JP2011254147A - 多入力差動増幅器及び発光素子駆動装置 - Google Patents

Abstract

【課題】反転入力信号と非反転入力信号のうちの一方が複数であって、当該複数の入力信号を選択し、この選択した信号と反転入力信号と非反転入力信号のうちの他方との差を増幅することができる多入力差動増幅装置を提供する。
【解決手段】 反転入力端子と非反転入力端子とを有する差動増幅器１と、反転入力端子及び非反転入力端子の一方の入力端子（以下、第１の入力端子）に複数の該第１の入力端子用の入力信号（以下、第１の入力信号）IN-1~IN-3に応じた第１の入力電圧を印加し、かつ反転入力端子及び非反転入力端子の他方の入力端子（以下、第２の入力端子）に、１つの該第２の入力端子用の入力信号（以下、第２の入力信号）IN+に応じた第２の入力電圧を印加する入力部２と、を備え、入力部２は、第１の入力電圧と第２の入力電圧と間のオフセット電圧を補正するよう構成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、多入力間の差を増幅する多入力差動増幅器及びそれを用いた発光素子駆動装置に関する。

通常の差動増幅器は反転入力端子及び非反転入力端子にそれぞれ１つの入力信号が入力される。このような通常の差動増幅器において、当該差動増幅器を構成する電界効果トランジスタのバックゲートの電位を制御することにより、入力オフセットをキャンセルすることが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

図５は特許文献１の図４に示された差動増幅器の構成を示す図である。図５に示すように、この従来の差動増幅器においては、オフセット量を検出し、検出したオフセットをキャンセルするよう、差動増幅器を構成する電界効果トランジスタのバックゲートの電位が制御される。

一方、例えば、特許文献３の図２には、全体として差動増幅器に構成され、複数の反転入力電圧信号が入力されるとともに当該差動増幅器の出力電圧が非反転入力電圧信号として入力される選択回路が開示されている。特許文献３によれば、この構成により、複数の反転入力電圧信号のうち最も低い電圧の信号が選択されてボルテージフォロアを介して出力される。

特許第４０３１４４７号公報（特に図４） 特開２００４−０２０８６７号公報 特開２００３−３３２６２４号公報（特に図２）

ところで、差動増幅装置において、反転入力信号と非反転入力信号のうちの一方が複数であって、当該複数の入力信号を好適に選択して、この選択した信号と反転入力信号と非反転入力信号のうちの他方との差を増幅したい場合がある。この場合、反転入力信号と非反転入力信号とをオフセット電圧を生じないようにして増幅する必要がある。

しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載された差動増幅器は１入力の差動増幅器であるので、複数の入力信号を入力して選択して増幅することはできない。

また、特許文献３に記載された選択回路は、単に複数の反転入力電圧信号を選択するに過ぎず、選択した信号と外部から入力される非反転入力信号との差を増幅することはできない。

本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、反転入力信号と非反転入力信号のうちの一方が複数であって、当該複数の入力信号を選択し、この選択した信号と反転入力信号と非反転入力信号のうちの他方との差を増幅することができる多入力増幅装置を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、本発明の多入力差動増幅装置は、反転入力端子と非反転入力端子とを有する差動増幅器と、前記反転入力端子及び前記非反転入力端子の一方の入力端子（以下、第１の入力端子）に複数の該第１の入力端子用の入力信号（以下、第１の入力信号）に応じた第１の入力電圧を印加し、かつ前記反転入力端子及び前記非反転入力端子の他方の入力端子（以下、第２の入力端子）に、１つの該第２の入力端子用の入力信号（以下、第２の入力信号）に応じた第２の入力電圧を印加する入力部と、を備え、前記入力部は、前記第１の入力電圧と前記第２の入力電圧と間のオフセット電圧を補正するよう構成されている。

前記入力部は、前記複数の第１の入力信号に対応する複数の入力回路を備え、それぞれの前記入力回路は、前記第１の入力端子にソースが接続され、かつ対応する前記第１の入力信号がゲートに入力される第１の電界効果トランジスタと、前記第２の入力端子にソースが接続され、かつ前記第２の入力信号がゲートに入力される第２の電界効果トランジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電流に応じた制御電圧を生成し、かつ該生成された制御電圧を前記第１の電界効果トランジスタのバックゲート及び第２の電界効果トランジスタのバックゲートに印加するよう構成されたバックゲート電位制御回路と、を含んでいてもよい。

前記バックゲート電位制御回路は、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電流が増加すると前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタのドレインとソースとの間のインピーダンスが減少し、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電流が減少すると前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタのドレインとソースとの間のインピーダンスが増加するような制御電圧を生成するよう構成されていてもよい。

前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタがＰチャネル型電界効果トランジスタであってもよい。

前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタがＮチャネル型電界効果トランジスタであってもよい。

また、本発明の発光素子駆動装置は、複数の発光素子と該複数の発光素子に電流を供給するドライバとが直列に接続された複数の電流経路に電源電圧を印加する電源部と、前記複数の電流経路の前記ドライバに掛かる電圧が前記複数の第１の入力信号として前記入力部に入力され、基準電圧が前記第２の入力信号として前記入力部に入力され、かつ前記差動増幅器から前記基準電圧と前記複数の電流経路の前記ドライバに掛かる電圧との誤差を増幅して出力する上述の多入力差動増幅装置と、前記多入力差動増幅装置の差動増幅器の出力に基づいて前記電源が印加する電源電圧をフィードバック制御する制御部と、を備える。

本発明は以上に説明したように構成され、反転入力信号と非反転入力信号のうちの一方が複数であって、当該複数の入力信号を選択し、この選択した信号と反転入力信号と非反転入力信号のうちの他方との差を増幅することができるという効果を奏する。

図１は本発明の実施の形態１に係る多入力差動増幅器の構成を示す回路図である。 図２は図１の多入力差動増幅器におけるバックゲート電位制御回路の構成例を示す回路である。 図３は本発明の実施の形態２に係る多入力差動増幅器の構成を示す回路図である。 図４は図３の多入力差動増幅器におけるバックゲート電位制御回路の構成例を示す回路である。 図５は本発明の実施の形態３に係る発光素子駆動装置の構成を示す回路図である。 図６は従来の差動増幅器の構成を示す回路図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下では全ての図を通じて同一又は相当する要素には同一の参照符号を付して、その重複する説明を省略する。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係る多入力差動増幅器の構成を示す回路図である。

図１に示すように、本実施の形態１の多入力差動増幅器１００Ａは、差動増幅器１と入力部２とを備えている。

差動増幅器１は、周知のものを用いることができる。ここで、「差動増幅器」は、所定の増幅器率を有する差動増幅器と実質的に無限大の増幅率を有するオペレーショナルアンプ(operational amplifier)との双方を含む。

入力部２は、本発明の特徴的機能として、反転入力端子及び非反転入力端子の一方の端子（第１の入力端子）用の複数の入力信号（選択及び増幅後当該一方の端子に入力される信号：第１の入力信号）のうちの１つの入力信号と、差動増幅器１の反転入力端子及び非反転入力端子の他方の入力端子（第２の入力端子）用の１つの入力信号（増幅後当該他方の端子に入力される信号：第２の入力信号）との対を選択しながら双方の信号を差動増幅器１の対応する入力端子にそれぞれ入力する機能を有する。

具体的には、入力部２には、第１の入力信号としての複数（ここでは例えば３）の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が入力される。入力部２は、この複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に対応する複数（ここでは３）の入力回路３〜５を備えている。

それぞれの入力回路３〜５は、反転入力信号の増幅素子としての第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａと、非反転入力信号の増幅素子としての第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂと、バックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃと、を含んでいる。それぞれの入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａ及び第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂは、ここではＰチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。なお、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａと第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂとは実質的に同じサイズの電界効果トランジスタで構成されることが好ましい。

それぞれの入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのソースは差動増幅器１の反転入力端子と第１の電流源６とに接続されている。第１の電流源６はここでは正電源Ｖｄｄに接続され、一定の電流を供給する。また、それぞれの入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレインは後述するバックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃの電流−電圧変換素子２１（図２参照）を介して接地端子に接続されている。そして、それぞれの入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのゲートには対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が入力される。

一方、それぞれの入力回路３〜５の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのソースは差動増幅器１の非反転入力端子と第２の電流源７とに接続されている。第２の電流源７はここでは正電源Ｖｄｄに接続され、一定の電流を供給する。また、それぞれの入力回路３〜５の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのドレインは接地端子に接続されている（接地されている）。そして、それぞれの入力回路３〜５の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのゲートには１つの非反転入力信号ＩＮ＋が入力される。

それぞれのバックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃは、対応する入力回路３，４，５の第１の電界効果トランジスタの３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流に応じた制御電圧を生成し、かつこの生成された制御電圧を対応する入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのバックゲート及び第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのバックゲートに印加するよう構成されている。具体的には、それぞれのバックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃは、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流が増加すると当該第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａ及び第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのドレインとソースとの間のインピーダンス（実質的には抵抗：以下、内部インピーダンスという）が減少し、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流が減少すると当該第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａ及び第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂの内部インピーダンスが増加するような制御電圧を生成するよう構成されている。

図２は図１の多入力差動増幅器におけるバックゲート電位制御回路の構成例を示す回路である。

図２に示すように、バックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃは、対応する入力回路３，４，５の第１の電界効果トランジスタの３ａ，４ａ，５ａのドレインに接続された電流−電圧変換素子２１を備えている。電流−電圧変換素子２１は、例えば、ダイオード接続されたＮチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。電流−電圧変換素子２１のドレインは対応する入力回路３，４，５の第１の電界効果トランジスタの３ａ，４ａ，５ａのドレインに接続され（接続点を図２にＩＮで示す）、電流−電圧変換素子２１のソースは接地端子に接続されている。また、電流−電圧変換素子２１のゲートは自身のドレインに接続されるとともに、電圧−電流変換素子２２のゲートに接続されている。電圧−電流変換素子２２は、例えば、Ｎチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。なお、電流−電圧変換素子２１と電圧−電流変換素子２２とは実質的に同じサイズの電界効果トランジスタで構成されることが好ましい。電圧−電流変換素子２２のソースは接地端子に接続され、電圧−電流変換素子２２のドレインは電流−電圧変換素子２３を介して正電源Ｖｄｄに接続されている。電流−電圧変換素子２３は、例えば、ダイオード接続されたＰチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。電流−電圧変換素子２３のドレインは自身のゲートに接続されるとともに電圧−電流変換素子２２のドレインに接続され、電流−電圧変換素子２３のソースは正電源Ｖｄｄに接続されている。そして、電圧−電流変換素子２２のドレインと電流−電圧変換素子２３のドレインとの接続点ＯＵＴの電圧が対応する入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタの３ａ，４ａ，５ａのバックゲートと第２の電界効果トランジスタの３ｂ，４ｂ，５ｂのバックゲートとに制御電圧として印加される（図１参照）。なお、電流−電圧変換素子２３を抵抗素子で構成しても構わない。

以上の構成を要約すると、正電源Ｖｄｄに接続された第１の電流源６と接地端子との間に、複数（ここでは３）の入力回路３〜５の反転入力信号増幅用の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａが互いに並列に接続されている。そして、第１の電流源６と複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのソースとの接続点が差動増幅器１の反転入力端子に接続されている。また、正電源Ｖｄｄに接続された第２の電流源７と接地端子との間に、複数の入力回路３〜５の非反転入力信号増幅用の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂが並列に接続されている。そして、第２の電流源７と複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのソースとの接続点が差動増幅器１の非反転入力端子に接続されている。そして、それぞれの入力回路３〜５において、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのゲートに、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が入力され、第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのゲートに、１つの非反転入力信号ＩＮ＋が入力されている。また、それぞれの入力回路３〜５において、一対の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａ及び第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのそれぞれのバックゲートに、対応するバックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃから当該第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流に応じた制御電圧が印加される。

［動作］
次に、以上のように構成された多入力差動増幅器の動作を説明する。

図１及び図２において、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３と１つの非反転入力信号ＩＮ＋とが入力されると、それぞれの入力回路３〜５において、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａに、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に応じたドレイン電流が流れ、かつ、第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂに１つの非反転入力信号ＩＮ＋に応じたドレイン電流が流れる。詳しく説明すると、それぞれの入力回路３〜５において、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａの内部インピーダンスが、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に応じたものになり、かつ、第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂの内部インピーダンスが非反転入力信号ＩＮ＋に応じたものになる。これにより、第１の電流源６から供給される一定の電流が、複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａに、それぞれの内部インピーダンスに逆比例して分流されて流れる。その結果、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａに、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に応じたドレイン電流が流れる。この場合、反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち、最も電圧値の低い（小さい）反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流が最も大きい。また、第２の電流源７から供給される一定の電流が、複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂに、それぞれの内部インピーダンスに逆比例して分流されて流れる。その結果、第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂに１つの非反転入力信号ＩＮ＋に応じたドレイン電流が流れる。この場合、それぞれの第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのドレイン電流の大きさは実質的に同じである。

複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａは互いに並列に接続されているので、第１の電流源６と複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのソースとの接続点には、当該複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａに共通に、第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が生成され、この電圧が差動増幅器１の反転入力端子に印加される。これにより、反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が、複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａで選択されつつ渾然一体となって差動増幅器１の反転入力端子に印加される。

また、複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂは互いに並列に接続されているので、第２の電流源７と複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのソースとの接続点には、当該複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂに共通に、第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧（非反転入力信号が増幅された電圧）が生成され、この電圧が差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。これにより、１つの非反転入力信号ＩＮ＋が複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂで選択されつつ渾然一体となって差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。

一方、それぞれの入力回路３〜５のバックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃでは、電流−電圧変換素子２１の両端に、対応する第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流に応じた電圧が生成され、この電圧が電圧−電流変換素子２２のゲートに印加される。これにより、電圧−電流変換素子２２に、当該電圧に応じたドレイン電流が流れ、電流−電圧変換素子２３の両端にこのドレイン電流に応じた電圧が生成される。これにより、電圧−電流変換素子２２と電流−電圧変換素子２３との接続点ＯＵＴに、対応する第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流が増加するにつれて低くなる電圧が生成される。この接続点ＯＵＴの電圧が、対応する第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのバックゲートと対応する第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのバックゲートとに制御電圧として与えられる。

すると、当該第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａ及び当該第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂの閾値電圧はそれぞれ高くなり（第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａはＰチャネル型であるので、閾値電圧は負の値である。閾値電圧の絶対値は減少する。）、それぞれの内部インピーダンスが小さくなる。

これにより、複数の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのうち、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流が増加し、その分、他の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのドレイン電流が減少する。そして、それぞれの第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａにおけるこのドレイン電流の変化が、対応するバックゲート電位制御回路３ｃ，４ｃ，５ｃにフィードバックされ、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａの閾値電圧がより高くなってよりドレイン電流が増加し、他の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａの閾値電圧がより低くなってよりドレイン電流が減少する。そして、最終的に、第１の電流源６から供給される電流の大部分（好ましくは全部）が、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａにドレイン電流として流れる。この状態の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が差動増幅器１の反転入力端子に印加される。

これにより、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が優先的に選択されて差動増幅器１の反転入力端子に印加される。

一方、複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂは、それぞれの内部インピーダンスが小さくなると、それらのうち、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａと同じ入力回路３〜５の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのドレイン電流が増加し、その分、他の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのドレイン電流が減少する。そして、最終的に、第２の電流源７から供給される一定の電流の大部分（好ましくは全部）が、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａと同じ入力回路３〜５の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのドレイン電流として流れる。この状態の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。

これにより、複数の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのうち、最も低い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に対応する入力回路３〜５の第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂが選択され、この選択された第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのゲートに入力される非反転信号ＩＮ＋が当該第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂにより選択されて差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。しかも、同じ入力回路３〜５の第１の電界効果トランジスタ３ａ，４ａ，５ａのバックゲートと第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂのバックゲートとには同じ制御電圧が印加されるので、バックゲートに制御電圧が印加されて閾値が変化することによって、差動増幅器１の反転入力端子に入力される電圧と差動増幅器１の非反転入力端子人力される電圧との間にオフセットが生じるのが防止される。

ここで、以上に説明した過渡状態は瞬時に経過するので、実際には最終的な状態が発現する。これにより、差動増幅器１から、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち最も低い電圧値を有するものと非反転信号ＩＮ＋との差が増幅されて出力される。

以上に説明したように、本実施の形態の多入力差動増幅器によれば、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうちの１つの入力信号（最も電圧値の低い入力信号）と１つの非反転入力信号ＩＮ＋との対を選択しながら双方の信号の差を増幅して出力する（入力信号の選択と入力信号の差の増幅とを実質的に同時に行う）ことができる。しかも、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうちの１つの入力信号と１つの非反転入力信号ＩＮ＋との対を選択する際にオフセットが生じるのが防止される。

（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２に係る多入力差動増幅器の構成を示す回路図である。

本実施の形態２の多入力差動増幅器１００Ｂは、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち、最も高い電圧値（大きい）を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が選択されるよう構成されている点が実施の形態１の多入力差動増幅器１００Ａと異なり、その他の点は実施の形態１の多入力差動増幅器１００Ａと同じである。

入力部２において、それぞれの入力回路１３〜１５は、反転入力信号の選択素子としての第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａと、非反転入力信号の選択素子としての第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂと、バックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃと、を含んでいる。それぞれの入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａ及び第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂは、ここではＮチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。なお、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａと第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂとは実質的に同じサイズの電界効果トランジスタで構成されることが好ましい。それぞれの入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのソースは差動増幅器１の反転入力端子と第１の電流源６とに接続されている。第１の電流源６はここでは接地端子に接続され（接地され）、一定の電流を供給する。また、それぞれの入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレインは後述するバックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃの電流−電圧変換素子３１（図４参照）を介して正電源Ｖｄｄに接続されている。そして、それぞれの入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのゲートには対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が入力される。

一方、それぞれの入力回路１３〜１５の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのソースは差動増幅器１の非反転入力端子と第２の電流源７とに接続されている。第２の電流源７はここでは接地端子に接続され（接地され）、一定の電流を供給する。また、それぞれの入力回路１３〜１５の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのドレインは正電源Ｖｄｄに接続されている。そして、それぞれの入力回路１３〜１５の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのゲートには１つの非反転入力信号ＩＮ＋が入力される。

それぞれのバックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃは、対応する入力回路１３，１４，１５の第１の電界効果トランジスタの１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流に応じた制御電圧を生成し、かつこの生成された制御電圧を対応する入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのバックゲート及び第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのバックゲートに印加するよう構成されている。具体的には、それぞれのバックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃは、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流が増加すると当該第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａ及び第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの内部インピーダンスが減少し、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流が減少すると当該第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａ及び第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの内部インピーダンスが増加するような制御電圧を生成するよう構成されている。

図４は図３の多入力差動増幅器におけるバックゲート電位制御回路の構成例を示す回路である。

図４に示すように、バックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃは、対応する入力回路１３，１４，１５の第１の電界効果トランジスタの１３ａ，１４ａ，１５ａのドレインに接続された電流−電圧変換素子３１を備えている。電流−電圧変換素子３１は、例えば、ダイオード接続されたＰチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。電流−電圧変換素子３１のドレインは対応する入力回路１３，１４，１５の第１の電界効果トランジスタの１３ａ，１４ａ，１５ａのドレインに接続され（接続点を図４にＩＮで示す）、電流−電圧変換素子３１のソースは正電源Ｖｄｄに接続されている。また、電流−電圧変換素子３１のゲートは自身のドレインに接続されるとともに、電圧−電流変換素子３２のゲートに接続されている。電圧−電流変換素子３２は、例えば、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。なお、電流−電圧変換素子３１と電圧−電流変換素子３２とは同じサイズの電界効果トランジスタで構成されることが好ましい。電圧−電流変換素子３２のソースは正電源Ｖｄｄに接続され、電圧−電流変換素子３２のドレインは電流−電圧変換素子３３を介して接地端子に接続されている。電流−電圧変換素子３３は、例えば、ダイオード接続されたＮチャネル型電界効果トランジスタ（例えばＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）で構成されている。電流−電圧変換素子３３のドレインは自身のゲートに接続されるとともに電圧−電流変換素子３２のドレインに接続され、電流−電圧変換素子３３のソースは接地端子に接続されている。そして、電圧−電流変換素子３２のドレインと電流−電圧変換素子３３のドレインとの接続点ＯＵＴの電圧が対応する入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタの１３ａ，１４ａ，１５ａのバックゲートと第２の電界効果トランジスタの１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのバックゲートとに制御電圧として印加される（図３参照）。なお、電流−電圧変換素子３３を抵抗素子で構成しても構わない。

以上の構成を要約すると、接地端子に接続された第１の電流源６と正電源Ｖｄｄとの間に、複数（ここでは３）の入力回路１３〜１５の反転入力信号増幅用の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａが互いに並列に接続されている。そして、第１の電流源６と複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのソースとの接続点が差動増幅器１の反転入力端子に接続されている。また、接地端子に接続された第２の電流源７と正電源Ｖｄｄとの間に、複数の入力回路１３〜１５の非反転入力信号増幅用の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂが並列に接続されている。そして、第２の電流源７と複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのソースとの接続点が差動増幅器１の非反転入力端子に接続されている。そして、それぞれの入力回路１３〜１５において、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのゲートに、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が入力され、第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのゲートに、１つの非反転入力信号ＩＮ＋が入力されている。また、それぞれの入力回路１３〜１５において、一対の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａ及び第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのそれぞれのバックゲートに、対応するバックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃから当該第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流に応じた制御電圧が印加される。

［動作］
次に、以上のように構成された多入力差動増幅器の動作を説明する。

図３及び図４において、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３と１つの非反転入力信号ＩＮ＋とが入力されると、それぞれの入力回路１３〜１５において、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａに、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に応じたドレイン電流が流れ、かつ、第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂに１つの非反転入力信号ＩＮ＋に応じたドレイン電流が流れる。詳しく説明すると、それぞれの入力回路１３〜１５において、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａの内部インピーダンスが、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に応じたものになり、かつ、第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの内部インピーダンスが非反転入力信号ＩＮ＋に応じたものになる。これにより、第１の電流源６により供給される一定の電流が、複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａに、それぞれの内部インピーダンスに逆比例して分流されて流れる。その結果、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａに、対応する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に応じたドレイン電流が流れる。この場合、反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち、最も電圧値の高い（大きい）反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのドレイン電流が最も大きい。また、第２の電流源７により供給される一定の電流が、複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂに、それぞれの内部インピーダンスに逆比例して分流されて流れる。その結果、第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂに１つの非反転入力信号ＩＮ＋に応じたドレイン電流が流れる。この場合、それぞれの第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのドレイン電流の大きさは実質的に同じである。

複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａは互いに並列に接続されているので、第１の電流源６と複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのソースとの接続点には、当該複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａに共通に、第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が生成され、この電圧が差動増幅器１の反転入力端子に印加される。これにより、反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａにより選択されつつ渾然一体となって差動増幅器１の反転入力端子に印加される。

また、複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂは互いに並列に接続されているので、第２の電流源７と複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのソースとの接続点には、当該複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂに共通に、第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が生成され、この電圧が差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。これにより、１つの非反転入力信号ＩＮ＋が複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂにより選択されつつ渾然一体となって差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。

一方、それぞれの入力回路１３〜１５のバックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃでは、電流−電圧変換素子３１の両端に、対応する第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流に応じた電圧が生成され、この電圧が電圧−電流変換素子３２のゲートに印加される。これにより、電圧−電流変換素子３２に、当該電圧に応じたドレイン電流が流れ、電流−電圧変換素子３３の両端にこのドレイン電流に応じた電圧が生成される。これにより、電圧−電流変換素子３２と電流−電圧変換素子３３との接続点ＯＵＴに、対応する第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流が増加するにつれて高くなる電圧が生成される。この接続点ＯＵＴの電圧が、対応する第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのバックゲートと対応する第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのバックゲートとに制御電圧として与えられる。

すると、当該第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａ及び当該第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの閾値電圧はそれぞれ低くなり、それぞれの内部インピーダンスが小さくなる。

これにより、複数の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのうち、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流が増加し、その分、他の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流が減少する。そして、それぞれの第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａにおけるこのドレイン電流の変化が、対応するバックゲート電位制御回路１３ｃ，１４ｃ，１５ｃにフィードバックされ、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａの閾値電圧がより低くなってよりドレイン電流が増加し、他の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａの閾値電圧がより高くなってよりドレイン電流が減少する。そして、最終的に、第１の電流源６により供給される電流の大部分（好ましくは全部）が、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａにドレイン電流として流れる。この状態の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が差動増幅器１の反転入力端子に印加される。

これにより、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３が優先的に選択されて差動増幅器１の反転入力端子に印加される。

一方、複数の第２の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａは、それぞれの内部インピーダンスが小さくなると、それらのうち、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａと同じ入力回路１３〜１５の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのドレイン電流が増加し、その分、他の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのドレイン電流が減少する。そして、最終的に、第２の電流源７により供給される一定の電流の大部分（好ましくは全部）が、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３がゲートに入力された第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａと同じ入力回路１３〜１５の第２の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのドレイン電流として流れる。この状態の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの内部インピーダンスとドレイン電流との積に応じた電圧が差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。

これにより、複数の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのうち、最も高い電圧値を有する反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３に対応する入力回路１３〜１５の第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂが選択され、この選択された第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのゲートに入力される非反転信号ＩＮ＋が当該第２の電界効果トランジスタ３ｂ，４ｂ，５ｂにより選択されて差動増幅器１の非反転入力端子に印加される。

しかも、同じ入力回路１３〜１５の第１の電界効果トランジスタ１３ａ，１４ａ，１５ａのバックゲートと第２の電界効果トランジスタ１３ｂ，１４ｂ，１５ｂのバックゲートとには同じ制御電圧が印加されるので、バックゲートに制御電圧が印加されて閾値が変化することによって、差動増幅器１の反転入力端子に入力される電圧と差動増幅器１の非反転入力端子人力される電圧との間にオフセットが生じるのが防止される。

ここで、以上に説明した過渡状態は瞬時に経過するので、実際には最終的な状態が発現する。これにより、差動増幅器１から、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうち最も高い電圧値を有するものと非反転信号ＩＮ＋との差が増幅されて出力される。

以上に説明したように、本実施の形態の多入力差動増幅器によれば、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうちの１つの入力信号（最も電圧値の高い入力信号）と１つの非反転入力信号ＩＮ＋との対を選択しながら双方の信号の差を増幅して出力することができる。しかも、複数の反転入力信号ＩＮ−１〜ＩＮ−３のうちの１つの入力信号と１つの非反転入力信号ＩＮ＋との対を選択する際にオフセットが生じるのが防止される。

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３は、多入力差動増幅器の応用例として実施の形態１の多入力差動増幅器を用いた発光素子駆動装置を例示するものである。

図５は本発明の実施の形態３に係る発光素子駆動装置の構成を示す回路図である。

図５に示すように、本実施の形態の発光素子駆動装置は、電源部４１と制御部４２と実施の形態１の多入力差動増幅器１００Ａとを備えている。

電源部４１は、例えば、周知の昇圧チョッパで構成されていて、複数の発光素子としてのＬＥＤ(light-emitting diode)４３とこの複数のＬＥＤ４３に所定の定電流を供給するドライバ（定電流源）４４とが直列に接続された複数（ここでは、例えば３）の電流経路に電源電圧を印加する。

図１及び図５に示すように、多入力差動増幅器１００Ａには、複数の電流経路のドライバ４４に掛かる電圧が複数の反転入力信号（第１の入力信号）ＩＮ−１〜ＩＮ−３として入力部２に入力され、基準電圧電源４５の基準電圧が非反転入力信号（第２の入力信号）として入力部２に入力される。この基準電圧は、ドライバ４４を構成するトランジスタが活性領域で動作することが可能な適宜な電圧に設定される。そして、多入力差動増幅器１００Ａの差動増幅器１からこの基準電圧と複数の電流経路のドライバ４４に掛かる電圧のうちの最も低い電圧との誤差が増幅して出力される。この誤差が制御部４２に入力される。

制御部４２は、多入力差動増幅器１００Ａから入力される誤差が小さくなるよう、電源部４１から出力される電源電圧をフィードバック制御する。

これにより、複数の電流経路のドライバ４４に掛かる電圧のうちの最も低い電圧が基準電圧となるように、電源部４１から出力される電源電圧が制御される。その結果、ドライバ４４を構成するトランジスタが活性領域で常に動作し、複数の電流経路の複数のＬＥＤに所定の定電流が供給される。このため、多数のＬＥＤを安定して発光させることができる。

（その他の実施の形態）
実施の形態１及び実施の形態２の多入力差動増幅器１００Ａ，１００Ｂは、例えば、差動増幅器１を所定の増幅率を有する差動増幅器で構成すると、多入力誤差増幅器として用いることができ、例えば、差動増幅器１をオペレーショナルアンプで構成すると、多入力比較器として用いることができる。

なお、上記では、低電圧側の電源として接地端子を例示したが、低電圧側の電源はこれには限定されず、正電源Ｖｄｄより低い電圧（電位）を与えるものであればよい。

また、上記では、反転入力信号が複数で非反転入力信号が１つである場合を例示したが、非反転入力信号が複数で反転入力信号が１つであってもよい。この場合、例えば、図１及び図３において、複数の第１の電界効果トランジスタ（３ａ等）のソースを差動増幅器１の非反転入力端子に接続し、複数の第２の電界効果トランジスタ（３ｂ等）のソースを差動増幅器１の反転入力端子に接続すればよい。

また、上記では複数の第１の電界効果トランジスタ（３ａ等）及び複数の第２の電界効果トランジスタ（３ｂ等）を、それぞれ、定電流源６，７に並列に接続したが、定電流源６，７に代えて一定の抵抗（インピーダンス）を有する抵抗素子等の回路素子を用いてもよい。

上記説明から、当業者にとっては、本発明の多くの改良や他の実施形態が明らかである。従って、上記説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更できる。

本発明に係る多入力差動増幅器は、反転入力信号と非反転入力信号のうちの一方が複数である場合に、当該複数の入力信号を好適に選択して、この選択した信号と反転入力信号と非反転入力信号のうちの他方との差を増幅する差動増幅器等として有用である。

また、本発明に係る発光素子駆動装置は、多数の発光素子を安定して発光させることができる発光素子駆動装置等として有用である。

１ 差動増幅器
２ 入力部
３〜５ 入力回路
３ａ，４ａ，５ａ 第１の電界効果トランジスタ
３ｂ，４ｂ，５ｂ 第２の電界効果トランジスタ
３ｃ，４ｃ，５ｃ バックゲート電位制御回路
６ 第１の電流源
７ 第２の電流源
１３〜１５ 入力回路
１３ａ，１４ａ，１５ａ 第１の電界効果トランジスタ
１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ 第２の電界効果トランジスタ
１３ｃ，１４ｃ，１５ｃ バックゲート電位制御回路
２１，３１ 電流−電圧変換素子
２２，３２ 電圧−電流変換素子
２３，３３ 電流−電圧変換素子
４１ 電源部
４２ 制御部
４３ 発光素子
４４ ドライバ
４５ 基準電圧電源
１００Ａ，１００Ｂ 多入力差動増幅器

Claims (6)

1. 反転入力端子と非反転入力端子とを有する差動増幅器と、
   前記反転入力端子及び前記非反転入力端子の一方の入力端子（以下、第１の入力端子）に複数の該第１の入力端子用の入力信号（以下、第１の入力信号）に応じた第１の入力電圧を印加し、かつ前記反転入力端子及び前記非反転入力端子の他方の入力端子（以下、第２の入力端子）に、１つの該第２の入力端子用の入力信号（以下、第２の入力信号）に応じた第２の入力電圧を印加する入力部と、を備え、
   前記入力部は、前記第１の入力電圧と前記第２の入力電圧と間のオフセット電圧を補正するよう構成されている、多入力差動増幅装置。
2. 前記入力部は、前記複数の第１の入力信号に対応する複数の入力回路を備え、
   それぞれの前記入力回路は、前記第１の入力端子にソースが接続され、かつ対応する前記第１の入力信号がゲートに入力される第１の電界効果トランジスタと、前記第２の入力端子にソースが接続され、かつ前記第２の入力信号がゲートに入力される第２の電界効果トランジスタと、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電流に応じた制御電圧を生成し、かつ該生成された制御電圧を前記第１の電界効果トランジスタのバックゲート及び第２の電界効果トランジスタのバックゲートに印加するよう構成されたバックゲート電位制御回路と、を含む、請求項１に記載の多入力差動増幅装置。
3. 前記バックゲート電位制御回路は、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電流が増加すると前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタのドレインとソースとの間のインピーダンスが減少し、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電流が減少すると前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタのドレインとソースとの間のインピーダンスが増加するような制御電圧を生成するよう構成されている、請求項２に記載の多入力差動増幅器。
4. 前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタがＰチャネル型電界効果トランジスタである、請求項２又は３に記載の多入力差動増幅装置。
5. 前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタがＮチャネル型電界効果トランジスタである、請求項２又は３に記載の多入力差動増幅装置。
6. 複数の発光素子と該複数の発光素子に電流を供給するドライバとが直列に接続された複数の電流経路に電源電圧を印加する電源部と、
   前記複数の電流経路の前記ドライバに掛かる電圧が前記複数の第１の入力信号として前記入力部に入力され、基準電圧が前記第２の入力信号として前記入力部に入力され、かつ前記差動増幅器から前記基準電圧と前記複数の電流経路の前記ドライバに掛かる電圧との誤差を増幅して出力する請求項１乃至５のいずれかに記載の多入力差動増幅装置と、
   前記多入力差動増幅装置の差動増幅器の出力に基づいて前記電源が印加する電源電圧をフィードバック制御する制御部と、を備える発光素子駆動装置。

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