JP2011249393A - Method and apparatus for cutting hard substrate - Google Patents

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Kunimitsu Takahashi
邦充 高橋
Masanori Yoshida
正徳 吉田
Hitoshi Hoshino
仁志 星野
Shigeya Kurimura
茂也 栗村
Taku Okamura
卓 岡村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for cutting a hard substrate capable of efficiently cutting the hard substrate, such as a sapphire substrate and a silicon carbide substrate, as a substrate constituting an optical device wafer etc.SOLUTION: In the method for cutting the hard substrate retained on a chuck table by feeding the chuck table to a cutting feed direction relatively to a cutting blade while rotating the cutting blade, the cutting is performed while jetting a halogenated gas to an area for cutting by the cutting blade.

Description

本発明は、光デバイスウエーハの基板となるサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板の切削方法および切削装置に関する。   The present invention relates to a cutting method and a cutting apparatus for a hard substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate which are substrates for an optical device wafer.

光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。   In the optical device manufacturing process, an optical device layer made of a gallium nitride compound semiconductor is laminated on the surface of a substantially disc-shaped sapphire substrate or silicon carbide substrate, and is partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape. Optical devices such as light emitting diodes and laser diodes are formed in the region to constitute an optical device wafer. Then, the optical device wafer is cut along the streets to divide the region where the optical device is formed to manufacture individual optical devices.

上述した光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する分割方法として、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素基板に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、アブレーション加工することによりストリートに沿って破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成されたストリートに沿って外力を付与することにより、光デバイスウエーハをストリートに沿って割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）   As a method of dividing the optical device wafer described above along the street, ablation processing is performed by irradiating the sapphire substrate or silicon carbide substrate constituting the optical device wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the optical device wafer. By forming a laser processing groove as a starting point of the break along the street, and applying an external force along the street where the laser processing groove as the starting point of the break is formed, the optical device wafer is moved along the street. A method of cleaving has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)

しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素基板の表面に形成されたストリートに沿ってサファイア基板や炭化珪素基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工することによりレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオードやレーザーダイオード等の光デバイスの側壁面にレーザー加工時に生成される変質物質が付着して光デバイスの輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。   However, the laser is ablated by irradiating the sapphire substrate or silicon carbide substrate with a laser beam having an absorptive wavelength along the street formed on the surface of the sapphire substrate or silicon carbide substrate constituting the optical device wafer. When the processing groove is formed, there is a problem in that a denatured substance generated during laser processing adheres to the side wall surface of the optical device such as a light emitting diode or a laser diode, thereby reducing the brightness of the optical device and reducing the quality of the optical device. .

また、上述した光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。（例えば、特許文献２参照。）   Further, the cutting along the street of the above-described optical device wafer is performed by a cutting device called a dicer. The cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece, a cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting feed means for relatively moving the chuck table and the cutting means. It has. The cutting means includes a rotary spindle, a cutting blade mounted on the spindle, and a drive mechanism that rotationally drives the rotary spindle. The cutting blade is composed of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side surface of the base. The cutting edge is fixed to the base by electroforming, for example, diamond abrasive grains having a particle size of about 3 μm. It is formed to a thickness of about 20 μm. (For example, see Patent Document 2.)

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２００６−１８７８３４号公報JP 2006-187834 A

而して、上述した切削装置の切削ブレードによって光デバイスウエーハを切断すると、レーザー加工のように光デバイスの側壁面に変質物質が生成されることがなく、光デバイスの輝度が低下するという問題は解消できるが、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板はモース硬度が高いため、切削ブレードによる切削は必ずしも容易ではない。即ち、サファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板はモース硬度が高く切削負荷が大きいので、切削ブレードの切り込み量は１０〜１５μm程度で実施されている。従って、サファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板を切断または破断起点となる所定深さの切削溝を形成するためには切削工程を複数回実施しなければならず、生産性が悪いという問題がある。   Thus, when the optical device wafer is cut by the cutting blade of the above-described cutting apparatus, a deteriorating substance is not generated on the side wall surface of the optical device as in laser processing, and the luminance of the optical device is reduced. Although it can be eliminated, since a hard substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate constituting the optical device wafer has a high Mohs hardness, cutting with a cutting blade is not always easy. That is, since a hard substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate has a high Mohs hardness and a large cutting load, the cutting blade is cut in an amount of about 10 to 15 μm. Therefore, in order to form a cutting groove having a predetermined depth as a starting point for cutting or breaking a hard substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate, the cutting process has to be performed a plurality of times, resulting in a problem of poor productivity. is there.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハ等を構成する基板として用いられるサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板を効率よく切削することができる硬質基板の切削方法および切削装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is that a hard substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate used as a substrate constituting an optical device wafer or the like can be efficiently cut. An object of the present invention is to provide a cutting method and a cutting apparatus for a hard substrate.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、チャックテーブルに保持された硬質基板を、切削ブレードを回転しつつ該チャックテーブルを該切削ブレードに対して相対的に切削送り方向に切削送りすることにより切削する硬質基板の切削方法であって、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削する、
ことを特徴とする硬質基板の切削方法が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a hard substrate held by a chuck table is cut and fed in a cutting feed direction relative to the cutting blade while rotating the cutting blade. It is a cutting method of a hard substrate to cut by,
Cutting while injecting a halogenated gas to the cutting area by the cutting blade,
A method for cutting a hard substrate is provided.

上記ハロゲン化ガスは、切削水に混入して噴射する。   The halogenated gas is mixed with cutting water and sprayed.

また、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、該チャックテーブルを該切削手段に対して相対的に切削送り方向に切削送りする切削送り手段と、を具備する切削装置において、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射する噴射ノズルを備えたハロゲン化ガス噴射手段を具備している、
ことを特徴とする切削装置が提供される。 Further, according to the present invention, a chuck table for holding a workpiece, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and the chuck table as the cutting means. In a cutting device comprising a cutting feed means for cutting and feeding in a cutting feed direction relative to the
A halogenated gas injection means including an injection nozzle for injecting a halogenated gas into a cutting region by the cutting blade;
A cutting device is provided.

上記噴射ノズルに切削水を供給する切削水供給手段を具備している。   A cutting water supply means for supplying cutting water to the spray nozzle is provided.

本発明による硬質基板の切削方法は、切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削するので、切削領域においては高速回転する切削ブレードで硬質基板としてのサファイア基板(Al2O3)や炭化珪素基板(SiC)を切削する際に発生する高熱によってハロゲン化ガスが熱的に原子、分子に分解され、サファイア基板(Al2O3)を構成する(Al)、または炭化珪素基板(SiC)を構成する(Si)がフッ素ガスと反応してエッチングされるため、切削ブレードによる切削能力が増大する。従って、切削ブレードの切り込み量を大きくすることが可能となり、生産性を向上することができる。 Cutting method of the rigid substrate according to the present invention, since the cutting while jetting the halide gas to a cutting region by the cutting blade, a sapphire substrate as a hard substrate with a cutting blade rotating at a high speed in the cutting area (Al 2 O 3) Ya The halogenated gas is thermally decomposed into atoms and molecules by the high heat generated when cutting the silicon carbide substrate (SiC) to form a sapphire substrate (Al 2 O 3 ) (Al), or a silicon carbide substrate (SiC The (Si) constituting the) is etched by reacting with the fluorine gas, so that the cutting ability by the cutting blade is increased. Therefore, it becomes possible to increase the cutting amount of the cutting blade and improve the productivity.

また、本発明による切削装置は、切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射する噴射ノズルを備えたハロゲン化ガス噴射手段を具備しているので、切削ブレードによる切削時にハロゲン化ガス噴射手段を作動してハロゲン化ガスを噴射することにより、上述したように切削領域においては高速回転する切削ブレードで被加工物である硬質基板としてのサファイア基板(Al2O3)や炭化珪素基板(SiC)を切削する際に発生する高熱によってハロゲン化ガスが熱的に原子、分子に分解され、サファイア基板(Al2O3)を構成する(Al)、または炭化珪素基板(SiC)を構成する(Si) がフッ素ガスと反応してエッチングされるため、切削ブレードによる切削能力が増大する。従って、切削ブレードの切り込み量を大きくすることが可能となり、生産性を向上することができる。 Further, the cutting device according to the present invention includes the halogenated gas injection means having the injection nozzle for injecting the halogenated gas into the cutting region by the cutting blade, and therefore operates the halogenated gas injection means at the time of cutting with the cutting blade. As described above, by injecting the halogenated gas, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ) or silicon carbide substrate (SiC) as a hard substrate, which is a workpiece, is cut at a high speed in the cutting region. The halogenated gas is thermally decomposed into atoms and molecules by the high heat generated during cutting to form a sapphire substrate (Al 2 O 3 ) (Al), or a silicon carbide substrate (SiC) (Si) Is etched by reacting with fluorine gas, so that the cutting ability of the cutting blade is increased. Therefore, it becomes possible to increase the cutting amount of the cutting blade and improve the productivity.

本発明に従って構成された切削装置の斜視図。The perspective view of the cutting device comprised according to this invention. 図１に示す切削装置を構成する切削手段の要部斜視図。The principal part perspective view of the cutting means which comprises the cutting device shown in FIG. 図２に示す切削手段の構成部材を分解して示す斜視図。The perspective view which decomposes | disassembles and shows the structural member of the cutting means shown in FIG. 図２に示す切削手段を構成する第１のカバー部材と第２のカバー部材に配設され切削水とハロゲン化ガスとからなる混合流体を噴射する混合流体噴射手段の要部を破断して示す側面図。The main part of the mixed fluid injection means which injects the mixed fluid which consists of the 1st cover member and the 2nd cover member which comprise the cutting means shown in FIG. Side view. 図２に示す切削手段を構成する第２のカバー部材に配設され切削水とハロゲン化ガスとからなる混合流体を噴射する混合流体噴射手段を示す要部を破断して示す説明図。Explanatory drawing which fractures | ruptures and shows the principal part which shows the mixed fluid injection means which inject | pours the mixed fluid which is arrange | positioned at the 2nd cover member which comprises the cutting means shown in FIG. 2, and consists of cutting water and halogenated gas. 図１に示す切削装置によって実施する切削工程の説明図。Explanatory drawing of the cutting process implemented by the cutting device shown in FIG.

以下、本発明による硬質基板の切削方法および切削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a cutting method and a cutting apparatus for a hard substrate according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明に従って構成された切削装置の斜視図が示されている。図１に示す切削装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。このチャックテーブル３は、チャックテーブル本体３１と、該チャックテーブル本体３１の上面に配設された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の上面である保持面上に被加工物を載置し、図示しない吸引手段を作動することによって吸着チャック３２上に被加工物を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル３を構成するチャックテーブル本体３１には、後述する被加工物としての光デバイスウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。このように構成されたチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるようになっている。   FIG. 1 shows a perspective view of a cutting device constructed in accordance with the present invention. A cutting device 1 shown in FIG. 1 includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 for holding a workpiece is disposed so as to be movable in a direction indicated by an arrow X that is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a chuck table main body 31 and a suction chuck 32 disposed on the upper surface of the chuck table main body 31, and a workpiece is placed on a holding surface which is the upper surface of the chuck chuck 32. The workpiece is sucked and held on the suction chuck 32 by operating a suction means (not shown). The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). The chuck table main body 31 constituting the chuck table 3 is provided with a clamp 33 for fixing an annular frame that supports an optical device wafer as a workpiece to be described later via a dicing tape. The chuck table 3 configured as described above can be moved in a cutting feed direction indicated by an arrow X by a cutting feed means (not shown).

図１に示す切削装置１は、上記チャックテーブル３に保持された被加工物を切削するための切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、図示しない割り出し送り手段によって上記矢印Ｘで示す切削送り方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって上記チャックテーブル３の保持面に対して垂直な矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された切削ブレード４３とを具備している。切削ブレード４３は、例えば図２および図３に示すようにアルミニウムによって形成された円盤状の基台４３１と、該基台４３１の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが１５〜３０μmに形成された環状の切れ刃４３２からなっている。   A cutting apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a spindle unit 4 as a cutting means for cutting a workpiece held on the chuck table 3. The spindle unit 4 is moved in an index feed direction indicated by an arrow Y perpendicular to the cutting feed direction indicated by the arrow X by an index feed means (not shown) and is moved relative to the holding surface of the chuck table 3 by a notch feed means (not shown). It can be moved in the cutting feed direction indicated by a vertical arrow Z. The spindle unit 4 is mounted on a moving base (not shown) and is adjusted to move in a direction indicated by an arrow Y that is an indexing direction and a direction indicated by an arrow Z that is a cutting direction, and the spindle housing 41 is freely rotatable. And a cutting blade 43 attached to the front end of the rotating spindle 42. As shown in FIGS. 2 and 3, for example, the cutting blade 43 has a disk-shaped base 431 formed of aluminum, and diamond abrasive grains are solidified by nickel plating on the side surface of the outer periphery of the base 431 to have a thickness of 15 It consists of an annular cutting edge 432 formed to ˜30 μm.

図２および図３を参照して説明を続けると、上記スピンドルハウジング４１の前端部には、切削ブレード４３の上半部を覆うブレードカバー４４が取り付けられている。このブレードカバー４４は、図示の実施形態においてはスピンドルハウジング４１に装着された第１のカバー部材４４１と、該第１のカバー部材４４１に装着される第２のカバー部材４４２とからなっている。第１のカバー部材４４１の側面には、図３に示すように雌ネジ穴４４１aと２個の位置決めピン４４１bが設けられており、第２のカバー部材４４２には上記雌ネジ穴４４１aと対応する位置に挿通穴４４２aが設けられている。また、第２のカバー部材４４２における第１のカバー部材４４１と対向する面には、上記２個の位置決めピン４４１bが嵌合する図示しない２個の凹部が形成されている。このように構成された第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２は、第２のカバー部材４４２に形成された図示しない２個の凹部を第１のカバー部材４４１に設けられた２個の位置決めピン４４１bに嵌合することによって位置決めする。そして、締結ボルト４４３を第２のカバー部材４４２の挿通穴４４２aに挿通し、第１のカバー部材４４１に設けられた雌ネジ穴４４１aと螺合することにより、第２のカバー部材４４２を第１のカバー部材４４１に装着する。   2 and 3, the blade cover 44 that covers the upper half of the cutting blade 43 is attached to the front end portion of the spindle housing 41. The blade cover 44 includes a first cover member 441 attached to the spindle housing 41 and a second cover member 442 attached to the first cover member 441 in the illustrated embodiment. As shown in FIG. 3, a female screw hole 441a and two positioning pins 441b are provided on the side surface of the first cover member 441. The second cover member 442 corresponds to the female screw hole 441a. An insertion hole 442a is provided at the position. In addition, on the surface of the second cover member 442 that faces the first cover member 441, two recesses (not shown) into which the two positioning pins 441b are fitted are formed. The first cover member 441 and the second cover member 442 configured in this way are provided with two recesses (not shown) formed in the second cover member 442 provided in the first cover member 441. The positioning is performed by fitting to the positioning pin 441b. Then, the fastening bolt 443 is inserted into the insertion hole 442a of the second cover member 442, and is screwed into the female screw hole 441a provided in the first cover member 441, whereby the second cover member 442 is engaged with the first cover member 442. The cover member 441 is attached.

上記ブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２には、それぞれ図4および図５に示すように切削ブレード４３およびチャックテーブル３に保持された被加工物１０における切削領域に切削水とハロゲン化ガスの混合流体を噴射する混合流体噴射手段５が設けられている。   The first cover member 441 and the second cover member 442 constituting the blade cover 44 are cut into the workpiece 10 held on the cutting blade 43 and the chuck table 3 as shown in FIGS. 4 and 5, respectively. A mixed fluid ejecting means 5 for ejecting a mixed fluid of cutting water and halogenated gas is provided in the region.

混合流体噴射手段５について、主に図５を参照して説明する。なお、混合流体噴射手段５はブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２にそれぞれ配設されているが、図５においては第２のカバー部材４４２に配設された混合流体噴射手段５が示されている。第１のカバー部材４４１に配設された混合流体噴射手段５は、図５に示す第２のカバー部材４４２に配設された混合流体噴射手段５と実質的に同様の構成であり、切削ブレード４３に対して面対称に構成されている。   The mixed fluid ejecting means 5 will be described mainly with reference to FIG. The mixed fluid ejecting means 5 is disposed on the first cover member 441 and the second cover member 442 constituting the blade cover 44, respectively, but is disposed on the second cover member 442 in FIG. A mixed fluid ejecting means 5 is shown. The mixed fluid ejecting means 5 disposed on the first cover member 441 has substantially the same configuration as the mixed fluid ejecting means 5 disposed on the second cover member 442 shown in FIG. 43 is symmetrical with respect to the plane.

上記混合流体噴射手段５は、図５に示すように切削水供給通路５１と、ハロゲン化ガス供給通路５２と、切削水供給通路５１に供給された切削水とハロゲン化ガス供給通路５２に供給されたハロゲン化ガスを混合する混合室の５３と、該混合室５３において切削水とハロゲン化ガスとが混合された混合流体を流出する混合流体供給通路５４と、該混合流体供給通路５４と連通し切削水とハロゲン化ガスとの混合流体を切削ブレード４３およびチャックテーブル３に保持された被加工物１０における切削領域に噴射する噴射ノズル５５とを具備している。この混合流体噴射手段５を構成する切削水供給通路５１は切削水供給手段５６に接続され、ハロゲン化ガス供給通路５２はハロゲン化ガス供給手段５７に接続されている。   As shown in FIG. 5, the mixed fluid ejecting means 5 is supplied to the cutting water supply passage 51, the halogenated gas supply passage 52, and the cutting water supplied to the cutting water supply passage 51 and the halogenated gas supply passage 52. The mixing chamber 53 for mixing the halogenated gas, the mixed fluid supply passage 54 for flowing out the mixed fluid in which the cutting water and the halogenated gas are mixed in the mixing chamber 53, and the mixed fluid supply passage 54 communicate with each other. An injection nozzle 55 is provided for injecting a mixed fluid of cutting water and halogenated gas to the cutting region of the workpiece 10 held by the cutting blade 43 and the chuck table 3. The cutting water supply passage 51 constituting the mixed fluid ejecting means 5 is connected to the cutting water supply means 56, and the halogenated gas supply passage 52 is connected to the halogenated gas supply means 57.

上記切削水供給通路５１は、切削水入り口５１aが上記切削水供給手段５６に接続され、切削水出口５１bが上記混合室５３の天井壁５３aに開口されている。上記ハロゲン化ガス供給通路５２は、ハロゲン化ガス入り口５２aが上記ハロゲン化ガス供給手段５７に接続され、ハロゲン化ガス出口５２bが混合室５３の天井壁５３aに開口されている。なお、切削水供給通路５１の切削水出口５１bは直径が０．１５〜０．２５mmに形成され、ハロゲン化ガス出口５２bは直径が０．７〜０．９mmに形成されている。上記混合流体供給通路５４は、混合流体入り口５４aがハロゲン化ガス供給通路５２のハロゲン化ガス出口５２bと対向して設けられ上記混合室５３の底壁５３bに開口しており、混合流体出口５４bが上記噴射ノズル５５の連通路５５１と連通している。なお、上記混合室５３の底壁５３bは、切削水入り口５１aから混合室５３に流入された切削水を混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導く湾局面に形成されている。   The cutting water supply passage 51 has a cutting water inlet 51 a connected to the cutting water supply means 56 and a cutting water outlet 51 b opened to the ceiling wall 53 a of the mixing chamber 53. In the halogenated gas supply passage 52, the halogenated gas inlet 52 a is connected to the halogenated gas supply means 57, and the halogenated gas outlet 52 b is opened in the ceiling wall 53 a of the mixing chamber 53. The cutting water outlet 51b of the cutting water supply passage 51 has a diameter of 0.15 to 0.25 mm, and the halogenated gas outlet 52b has a diameter of 0.7 to 0.9 mm. The mixed fluid supply passage 54 is provided with a mixed fluid inlet 54a facing the halogenated gas outlet 52b of the halogenated gas supply passage 52 and opening to the bottom wall 53b of the mixing chamber 53, and the mixed fluid outlet 54b is It communicates with the communication passage 551 of the injection nozzle 55. The bottom wall 53 b of the mixing chamber 53 is formed in a bay surface that guides the cutting water flowing into the mixing chamber 53 from the cutting water inlet 51 a to the mixed fluid inlet 54 a of the mixed fluid supply passage 54.

上記噴射ノズル５５は、図５に示すように上記混合流体供給通路５４の混合流体出口５４bと連通する連通路５５１と、図４に示すように連通路５５１と連通するとともに斜め下方に向けて開口する複数のスリット噴出口５５２を備えている。このように噴射ノズル５５に設けられた複数のスリット噴出口５５２は、切削水とハロゲン化ガスとの混合流体を切削ブレード４３およびチャックテーブル３に保持された被加工物１０の切削ブレード４３による切削領域に噴射する。   As shown in FIG. 5, the injection nozzle 55 communicates with the communication passage 551 communicating with the mixed fluid outlet 54b of the mixed fluid supply passage 54, and communicates with the communication passage 551 as shown in FIG. 4 and opens obliquely downward. A plurality of slit outlets 552 are provided. In this way, the plurality of slit outlets 552 provided in the injection nozzle 55 cut the mixed fluid of cutting water and halogenated gas by the cutting blade 43 of the workpiece 10 held by the cutting blade 43 and the chuck table 3. Inject into the area.

図５を参照して説明を続けると、上記切削水供給手段５６は、切削水供給源５６１と、該切削水供給源５６１と上記切削水供給通路５１の切削水入り口５１aとを接続する切削水供給管５６２と、該切削水供給管５６２に配設された電磁開閉弁５６３とからなっている。なお、切削水供給源５６１に収容される切削水としては、純水を用いることができる。このように構成された切削水供給手段５６は、電磁開閉弁５６３が除勢(OFF)されて閉路している状態では切削水供給源５６１と上記切削水供給通路５１との連通が遮断されており、電磁開閉弁５６３が附勢(ON)されて開路すると切削水供給源５６１と上記切削水供給通路５１とが切削水供給管５６２を介して連通せしめられる。このように構成された切削水供給手段５６は、０．２〜０．３Mpの圧力の切削水を上記切削水供給通路５１に供給する。   Continuing with reference to FIG. 5, the cutting water supply means 56 includes a cutting water supply source 561, and a cutting water that connects the cutting water supply source 561 and the cutting water inlet 51 a of the cutting water supply passage 51. It comprises a supply pipe 562 and an electromagnetic on-off valve 563 disposed in the cutting water supply pipe 562. Note that pure water can be used as the cutting water stored in the cutting water supply source 561. In the cutting water supply means 56 configured in this manner, the communication between the cutting water supply source 561 and the cutting water supply passage 51 is blocked when the electromagnetic on-off valve 563 is deenergized (OFF) and closed. When the electromagnetic on-off valve 563 is energized (ON) and opened, the cutting water supply source 561 and the cutting water supply passage 51 are communicated with each other via the cutting water supply pipe 562. The cutting water supply means 56 configured as described above supplies cutting water having a pressure of 0.2 to 0.3 Mp to the cutting water supply passage 51.

次に、上記ハロゲン化ガス供給手段５７について、図５を参照して説明する。
図示の実施形態におけるハロゲン化ガス供給手段５７は、ハロゲン化ガス供給源５７１と、該ハロゲン化ガス供給源５７１と上記ハロゲン化ガス供給通路５２のハロゲン化ガス入り口５２aとを接続するハロゲン化ガス供給管５７２と、該ハロゲン化ガス供給管５７２に配設された電磁開閉弁５７３とからなっている。なお、ハロゲン化ガス供給源５７１に収容されるハロゲン化ガスとしては、CF4、C2F6、C３F6、C３F8、C4F6、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH2F5、ＳＦ6等を用いることができる。このように構成されたハロゲン化ガス供給手段５７は、電磁開閉弁５７３が除勢(OFF)されて閉路している状態ではハロゲン化ガス供給源５７１とハロゲン化ガス供給通路５２との連通が遮断されており、電磁開閉弁５７３が附勢(ON)されて開路するとハロゲン化ガス供給源５７１と上記ハロゲン化ガス供給通路５２とがハロゲン化ガス供給管５７２を介して連通せしめられる。このように構成されたハロゲン化ガス供給手段５７は、０．２〜０．３Mpの圧力のハロゲン化ガスを上記ハロゲン化ガス供給通路５２に供給する。 Next, the halogenated gas supply means 57 will be described with reference to FIG.
The halogenated gas supply means 57 in the illustrated embodiment includes a halogenated gas supply source 571 and a halogenated gas supply that connects the halogenated gas supply source 571 and the halogenated gas inlet 52 a of the halogenated gas supply passage 52. It consists of a pipe 572 and an electromagnetic on-off valve 573 disposed in the halogenated gas supply pipe 572. The halogenated gas contained in the halogenated gas supply source 571 includes CF 4, C 2 F 6, C 3 F 6, C 3 F 8, C 4 F 6, C 4 F 8, and C 5 F 8. can be used CHF 3, CH 2 F 2, CH 2 F 5, SF 6 or the like. In the halogenated gas supply means 57 configured in this way, the communication between the halogenated gas supply source 571 and the halogenated gas supply passage 52 is cut off when the electromagnetic on-off valve 573 is de-energized (OFF) and closed. When the electromagnetic on-off valve 573 is energized (ON) and opened, the halogenated gas supply source 571 and the halogenated gas supply passage 52 are communicated with each other via the halogenated gas supply pipe 572. The halogenated gas supply means 57 configured as described above supplies a halogenated gas having a pressure of 0.2 to 0.3 Mp to the halogenated gas supply passage 52.

以上のように構成された混合流体噴射手段５は、上記切削水供給手段５６の電磁開閉弁５６３が附勢(ON)され開路すると、切削水が切削水供給通路５１を通して混合室５３に流入せしめられる。この混合室５３に流入された切削水は、混合室５３の底壁５３bを形成する湾局面に沿って混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導かれる。一方、上記ハロゲン化ガス供給手段５７の電磁開閉弁５７３が附勢(ON)され開路すると、ハロゲン化ガスがハロゲン化ガス供給通路５２を通して混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられる。この結果、切削水供給通路５１から混合室５３に流入され混合室５３の底壁５３bを形成する湾局面に沿って混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導かれた切削水は、ハロゲン化ガス供給通路５２から混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられたハロゲン化ガスによって混合されつつ混合流体供給通路５４に円滑に導入される。   The mixed fluid ejecting means 5 configured as described above causes cutting water to flow into the mixing chamber 53 through the cutting water supply passage 51 when the electromagnetic on-off valve 563 of the cutting water supply means 56 is energized (ON) and opened. It is done. The cutting water that has flowed into the mixing chamber 53 is guided to the mixed fluid inlet 54 a of the mixed fluid supply passage 54 along the bay surface that forms the bottom wall 53 b of the mixing chamber 53. On the other hand, when the electromagnetic on-off valve 573 of the halogenated gas supply means 57 is energized (ON) and opened, the mixed fluid supply passage 54 opens to the bottom wall 53b of the mixing chamber 53 through the halogenated gas supply passage 52. To the mixed fluid inlet 54a. As a result, the cutting water introduced into the mixing chamber 53 from the cutting water supply passage 51 and guided to the mixed fluid inlet 54a of the mixed fluid supply passage 54 along the bay surface forming the bottom wall 53b of the mixing chamber 53 is halogenated. The mixed fluid supply passage 54 is smoothly introduced into the mixed fluid supply passage 54 while being mixed by the halogenated gas introduced from the gas supply passage 52 toward the mixed fluid inlet 54 a of the mixed fluid supply passage 54 that opens to the bottom wall 53 b of the mixing chamber 53. .

図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置１は、上記チャックテーブル３上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出するための撮像手段６を具備している。この撮像手段６は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置１は、撮像手段６によって撮像された画像を表示する表示手段７を具備している。   Returning to FIG. 1, the description continues and the cutting apparatus 1 in the illustrated embodiment images the surface of the workpiece held on the chuck table 3 and detects an area to be cut by the cutting blade 43. The image pickup means 6 is provided. The imaging means 6 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera. Further, the cutting apparatus 1 includes a display unit 7 that displays an image captured by the imaging unit 6.

上記装置ハウジング２におけるカセット載置領域８aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル８が配設されている。このカセット載置テーブル８は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル８上には、被加工物としての光デバイスウエーハ１０を収容するカセット９が載置される。カセット９に収容される光デバイスウエーハ１０は、硬質基板であるサファイア基板または炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスが形成されている。このように形成された光デバイスウエーハ１０は、環状の支持フレームFに装着されたダイシングテープTの表面に裏面が貼着された状態でカセット９に収容される。   In the cassette mounting area 8a of the apparatus housing 2, a cassette mounting table 8 for mounting a cassette for storing a workpiece is disposed. The cassette mounting table 8 is configured to be movable in the vertical direction by a lifting means (not shown). On the cassette mounting table 8, a cassette 9 for storing an optical device wafer 10 as a workpiece is placed. The optical device wafer 10 accommodated in the cassette 9 is partitioned by a plurality of streets formed by laminating optical device layers made of gallium nitride-based compound semiconductors on the surface of a sapphire substrate or silicon carbide substrate that is a hard substrate. Optical devices such as light emitting diodes and laser diodes are formed in a plurality of regions. The optical device wafer 10 thus formed is accommodated in the cassette 9 with the back surface adhered to the front surface of the dicing tape T mounted on the annular support frame F.

図１を参照して説明を続けると、図示の実施形態における切削装置１は、カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９に収容されている光デバイスウエーハ１０（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）を仮置きテーブル１１に搬出する搬出・搬入手段１２と、仮置きテーブル１１に搬出された光デバイスウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する第１の搬送手段１３と、チャックテーブル３上で切削加工された光デバイスウエーハ１０を洗浄する洗浄手段１４と、チャックテーブル３上で切削加工された光デバイスウエーハ１０を洗浄手段１４へ搬送する第２の搬送手段１５を具備している。   1, the cutting apparatus 1 in the illustrated embodiment includes an optical device wafer 10 (diced into an annular frame F) housed in a cassette 9 placed on a cassette placement table 8. A state of being supported via the tape T) and a first loading / unloading means 12 for unloading to the temporary table 11 and an optical device wafer 10 unloaded to the temporary table 11 on the chuck table 3. Conveying means 13, cleaning means 14 for cleaning the optical device wafer 10 cut on the chuck table 3, and second transport for transferring the optical device wafer 10 cut on the chuck table 3 to the cleaning means 14. Means 15 are provided.

図示の実施形態における切削装置１は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９の所定位置に収容されている光デバイスウエーハ１０（環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル８が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出・搬入手段１２が進退作動して搬出位置に位置付けられた光デバイスウエーハ１０を仮置きテーブル１１上に搬出する。このようにして仮置きテーブル１１に搬出された光デバイスウエーハ１０は、第１の搬送手段１３の旋回動作によって図１に示す被加工物搬入位置に位置付けられているチャックテーブル３上に搬送される。 The cutting device 1 in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The optical device wafer 10 accommodated in a predetermined position of the cassette 9 placed on the cassette placement table 8 (state attached to the surface of the dicing tape T attached to the annular frame F) is shown in the figure. The cassette mounting table 8 is moved up and down by the lifting and lowering means, and is positioned at the unloading position. Next, the carry-out / carry-in means 12 moves forward and backward to carry the optical device wafer 10 positioned at the carry-out position onto the temporary table 11. The optical device wafer 10 carried out to the temporary placement table 11 in this way is conveyed onto the chuck table 3 positioned at the workpiece loading position shown in FIG. 1 by the turning operation of the first conveying means 13. .

チャックテーブル３上に光デバイスウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して光デバイスウエーハ１０をダイシングテープTを介してチャックテーブル３上に吸引保持する。また、光デバイスウエーハ１０をダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFは、上記クランプ３３によって固定される。このようにして光デバイスウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段を作動することによって撮像手段６の直下に移動される。チャックテーブル３が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ１０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ１０に形成されているストリートを検出し、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節してストリートと切削ブレード４３との精密位置合わせ作業を実施する。   When the optical device wafer 10 is placed on the chuck table 3, suction means (not shown) is operated to suck and hold the optical device wafer 10 on the chuck table 3 via the dicing tape T. The annular frame F that supports the optical device wafer 10 via the dicing tape T is fixed by the clamp 33. The chuck table 3 that sucks and holds the optical device wafer 10 in this way is moved directly below the imaging means 6 by operating a cutting feed means (not shown). When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 6, an alignment operation for detecting a cutting region to be cut of the optical device wafer 10 is executed by the image pickup means 6 and a control means (not shown). That is, the imaging means 6 and the control means (not shown) detect the street formed on the optical device wafer 10 and move and adjust the spindle unit 4 in the direction of the arrow Y, which is the indexing direction, to accurately adjust the street and the cutting blade 43. Perform alignment work.

以上のようにしてチャックテーブル３上に保持された光デバイスウエーハ１０に形成されているストリートを検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３を切削ブレード４３の下方である切削加工領域に移動し、光デバイスウエーハ１０を保持したチャックテーブル３を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図６の(a)に示すように光デバイスウエーハ１０に形成されたストリートの一端（図６の(a)において左端）が切削ブレード４３の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４３を図６の(a)において矢印４３aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り手段によって図６の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、切削ブレード４３の外周縁の下端が光デバイスウエーハ１０の上面から２０〜３０μmの位置に設定されている。   When the street formed on the optical device wafer 10 held on the chuck table 3 is detected as described above and the cutting region is aligned, the chuck table 3 is cut below the cutting blade 43. The chuck table 3 holding the optical device wafer 10 is moved to the cutting area in the cutting area. At this time, as shown in FIG. 6 (a), one end of the street formed on the optical device wafer 10 (the left end in FIG. 6 (a)) is positioned so as to be positioned to the right by a predetermined amount from just below the cutting blade 43. It is done. Then, the cutting blade 43 is rotated at a predetermined rotational speed in a direction indicated by an arrow 43a in FIG. 6A, and a solid line in FIG. As shown, it cuts and feeds a predetermined amount downward. The cutting feed position is set such that the lower end of the outer peripheral edge of the cutting blade 43 is 20 to 30 μm from the upper surface of the optical device wafer 10.

上述したように切削ブレード４３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４３を図６の(a)において矢印４３aで示す方向に所定の回転速度（例えば２００００rpm）で回転しつつ、チャックテーブル３を図６の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度（例えば５０ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図６の(b)に示すようにチャックテーブル３に保持された光デバイスウエーハ１０の右端が切削ブレード４３の直下を通過したらチャックテーブル３の移動を停止する。そして、切削ブレード４３を上昇させ２点鎖線で示す退避位置に位置付ける。この結果、チャックテーブル３上に保持された光デバイスウエーハ１０には、切削ブレード４３により所定のストリートに沿って上面から深さが２０〜３０μmの破断起点となる切削溝が形成される（切削工程）。   If cutting feed of the cutting blade 43 is performed as described above, the chuck table 3 is moved while rotating the cutting blade 43 in a direction indicated by an arrow 43a in FIG. 6A at a predetermined rotational speed (for example, 20000 rpm). In FIG. 6A, it is moved at a predetermined cutting feed rate (for example, 50 mm / second) in the direction indicated by the arrow X1. Then, as shown in FIG. 6B, when the right end of the optical device wafer 10 held on the chuck table 3 passes directly under the cutting blade 43, the movement of the chuck table 3 is stopped. Then, the cutting blade 43 is raised and positioned at the retracted position indicated by the two-dot chain line. As a result, the optical device wafer 10 held on the chuck table 3 is formed with a cutting groove 43 along a predetermined street to form a cutting groove having a depth of 20 to 30 μm from the upper surface along the predetermined street (cutting process). ).

この切削工程を実施する際には、混合流体噴射手段５を構成する切削水供給手段５６の電磁開閉弁５６３が附勢(ON)されるとともに、ハロゲン化ガス供給手段５７の電磁開閉弁５７３が附勢(ON)される。この切削水供給手段５６の電磁開閉弁５６３とハロゲン化ガス供給手段５７の電磁開閉弁５７３が附勢(ON)されると、上述したように切削水が切削水供給通路５１を通して混合室５３に流入するとともに、ハロゲン化ガスがハロゲン化ガス供給通路５２を通して混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられる。この結果、切削水供給通路５１から混合室５３に流入され混合室５３の底壁５３bを形成する湾局面に沿って混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導かれた切削水は、ハロゲン化ガス供給通路５２から混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられたハロゲン化ガスによって混合されつつ混合流体供給通路５４に導入される。このようにして混合流体供給通路５４に流入せしめられた切削水とハロゲン化ガスとからなる混合流体は、図６の(c)に示すように噴射ノズル５５の連通路５５１を通してスリット噴出口５５２からチャックテーブル３に保持された光デバイスウエーハ１０における切削ブレード４３による切削領域に噴射される。この結果、切削ブレード４３による切削領域においては、高速回転する切削ブレード４３により光デバイスウエーハ１０を切削する際に発生する高熱によって混合流体に混入されているハロゲン化ガスが熱的に原子、分子に分解され、サファイア基板(Al2O3)を構成する(Al)、または炭化珪素基板(SiC)を構成する (Si)がフッ素ガスと反応してエッチングされるため、切削ブレード４３による切削能力が増大する。従って、切削ブレード４３の切り込み量を大きくすることができるので、厚みが１００μmの光デバイスウエーハ１０の場合には破断起点となる所定深さの切削溝を形成することができるとともに、厚みが数十μmの光デバイスウエーハ１０の場合には１回の切削工程で切断することが可能となり、生産性を向上することができる。 When performing this cutting process, the electromagnetic on-off valve 563 of the cutting water supply means 56 constituting the mixed fluid injection means 5 is energized (ON) and the electromagnetic on-off valve 573 of the halogenated gas supply means 57 is turned on. Energized (ON). When the electromagnetic on-off valve 563 of the cutting water supply means 56 and the electromagnetic on-off valve 573 of the halogenated gas supply means 57 are energized (ON), the cutting water enters the mixing chamber 53 through the cutting water supply passage 51 as described above. In addition, the halogenated gas flows into the mixed fluid inlet 54 a of the mixed fluid supply passage 54 that opens to the bottom wall 53 b of the mixing chamber 53 through the halogenated gas supply passage 52. As a result, the cutting water introduced into the mixing chamber 53 from the cutting water supply passage 51 and guided to the mixed fluid inlet 54a of the mixed fluid supply passage 54 along the bay surface forming the bottom wall 53b of the mixing chamber 53 is halogenated. The mixed fluid is introduced into the mixed fluid supply passage 54 while being mixed by the halogenated gas introduced into the mixed fluid inlet 54 a of the mixed fluid supply passage 54 that opens from the gas supply passage 52 to the bottom wall 53 b of the mixing chamber 53. The mixed fluid composed of the cutting water and the halogenated gas flowing into the mixed fluid supply passage 54 in this way passes through the communication passage 551 of the injection nozzle 55 from the slit outlet 552 as shown in FIG. The optical device wafer 10 held on the chuck table 3 is sprayed onto a cutting area by the cutting blade 43. As a result, in the cutting region by the cutting blade 43, the halogenated gas mixed in the mixed fluid due to the high heat generated when the optical device wafer 10 is cut by the cutting blade 43 rotating at high speed is thermally converted into atoms and molecules. Since (Si) constituting the sapphire substrate (Al 2 O 3 ) or the silicon carbide substrate (SiC) is decomposed and etched by reacting with fluorine gas, the cutting ability of the cutting blade 43 is reduced. Increase. Accordingly, since the cutting amount of the cutting blade 43 can be increased, in the case of the optical device wafer 10 having a thickness of 100 μm, it is possible to form a cutting groove having a predetermined depth as a starting point of breakage and to have a thickness of several tens. In the case of the optical device wafer 10 of μm, it becomes possible to cut in one cutting process, and productivity can be improved.

上述したように光デバイスウエーハ１０に形成された所定のストリートに沿って上記切削工程をしたならば、チャックテーブル３を図１において矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送りし、上述した切削工程を実施する。このようにして、光デバイスウエーハ１０の所定方向に形成された全てのストリートに沿って上記切削工程を実施したならば、チャックテーブル３を９０度回転させて、光デバイスウエーハ１０の所定方向と直交する方向に形成されたストリートに沿って上記切削工程を実行する。この結果、光デバイスウエーハ１０には格子状に形成された全てのストリートに沿って破断起点となる切削溝が形成され、また、デバイスウエーハ１０の厚みが数十μm場合には光デバイスウエーハ１０は格子状に形成された全てのストリートに沿って切断される。   If the above cutting process is performed along a predetermined street formed in the optical device wafer 10 as described above, the chuck table 3 is indexed and fed in the direction indicated by the arrow Y in FIG. Perform the process. In this way, when the cutting process is performed along all the streets formed in the predetermined direction of the optical device wafer 10, the chuck table 3 is rotated by 90 degrees to be orthogonal to the predetermined direction of the optical device wafer 10. The above cutting process is executed along the street formed in the direction of the cutting. As a result, the optical device wafer 10 is formed with cutting grooves as starting points of breakage along all the streets formed in a lattice pattern. When the thickness of the device wafer 10 is several tens of μm, the optical device wafer 10 is Cut along all streets formed in a grid.

以上のようにして、光デバイスウエーハ１０に形成された全てのストリートに沿って上記切削工程が終了したら、光デバイスウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３は最初に光デバイスウエーハ１０を吸引保持した被加工物搬入位置に戻される。そして、チャックテーブル３の吸引保持されている光デバイスウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、光デバイスウエーハ１０は第２の搬送手段１５によって洗浄手段１４に搬送される。洗浄手段１４に搬送された光デバイスウエーハ１０は、ここで洗浄される。このようにして洗浄された光デバイスウエーハ１０は、乾燥後に第１の搬送手段１３によって仮置きテーブル１１に搬送される。そして、光デバイスウエーハ１０は、搬出・搬入手段１２によってカセット９の所定位置に収納される。   As described above, when the cutting process is completed along all the streets formed in the optical device wafer 10, the chuck table 3 holding the optical device wafer 10 first holds the optical device wafer 10 by suction. The workpiece is returned to the loading position. Then, suction holding of the optical device wafer 10 held by suction of the chuck table 3 is released. Next, the optical device wafer 10 is transported to the cleaning means 14 by the second transport means 15. The optical device wafer 10 conveyed to the cleaning means 14 is cleaned here. The optical device wafer 10 thus cleaned is transported to the temporary placement table 11 by the first transport means 13 after drying. The optical device wafer 10 is stored in a predetermined position of the cassette 9 by the unloading / loading means 12.

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形が可能である。例えば、上述した実施形態においてはハロゲン化ガスを切削水に混入して切削領域に噴射する例を示したが、ハロゲン化ガスだけを切削領域に噴射してもよい。   While the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the example in which the halogenated gas is mixed into the cutting water and sprayed to the cutting region has been described. However, only the halogenated gas may be sprayed to the cutting region.

２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：スピンドルユニット
４３：切削ブレード
４４：ブレードカバー
４４１：第１のカバー部材
４４２：第２のカバー部材
５：混合流体噴射手段
５１：切削水供給通路
５２：ハロゲン化ガス供給通路
５３：混合室
５４：混合流体供給通路
５５：噴射ノズル
５６：切削水供給手段
５７：ハロゲン化ガス供給手段
６：撮像手段
７：表示手段
９：カセット
１０：光デバイスウエーハ
１１：仮置きテーブル
１２：搬出・搬入手段
１３：第１の搬送手段
１４：洗浄手段
１５：第２の搬送手段
Ｆ：環状の支持フレーム
Ｔ：ダイシングテープ 2: Device housing 3: Chuck table 4: Spindle unit 43: Cutting blade 44: Blade cover 441: First cover member 442: Second cover member 5: Mixed fluid injection means 51: Cutting water supply passage 52: Halogenation Gas supply passage 53: Mixing chamber 54: Mixed fluid supply passage 55: Injection nozzle 56: Cutting water supply means 57: Halogenated gas supply means 6: Imaging means 7: Display means 9: Cassette 10: Optical device wafer 11: Temporary placement Table 12: Unloading / carrying means 13: First conveying means 14: Cleaning means 15: Second conveying means F: Annular support frame T: Dicing tape

Claims (4)

チャックテーブルに保持された硬質基板を、切削ブレードを回転しつつ該チャックテーブルを該切削ブレードに対して相対的に切削送り方向に切削送りすることにより切削する硬質基板の切削方法であって、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削する、
ことを特徴とする硬質基板の切削方法。 A hard substrate cutting method for cutting a hard substrate held by a chuck table by cutting and feeding the chuck table in a cutting feed direction relative to the cutting blade while rotating the cutting blade,
Cutting while injecting a halogenated gas to the cutting area by the cutting blade,
A method for cutting a hard substrate, characterized in that: 該ハロゲン化ガスは、切削水に混入して噴射する、請求項１記載の硬質基板の切削方法。   The hard substrate cutting method according to claim 1, wherein the halogenated gas is mixed and injected into cutting water. 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、該チャックテーブルを該切削手段に対して相対的に切削送り方向に切削送りする切削送り手段と、を具備する切削装置において、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射する噴射ノズルを備えたハロゲン化ガス噴射手段を具備している、
ことを特徴とする切削装置。 A chuck table for holding the workpiece, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting feed direction relative to the cutting means. In a cutting device comprising a cutting feed means for cutting and feeding to
A halogenated gas injection means including an injection nozzle for injecting a halogenated gas into a cutting region by the cutting blade;
The cutting device characterized by the above. 該噴射ノズルに切削水を供給する切削水供給手段を具備している、請求項３記載の切削装置。   The cutting device according to claim 3, further comprising a cutting water supply means for supplying cutting water to the spray nozzle.
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