2世代シリコーン型(第2世代娘型)を取り外すステップと、
f)雄パターン化表面上に、先ず延性金属層を堆積させるステップと、
g)次いで雄パターン化表面上に金属ニッケル層を堆積させるステップと、
h)所望によりステップgの物品を基材に固定するステップと、
i)雄パターン化表面を有する電気めっきニッケル層を、パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で分離することにより、サブマスターを作製するステップとを含む。
H2PO2−+H−−−−−−OH−+H2O+P(ニッケルとの合金)
ニッケル層を堆積させた後、同層はシリコーン娘型から分離され、パターン化表面と、このパターン化表面上の延性金属層とを有するサブマスター型が作製される。(シリコーン娘型上に堆積した)延性金属層は、堆積したニッケル層に選択的に付着し、同ニッケル層とともに移動することが観察されている。元のマスター型に対する忠実度を維持するために、ニッケル表面から延性金属層をエッチングしないことが好ましい。このようなエッチングは以後に複製されるいずれのパターン要素の寸法及び形状にも悪影響を及ぼすことが観察されている。
a)マスター型の製作のためのプロセス
反射光によるパターンの分解を避けるために、反射防止コーティング(ARC UV−112、ブリュワー・サイエンス(Brewer Science)(ミズーリ州、ロラ(Rolla))から入手可能)を、フォトレジスト適用前に、Siウェハー(モンコ・シリコーン・テクノロジーズ(Montco Silicon Technologies, Inc.)(ペンシルバニア州スプリングシティ(Spring City)から入手可能)の表面に適用した。15μm厚さの、SU−8フォトレジストの層(マイクロケム社(MicroChem Corp.)、マサチューセッツ州ニュートン(Newton)から入手可能)を、ARCコーティングされたSiウェハー上に、スピンコーティングし、続いて65℃の温度で2分間、次いで95℃で2分間焼成することにより、コーティングした。
ポリ(ジメチルシロキサン)(PDMS)及びその硬化剤(ダウコーニング(Dow Corning)社、ミシガン州ミッドランド(Midland)からSYLGARD 184シリコーンエラストマーキットとして入手可能)を、10:1の重量比で十分混合した。混合物中に捕捉された気泡を、低真空で30分間脱気することにより取り除いた。脱気した混合物をパターン化SU−8(a部より)上に注ぎ、更に30分間脱気し、次いで80℃のホットプレート上で1時間硬化させた。硬化後、シリコーン雌型をSU−8マスター型から剥離し、(マスター型に対して)雌のパターン要素を有する、所望のシリコーン第1世代娘型を得た。
第1世代雌型のパターン化表面に、電子ビーム蒸着(マーク(Mark)50、CHAインダストリーズ(CHA Industries)社、郵便番号CA94538フリーモント市ビジネスセンター通り4201番地(4201 Business Center Drive, Fremont, CA94538)から入手可能)により、厚さ75nmの銀層(延性金属層)を供給した。次いで、ステンレススチールの支持ディスクを娘型の非パターン化表面に、両面粘着テープによって貼り付けた。娘型の、銀被覆したパターン化表面上に、ニッケル層を堆積させた。温度54℃(130°F)及び電流密度20アンペア/平方フィート(ASF)で、スルファミン酸ニッケル浴を用いた。ニッケル堆積厚さは約0.50mm(20ミル)である。電解析出の完了後、銀層を有するニッケルサブマスターを、シリコーン娘型から分離した。
銀に代えて、10ナノメートルのニッケル層を、基本的に実施例1の要領によりシリコーン娘型に供給した。図3に、気相堆積したニッケル層の大規模な亀裂が示されている。
PDMS型上の亀裂のない銀層
基本的に実施例1の要領により、100ナノメートルの延性銀層を、結合層は用いずにシリコーン娘型上に、電子ビーム蒸着(マーク(Mark)50、CHAインダストリーズ(CHA Industries)社、カリフォルニア州フリーモント市ビジネスセンター通り4201番地(4201 Business Center Drive, Fremont, CA)から入手可能)によって堆積させた。ニッケルフィルムとは対照的に、銀フィルムには亀裂が全く観察されなかった。図5は堆積した銀層の、亀裂のない滑らかな表面を示している。
Claims (18)
- a)パターン化シリコーン娘型を提供するステップと、
b)前記娘型のパターン化表面上に延性金属層を堆積させるステップと、
c)前記娘型のパターン化表面上に金属ニッケル層を堆積させるステップと、
d)所望によりステップcの物品を基材に固定するステップと、
e)パターン化表面を有する堆積ニッケル層を、前記パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で分離することにより、サブマスター型を作製するステップと
を含む成形型複製方法。 - 前記延性金属層が、10ナノメートルより大きく100ナノメートルより小さい厚さと10ナノメートルより小さい平均表面粗さとを有する気相堆積金属層である、請求項1に記載の方法。
- 堆積ニッケル層の厚さが0.2mm〜5mmである、請求項1に記載の方法。
- 延性金属が少なくとも50%の破断点伸びを有する、請求項1に記載の方法。
- 延性金属が25以下のビッカース硬さを有する、請求項4に記載の方法。
- 延性金属が金、銀、錫又はインジウムから選択される、請求項1に記載の方法。
- 延性金属層を堆積させるステップが気相堆積ステップである、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコーンが、付加硬化性シリコーン類、縮合硬化性シリコーン類、遊離基硬化性シリコーン類及びカチオン硬化性シリコーン類から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記サブマスター表面のパターン要素が、100ナノメートル〜15,000マイクロメートルの横断面であり、10ナノメートル〜15,000マイクロメートルの反復距離を有する、請求項1に記載の方法。
- パターン化シリコーン娘型が、マスター型から調製された第1世代娘型である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1世代娘型が、
i.その表面上に雄パターンを有するマスター型を提供するステップと、
ii.マスター型を硬化性シリコーンと接触させ硬化させるステップと、
iii.その表面上に雌パターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
iv.雌パターン化表面上に、先ず延性金属層を堆積させるステップと、
v.続いて延性金属層を有する雌パターン化表面上に、金属ニッケル層を電気めっきするステップと、
vi.所望によりステップvの物品を基材に固定するステップと、
vii.雄パターン化表面を有する電気めっきされたニッケル層を、前記パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で前記シリコーンから分離して、第1世代娘型を作製するステップと
によって調製される、請求項1に記載の方法。 - パターン化シリコーン娘型が第1世代シリコーン娘型から調製された第2世代娘型であって、第1世代シリコーン娘型がマスター型から調製されたものである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2世代娘型が、
a)その表面上に雄パターンを有するマスター型を提供するステップと、
b)マスター型に硬化性シリコーンを接触させ硬化させるステップと、
c)その表面上に雌パターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
d)その表面上に雌パターンを有する硬化したシリコーン型に硬化性シリコーンを接触させるステップと、
e)その表面上に雄パターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
f)雄パターン化表面上に、先ず延性金属層を堆積させるステップと、
g)次いで雄パターン化表面上に金属ニッケル層を堆積させるステップと、
h)所望により前記ステップgの物品を基材に固定するステップと、
i)雄パターン化表面を有する電気めっきされたニッケル層を、前記パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で分離して、第2世代娘型を作製するステップと
によって第2世代娘型が調製される、請求項12に記載の方法。 - a)請求項1に記載のサブマスター型を提供するステップと、
b)サブマスター型に硬化性シリコーンを接触させ硬化させるステップと、
c)その表面上にパターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
d)所望によりステップb〜cを繰り返すステップと
を含む複製方法。 - 前記硬化性シリコーン樹脂が、付加硬化性シリコーン、縮合硬化性シリコーン、遊離基硬化性シリコーン、及びカチオン硬化性シリコーンから選択される、請求項14に記載の方法。
- 前記複製が少なくとも10回繰り返される、請求項14に記載の方法。
- そのパターン化表面上に延性金属層を有するニッケルサブマスター型。
- 延性金属層の厚さが10ナノメートルより大きく100ナノメートルより小さい、請求項17に記載のニッケルサブマスター。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US98461607P | 2007-11-01 | 2007-11-01 | |
US60/984,616 | 2007-11-01 | ||
PCT/US2008/081928 WO2009059089A1 (en) | 2007-11-01 | 2008-10-31 | Method for replicating master molds |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011502817A true JP2011502817A (ja) | 2011-01-27 |
JP2011502817A5 JP2011502817A5 (ja) | 2011-10-06 |
JP5551602B2 JP5551602B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=40239632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010532264A Expired - Fee Related JP5551602B2 (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-31 | マスター型複製方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110104321A1 (ja) |
EP (1) | EP2212745A1 (ja) |
JP (1) | JP5551602B2 (ja) |
CN (1) | CN101910942B (ja) |
WO (1) | WO2009059089A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018537699A (ja) * | 2015-11-22 | 2018-12-20 | オーボテック リミテッド | プリントされた3次元構造物の表面特性の制御 |
US11960205B2 (en) | 2018-12-21 | 2024-04-16 | Rolex Sa | Method for manufacturing a horology component |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9028242B2 (en) * | 2008-08-05 | 2015-05-12 | Smoltek Ab | Template and method of making high aspect ratio template for lithography and use of the template for perforating a substrate at nanoscale |
US20110120626A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Chung-Ping Lai | Method of producing ultra fine surfacing bulk substrate |
EP2565014A4 (en) | 2010-06-23 | 2015-01-21 | Nippon Soda Co | METHOD FOR PRODUCING A MOLD COPY FOR HIGH PRINTING |
JP5772827B2 (ja) * | 2010-07-12 | 2015-09-02 | 旭硝子株式会社 | インプリントモールド用TiO2含有石英ガラス基材およびその製造方法 |
US8816211B2 (en) * | 2011-02-14 | 2014-08-26 | Eastman Kodak Company | Articles with photocurable and photocured compositions |
CN102193126B (zh) * | 2011-05-26 | 2012-08-29 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 宽带低电场增强反射金属介电光栅 |
CN105093824B (zh) * | 2015-08-31 | 2019-05-07 | 西安交通大学 | 一种气电协同的大面积纳米压印光刻方法 |
JP7068357B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2022-05-16 | エルケム・シリコーンズ・フランス・エスアエス | シリコーンエラストマー型の製造方法 |
KR102620913B1 (ko) | 2017-08-24 | 2024-01-05 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 광학 도파관 제작 방법 |
WO2019084770A1 (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 香港科技大学 | 具有表面微纳结构的金属薄膜模具的制备方法和金属薄膜模具中间体 |
CN112776495B (zh) * | 2020-12-16 | 2022-03-18 | 维达力实业(赤壁)有限公司 | Uv转印模具的修复方法及uv转印模具 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004136692A (ja) * | 1998-03-27 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 金属製第3成形型を大量に製造する方法、樹脂基板を製造する方法及び樹脂基板 |
JP2004526581A (ja) * | 2001-03-14 | 2004-09-02 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針(microneedles)構造を製造する方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2843555A (en) * | 1956-10-01 | 1958-07-15 | Gen Electric | Room temperature curing organopolysiloxane |
GB923710A (en) * | 1960-11-07 | 1963-04-18 | Ici Ltd | Production of organosilicon compounds |
US3159662A (en) * | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Addition reaction |
US3220972A (en) * | 1962-07-02 | 1965-11-30 | Gen Electric | Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst |
US3410886A (en) * | 1965-10-23 | 1968-11-12 | Union Carbide Corp | Si-h to c=c or c=c addition in the presence of a nitrile-platinum (ii) halide complex |
US3313773A (en) * | 1965-12-03 | 1967-04-11 | Gen Electric | Platinum addition catalyst system |
AT278040B (de) * | 1966-12-16 | 1970-01-26 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Organosiliziumverbindungen |
DE1259888B (de) * | 1967-05-27 | 1968-02-01 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Organosiliciumverbindungen |
US3814730A (en) * | 1970-08-06 | 1974-06-04 | Gen Electric | Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes |
US3715334A (en) * | 1970-11-27 | 1973-02-06 | Gen Electric | Platinum-vinylsiloxanes |
US3775452A (en) * | 1971-04-28 | 1973-11-27 | Gen Electric | Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes |
NL7207442A (ja) * | 1971-06-25 | 1972-12-28 | ||
DE2846621A1 (de) * | 1978-10-26 | 1980-05-08 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum anlagern von si-gebundenem wasserstoff an aliphatische mehrfachbindung |
US4288345A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-08 | General Electric Company | Platinum complex |
US4313988A (en) * | 1980-02-25 | 1982-02-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Epoxypolysiloxane release coatings for adhesive materials |
US5089536A (en) * | 1982-11-22 | 1992-02-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Energy polmerizable compositions containing organometallic initiators |
US4510094A (en) * | 1983-12-06 | 1985-04-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Platinum complex |
US4712092A (en) * | 1983-12-20 | 1987-12-08 | Aaron J. Gellman | Parallel encoded piezoelectric keyboard switch and array |
US4603215A (en) * | 1984-08-20 | 1986-07-29 | Dow Corning Corporation | Platinum (O) alkyne complexes |
FR2571732B1 (fr) * | 1984-10-15 | 1987-01-09 | Rhone Poulenc Spec Chim | Composition organopolysiloxanique de revetement utilisable notamment pour le traitement antiadherent et son procede d'application |
FR2575086B1 (fr) * | 1984-12-20 | 1987-02-20 | Rhone Poulenc Spec Chim | Complexe platine-alcenylcyclohexene comme catalyseur de reaction d'hydrosilylation et son procede de preparation |
US4705765A (en) * | 1985-12-19 | 1987-11-10 | General Electric Company | Hydrosilylation catalyst, method for making and use |
US4670531A (en) * | 1986-01-21 | 1987-06-02 | General Electric Company | Inhibited precious metal catalyzed organopolysiloxane compositions |
JPS62177187A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Sumitomo Suriim Kk | 金属画像の形成方法 |
JP2595654B2 (ja) * | 1988-05-23 | 1997-04-02 | ソニー株式会社 | ディスクカートリッジ用シャッタ及びその製造方法 |
US4916169A (en) * | 1988-09-09 | 1990-04-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Visible radiation activated hydrosilation reaction |
US5091483A (en) * | 1989-09-22 | 1992-02-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation-curable silicone elastomers and pressure sensitive adhesives |
US6376569B1 (en) * | 1990-12-13 | 2002-04-23 | 3M Innovative Properties Company | Hydrosilation reaction utilizing a (cyclopentadiene)(sigma-aliphatic) platinum complex and a free radical photoinitiator |
US5286815A (en) * | 1992-02-07 | 1994-02-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Moisture curable polysiloxane release coating compositions |
US5332797A (en) * | 1992-04-01 | 1994-07-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Silicone release compositions |
WO1998040439A1 (en) * | 1997-03-14 | 1998-09-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Cure-on-demand, moisture-curable compositions having reactive silane functionality |
US5932150A (en) * | 1997-08-25 | 1999-08-03 | Holo-Source Corporation | Replication of diffraction images in oriented films |
US6788463B2 (en) * | 1998-01-13 | 2004-09-07 | 3M Innovative Properties Company | Post-formable multilayer optical films and methods of forming |
US6207247B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-03-27 | Nikon Corporation | Method for manufacturing a molding tool used for sustrate molding |
US6814897B2 (en) * | 1998-03-27 | 2004-11-09 | Discovision Associates | Method for manufacturing a molding tool used for substrate molding |
US6098247A (en) * | 1998-07-22 | 2000-08-08 | Santelli, Jr.; Albert | Plastic extrusion having unitary thermoplastic rubber and thermoplastic sections |
US20050154567A1 (en) * | 1999-06-18 | 2005-07-14 | President And Fellows Of Harvard College | Three-dimensional microstructures |
US6692680B2 (en) * | 2001-10-03 | 2004-02-17 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Reproduction of micromold inserts |
TW590999B (en) * | 2002-08-28 | 2004-06-11 | Alliance Fiber Optic Prod Inc | Mold for producing array optical fiber substrate with V-shaped grooves and method for producing the same |
JP4322096B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-08-26 | Tdk株式会社 | レジストパターン形成方法並びに磁気記録媒体及び磁気ヘッドの製造方法 |
JP4628715B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2011-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および注型成形用母型 |
US7891636B2 (en) * | 2007-08-27 | 2011-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Silicone mold and use thereof |
KR20180038574A (ko) * | 2008-07-18 | 2018-04-16 | 바이오모드 컨셉츠 인코포레이티드 | 활성 성분을 방출하는 제품 |
-
2008
- 2008-10-31 EP EP08843712A patent/EP2212745A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-31 JP JP2010532264A patent/JP5551602B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-31 US US12/673,549 patent/US20110104321A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-31 CN CN2008801226192A patent/CN101910942B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-31 WO PCT/US2008/081928 patent/WO2009059089A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004136692A (ja) * | 1998-03-27 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 金属製第3成形型を大量に製造する方法、樹脂基板を製造する方法及び樹脂基板 |
JP2004526581A (ja) * | 2001-03-14 | 2004-09-02 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針(microneedles)構造を製造する方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018537699A (ja) * | 2015-11-22 | 2018-12-20 | オーボテック リミテッド | プリントされた3次元構造物の表面特性の制御 |
US11960205B2 (en) | 2018-12-21 | 2024-04-16 | Rolex Sa | Method for manufacturing a horology component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2212745A1 (en) | 2010-08-04 |
JP5551602B2 (ja) | 2014-07-16 |
CN101910942A (zh) | 2010-12-08 |
US20110104321A1 (en) | 2011-05-05 |
CN101910942B (zh) | 2013-11-20 |
WO2009059089A1 (en) | 2009-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5551602B2 (ja) | マスター型複製方法 | |
JP5175351B2 (ja) | シリコーン成形型及びその使用 | |
EP1290497B1 (en) | Method for the production of a template and the template thus produced | |
JP5419040B2 (ja) | 転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型 | |
CN116256829A (zh) | 一种近眼显示器衍射光栅波导的制备方法 | |
EP2163367A1 (en) | Form, microprocessed article, and their manufacturing methods | |
CN1309784A (zh) | 具有脱模剂的表面 | |
CN1693182A (zh) | 深亚微米三维滚压模具及其制作方法 | |
CN109634055A (zh) | 一种低表面能镍纳米压印模板的制备方法 | |
JP5818306B2 (ja) | 転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型 | |
JP5168795B2 (ja) | 3次元モールドの製造方法 | |
EP1930776A1 (en) | Process for producing 3-dimensional mold, process for producing microfabrication product, process for producing micropattern molding, 3-dimensional mold, microfabrication product, micropattern molding and optical device | |
JP4889316B2 (ja) | 3次元構造物の製造方法、3次元構造物、光学素子、ステンシルマスク、微細加工物の製造方法、及び微細パターン成形品の製造方法。 | |
US7344990B2 (en) | Method of manufacturing micro-structure element by utilizing molding glass | |
Fu et al. | A titanium-nickel composite mold with low surface energy for thermal nanoimprint lithography | |
Yin et al. | Tunable metallization by assembly of metal nanoparticles in polymer thin films by photo-or electron beam lithography | |
Uchiya et al. | Ni electroplating on a resist micro-machined by proton beam writing | |
Kang et al. | Nanoimprint replication of nonplanar nanostructure fabricated by focused-ion-beam chemical vapor deposition | |
Kreindl et al. | Soft UV-NIL at the 12.5 nm Scale | |
TWI325872B (en) | Roll-to-roll embossing tools and processes | |
Khan et al. | Nano Embedded Metal-mesh Transparent Electrodes (Nano-EMTEs) Fabricated by LEIT and TEIT Strategies | |
KR101590804B1 (ko) | 메쉬타입 전극패턴이 형성된 고분자 복제층 형성용 광경화 코팅조성물 및 이를 이용한 메쉬타입 전극형성방법 | |
Duarte | Fabrication of carbon micro molds | |
Stacey et al. | Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes | |
Ionascu et al. | Manufacturing technology of the scales used in the incremental reading systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110818 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130318 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130920 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5551602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |