JP2011258859A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011258859A JP2011258859A JP2010133763A JP2010133763A JP2011258859A JP 2011258859 A JP2011258859 A JP 2011258859A JP 2010133763 A JP2010133763 A JP 2010133763A JP 2010133763 A JP2010133763 A JP 2010133763A JP 2011258859 A JP2011258859 A JP 2011258859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- processed
- chamber
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第1のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第1のサセプタの表出面を覆う第2のサセプタを前記第1のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】薄膜形成装置は、第1のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第1のサセプタの表出面を覆う第2のサセプタを前記第1のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、薄膜形成装置に関する。
ガリウム砒素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)等に代表される化合物半導体は、シリコン半導体では実現できない高速デバイス、発光デバイス等の実現が可能であることから、その需要が拡大している。
例えば、LED(Light Emitting Diode)等の発光デバイスでは、被処理基板上に、窒化物系の半導体多層構造体を形成する。これらの各層は、各層毎に成膜室を分けて形成される製造工程が一般的になりつつある。これは、成膜室の内壁、原料ガスの供給部に付着する反応生成物、残留ガス等による各層への汚染を極力少なくするためである。
例えば、LED(Light Emitting Diode)等の発光デバイスでは、被処理基板上に、窒化物系の半導体多層構造体を形成する。これらの各層は、各層毎に成膜室を分けて形成される製造工程が一般的になりつつある。これは、成膜室の内壁、原料ガスの供給部に付着する反応生成物、残留ガス等による各層への汚染を極力少なくするためである。
しかしながら、各層の成膜を各成膜室毎に分けても、被処理基板を支持するサセプタは半導体多層構造体が形成されるまでに交換することなく使用される。このため、成膜処理が増す毎にサセプタの表面には各成膜室における反応生成物、残留ガス等が付着する場合がある。その結果、サセプタに付着した反応生成物、残留ガス等によって、半導体多層構造体の各層が汚染される場合がある。あるいは、サセプタに付着する反応生成物が各成膜室毎に変わってしまい、サセプタの熱輻射条件が各成膜室毎に変化して、各層における成膜条件の再現性が得られないといった問題が生じている。
本発明の実施形態は、薄膜形成の再現性を向上させることが可能な薄膜形成装置を提供する。
本実施形態の薄膜形成装置は、第1のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第1のサセプタの表出面を覆う第2のサセプタを前記第1のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。
以下、図面を参照しつつ、本実施の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置の要部平面模式図である。
図2は、第1の実施の形態に係る被処理基板、下側および上側サセプタの要部模式図であり、(a)は、被処理基板、下側および上側サセプタの要部平面模式図、(b)は、(a)のX−Y断面ならびにX’−Y’断面における、下側サセプタと上側サセプタとが接触した状態の要部断面模式図、(c)は、(a)のX−Y断面ならびにX’−Y’断面における、下側サセプタと上側サセプタとが離れた状態の要部断面模式図である。図1には、後述する搬送アーム60が透視されて、この搬送アーム60が表示されている。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置の要部平面模式図である。
図2は、第1の実施の形態に係る被処理基板、下側および上側サセプタの要部模式図であり、(a)は、被処理基板、下側および上側サセプタの要部平面模式図、(b)は、(a)のX−Y断面ならびにX’−Y’断面における、下側サセプタと上側サセプタとが接触した状態の要部断面模式図、(c)は、(a)のX−Y断面ならびにX’−Y’断面における、下側サセプタと上側サセプタとが離れた状態の要部断面模式図である。図1には、後述する搬送アーム60が透視されて、この搬送アーム60が表示されている。
図1に示すように、薄膜形成装置1は、搬送室10と、処理室20、21、22と、サセプタ交換室30と、ストッカ室40と、ロードロック室50と、を有する。搬送室10には、搬送アーム60が設置されている。
トランスファチャンバである搬送室10は、その主面に略垂直な方向からみて多角形をなし、薄膜形成装置1の中心に配置されている。搬送室10のそれぞれの側面には、第1の処理室20、第2の処理室21、第3の処理室22、サセプタ交換室30、ストッカ室40、ロードロック室50がバルブ70を介して連結している。これらの各室には、図示しない圧力を調整することが可能な排気系が接続されている。これにより、各室は各々指定した圧力状態を維持することができる。それぞれのバルブ70を閉じると、搬送室10と、処理室20、21、22、サセプタ交換室30、ストッカ室40、ロードロック室50とは、閉じたバルブ70を隔てて分離される。
半導体ウェーハ等の被処理基板80は、サセプタ90に支持されて、ロードロック室50から搬送室10に搬入出される。搬送室10の内部には、サセプタ90に支持された被処理基板80を搬送する搬送アーム60が設置されている。搬送アーム60は、駆動機構(図示しない)によって搬送室10の中心を軸に回転し、さらに伸縮することができる。
薄膜形成装置1内に仕込まれた、被処理基板80およびサセプタ90は、搬送アーム60の先端部分であるハンド部61によって支持される。搬送アーム60の回転と伸縮によって、サセプタ90に支持された被処理基板80が処理室20、処理室21、処理室22、サセプタ交換室30、ストッカ室40、またはロードロック室50のいずれか2つの室間において搬送室10を経由して搬送される。
被処理基板80を支持するサセプタ90の構造について、図2を用いて説明する。
図2(a)に示すように、サセプタ90は、複数の被処理基板80を支持することができる。図2(b)、(c)に示すように、第1の実施の形態に係るサセプタ90は、第1のサセプタである下側サセプタ91と、第2のサセプタである上側サセプタ92と、を有する。下側サセプタ91には、被処理基板80を固定するための凹部91aが設けられている。凹部91aの底面積は、被処理基板80の面積よりも大きく設計されており、被処理基板80は、凹部91a内に設置される。
図2(a)に示すように、サセプタ90は、複数の被処理基板80を支持することができる。図2(b)、(c)に示すように、第1の実施の形態に係るサセプタ90は、第1のサセプタである下側サセプタ91と、第2のサセプタである上側サセプタ92と、を有する。下側サセプタ91には、被処理基板80を固定するための凹部91aが設けられている。凹部91aの底面積は、被処理基板80の面積よりも大きく設計されており、被処理基板80は、凹部91a内に設置される。
下側サセプタ91の主面と、上側サセプタ92の主面同士を、図2(b)に示すように接触させたとき、下側サセプタ91の凹部91hと、上側サセプタ92の凸部92tとが嵌合する。これにより、下側サセプタ91の表出面(例えば、表面側)は、上側サセプタ92によって覆われる。下側サセプタ91と、上側サセプタ92とは、図2(c)に示すように互いに離すことができる。すなわち、上側サセプタ92は、交換部品であり、下側サセプタ91に取り付けたり、下側サセプタ91から外したりすることができる。下側サセプタ91には、切り欠き91nが対向するように設けられている。この切り欠き91nを下側サセプタ91に設けた理由については、後述する。
再び、図1を用いて、薄膜形成装置1を説明する。
搬送室10に連結された、処理室20、処理室21、および処理室22では、搬送アーム60によって搬送された被処理基板80に処理を施すことが可能である。処理室20、処理室21、および処理室22では、被処理基板80がサセプタ90に支持されながら処理される。処理としては、被処理基板80に対する真空加熱処理、RIE(Reactive Ion Etching)、当方性エッチング等のエッチング処理、CVD、スパッタリング等の成膜処理、表面クリーニング、表面ブラスト、アッシング等のプラズマ処理等が挙げられる。
搬送室10に連結された、処理室20、処理室21、および処理室22では、搬送アーム60によって搬送された被処理基板80に処理を施すことが可能である。処理室20、処理室21、および処理室22では、被処理基板80がサセプタ90に支持されながら処理される。処理としては、被処理基板80に対する真空加熱処理、RIE(Reactive Ion Etching)、当方性エッチング等のエッチング処理、CVD、スパッタリング等の成膜処理、表面クリーニング、表面ブラスト、アッシング等のプラズマ処理等が挙げられる。
搬送室10に連結された、サセプタ交換室30においては、下側サセプタ91の表出面を覆う上側サセプタ92を下側サセプタ91に着脱することが可能である。すなわち、サセプタ交換室30においては、下側サセプタ91に上側サセプタ92が取り付けられたり、取り付けられた上側サセプタ92が下側サセプタ91から取り外されたりする。
搬送室10に連結された、ストッカ室40においては、未処理の上側サセプタ92が複数個、収納されている。未処理の上側サセプタ92とは、例えば、新品のサセプタ、被膜が表面に堆積していないサセプタ、あるいは、表面が洗浄済みのサセプタ等をいう。そのほか、ストッカ室40には、処理された上側サセプタ92が収納されている。
サセプタ交換室30およびストッカ室40により、上側サセプタ92の下側サセプタ91への取り付け、上側サセプタ92の交換は、処理室20、21、22のそれぞれにおいて被処理基板80が処理される前に自動的に行うことができる。
処理室20、21、22が、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)用の成膜室である場合の処理室の構成について説明する。
図3は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置の処理室の要部断面模式図である。
処理室20、21、22のいずれかにおいては、密閉容器25と、ガス供給機構26と、下側サセプタ91をさらに支持することのできるステージ27と、被処理基板80をステージ27の裏面側から加熱することが可能な加熱機構(ヒータ)28と、を備える。
図3は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置の処理室の要部断面模式図である。
処理室20、21、22のいずれかにおいては、密閉容器25と、ガス供給機構26と、下側サセプタ91をさらに支持することのできるステージ27と、被処理基板80をステージ27の裏面側から加熱することが可能な加熱機構(ヒータ)28と、を備える。
処理室においては、例えば、被処理基板80が加熱機構28によって加熱され、CVD用の原料ガスがガス供給機構26から供給される。被処理基板80の表面で原料ガスが分解することにより、被処理基板80上に被膜が形成される。密閉容器25内のガスは、排気管29を通じて排気系により排気される。
サセプタ交換室30における上側サセプタ92の交換の手順について説明する。
図4は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置のサセプタ交換室内の動作を説明する要部模式図であり、(a)は、下側サセプタの上側に上側サセプタが搭載された状態を説明する要部模式図、(b)は、(a)の状態から下側サセプタおよび上側サセプタが略90°回転する状態を説明する要部模式図、(c)は、下側サセプタから上側サセプタが離れた状態を説明する要部模式図である。図4(a)〜図4(c)の各図には、それぞれの上側にサセプタ交換室30の内部を透視した要部平面が示され、下側にサセプタ交換室30の要部断面が示されている。
図4は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置のサセプタ交換室内の動作を説明する要部模式図であり、(a)は、下側サセプタの上側に上側サセプタが搭載された状態を説明する要部模式図、(b)は、(a)の状態から下側サセプタおよび上側サセプタが略90°回転する状態を説明する要部模式図、(c)は、下側サセプタから上側サセプタが離れた状態を説明する要部模式図である。図4(a)〜図4(c)の各図には、それぞれの上側にサセプタ交換室30の内部を透視した要部平面が示され、下側にサセプタ交換室30の要部断面が示されている。
図4に示すように、搬送アーム60の先端部分であるハンド部61は、第1延出部61aと、第2延出部61bとに分岐されている。第1延出部61aと第2延出部61bとは、互いに対向している。
下側サセプタ91に、上述した切り欠き91nが設けられたことにより、第1延出部61aと第2延出部61bとの間隔は、下側サセプタ91の主面に対して略平行な方向の下側サセプタの最大幅(例えば、矢印Aで示される距離)よりも狭く、下側サセプタ91の主面に対して略平行な方向の下側サセプタの最小幅(例えば、矢印Bで示される距離)よりも広い。
下側サセプタ91に、上述した切り欠き91nが設けられたことにより、第1延出部61aと第2延出部61bとの間隔は、下側サセプタ91の主面に対して略平行な方向の下側サセプタの最大幅(例えば、矢印Aで示される距離)よりも狭く、下側サセプタ91の主面に対して略平行な方向の下側サセプタの最小幅(例えば、矢印Bで示される距離)よりも広い。
互いに対向する第1延出部61aと第2延出部61bとの間隔が下側サセプタ91の主面に対して略平行な方向の下側サセプタの最大幅よりも狭いとき、ハンド部61の第1延出部61aおよび第2延出部61bによって、下側サセプタ91の両端が支持される。リフタ31は、リフタ31の直下に配置された駆動機構32に連結されている。
また、サセプタ交換室30は、下側サセプタ91を下側サセプタ91の主面に対して略平行な方向に回転させることが可能な駆動機構32を有する。このほか、駆動機構32は、下側サセプタ91を下側サセプタ91の主面に対して略垂直な方向に移動させることができる。
先ず、サセプタ交換室30において、下側サセプタ91から上側サセプタ92を取り外す手順について説明する。
図4(a)に示すように、被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92が搬送アーム60によってサセプタ交換室30に搬送される。搬送された上側サセプタ92は、例えば、処理済みのサセプタである。この段階では、下側サセプタ91の切り欠き91n同士が対向する方向と、第1延出部61aと第2延出部61bとが対向する方向とが互いに略直交している。
図4(a)に示すように、被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92が搬送アーム60によってサセプタ交換室30に搬送される。搬送された上側サセプタ92は、例えば、処理済みのサセプタである。この段階では、下側サセプタ91の切り欠き91n同士が対向する方向と、第1延出部61aと第2延出部61bとが対向する方向とが互いに略直交している。
次に、図4(b)に示すように、サセプタ交換室30の内部に設置されたリフタ31によって、被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92が押し上げられる。ハンド部61の位置は、図4(a)の状態と同じである。
被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92をリフタ31によって押し上げた後、リフタ31を回転させることにより、被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92を図4(a)の状態から略90°回転させる。被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92が略90°回転した後は、下側サセプタ91の切り欠き91n同士が対向する方向と、第1延出部61aと第2延出部61bとが対向する方向とは、略平行状態になる。
次に、図4(c)に示すように、リフタ31を第1延出部61aおよび第2延出部61bの位置よりもさらに下方に移動させる。ハンド部61の位置は、図4(b)の状態と同じである。下側サセプタ91においては、切り欠き91n同士が対向する方向の幅が第1延出部61aと第2延出部61bとの間よりも狭くなるように設計されている。従って、リフタ31を第1延出部61aおよび第2延出部61bの位置よりもさらに下方に移動させると、下側サセプタ91については、ハンド部61の第1延出部61aと第2延出部61bとの間を通り抜け、上側サセプタ92の両端が第1延出部61aおよび第2延出部61bによって掛止される。すなわち、下側サセプタ91から上側サセプタ92が取り外される。取り外された上側サセプタ92は、搬送アーム60によってストッカ室40に搬送される。ストッカ室40からは、未処理の上側サセプタ92が取り出され、再び搬送アーム60によってサセプタ交換室30に搬送される。
下側サセプタ91に、未処理の上側サセプタ92を取り付ける手順は、図4(a)〜図4(c)の手順を逆に行う。
例えば、図4(c)に示すように、リフタ31によって支持された被処理基板80および下側サセプタ91の上方に、ハンド部61によって支持された未処理の上側サセプタ92を位置させる。
例えば、図4(c)に示すように、リフタ31によって支持された被処理基板80および下側サセプタ91の上方に、ハンド部61によって支持された未処理の上側サセプタ92を位置させる。
次に、図4(b)に示すように、被処理基板80および下側サセプタ91を、リフタ31によってハンド部61の位置よりも上側に押し上げる。ハンド部61の位置は、図4(c)の状態と同じである。この段階では、下側サセプタ91の切り欠き91n同士が対向する方向と、第1延出部61aと第2延出部61bとが対向する方向とが略平行になっているので、下側サセプタ91は、ハンド部61の第1延出部61aと第2延出部61bとの間を通り抜ける。さらに、被処理基板80および下側サセプタ91をリフタ31によって押し上げると、下側サセプタ91と上側サセプタ92とが接触する。すなわち、下側サセプタ91と上側サセプタ92とが嵌合して、下側サセプタ91に上側サセプタ92が取り付けられる。
続いて、下側サセプタ91、および上側サセプタ92をリフタ31の回転によって略90°回転する。被処理基板80、下側サセプタ91、および上側サセプタ92が略90°回転された後は、下側サセプタ91の切り欠き91n同士が対向する方向と、第1延出部61aと第2延出部61bとが対向する方向とが略直行する。
次に、図4(a)に示すように、リフタ31を第1延出部61aおよび第2延出部61bの位置よりもさらに下方に移動させる。ハンド部61の位置は、図4(b)の状態と同じである。この段階では、下側サセプタ91の切り欠き91n同士が対向する方向と、第1延出部61aと第2延出部61bとが対向する方向とが略直行しているので、下側サセプタ91がハンド部61の第1延出部61aと第2延出部61bとの間を通り抜けることはない。すなわち、下側サセプタ91の両端が第1延出部61aおよび第2延出部61bによって掛止される。これにより、被処理基板80、下側サセプタ91、および未処理の上側サセプタ92は、第1延出部61aおよび第2延出部61bによって支持される。
この後においては、被処理基板80、下側サセプタ91、および未処理の上側サセプタ92は、搬送アーム60によって、処理室20、21、22のいずれかに搬送される。そして、被処理基板80に処理が施される。
上側サセプタ92を複数収納することが可能なストッカ室40について説明する。
図5は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置のストッカ室の要部断面模式図である。 ストッカ室40は、密閉容器41と、複数のトレイ部42と、複数のトレイ部42を一括して上下に移動することができる上下移動機構43と、を備える。密閉容器41の内部には、トレイ部42が積層されている。それぞれのトレイ部42には、上側サセプタ92を載置することができる。ストッカ室40は、上側サセプタ92を多段に積み重ねることが可能な構造となっている。
図5は、第1の実施の形態に係る薄膜形成装置のストッカ室の要部断面模式図である。 ストッカ室40は、密閉容器41と、複数のトレイ部42と、複数のトレイ部42を一括して上下に移動することができる上下移動機構43と、を備える。密閉容器41の内部には、トレイ部42が積層されている。それぞれのトレイ部42には、上側サセプタ92を載置することができる。ストッカ室40は、上側サセプタ92を多段に積み重ねることが可能な構造となっている。
ストッカ室40は、処理室20、21、22のいずれかにおいて処理された上側サセプタ92と、処理される前の上側サセプタ92と、を収納することが可能である。
例えば、ストッカ室40の領域93のトレイ部42には、未処理の上側サセプタ92が収納され、領域94のトレイ部42には、処理された上側サセプタ92が収納される。上側サセプタ92の搬入出は、搬送アーム60のハンド部61によって行われる。
例えば、ストッカ室40の領域93のトレイ部42には、未処理の上側サセプタ92が収納され、領域94のトレイ部42には、処理された上側サセプタ92が収納される。上側サセプタ92の搬入出は、搬送アーム60のハンド部61によって行われる。
未処理の上側サセプタ92をストッカ室40から取り出す場合には、第1延出部61aおよび第2延出部61bが挿入される位置に領域93のトレイ部42を位置させた後、領域93のトレイ部42に収納された、未処理の上側サセプタ92をハンド部61によって取り出す。取り出された未処理の上側サセプタ92は、例えば、搬送アーム60によってサセプタ交換室30に搬送される。
処理された上側サセプタ92をストッカ室40に収納する場合には、第1延出部61aおよび第2延出部61bが挿入される位置に領域94のトレイ部42を位置させた後、領域94のトレイ部42に処理された上側サセプタ92をハンド部61によって収納する。
なお、ストッカ室に関しては、1つであるとは限らない。処理された上側サセプタ92を収納する専用ストッカ室と、処理される前の上側サセプタ92を収納する専用ストッカ室と、を搬送室10に連結させてもよい。
次に、図1〜図5を参照しながら、サファイア基板を被処理基板80として、薄膜形成装置1を用いて被処理基板80の上側に、LED(Light Emitting Diode)を形成する具体的な製造過程について説明する。以下の説明では、処理室20、21、22は、半導体膜を形成するためのCVD室としている。
図6は、第1の実施の形態に係る発光素子の製造過程を説明する要部断面模式図であり、(a)は、n形半導体層の製造過程を説明する図、(b)は、発光層の製造過程を説明する図、(c)は、p形半導体層の製造過程を説明する図、(d)は、半導体多層構造体の拡大図である。
まず、サセプタ90に、複数の被処理基板80を設置した後、サセプタ90に支持された被処理基板80をロードロック室50に搬入する。被処理基板80は、例えば、ウェーハ状のサファイア基板である。サセプタ90においては、下側サセプタ91の表出面が未処理の上側サセプタ92に覆われている(図2(b)参照)。ロードロック室50においては、大気に開放されて、被処理基板80およびサセプタ90がロードロック室50に搬入された後、真空引きがなされ、不活性ガス(例えば、窒素、希ガス)の雰囲気に置換される。
次に、サセプタ90に支持された被処理基板80は、搬送アーム60によって、搬送室10を経由して処理室20に搬送される。
処理室20においては、被処理基板80の上側に、CVDによって、n形GaN層100が形成される。n形GaN層100を成長させる際には、被処理基板80の温度は、例えば、1000℃〜1100℃に加熱されている。この状態を、図6(a)に示す。
図6(a)に示すように、被処理基板80の上側に、n形GaN層100が形成される。さらに、上側サセプタ92の上側にもn形GaN層100が形成される。
処理室20においては、被処理基板80の上側に、CVDによって、n形GaN層100が形成される。n形GaN層100を成長させる際には、被処理基板80の温度は、例えば、1000℃〜1100℃に加熱されている。この状態を、図6(a)に示す。
図6(a)に示すように、被処理基板80の上側に、n形GaN層100が形成される。さらに、上側サセプタ92の上側にもn形GaN層100が形成される。
次に、n形GaN層100が形成された被処理基板80は、サセプタ90とともに、搬送アーム60によってサセプタ交換室30に搬送される(図4(a)参照)。
次に、n形GaN層100が形成された上側サセプタ92は、下側サセプタ91から取り外され(図4(b)、(c)参照)、搬送アーム60によってストッカ室40に搬送される。n形GaN層100が形成された上側サセプタ92は、ストッカ室40に収納される。この段階では、被処理基板80および下側サセプタ91は、サセプタ交換室30内で待機している。
次に、搬送アーム60によってストッカ室40から未処理の上側サセプタ92が取り出され、未処理の上側サセプタ92がサセプタ交換室30に搬送される。そして、未処理の上側サセプタ92は、下側サセプタ91に取り付けられる(この手順は、図4(a)〜図4(c)の逆手順により行われる)。
次に、サセプタ90に支持された被処理基板80は、搬送アーム60によって、搬送室10を経由して処理室21に搬送される。
処理室21においては、n形GaN層100の上側に、CVDによって、発光層101が形成される。発光層101を成長させる際には、被処理基板80の温度は、例えば、700℃〜900℃に加熱されている。この状態を、図6(b)に示す。
処理室21においては、n形GaN層100の上側に、CVDによって、発光層101が形成される。発光層101を成長させる際には、被処理基板80の温度は、例えば、700℃〜900℃に加熱されている。この状態を、図6(b)に示す。
図6(b)に示すように、被処理基板80の上側には、n形GaN層100/発光層101が形成される。上側サセプタ92については、未処理のものを用いたので、上側サセプタ92の上側には、発光層101が形成される。発光層101は、例えば、InGaN層と、GaN層の多重量子井戸構造を有する。
次に、n形GaN層100/発光層101が形成された被処理基板80は、サセプタ90とともに、搬送アーム60によってサセプタ交換室30に搬送される(図4(a)参照)。
次に、発光層101が形成された上側サセプタ92は、下側サセプタ91から取り外され(図4(b)、(c)参照)、搬送アーム60によってストッカ室40に搬送される。発光層101が形成された上側サセプタ92は、ストッカ室40に収納される。この段階では、被処理基板80および下側サセプタ91は、サセプタ交換室30内で待機している。
次に、搬送アーム60によってストッカ室40から未処理の上側サセプタ92が取り出され、未処理の上側サセプタ92がサセプタ交換室30に搬送される。そして、未処理の上側サセプタ92は、下側サセプタ91に取り付けられる(この手順は、図4(a)〜図4(c)の逆手順により行われる)。
次に、サセプタ90に支持された被処理基板80は、搬送アーム60によって、搬送室10を経由して処理室22に搬送される。
処理室22においては、n形GaN層100/発光層101の上側に、CVDによって、p形AlGaN層102/p形GaN層103が形成される。p形AlGaN層102/p形GaN層103を成長させる際には、被処理基板80の温度は、例えば、約1000℃に加熱されている。この状態を、図6(c)に示す。図6(d)には、図6(c)の符号105で囲む部分の拡大図が示されている。
処理室22においては、n形GaN層100/発光層101の上側に、CVDによって、p形AlGaN層102/p形GaN層103が形成される。p形AlGaN層102/p形GaN層103を成長させる際には、被処理基板80の温度は、例えば、約1000℃に加熱されている。この状態を、図6(c)に示す。図6(d)には、図6(c)の符号105で囲む部分の拡大図が示されている。
図6(c)、(d)に示すように、被処理基板80の上側には、n形GaN層100/発光層101/p形AlGaN層102/p形GaN層103がこの順に積層された半導体多層構造体104が形成される。上側サセプタ92については、未処理のものを用いたので、上側サセプタ92の上側には、p形AlGaN層102/p形GaN層103が形成される。
次に、半導体多層構造体104が形成された被処理基板80は、サセプタ90とともに、搬送アーム60によって搬送室10を経由してロードロック室50に搬送される。ロードロック室50から取り出された被処理基板80は、さらに個片化されて、半導体多層構造体104を備えた発光素子が形成される。
このような薄膜形成装置1を用いて、半導体多層構造体104を形成すれば、処理室20、21、22のそれぞれにおける処理の信頼性が向上する。
例えば、サセプタ交換室30およびストッカ室40を具備しない薄膜形成装置では、処理室20、21、22のいずれかにおいて被処理基板80を処理する前に、上側サセプタ92によって下側サセプタ91の表出面を被覆することができない。このため、被処理基板80を支持する下側サセプタ91の表出面は、処理室20、21、22のそれぞれにおいて処理されてしまう。その結果、処理が増す毎に、下側サセプタ91の表出面には、それぞれの処理室20、21、22で処理された影響(履歴)が残ってしまう。
例えば、処理室20、21、22のそれぞれがCVD室である場合、下側サセプタ91の表出面には、それぞれの処理室20、21、22において処理された反応生成物、残留ガス等が付着する。さらに、下側サセプタ91と被処理基板80とは、素材、表面状態、温度等が異なるため、同じ成膜条件で成膜処理を施しても、下側サセプタ91に形成される被膜の成分と、被処理基板80に形成される被膜の成分とが同じになるとは限らない。従って、被処理基板80に積層される半導体多層構造体104の各層は、下側サセプタ91に付着した反応生成物、残留ガス等によって汚染される場合がある。
さらに、下側サセプタ91の表出面には、それぞれの処理室20、21、22において処理された反応生成物、残留ガス等が付着するので、成膜処理をする毎に、下側サセプタ91の表面状態が変わってしまう。このため、下側サセプタ91の熱輻射条件が処理室20、21、22のそれぞれにおいて変化してしまい、半導体多層構造体104を構成する各層の成膜の再現性が得られなくなる場合がある。
これに対し、薄膜形成装置1は、サセプタ交換室30およびストッカ室40を具備する。すなわち、薄膜形成装置1においては、処理室20、21、22のいずれかにおいて被処理基板80が処理される前に、未処理の上側サセプタ92によって下側サセプタ91の表出面を被覆することができる。従って、処理が増しても、下側サセプタ91の表出面には、それぞれの処理室20、21、22で処理された影響が残り難くなる。
例えば、処理室20、21、22のそれぞれがCVD室である場合、下側サセプタ91の表出面には、それぞれの処理室20、21、22において処理された反応生成物、残留ガス等が付着し難くなる。その結果、被処理基板80に積層される半導体多層構造体104の各層は、下側サセプタ91に付着した反応生成物、残留ガス等によって汚染され難くなる。
さらに、下側サセプタ91の表出面は、処理室20、21、22のそれぞれにおいて処理される前に、未処理の上側サセプタ92によって被覆される。このため、下側サセプタ91の表出面の状態は、処理室20、21、22のそれぞれにおいて処理する毎に変わることはない。
上側サセプタ92についても、処理室20、21、22のそれぞれにおいて処理される前に、未処理の上側サセプタ92に置き換えられる。すなわち、処理室20、21、22のそれぞれにおいて、被処理基板80への成膜を開始する際には、常に未処理の上側サセプタ92の表面が表出する。その結果、上側サセプタ92の熱輻射条件は、処理室20、21、22のそれぞれにおいて処理する毎に変化し難い。従って、半導体多層構造体104を構成する各層の成膜の再現性が向上する。
また、被処理基板80として、サファイア基板の上側に予めn形GaN層100が形成された基板を用いても、処理室21でn形GaN層100の上側に発光層101を形成し、処理室22で発光層101上側にp形AlGaN層102/p形GaN層103を形成することにより、同様の半導体多層構造体104が形成される。この場合、処理室21において処理される前に、未処理の上側サセプタ92によって下側サセプタ91の表出面が被覆されるので、発光層101は、成膜条件を変えることなく再現性よく形成される。同様に、処理室22において処理される前に、未処理の上側サセプタ92によって下側サセプタ91の表出面が被覆されるので、p形AlGaN層102/p形GaN層103は、成膜条件を変えることなく再現性よく形成される。
(第2の実施の形態)
図7は、第2の実施の形態に係る下側サセプタおよびスペーサの要部模式図であり、(a)は、下側サセプタの要部断面模式図、(b)は、スペーサの要部平面模式図および要部断面模式図、(c)は、下側サセプタおよびスペーサの要部断面模式図である。
図7は、第2の実施の形態に係る下側サセプタおよびスペーサの要部模式図であり、(a)は、下側サセプタの要部断面模式図、(b)は、スペーサの要部平面模式図および要部断面模式図、(c)は、下側サセプタおよびスペーサの要部断面模式図である。
図7(a)に示すように、第2の実施の形態の下側サセプタ95には、被処理基板80の外径よりも広い内径を有する凹部95aが設けられている。凹部95aの外周には、凹部95aの底面からさらに掘り下げた溝部95bが設けられている。
図7(b)に示す部材は、下側サセプタ95と被処理基板80との間に介在させるスペーサ(基板保持部材)200である。スペーサ200は、平面形状がリング状であり、その平面に対し略垂直な方向に凸部200tが延在している。スペーサ200の材質は、例えば、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(Si3N4)、カーボン(C)、石英(SiO2)、ケイ素(Si)、モリブデン(Mo)等である。
図7(c)に示すように、スペーサ200の凸部200tと下側サセプタ95の溝部95bとを嵌合させると、スペーサ200が下側サセプタ95の凹部95aに嵌め込まれる。スペーサ200を下側サセプタ95の凹部95aに嵌め込むことにより、凹部95aの周辺底面の底上げが簡便になされる。スペーサ200の上には、被処理基板80が載置される。
処理室20、21、22のいずれかにおいては、下側サセプタ95にスペーサ200を介して支持された被処理基板80に対して処理をすることが可能である。
次に、スペーサ200の板厚を変えた場合の例について説明する。
図8は、第2の実施の形態に係る下側サセプタ、スペーサ、および被処理基板の要部断面模式図であり、(a)は、第1のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(b)は、第2のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(c)は、第3のスペーサを用いた場合の要部断面模式図である。
図8は、第2の実施の形態に係る下側サセプタ、スペーサ、および被処理基板の要部断面模式図であり、(a)は、第1のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(b)は、第2のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(c)は、第3のスペーサを用いた場合の要部断面模式図である。
図8(a)に示すように、第1のスペーサ200Aは、下側サセプタ95の凹部95aに嵌め込まれている。さらに、下側サセプタ95の凹部95aに、第1のスペーサ200Aを介して、被処理基板80が設置されている。被処理基板80の主面は、下側サセプタ95の主面よりも低くなっている。
図8(b)に示すように、第1のスペーサ200Aよりも板厚の厚い第2のスペーサ200Bが下側サセプタ95の凹部95aに嵌め込まれている。さらに、下側サセプタ95の凹部95aに、第2のスペーサ200Bを介して、被処理基板80が設置されている。被処理基板80の主面と、下側サセプタ95の主面とは、同じ高さ(面一)になっている。
図8(c)に示すように、第2のスペーサ200Bよりも板厚の厚い第3のスペーサ200Cが下側サセプタ95の凹部95aに嵌め込まれている。さらに、下側サセプタ95の凹部95aに、第3のスペーサ200Cを介して、被処理基板80が設置されている。被処理基板80の主面は、下側サセプタ95の主面よりも高くなっている。
このように、下側サセプタ95は共通で、板厚の異なるスペーサ200を凹部95aに嵌め込むことにより、被処理基板80の主面の高さを簡便に変えることができる。
このように、下側サセプタ95は共通で、板厚の異なるスペーサ200を凹部95aに嵌め込むことにより、被処理基板80の主面の高さを簡便に変えることができる。
スペーサ200を用いた場合の効果について説明する。
処理室20、21、22における薄膜形成では、被処理基板80が下側サセプタ95の凹部95aに設置された状態で被膜が形成される。凹部95aの形状は、被処理基板80の温度分布に影響する。被処理基板80の温度分布については、被処理基板80の中心から外周へ向けて均一になることが好ましい。
処理室20、21、22における薄膜形成では、被処理基板80が下側サセプタ95の凹部95aに設置された状態で被膜が形成される。凹部95aの形状は、被処理基板80の温度分布に影響する。被処理基板80の温度分布については、被処理基板80の中心から外周へ向けて均一になることが好ましい。
例えば、図9に、比較例として、スペーサ200を介さずに、被処理基板80を下側サセプタ96の凹部96aに設置した場合の成膜例を示す。
図9(a)は、比較例に係る下側サセプタおよび被処理基板の要部断面模式図であり、図9(b)は、比較例に係る温度の面内分布を示すグラフである。
図9(a)は、比較例に係る下側サセプタおよび被処理基板の要部断面模式図であり、図9(b)は、比較例に係る温度の面内分布を示すグラフである。
図9(a)に示すように、比較例に係る下側サセプタ96は、凹部96aが2段構造になっている。凹部96a内に設けられた端部96eにより被処理基板80が支持される。このような状態で被処理基板80に成膜を試みると、図9(b)に示すように、被処理基板80の中心部の温度に比べ、被処理基板80の外周の温度が高くなる場合がある。これは、被処理基板80の外周のみが下側サセプタ96の端部96eと接触することによって、下側サセプタ96から被処理基板80の外周に熱が伝導し易くなり、基板外周の温度が相対的に上がるためである。これにより、被膜の膜厚や組成などの膜質の分布が不均一になる場合がある。
さらに、製造ばらつきによって凹部96aの深さがそれぞれの下側サセプタ96毎に変化してしまい、被処理基板80の主面の高さと下側サセプタ95の主面の高さの相違、原料ガスの乱流等が相互に作用して、膜質の分布が不均一になってしまう。
また、下側サセプタ96の製造ばらつきによって、均一な形状の凹部96aが常に製造されるとは限らない。このため、下側サセプタ96に支持される被処理基板80の設置状態にばらつきが生じる。このような要因によっても膜質の面内分布が不均一になってしまう。
また、同じ下側サセプタ96を使用する限り、常に同じ形状、材質の下側サセプタ96が使用される。従って、共通の下側サセプタ96を用いても、成膜条件を変える毎に、面内分布がさらにばらつく場合もある。
これに対し、スペーサ200を下側サセプタ95と被処理基板80との間に介在させることにより、被処理基板80の基板面内温度、被処理基板80の主面の高さと下側サセプタ95の主面の高さの相違、原料ガスの乱流等を制御できる。また、下側サセプタ95は共通のまま、それぞれの成膜条件に対応して、膜質の面内分布の均一化を図ることができる。
具体的には、スペーサ200の材質を選択することにより、下側サセプタ95と被処理基板80との間の熱伝導率、熱膨張率を簡便に変えることができる。また、スペーサ200を用いて、被処理基板80の主面が下側サセプタ95の主面よりも高く設定するほど、被膜の膜厚を厚く形成することができる。
すなわち、スペーサ200の板厚を調整することにより、それぞれの成膜条件に対応して、膜質の面内分布の均一化を図ることができる。また、スペーサ200を用いれば、共通の下側サセプタ95で足りるので、下側サセプタの製造コストが上昇することもない。また、下側サセプタ96の製造ばらつきがあっても、スペーサ200を用いれば、被処理基板80の主面の高さを簡便に調整できる。
なお、被処理基板80の面内温度の分布の調整については、スペーサ200の板厚を変える手段のほかに、以下に示す手段でも対応可能である。
図10は、第2の実施の形態の変形例に係る下側サセプタ、スペーサ、および被処理基板の要部断面模式図であり、(a)は、第4のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(b)は、第5のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(c)は、第6のスペーサを用いた場合の要部断面模式図である。
図10は、第2の実施の形態の変形例に係る下側サセプタ、スペーサ、および被処理基板の要部断面模式図であり、(a)は、第4のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(b)は、第5のスペーサを用いた場合の要部断面模式図、(c)は、第6のスペーサを用いた場合の要部断面模式図である。
図10(a)に示すように、第4のスペーサ200Eの幅は、第1のスペーサ200Aの幅よりも広くなっている。
図10(b)に示すように、第5のスペーサ200Fの幅は、第4のスペーサ200Eの幅よりも広くなっている。
図10(c)に示すように、第6のスペーサ200Gの幅は、第5のスペーサ200Fの幅よりも広くなっている。
このようなスペーサ200E、200F、200Gを使い分けることにより、被処理基板80の面内温度の分布を調整することができる。
図10(b)に示すように、第5のスペーサ200Fの幅は、第4のスペーサ200Eの幅よりも広くなっている。
図10(c)に示すように、第6のスペーサ200Gの幅は、第5のスペーサ200Fの幅よりも広くなっている。
このようなスペーサ200E、200F、200Gを使い分けることにより、被処理基板80の面内温度の分布を調整することができる。
以上、具体例を参照しつつ本実施の形態について説明した。しかし、本実施の形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本実施の形態の特徴を備えている限り、本実施の形態の範囲に包含される。さらに、前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することもできる。
1 薄膜形成装置
10 搬送室
20、21、22 処理室
30 サセプタ交換室
32 駆動機構
40 ストッカ室
50 ロードロック室
60 搬送アーム
61 ハンド部
61a 第1延出部
61b 第2延出部
80 被処理基板
90 サセプタ
91 下側サセプタ(第1のサセプタ)
92 上側サセプタ(第2のサセプタ)
95 下側サセプタ
96 下側サセプタ
104 半導体多層構造体
200、200A、200B、200C、200E、200F、200G スペーサ
10 搬送室
20、21、22 処理室
30 サセプタ交換室
32 駆動機構
40 ストッカ室
50 ロードロック室
60 搬送アーム
61 ハンド部
61a 第1延出部
61b 第2延出部
80 被処理基板
90 サセプタ
91 下側サセプタ(第1のサセプタ)
92 上側サセプタ(第2のサセプタ)
95 下側サセプタ
96 下側サセプタ
104 半導体多層構造体
200、200A、200B、200C、200E、200F、200G スペーサ
Claims (6)
- 第1のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、
前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、
前記搬送室に連結され、前記第1のサセプタの表出面を覆う第2のサセプタを前記第1のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記搬送アームの先端部分は、互いに対向する第1延出部と第2延出部とに分岐され、
前記第1延出部と前記第2延出部との間隔は、前記第1のサセプタの主面に対して平行な方向の前記第1のサセプタの最大幅よりも狭く、前記第1のサセプタの主面に対して略平行な方向の前記第1のサセプタの最小幅よりも広いことを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。 - 前記サセプタ交換室は、前記第1のサセプタを前記第1のサセプタの主面に対して略平行な方向に回転させることが可能な駆動機構を有することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成装置。
- 前記サセプタ交換室は、前記第1のサセプタを前記第1のサセプタの主面に対して略垂直な方向に移動させることが可能な駆動機構を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の薄膜形成装置。
- 前記搬送室に、前記第2のサセプタを収納することが可能なストッカ室が連結され、
前記ストッカ室は、前記複数の処理室のいずれかにおいて処理された前記第2のサセプタと、処理される前の前記第2のサセプタと、を収納することが可能であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の薄膜形成装置。 - 前記複数の処理室のいずれかにおいては、前記第1のサセプタにスペーサを介して支持された前記被処理基板に対して処理をすることが可能であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010133763A JP2011258859A (ja) | 2010-06-11 | 2010-06-11 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010133763A JP2011258859A (ja) | 2010-06-11 | 2010-06-11 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011258859A true JP2011258859A (ja) | 2011-12-22 |
Family
ID=45474683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010133763A Pending JP2011258859A (ja) | 2010-06-11 | 2010-06-11 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011258859A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014127612A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Showa Denko Kk | ウェハホルダーおよびエピタキシャルウェハの製造装置 |
JP2014222693A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 |
JP2016066767A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-04-28 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
WO2020116618A1 (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜方法、成膜装置、サセプタユニット、及びサセプタユニットに用いられるスペーサセット |
JP7345623B1 (ja) | 2022-12-15 | 2023-09-15 | 日機装株式会社 | 成膜部材の製造方法 |
-
2010
- 2010-06-11 JP JP2010133763A patent/JP2011258859A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014127612A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Showa Denko Kk | ウェハホルダーおよびエピタキシャルウェハの製造装置 |
JP2014222693A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法 |
JP2016066767A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-04-28 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
WO2020116618A1 (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜方法、成膜装置、サセプタユニット、及びサセプタユニットに用いられるスペーサセット |
JP2020092227A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 連続成膜方法、連続成膜装置、サセプタユニット、及びサセプタユニットに用いられるスペーサセット |
US20210292897A1 (en) * | 2018-12-07 | 2021-09-23 | Nuflare Technology, Inc. | Deposition method, deposition apparatus, susceptor unit, and spacer set used in susceptor unit |
JP7023826B2 (ja) | 2018-12-07 | 2022-02-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 連続成膜方法、連続成膜装置、サセプタユニット、及びサセプタユニットに用いられるスペーサセット |
JP7345623B1 (ja) | 2022-12-15 | 2023-09-15 | 日機装株式会社 | 成膜部材の製造方法 |
JP2024085486A (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-27 | 日機装株式会社 | 成膜部材の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6507211B2 (ja) | Pvdにより形成される窒化アルミニウム緩衝層を有する窒化ガリウムベースのledの製造 | |
KR100812469B1 (ko) | 화학 기상 증착법에 의해 하나 이상의 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시키는 수직 장치 | |
JP5035933B2 (ja) | 複合窒化物半導体デバイスを製造するための処理システム | |
KR101685150B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템 | |
KR102207804B1 (ko) | Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼 | |
US20110232569A1 (en) | Segmented substrate loading for multiple substrate processing | |
JP2011258859A (ja) | 薄膜形成装置 | |
US20100126419A1 (en) | Susceptor for cvd apparatus and cvd apparatus including the same | |
JP2010251705A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
WO2014203613A1 (ja) | 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法 | |
TW202225470A (zh) | 用於平面碳化矽基座之背側設計 | |
KR20140102880A (ko) | 반도체 발광소자 제조방법 및 화학 기상 증착 장치 | |
KR20160121425A (ko) | 기상 성장 방법 | |
US8859314B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
KR101704305B1 (ko) | 기상 성장 방법 | |
JP5333804B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP5759690B2 (ja) | 膜の形成方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2013093461A (ja) | 成膜装置 | |
TWI745656B (zh) | 氣相成長方法 | |
JP2015191936A (ja) | 基板搬送装置、成膜装置、基板搬送方法および成膜方法 | |
JP2015103652A (ja) | 気相成長装置 | |
TW201630053A (zh) | 氣相成長方法 | |
KR20160049477A (ko) | 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 | |
US20110076400A1 (en) | Nanocrystalline diamond-structured carbon coating of silicon carbide | |
TW201220532A (en) | Integration of cluster MOCVD and HVPE reactors with other process chambers |